JPH0878732A - チップ型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
チップ型発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH0878732A JPH0878732A JP6207639A JP20763994A JPH0878732A JP H0878732 A JPH0878732 A JP H0878732A JP 6207639 A JP6207639 A JP 6207639A JP 20763994 A JP20763994 A JP 20763994A JP H0878732 A JPH0878732 A JP H0878732A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は樹脂封止部と電極の密着性が良好な
チップ型ＬＥＤの構造と製造方法を提供することを目的
としている。 【構成】本発明のチップ型ＬＥＤの構造は、絶縁基板１
の表面から裏面に回り込むように形成された一組の電極
２，３と、前記電極の一方２に搭載された発光素子４
と、この発光素子４と他方の電極３とを電気的に接続す
る金属ワイヤ５と、発光素子４及び金属ワイヤ５を封止
する樹脂封止部６を有しており、一組の電極２，３には
半田メッキ７（斜線部）が施されている。電極２，３に
半田メッキ７が施されているので、樹脂封止部と電極の
密着性を向上させると共に、金属ワイヤの切れや剥離を
防止することができる。
チップ型ＬＥＤの構造と製造方法を提供することを目的
としている。 【構成】本発明のチップ型ＬＥＤの構造は、絶縁基板１
の表面から裏面に回り込むように形成された一組の電極
２，３と、前記電極の一方２に搭載された発光素子４
と、この発光素子４と他方の電極３とを電気的に接続す
る金属ワイヤ５と、発光素子４及び金属ワイヤ５を封止
する樹脂封止部６を有しており、一組の電極２，３には
半田メッキ７（斜線部）が施されている。電極２，３に
半田メッキ７が施されているので、樹脂封止部と電極の
密着性を向上させると共に、金属ワイヤの切れや剥離を
防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型発光ダイオー
ドに関し、特に信頼性の向上を図るための構造及び製造
方法に関する。
ドに関し、特に信頼性の向上を図るための構造及び製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（以下ＬＥＤ）は動作電
圧が低く、応答速度が速く、かつ動作寿命が長い等の利
点があるので、各種電気機器の表示ランプとして使用さ
れている。特に、近年では、電気機器の小型化の要求に
応じるため表面実装用のチップ型ＬＥＤが使用されてい
る。
圧が低く、応答速度が速く、かつ動作寿命が長い等の利
点があるので、各種電気機器の表示ランプとして使用さ
れている。特に、近年では、電気機器の小型化の要求に
応じるため表面実装用のチップ型ＬＥＤが使用されてい
る。
【０００３】一般にチップ型ＬＥＤは、図６に示すよう
に、絶縁基板１の表面から裏面に回り込むように形成さ
れた一組の電極２，３と、この一組の電極の一方２に搭
載された発光素子４と、この発光素子４と他方の電極３
とを接続する金属ワイヤ５と、を透明または半透明の樹
脂で封止した樹脂封止部６とから構成されている。以上
のような構成のチップ型ＬＥＤがプリント基板に実装さ
れ、その点滅により各種電気機器のスイッチのＯＮ／Ｏ
ＦＦや、各種インジケータの表示を行なっている。
に、絶縁基板１の表面から裏面に回り込むように形成さ
れた一組の電極２，３と、この一組の電極の一方２に搭
載された発光素子４と、この発光素子４と他方の電極３
とを接続する金属ワイヤ５と、を透明または半透明の樹
脂で封止した樹脂封止部６とから構成されている。以上
のような構成のチップ型ＬＥＤがプリント基板に実装さ
れ、その点滅により各種電気機器のスイッチのＯＮ／Ｏ
ＦＦや、各種インジケータの表示を行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のチッ
プ型ＬＥＤの電極２，３は、発光素子４の搭載及び金属
ワイヤ５の接続を行うため金が使用される。金は化学的
に安定した金属であるため樹脂封止に使用される樹脂と
の相性が悪く電極２，３と樹脂封止部６との密着性に問
題があった。
プ型ＬＥＤの電極２，３は、発光素子４の搭載及び金属
ワイヤ５の接続を行うため金が使用される。金は化学的
に安定した金属であるため樹脂封止に使用される樹脂と
の相性が悪く電極２，３と樹脂封止部６との密着性に問
題があった。
【０００５】特に、樹脂封止部６の材料として、その機
能上、光を外部へ効率よく放射することが要請されるの
