JPH087352A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH087352A JPH087352A JP14305294A JP14305294A JPH087352A JP H087352 A JPH087352 A JP H087352A JP 14305294 A JP14305294 A JP 14305294A JP 14305294 A JP14305294 A JP 14305294A JP H087352 A JPH087352 A JP H087352A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚分布及び組成分布の改善することで材料
の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること 【構成】 非磁性基盤上に、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭ
の周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を１．２＜
（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に設定し且つ一層当たりの希土
類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。
の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること 【構成】 非磁性基盤上に、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭ
の周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を１．２＜
（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に設定し且つ一層当たりの希土
類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体および
その製造方法に係り、とくに非晶質材である希土類ＲＥ
と遷移金属ＴＭとを多層に積層させた周期多層膜から成
る非晶質材を備えた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
その製造方法に係り、とくに非晶質材である希土類ＲＥ
と遷移金属ＴＭとを多層に積層させた周期多層膜から成
る非晶質材を備えた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体，光磁気記録媒体，或いはそ
の他の磁気記録媒体等を作製する場合、昨今において
は、磁気特性に優れ且つアモルファス合金特有の優れた
性質を活用し得ることから非晶質材が比較的多く用いら
れている。この内、希土類ＲＥ（Ｒａｒｅ Ｅａｒｔ
ｈ）と遷移金属ＴＭ（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａ
ｌ）とを多層に積層させた非晶質合金膜を記録媒体とし
て用いたものは、記録媒体として良好な特性を示し、量
産化レベルにおいても実用的に優れていることが知られ
ている。
の他の磁気記録媒体等を作製する場合、昨今において
は、磁気特性に優れ且つアモルファス合金特有の優れた
性質を活用し得ることから非晶質材が比較的多く用いら
れている。この内、希土類ＲＥ（Ｒａｒｅ Ｅａｒｔ
ｈ）と遷移金属ＴＭ（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａ
ｌ）とを多層に積層させた非晶質合金膜を記録媒体とし
て用いたものは、記録媒体として良好な特性を示し、量
産化レベルにおいても実用的に優れていることが知られ
ている。
【０００３】この常温において非磁性を示す希土類等の
物質を他の磁性材と結合させて上述したような非晶質材
を、磁性材として量産する場合、次の二つの方法が知ら
れている。 ．希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとから成る合金ターゲッ
トを用いてスパッタする方法（１元スパッタ法）。 ．希土類ＲＥおよび遷移金属ＴＭの二つのターゲット
を用いて同時にスパッタする共スパッタ法を用いる方法
（多元スパッタ法）。
物質を他の磁性材と結合させて上述したような非晶質材
を、磁性材として量産する場合、次の二つの方法が知ら
れている。 ．希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとから成る合金ターゲッ
トを用いてスパッタする方法（１元スパッタ法）。 ．希土類ＲＥおよび遷移金属ＴＭの二つのターゲット
を用いて同時にスパッタする共スパッタ法を用いる方法
