JPH0863717A - 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0863717A JPH0863717A JP6198177A JP19817794A JPH0863717A JP H0863717 A JPH0863717 A JP H0863717A JP 6198177 A JP6198177 A JP 6198177A JP 19817794 A JP19817794 A JP 19817794A JP H0863717 A JPH0863717 A JP H0863717A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＭＲヘッドのセンサ部の両脇に配置する縦バイ
アス膜と電極膜のうち、間隔の広い方の端部を、狭い方
の端部よりも急峻なテーパ形状にする。また、リフトオ
フ法を利用し、縦バイアス膜と電極膜の二つのパターン
を、一つのマスク材を用いて作製する。 【効果】磁気ギャップ膜のつきまわりが改善され、電極
／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きくでき、また、縦バ
イアス膜と電極膜のパターン位置合わせ精度が向上し、
製造コストを低減できる。
アス膜と電極膜のうち、間隔の広い方の端部を、狭い方
の端部よりも急峻なテーパ形状にする。また、リフトオ
フ法を利用し、縦バイアス膜と電極膜の二つのパターン
を、一つのマスク材を用いて作製する。 【効果】磁気ギャップ膜のつきまわりが改善され、電極
／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きくでき、また、縦バ
イアス膜と電極膜のパターン位置合わせ精度が向上し、
製造コストを低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例え
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、高い再生出力感度をも
った磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、高い再生出力感度をも
った磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるた
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に電流
を流すために、電極膜パターンが必要である。また、バ
ルクハウゼンノイズと呼ばれる再生波形の変動を無くす
ために、磁気抵抗効果膜を単磁区化させるような縦バイ
アス膜パターンが必要である。これらの電極膜パターン
及び縦バイアス膜パターンは、いずれもセンサ部分の磁
気抵抗効果膜パターンの両端部に設けられることが多
い。
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に電流
を流すために、電極膜パターンが必要である。また、バ
ルクハウゼンノイズと呼ばれる再生波形の変動を無くす
ために、磁気抵抗効果膜を単磁区化させるような縦バイ
アス膜パターンが必要である。これらの電極膜パターン
及び縦バイアス膜パターンは、いずれもセンサ部分の磁
気抵抗効果膜パターンの両端部に設けられることが多
い。
【０００３】これらの電極膜パターン及び縦バイアス膜
パターンの形状の関係として、例えば、特開平4−28120
3 号公報には、一対の磁区制御層（縦バイアス膜）パタ
ーンの間隔が一対の電極膜パターンの間隔と等しいか、
より大きい磁気抵抗効果ヘッドの例が開示されている。
また、特開平6−60332号公報には、縦バイアス膜として
の反強磁性膜の間隔が電極膜の間隔よりも大きく、反強
磁性膜端部と電極膜端部の距離を１.５ 〜３μｍとした
磁気抵抗効果ヘッドの例が開示されている。
パターンの形状の関係として、例えば、特開平4−28120
3 号公報には、一対の磁区制御層（縦バイアス膜）パタ
ーンの間隔が一対の電極膜パターンの間隔と等しいか、
より大きい磁気抵抗効果ヘッドの例が開示されている。
また、特開平6−60332号公報には、縦バイアス膜として