で、エポキシ樹脂などの透光性の良好な合成樹脂が用い
られるが、透光性を優先させた合成樹脂では、密着性、
耐湿性など高めるために混入される成分が限定されるた
め、透光性を必要としない他の半導体装置、例えばＩＣ
等、に使用されるものに比較して密着性、耐湿性などが
低くなる傾向にある。
能上、光を外部へ効率よく放射することが要請されるの
で、エポキシ樹脂などの透光性の良好な合成樹脂が用い
られるが、透光性を優先させた合成樹脂では、密着性、
耐湿性など高めるために混入される成分が限定されるた
め、透光性を必要としない他の半導体装置、例えばＩＣ
等、に使用されるものに比較して密着性、耐湿性などが
低くなる傾向にある。
【０００６】そのため、上述のチップ型ＬＥＤを長時間
使用した場合、大気に含まれる水分がエポキシ樹脂に吸
湿され、エポキシ樹脂と電極との密着性が低下し、金属
ワイヤが切れたり電極から剥離するという問題も生じて
いた。本発明はかかる問題点に鑑み、密着性が良好なチ
ップ型ＬＥＤの構造と製造方法を提供することを目的と
している。
使用した場合、大気に含まれる水分がエポキシ樹脂に吸
湿され、エポキシ樹脂と電極との密着性が低下し、金属
ワイヤが切れたり電極から剥離するという問題も生じて
いた。本発明はかかる問題点に鑑み、密着性が良好なチ
ップ型ＬＥＤの構造と製造方法を提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１のチップ型ＬＥＤは、絶縁基板の表面から裏面に回
り込むように形成された一組の電極と、前記電極の一方
に搭載された発光素子と、前記発光素子と前記電極の他
方とを電気的に接続させるための金属ワイヤと、前記発
光素子及び前記金属ワイヤとを封止する樹脂封止部有す
るチップ型発光ダイオードにおいて、前記一組の電極が
半田メッキされていることを特徴とするものである。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１のチップ型ＬＥＤは、絶縁基板の表面から裏面に回
り込むように形成された一組の電極と、前記電極の一方
に搭載された発光素子と、前記発光素子と前記電極の他
方とを電気的に接続させるための金属ワイヤと、前記発
光素子及び前記金属ワイヤとを封止する樹脂封止部有す
るチップ型発光ダイオードにおいて、前記一組の電極が
半田メッキされていることを特徴とするものである。
【０００８】請求項２のチップ型ＬＥＤの製造方法は、
一定間隔でかつ平行に設けられた複数個のスリット状の
貫通孔を有する第１の板状絶縁基板の表面から前記貫通
孔の内壁をわたり裏面に達する対向電極パターンを形成
する工程と、前記対向電極パターンの一方に発光素子を
搭載するとともに、発光素子と他方の電極パターンとを
金属ワイヤにて電気的に接続する工程と、第２の板状絶
縁基板の表面に塗布され半田部上に前記第１の板状絶縁
基板の貫通孔が位置するようにを重ね合わせた後、両基
板を加熱し第１の板状絶縁基板の電極パターンに半田メ
ッキを施す工程と、前記第１の板状絶縁基板上の発光素
子及び金属ワイヤを樹脂封止する工程と、前記第１の板
状絶縁基板を切断する工程とを有することを特徴とする
ものである。
一定間隔でかつ平行に設けられた複数個のスリット状の
貫通孔を有する第１の板状絶縁基板の表面から前記貫通
孔の内壁をわたり裏面に達する対向電極パターンを形成
する工程と、前記対向電極パターンの一方に発光素子を
搭載するとともに、発光素子と他方の電極パターンとを
金属ワイヤにて電気的に接続する工程と、第２の板状絶
縁基板の表面に塗布され半田部上に前記第１の板状絶縁
基板の貫通孔が位置するようにを重ね合わせた後、両基
板を加熱し第１の板状絶縁基板の電極パターンに半田メ
ッキを施す工程と、前記第１の板状絶縁基板上の発光素
子及び金属ワイヤを樹脂封止する工程と、前記第１の板
状絶縁基板を切断する工程とを有することを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】本発明では、発光素子の搭載及び金属ワイヤの
接続が完了した一組の電極に半田メッキすることで樹脂
封止部と電極の密着性を向上させると共に、半田により
金属ワイヤと電極とをより強固に接続することができる
ので金属ワイヤの切れや剥離を防止することができる。
接続が完了した一組の電極に半田メッキすることで樹脂
封止部と電極の密着性を向上させると共に、半田により
金属ワイヤと電極とをより強固に接続することができる
ので金属ワイヤの切れや剥離を防止することができる。
【００１０】また、本発明の製造方法によれば、従来の
製造方法に簡単な工程を付加するだけで一度に多数の電
極パターンに半田メッキを施すことができるので、量産
に適している。
製造方法に簡単な工程を付加するだけで一度に多数の電