（多元スパッタ法）。
【０００４】の合金ターゲットを用いる方法は、ＲＥ
ーＴＭ非晶質膜の膜組成を予め厳格に求め、その膜組成
を得ることが出来るようなターゲット（複合ターゲット
又は合金ターゲット）を用いるものであり、膜作製の再
現性、成膜時の管理という点で優れている。一方、の
２つのターゲットを用いる共スパッタ法によるものは、
成膜時、２つのターゲットの各々のターゲットパワー、
膜の分布等を管理しながら、回転される非磁性基板上に
同時にスパッタによって２つのターゲット物質を成膜す
るものである。この方法では、非磁性基板が１回転する
毎に２つの膜が交互に形成されるものであるから、得ら
れた非晶質膜は見かけ上はもちろん、実質的に積層膜化
された膜組成となる。
ーＴＭ非晶質膜の膜組成を予め厳格に求め、その膜組成
を得ることが出来るようなターゲット（複合ターゲット
又は合金ターゲット）を用いるものであり、膜作製の再
現性、成膜時の管理という点で優れている。一方、の
２つのターゲットを用いる共スパッタ法によるものは、
成膜時、２つのターゲットの各々のターゲットパワー、
膜の分布等を管理しながら、回転される非磁性基板上に
同時にスパッタによって２つのターゲット物質を成膜す
るものである。この方法では、非磁性基板が１回転する
毎に２つの膜が交互に形成されるものであるから、得ら
れた非晶質膜は見かけ上はもちろん、実質的に積層膜化
された膜組成となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した合金ターゲッ
トを用いる方法は、上述のような利点を有する反面、タ
ーゲットが高価なこと、及びターゲットの消耗に伴う組
成ずれを生じたときに調整出来ない等の欠点を有し、コ
スト面及び量産面で必ずしも適当な方法とは言えない場
合があった。このような場合には、上述した共スパッタ
法が採用され、この共スパッタ法では、膜が形成される
非磁性基板の回転数及び２つのターゲットのスパッタリ
ングパワー等に応じて希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの各
原子層が交互に複数層所定膜厚で積層されることにな
る。
トを用いる方法は、上述のような利点を有する反面、タ
ーゲットが高価なこと、及びターゲットの消耗に伴う組
成ずれを生じたときに調整出来ない等の欠点を有し、コ
スト面及び量産面で必ずしも適当な方法とは言えない場
合があった。このような場合には、上述した共スパッタ
法が採用され、この共スパッタ法では、膜が形成される
非磁性基板の回転数及び２つのターゲットのスパッタリ
ングパワー等に応じて希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの各
原子層が交互に複数層所定膜厚で積層されることにな
る。
【０００６】この共スパッタ法において、基板に形成さ
れる膜の原子層厚比（ＴＭ／ＲＥ）を保って各層を厚く
していくと、膜組成上は変わらないにも係わらず、磁気
特性的には希土類ＲＥが何ら関与しない状態、あるいは
希土類が磁性に全く寄与しない状態が生じ、せっかく得
られたＲＥ−ＴＭよりなる非晶質材の磁気特性は大幅に
低下したものとなる。この現象は、例えば、膜を形成す
る基板を支持したパレットを低速で回転させたり、ま
た、ターゲットへのスパッタパワーを高くしたりして一
層当りのＲＥ層厚が極端に厚く堆積したときに現れる。
れる膜の原子層厚比（ＴＭ／ＲＥ）を保って各層を厚く
していくと、膜組成上は変わらないにも係わらず、磁気
特性的には希土類ＲＥが何ら関与しない状態、あるいは
希土類が磁性に全く寄与しない状態が生じ、せっかく得
られたＲＥ−ＴＭよりなる非晶質材の磁気特性は大幅に
低下したものとなる。この現象は、例えば、膜を形成す
る基板を支持したパレットを低速で回転させたり、ま
た、ターゲットへのスパッタパワーを高くしたりして一
層当りのＲＥ層厚が極端に厚く堆積したときに現れる。
【０００７】希土類ＲＥは、それ自体では３００［Ｋ］
あるいはそれ以上の常温においては非磁性であり、強磁
性体である遷移金属ＴＭと組合わせることによって初め
て磁性材としての特性を示す。この希土類ＲＥと遷移金
属ＴＭとを共スパッタ法によって結合させるにあたり、
基板を支持したパレットを低速で回転させると、遷移金
属ＴＭの一層当りの原子層厚が厚くなることは勿論、特
に希土類ＲＥの一層当りの原子層厚が、高速または中速
でパレットを回転させた場合に比べて大幅に厚くなる。
あるいはそれ以上の常温においては非磁性であり、強磁
性体である遷移金属ＴＭと組合わせることによって初め
て磁性材としての特性を示す。この希土類ＲＥと遷移金
属ＴＭとを共スパッタ法によって結合させるにあたり、
基板を支持したパレットを低速で回転させると、遷移金
属ＴＭの一層当りの原子層厚が厚くなることは勿論、特
に希土類ＲＥの一層当りの原子層厚が、高速または中速
