JPH087352A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH087352A JPH087352A JP14305294A JP14305294A JPH087352A JP H087352 A JPH087352 A JP H087352A JP 14305294 A JP14305294 A JP 14305294A JP 14305294 A JP14305294 A JP 14305294A JP H087352 A JPH087352 A JP H087352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- film
- transition metal
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚分布及び組成分布の改善することで材料
の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること 【構成】 非磁性基盤上に、希土類REと遷移金属TM
の周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を1.2<
(TM/RE)<1.8に設定し且つ一層当たりの希土
類REの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。
の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること 【構成】 非磁性基盤上に、希土類REと遷移金属TM
の周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を1.2<
(TM/RE)<1.8に設定し且つ一層当たりの希土
類REの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体および
その製造方法に係り、とくに非晶質材である希土類RE
と遷移金属TMとを多層に積層させた周期多層膜から成
る非晶質材を備えた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
その製造方法に係り、とくに非晶質材である希土類RE
と遷移金属TMとを多層に積層させた周期多層膜から成
る非晶質材を備えた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】光記録媒体,光磁気記録媒体,或いはそ
の他の磁気記録媒体等を作製する場合、昨今において
は、磁気特性に優れ且つアモルファス合金特有の優れた
性質を活用し得ることから非晶質材が比較的多く用いら
れている。この内、希土類RE(Rare Eart
h)と遷移金属TM(Transition Meta
l)とを多層に積層させた非晶質合金膜を記録媒体とし
て用いたものは、記録媒体として良好な特性を示し、量
産化レベルにおいても実用的に優れていることが知られ
ている。
の他の磁気記録媒体等を作製する場合、昨今において
は、磁気特性に優れ且つアモルファス合金特有の優れた
性質を活用し得ることから非晶質材が比較的多く用いら
れている。この内、希土類RE(Rare Eart
h)と遷移金属TM(Transition Meta
l)とを多層に積層させた非晶質合金膜を記録媒体とし
て用いたものは、記録媒体として良好な特性を示し、量
産化レベルにおいても実用的に優れていることが知られ
ている。
【0003】この常温において非磁性を示す希土類等の
物質を他の磁性材と結合させて上述したような非晶質材
を、磁性材として量産する場合、次の二つの方法が知ら
れている。 .希土類REと遷移金属TMとから成る合金ターゲッ
トを用いてスパッタする方法(1元スパッタ法)。 .希土類REおよび遷移金属TMの二つのターゲット
を用いて同時にスパッタする共スパッタ法を用いる方法
(多元スパッタ法)。
物質を他の磁性材と結合させて上述したような非晶質材
を、磁性材として量産する場合、次の二つの方法が知ら
れている。 .希土類REと遷移金属TMとから成る合金ターゲッ
トを用いてスパッタする方法(1元スパッタ法)。 .希土類REおよび遷移金属TMの二つのターゲット
を用いて同時にスパッタする共スパッタ法を用いる方法
(多元スパッタ法)。
【0004】の合金ターゲットを用いる方法は、RE