極パターンに半田メッキを施すことができるので、量産
に適している。
【００１１】
【実施例】以下、本発明について図面に示す実施例に基
づいて詳述する。尚、従来と同一部分や相当部分には同
一の符号を付している。図１は、本発明のチップ型ＬＥ
Ｄを示しておりその構造は、絶縁基板１の表面から裏面
に回り込むように形成された一組の電極２，３と、前記
電極の一方２に搭載された発光素子４と、この発光素子
４と他方の電極３とを電気的に接続する金属ワイヤ５
と、発光素子４及び金属ワイヤ５を封止する樹脂封止部
６を有しており、一組の電極２，３には半田メッキ７
（斜線部）が施されている。
づいて詳述する。尚、従来と同一部分や相当部分には同
一の符号を付している。図１は、本発明のチップ型ＬＥ
Ｄを示しておりその構造は、絶縁基板１の表面から裏面
に回り込むように形成された一組の電極２，３と、前記
電極の一方２に搭載された発光素子４と、この発光素子
４と他方の電極３とを電気的に接続する金属ワイヤ５
と、発光素子４及び金属ワイヤ５を封止する樹脂封止部
６を有しており、一組の電極２，３には半田メッキ７
（斜線部）が施されている。
【００１２】本発明によれば、電極２，３には半田メッ
キ７が施されているので、樹脂封止部と電極の密着性を
向上させると共に、金属ワイヤの切れや剥離を防止する
ことができる。次に本発明のチップ型ＬＥＤの製造方法
について説明する。まず、図２に示すように、アルミナ
や合成樹脂性等からなる第１の板状絶縁基板１１に一定
間隔でかつ平行な複数個のスリット状の貫通孔１２を設
ける。次に、第１の板状絶縁基板１１の表面から該貫通
孔１２の内壁をわたり裏面に達する金からなる対向電極
パターン１３，１４を形成する。そして、一方の電極パ
ターン１３にＧａＰ，ＧａＡｓ等からなる発光素子４を
搭載するとともに、発光素子４と他方の電極パターン１
４とを金からなる金属ワイヤ５にて電気的に接続する。
キ７が施されているので、樹脂封止部と電極の密着性を
向上させると共に、金属ワイヤの切れや剥離を防止する
ことができる。次に本発明のチップ型ＬＥＤの製造方法
について説明する。まず、図２に示すように、アルミナ
や合成樹脂性等からなる第１の板状絶縁基板１１に一定
間隔でかつ平行な複数個のスリット状の貫通孔１２を設
ける。次に、第１の板状絶縁基板１１の表面から該貫通
孔１２の内壁をわたり裏面に達する金からなる対向電極
パターン１３，１４を形成する。そして、一方の電極パ
ターン１３にＧａＰ，ＧａＡｓ等からなる発光素子４を
搭載するとともに、発光素子４と他方の電極パターン１
４とを金からなる金属ワイヤ５にて電気的に接続する。
【００１３】次に、図３に示すように、第２の板状絶縁
基板１５を用意し、該基板の表面にクリーム半田１６
を、第１の板状絶縁基板１１も設けられた貫通孔１２と
同一間隔となるように塗布する。次に、図４に示すよう
に、第２の板状絶縁基板１５のクリーム半田１６部と第
１の板状絶縁基板１１の貫通孔１２が位置合わせするよ
うに第２の板状絶縁基板１５上に第１の板状絶縁基板１
１を重ね合わせ、図示しないリフロー炉で加熱すること
で、クリーム半田１６が溶融し電極パターン１３，１４
を覆うようにに半田メッキを施すことができる。
基板１５を用意し、該基板の表面にクリーム半田１６
を、第１の板状絶縁基板１１も設けられた貫通孔１２と
同一間隔となるように塗布する。次に、図４に示すよう
に、第２の板状絶縁基板１５のクリーム半田１６部と第
１の板状絶縁基板１１の貫通孔１２が位置合わせするよ
うに第２の板状絶縁基板１５上に第１の板状絶縁基板１
１を重ね合わせ、図示しないリフロー炉で加熱すること
で、クリーム半田１６が溶融し電極パターン１３，１４
を覆うようにに半田メッキを施すことができる。
【００１４】最後に、図５に示すように、第１の板状絶
縁基板１１上の発光素子４と金属ワイヤ５をエポキシ樹
脂からなる透光性樹脂１７にて封止を行った後、ライン
１８に沿って切断する。この切断工程によって、図１に
示した個別のチップ型ＬＥＤが完成する。
縁基板１１上の発光素子４と金属ワイヤ５をエポキシ樹
脂からなる透光性樹脂１７にて封止を行った後、ライン
１８に沿って切断する。この切断工程によって、図１に
示した個別のチップ型ＬＥＤが完成する。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止部と電極パタ
ーンの密着性を向上させると共に、金属ワイヤの切れや
剥離を防止することができる。また、本発明の製造方法
によれば、一度に多数の電極パターンに半田メッキを施
すことができるので、量産に適している。
ーンの密着性を向上させると共に、金属ワイヤの切れや
剥離を防止することができる。また、本発明の製造方法
によれば、一度に多数の電極パターンに半田メッキを施
すことができるので、量産に適している。
