JPH086069A - アクティブマトリクス基板、それを用いた液晶表示装置およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラス基板の切断後も配線や端子の浮きや剥
離を防止することができるアクティブマトリクス基板、
それを用いた液晶表示装置およびその製法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上にスイッチング素子がマトリ
クス状に形成され、該スイッチング素子に信号を供給す
る信号線が縦横に複数本設けられるとともに、該複数本
の信号線１４の端部がそれぞれ入力端子３を経て接続配
線４ａによりショートリング４に接続され、かつ、少な
くとも前記信号線の上層に絶縁膜５が設けられ、該ショ
ートリング部を除去するため該ショートリングと前記入
力端子とのあいだの接続配線に切断部Ｐを有するアクテ
ィブマトリクス基板であって、前記接続配線の切断部で
少なくともガラス基板の厚さ以上の範囲にわたって前記
接続配線上に絶縁膜が設けられない領域が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置などの平面
型表示装置用のアクティブマトリクス基板、それを用い
た液晶表示装置およびその製法に関する。さらに詳しく
は、ガラス基板から表示パネル部を切断する際に絶縁膜
にクラックが入り配線である金属膜の剥離が生じて信頼
性が低下するのを防止するアクティブマトリクス基板、
それを用いた液晶表示装置およびその製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置（以下、ＬＣＤという）
は、少なくとも透明電極が形成され、一定間隙を保持し
て周囲で貼着された２枚のガラス基板と、その間隙に注
入された液晶材料と、該２枚のガラス基板の外側にそれ
ぞれ設けられた偏光板と、バックライトなどとから構成
されている。なかでも各画素に薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴという）などのスイッチング素子が設けら
れ、走査信号とデータ信号により各画素を駆動するアク
ティブマトリクス型ＬＣＤは高視野角、高コントラスト
などの特徴を有し、ＡＶおよびＯＡ用のＬＣＤに広く用
いられている。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型ＬＣＤ
のＴＦＴや信号線が形成された一方のガラス基板である
アクティブマトリクス基板を等価回路的概略図で図４に
示す。図４において、１１はＴＦＴ、１２は画素電極、
１３は蓄積容量、１４はゲート配線（信号線）、１５は
ソース配線（信号線）である。各信号線１４、１５の端
部には入力端子３が設けられ、さらに各入力端子３は金
属膜などからなる接続配線４ａを介してショートリング
４に接続され、製造工程での静電気により各信号線間で
の静電放電などにより信号線やＴＦＴなどが破壊される
のを防止している。このアクティブマトリクス基板はも
う一方の少なくとも対向電極が設けられた対向基板と一
定間隙を保持してシール剤により貼着され、液晶材料の
注入後、図４のＰで示される切断部で切断し、ＬＣＤが
形成される。

【０００４】この入力端子３部の平面図および断面図を
図５〜６にそれぞれ示す。図５および図６において、ま
ず洗浄したガラス基板１にＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅
などの絶縁膜２をスパッタリング法などの方法で形成す
る。この絶縁膜２はガラス基板１の保護膜であり、また
この絶縁膜２は蓄積容量を形成する必要のあるときは蓄
積容量の誘電体として形成されるばあいもある。

【０００５】この絶縁膜２の上に、インジウムスズ酸化
物（以下、ＩＴＯという）などの透明導電膜をスパッタ
リング法などの方法で成膜し、これをフォトリソグラフ
ィ法などの方法でパターン形成し、画素電極を形成する
（図示せず）。このとき同時にＩＴＯ膜を用いて入力端
子３を形成する。

【０００６】つぎにＣｒ、Ｔａ、Ｔｉなどの金属膜をス
パッタリング法などの方法で成膜し、これをフォトリソ
グラフィ法などの方法でパターン形成し、ＴＦＴのゲー
ト電極（図示せず）およびゲート配線（信号線）１４
（図４参照）を形成する。このとき同時に入力端子３の
外側にショートリング４およびショートリング４と入力
端子３とを接続する接続配線４ａを同じ金属膜で形成す
る。このショートリング４はゲート配線（信号線）１４
間およびゲート配線とあとで形成するソース配線（信号
線）を電気的に短絡し、各信号線やＴＦＴが静電気の放
電などにより破壊されるのを防止するものである。した
がってこのショートリング４部分はＬＣＤが形成され最
終試験前には除去される。