ーTM非晶質膜の膜組成を予め厳格に求め、その膜組成
を得ることが出来るようなターゲット(複合ターゲット
又は合金ターゲット)を用いるものであり、膜作製の再
現性、成膜時の管理という点で優れている。一方、の
2つのターゲットを用いる共スパッタ法によるものは、
成膜時、2つのターゲットの各々のターゲットパワー、
膜の分布等を管理しながら、回転される非磁性基板上に
同時にスパッタによって2つのターゲット物質を成膜す
るものである。この方法では、非磁性基板が1回転する
毎に2つの膜が交互に形成されるものであるから、得ら
れた非晶質膜は見かけ上はもちろん、実質的に積層膜化
された膜組成となる。
ーTM非晶質膜の膜組成を予め厳格に求め、その膜組成
を得ることが出来るようなターゲット(複合ターゲット
又は合金ターゲット)を用いるものであり、膜作製の再
現性、成膜時の管理という点で優れている。一方、の
2つのターゲットを用いる共スパッタ法によるものは、
成膜時、2つのターゲットの各々のターゲットパワー、
膜の分布等を管理しながら、回転される非磁性基板上に
同時にスパッタによって2つのターゲット物質を成膜す
るものである。この方法では、非磁性基板が1回転する
毎に2つの膜が交互に形成されるものであるから、得ら
れた非晶質膜は見かけ上はもちろん、実質的に積層膜化
された膜組成となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した合金ターゲッ
トを用いる方法は、上述のような利点を有する反面、タ
ーゲットが高価なこと、及びターゲットの消耗に伴う組
成ずれを生じたときに調整出来ない等の欠点を有し、コ
スト面及び量産面で必ずしも適当な方法とは言えない場
合があった。このような場合には、上述した共スパッタ
法が採用され、この共スパッタ法では、膜が形成される
非磁性基板の回転数及び2つのターゲットのスパッタリ
ングパワー等に応じて希土類REと遷移金属TMとの各
原子層が交互に複数層所定膜厚で積層されることにな
る。
トを用いる方法は、上述のような利点を有する反面、タ
ーゲットが高価なこと、及びターゲットの消耗に伴う組
成ずれを生じたときに調整出来ない等の欠点を有し、コ
スト面及び量産面で必ずしも適当な方法とは言えない場
合があった。このような場合には、上述した共スパッタ
法が採用され、この共スパッタ法では、膜が形成される
非磁性基板の回転数及び2つのターゲットのスパッタリ
ングパワー等に応じて希土類REと遷移金属TMとの各
原子層が交互に複数層所定膜厚で積層されることにな
る。
【0006】この共スパッタ法において、基板に形成さ
れる膜の原子層厚比(TM/RE)を保って各層を厚く
していくと、膜組成上は変わらないにも係わらず、磁気
特性的には希土類REが何ら関与しない状態、あるいは
希土類が磁性に全く寄与しない状態が生じ、せっかく得
られたRE−TMよりなる非晶質材の磁気特性は大幅に
低下したものとなる。この現象は、例えば、膜を形成す
る基板を支持したパレットを低速で回転させたり、ま
た、ターゲットへのスパッタパワーを高くしたりして一
層当りのRE層厚が極端に厚く堆積したときに現れる。
れる膜の原子層厚比(TM/RE)を保って各層を厚く
していくと、膜組成上は変わらないにも係わらず、磁気
特性的には希土類REが何ら関与しない状態、あるいは
希土類が磁性に全く寄与しない状態が生じ、せっかく得
られたRE−TMよりなる非晶質材の磁気特性は大幅に
低下したものとなる。この現象は、例えば、膜を形成す
る基板を支持したパレットを低速で回転させたり、ま
た、ターゲットへのスパッタパワーを高くしたりして一
層当りのRE層厚が極端に厚く堆積したときに現れる。
【0007】希土類REは、それ自体では300[K]
あるいはそれ以上の常温においては非磁性であり、強磁
性体である遷移金属TMと組合わせることによって初め
て磁性材としての特性を示す。この希土類REと遷移金
属TMとを共スパッタ法によって結合させるにあたり、
基板を支持したパレットを低速で回転させると、遷移金
属TMの一層当りの原子層厚が厚くなることは勿論、特
に希土類REの一層当りの原子層厚が、高速または中速
でパレットを回転させた場合に比べて大幅に厚くなる。
あるいはそれ以上の常温においては非磁性であり、強磁
性体である遷移金属TMと組合わせることによって初め
て磁性材としての特性を示す。この希土類REと遷移金
属TMとを共スパッタ法によって結合させるにあたり、