の反強磁性膜の間隔が電極膜の間隔よりも大きく、反強
磁性膜端部と電極膜端部の距離を１.５ 〜３μｍとした
磁気抵抗効果ヘッドの例が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の公知例では、電
極膜パターンと縦バイアス膜パターンの間隔の関係につ
いては明らかにされているが、各パターンの端部形状の
関係については明らかにされていなかった。特に、電極
膜や縦バイアス膜の上部に作製される磁気ギャップのつ
きまわりを良くして、電極膜と磁気シールド膜の絶縁耐
圧を向上させるために望ましい端部形状の関係について
は、何ら明らかにされていなかった。
極膜パターンと縦バイアス膜パターンの間隔の関係につ
いては明らかにされているが、各パターンの端部形状の
関係については明らかにされていなかった。特に、電極
膜や縦バイアス膜の上部に作製される磁気ギャップのつ
きまわりを良くして、電極膜と磁気シールド膜の絶縁耐
圧を向上させるために望ましい端部形状の関係について
は、何ら明らかにされていなかった。
【０００５】本発明の目的は、高い電極／磁気シールド
間絶縁耐圧を実現したＭＲヘッドと、その製造方法を提
供することにある。
間絶縁耐圧を実現したＭＲヘッドと、その製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
少なくとも磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と略す）と、
そのＭＲ膜を単磁区状態に保つために、ＭＲ膜のセンサ
部分以外の両端部に設けられた一対の縦バイアス膜と、
ＭＲ膜に電流を供給するためにＭＲ膜のセンサ部分以外
の両端部に設けられた一対の電極膜とを有し、その縦バ
イアス膜パターン及び電極膜パターンのＭＲ膜側に隣接
する端部の形状がいずれも角度９０度未満のテーパ形状
となっており、かつセンサ部分における縦バイアス膜の
間隔と電極膜の間隔のうち、大きい方の端部テーパ角度
が小さい方の端部テーパ角度よりも急峻であることを特
徴としている。
少なくとも磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と略す）と、
そのＭＲ膜を単磁区状態に保つために、ＭＲ膜のセンサ
部分以外の両端部に設けられた一対の縦バイアス膜と、
ＭＲ膜に電流を供給するためにＭＲ膜のセンサ部分以外
の両端部に設けられた一対の電極膜とを有し、その縦バ
イアス膜パターン及び電極膜パターンのＭＲ膜側に隣接
する端部の形状がいずれも角度９０度未満のテーパ形状
となっており、かつセンサ部分における縦バイアス膜の
間隔と電極膜の間隔のうち、大きい方の端部テーパ角度
が小さい方の端部テーパ角度よりも急峻であることを特
徴としている。
【０００７】本発明のＭＲヘッドは、これらの縦バイア
ス膜パターンと電極膜パターンのうち、端部が急峻な方
のテーパ角度が４５〜８９度であり、端部がゆるやかな
方のテーパ角度が２０〜７０度であるのが望ましい。ま
た、両者のテーパ角度の差が、２０度以上であるのが望
ましい。
ス膜パターンと電極膜パターンのうち、端部が急峻な方
のテーパ角度が４５〜８９度であり、端部がゆるやかな
方のテーパ角度が２０〜７０度であるのが望ましい。ま
た、両者のテーパ角度の差が、２０度以上であるのが望
ましい。
【０００８】また、本発明のＭＲヘッドでは、縦バイア
ス膜の間隔が電極膜の間隔よりも大きい場合に、特に優
れたＭＲヘッドが実現できる。この場合、縦バイアス膜
端部と電極膜端部の距離は、特開平6−60332号公報に示
されているのとは異なり、０.１〜１.０μｍ程度に近づ
けることが望ましい。
ス膜の間隔が電極膜の間隔よりも大きい場合に、特に優
れたＭＲヘッドが実現できる。この場合、縦バイアス膜
端部と電極膜端部の距離は、特開平6−60332号公報に示
されているのとは異なり、０.１〜１.０μｍ程度に近づ
けることが望ましい。
【０００９】一方、本発明のＭＲヘッドの製造方法は、
ＭＲ膜上にリフトオフ用マスクパターンを作製する第一
の工程と、その上部に縦バイアス膜もしくは電極膜のい
ずれかを成膜する第二の工程と、さらに続けてその上部
に、縦バイアス膜もしくは電極膜のうち前記第二の工程