【０００７】さらにＴＦＴのゲート絶縁膜、半導体層、
オーミックコンタクト層、ソース電極、ソース配線、ド
レイン電極および保護膜を形成する。ＴＦＴのゲート絶
縁膜が設けられる際に、ゲート配線１４上にも同時に絶
縁膜５として形成される。この絶縁膜５はＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ₂などからなり、ゲート配線１４を後工程で用いる薬
品などから保護するとともに、各配線間の電位差と付着
する水分による配線の電解腐蝕を防止する上で好ましい
ため、保護膜となる絶縁膜などとともにこのまま残さ
れ、外部駆動回路のリード端子との電気的接続のため、
入力端子３の上部のみの絶縁膜が除去される。この絶縁
膜５は、ショートリング４上にも形成され、ショートリ
ング４をアースに落とす必要があるばあいなどには部分
的に除去されるが、通常はパターンを複雑にしないた
め、図６に示されるように入力端子３の外側の接続配線
４ａおよびショートリング４の上部には残されている。
そののち配向膜（図示せず）などが設けられてアクティ
ブマトリクス基板（ＴＦＴアレイ基板）が完成する。

【０００８】前記基板とカラーフィルタや対向電極など
が設けられた対向基板とのあいだに液晶材料を挟持し
て、ゲート配線１４およびソース配線１５を短絡してい
るショートリング４と入力端子３間でガラス基板を切断
し、入力端子３に外部駆動回路をＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続し、ＬＣＤが
形成される。

【０００９】また異なる端子構造を有するＬＣＤとし
て、特開平２−１８００７６号公報に開示され、図８に
示されるように、ゲート配線（図示せず）やショートリ
ング４、接続配線４ａなどを絶縁膜を介さないでガラス
基板１に直接形成する構造のものが知られている。しか
し接続配線４ａの上部には前述の理由により絶縁膜５が
残されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前述のようにＬＣＤの
製造は、通常ＴＦＴや信号線が形成されたアクティブマ
トリクス基板で各信号線の端部側でショートリングによ
り各信号線をショートしておき静電気による信号線やＴ
ＦＴの破壊を防止し、組立後にガラス基板を切断してシ
ョートリングを除去している。しかし、この基板切断の
際、基板の面取りを行なうと、図７または図９に示され
るように基板上の絶縁膜２、５にクラックが入り、接続
配線がめくれ上がったり、入力端子部に浮きが生じて信
頼性が低下するという問題が生じる。

【００１１】さらにこのような浮きが生じていると、Ｔ
ＡＢ接続し、ＬＣＤの完成後、各種テストによりＴＡＢ
に不具合、たとえばＴＡＢ上のＩＣ不良などが判明して
ＴＡＢを交換する際、入力端子が基板からはがれるとい
う問題がある。

【００１２】この傾向は接続配線４ａの上下に絶縁膜が
ある図６〜７に示されるばあいに顕著であるが、上側だ
けの図８〜９に示されるばあいでも図９に示されるよう
に基板切断時にクラックが入ったり、めくれ上がったり
し、これが原因で入力端子が基板からはがれるという同
様の問題がある。

【００１３】一方、特開平２−１９８３９号公報第３図
にはガラス基板の切断部に絶縁膜のない図が示されてい
るが、これはショートリングと入力端子とのあいだにキ
ャパシタを入れることを説明するための図で、キャパシ
タのための絶縁膜以外の絶縁膜は記載されておらず、絶
縁膜を設けるべき場所と設けてはならない場所の関係に
ついては一切言及されていない。

【００１４】本発明は前記の問題を解決するためになさ
れたもので、ガラス基板の切断後も配線や端子の浮きや
剥離を防止することができるアクティブマトリクス基
板、それを用いた液晶表示装置およびその製法を提供す
ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、ガラス基板上にスイッチング素子がマト
リクス状に形成され、該スイッチング素子に信号を供給
する信号線が縦横に複数本設けられるとともに、該複数
本の信号線の端部がそれぞれ入力端子を経て接続配線に
よりショートリングに接続され、かつ、少なくとも前記
信号線の上層に絶縁膜が設けられ、該ショートリング部
を除去するため該ショートリングと前記入力端子とのあ
いだの接続配線に切断部を有するアクティブマトリクス
基板であって、前記接続配線の切断部で少なくともガラ
ス基板の厚さ以上の範囲にわたって前記接続配線上に絶
縁膜が設けられない領域が形成されている。