基板を支持したパレットを低速で回転させると、遷移金
属TMの一層当りの原子層厚が厚くなることは勿論、特
に希土類REの一層当りの原子層厚が、高速または中速
でパレットを回転させた場合に比べて大幅に厚くなる。
【0008】遷移金属の膜厚を含め、希土類REの原子
層厚が厚くなっても、蛍光X線分析等による組成分析の
結果では、組成としては変化は無い。しかしながら、本
来組成で決まる特性を示さず、層厚の厚さの故に希土類
REが遷移金属TMとの間で磁気作用を得るに必要な、
いわゆる交換相互作用を発揮することが出来ず、せっか
く膜形成された希土類RE膜の一部が磁気特性的には全
く関与しなくなり、RE−TMの膜組成が磁気特性的に
最適な組成から見かけ上は遷移金属リッチな組成に移行
するという不都合な現象が生じる。
層厚が厚くなっても、蛍光X線分析等による組成分析の
結果では、組成としては変化は無い。しかしながら、本
来組成で決まる特性を示さず、層厚の厚さの故に希土類
REが遷移金属TMとの間で磁気作用を得るに必要な、
いわゆる交換相互作用を発揮することが出来ず、せっか
く膜形成された希土類RE膜の一部が磁気特性的には全
く関与しなくなり、RE−TMの膜組成が磁気特性的に
最適な組成から見かけ上は遷移金属リッチな組成に移行
するという不都合な現象が生じる。
【0009】一層当りの希土類REの層厚を厚くした場
合に生じる磁気特性的に関与しない希土類REは、それ
自体が常温で磁性を有さないため、磁気作用には何等寄
与しなくなり、高価な希土類REを無駄にすることにな
るだけでなく、何等寄与しなくなったREがノイズの原
因となり、折角得られた非晶質磁性膜も磁気特性的には
それほど良くないものとなる、という不都合があった。
従って、非晶質材を共スパッタ法で作製する場合、ター
ゲット物質の利用効率及び使用効率が高いという共スパ
ッタ法特有の優れた特徴を十分に活かすことが出来なか
った。また、膜厚分布及び組成分布に関しても、合金タ
ーゲットを用いた場合と比較して劣るものであった。
合に生じる磁気特性的に関与しない希土類REは、それ
自体が常温で磁性を有さないため、磁気作用には何等寄
与しなくなり、高価な希土類REを無駄にすることにな
るだけでなく、何等寄与しなくなったREがノイズの原
因となり、折角得られた非晶質磁性膜も磁気特性的には
それほど良くないものとなる、という不都合があった。
従って、非晶質材を共スパッタ法で作製する場合、ター
ゲット物質の利用効率及び使用効率が高いという共スパ
ッタ法特有の優れた特徴を十分に活かすことが出来なか
った。また、膜厚分布及び組成分布に関しても、合金タ
ーゲットを用いた場合と比較して劣るものであった。
【0010】
【発明の目的】本発明は、係る従来例の有する不都合を
改善し、特に、膜厚分布及び組成分布を改善することに
より材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させるこ
とのできる非晶質材を有する光磁気記録媒体及びその製
造方法を提供することを、その目的とする。
改善し、特に、膜厚分布及び組成分布を改善することに
より材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させるこ
とのできる非晶質材を有する光磁気記録媒体及びその製
造方法を提供することを、その目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項1記載の
本発明では、非磁性基盤上に、希土類REと遷移金属T
Mの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を1.2<
(TM/RE)<1.8に設定し且つ一層当たりの希土
類REの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けた、という構成を採っている。
本発明では、非磁性基盤上に、希土類REと遷移金属T
Mの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を1.2<
(TM/RE)<1.8に設定し且つ一層当たりの希土
類REの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けた、という構成を採っている。
【0012】請求項2記載の本発明では、希土類REと
してTbを採用し,遷移金属TMとしてFeCoを採用