【図１】本発明のチップ型ＬＥＤを示す斜視図。
【図２】第１の板状絶縁基板を示す平面図
【図３】第２の板状絶縁基板を示す平面図。
【図４】第１及び第２の板状絶縁基板を重ね合わせた状
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図５】第１の板状絶縁基板の切断位置を示す平面図
【図６】従来のチップ型ＬＥＤを示する。
１ 絶縁基板 ２，３ 電極 ４ 発光素子 ５ 金属ワイヤ ６ 樹脂封止部 ７ 半田メッキ 11 第１の板状絶縁基板 12 貫通孔 13,14 電極パターン 15 第２の板状絶縁基板 16 クリーム半田 17 透光性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面から裏面に回り込むよう
に形成された一組の電極と、前記電極の一方に搭載され
た発光素子と、前記発光素子と前記電極の他方とを電気
的に接続する金属ワイヤと、前記発光素子及び前記金属
ワイヤを封止する樹脂封止部を有するチップ型発光ダイ
オードにおいて、 前記一組の電極が半田メッキされているを特徴とするチ
ップ型発光ダイオード。 - 【請求項２】 一定間隔でかつ平行に設けられた複数個
のスリット状の貫通孔を有する第１の板状絶縁基板の表
面から前記貫通孔の内壁をわたり裏面に達する対向電極
パターンを形成する工程と、前記対向電極パターンの一
方に発光素子を搭載するとともに、発光素子と他方の電
極パターンとを金属ワイヤにて電気的に接続する工程
と、第２の板状絶縁基板の表面に塗布され半田部上に前
記第１の板状絶縁基板の貫通孔が位置するようにを重ね
合わせた後、両基板を加熱し第１の板状絶縁基板の電極
パターンに半田メッキを施す工程と、前記第１の板状絶
縁基板上の発光素子及び金属ワイヤを樹脂封止する工程
と、前記第１の板状絶縁基板を切断する工程とを有する
ことを特徴とするチップ型発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207639A JPH0878732A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207639A JPH0878732A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878732A true JPH0878732A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16543121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207639A Pending JPH0878732A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878732A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6350631B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
| WO2007080742A1 (ja) | 2006-01-16 | 2007-07-19 | Towa Corporation | 光素子の樹脂封止成形方法 |
| JP2008153698A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面実装型光電変換装置 |
| WO2008143201A1 (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Showa Denko K.K. | 半導体発光装置 |
| US9865780B2 (en) | 2012-06-11 | 2018-01-09 | Cree, Inc. | LED package with encapsulant having planar surfaces |
| US10424702B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-09-24 | Cree, Inc. | Compact LED package with reflectivity layer |
| US10468565B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-11-05 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207639A patent/JPH0878732A/ja active Pending
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