で作製しなかった方の膜を成膜し、前記第二の工程で作
製したよりも大きなパターンを作製する第三の工程と、
リフトオフ用マスクパターンを剥離して、マスクパター
ン上部の縦バイアス膜及び電極膜をリフトオフする第四
の工程とを含むことを特徴としている。
ＭＲ膜上にリフトオフ用マスクパターンを作製する第一
の工程と、その上部に縦バイアス膜もしくは電極膜のい
ずれかを成膜する第二の工程と、さらに続けてその上部
に、縦バイアス膜もしくは電極膜のうち前記第二の工程
で作製しなかった方の膜を成膜し、前記第二の工程で作
製したよりも大きなパターンを作製する第三の工程と、
リフトオフ用マスクパターンを剥離して、マスクパター
ン上部の縦バイアス膜及び電極膜をリフトオフする第四
の工程とを含むことを特徴としている。
【００１０】リフトオフ用マスクパターンは、後述する
ようなアンダカット形状を有することが望ましく、その
アンダカット部分に残ったマスクパターンの幅で、縦バ
イアス膜もしくは電極膜のうち狭い方の間隔が決まるこ
とが望ましい。言い替えれば、前記第三の工程で作製す
る大きい方のパターンの間隔が、このアンダカット部分
のマスク幅で決められることが望ましい。また、縦バイ
アス膜もしくは電極膜のうち広い方の間隔を、マスクパ
ターンの「ひさし」部分の幅で決めることで、前記第二
の工程で作製する小さい方のパターンが得られる。
ようなアンダカット形状を有することが望ましく、その
アンダカット部分に残ったマスクパターンの幅で、縦バ
イアス膜もしくは電極膜のうち狭い方の間隔が決まるこ
とが望ましい。言い替えれば、前記第三の工程で作製す
る大きい方のパターンの間隔が、このアンダカット部分
のマスク幅で決められることが望ましい。また、縦バイ
アス膜もしくは電極膜のうち広い方の間隔を、マスクパ
ターンの「ひさし」部分の幅で決めることで、前記第二
の工程で作製する小さい方のパターンが得られる。
【００１１】一つのマスクパターンを用いて、このよう
に異なった大きさのパターン（異なった間隔を持つパタ
ーン）を作製するためには、前記第二の工程と第三の工
程で異なった成膜方法を適用すれば良い。例えば、第二
の工程では真空蒸着法を用い、第三の工程ではスパッタ
リング法を用いることにより、容易に所定の形状を有す
るパターンが得られる。また、両方の工程で同じスパッ
タリング法を用いる場合でも、第二の工程ではＭＲ膜に
対する入射角度ができるだけ垂直に近いスパッタ粒子を
用いて成膜し、第三の工程では入射角度に特別な方向性
が無いスパッタ粒子を用いて成膜することにより、同様
の効果が達成できる。ここで、スパッタ粒子の入射角度
を変えるためには、スパッタガス圧力を変える、ターゲ
ットと基板の距離を変える等の方法を用いることができ
る。さらに、スパッタ粒子自身の飛来方向は同一でも、
バイアススパッタなど基板に印加する電圧を変えること
で膜のつきまわりを制御し、本発明の製造方法で述べた
ような異なった大きさのパターンを作製することも可能
である。
に異なった大きさのパターン（異なった間隔を持つパタ
ーン）を作製するためには、前記第二の工程と第三の工
程で異なった成膜方法を適用すれば良い。例えば、第二
の工程では真空蒸着法を用い、第三の工程ではスパッタ
リング法を用いることにより、容易に所定の形状を有す
るパターンが得られる。また、両方の工程で同じスパッ
タリング法を用いる場合でも、第二の工程ではＭＲ膜に
対する入射角度ができるだけ垂直に近いスパッタ粒子を
用いて成膜し、第三の工程では入射角度に特別な方向性
が無いスパッタ粒子を用いて成膜することにより、同様
の効果が達成できる。ここで、スパッタ粒子の入射角度
を変えるためには、スパッタガス圧力を変える、ターゲ
ットと基板の距離を変える等の方法を用いることができ
る。さらに、スパッタ粒子自身の飛来方向は同一でも、
バイアススパッタなど基板に印加する電圧を変えること
で膜のつきまわりを制御し、本発明の製造方法で述べた
ような異なった大きさのパターンを作製することも可能
である。
【００１２】
【作用】通常のＭＲヘッドでは、縦バイアス膜及び電極
膜のパターン寸法をできるだけ正確に決めるためには、
端部テーパ角度を９０度に近づけることが望ましい。一
