JPH0869633A - Semiconductor laser device for optical pickup - Google Patents
Semiconductor laser device for optical pickupInfo
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- JPH0869633A JPH0869633A JP6228760A JP22876094A JPH0869633A JP H0869633 A JPH0869633 A JP H0869633A JP 6228760 A JP6228760 A JP 6228760A JP 22876094 A JP22876094 A JP 22876094A JP H0869633 A JPH0869633 A JP H0869633A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体にレーザー
ビームを照射して反射光を検出する光ピックアップに用
いられる半導体レーザ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used in an optical pickup for detecting a reflected light by irradiating an optical recording medium with a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ピックアップは、レーザーダイオード
（半導体レーザ），各種光学部品，対物レンズ，センサ
等で構成されており、光記録媒体（光ディスク）の記録
信号を読み出したり、光ディスクに情報信号を記録する
ために、常に対物レンズをサーボ制御している。この対
物レンズのサーボ制御は、フォーカスエラー検出と、ト
ラッキングエラー検出に基づいて行われる。フォーカス
エラー検出には、非点収差法，ビームサイズ法，ナイフ
エッジ法等の方式があり、トラッキングエラー検出に
は、３ビーム法，プッシュプル法等の方式がある。2. Description of the Related Art An optical pickup is composed of a laser diode (semiconductor laser), various optical parts, an objective lens, a sensor, etc., and reads a recording signal from an optical recording medium (optical disk) or records an information signal on the optical disk. In order to achieve this, the objective lens is always servo-controlled. The servo control of the objective lens is performed based on the focus error detection and the tracking error detection. Focus error detection includes astigmatism method, beam size method, knife edge method and the like, and tracking error detection includes 3 beam method and push-pull method.
【０００３】トラッキンエラー検出法では、３ビーム法
が現在最も多く用いられている。この方式は、図３に示
すように、半導体レーザ１０１からの出射レーザビーム
を回折格子１０２でメインビームと２本のサブビームに
分離し、対物レンズ１０３でディスクＤ上に３つの焦点
を結ばせ、そのうちの２本のサブビームを使用してトラ
ッキングエラー検出を行うものである。なお、メインビ
ームは、情報信号の記録／再生に用いられる。Of the tracking error detection methods, the 3-beam method is currently most frequently used. In this method, as shown in FIG. 3, a laser beam emitted from a semiconductor laser 101 is separated into a main beam and two sub beams by a diffraction grating 102, and three focal points are formed on a disk D by an objective lens 103, Tracking error detection is performed using two of these sub-beams. The main beam is used for recording / reproducing information signals.
【０００４】上記のように、単一の半導体レーザ１０１
を３本のビームに分離すると、個々のビームのパワーが
減少するため、大きなレーザパワーが必要な場合には半
導体レーザ１０１に過大な負担を与えてしまうという問
題がある。また、一般に、回折格子１０２のピッチｄ
は、 ｄ＝（Ｌ×λ×ｆ0 ）／（ｆC ×Ｐ） で与えられる。ここで、ＰはディスクＤ上での３ビーム
の間隔、Ｌは半導体レーザ１０１と回折格子１０２の距
離、ｆ0 は対物レンズ１０３の焦点距離、ｆC はコリメ
ータレンズの焦点距離である。このため、半導体レーザ
１０１，光学ユニット，センサ等を微小なパッケージに
組み込んだ光ピックアップでは、上記Ｌが非常に小さく
なるため、回折格子１０２のピッチｄも非常に小さくな
って作製が困難となる。同様の問題は、短波長化によっ
ても生ずる。As described above, the single semiconductor laser 101
When the laser beam is separated into three beams, the power of each beam is reduced, so that there is a problem that the semiconductor laser 101 is overloaded when a large laser power is required. Further, in general, the pitch d of the diffraction grating 102 is
Is given by d = (L × λ × f 0 ) / (f C × P). Here, P is the distance between the three beams on the disk D, L is the distance between the semiconductor laser 101 and the diffraction grating 102, f 0 is the focal length of the objective lens 103, and f C is the focal length of the collimator lens. Therefore, in an optical pickup in which the semiconductor laser 101, the optical unit, the sensor, and the like are incorporated in a minute package, the above L is very small, and the pitch d of the diffraction grating 102 is also very small, which makes it difficult to manufacture. A similar problem occurs due to the shortening of the wavelength.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このため、図３の如く