でパレットを回転させた場合に比べて大幅に厚くなる。
【０００８】遷移金属の膜厚を含め、希土類ＲＥの原子
層厚が厚くなっても、蛍光Ｘ線分析等による組成分析の
結果では、組成としては変化は無い。しかしながら、本
来組成で決まる特性を示さず、層厚の厚さの故に希土類
ＲＥが遷移金属ＴＭとの間で磁気作用を得るに必要な、
いわゆる交換相互作用を発揮することが出来ず、せっか
く膜形成された希土類ＲＥ膜の一部が磁気特性的には全
く関与しなくなり、ＲＥ−ＴＭの膜組成が磁気特性的に
最適な組成から見かけ上は遷移金属リッチな組成に移行
するという不都合な現象が生じる。
層厚が厚くなっても、蛍光Ｘ線分析等による組成分析の
結果では、組成としては変化は無い。しかしながら、本
来組成で決まる特性を示さず、層厚の厚さの故に希土類
ＲＥが遷移金属ＴＭとの間で磁気作用を得るに必要な、
いわゆる交換相互作用を発揮することが出来ず、せっか
く膜形成された希土類ＲＥ膜の一部が磁気特性的には全
く関与しなくなり、ＲＥ−ＴＭの膜組成が磁気特性的に
最適な組成から見かけ上は遷移金属リッチな組成に移行
するという不都合な現象が生じる。
【０００９】一層当りの希土類ＲＥの層厚を厚くした場
合に生じる磁気特性的に関与しない希土類ＲＥは、それ
自体が常温で磁性を有さないため、磁気作用には何等寄
与しなくなり、高価な希土類ＲＥを無駄にすることにな
るだけでなく、何等寄与しなくなったＲＥがノイズの原
因となり、折角得られた非晶質磁性膜も磁気特性的には
それほど良くないものとなる、という不都合があった。
従って、非晶質材を共スパッタ法で作製する場合、ター
ゲット物質の利用効率及び使用効率が高いという共スパ
ッタ法特有の優れた特徴を十分に活かすことが出来なか
った。また、膜厚分布及び組成分布に関しても、合金タ
ーゲットを用いた場合と比較して劣るものであった。
合に生じる磁気特性的に関与しない希土類ＲＥは、それ
自体が常温で磁性を有さないため、磁気作用には何等寄
与しなくなり、高価な希土類ＲＥを無駄にすることにな
るだけでなく、何等寄与しなくなったＲＥがノイズの原
因となり、折角得られた非晶質磁性膜も磁気特性的には
それほど良くないものとなる、という不都合があった。
従って、非晶質材を共スパッタ法で作製する場合、ター
ゲット物質の利用効率及び使用効率が高いという共スパ
ッタ法特有の優れた特徴を十分に活かすことが出来なか
った。また、膜厚分布及び組成分布に関しても、合金タ
ーゲットを用いた場合と比較して劣るものであった。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、係る従来例の有する不都合を
改善し、特に、膜厚分布及び組成分布を改善することに
より材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させるこ
とのできる非晶質材を有する光磁気記録媒体及びその製
造方法を提供することを、その目的とする。
改善し、特に、膜厚分布及び組成分布を改善することに
より材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させるこ
とのできる非晶質材を有する光磁気記録媒体及びその製
造方法を提供することを、その目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１記載の
本発明では、非磁性基盤上に、希土類ＲＥと遷移金属Ｔ
Ｍの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を１．２＜
（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に設定し且つ一層当たりの希土
類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けた、という構成を採っている。
本発明では、非磁性基盤上に、希土類ＲＥと遷移金属Ｔ
Ｍの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を１．２＜
（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に設定し且つ一層当たりの希土
類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下に積層された
非晶質膜を設けた、という構成を採っている。
【００１２】請求項２記載の本発明では、希土類ＲＥと
してＴｂを採用し，遷移金属ＴＭとしてＦｅＣｏを採用
した、という構成を採っている。
してＴｂを採用し，遷移金属ＴＭとしてＦｅＣｏを採用
した、という構成を採っている。
【００１３】請求項３記載の本発明では、非磁性基盤上
に、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとを、層状にならないよ
