JPH0865099A - Surface acoustic wave filter device - Google Patents
Surface acoustic wave filter deviceInfo
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- JPH0865099A JPH0865099A JP20040694A JP20040694A JPH0865099A JP H0865099 A JPH0865099 A JP H0865099A JP 20040694 A JP20040694 A JP 20040694A JP 20040694 A JP20040694 A JP 20040694A JP H0865099 A JPH0865099 A JP H0865099A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波を用いた移動
体通信用フィルタに関わり、とくに弾性表面波共振子を
対称格子状配設した構成をとる弾性表面波フィルタに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mobile communication filter using surface acoustic waves, and more particularly to a surface acoustic wave filter having surface acoustic wave resonators arranged in a symmetrical lattice.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電波を利用する電子機器のフイル
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられている。とくに、小型・軽量でかつフイ
ルタとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタ装
置は、移動体通信分野において、携帯端末装置の RF 段
および IF 段のフイルタとして多用されるようになって
きており、通過帯域近傍に高減衰量の帯域を有する弾性
表面波フィルタ装置などが要求されている。自動車電話
用やその他の移動体通信に用いられる弾性表面波フィル
タの構成としては共振子を梯子状に接続した LADDER
型、くし形変換器（以下、IDT と略称）を複数個並べた
IIDT 型、数個のIDT を両側で反射器で挟んだ共振子型
などが用いられている。とくに帯域外抑圧度を重視した
場合、フイルタの入出力インピーダンスを 50 Ωにあわ
せたい場合などに共振子型フイルタ構造とすることが多
い。2. Description of the Related Art In recent years, many surface acoustic wave devices have been used as elements such as filters, delay lines, and oscillators of electronic equipment that uses radio waves. In particular, surface acoustic wave filter devices, which are small and lightweight and have high sharp cutoff performance as filters, have become widely used as RF stage and IF stage filters for mobile terminal devices in the mobile communication field. There is a demand for a surface acoustic wave filter device having a high attenuation band near the pass band. As a structure of a surface acoustic wave filter used for mobile phones and other mobile communications, LADDER with resonators connected in a ladder
Type and comb-shaped converters (hereinafter abbreviated as IDT)
The IIDT type and the resonator type in which several IDTs are sandwiched between reflectors are used. In particular, when the degree of out-of-band suppression is emphasized, a resonator-type filter structure is often used to match the input / output impedance of the filter to 50 Ω.
【０００３】従来の共振子型フイルタ構成を図８により
説明する。図８は、共振子型フイルタ構造のなかでも帯
域外減衰量を向上させるため鏡面対称に 2つの共振子型
フイルタを接続してある弾性表面波フイルタ装置であ
る。図８において、パッド１は入力信号端子に接続さ
れ、パッド２、３は入力側の接地（以下、 GNDと略称）
におとされている。パッド１、３にて IDT１２に電気信
号が入力されると圧電性基板上に弾性表面波が発生し、
これは IDT１１、 IDT１３によって受けられ再度電気信
号に変わる。この電気信号が IDT１１ａ、 IDT１３ａに
よって再び弾性表面波となり、最後に IDT１２ａにて受
けとられ電気信号に変換された後、パッド６を介して出
力信号端子へ出力される。パッド４、５は出力側 GNDに
接続され、入出力 GNDは互いに接続され共通の電位とな
っている。なお、 IDT１１、 IDT１３の外側に反射器７
および８が、 IDT１１ａ、 IDT１３ａの外側に反射器７
ａおよび８ａがそれぞれ配設されている。この構成で得
られた周波数特性図を図９に示す。A conventional resonator type filter structure will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows a surface acoustic wave filter device in which two resonator-type filters are connected in mirror symmetry in order to improve the out-of-band attenuation in the resonator-type filter structure. In FIG. 8, pad 1 is connected to the input signal terminal, and pads 2 and 3 are grounded on the input side (hereinafter abbreviated as GND).
I am terrified. When an electric signal is input to the IDT 12 with the pads 1 and 3, surface acoustic waves are generated on the piezoelectric substrate,
This is received by IDT11 and IDT13 and converted into an electric signal again. This electric signal becomes a surface acoustic wave again by the IDT 11a and IDT 13a, is finally received by the IDT 12a and converted into an electric signal, and is output to the output signal terminal via the pad 6. The pads 4 and 5 are connected to the output side GND, and the input and output GNDs are connected to each other and have a common potential. The reflector 7 is placed outside the IDT 11 and IDT 13.