方、上部に作製する膜のつきまわりを良くするために
は、端部テーパ角度をできるだけ小さくすることも必要
である。従って、縦バイアス膜及び電極膜のそれぞれの
最適端部テーパ角度を求めることが重要である。
膜のパターン寸法をできるだけ正確に決めるためには、
端部テーパ角度を９０度に近づけることが望ましい。一
方、上部に作製する膜のつきまわりを良くするために
は、端部テーパ角度をできるだけ小さくすることも必要
である。従って、縦バイアス膜及び電極膜のそれぞれの
最適端部テーパ角度を求めることが重要である。
【００１３】本発明のヘッド構造を適用すれば、ＭＲヘ
ッドに用いる縦バイアス膜及び電極膜の端部はいずれも
順テーパ形状となり、かつ上部に作製するパターンほど
端部テーパ角度が小さいため、パターン寸法精度を良好
に保ちながら、その上に作製する膜のつきまわりを良く
することが可能となり、結果として、均一な厚さの磁気
ギャップ膜を容易に形成できるようになる。具体的に
は、例えば、ＭＲ膜上に、まず端部テーパ角度６０度の
縦バイアス膜パターンを作製すれば、その上部に端部テ
ーパ角度３０度で、縦バイアス膜パターンより間隔の狭
い電極膜パターンをつきまわり良く作製することが容易
になる。その結果、さらにその上部につきまわりの良い
磁気ギャップ膜を作製することも簡単になり、電極／磁
気シールド間絶縁耐圧の増加、及びヘッド信頼性の向上
が実現できる。これを逆にして、端部テーパ角度３０度
の縦バイアス膜の上に、端部テーパ角度６０度の電極膜
を作製すると、絶縁耐圧が低下してしまう問題を生じ
る。
ッドに用いる縦バイアス膜及び電極膜の端部はいずれも
順テーパ形状となり、かつ上部に作製するパターンほど
端部テーパ角度が小さいため、パターン寸法精度を良好
に保ちながら、その上に作製する膜のつきまわりを良く
することが可能となり、結果として、均一な厚さの磁気
ギャップ膜を容易に形成できるようになる。具体的に
は、例えば、ＭＲ膜上に、まず端部テーパ角度６０度の
縦バイアス膜パターンを作製すれば、その上部に端部テ
ーパ角度３０度で、縦バイアス膜パターンより間隔の狭
い電極膜パターンをつきまわり良く作製することが容易
になる。その結果、さらにその上部につきまわりの良い
磁気ギャップ膜を作製することも簡単になり、電極／磁
気シールド間絶縁耐圧の増加、及びヘッド信頼性の向上
が実現できる。これを逆にして、端部テーパ角度３０度
の縦バイアス膜の上に、端部テーパ角度６０度の電極膜
を作製すると、絶縁耐圧が低下してしまう問題を生じ
る。
【００１４】また、本発明のＭＲヘッドにおいて、縦バ
イアス膜端部と電極膜端部の距離を、従来例とは異なっ
て０.１〜１.０μｍ程度に近づけることにより、縦バイ
アス膜が無い部分の電極膜下部における読みにじみを低
減することができ、オフトラック特性の優れたＭＲヘッ
ドが実現できる。
イアス膜端部と電極膜端部の距離を、従来例とは異なっ
て０.１〜１.０μｍ程度に近づけることにより、縦バイ
アス膜が無い部分の電極膜下部における読みにじみを低
減することができ、オフトラック特性の優れたＭＲヘッ
ドが実現できる。
【００１５】一方、本発明の製造方法を適用すれば、一
つのマスクパターンを用いて、大きさと端部形状の異な
る二種類のパターン（縦バイアス膜及び電極膜）を一気
に作製できるため、簡単なプロセスで、本発明のＭＲヘ
ッドを作製することができる。また、一つのマスクパタ
ーンの「ひさし」及びアンダカット部分の幅で、縦バイ
アス膜と電極膜のパターン寸法を一度に決められるた
め、寸法精度を向上させることが可能になり、特にセル
フアライメント効果を活用して、両パターンの位置ずれ
を最小限に抑えることもできる。
つのマスクパターンを用いて、大きさと端部形状の異な
る二種類のパターン（縦バイアス膜及び電極膜）を一気
に作製できるため、簡単なプロセスで、本発明のＭＲヘ
ッドを作製することができる。また、一つのマスクパタ
ーンの「ひさし」及びアンダカット部分の幅で、縦バイ
アス膜と電極膜のパターン寸法を一度に決められるた
め、寸法精度を向上させることが可能になり、特にセル
フアライメント効果を活用して、両パターンの位置ずれ