うに交互に入り交じった状態で積層された非晶質膜を設
けた、という構成を採っている。
に、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとを、層状にならないよ
うに交互に入り交じった状態で積層された非晶質膜を設
けた、という構成を採っている。
【００１４】請求項４記載の本発明では、希土類ＲＥと
遷移金属ＴＭの二つのターゲット物質を用いた同時スパ
ッタを、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの原子層厚の比が
１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８となる関係で且つ一層
当りの希土類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下と
なるように、非磁性基板を回転させながら行う、という
構成を採っている。
遷移金属ＴＭの二つのターゲット物質を用いた同時スパ
ッタを、希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの原子層厚の比が
１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８となる関係で且つ一層
当りの希土類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下と
なるように、非磁性基板を回転させながら行う、という
構成を採っている。
【００１５】請求項５記載の本発明では、２種のターゲ
ット物質Ｔｂ及びＦｅＣｏが配置されると共に真空槽内
に装着されたパレットの対面で非磁性基盤を回転させて
いるときに、真空槽内の到達真空度を５ｘ１０-5［Ｐ
ａ］以下で且つ不活性ガスの圧力を０．１４ｘ１０
0［Ｐａ］の状態で、Ｔｂターゲットへの投入電力を２
４０［Ｗ］で且つＦｅＣｏターゲットへの投入電力を１
２８０［Ｗ］でスパッタすることで、非磁性基盤上に記
録層を形成する、という構成を採っている。
ット物質Ｔｂ及びＦｅＣｏが配置されると共に真空槽内
に装着されたパレットの対面で非磁性基盤を回転させて
いるときに、真空槽内の到達真空度を５ｘ１０-5［Ｐ
ａ］以下で且つ不活性ガスの圧力を０．１４ｘ１０
0［Ｐａ］の状態で、Ｔｂターゲットへの投入電力を２
４０［Ｗ］で且つＦｅＣｏターゲットへの投入電力を１
２８０［Ｗ］でスパッタすることで、非磁性基盤上に記
録層を形成する、という構成を採っている。
【００１６】本発明では、これらの手段によって、上述
した目的を達成しようとするものである。
した目的を達成しようとするものである。
【００１７】
【作用】上述した関係で非晶質材の膜を形成すると、そ
れ自体が常温で非磁性の物質が他の磁性物質と磁気的に
結合され、磁性材としての機能を発揮する。例えば、非
晶質材が希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとからなる場合は、
それ自体が常温で非磁性の希土類ＲＥが磁性体である遷
移金属ＴＭと磁気的に結合され、いわゆる交換相互作用
により磁性体としての作用を十分に発揮するようにな
り、磁気特性に寄与しない分布が少なくなる。従って、
磁性体膜としての非晶質材の磁気特性が改善され、高い
レベルに保持される。そして、特に希土類ＲＥの一層当
りの平均原子層厚がその原子半径以下と薄い膜組成であ
る場合は、十分に良好な特性が得られる。
れ自体が常温で非磁性の物質が他の磁性物質と磁気的に
結合され、磁性材としての機能を発揮する。例えば、非
晶質材が希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとからなる場合は、
それ自体が常温で非磁性の希土類ＲＥが磁性体である遷
移金属ＴＭと磁気的に結合され、いわゆる交換相互作用
により磁性体としての作用を十分に発揮するようにな
り、磁気特性に寄与しない分布が少なくなる。従って、
磁性体膜としての非晶質材の磁気特性が改善され、高い
レベルに保持される。そして、特に希土類ＲＥの一層当
りの平均原子層厚がその原子半径以下と薄い膜組成であ
る場合は、十分に良好な特性が得られる。
【００１８】また、希土類ＲＥ層と遷移金属ＴＭ層を多
層に積層させて非晶質材を作製するに当たり、その層厚
比を１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に選定すると、非
晶質材は、薄膜でかつ十分に良好な磁気特性を有するこ
ととなる。
層に積層させて非晶質材を作製するに当たり、その層厚
比を１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に選定すると、非
晶質材は、薄膜でかつ十分に良好な磁気特性を有するこ