And 8 are reflectors 7 outside the IDT 11a and IDT 13a.
a and 8a are provided respectively. FIG. 9 shows a frequency characteristic diagram obtained with this configuration.
【０００４】このような移動体通信用フィルタは受信
用、送信用ともに用いられており、それぞれ通過帯域近
傍に抑止帯があり、ここでの周波数特性として高減衰量
が要求される。その上自動車電話などシステム自身の小
型化、低消費電力化のためフィルタにはさらに低損失で
あることが強く要求されてきた。上述の図８に示す 2段
接続の共振子フィルタは、帯域外減衰量は良好とはい
え、帯域内減衰量が劣るという問題があった。Such mobile communication filters are used both for reception and for transmission, and each have a stop band in the vicinity of the pass band, and high attenuation is required as the frequency characteristic here. In addition, filters have been strongly required to have lower loss in order to reduce the size and power consumption of systems such as car phones. The two-stage resonator filter shown in FIG. 8 described above has a problem that although the out-of-band attenuation is good, the in-band attenuation is inferior.
【０００５】低損失の帯域内特性を実現するために、 L
ADDER 型に弾性表面波フィルタを配設する方式がある。
その構造を図１０に、周波数特性を図１１に示す。図１
１に示すように、この場合帯域近傍に鋭い高減衰領域
（ノッチ）をもたせることは容易であるがある程度広い
周波数範囲で高帯域外減衰量を得るのは困難である。広
い周波数範囲で高帯域外減衰量を得るためには、並列に
配設した共振子にボンディングワイヤー等を介してイン
ダクタンス成分を付加することなどが必要とされる。し
かし、インダクタンス成分を付加するのはボンディング
ワイヤーの張り方の点で弾性表面波フィルタ基板の外囲
器形状からの制約が大きく、また外囲器の小型化にも寄
与しない。In order to realize low loss in-band characteristics, L
There is a method of arranging a surface acoustic wave filter on the ADDER type.
The structure is shown in FIG. 10 and the frequency characteristic is shown in FIG. FIG.
As shown in FIG. 1, in this case, it is easy to provide a sharp high attenuation region (notch) in the vicinity of the band, but it is difficult to obtain a high out-of-band attenuation amount in a wide frequency range to some extent. In order to obtain a high out-of-band attenuation in a wide frequency range, it is necessary to add an inductance component to the resonators arranged in parallel via bonding wires or the like. However, the addition of the inductance component is largely restricted by the shape of the surface acoustic wave filter substrate in terms of how the bonding wire is stretched, and does not contribute to the miniaturization of the envelope.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、共振
子フィルタは、帯域外減衰量不足あるいは帯域内喪失大
を生じやすいという問題があった。また、IIDT型では 5
0 オーム系に合わせづらい、ボンディングパッド引き回
しが複雑になる問題があった。さらに、 LADDER型では
広い周波数範囲での高減衰量化が困難であるとの問題が
あった。As described above, the resonator filter has a problem that the out-of-band attenuation amount is insufficient or the in-band loss is large. Also, for the IIDT type, 5
There was a problem that it was difficult to match the 0 ohm system and the routing of the bonding pad was complicated. Furthermore, the LADDER type has a problem that it is difficult to achieve high attenuation over a wide frequency range.