した、という構成を採っている。
してTbを採用し,遷移金属TMとしてFeCoを採用
した、という構成を採っている。
【0013】請求項3記載の本発明では、非磁性基盤上
に、希土類REと遷移金属TMとを、層状にならないよ
うに交互に入り交じった状態で積層された非晶質膜を設
けた、という構成を採っている。
に、希土類REと遷移金属TMとを、層状にならないよ
うに交互に入り交じった状態で積層された非晶質膜を設
けた、という構成を採っている。
【0014】請求項4記載の本発明では、希土類REと
遷移金属TMの二つのターゲット物質を用いた同時スパ
ッタを、希土類REと遷移金属TMとの原子層厚の比が
1.2<(TM/RE)<1.8となる関係で且つ一層
当りの希土類REの平均原子層厚がその原子半径以下と
なるように、非磁性基板を回転させながら行う、という
構成を採っている。
遷移金属TMの二つのターゲット物質を用いた同時スパ
ッタを、希土類REと遷移金属TMとの原子層厚の比が
1.2<(TM/RE)<1.8となる関係で且つ一層
当りの希土類REの平均原子層厚がその原子半径以下と
なるように、非磁性基板を回転させながら行う、という
構成を採っている。
【0015】請求項5記載の本発明では、2種のターゲ
ット物質Tb及びFeCoが配置されると共に真空槽内
に装着されたパレットの対面で非磁性基盤を回転させて
いるときに、真空槽内の到達真空度を5x10-5[P
a]以下で且つ不活性ガスの圧力を0.14x10
0[Pa]の状態で、Tbターゲットへの投入電力を2
40[W]で且つFeCoターゲットへの投入電力を1
280[W]でスパッタすることで、非磁性基盤上に記
録層を形成する、という構成を採っている。
ット物質Tb及びFeCoが配置されると共に真空槽内
に装着されたパレットの対面で非磁性基盤を回転させて
いるときに、真空槽内の到達真空度を5x10-5[P
a]以下で且つ不活性ガスの圧力を0.14x10
0[Pa]の状態で、Tbターゲットへの投入電力を2
40[W]で且つFeCoターゲットへの投入電力を1
280[W]でスパッタすることで、非磁性基盤上に記
録層を形成する、という構成を採っている。
【0016】本発明では、これらの手段によって、上述
した目的を達成しようとするものである。
した目的を達成しようとするものである。
【0017】
【作用】上述した関係で非晶質材の膜を形成すると、そ
れ自体が常温で非磁性の物質が他の磁性物質と磁気的に
結合され、磁性材としての機能を発揮する。例えば、非
晶質材が希土類REと遷移金属TMとからなる場合は、
それ自体が常温で非磁性の希土類REが磁性体である遷
移金属TMと磁気的に結合され、いわゆる交換相互作用
により磁性体としての作用を十分に発揮するようにな
り、磁気特性に寄与しない分布が少なくなる。従って、
磁性体膜としての非晶質材の磁気特性が改善され、高い
レベルに保持される。そして、特に希土類REの一層当
りの平均原子層厚がその原子半径以下と薄い膜組成であ
る場合は、十分に良好な特性が得られる。
れ自体が常温で非磁性の物質が他の磁性物質と磁気的に
結合され、磁性材としての機能を発揮する。例えば、非
晶質材が希土類REと遷移金属TMとからなる場合は、
それ自体が常温で非磁性の希土類REが磁性体である遷
移金属TMと磁気的に結合され、いわゆる交換相互作用
により磁性体としての作用を十分に発揮するようにな
り、磁気特性に寄与しない分布が少なくなる。従って、
磁性体膜としての非晶質材の磁気特性が改善され、高い
レベルに保持される。そして、特に希土類REの一層当
りの平均原子層厚がその原子半径以下と薄い膜組成であ
る場合は、十分に良好な特性が得られる。
【0018】また、希土類RE層と遷移金属TM層を多
層に積層させて非晶質材を作製するに当たり、その層厚
比を1.2<(TM/RE)<1.8に選定すると、非
晶質材は、薄膜でかつ十分に良好な磁気特性を有するこ
ととなる。
層に積層させて非晶質材を作製するに当たり、その層厚
比を1.2<(TM/RE)<1.8に選定すると、非
晶質材は、薄膜でかつ十分に良好な磁気特性を有するこ
ととなる。
【0019】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本実施例の非晶質材(膜)を示すも
ので、光磁気ディスク媒体の一部断面図である。ここで
は、非磁性基板11上に希土類REと遷移金属TMとの