ととなる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本実施例の非晶質材（膜）を示すも
ので、光磁気ディスク媒体の一部断面図である。ここで
は、非磁性基板１１上に希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの
原子層が同一層内で交互に入り交じった状態で複数個構
成されている非晶質膜１３が、記録層として作用してい
る。非晶質膜１３は、基盤上に形成された下地膜１２と
保護膜１４との間に積層されていて、保護膜１４には反
射膜１５が形成され、さらに保護膜（ＵＶ）１６が形成
されている。
て説明する。図１は本実施例の非晶質材（膜）を示すも
ので、光磁気ディスク媒体の一部断面図である。ここで
は、非磁性基板１１上に希土類ＲＥと遷移金属ＴＭとの
原子層が同一層内で交互に入り交じった状態で複数個構
成されている非晶質膜１３が、記録層として作用してい
る。非晶質膜１３は、基盤上に形成された下地膜１２と
保護膜１４との間に積層されていて、保護膜１４には反
射膜１５が形成され、さらに保護膜（ＵＶ）１６が形成
されている。
【００２０】ＲＥ及びＴＭ層は、共スパッタリング法に
より対応する２つのターゲット物質を用いて基板１１を
回転させながら同時に層形成される。その層形成の際、
図２（Ａ）に示すように、２つの原子層ＲＥとＴＭとが
層状の構造をとる場合と、図２（Ｂ）に示すように、２
つの原子層ＲＥとＴＭとが層状構造とならず、相互に入
り交じり合いながら交互に積層される場合とがある。本
実施例では、２つの原子層ＲＥとＴＭとは１層内で相互
に入り交じり合いながら交互に積層された膜構造（図２
（Ｂ））となった非晶質膜１３を記録層として採用して
いる。そのため、基板１１の一回転で積層される各原子
層の格子面間隔Ｌに於ける１ユニット内の希土類ＲＥと
遷移金属ＴＭとの層厚比が１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜
１．８なる関係式を満足するように２つの層が形成され
ている。
より対応する２つのターゲット物質を用いて基板１１を
回転させながら同時に層形成される。その層形成の際、
図２（Ａ）に示すように、２つの原子層ＲＥとＴＭとが
層状の構造をとる場合と、図２（Ｂ）に示すように、２
つの原子層ＲＥとＴＭとが層状構造とならず、相互に入
り交じり合いながら交互に積層される場合とがある。本
実施例では、２つの原子層ＲＥとＴＭとは１層内で相互
に入り交じり合いながら交互に積層された膜構造（図２
（Ｂ））となった非晶質膜１３を記録層として採用して
いる。そのため、基板１１の一回転で積層される各原子
層の格子面間隔Ｌに於ける１ユニット内の希土類ＲＥと
遷移金属ＴＭとの層厚比が１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜
１．８なる関係式を満足するように２つの層が形成され
ている。
【００２１】これを詳細に説明する。ここでは希土類と
してＴｂが、また、遷移金属ＴＭとしてＦｅＣｏを採用
した。ＴｂとＦｅＣｏとは、上述した共スパッタリング
法により２つのターゲット物質を用いて下記に例示した
成膜条件により基板１１上に同時に積層される。
してＴｂが、また、遷移金属ＴＭとしてＦｅＣｏを採用
した。ＴｂとＦｅＣｏとは、上述した共スパッタリング
法により２つのターゲット物質を用いて下記に例示した
成膜条件により基板１１上に同時に積層される。
【００２２】図３はその成膜の際に用いられる共スパッ
タリング装置を示す正面の一部断面図であり、図４は図
３に示した共スパッタリング装置の底面図である。真空
槽３１内にＴｂとＦｅＣｏの２つのターゲット物質３
２、３３を配置すると共に、パレット３４のターゲット
３２、３３の対向面に複数枚の基板１１を回転させ、不
活性ガスを真空槽３１内に導入後、パレット３４を回転
させる。同時に電場をかけるとプラズマ放電が発生し、
スパッタされパレット３４の１回転毎に基板１１上にＴ
ｂとＦｅＣｏＴｉが交互に積層されるというものであ
る。
タリング装置を示す正面の一部断面図であり、図４は図
３に示した共スパッタリング装置の底面図である。真空
槽３１内にＴｂとＦｅＣｏの２つのターゲット物質３
２、３３を配置すると共に、パレット３４のターゲット
３２、３３の対向面に複数枚の基板１１を回転させ、不
活性ガスを真空槽３１内に導入後、パレット３４を回転
させる。同時に電場をかけるとプラズマ放電が発生し、
スパッタされパレット３４の１回転毎に基板１１上にＴ
ｂとＦｅＣｏＴｉが交互に積層されるというものであ
る。
【００２３】実際には、真空槽３１内の到達真空度５ｘ
１０-5［Ｐａ］以下、スパッタ時のアルゴンガス圧０．
１４ｘ１０0［Ｐａ］の状態で、Ｔｂターゲットへの投
入電力を２４０［Ｗ］，ＦｅＣｏターゲットへの投入電
力を１２８０［Ｗ］に設定して、１０８秒間共スパッタ
を行った。