を最小限に抑えることもできる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの
構造を表わす正面図(磁気記録媒体との対向面から見た
図)であるが、ここで示した材料や膜構成などは一つの
例に過ぎず、本発明の主旨を損なわない範囲でこれらを
変更してもまったく問題ない。
する。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの
構造を表わす正面図(磁気記録媒体との対向面から見た
図)であるが、ここで示した材料や膜構成などは一つの
例に過ぎず、本発明の主旨を損なわない範囲でこれらを
変更してもまったく問題ない。
【００１７】図１では、それぞれセラミック基板１０
１，下地膜としてのアルミナ膜１０２，下部シールドと
してのＮｉＦｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミ
ナ膜１０４，上から順にＭＲ膜／分離膜／ソフトバイア
ス膜としてのＮｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb三層膜１０５，縦
バイアス膜としての反強磁性膜であるＦｅＭｎ膜106，
電極膜としてのＴａ膜１０７，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜１０８，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１０
９、保護膜としてのアルミナ膜１１０を表わしている。
なお、バイアスを印加するためのソフトバイアス膜の代
わりに、永久磁石膜やシャント膜等を用いた、他のバイ
アス方式を適用しても、本発明の効果は損なわれない。
１，下地膜としてのアルミナ膜１０２，下部シールドと
してのＮｉＦｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミ
ナ膜１０４，上から順にＭＲ膜／分離膜／ソフトバイア
ス膜としてのＮｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb三層膜１０５，縦
バイアス膜としての反強磁性膜であるＦｅＭｎ膜106，
電極膜としてのＴａ膜１０７，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜１０８，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１０
９、保護膜としてのアルミナ膜１１０を表わしている。
なお、バイアスを印加するためのソフトバイアス膜の代
わりに、永久磁石膜やシャント膜等を用いた、他のバイ
アス方式を適用しても、本発明の効果は損なわれない。
【００１８】図１で、一対のＦｅＭｎ膜１０６の間隔は
２.５μｍ であり、一対のＴａ膜１０７の間隔１.５μ
ｍ よりも広い。ＦｅＭｎ膜端部とＴａ電極膜端部の距
離は、左右とも０.５μｍ である。また、ＦｅＭｎ膜端
部のテーパ角度は７０度であり、Ｔａ電極膜端部のテー
パ角度４０度よりも小さい。この結果、上部ギャップと
してのアルミナ膜１０８の厚さは、電極パターン端部の
つきまわりの悪い部分でも平坦部の約８０％となり、Ｎ
ｉＦｅ膜１０９とＴａ膜１０７との間の絶縁耐圧を良好
に保つことができた。さらに、ＦｅＭｎ膜及びＴａ電極
膜の双方とも精度良くパターン形成することができた。
２.５μｍ であり、一対のＴａ膜１０７の間隔１.５μ
ｍ よりも広い。ＦｅＭｎ膜端部とＴａ電極膜端部の距
離は、左右とも０.５μｍ である。また、ＦｅＭｎ膜端
部のテーパ角度は７０度であり、Ｔａ電極膜端部のテー
パ角度４０度よりも小さい。この結果、上部ギャップと
してのアルミナ膜１０８の厚さは、電極パターン端部の
つきまわりの悪い部分でも平坦部の約８０％となり、Ｎ
ｉＦｅ膜１０９とＴａ膜１０７との間の絶縁耐圧を良好
に保つことができた。さらに、ＦｅＭｎ膜及びＴａ電極
膜の双方とも精度良くパターン形成することができた。
【００１９】図２は、本発明のもう一つの実施例として
のＭＲヘッドの構造を表わす正面図である。セラミック
基板１０１，下地膜であるアルミナ膜１０２，下部シー
ルドのＮｉＦｅ膜１０３，下部ギャップのアルミナ膜１