【０００７】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、弾性表面波共振子をベースに広い周
波数範囲にわたって高減衰領域を有する弾性表面波フィ
ルタ装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object thereof is to provide a surface acoustic wave filter device having a high attenuation region over a wide frequency range based on a surface acoustic wave resonator. To do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波フィ
ルタ装置は、圧電性基板上に形成された少なくとも 1つ
のくし形変換器からなる異なる共振周波数をもつ 2種の
弾性表面波共振子を、2つの入力端子と 2つの出力端子
との間に格子状に配設してなる構造を少なくとも 1つ有
し、格子状に配設してなる構造は、 2種ある弾性表面波
共振子の一方を第１の入力端子と第１の出力端子との間
および第２の入力端子と第２の出力端子との間に、他方
を第１の入力端子と第２の出力端子との間および第２の
入力端子と第１の出力端子との間にそれぞれ配設し、一
方の弾性表面波共振子と他方の弾性表面波共振子のくし
形電極の容量差を± 5％以内に設定したことを特徴とす
る。The surface acoustic wave filter device of the present invention comprises two types of surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies, which are composed of at least one comb-shaped transducer formed on a piezoelectric substrate. , There is at least one structure that is arranged in a grid pattern between two input terminals and two output terminals, and there are two types of surface acoustic wave resonator structures. One between the first input terminal and the first output terminal and between the second input terminal and the second output terminal, the other between the first input terminal and the second output terminal, and They are arranged between the second input terminal and the first output terminal, respectively, and the capacitance difference between the comb electrodes of one surface acoustic wave resonator and the other surface acoustic wave resonator is set within ± 5%. It is characterized by
【０００９】ここで、弾性表面波共振子のくし形電極の
容量差が± 5％以内とは、より大きい容量を有する弾性
表面波共振子の側からみて対となる相手の容量値との差
が、そのより大きい容量値の 5％以内にあることをい
う。容量差をこのように設定することにより、高い帯域
外減衰量を広い周波数範囲にわたって得ることができ
る。Here, the capacitance difference of the comb-shaped electrodes of the surface acoustic wave resonator being within ± 5% means the difference from the capacitance value of the counterpart which is seen from the surface acoustic wave resonator having a larger capacitance. Is within 5% of the larger capacity value. By setting the capacitance difference in this way, a high out-of-band attenuation amount can be obtained over a wide frequency range.
【００１０】また、容量差を± 5％以内にそれぞれ設定
された 2種類の弾性表面波共振子は、より低い***振周
波数をもつ弾性表面波共振子の***振周波数±（***振
周波数−共振周波数）の範囲に他方の弾性表面波共振子
の共振周波数が設定されていることを特徴とする。Further, the two types of surface acoustic wave resonators each having a capacitance difference set within ± 5% have an antiresonance frequency ± (antiresonance frequency-resonance) of a surface acoustic wave resonator having a lower antiresonance frequency. The resonance frequency of the other surface acoustic wave resonator is set in the frequency range.
【００１１】さらに、 2種類の弾性表面波共振子は、 I
DTの対数とその開口長との積が略同一であり、 IDTを形
成する電極のピッチおよび反射器との距離が、それぞれ
の反射器の電極ピッチで規格化した場合、同一となるこ
とを特徴とする。これにより弾性表面波共振子の容量を
略同一とすることができる。Further, two types of surface acoustic wave resonators are
The product of the logarithm of DT and its aperture length is almost the same, and the pitch of the electrodes forming the IDT and the distance to the reflector are the same when normalized by the electrode pitch of each reflector. And As a result, the surface acoustic wave resonators can have substantially the same capacitance.
【００１２】本発明に係わる弾性表面波共振子は、 1つ
の IDTからなるものであっても、複数の IDTからなるも
のであってもよい。さらに図２に示すように IDTの両側
に反射器 Gr を有するものであってもよく、この場合低
損失を実現する上で好ましい。The surface acoustic wave resonator according to the present invention may be composed of one IDT or a plurality of IDTs. Further, as shown in FIG. 2, it may have reflectors Gr on both sides of the IDT, which is preferable in order to realize low loss.
【００１３】本発明の弾性表面波フィルタ装置が主に使
用される移動体通信における RF フイルタの帯域は 1％
から 5％である。これを実現する上において本発明に係
わる圧電性基板は、 2％以上の電気機械結合係数を有す
ることが好ましい。具体的には36゜Y-X タンタル酸リチ
ウム、64゜Y-X ニオブ酸リチウム、41゜Y-X ニオブ酸リ
チウム等を挙げることができる。The band of the RF filter in mobile communication in which the surface acoustic wave filter device of the present invention is mainly used is 1%.
From 5%. To realize this, the piezoelectric substrate according to the present invention preferably has an electromechanical coupling coefficient of 2% or more. Specific examples include 36 ° YX lithium tantalate, 64 ° YX lithium niobate, 41 ° YX lithium niobate and the like.