１０-5［Ｐａ］以下、スパッタ時のアルゴンガス圧０．
１４ｘ１０0［Ｐａ］の状態で、Ｔｂターゲットへの投
入電力を２４０［Ｗ］，ＦｅＣｏターゲットへの投入電
力を１２８０［Ｗ］に設定して、１０８秒間共スパッタ
を行った。
【００２４】Ｔｂの原子径を３．５６オングストロー
ム、Ｆｅの原子径を２．４８オングストローム、Ｃｏの
原子径を２．５０オングストロームとして換算すると１
ユニットの格子面間隔Ｌにおいて、平均原子総数がＴｂ
１原子層よりも小さな状態で膜厚分布及び組成分布が改
善され、磁気特性的にも最適であることがわかった。図
５は、実際に成膜された非晶質膜１３について調べた結
果を示すものである。横軸はディスクの径方向、縦軸は
最内径に於ける膜厚及び組成の規格値を表している。図
５中、実線はＴｂ原子層がＴｂ原子半径よりも小さい場
合、即ち、図２（Ｂ）に示したような１層内で相互に入
り交じり合いながら交互に積層された膜構造の場合を示
している。一方、点線は図２（Ａ）に示した積層された
膜構造の場合で、Ｔｂ原子層がＴｂ原子半径よりも大き
い場合を示している。この評価からも明らかなように、
本実施例では、膜厚及び組成は共に安定している。
ム、Ｆｅの原子径を２．４８オングストローム、Ｃｏの
原子径を２．５０オングストロームとして換算すると１
ユニットの格子面間隔Ｌにおいて、平均原子総数がＴｂ
１原子層よりも小さな状態で膜厚分布及び組成分布が改
善され、磁気特性的にも最適であることがわかった。図
５は、実際に成膜された非晶質膜１３について調べた結
果を示すものである。横軸はディスクの径方向、縦軸は
最内径に於ける膜厚及び組成の規格値を表している。図
５中、実線はＴｂ原子層がＴｂ原子半径よりも小さい場
合、即ち、図２（Ｂ）に示したような１層内で相互に入
り交じり合いながら交互に積層された膜構造の場合を示
している。一方、点線は図２（Ａ）に示した積層された
膜構造の場合で、Ｔｂ原子層がＴｂ原子半径よりも大き
い場合を示している。この評価からも明らかなように、
本実施例では、膜厚及び組成は共に安定している。
【００２５】Ｔｂの平均原子層厚をＴｂ原子径以下とな
るような膜組成で非晶質膜を作製すると、核格子面間隔
ＬにおけるＴｂの原子層が平均層厚３．５６オングスト
ローム以下の薄膜であるから遷移金属ＦｅＣｏと磁気的
に結合し、交換相互作用により本来常温で非磁性のＴｂ
が磁性体としての特性を示す。従って、非晶質膜の各原
子層内にわたって磁性に寄与しないＴｂは無くなる、従
って、高価なＴｂを有効利用することができる。また、
磁気特性が安定し、磁気的に安定した良好な磁性体膜が
得られる。また、上述した製造方法に条件を満足させる
ことにより、磁気的に安定した良好な非晶質材、即ち磁
性体膜を効率よく作製することが可能である。
るような膜組成で非晶質膜を作製すると、核格子面間隔
ＬにおけるＴｂの原子層が平均層厚３．５６オングスト
ローム以下の薄膜であるから遷移金属ＦｅＣｏと磁気的
に結合し、交換相互作用により本来常温で非磁性のＴｂ
が磁性体としての特性を示す。従って、非晶質膜の各原
子層内にわたって磁性に寄与しないＴｂは無くなる、従
って、高価なＴｂを有効利用することができる。また、
磁気特性が安定し、磁気的に安定した良好な磁性体膜が
得られる。また、上述した製造方法に条件を満足させる
ことにより、磁気的に安定した良好な非晶質材、即ち磁
性体膜を効率よく作製することが可能である。
【００２６】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、膜厚及び組成に関して広く均一な
非晶質材（膜）が安定して得られる。また、本来常温で
非磁性を示す非金属、希土類等が磁性材である遷移金属
等との原子レベルでの結合により、十分に磁性を発揮す
るようになり、磁性に関与または寄与しない非磁性の希
土類等が無くなる。磁性に関与または寄与しない希土類
等が存在しないので、ノイズの低下を可能にすると共
に、高価な材料の有効利用および材料の節約が可能であ
る。このように、膜厚分布及び組成分布の改善すること
で材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること
のできる従来にない非晶質材を有する光磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することができる。
ので、これによると、膜厚及び組成に関して広く均一な
非晶質材（膜）が安定して得られる。また、本来常温で
非磁性を示す非金属、希土類等が磁性材である遷移金属
等との原子レベルでの結合により、十分に磁性を発揮す
るようになり、磁性に関与または寄与しない非磁性の希
土類等が無くなる。磁性に関与または寄与しない希土類
等が存在しないので、ノイズの低下を可能にすると共
に、高価な材料の有効利用および材料の節約が可能であ
る。このように、膜厚分布及び組成分布の改善すること