原子層が同一層内で交互に入り交じった状態で複数個構
成されている非晶質膜13が、記録層として作用してい
る。非晶質膜13は、基盤上に形成された下地膜12と
保護膜14との間に積層されていて、保護膜14には反
射膜15が形成され、さらに保護膜(UV)16が形成
されている。
て説明する。図1は本実施例の非晶質材(膜)を示すも
ので、光磁気ディスク媒体の一部断面図である。ここで
は、非磁性基板11上に希土類REと遷移金属TMとの
原子層が同一層内で交互に入り交じった状態で複数個構
成されている非晶質膜13が、記録層として作用してい
る。非晶質膜13は、基盤上に形成された下地膜12と
保護膜14との間に積層されていて、保護膜14には反
射膜15が形成され、さらに保護膜(UV)16が形成
されている。
【0020】RE及びTM層は、共スパッタリング法に
より対応する2つのターゲット物質を用いて基板11を
回転させながら同時に層形成される。その層形成の際、
図2(A)に示すように、2つの原子層REとTMとが
層状の構造をとる場合と、図2(B)に示すように、2
つの原子層REとTMとが層状構造とならず、相互に入
り交じり合いながら交互に積層される場合とがある。本
実施例では、2つの原子層REとTMとは1層内で相互
に入り交じり合いながら交互に積層された膜構造(図2
(B))となった非晶質膜13を記録層として採用して
いる。そのため、基板11の一回転で積層される各原子
層の格子面間隔Lに於ける1ユニット内の希土類REと
遷移金属TMとの層厚比が1.2<(TM/RE)<
1.8なる関係式を満足するように2つの層が形成され
ている。
より対応する2つのターゲット物質を用いて基板11を
回転させながら同時に層形成される。その層形成の際、
図2(A)に示すように、2つの原子層REとTMとが
層状の構造をとる場合と、図2(B)に示すように、2
つの原子層REとTMとが層状構造とならず、相互に入
り交じり合いながら交互に積層される場合とがある。本
実施例では、2つの原子層REとTMとは1層内で相互
に入り交じり合いながら交互に積層された膜構造(図2
(B))となった非晶質膜13を記録層として採用して
いる。そのため、基板11の一回転で積層される各原子
層の格子面間隔Lに於ける1ユニット内の希土類REと
遷移金属TMとの層厚比が1.2<(TM/RE)<
1.8なる関係式を満足するように2つの層が形成され
ている。
【0021】これを詳細に説明する。ここでは希土類と
してTbが、また、遷移金属TMとしてFeCoを採用
した。TbとFeCoとは、上述した共スパッタリング
法により2つのターゲット物質を用いて下記に例示した
成膜条件により基板11上に同時に積層される。
してTbが、また、遷移金属TMとしてFeCoを採用
した。TbとFeCoとは、上述した共スパッタリング
法により2つのターゲット物質を用いて下記に例示した
成膜条件により基板11上に同時に積層される。
【0022】図3はその成膜の際に用いられる共スパッ
タリング装置を示す正面の一部断面図であり、図4は図
3に示した共スパッタリング装置の底面図である。真空
槽31内にTbとFeCoの2つのターゲット物質3
2、33を配置すると共に、パレット34のターゲット
32、33の対向面に複数枚の基板11を回転させ、不
活性ガスを真空槽31内に導入後、パレット34を回転
させる。同時に電場をかけるとプラズマ放電が発生し、
スパッタされパレット34の1回転毎に基板11上にT
bとFeCoTiが交互に積層されるというものであ
る。
タリング装置を示す正面の一部断面図であり、図4は図
3に示した共スパッタリング装置の底面図である。真空
槽31内にTbとFeCoの2つのターゲット物質3
2、33を配置すると共に、パレット34のターゲット
32、33の対向面に複数枚の基板11を回転させ、不
活性ガスを真空槽31内に導入後、パレット34を回転
させる。同時に電場をかけるとプラズマ放電が発生し、
スパッタされパレット34の1回転毎に基板11上にT
bとFeCoTiが交互に積層されるというものであ
る。
【0023】実際には、真空槽31内の到達真空度5x
10-5[Pa]以下、スパッタ時のアルゴンガス圧0.
14x100[Pa]の状態で、Tbターゲットへの投
入電力を240[W],FeCoターゲットへの投入電
力を1280[W]に設定して、108秒間共スパッタ
を行った。
10-5[Pa]以下、スパッタ時のアルゴンガス圧0.