【００１４】[0014]
【作用】上述の構成とすることにより、対称格子回路を
なす 2種の弾性表面波共振子のインピーダンスを帯域外
の領域において広い周波数範囲にわたりほぼ同一に設定
することができる。その結果、帯域外において高減衰特
性をもつ弾性表面波フィルタ装置を得ることができる。With the above structure, the impedances of the two types of surface acoustic wave resonators forming the symmetric lattice circuit can be set to be substantially the same over a wide frequency range in the out-of-band region. As a result, it is possible to obtain a surface acoustic wave filter device having a high attenuation characteristic outside the band.
【００１５】[0015]
実施例１ 実施例１の弾性表面波フィルタ装置を図１から図５を用
いて説明する。図１は本実施例に用いる弾性表面波フィ
ルタの弾性表面波共振子の配置を示す概念図である。い
ま説明の便宜のため 2つの入出力端子をそれぞれ端子２
１、端子２２として説明する。どちらを端子２１、端子
２２としても対応する弾性表面波共振子が入れ替わるだ
けで構造は等価である。また本構造は入出力平衡回路と
なっている。入力端子２１ａと出力端子２２ａ間に共振
子２０ａが配設されこれと同じ共振子２０ｂが入力端子
２１ｂと出力端子２２ｂ間に配設されている。また入力
端子２１ａと出力端子２２ｂ間には共振子２０ｃがあ
り、これと同一の共振子２０ｄが入力端子２１ｂと出力
端子２２ａ間に配設された対称格子構造となっている。
ここでの共振子２０ａ〜２０ｄはそれぞれ図２に示すよ
うな IDTの両端に反射器を有する弾性表面波共振子によ
って形成されている。Example 1 A surface acoustic wave filter device of Example 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 1 is a conceptual diagram showing the arrangement of surface acoustic wave resonators of the surface acoustic wave filter used in this embodiment. For convenience of explanation, each of the two input / output terminals is terminal 2
1, the terminal 22 will be described. Whichever the terminal 21 and the terminal 22, the corresponding surface acoustic wave resonators are replaced with each other, the structure is equivalent. This structure is an input / output balanced circuit. The resonator 20a is arranged between the input terminal 21a and the output terminal 22a, and the same resonator 20b is arranged between the input terminal 21b and the output terminal 22b. Further, there is a resonator 20c between the input terminal 21a and the output terminal 22b, and the same resonator 20d is arranged between the input terminal 21b and the output terminal 22a to form a symmetrical lattice structure.
Each of the resonators 20a to 20d here is formed of a surface acoustic wave resonator having reflectors at both ends of the IDT as shown in FIG.
【００１６】図１に示した構造において共振子２０ａ、
２０ｂのインピーダンスをＺａ，共振子２０ｃ、２０ｄ
のインピーダンスをＺｂとすると、等価的に図３のよう
に表せる。通信帯域内ではＺａはローインピーダンスで
あり、Ｚｂはハイインピーダンスとなるように設定す
る。これにより入力信号は非常に少ない損失で出力され
る。また、帯域外においてはＺａがＺｂに比べてハイイ
ンピーダンスとなるかＺａ＝Ｚｂに近くなれば出力＝0
に近い値となり高い帯域外減衰量を得ることができる。
通過帯域外のある周波数ポイントでＺａ＝Ｚｂとする方
法はＺａとＺｂのインピーダンスを有する共振子の構造
を変えたものでも可能である。しかし、より広い周波数
範囲においてＺａ＝Ｚｂに近づけようとした場合、周波
数に対するインピーダンスの挙動が異なるタイプの構造
では困難となる。そのため本発明では共振子の容量はそ
のままで共振周波数をずらした共振子をＺａ，Ｚｂとし
て用いている。これにより容易に通過帯域外においてＺ
ａとＺｂをほぼ同じに設定可能である。In the structure shown in FIG. 1, the resonator 20a,
The impedance of 20b is Za, and the resonators 20c and 20d are
Letting Zb be the impedance of, the equivalent can be expressed as shown in FIG. Za is set to have low impedance and Zb is set to have high impedance in the communication band. This causes the input signal to be output with very little loss. Also, outside the band, if Za has a higher impedance than Zb, or if it is close to Za = Zb, output = 0.
It becomes a value close to and high out-of-band attenuation can be obtained.