回折格子を用いて３ビームを生成する方式に代えて、３
ビームレーザーダイオードアレイを用いる方式が提案さ
れている。しかし、この方式では、発熱等による半導体
レーザのパワー変動を補償するためのＡＰＣ回路が、図
２に示すようにレーザダイオードの個数と同じ個数だけ
必要になり、装置の大型化やコストアップを招くという
問題がある。即ち、図２の回路は、３個の半導体レーザ
１，１ａ，１ｂからの各出射レーザ光を各々モニタ用セ
ンサ２，２ａ，２ｂで受光し、各モニタ用センサ２，２
ａ，２ｂの出力電流を各々Ｉ−Ｖ変換器３，３ａ，３ｂ
で電圧信号に変換し、各電圧信号を各々ＡＰＣ(Auto po
wercontroll) 回路４，４ａ，４ｂに入力して出射レー
ザパワーを目標値に近づけるための制御信号を各々生成
し、各制御信号を各々Ｖ−Ｉ変換器５，５ａ，５ｂに入
力して前記半導体レーザ１，１ａ，１ｂ用の駆動電流を
各々生成するフィードバック制御回路であり、半導体レ
ーザの個数（３個）と同じ個数のＡＰＣ回路を必要とし
ている。Therefore, instead of the method of generating three beams using a diffraction grating as shown in FIG.
A method using a beam laser diode array has been proposed. However, in this method, APC circuits for compensating the power fluctuation of the semiconductor laser due to heat generation and the like are required as many as the number of laser diodes as shown in FIG. 2, which leads to an increase in size and cost of the device. There is a problem. That is, in the circuit of FIG. 2, the emitted laser beams from the three semiconductor lasers 1, 1a and 1b are received by the monitor sensors 2, 2a and 2b, respectively, and the monitor sensors 2 and 2 are received.
The output currents of a and 2b are respectively converted to IV converters 3, 3a and 3b.
Is converted into a voltage signal by APC (Auto po
wercontroll) The control signals are inputted to the circuits 4, 4a, 4b to bring the emitted laser power close to the target value, and the control signals are inputted to the VI converters 5, 5a, 5b, respectively. This is a feedback control circuit that generates drive currents for the lasers 1, 1a, and 1b, respectively, and requires the same number of APC circuits as the number of semiconductor lasers (three).
【０００６】本発明は、複数の半導体レーザを用いる光
ピックアップ用の装置に於いて、ＡＰＣ回路の個数を低
減して、小型化を容易にすることを目的とする。An object of the present invention is to reduce the number of APC circuits in an apparatus for an optical pickup using a plurality of semiconductor lasers to facilitate miniaturization.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、光記録媒体に
レーザービームを照射して反射光を検出する光ピックア
ップに用いられる半導体レーザ装置であって、複数のレ
ーザーダイオードと１つのＡＰＣ回路とを備え、各レー
ザーダイオードから出射されるレーザービームの強度を
１つのＡＰＣ回路により制御することを特徴とする光ピ
ックアップ用半導体レーザ装置である。また、本発明
は、光記録媒体にレーザービームを照射して反射光を検
出する光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置で
あって、第１のレーザダイオードと、第１のレーザダイ
オードの出射レーザビームの強度に基づいて第１のレー
ザダイオードの出射レーザビームが所定の強度となるよ
うに第１のレーザダイオードの駆動電流を制御する信号
を出力するＡＰＣ回路と、ＡＰＣ回路の出力信号を或る
所定の減衰比で減衰する減衰手段と、減衰された信号に
より駆動電流を制御される第２のレーザダイオードと、
を有する光ピックアップ用半導体レーザ装置である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a semiconductor laser device used in an optical pickup for irradiating an optical recording medium with a laser beam to detect reflected light, which comprises a plurality of laser diodes and one APC circuit. And a semiconductor laser device for an optical pickup, wherein the intensity of a laser beam emitted from each laser diode is controlled by one APC circuit. Further, the present invention is a semiconductor laser device used in an optical pickup for detecting a reflected light by irradiating an optical recording medium with a laser beam, comprising a first laser diode and a laser beam emitted from the first laser diode. An APC circuit that outputs a signal that controls the drive current of the first laser diode so that the laser beam emitted from the first laser diode has a predetermined intensity based on the intensity; An attenuator that attenuates at an attenuation ratio, a second laser diode whose drive current is controlled by the attenuated signal,