14x100[Pa]の状態で、Tbターゲットへの投
入電力を240[W],FeCoターゲットへの投入電
力を1280[W]に設定して、108秒間共スパッタ
を行った。
【0024】Tbの原子径を3.56オングストロー
ム、Feの原子径を2.48オングストローム、Coの
原子径を2.50オングストロームとして換算すると1
ユニットの格子面間隔Lにおいて、平均原子総数がTb
1原子層よりも小さな状態で膜厚分布及び組成分布が改
善され、磁気特性的にも最適であることがわかった。図
5は、実際に成膜された非晶質膜13について調べた結
果を示すものである。横軸はディスクの径方向、縦軸は
最内径に於ける膜厚及び組成の規格値を表している。図
5中、実線はTb原子層がTb原子半径よりも小さい場
合、即ち、図2(B)に示したような1層内で相互に入
り交じり合いながら交互に積層された膜構造の場合を示
している。一方、点線は図2(A)に示した積層された
膜構造の場合で、Tb原子層がTb原子半径よりも大き
い場合を示している。この評価からも明らかなように、
本実施例では、膜厚及び組成は共に安定している。
ム、Feの原子径を2.48オングストローム、Coの
原子径を2.50オングストロームとして換算すると1
ユニットの格子面間隔Lにおいて、平均原子総数がTb
1原子層よりも小さな状態で膜厚分布及び組成分布が改
善され、磁気特性的にも最適であることがわかった。図
5は、実際に成膜された非晶質膜13について調べた結
果を示すものである。横軸はディスクの径方向、縦軸は
最内径に於ける膜厚及び組成の規格値を表している。図
5中、実線はTb原子層がTb原子半径よりも小さい場
合、即ち、図2(B)に示したような1層内で相互に入
り交じり合いながら交互に積層された膜構造の場合を示
している。一方、点線は図2(A)に示した積層された
膜構造の場合で、Tb原子層がTb原子半径よりも大き
い場合を示している。この評価からも明らかなように、
本実施例では、膜厚及び組成は共に安定している。
【0025】Tbの平均原子層厚をTb原子径以下とな
るような膜組成で非晶質膜を作製すると、核格子面間隔
LにおけるTbの原子層が平均層厚3.56オングスト
ローム以下の薄膜であるから遷移金属FeCoと磁気的
に結合し、交換相互作用により本来常温で非磁性のTb
が磁性体としての特性を示す。従って、非晶質膜の各原
子層内にわたって磁性に寄与しないTbは無くなる、従
って、高価なTbを有効利用することができる。また、
磁気特性が安定し、磁気的に安定した良好な磁性体膜が
得られる。また、上述した製造方法に条件を満足させる
ことにより、磁気的に安定した良好な非晶質材、即ち磁
性体膜を効率よく作製することが可能である。
るような膜組成で非晶質膜を作製すると、核格子面間隔
LにおけるTbの原子層が平均層厚3.56オングスト
ローム以下の薄膜であるから遷移金属FeCoと磁気的
に結合し、交換相互作用により本来常温で非磁性のTb
が磁性体としての特性を示す。従って、非晶質膜の各原
子層内にわたって磁性に寄与しないTbは無くなる、従
って、高価なTbを有効利用することができる。また、
磁気特性が安定し、磁気的に安定した良好な磁性体膜が
得られる。また、上述した製造方法に条件を満足させる
ことにより、磁気的に安定した良好な非晶質材、即ち磁
性体膜を効率よく作製することが可能である。
【0026】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、膜厚及び組成に関して広く均一な
非晶質材(膜)が安定して得られる。また、本来常温で
非磁性を示す非金属、希土類等が磁性材である遷移金属
等との原子レベルでの結合により、十分に磁性を発揮す
るようになり、磁性に関与または寄与しない非磁性の希
土類等が無くなる。磁性に関与または寄与しない希土類
等が存在しないので、ノイズの低下を可能にすると共
に、高価な材料の有効利用および材料の節約が可能であ
る。このように、膜厚分布及び組成分布の改善すること
で材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること
のできる従来にない非晶質材を有する光磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することができる。
ので、これによると、膜厚及び組成に関して広く均一な
非晶質材(膜)が安定して得られる。また、本来常温で
非磁性を示す非金属、希土類等が磁性材である遷移金属
等との原子レベルでの結合により、十分に磁性を発揮す
るようになり、磁性に関与または寄与しない非磁性の希
土類等が無くなる。磁性に関与または寄与しない希土類
等が存在しないので、ノイズの低下を可能にすると共
に、高価な材料の有効利用および材料の節約が可能であ
る。このように、膜厚分布及び組成分布の改善すること
で材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること
のできる従来にない非晶質材を有する光磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することができる。
【図1】本発明の一実施例を示す光磁気ディスク媒体の
膜構成説明図である。
膜構成説明図である。
【図2】従来及び本実施例による非晶質膜の断面図であ
り、図2(A)は従来例を示す断面図で、図2(B)は
本実施例による非晶質膜の断面図である。
り、図2(A)は従来例を示す断面図で、図2(B)は
本実施例による非晶質膜の断面図である。
【図3】本発明の光磁気ディスク媒体の製造方法の実施
に用いる共スパッタ装置の正面の一部断面図である。
に用いる共スパッタ装置の正面の一部断面図である。
【図4】図3に示した共スパッタ装置の底面図である。
【図5】本実施例による非晶質膜13の評価を示し、図
5(A)は膜厚についてのグラフ図であり、図5(B)
は組成についてのグラフ図である。
5(A)は膜厚についてのグラフ図であり、図5(B)
は組成についてのグラフ図である。
L 格子面間隔 11 非磁性基板 12 下地膜 13 非晶質膜 14 保護膜 15 反射膜 16 保護膜(UV) 21 RE 22 TM 23 非晶質膜 31 真空槽 32 REターゲット 33 TMターゲット 34 パレット 35 回転軸 36 基板ホルダ
Claims (5)
- 【請求項1】 非磁性基盤上に、希土類REと遷移金属
TMの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を1.2
<(TM/RE)<1.8に設定し且つ一層当たりの希