０４，上部ギャップ膜１０８，上部シールドのＮｉＦｅ
膜１０９，保護膜１１０は図１と同様である。ＭＲ膜／
分離膜／ソフトバイアス膜としての三層膜２０５の両端
部には、縦バイアス膜としての一対の永久磁石膜CoCrPt
膜２０６が設けられており、その上部に電極膜としての
Ａｕ膜２０７が設けられている。図２において、CoCrPt
膜パターン206の間隔は２.８μｍ であり、Ａｕ電極膜
２０７の間隔２.０μｍ よりも広い。CoCrPt膜端部とＡ
ｕ電極膜端部の距離は、左右とも０.４μｍ である。ま
た、CoCrPt膜端部のテーパ角度は６０度であり、Ａｕ電
極膜端部のテーパ角度３０度よりも小さい。この結果、
上部ギャップとしてのアルミナ膜１０８の厚さは、電極
パターン端部のつきまわりの悪い部分でも平坦部の約８
８％となり、ＮｉＦｅ膜１０９とＴａ膜１０７との間の
絶縁耐圧を良好に保つことができた。
のＭＲヘッドの構造を表わす正面図である。セラミック
基板１０１，下地膜であるアルミナ膜１０２，下部シー
ルドのＮｉＦｅ膜１０３，下部ギャップのアルミナ膜１
０４，上部ギャップ膜１０８，上部シールドのＮｉＦｅ
膜１０９，保護膜１１０は図１と同様である。ＭＲ膜／
分離膜／ソフトバイアス膜としての三層膜２０５の両端
部には、縦バイアス膜としての一対の永久磁石膜CoCrPt
膜２０６が設けられており、その上部に電極膜としての
Ａｕ膜２０７が設けられている。図２において、CoCrPt
膜パターン206の間隔は２.８μｍ であり、Ａｕ電極膜
２０７の間隔２.０μｍ よりも広い。CoCrPt膜端部とＡ
ｕ電極膜端部の距離は、左右とも０.４μｍ である。ま
た、CoCrPt膜端部のテーパ角度は６０度であり、Ａｕ電
極膜端部のテーパ角度３０度よりも小さい。この結果、
上部ギャップとしてのアルミナ膜１０８の厚さは、電極
パターン端部のつきまわりの悪い部分でも平坦部の約８
８％となり、ＮｉＦｅ膜１０９とＴａ膜１０７との間の
絶縁耐圧を良好に保つことができた。
【００２０】図３は、本発明の一実施例としてのＭＲヘ
ッドの製造方法を表わす工程図である。図１と同様にそ
れぞれ、ヘッドを磁気記録媒体との対向面から見た正面
図を表わしている。また、簡単のため、図１中に示した
セラミック基板１０１，アルミナ膜１０２，ＮｉＦｅ膜
１０３，ＮｉＦｅ膜１０９，保護膜１１０は図３中では
省略し、本発明に関連するＭＲ膜／分離膜／ソフトバイ
アス三層膜と磁気ギャップ膜，電極部分のみを描いてあ
る。
ッドの製造方法を表わす工程図である。図１と同様にそ
れぞれ、ヘッドを磁気記録媒体との対向面から見た正面
図を表わしている。また、簡単のため、図１中に示した
セラミック基板１０１，アルミナ膜１０２，ＮｉＦｅ膜
１０３，ＮｉＦｅ膜１０９，保護膜１１０は図３中では
省略し、本発明に関連するＭＲ膜／分離膜／ソフトバイ
アス三層膜と磁気ギャップ膜，電極部分のみを描いてあ
る。
【００２１】まず図３（ａ）に示したように、下部ギャ
ップとしてのアルミナ膜１０４上に、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb膜１０５を成膜し、センサパター
ンを作製した後、図３（ｂ）に示したように、二層レジ
スト法を用いてアンダカット形状を持つリフトオフ用マ
スクパターン３０１を作製した。続いて、図３（ｃ）に
示したように、縦バイアス膜としてのＦｅＭｎ膜１０６
をスパッタリングした。この時、基板（直径４インチ）
とターゲット（直径８インチ）の間隔を４０cmに設定し
て成膜したため、基板に到達するスパッタ粒子の飛来方
向角度を、基板面に対して７０〜９０度と大きくするこ
とができ、結果としてアンダカット部分へのまわりこみ
が少ないＦｅＭｎ膜パターンを作製できた。ここで、端
部のテーパ角度は６０度となった。
ップとしてのアルミナ膜１０４上に、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb膜１０５を成膜し、センサパター
ンを作製した後、図３（ｂ）に示したように、二層レジ
スト法を用いてアンダカット形状を持つリフトオフ用マ
スクパターン３０１を作製した。続いて、図３（ｃ）に
示したように、縦バイアス膜としてのＦｅＭｎ膜１０６