The method of setting Za = Zb at a certain frequency point outside the pass band is possible by changing the structure of the resonator having the impedances of Za and Zb. However, when it is attempted to approach Za = Zb in a wider frequency range, it becomes difficult for a structure of a type in which the behavior of impedance with respect to frequency is different. Therefore, in the present invention, the resonators having the same capacitance and the resonance frequencies shifted are used as Za and Zb. This makes it easy to generate Z outside the pass band.
It is possible to set a and Zb to be almost the same.
【００１７】弾性表面波共振子のアドミッタンス特性の
周波数依存性を考えてみる。これは放射コンダクタンス
およびサセプタンスよりなるが、放射コンダクタンスは
共振周波数からはずれるに従い急激に減少しながら振幅
を繰り返す。サセプタンスについては帯域外での主要な
周波数依存性を与えるのは（周波数×IDT 容量）の項で
あり、 2つの共振子において略等しい容量を設定するこ
とにより、両共振子のアドミッタンスまたこの逆数であ
るインピーダンスを帯域外の広い領域で等しくすること
ができる。Consider the frequency dependence of the admittance characteristic of the surface acoustic wave resonator. It consists of radiative conductance and susceptance, but the radiative conductance repeats its amplitude while decreasing sharply as it deviates from the resonance frequency. For the susceptance, it is the term of (frequency × IDT capacitance) that gives the main frequency dependence outside the band, and by setting approximately equal capacitance in the two resonators, the admittance of both resonators and its inverse A certain impedance can be made equal over a wide area outside the band.
【００１８】本実施例でのＺａインピーダンスおよびＺ
ｂインピーダンスを図４に示す。実線で示したのは共振
子２０ａ、２０ｂのインピーダンス特性、また破線で示
したものが共振子２０ｃ、２０ｄのインピーダンス特性
である。なお、縦軸は任意単位として表した。図４より
帯域外の広い領域において両共振子のインピーダンスが
等しくなっているのがわかる。またここで共振周波数を
ｆa 、ｆb 、***振周波数をｆra、ｆrbとする。通過帯
域をつくるためｆa はおよそｆrb近傍の周波数に設定さ
れ、ｆb ＜（ｆrb，ｆa ）＜ｆraの関係となっている。
すなわち、ｆrb±（ｆrb−ｆb ）の範囲にｆaが設定さ
れている。Ｚａがローインピーダンスのｆa では、Ｚｂ
からみるとほぼ***振周波数ｆrbに近くハイインピーダ
ンス（インピーダンスの虚数成分が大）となっており、
低損失の通過特性が得られる。またｆa を中心とした通
過帯域からはなれ、ｆraでは共振子２０ａ、２０ｂがハ
イインピーダンスとなる。さらに周波数が上がるとｆ＞
＞ｆa 、ｆb ではＺａ、Ｚｂともに近い値となるため高
減衰量が得られる。またｆa から低周波数側に移り、ｆ
b 以下の周波数ではＺａ、Ｚｂともに近い値となるため
やはり高減衰が得られている。以上のようにｆa 、ｆb
より遠方では広い周波数範囲において高減衰量が得られ
る。このように構成する弾性表面波共振子の容量が、同
じ対数、同じ開口長を用いているため等しく、共振周波
数を単にずらした 2種の対称格子型を用いることにより
良好な通過帯域外特性が得られた。得られた周波数特性
を図５に示す。Za impedance and Z in the present embodiment
The b impedance is shown in FIG. The solid line shows the impedance characteristics of the resonators 20a and 20b, and the broken line shows the impedance characteristics of the resonators 20c and 20d. The vertical axis is expressed as an arbitrary unit. It can be seen from FIG. 4 that the impedances of both resonators are equal in a wide region outside the band. Further, here, the resonance frequencies are f a and f b , and the anti-resonance frequencies are f ra and f rb . In order to form a pass band, f a is set to a frequency near f rb , and f b <(f rb , f a ) <f ra .