A semiconductor laser device for an optical pickup having
【０００８】上記に於いて、さらに、第１のレーザダイ
オードの出射レーザビームの強度を上記減衰比で減衰し
た値と第２のレーザダイオードの出射レーザビームの強
度を比較する手段を設け、その比較結果を第２のレーザ
ダイオードの駆動電流を制御する信号にフィードバック
するように構成してもよい。また、さらに、上記減衰手
段により減衰された信号で駆動電流を制御される第３の
レーザダイオードを設けてもよい。また、さらに、第２
のレーザダイオードの出射レーザビームの強度と第３の
レーザダイオードの出射レーザビームの強度を比較する
手段を設け、その比較結果を第３のレーザダイオードの
駆動電流を制御する信号にフィードバックするように構
成してもよい。In the above, further, means is provided for comparing a value obtained by attenuating the intensity of the laser beam emitted from the first laser diode with the above attenuation ratio and the intensity of the laser beam emitted from the second laser diode, and comparing the values. The result may be configured to be fed back to a signal that controls the drive current of the second laser diode. Further, a third laser diode whose drive current is controlled by the signal attenuated by the attenuator may be provided. In addition, the second
And a means for comparing the intensity of the laser beam emitted from the laser diode with the intensity of the laser beam emitted from the third laser diode, and the comparison result is fed back to a signal for controlling the drive current of the third laser diode. You may.
【０００９】[0009]
【作用】第１のレーザダイオードの出射レーザビームの
強度をフィードバックするＡＰＣ回路の出力信号が或る
所定の減衰比で減衰され、この減衰後の信号に基づいて
第２のレーザダイオードが駆動制御される。したがっ
て、減衰比を所望の値に設定すると、第２のレーザダイ
オードの出射レーザビームの強度は、第１のレーザダイ
オードの出射レーザビームの強度に上記減衰比を乗じた
値となる。The output signal of the APC circuit that feeds back the intensity of the laser beam emitted from the first laser diode is attenuated at a predetermined attenuation ratio, and the second laser diode is drive-controlled based on this attenuated signal. It Therefore, when the attenuation ratio is set to a desired value, the intensity of the laser beam emitted from the second laser diode becomes a value obtained by multiplying the intensity of the laser beam emitted from the first laser diode by the above attenuation ratio.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は実
施例の光ピックアップ用半導体レーザ装置の制御回路の
ブロック図である。図１において、１１は記録／再生信
号用のメインビームを出射するレーザダイオードであ
り、１１ａと１１ｂはトラッキングエラー検出用のサブ
ビームを出射するレーザダイオードである。以下、添字
のａとｂは、トラッキングエラー検出用のサブビームに
関する素子であることを示す。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a block diagram of a control circuit of a semiconductor laser device for an optical pickup according to an embodiment. In FIG. 1, 11 is a laser diode that emits a main beam for recording / reproducing signals, and 11a and 11b are laser diodes that emit a sub beam for detecting a tracking error. Hereinafter, subscripts “a” and “b” indicate elements related to the sub beam for tracking error detection.
【００１１】レーザーダイオード１１から出射されたレ
ーザービームは、不図示の光ディスクの記録面上に集光
され、その反射光がモニタ用センサ１２で受光される。
モニタ用センサ１２は受光した光量に対応する電流を出
力する。この電流はＩ−Ｖ変換器１３で電圧信号に変換
されてＡＰＣ回路１４に入力される。ＡＰＣ回路１４
は、レーザーダイオード１１から或る所定強度のレーザ
ビームを出射させる駆動電流がレーザダイオード１１に
供給されるように、上記入力信号に基づく制御信号を出
力する。この制御信号はＶ−Ｉ変換器１５に入力され、
このＶ−Ｉ変換器１５から上記の駆動電流がレーザーダ
イオード１１に供給される。このようにして、レーザダ
イオード１１の強度がフィードバック制御されて、或る
所望の値に維持される。The laser beam emitted from the laser diode 11 is focused on the recording surface of an optical disk (not shown), and its reflected light is received by the monitor sensor 12.