をスパッタリングした。この時、基板（直径４インチ）
とターゲット（直径８インチ）の間隔を４０cmに設定し
て成膜したため、基板に到達するスパッタ粒子の飛来方
向角度を、基板面に対して７０〜９０度と大きくするこ
とができ、結果としてアンダカット部分へのまわりこみ
が少ないＦｅＭｎ膜パターンを作製できた。ここで、端
部のテーパ角度は６０度となった。
【００２２】次に、図３（ｄ）に示したように、引き続
いて電極膜としてのＴａ膜１０７をスパッタリングし
た。この時、基板とターゲットの間隔を１０cmに設定し
て成膜したため、基板に到達するスパッタ粒子の飛来方
向角度は基板面に対して３０〜９０度となり、アンダカ
ット部分の内部まで膜が入り込んだため、同じマスクパ
ターンを用いているにもかかわらず、先に成膜したＦｅ
Ｍｎ膜１０６より大きなパターンを作製できた。ここ
で、端部のテーパ角度は３０度となった。その後、図３
（ｅ）に示したように、マスクパターン３０１を剥離液
で除去してＦｅＭｎ膜及びＴａ膜をリフトオフし、その
上に図３（ｆ）に示したように、上部ギャップ膜として
のアルミナ１０８を成膜した。
いて電極膜としてのＴａ膜１０７をスパッタリングし
た。この時、基板とターゲットの間隔を１０cmに設定し
て成膜したため、基板に到達するスパッタ粒子の飛来方
向角度は基板面に対して３０〜９０度となり、アンダカ
ット部分の内部まで膜が入り込んだため、同じマスクパ
ターンを用いているにもかかわらず、先に成膜したＦｅ
Ｍｎ膜１０６より大きなパターンを作製できた。ここ
で、端部のテーパ角度は３０度となった。その後、図３
（ｅ）に示したように、マスクパターン３０１を剥離液
で除去してＦｅＭｎ膜及びＴａ膜をリフトオフし、その
上に図３（ｆ）に示したように、上部ギャップ膜として
のアルミナ１０８を成膜した。
【００２３】こうして得られた上部ギャップ膜の厚さ
は、電極パターン端部のつきまわりの悪い部分でも平坦
部の約８８％となり、絶縁耐圧を良好に保つことが可能
となった。また、縦バイアス膜と電極膜のセルフアライ
メントが可能となったため、位置ずれは３σで±０.２
μｍ 以下と小さくできた。
は、電極パターン端部のつきまわりの悪い部分でも平坦
部の約８８％となり、絶縁耐圧を良好に保つことが可能
となった。また、縦バイアス膜と電極膜のセルフアライ
メントが可能となったため、位置ずれは３σで±０.２
μｍ 以下と小さくできた。
【００２４】なお、本実施例では縦バイアス膜として反
強磁性膜を用い、ＭＲ膜の上部に直接成膜する場合を示
したが、これに代わって、図２に示したような永久磁石
膜を用いてＭＲ膜を単磁区化する場合でも、本発明の製
造方法が有効である。
強磁性膜を用い、ＭＲ膜の上部に直接成膜する場合を示
したが、これに代わって、図２に示したような永久磁石
膜を用いてＭＲ膜を単磁区化する場合でも、本発明の製
造方法が有効である。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、高い寸法精度を保ちなが
ら、優れた絶縁耐圧信頼性を有するＭＲヘッドが実現で
きた。また、縦バイアス膜と電極膜の位置関係や端部テ
ーパ角度を最適化でき、かつ工程を簡略化してコストを
低減できるＭＲヘッドの製造方法が実現できた。
ら、優れた絶縁耐圧信頼性を有するＭＲヘッドが実現で
きた。また、縦バイアス膜と電極膜の位置関係や端部テ
ーパ角度を最適化でき、かつ工程を簡略化してコストを
低減できるＭＲヘッドの製造方法が実現できた。
【図１】本発明の一実施例のＭＲヘッドの構造を表わす
断面図。
断面図。
【図２】本発明の第二実施例のＭＲヘッドの構造を表わ
す断面図。
す断面図。
【図３】本発明の一実施例の製造工程を表わす工程図。
１０１…セラミック基板、１０２，１０４，１０８，１
１０…アルミナ膜、１０３，１０９…ＮｉＦｅ膜、１０
５…ＮｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb膜、１０６…ＦｅＭｎ膜、
１０７…Ｔａ膜。
１０…アルミナ膜、１０３，１０９…ＮｉＦｅ膜、１０
５…ＮｉＦｅ／Ｔａ／NiFeNb膜、１０６…ＦｅＭｎ膜、
１０７…Ｔａ膜。