【００１６】少なくとも前記入力端子の下層で前記ガラ
ス基板とのあいだに絶縁膜が設けられ、かつ、前記接続
配線の切断部で少なくともガラス基板の厚さ以上の範囲
にわたって前記接続配線の下層に絶縁膜が設けられない
領域が形成されていることが、ガラス基板の表面を保護
して金属膜の接着を確実とし、信頼性が一層向上するた
め好ましい。

【００１７】前記信号線および接続配線が金属膜からな
り、前記入力端子が導電性酸化膜からなることが、信号
線の電気抵抗を低下させるとともに、入力端子に導電性
酸化膜を使用することにより、外部の駆動回路基板のリ
ード端子と接続する際酸化が進むことがなく、確実に接
続することができるため好ましい。

【００１８】本発明の液晶表示装置は、ガラス基板上に
少なくとも薄膜トランジスタがマトリクス状に設けられ
るとともに該薄膜トランジスタに信号を供給する信号線
が複数本縦横に設けられたＴＦＴ基板と、少なくとも対
向電極が設けられた対向基板とのあいだに液晶材料が挟
持されてなる液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の
信号線の端部には入力端子が設けられるとともに該入力
端子から前記ＴＦＴ基板の端縁まで配線が設けられ、か
つ、少なくとも前記信号線上に絶縁膜が設けられるとと
もに少なくとも前記ＴＦＴ基板の前記端縁での配線上に
は絶縁膜が設けられない領域が形成されている。

【００１９】また本発明の液晶表示装置の製法は、薄膜
トランジスタおよび信号線が形成され該信号線の端部が
入力端子を経て接続配線によりショートリングに接続さ
れた一方のガラス基板と、少なくとも対向電極が設けら
れた他方のガラス基板と貼着したのちにガラス基板を切
断してショートリングを除去する液晶表示装置の製法で
あって、前記信号線の少なくとも上層に絶縁膜を形成
し、かつ、前記ショートリングと入力端子とのあいだの
接続配線の少なくともガラス基板の厚さ以上の領域には
前記接続配線の上層および下層に絶縁膜を設けないで、
該絶縁膜が設けられていない部分で前記ガラス基板を切
断しショートリングを除去することを特徴とする。

【００２０】

【作用】本発明のアクティブマトリクス基板によれば、
各信号線の端部が入力端子を経て接続配線によりショー
トリングと接続され、各信号線は少なくとも絶縁膜で覆
われ、前記ショートリングを除去するためのガラス基板
の切断部には少なくともガラス基板の厚さ以上の長さの
領域にわたって絶縁膜が設けられていないため、ガラス
基板の切断の際に絶縁膜のクラックに基づく接続配線や
入力端子部の浮きや剥離が生じない。

【００２１】すなわち絶縁膜はガラス的な性質を有する
ため、ガラス基板の切断の際にクラックが入り易いが、
本発明によればガラス基板の切断部には絶縁膜が形成さ
れていないため、絶縁膜のクラックに基づく配線の浮き
や剥離が生じない。しかも絶縁膜が設けられない範囲を
ガラス基板の厚さ以上の長さにしているため、ガラス切
断が斜め、たとえば３０°の方向に進んでも絶縁膜部分
に破断部が進むことはない。

【００２２】また本発明のＬＣＤによれば、ＴＦＴ基板
端部である切断部には絶縁膜が設けられていないため、
配線や入力端子の浮きがなく、ＴＡＢを接続したのち剥
離しても入力端子が剥離することがない。

【００２３】さらに本発明のＬＣＤの製法によれば、ガ
ラス基板の切断部に絶縁膜を設けない領域を形成し、そ
の領域内で切断するため、確実に絶縁膜にクラックを生
じさせることなくガラス基板を切断することができる。

【００２４】

【実施例】つぎに本発明のアクティブマトリクス基板、
それを用いたＬＣＤおよびその製法について説明する。

【００２５】ＬＣＤは前述のように、２枚の透明絶縁基
板が一定間隙を保持して周囲でシール剤などにより貼着
され、その間隙に液晶材料が注入されることにより、該
液晶材料が２枚の基板により挟持された構造となり、そ
の両側にたとえば偏光板が設けられたり、さらにバック
ライトや駆動回路などが設けられることにより形成され
る。