That, f a is set in a range of f rb ± (f rb -f b ). If Za has a low impedance f a , then Zb
As seen from the above, the impedance is close to the anti-resonance frequency f rb and has a high impedance (the imaginary component of impedance is large)
Passage characteristics with low loss can be obtained. In addition, it deviates from the pass band centered on f a , and the resonators 20 a and 20 b have high impedance at f ra . When the frequency goes up, f>
> F a, the f b Za, high attenuation for the both close values Zb are obtained. Also, from f a to the low frequency side, f
At frequencies below b , both Za and Zb are close to each other, so high attenuation is obtained. As described above, f a , f b
Higher attenuation can be obtained in a wider frequency range at a further distance. The surface acoustic wave resonators constructed in this way have the same capacitance because they use the same logarithm and the same aperture length. Was obtained. The obtained frequency characteristic is shown in FIG.
【００１９】実施例２ 実施例２の弾性表面波フィルタ装置を図６、図７を用い
て説明する。本実施例においては、実施例１よりもさら
に帯域外減衰量を増すため実施例１と同一の対称格子構
造をさらに図６に示すように 2段に接続する。得られた
弾性表面波フィルタ装置の周波数特性を図７に示す。帯
域外の広い周波数範囲において高い減衰量が得られてい
るのがわかる。またこのように多段に対称格子型フィル
タを接続する際には各段を構成する単一の格子型フィル
タ単位で本発明で示した 2種の共振子間の関係が存在す
ればよい。実施例２では共振子の開口長は 2種の共振子
にて同一としたが、（開口長×IDT 対数）を両共振子で
同じにすれば容量は等しくなり帯域外周波数におけるＺ
ａ＝Ｚｂとなる関係を概ね保持できる。Second Embodiment A surface acoustic wave filter device according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In this embodiment, in order to increase the out-of-band attenuation more than in the first embodiment, the same symmetrical lattice structure as in the first embodiment is further connected in two stages as shown in FIG. The frequency characteristics of the obtained surface acoustic wave filter device are shown in FIG. It can be seen that high attenuation is obtained in a wide frequency range outside the band. In addition, when connecting symmetric lattice filters in multiple stages in this way, the relationship between the two types of resonators shown in the present invention may be present in a single lattice filter unit forming each stage. In the second embodiment, the aperture lengths of the resonators are the same for the two types of resonators. However, if the (aperture length × IDT logarithm) is the same for both resonators, the capacities become equal and Z at an out-of-band frequency.
The relation of a = Zb can be generally held.
【００２０】また実施例１および実施例２では IDTの外
部に反射器を配設した共振子を示したが、36゜Y-X タン
タル酸リチウムや64゜Y-X ニオブ酸リチウムなどの電極
1本あたりの反射率が大きい圧電性基板を用いる場合、
外側の反射器を省略し IDTの内部反射のみを用いて本発
明の 2種の共振子を構成しこの対称格子回路を用いて弾
性表面波フィルタ装置を構成することもできる。In the first and second embodiments, a resonator having a reflector provided outside the IDT is shown, but electrodes such as 36 ° YX lithium tantalate and 64 ° YX lithium niobate are used.
When using a piezoelectric substrate with high reflectance per wire,
It is also possible to omit the outer reflector and use only the internal reflection of the IDT to configure the two types of resonators of the present invention, and use this symmetric lattice circuit to configure a surface acoustic wave filter device.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の弾性表面波フィルタ装置は、格
子状に配設する一方の弾性表面波共振子と他方の弾性表
面波共振子のくし形電極の容量差を± 5％以内に設定し
たので、通過帯域外の広い周波数範囲において高い減衰
量を得ることができる。According to the surface acoustic wave filter device of the present invention, the capacitance difference between the comb-shaped electrodes of one surface acoustic wave resonator and the other surface acoustic wave resonator arranged in a lattice is set within ± 5%. Therefore, a high attenuation amount can be obtained in a wide frequency range outside the pass band.
【図１】実施例１の弾性表面波共振子フィルタ概念図で
ある。FIG. 1 is a conceptual diagram of a surface acoustic wave resonator filter according to a first embodiment.
【図２】実施例１における弾性表面波共振子を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a surface acoustic wave resonator according to a first embodiment.
【図３】実施例１における等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram in the first embodiment.
【図４】実施例１のインピーダンス特性を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing impedance characteristics of the first embodiment.
【図５】実施例１の周波数特性図である。FIG. 5 is a frequency characteristic diagram of the first embodiment.
【図６】実施例２における 2段構成の共振型フィルタの
概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram of a resonant filter having a two-stage configuration according to a second embodiment.