Claims (3)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜のセ
ンサ両端部に設けた一対の縦バイアス膜と、前記磁気抵
抗効果膜のセンサ両端部に設けた一対の電極膜とを備え
た磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜側に隣接する前記縦バイアス膜及び
前記電極膜の端部が角度９０度未満のテーパ状となって
おり、センサ部分における前記一対の縦バイアス膜の間
隔と前記一対の電極膜の間隔のうち、大きい方の端部テ
ーパ角度が小さい方の端部テーパ角度よりも急峻である
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】請求項１において、前記一対の縦バイアス
膜の間隔が前記一対の電極膜の間隔よりも大きい磁気抵
抗効果ヘッド。 - 【請求項３】磁気抵抗効果膜上にリフトオフ用のマスク
パターンを作製する第一の工程と、 前記マスクパターンの上部及び前記マスクパターンの無
い磁気抵抗効果膜露出部に縦バイアス膜もしくは電極膜
のいずれかを作製する第二の工程と、前記縦バイアス膜
もしくは前記電極膜の上部に、前記バイアス膜もしくは
前記電極膜のうち前記第二の工程で作製しなかった方の
膜を作製し、前記第二の工程で作製したよりも大きなパ
ターンを作製する第三の工程と、前記マスクパターンを
除去して、前記マスクパターン上部の縦バイアス膜及び
電極膜をリフトオフする第四の工程とを含むことを特徴
とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198177A JPH0863717A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198177A JPH0863717A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863717A true JPH0863717A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16386761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198177A Pending JPH0863717A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0863717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675715B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-03-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive head and fabricating method thereof, and read write separation type head |
| JP2013149681A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ホール素子 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198177A patent/JPH0863717A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675715B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-03-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive head and fabricating method thereof, and read write separation type head |
| JP2013149681A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ホール素子 |
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