【００２６】前記２枚の基板の一方は、ガラス基板上に
各画素ごとにＴＦＴおよび画素電極が少なくとも設けら
れ、その他配向膜や必要に応じて蓄積容量などが設けら
れるとともに、各画素間にはゲート配線やソース配線な
どの信号線が設けられ、ＴＦＴアレイ基板（本明細書で
は、ガラス基板が切断されＬＣＤになった状態のものを
ＴＦＴアレイ基板といい、ショートリングと連結されて
いる状態の基板をアクティブマトリクス基板という）と
されている。このＴＦＴアレイ基板は、製造工程の途中
までは前述の図４に示されるように信号線の端部がショ
ートリングにより連結されたアクティブマトリクス基板
となっている。本発明ではこのアクティブマトリクス基
板でショートリングを除去するため、ガラス基板の切断
部の積層膜構造を改良したもので、その切断部の構造に
ついて以下の具体的実施例により詳細に説明する。

【００２７】また、他方の基板は、前記ＴＦＴアレイ基
板の各画素電極に対向する透明電極が形成された対向基
板で、たとえば前記ＴＦＴアレイ基板と同様のガラス基
板などであればよく、また前記透明電極は、とくに限定
されないが、ＴＦＴアレイ基板と同様に、たとえばＩＴ
Ｏ、酸化スズ、酸化インジウムなどが用いられ、スパッ
タリングとパターニングなどにより設けられる。

【００２８】対向基板には、前記透明電極のほかにも、
たとえば通常の配向膜や、画素間を遮光するためのブラ
ックマスク、またカラー液晶のばあいには、カラーフィ
ルタなどが設けられる。かかるカラーフィルタにはとく
に限定がなく、通常用いられる赤、緑、青の３原色のカ
ラーフィルタや単色のカラーフィルタなどを用いること
ができる。

【００２９】本発明のＬＣＤに用いられる液晶材料には
とくに限定がなく、たとえばシアノ系のネマティック液
晶やフッ素系のネマティック液晶などの通常のＬＣＤに
用いられる液晶材料を用いることができる。

【００３０】本発明のアクティブマトリクス基板および
ＬＣＤは、前述のガラス基板切断部分においてショート
リングと入力端子とを接続する接続配線の切断部に絶縁
部が設けられず、他の信号線上には信号線保護のための
絶縁膜が設けられた構造であることに特徴がある。その
結果、基板切断時に絶縁膜を傷つけることがないため、
絶縁膜にクラックが入り、配線や入力端子がめくれ上が
り、浮きが生じたり剥離が生じることがない。したがっ
てＴＡＢ交換のために入力端子からＴＡＢをはがして
も、絶縁膜や入力端子がはがれるといった問題を防止で
きる。

【００３１】本発明のアクティブマトリクス基板はＬＣ
Ｄに用いるのにとくに効果的であるが、ＬＣＤ以外にも
エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ（ＥＬ
Ｄ）、エレクトロ・クロミック・ディスプレイ（ＥＣ
Ｄ）などの平面型表示装置にも用いられる。

【００３２】つぎに、本発明のアクティブマトリクス基
板の入力端子部および切断部の構造について、図面を参
照しながら説明する。

【００３３】［実施例１］図１は本発明のアクティブマ
トリクス基板の一実施例の入力端子およびショートリン
グ部の部分平面説明図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断
面説明図である。

【００３４】図１〜２において、まず洗浄したガラス基
板１にＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅などの絶縁膜２を積
層する。ガラス基板１の厚さは通常０．５〜２．０ｍｍ
程度である。

【００３５】この絶縁膜２は、ガラス基板１の保護膜
で、３００〜１０００ｎｍ程度の厚さに形成される。こ
の絶縁膜２はまた、蓄積容量の誘電体と同時に形成され
るばあいもある。本発明では、この絶縁膜２が、基板切
断時に絶縁膜２も切断されて絶縁膜２にクラックなどが
入らないようにするため、切断部Ｐから少なくともガラ
ス基板１の厚さ以上の長さ、すなわち約１ｍｍ以上、さ
らに好ましくはガラス基板１の厚さの２倍以上の長さ、
すなわち約２ｍｍ以上内側に絶縁膜２の端部２ａが形成
されるようにパターン形成されている。

【００３６】つぎにＴＦＴアレイを形成する。まず最初
に、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウムなどからなる透
明導電膜をたとえばスパッタリング法などの方法で成膜
し、これをたとえばフォトリソグラフィ技術などの方法
でパターン形成し、信号線の入力端子３および画素電極
（図示せず）を形成する。