土類REの平均原子層厚がその原子半径以下に積層され
た非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記希土類REとしてTbを採用し,前
記遷移金属TMとしてFeCoを採用したことを特徴と
する請求項1記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 非磁性基盤上に、前記希土類REと遷移
金属TMとを、層状にならないように交互に入り交じっ
た状態で積層された非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒
体。 - 【請求項4】 希土類REと遷移金属TMの二つのター
ゲット物質を用いた同時スパッタを、希土類REと遷移
金属TMとの原子層厚の比が1.2<(TM/RE)<
1.8となる関係で且つ一層当りの希土類REの平均原
子層厚がその原子半径以下となるように、非磁性基板を
回転させながら行うことを特徴とした光磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項5】 2種のターゲット物質Tb及びFeCo
が配置されると共に真空槽内に装着されたパレットの対
面で非磁性基盤を回転させているときに、真空槽内の到
達真空度を5x10-5[Pa]以下で且つ不活性ガスの
圧力を0.14x100[Pa]の状態で、Tbターゲ
ットへの投入電力を240[W]で且つFeCoターゲ
ットへの投入電力を1280[W]でスパッタすること
で、非磁性基盤上に記録層を形成することを特徴とした
光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14305294A JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14305294A JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH087352A true JPH087352A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15329800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14305294A Pending JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH087352A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6271041A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH04163744A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14305294A patent/JPH087352A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6271041A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH04163744A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4539265A (en) | Magnetic recording medium | |
JPH087352A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPS63317922A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP3133443B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS63106916A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3001313B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH04311842A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS63273236A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS63269354A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS62128019A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH01168858A (ja) | 非晶質材及びその製造方法 | |
JPH0416851B2 (ja) | ||
JPH06349662A (ja) | 磁気抵抗効果膜の形成方法 | |
US20040050688A1 (en) | Magnetic recording medium and production process thereof | |
JPH0194552A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH1166533A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH11110756A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6246449A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH1166559A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS59157826A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH05335169A (ja) | 磁性薄膜の形成方法 | |
JP2003100543A (ja) | 磁性膜の形成方法 | |
JPH0660448A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH08329542A (ja) | 光磁気記録層の製法 | |
JPH06282834A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981124 |