The monitor sensor 12 outputs a current corresponding to the amount of received light. This current is converted into a voltage signal by the IV converter 13 and input to the APC circuit 14. APC circuit 14
Outputs a control signal based on the input signal so that the laser diode 11 is supplied with a drive current for emitting a laser beam of a predetermined intensity from the laser diode 11. This control signal is input to the VI converter 15,
The drive current is supplied from the VI converter 15 to the laser diode 11. In this way, the intensity of the laser diode 11 is feedback controlled and maintained at a desired value.
【００１２】３ビームトラッキングエラー検出法では、
トラッキングエラー検出用のサブビームの強度は、記録
／再生信号用のメインビームの強度よりも弱く、例え
ば、メインビームの１／１０程度の強度である。このた
め、サブビーム用レーザダイオード１１ａ，１１ｂの駆
動に要する電流は、メインビーム用レーザダイオード１
１の駆動電流よりも小さい。さらに、レーザダイオード
の出射レーザビーム強度と駆動電流とは比例関係にあ
る。このため、所望のレーザビーム強度を得るのに必要
な駆動電流を、容易に求めることができる。このことを
利用して、本実施例では、ＡＰＣ回路１４の出力を分圧
器２１で所定のレベル（例：１／１０）に減衰させ、こ
れをＶ−Ｉ変換器１５ａ，１５ｂに入力して、各々レー
ザダイオード１１ａ，１１ｂ用の駆動電流を生成してい
る。これにより、レーザダイオード１１ａ，１１ｂの出
射レーザビーム強度は、各々レーザダイオード１１の出
射レーザビーム強度を前記レベル（例：１／１０）に減
衰させた値に等しくなる。In the three-beam tracking error detection method,
The intensity of the sub beam for detecting the tracking error is weaker than the intensity of the main beam for the recording / reproducing signal, for example, about 1/10 of the intensity of the main beam. Therefore, the current required to drive the sub-beam laser diodes 11a and 11b is the main beam laser diode 1
It is smaller than the drive current of 1. Further, the intensity of the laser beam emitted from the laser diode is proportional to the drive current. Therefore, the drive current required to obtain the desired laser beam intensity can be easily obtained. Utilizing this, in the present embodiment, the output of the APC circuit 14 is attenuated to a predetermined level (example: 1/10) by the voltage divider 21, and this is input to the VI converters 15a and 15b. , Generate drive currents for the laser diodes 11a and 11b, respectively. As a result, the emission laser beam intensities of the laser diodes 11a and 11b become equal to the values obtained by attenuating the emission laser beam intensities of the laser diodes 11 to the above-mentioned levels (example: 1/10).
【００１３】レーザーダイオード１１ａの出射レーザー
ビームは、不図示の光ディスクの記録面上に集光され、
その反射光がモニタ用センサ１２ａで受光される。モニ
タ用センサ１２ａは受光した光量に対応する電流を出力
する。この電流はＩ−Ｖ変換器１３ａで電圧信号に変換
されて、差動アンプ２４に入力される。同様に、レーザ
ーダイオード１１ｂの出射レーザービーム強度に対応す
る電圧信号が、モニタ用センサ１２ｂ，Ｉ−Ｖ変換器１
３ｂにより生成されて、差動アンプ２４に入力される。
差動アンプ２４では上記２つの電圧信号の差が比較さ
れ、その結果が前記Ｖ−Ｉ変換器１５ｂに入力される。
これにより、レーザダイオード１１ｂの出射レーザビー
ム強度に対するフィードバック制御が行われ、２つのレ
ーザーダイオード１１ａ，１１ｂの駆動電流と出射レー
ザービーム強度の比が異なる場合でも、同じ強度のレー
ザービームの出射が可能となる。The laser beam emitted from the laser diode 11a is focused on the recording surface of an optical disk (not shown),
The reflected light is received by the monitor sensor 12a. The monitor sensor 12a outputs a current corresponding to the amount of received light. This current is converted into a voltage signal by the IV converter 13a and input to the differential amplifier 24. Similarly, the voltage signal corresponding to the intensity of the laser beam emitted from the laser diode 11b is detected by the monitor sensor 12b and the IV converter 1.
It is generated by 3b and input to the differential amplifier 24.