【００３７】入力端子３に透明導電膜を用いるのは、Ｔ
ＡＢ接続するまでの工程で最高３００℃に加熱して処理
されるため、金属膜では酸化し易く、酸化すると接続が
不充分で信頼性が低下するのに対し、透明導電膜を用い
ればもともと酸化物であるため、さらに酸化が進んで絶
縁性になることがないからである。

【００３８】かかる透明導電膜の膜厚は、通常５０〜２
００ｎｍ程度であることが好ましいが、ＬＣＤとして要
求される輝度をうるためには、８０〜１５０ｎｍ程度と
なるように調整することが好ましい。

【００３９】つぎにガラス基板上の全面に、たとえばＣ
ｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏなどの金属膜を膜厚が１００〜５
００ｎｍ程度となるように、たとえばスパッタリング法
などの方法によって成膜し、これをたとえば露光、現像
によりマスクを形成し、エッチングをするフォトリソグ
ラフィ技術などの方法によってパターン形成してＴＦＴ
のゲート電極（図示せず）および該ゲート電極と接続さ
れたゲート配線（信号線）１４を設ける。このとき同時
に入力端子３の外側にショートリング４および接続配線
４ａを形成し、ゲート配線１４および接続配線４ａが入
力端子３の端部と電気的にコンタクトするようにパター
ニングする。このショートリング４は各画素間に形成さ
れるゲート配線（信号線）１４とあとで各画素間に形成
されるソース配線（信号線）それぞれの相互間およびゲ
ート配線とソース配線間を電気的に短絡し、信号線およ
びＴＦＴが静電気などにより破壊されるのを防止するた
めのものである。

【００４０】さらに、たとえばプラズマＣＶＤ法などに
より、図示しないＴＦＴ部のゲート絶縁膜、半導体層お
よびオーミックコンタクト層、ソース電極およびソース
配線、保護膜を成膜する。

【００４１】前記ゲート絶縁膜の形成と同時にゲート配
線１４上および接続配線４ａの一部上に絶縁膜５として
残存するようにパターニングする。絶縁膜５は、たとえ
ばＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅などからなるものである
ことが好ましく、またかかる絶縁膜５の膜厚は、充分な
絶縁性およびＴＦＴのゲート絶縁膜としての特性をうる
ことができるという点から２００〜１０００ｎｍ程度で
あることが好ましい。

【００４２】このゲート配線１４上の絶縁膜５は電解腐
蝕などを防止するのに効果的である。すなわち、複数本
のゲート配線などの信号線は各信号線ごとに電位が異な
り、表面に水分が付着すると電位差に基づく電気分解が
起り、信号線などの金属膜が腐蝕される。しかし、絶縁
膜で覆われていることにより、そのような電解腐食は防
止される。同様に接続配線４ａと入力端子３との接続部
にも水分などが侵入し易いが、絶縁膜５で接続部が覆わ
れることにより、水分の侵入を防止することができるた
め好ましい。

【００４３】一方、前述のように、ショートリング４を
除去するためのガラス基板１の切断部Ｐに絶縁膜が形成
されているとガラス基板１の切断時にクラックが入り、
そのクラックの影響により入力端子３の浮きや剥離の原
因となり易い。そこで前述の絶縁膜２のばあいと同様に
切断部Ｐで少なくともガラス基板１の厚さと同じ長さの
領域、さらに好ましくは、ガラス基板１の厚さの２倍以
上の長さの領域には絶縁膜が残らないようにすることに
本発明の特徴がある。

【００４４】ここで切断部Ｐに絶縁膜を設けない領域の
長さがガラス基板１の厚さと同じ、さらに好ましくは２
倍以上とする根拠について説明する。図２（ｂ）に基板
１の切断時におけるガラス基板１の割れ方を模式的に示
す。ガラス基板１を切断するばあい、通常スクライブ
し、ブレイクする方法が用いられる。すなわち、図２
（ｂ）に示されるように、ガラス基板１の裏面側に切断
線に沿ってスクライブ溝１６を形成し、衝撃を与えるこ
とによりスクライブ溝１６から割れ目Ｑが入り破断され
る。この割れ目Ｑの方向はスクライブ溝１６の形成状況
やガラス基板１の状態によって変わるが、通常は図２
（ｂ）に示される角度θが±３０°以下程度である。し
たがってスクライブ溝を中心にして左右の領域の長さｍ
はガラス基板１の厚さｔの約１／２の範囲に収まること
になり、絶縁膜のない範囲２ｍとしては最低限ガラス基
板１の厚さｔと同じ２ｍ＝ｔの長さ必要となる。しかし
割れの方向θは４５°程度のばあいもありえ、４５°に
なるとｍ＝ｔであるため、またアライメントずれもある
ため、絶縁膜のない範囲としては、２ｍ＝２ｔでガラス
基板１の厚さｔの２倍程度以上あることがさらに好まし
い。