で材料の有効利用を図りつつ磁気特性を向上させること
のできる従来にない非晶質材を有する光磁気記録媒体及
びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す光磁気ディスク媒体の
膜構成説明図である。
膜構成説明図である。
【図２】従来及び本実施例による非晶質膜の断面図であ
り、図２（Ａ）は従来例を示す断面図で、図２（Ｂ）は
本実施例による非晶質膜の断面図である。
り、図２（Ａ）は従来例を示す断面図で、図２（Ｂ）は
本実施例による非晶質膜の断面図である。
【図３】本発明の光磁気ディスク媒体の製造方法の実施
に用いる共スパッタ装置の正面の一部断面図である。
に用いる共スパッタ装置の正面の一部断面図である。
【図４】図３に示した共スパッタ装置の底面図である。
【図５】本実施例による非晶質膜１３の評価を示し、図
５（Ａ）は膜厚についてのグラフ図であり、図５（Ｂ）
は組成についてのグラフ図である。
５（Ａ）は膜厚についてのグラフ図であり、図５（Ｂ）
は組成についてのグラフ図である。
Ｌ 格子面間隔 １１ 非磁性基板 １２ 下地膜 １３ 非晶質膜 １４ 保護膜 １５ 反射膜 １６ 保護膜（ＵＶ） ２１ ＲＥ ２２ ＴＭ ２３ 非晶質膜 ３１ 真空槽 ３２ ＲＥターゲット ３３ ＴＭターゲット ３４ パレット ３５ 回転軸 ３６ 基板ホルダ
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基盤上に、希土類ＲＥと遷移金属
ＴＭの周期多層膜で構成され当該原子層厚の比を１．２
＜（ＴＭ／ＲＥ）＜１．８に設定し且つ一層当たりの希
土類ＲＥの平均原子層厚がその原子半径以下に積層され
た非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記希土類ＲＥとしてＴｂを採用し，前
記遷移金属ＴＭとしてＦｅＣｏを採用したことを特徴と
する請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基盤上に、前記希土類ＲＥと遷移
金属ＴＭとを、層状にならないように交互に入り交じっ
た状態で積層された非晶質膜を設けて成る光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 希土類ＲＥと遷移金属ＴＭの二つのター
ゲット物質を用いた同時スパッタを、希土類ＲＥと遷移
金属ＴＭとの原子層厚の比が１．２＜（ＴＭ／ＲＥ）＜
１．８となる関係で且つ一層当りの希土類ＲＥの平均原
子層厚がその原子半径以下となるように、非磁性基板を
回転させながら行うことを特徴とした光磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項５】 ２種のターゲット物質Ｔｂ及びＦｅＣｏ
が配置されると共に真空槽内に装着されたパレットの対
面で非磁性基盤を回転させているときに、真空槽内の到
達真空度を５ｘ１０-5［Ｐａ］以下で且つ不活性ガスの
圧力を０．１４ｘ１０0［Ｐａ］の状態で、Ｔｂターゲ
ットへの投入電力を２４０［Ｗ］で且つＦｅＣｏターゲ
ットへの投入電力を１２８０［Ｗ］でスパッタすること
で、非磁性基盤上に記録層を形成することを特徴とした
光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14305294A JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14305294A JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087352A true JPH087352A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15329800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14305294A Pending JPH087352A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271041A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH04163744A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14305294A patent/JPH087352A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271041A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH04163744A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981124 |