The differential amplifier 24 compares the difference between the two voltage signals and inputs the result to the VI converter 15b.
Thus, feedback control is performed on the intensity of the laser beam emitted from the laser diode 11b, and even if the ratio of the drive current of the two laser diodes 11a and 11b and the intensity of the emitted laser beam is different, the laser beam with the same intensity can be emitted. Become.
【００１４】また、前記Ｉ−Ｖ変換器１３の出力を分圧
器２２に入力して前記分圧器２１の場合と同じレベル
（例：１／１０）に減衰させた信号と、前記Ｉ−Ｖ変換
器１３ａの出力信号とが、差動アンプ２３に入力されて
比較され、その結果が前記Ｖ−Ｉ変換器１５ａに入力さ
れる。これにより、レーザダイオード１１ａの出射レー
ザビーム強度に対するフィードバック制御が行われる。
即ち、レーザダイオード１１ａは、レーザダイオード１
１の出射レーザビーム強度を或るレベル（例：１／１
０）に減衰させた強度のレーザビームを出射することと
なる。Further, the output of the IV converter 13 is input to the voltage divider 22 and attenuated to the same level as that of the voltage divider 21 (eg, 1/10), and the IV converter. The output signal of the converter 13a is input to the differential amplifier 23 for comparison, and the result is input to the VI converter 15a. As a result, feedback control is performed on the intensity of the laser beam emitted from the laser diode 11a.
That is, the laser diode 11a is the laser diode 1
1 emitted laser beam intensity at a certain level (example: 1/1
The laser beam with the intensity attenuated to 0) is emitted.
【００１５】以上の構成により、レーザーダイオード１
１ａ，１１ｂは、レーザーダイオード１１から出射され
るレーザービームの強度を或るレベル（例：１／１０）
に減衰させた強度のレーザビームを安定して出射するこ
とが可能となる。なお、上記実施例では不図示の光ディ
スクからの反射光をモニタ用センサで受光することでレ
ーザーダイオード１１，１１ａ，１１ｂの出射レーザー
ビームの強度を検出しているが、レーザーダイオード１
１，１１ａ，１１ｂから上記光ディスクまでの光路中で
レーザービームの一部を取り出して、その強度を検出す
るように構成してもよい。With the above configuration, the laser diode 1
1a and 11b indicate the intensity of the laser beam emitted from the laser diode 11 at a certain level (example: 1/10)
It is possible to stably emit the laser beam with the intensity attenuated to. In the above embodiment, the intensity of the laser beam emitted from the laser diodes 11, 11a and 11b is detected by receiving the reflected light from the optical disk (not shown) with the monitor sensor.
A part of the laser beam may be extracted in the optical path from 1, 11a, 11b to the optical disc and the intensity thereof may be detected.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上、本発明では、第１のレーザダイオ
ードの出射レーザビームの強度をフィードバック制御す
るＡＰＣ回路の出力信号を或る所定の減衰比で減衰し、
減衰後の信号に基づいて第２のレーザダイオードを駆動
制御しているため、１つのＡＰＣ回路で２個のレーザダ
イオードの制御が可能である。したがって、複数の半導
体レーザを用いる光ピックアップ用の装置に於いて、Ａ
ＰＣ回路の個数を低減して、小型化することができる。As described above, according to the present invention, the output signal of the APC circuit for feedback controlling the intensity of the laser beam emitted from the first laser diode is attenuated at a predetermined attenuation ratio,
Since the second laser diode is driven and controlled based on the attenuated signal, one APC circuit can control two laser diodes. Therefore, in an optical pickup device using a plurality of semiconductor lasers,
The number of PC circuits can be reduced and the size can be reduced.
【図１】実施例の光ピックアップ用半導体レーザ装置の
制御回路のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of a control circuit of a semiconductor laser device for an optical pickup according to an embodiment.
【図２】従来の光ピックアップ用半導体レーザ装置の制
御回路のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a control circuit of a conventional semiconductor laser device for an optical pickup.
【図３】回折格子による３ビーム発生の様子を示す模式
図。FIG. 3 is a schematic diagram showing how three beams are generated by a diffraction grating.