【００４５】つぎに通常のＴＦＴの製造プロセスにより
半導体層、コンタクト層、ソース／ドレイン電極および
ソース配線を形成し、保護膜をその上に形成する。ソー
ス配線（信号線）も前述のゲート配線と同様に金属膜で
形成し、ゲート配線用の入力端子３と同時に形成してお
いたソース配線用の入力端子と接続するとともに接続配
線により入力端子と前述のショートリングとが接続され
るように形成する。この接続配線を形成する際にも切断
部で少なくともガラス基板の厚さの領域では絶縁膜が存
在しないように、また入力端子部上にも絶縁膜が残存し
ないように、あらかじめパターニングしておく。さらに
ソース配線形成後に成膜する保護膜についても、同様に
切断部の少なくともガラス基板の厚さ、さらに好ましく
はガラス基板の厚さの２倍以上の長さの領域には絶縁膜
が存在しないようにパターニングする。また最後の保護
膜も前述の絶縁膜と同じＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅な
どを使用することができ、厚さも同様に３００〜１００
０ｎｍ程度設ければ充分である。

【００４６】このアクティブマトリクス基板と対向電極
が形成された対向基板とを向い合わせ貼着し、ショート
リング部を切断除去する。この際絶縁膜が除去された領
域で切断することにより、絶縁膜のない部分の領域が少
なくともガラス基板の厚さ以上に形成されているため、
たとえ破断部が斜めに走ってもＬＣＤのＴＦＴアレイ基
板端縁の配線部には絶縁膜が存在しない。したがって切
断部の面取りが行われても入力端子部の浮きや剥れは生
じないで信頼性が高いＬＣＤがえられる。この入力端子
に外部駆動回路（図示せず）のリード端子をＴＡＢなど
により接続することにより、ＬＣＤが完成する。

【００４７】［実施例２］本発明のアクティブマトリク
ス基板の他の端子構造について図３に基づいて説明す
る。図３は図２と同様の入力端子３およびショートリン
グ４部の断面説明図である。なお、図３において、図２
と同じ部分には同じ符号を付している。

【００４８】本実施例は実施例１の絶縁膜２が形成され
ないで、ゲート配線（信号線）１４、接続配線４ａ、シ
ョートリング４、入力端子３が直接ガラス基板１に設け
られていること、入力端子３が図示しない画素電極とと
もに、ゲート配線１４、接続配線４ａ、ショートリング
４および図示しないゲート電極よりあとに形成されてい
ることにおいて異なるのみである。したがって、実施例
１の絶縁膜２を設けないで直接ゲート配線１４やショー
トリング４用の金属膜を成膜してパターニングし、つい
で図示しない画素電極や入力端子３用のＩＴＯなどの透
明導電膜を成膜してパターニングし、実施例１と同様に
製造することにより、ゲート配線１４の上層および接続
配線４ａと入力端子３の接続部上に絶縁膜５が設けら
れ、切断部Ｐの少なくともガラス基板の厚さに相当する
長さ以上の領域には絶縁膜が設けられていない点につい
ては実施例１と全く同様である。

【００４９】本実施例においても信号線の表面は絶縁膜
で覆われて電解腐蝕などを防止するとともに、切断部に
は絶縁膜が設けられていないため、ガラス基板の切断の
際にも絶縁膜にクラックが入らず、配線や入力端子の剥
れを防止でき、信頼性が大幅に向上する。

【００５０】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板によ
れば、信号線の少なくとも上部は絶縁膜で覆われて腐蝕
などに対し保護されるとともに、ショートリングを切断
除去する際の切断部には絶縁膜を設けていないので、切
断部のクラックに起因する配線や入力端子の浮きや剥離
が発生しない。

【００５１】その結果、本発明のアクティブマトリクス
基板を用いたＬＣＤはＴＦＴ基板端部の切断部の面取り
が行われても入力端子の浮きや剥離なども生じなく信頼
性が高くなるとともに、外部の駆動回路基板などを入力
端子にＴＡＢなどにより接続したのちＩＣなどの不良が
発生してＴＡＢの取り替えを行っても入力端子が剥離す
ることはない。したがって歩留りが向上するとともに、
修復作業も容易にすることができる。

【００５２】さらに本発明のＬＣＤの製法によれば、ガ
ラス基板の切断を絶縁膜が設けられていない場所で切断
しているため、切断に伴う絶縁膜のクラックや切断後の
面取り研磨によってもクラックなどが入らず、信頼性の
高いＬＣＤがえられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のアクティブマトリクス基板の一実施
例の入力端子とショートリング部の部分平面説明図であ
る。

【図２】 図１のＡ−Ａ線における断面説明図である。

【図３】 本発明のアクティブマトリクス基板の他の実
施例の入力端子とショートリング部の断面説明図であ
る。

【図４】 ＬＣＤに用いられるアクティブマトリクス基
板の等価回路的概略図である。

【図５】 従来のＬＣＤに用いられるアクティブマトリ
クス基板の入力端子部の部分平面説明図である。

【図６】 図５のＢ−Ｂ線における断面説明図である。

【図７】 図６の基板切断後の不良状態を示す断面説明
図である。

【図８】 従来のＬＣＤに用いられるアクティブマトリ
クス基板のさらに他の入力端子部の部分断面説明図であ
る。

【図９】 図８の基板切断後の不良状態を示す断面説明
図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板、２ 絶縁膜、３ 入力端子、４ ショ
ートリング、４ａ 接続配線、５ 絶縁膜、１４ ゲー
ト配線（信号線）、Ｐ 切断部。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上にスイッチング素子がマト
   リクス状に形成され、該スイッチング素子に信号を供給
   する信号線が縦横に複数本設けられるとともに、該複数
   本の信号線の端部がそれぞれ入力端子を経て接続配線に
   よりショートリングに接続され、かつ、少なくとも前記
   信号線の上層に絶縁膜が設けられ、該ショートリング部
   を除去するため該ショートリングと前記入力端子とのあ
   いだの接続配線に切断部を有するアクティブマトリクス
   基板であって、前記接続配線の切断部で少なくともガラ
   ス基板の厚さ以上の範囲にわたって前記接続配線上に絶
   縁膜が設けられない領域が形成されてなるアクティブマ
   トリクス基板。
2. 【請求項２】 少なくとも前記入力端子の下層で前記ガ
   ラス基板とのあいだに絶縁膜が設けられ、かつ、前記接
   続配線の切断部で少なくともガラス基板の厚さ以上の範
   囲にわたって前記接続配線の下層に絶縁膜が設けられな
   い領域が形成されてなる請求項１記載のアクティブマト
   リクス基板。
3. 【請求項３】 前記信号線および接続配線が金属膜から
   なり、前記入力端子が導電性酸化膜からなる請求項１ま
   たは２記載のアクティブマトリクス基板。
4. 【請求項４】 ガラス基板上に少なくとも薄膜トランジ
   スタがマトリクス状に設けられるとともに該薄膜トラン
   ジスタに信号を供給する信号線が複数本縦横に設けられ
   たＴＦＴ基板と、少なくとも対向電極が設けられた対向
   基板とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装
   置であって、前記ＴＦＴ基板の信号線の端部には入力端
   子が設けられるとともに該入力端子から前記ＴＦＴ基板
   の端縁まで配線が設けられ、かつ、少なくとも前記信号
   線上に絶縁膜が設けられるとともに少なくとも前記ＴＦ
   Ｔ基板の前記端縁での配線上には絶縁膜が設けられない
   領域が形成されてなる液晶表示装置。
5. 【請求項５】 薄膜トランジスタおよび信号線が形成さ
   れ該信号線の端部が入力端子を経て接続配線によりショ
   ートリングに接続された一方のガラス基板と、少なくと
   も対向電極が設けられた他方のガラス基板と貼着したの
   ちにガラス基板を切断してショートリングを除去する液
   晶表示装置の製法であって、前記信号線の少なくとも上
   層に絶縁膜を形成し、かつ、前記ショートリングと入力
   端子とのあいだの接続配線の少なくともガラス基板の厚
   さ以上の領域には前記接続配線の上層および下層に絶縁
   膜を設けないで、該絶縁膜が設けられていない部分で前
   記ガラス基板を切断しショートリングを除去することを
   特徴とする液晶表示装置の製法。