【図７】実施例２の周波数特性図である。FIG. 7 is a frequency characteristic diagram of the second embodiment.
【図８】従来の 2段構成の共振子型フィルタの構造概念
図である。FIG. 8 is a structural conceptual diagram of a conventional resonator filter having a two-stage configuration.
【図９】従来の 2段構成の共振子型フィルタにおける周
波数特性図である。FIG. 9 is a frequency characteristic diagram of a conventional resonator filter having a two-stage configuration.
【図１０】従来の LADDER 型フィルタの構造概念図であ
る。FIG. 10 is a structural conceptual diagram of a conventional LADDER type filter.
【図１１】従来の LADDER 型フィルタにおける周波数特
性図である。FIG. 11 is a frequency characteristic diagram of a conventional LADDER type filter.
Claims (3)
つのくし形変換器からなる異なる共振周波数をもつ 2種
の弾性表面波共振子を、 2つの入力端子と 2つの出力端
子との間に格子状に配設してなる構造を少なくとも 1つ
有する弾性表面波フィルタ装置であって、 前記格子状に配設してなる構造は、前記 2種の弾性表面
波共振子の一方を第１の入力端子と第１の出力端子との
間および第２の入力端子と第２の出力端子との間に、他
方を第１の入力端子と第２の出力端子との間および第２
の入力端子と第１の出力端子との間にそれぞれ配設し、
前記一方の弾性表面波共振子と前記他方の弾性表面波共
振子のくし形電極の容量差を± 5％以内に設定したこと
を特徴とする弾性表面波フィルタ装置。1. At least one formed on a piezoelectric substrate
Two types of surface acoustic wave resonators with different resonance frequencies consisting of two comb-shaped transducers are arranged in a grid between two input terminals and two output terminals. In the surface wave filter device, the structure arranged in the lattice form is such that one of the two kinds of surface acoustic wave resonators is provided between the first input terminal and the first output terminal and the second output terminal. Between the input terminal and the second output terminal, the other between the first input terminal and the second output terminal, and the second
Between the input terminal and the first output terminal of
A surface acoustic wave filter device, wherein the capacitance difference between the comb-shaped electrodes of the one surface acoustic wave resonator and the other surface acoustic wave resonator is set within ± 5%.
において、前記一方の弾性表面波共振子と、前記他方の
弾性表面波共振子とにおいて、より低い***振周波数を
もつ弾性表面波共振子の***振周波数±（***振周波数
−共振周波数）の範囲に他方の弾性表面波共振子の共振
周波数が設定されていることを特徴とする弾性表面波フ
ィルタ装置。2. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the one surface acoustic wave resonator and the other surface acoustic wave resonator have a lower anti-resonance frequency. 2. The surface acoustic wave filter device, wherein the resonance frequency of the other surface acoustic wave resonator is set within the range of the antiresonance frequency ± (antiresonance frequency-resonance frequency).
波フィルタ装置において、前記一方の弾性表面波共振子
と、前記他方の弾性表面波共振子とは、くし形変換器の
対数とその開口長との積が略同一であり、くし形変換器
を形成する電極のピッチおよび反射器との距離が、それ
ぞれの反射器の電極ピッチで規格化した場合、同一とな
ることを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。3. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the one surface acoustic wave resonator and the other surface acoustic wave resonator have a logarithm of a comb-shaped transducer and a pair thereof. The product of the aperture length is substantially the same, and the pitch of the electrodes forming the comb-shaped transducer and the distance to the reflector are the same when normalized by the electrode pitch of each reflector. Surface acoustic wave filter device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20040694A JPH0865099A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Surface acoustic wave filter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20040694A JPH0865099A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Surface acoustic wave filter device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0865099A true JPH0865099A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16423794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20040694A Withdrawn JPH0865099A (en) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | Surface acoustic wave filter device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0865099A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006101550A (en) * | 2005-12-05 | 2006-04-13 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave device, communication apparatus using the same, and antenna duplexer |
| JP2011040817A (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | Duplexer |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20040694A patent/JPH0865099A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006101550A (en) * | 2005-12-05 | 2006-04-13 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave device, communication apparatus using the same, and antenna duplexer |
| JP2011040817A (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | Duplexer |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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