１１，１１ａ．１１ｂ 半導体レーザ １２，１２ａ，１２ｂ モニタ用センサ １３，１３ａ，１３ｂ Ｉ−Ｖ変換器 １４，１４ａ，１４ｂ ＡＰＣ回路 １５，１５ａ，１５ｂ Ｖ−Ｉ変換器 ２１，２２ 分圧器 ２３，２４ 比較器 11, 11a. 11b Semiconductor laser 12, 12a, 12b Monitor sensor 13, 13a, 13b I-V converter 14, 14a, 14b APC circuit 15, 15a, 15b V-I converter 21, 22 Voltage divider 23, 24 Comparator
Claims (5)
反射光を検出する光ピックアップに用いられる半導体レ
ーザ装置であって、 複数のレーザーダイオードと、１つのＡＰＣ回路とを備
え、各レーザーダイオードから出射されるレーザービー
ムの強度を１つのＡＰＣ回路により制御することを特徴
とする光ピックアップ用半導体レーザ装置。1. A semiconductor laser device used for an optical pickup for irradiating an optical recording medium with a laser beam to detect reflected light, comprising a plurality of laser diodes and one APC circuit, each laser diode A semiconductor laser device for an optical pickup, wherein the intensity of the emitted laser beam is controlled by one APC circuit.
反射光を検出する光ピックアップに用いられる半導体レ
ーザ装置であって、 第１のレーザダイオードと、 第１のレーザダイオードの出射レーザビームの強度に基
づいて第１のレーザダイオードの出射レーザビームが所
定の強度となるように第１のレーザダイオードの駆動電
流を制御する信号を出力するＡＰＣ回路と、 ＡＰＣ回路の出力信号を或る所定の減衰比で減衰する減
衰手段と、 減衰された信号により駆動電流を制御される第２のレー
ザダイオードと、 を有する光ピックアップ用半導体レーザ装置。2. A semiconductor laser device used for an optical pickup for irradiating an optical recording medium with a laser beam to detect reflected light, comprising: a first laser diode; and an intensity of a laser beam emitted from the first laser diode. And an APC circuit for outputting a signal for controlling the drive current of the first laser diode so that the laser beam emitted from the first laser diode has a predetermined intensity, and an output signal of the APC circuit is attenuated by a predetermined value. A semiconductor laser device for an optical pickup, comprising: an attenuating unit that attenuates at a ratio; and a second laser diode whose drive current is controlled by the attenuated signal.
を前記減衰比で減衰した値と前記第２のレーザダイオー
ドの出射レーザビームの強度を比較する手段を設け、そ
の比較結果を前記第２のレーザダイオードの駆動電流を
制御する信号にフィードバックする、 光ピックアップ用半導体レーザ装置。3. The intensity of the emitted laser beam of the first laser diode is attenuated by the attenuation ratio, and the intensity of the emitted laser beam of the second laser diode is compared. A semiconductor laser device for an optical pickup, wherein means is provided, and the comparison result is fed back to a signal for controlling the drive current of the second laser diode.
れる第３のレーザダイオード、 を有する光ピックアップ用半導体レーザ装置。4. The semiconductor laser device for an optical pickup according to claim 2, further comprising a third laser diode whose drive current is controlled by the signal attenuated by the attenuator.
を前記減衰比で減衰した値と前記第２のレーザダイオー
ドの出射レーザビームの強度を比較する手段を設け、そ
の比較結果を前記第２のレーザダイオードの駆動電流を
制御する信号にフィードバックし、 前記第２のレーザダイオードの出射レーザビームの強度
と前記第３のレーザダイオードの出射レーザビームの強
度を比較する手段を設け、その比較結果を前記第３のレ
ーザダイオードの駆動電流を制御する信号にフィードバ
ックする、 光ピックアップ用半導体レーザ装置。5. The method according to claim 4, wherein the intensity of the emitted laser beam of the first laser diode is attenuated by the attenuation ratio and the intensity of the emitted laser beam of the second laser diode is compared. Means is provided, and the comparison result is fed back to the signal for controlling the drive current of the second laser diode, and the intensity of the emitted laser beam of the second laser diode and the intensity of the emitted laser beam of the third laser diode are provided. A semiconductor laser device for an optical pickup, wherein the comparison result is fed back to a signal for controlling the drive current of the third laser diode.
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|---|---|---|---|
| JP22876094A JP3229756B2 (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Semiconductor laser device for optical pickup |
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Legal Events
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |