JPH0860354A - スパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
スパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0860354A JPH0860354A JP19956394A JP19956394A JPH0860354A JP H0860354 A JPH0860354 A JP H0860354A JP 19956394 A JP19956394 A JP 19956394A JP 19956394 A JP19956394 A JP 19956394A JP H0860354 A JPH0860354 A JP H0860354A
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- substrate
- sputtering apparatus
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- sputtering
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エラーの少ない磁気ディスクを効率良く生産
するスパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法
を提供する。 【構成】 バッキングプレート、ターゲット材、アース
シールド及び/又はチムニー、基板及びこれらを収容す
る真空室から主として構成され、ターゲット材と基板と
の間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成するスパッ
タリング装置および該装置を用いた磁気ディスクの製造
方法において、少くともアースシールド及び/又はチム
ニーの表面でターゲット材に面する部分の表面平均粗さ
(Ra)が5μm以上に成されていることを特徴とす
る。
するスパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法
を提供する。 【構成】 バッキングプレート、ターゲット材、アース
シールド及び/又はチムニー、基板及びこれらを収容す
る真空室から主として構成され、ターゲット材と基板と
の間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成するスパッ
タリング装置および該装置を用いた磁気ディスクの製造
方法において、少くともアースシールド及び/又はチム
ニーの表面でターゲット材に面する部分の表面平均粗さ
(Ra)が5μm以上に成されていることを特徴とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置お
よび磁気ディスクの製造方法に関するものであり、詳し
くは、欠陥(エラー)の発生を軽減して生産性を高めた
スパッタリング装置および当該装置を使用した高品質の
磁気ディスクの製造方法に関するものである。
よび磁気ディスクの製造方法に関するものであり、詳し
くは、欠陥(エラー)の発生を軽減して生産性を高めた
スパッタリング装置および当該装置を使用した高品質の
磁気ディスクの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】スパッタリング装置は、バッキングプレ
ート、その上面に装置されたターゲット材、ターゲット
材の上方に配置された基板、これらを収容する真空室か
ら主として構成され、ターゲット材と基板との間に電圧
を印加して基板表面に薄膜を形成する装置である。すな
わち、真空室内を低圧のAr雰囲気とし、ターゲット材
と基板との間に電圧を印加した場合、ターゲット材の表
面から電子が飛び出し、これによりArガスがイオン化
されてターゲット材に衝突し、その結果、ターゲット物
質がスパッタリングされて基板の表面に薄膜が形成され
る。従って、スパッタリング装置は、例えば、磁気ディ
スクの製造方法に使用される。
ート、その上面に装置されたターゲット材、ターゲット
材の上方に配置された基板、これらを収容する真空室か
ら主として構成され、ターゲット材と基板との間に電圧
を印加して基板表面に薄膜を形成する装置である。すな
わち、真空室内を低圧のAr雰囲気とし、ターゲット材
と基板との間に電圧を印加した場合、ターゲット材の表
面から電子が飛び出し、これによりArガスがイオン化
されてターゲット材に衝突し、その結果、ターゲット物
質がスパッタリングされて基板の表面に薄膜が形成され
る。従って、スパッタリング装置は、例えば、磁気ディ
スクの製造方法に使用される。
【0003】特に、バッキングプレートの下部にマグネ
トロンカソードを配置したマグネトロンスパッタリング
装置は、スパッタリング効率が高いため、磁気ディスク
の製造方法に好適に使用される。すなわち、マグネトロ
ンカソードは、内側磁極と、これを取り囲んで配置され
た外側磁極とから成り、これらの両磁極にて生成される
漏洩磁場により、電子の捕捉効率が向上してArのイオ
ン化が促進されるため、内側磁極から外側磁極の近傍の
両極上に位置する様に配置されたターゲット材のスパッ
タリング効率が高められる。
トロンカソードを配置したマグネトロンスパッタリング
装置は、スパッタリング効率が高いため、磁気ディスク
の製造方法に好適に使用される。すなわち、マグネトロ
ンカソードは、内側磁極と、これを取り囲んで配置され
た外側磁極とから成り、これらの両磁極にて生成される
漏洩磁場により、電子の捕捉効率が向上してArのイオ
ン化が促進されるため、内側磁極から外側磁極の近傍の
両極上に位置する様に配置されたターゲット材のスパッ
タリング効率が高められる。
【0004】そして、何れのスパッタリング装置におい
ても、ターゲット材の近傍には、通常、イオン衝撃を制
御してターゲット材のみがスパッタリングされる様にす
るため、アースシールドが配置されている。また、アー
スシールドの上方には、ターケット材の拡散防止のため
に、チムニーが配置されることもある。
ても、ターゲット材の近傍には、通常、イオン衝撃を制
御してターゲット材のみがスパッタリングされる様にす
るため、アースシールドが配置されている。また、アー
スシールドの上方には、ターケット材の拡散防止のため
に、チムニーが配置されることもある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このチムニ
ーとアースシールドの表面は、スパッタリング時間の経
過と共に不可避的にターゲット材の金属膜が形成され
る。斯かる現象は、特に、マグネトロンスパッタリング
装置において顕著であり、同装置においてコバルト系合
金及びカーボンより成るターゲット材を使用した場合は
一層顕著である。
ーとアースシールドの表面は、スパッタリング時間の経
過と共に不可避的にターゲット材の金属膜が形成され
る。斯かる現象は、特に、マグネトロンスパッタリング
装置において顕著であり、同装置においてコバルト系合
金及びカーボンより成るターゲット材を使用した場合は
一層顕著である。
【0006】ところが、バッキングプレートには、冷却
手段が備えられているが、チムニーとアースシールドの
表面温度は、加熱室で例えば200℃程度の高温に加熱
して真空室に搬入される基板からの輻射熱により、高温
度となる。従って、上記の不可避的に形成された金属膜
は、スパッタリング装置の停止時を含めると激しい温度
変化を受けることになり、その結果、チムニー又はアー
スシールド等の母材との熱膨張率の差異に基づき、上記
の金属膜に亀裂が生じ、表面に形成された金属膜が剥離
して微細粒子となり、一部がターゲット材と一緒に基板
に付着し、磁気ディスクの欠陥(エラー)の原因とな
る。
手段が備えられているが、チムニーとアースシールドの
表面温度は、加熱室で例えば200℃程度の高温に加熱
して真空室に搬入される基板からの輻射熱により、高温
度となる。従って、上記の不可避的に形成された金属膜
は、スパッタリング装置の停止時を含めると激しい温度
変化を受けることになり、その結果、チムニー又はアー
スシールド等の母材との熱膨張率の差異に基づき、上記
の金属膜に亀裂が生じ、表面に形成された金属膜が剥離
して微細粒子となり、一部がターゲット材と一緒に基板
に付着し、磁気ディスクの欠陥(エラー)の原因とな
る。
【0007】本発明は、斯かる実情に鑑みなされたもの
であり、その目的は、エラーの少ない磁気ディスクを効
率良く生産するスパッタリング装置および当該装置を使
用した工業的有利な磁気ディスクの製造方法を提供する
ことにある。
であり、その目的は、エラーの少ない磁気ディスクを効
率良く生産するスパッタリング装置および当該装置を使
用した工業的有利な磁気ディスクの製造方法を提供する
ことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第1
の要旨は、バッキングプレート、その上面に配置された
ターゲット材、ターゲット材の近傍に配置されたアース
シールド、ターゲット材の上方に配置された基板、これ
らを収容する真空室から主として構成され、ターゲット
材と基板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成
するスパッタリング装置において、少くともアースシー
ルドがターゲット材に面する部分の表面平均粗さ(R
a)が5μm以上に成されていることを特徴とするスパ
ッタリング装置、に存する。
の要旨は、バッキングプレート、その上面に配置された
ターゲット材、ターゲット材の近傍に配置されたアース
シールド、ターゲット材の上方に配置された基板、これ
らを収容する真空室から主として構成され、ターゲット
材と基板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成
するスパッタリング装置において、少くともアースシー
ルドがターゲット材に面する部分の表面平均粗さ(R
a)が5μm以上に成されていることを特徴とするスパ
ッタリング装置、に存する。
【0009】そして、本発明の第2の要旨は、バッキン
グプレート、その上面に配置されたターゲット材、ター
ゲット材の近傍に配置されたチムニー及びアースシール
ド、ターゲット材の上方に配置された基板、これらを収
容する真空室から主として構成され、ターゲット材と基
板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成するス
パッタリング装置において、少くとも、チムニーの表面
でターゲット材に面する部分の表面平均粗さ(Ra)が
5μm以上に成されていることを特徴とするスパッタリ
ング装置、に存する。
グプレート、その上面に配置されたターゲット材、ター
ゲット材の近傍に配置されたチムニー及びアースシール
ド、ターゲット材の上方に配置された基板、これらを収
容する真空室から主として構成され、ターゲット材と基
板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成するス
パッタリング装置において、少くとも、チムニーの表面
でターゲット材に面する部分の表面平均粗さ(Ra)が
5μm以上に成されていることを特徴とするスパッタリ
ング装置、に存する。
【0010】更に、本発明の第3の要旨は、基板上に、
順次、下地層、磁性層、保護層を形成して磁気ディスク
を製造するに当たり、少なくとも磁性層及び保護層を形
成する際、上記のスパッタリング装置を使用することを
特徴とする磁気ディスクの製造方法、に存する。
順次、下地層、磁性層、保護層を形成して磁気ディスク
を製造するに当たり、少なくとも磁性層及び保護層を形
成する際、上記のスパッタリング装置を使用することを
特徴とする磁気ディスクの製造方法、に存する。
【0011】以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に
説明する。図1は、本発明のスパッタリング装置の一例
の要部の説明図、図2は、本発明のスパッタリング装置
の一例の他の要部の説明図、図3は、本発明のスパッタ
リング装置の一例の部分説明図である。
説明する。図1は、本発明のスパッタリング装置の一例
の要部の説明図、図2は、本発明のスパッタリング装置
の一例の他の要部の説明図、図3は、本発明のスパッタ
リング装置の一例の部分説明図である。
【0012】先ず、スパッタリング装置について説明す
る。本発明のスパッタリング装置の基本的構成は、従来
公知のスパッタリング装置と同一であり、バッキングプ
レート1、その上面に配置されたターゲット2、ターゲ
ット2の近傍に配置されたチムニー3、アースシールド
4、ターゲット材2の上方に配置された基板5、これら
を収容する真空室6から主として構成される。そして、
ターゲット材2と基板5との間に適宜の手段にて電圧が
印加される。
る。本発明のスパッタリング装置の基本的構成は、従来
公知のスパッタリング装置と同一であり、バッキングプ
レート1、その上面に配置されたターゲット2、ターゲ
ット2の近傍に配置されたチムニー3、アースシールド
4、ターゲット材2の上方に配置された基板5、これら
を収容する真空室6から主として構成される。そして、
ターゲット材2と基板5との間に適宜の手段にて電圧が
印加される。
【0013】バッキングプレート1は、通常、銅にて構
成され、例えば、内部に冷却水を通す等の手段によって
冷却される。また、チムニー3及びアースシールド4
は、通常、ステンレス等で構成される。
成され、例えば、内部に冷却水を通す等の手段によって
冷却される。また、チムニー3及びアースシールド4
は、通常、ステンレス等で構成される。
【0014】図示したスパッタリング装置は、バッキン
グプレート1の下部にマグネットロンカソードを配置し
て成るマグネットロンスパッタリング装置である。マグ
ネットロンカソードは、内側磁極7と、これを取り囲ん
で配置された外側磁極8とから成る。内側磁極7と外側
磁極8の底部は、通常、軟銅などの軟磁性体から成る磁
気ヨーク9で結合されている。
グプレート1の下部にマグネットロンカソードを配置し
て成るマグネットロンスパッタリング装置である。マグ
ネットロンカソードは、内側磁極7と、これを取り囲ん
で配置された外側磁極8とから成る。内側磁極7と外側
磁極8の底部は、通常、軟銅などの軟磁性体から成る磁
気ヨーク9で結合されている。
【0015】本発明のスパッタリング装置の特徴は、少
くとも、アースシールド又はチムニーの表面でターゲッ
ト材に面する部分(以下領域3,領域4と称す)の表面
平均粗さ(Ra)が5μm以上に成されている点にある
が、アースシールドとチムニーの両方の領域について、
表面平均粗さ(Ra)を5μm以上とすることが好まし
い。領域3及び/又は領域4の表面平均粗さ(Ra)
は、好ましくは5〜80μm、更に好ましくは5〜30
μmである。本発明において、アースシールド及び/又
はチムニーの表面でターゲット材に面する部分とは、ア
ースシールド及び/又はチムニーの表面で、ターゲット
材の金属膜が主体的に形成される部分を示す。また、ア
ースシールド及び/又はチムニーの全表面について、表
面平均粗さ(Ra)が5μm以上となるようにしてもよ
い。斯かる表面粗さを有する領域3及び/又は領域4
は、例えば、表面ブラスト処理により表面を粗面化する
方法、粗面化した金属板を貼り合わせる方法などによっ
て容易に実現することが出来る。
くとも、アースシールド又はチムニーの表面でターゲッ
ト材に面する部分(以下領域3,領域4と称す)の表面
平均粗さ(Ra)が5μm以上に成されている点にある
が、アースシールドとチムニーの両方の領域について、
表面平均粗さ(Ra)を5μm以上とすることが好まし
い。領域3及び/又は領域4の表面平均粗さ(Ra)
は、好ましくは5〜80μm、更に好ましくは5〜30
μmである。本発明において、アースシールド及び/又
はチムニーの表面でターゲット材に面する部分とは、ア
ースシールド及び/又はチムニーの表面で、ターゲット
材の金属膜が主体的に形成される部分を示す。また、ア
ースシールド及び/又はチムニーの全表面について、表
面平均粗さ(Ra)が5μm以上となるようにしてもよ
い。斯かる表面粗さを有する領域3及び/又は領域4
は、例えば、表面ブラスト処理により表面を粗面化する
方法、粗面化した金属板を貼り合わせる方法などによっ
て容易に実現することが出来る。
【0016】領域3及び/又は領域4の表面平均粗さ
(Ra)が5μm以上に成されていることにより、スパ
ッタリング時間の経過と共に領域3及び/又は領域4の
表面に不可避的に形成されるターゲット材2の金属膜が
強固に付着する。その結果、アースシールドやチムニー
等の母体との膨張率の差異に基づき上記の金属膜に亀裂
が生じることに起因する金属膜の剥離が防止されて磁気
ディスクの欠陥(エラー)の発生が抑止される。領域3
及び/又は領域4の表面平均粗さ(Ra)が5μm未満
では、金属膜の剥離防止効果が充分ではない。
(Ra)が5μm以上に成されていることにより、スパ
ッタリング時間の経過と共に領域3及び/又は領域4の
表面に不可避的に形成されるターゲット材2の金属膜が
強固に付着する。その結果、アースシールドやチムニー
等の母体との膨張率の差異に基づき上記の金属膜に亀裂
が生じることに起因する金属膜の剥離が防止されて磁気
ディスクの欠陥(エラー)の発生が抑止される。領域3
及び/又は領域4の表面平均粗さ(Ra)が5μm未満
では、金属膜の剥離防止効果が充分ではない。
【0017】次に、磁気ディスクの製造方法について説
明する。本発明の磁気ディスクの製造方法は、スパッタ
リング装置を使用して磁性層の薄膜を形成する点を除
き、従来の製造方法と同一である。すなわち、基板5上
に、順次、下地層、磁性層、保護層を形成して磁気ディ
スクを製造する。
明する。本発明の磁気ディスクの製造方法は、スパッタ
リング装置を使用して磁性層の薄膜を形成する点を除
き、従来の製造方法と同一である。すなわち、基板5上
に、順次、下地層、磁性層、保護層を形成して磁気ディ
スクを製造する。
【0018】基板4としては、サブストレイトと呼ばれ
る市販の基板、すなわち、Al−Mg合金基板の表面に
Ni−Pの無電解メッキの第1次下地膜を設け更に当該
下地膜に鏡面加工(ポリッシュ加工)を施した下地膜形
成基板が好適に使用される。その他、銅、チタン、ガラ
ス、セラミック、カーボン、シリコン等の材料で構成さ
れた基板を使用することも出来る。通常、基板4は、デ
ィスク形状に加工され、また、基板自体の厚さは約1〜
3mm、第1次下地膜の厚さは約5〜20μmである。
る市販の基板、すなわち、Al−Mg合金基板の表面に
Ni−Pの無電解メッキの第1次下地膜を設け更に当該
下地膜に鏡面加工(ポリッシュ加工)を施した下地膜形
成基板が好適に使用される。その他、銅、チタン、ガラ
ス、セラミック、カーボン、シリコン等の材料で構成さ
れた基板を使用することも出来る。通常、基板4は、デ
ィスク形状に加工され、また、基板自体の厚さは約1〜
3mm、第1次下地膜の厚さは約5〜20μmである。
【0019】基板4は、常法に従い、テキスチャー加工
などを行った後、使用に供される。テキスチャー加工
は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン(溝)や
凹凸を付与するために行われる機械加工である。また、
必要に応じ、テキスチャー加工後にバリやカエリ等を除
去するための仕上げ加工として化学エッチング又は電解
エッチング(電解研磨)処理を行うことも出来る。これ
らの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッドとの吸着が
防止され、コンタクトスタートストップ(CSS)特性
が改良され、磁気異方性が改良される。
などを行った後、使用に供される。テキスチャー加工
は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン(溝)や
凹凸を付与するために行われる機械加工である。また、
必要に応じ、テキスチャー加工後にバリやカエリ等を除
去するための仕上げ加工として化学エッチング又は電解
エッチング(電解研磨)処理を行うことも出来る。これ
らの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッドとの吸着が
防止され、コンタクトスタートストップ(CSS)特性
が改良され、磁気異方性が改良される。
【0020】第2次下地層は、従来公知の非磁性下地層
でよく、例えば、Cr、Ti、Ni等で形成することが
出来る。そして、Cr又はTiは、通常、これらの結晶
性を損なわない範囲において、例えば、数原子%の範囲
でSi、V、Cu等を含有する合金であってもよい。本
発明においては、特に、Cr系の下地層が好適である。
第2次下地層の厚さは、通常、50〜2000Åであ
る。
でよく、例えば、Cr、Ti、Ni等で形成することが
出来る。そして、Cr又はTiは、通常、これらの結晶
性を損なわない範囲において、例えば、数原子%の範囲
でSi、V、Cu等を含有する合金であってもよい。本
発明においては、特に、Cr系の下地層が好適である。
第2次下地層の厚さは、通常、50〜2000Åであ
る。
【0021】磁性層は、例えば、Co−Cr、Co−N
i、Co−Cr−X、Co−Ni−X、Co−W−X等
で表されるCo系合金で形成される。ここで、Xは、L
i、Si、Ca、Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Z
r、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、T
a、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu等から任意に選ばれる金
属元素を表す。通常、磁性層の厚さは、200〜250
0Åとされる。
i、Co−Cr−X、Co−Ni−X、Co−W−X等
で表されるCo系合金で形成される。ここで、Xは、L
i、Si、Ca、Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Z
r、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、T
a、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu等から任意に選ばれる金
属元素を表す。通常、磁性層の厚さは、200〜250
0Åとされる。
【0022】保護層は、従来公知の非磁性保護層でよ
く、例えば、C、SiO2 、ZrO2等で形成すること
が出来る。特に、C保護層が好適であり、ダイヤモンド
状、グラファイト状、アモルファス状のカーボンターゲ
ット材が使用される。保護層の厚さは、通常、100〜
1000Åとされる。
く、例えば、C、SiO2 、ZrO2等で形成すること
が出来る。特に、C保護層が好適であり、ダイヤモンド
状、グラファイト状、アモルファス状のカーボンターゲ
ット材が使用される。保護層の厚さは、通常、100〜
1000Åとされる。
【0023】本発明においては、必要に応じ、保護層の
表面に潤滑層を形成することも出来る。潤滑剤として
は、パーフロロポリエーテル等の弗素系液体潤滑剤、脂
肪酸などの固体潤滑剤が使用される。潤滑層の厚さは、
通常、5〜100Åとされる。
表面に潤滑層を形成することも出来る。潤滑剤として
は、パーフロロポリエーテル等の弗素系液体潤滑剤、脂
肪酸などの固体潤滑剤が使用される。潤滑層の厚さは、
通常、5〜100Åとされる。
【0024】本発明の磁気ディスクの製造方法において
は、前述のスパッタリング装置を使用して少なくとも磁
性層を形成するが、通常は、第2次下地層および保護層
の形成にも前述のスパッタリング装置が使用される。ス
パッタリング法としては、通常、直流マグネトロンスパ
ッタリング法が採用されるが、交流マグネットロンスパ
ッタリング法も採用し得る。また、バイアススパッタリ
ング法を採用することも出来る。
は、前述のスパッタリング装置を使用して少なくとも磁
性層を形成するが、通常は、第2次下地層および保護層
の形成にも前述のスパッタリング装置が使用される。ス
パッタリング法としては、通常、直流マグネトロンスパ
ッタリング法が採用されるが、交流マグネットロンスパ
ッタリング法も採用し得る。また、バイアススパッタリ
ング法を採用することも出来る。
【0025】スパッタリング装置に導入されるガスとし
ては、通常、Arが使用されるが、その他の希ガスを使
用することも出来る。スパッタリング装置内の真空度
は、通常5×10-4〜2×10-2 、好ましくは1×1
0-3 〜1×10-2 Torrとされ、基板温度は、通常
150℃以上、好ましくは200〜300℃とされる。
なお、ターゲット材には、前述の各層毎に準備されたタ
ーゲット材が使用される。
ては、通常、Arが使用されるが、その他の希ガスを使
用することも出来る。スパッタリング装置内の真空度
は、通常5×10-4〜2×10-2 、好ましくは1×1
0-3 〜1×10-2 Torrとされ、基板温度は、通常
150℃以上、好ましくは200〜300℃とされる。
なお、ターゲット材には、前述の各層毎に準備されたタ
ーゲット材が使用される。
【0026】
【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【0027】実施例1 スパッタリング装置としては、真空室に複数基のマグネ
トロンカソードを配置したスルータイプ直流マグネトロ
ンスパッタリング装置を使用した。そして、各チムニー
及びアースシールド上面に各層毎に準備されたターゲッ
ト材を配置し、チムニーの表面でターゲット材に面する
部分とアースシールドの全表面に、表面平均粗さ(R
a)が5〜30μmとなるように粗面加工をしたアルミ
ニウム板を使用した。
トロンカソードを配置したスルータイプ直流マグネトロ
ンスパッタリング装置を使用した。そして、各チムニー
及びアースシールド上面に各層毎に準備されたターゲッ
ト材を配置し、チムニーの表面でターゲット材に面する
部分とアースシールドの全表面に、表面平均粗さ(R
a)が5〜30μmとなるように粗面加工をしたアルミ
ニウム板を使用した。
【0028】基板としては、Al−Mg合金基板の表面
にNi−Pの無電解メッキの第1次下地膜を設け更に当
該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ加工)を施した下地膜
形成基板であって、テキスチャー加工により同心円状に
表面を微細に研削してRa(中心腺平均粗さ)約80Å
に仕上げた基板を使用した。
にNi−Pの無電解メッキの第1次下地膜を設け更に当
該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ加工)を施した下地膜
形成基板であって、テキスチャー加工により同心円状に
表面を微細に研削してRa(中心腺平均粗さ)約80Å
に仕上げた基板を使用した。
【0029】加熱室において約250℃に加熱された基
板をスパッタリング装置に連続的に供給し、ターゲット
材の上部を水平方向に移動させながら、順次、1000
ÅのCr第2次下地層、500ÅのCoCr12Ta2 磁
性層、400Åの炭素保護層を形成した。スパッタリン
グ装置内の真空度は2×10-3Torrとし、導入ガス
はArを使用した。運転と停止を繰り返しながら、一週
間に亘る磁気ディスクの製造を行った結果、磁気ディス
クの欠陥(エラー)の増加は顕著におさえられた。
板をスパッタリング装置に連続的に供給し、ターゲット
材の上部を水平方向に移動させながら、順次、1000
ÅのCr第2次下地層、500ÅのCoCr12Ta2 磁
性層、400Åの炭素保護層を形成した。スパッタリン
グ装置内の真空度は2×10-3Torrとし、導入ガス
はArを使用した。運転と停止を繰り返しながら、一週
間に亘る磁気ディスクの製造を行った結果、磁気ディス
クの欠陥(エラー)の増加は顕著におさえられた。
【0030】比較例1 実施例1において、チムニーの表面でターゲット材に面
する部分とアースシールドの全表面の表面平均粗さ(R
a)が0.4〜0.5μmのSUS板に変更したこと以
外は、実施例1と同様に操作して20日間に亘る磁気デ
ィスクの製造を行った。実施例1と比較例1で製造した
磁気ディスクについて時間当たりのエラー増加率を図4
に示した。
する部分とアースシールドの全表面の表面平均粗さ(R
a)が0.4〜0.5μmのSUS板に変更したこと以
外は、実施例1と同様に操作して20日間に亘る磁気デ
ィスクの製造を行った。実施例1と比較例1で製造した
磁気ディスクについて時間当たりのエラー増加率を図4
に示した。
【0031】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、チムニー
及びアースシールドを粗面化すると言う簡単な手段によ
り、磁気ディスクの欠陥(エラー)の発生を軽減して生
産性を高めたスパッタリング装置が提供される。従っ
て、本発明によれば、工業的有利に高品質の磁気ディス
クを製造することが出来る。
及びアースシールドを粗面化すると言う簡単な手段によ
り、磁気ディスクの欠陥(エラー)の発生を軽減して生
産性を高めたスパッタリング装置が提供される。従っ
て、本発明によれば、工業的有利に高品質の磁気ディス
クを製造することが出来る。
【図1】本発明のスパッタリング装置の一例の要部の説
明図である。
明図である。
【図2】本発明のスパッタリング装置の一例の他の要部
の説明図である。
の説明図である。
【図3】本発明のスパッタリング装置の一例の部分説明
図である。
図である。
【図4】実施例及び比較例で得られた磁気ディスクの時
間当たりのエラー増加率を示す図である。
間当たりのエラー増加率を示す図である。
1:バッキングプレート 2:ターゲット材 3:アースシールド 4:チムニー 5:基板 6:真空室 7:内側磁極 8:外側磁極 9:磁気ヨーク
Claims (6)
- 【請求項1】 バッキングプレート、その上面に配置さ
れたターゲット材、ターゲット材の近傍に配置されたア
ースシールド、ターゲット材の上方に配置された基板、
これらを収容する真空室から主として構成され、ターゲ
ット材と基板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を
形成するスパッタリング装置において、少くとも、アー
スシールドの表面でターゲット材に面する部分の表面平
均粗さ(Ra)が5μm以上に成されていることを特徴
とするスパッタリング装置。 - 【請求項2】 スパッタリング装置が、アースシールド
の上方にチムニーを有し、少くとも、チムニーの表面で
ターゲット材に面する部分の表面平均粗さ(Ra)が5
μm以上に成されている請求項1に記載のスパッタリン
グ装置。 - 【請求項3】 バッキングプレート、その上面に配置さ
れたターゲット材、ターゲット材の近傍に配置されたチ
ムニー及びアースシールド、ターゲット材の上方に配置
された基板、これらを収容する真空室から主として構成
され、ターゲット材と基板との間に電圧を印加して基板
表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、少
くとも、チムニーの表面でターゲット材に面する部分の
表面平均粗さ(Ra)が5μm以上に成されていること
を特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項4】 バッキングプレートの下部にマグネトロ
ンカソードを配置して成る請求項1〜3の何れかに記載
のスパッタリング装置。 - 【請求項5】 ターゲット材がCo系合金より成る請求
項1〜4の何れかに記載のスパッタリング装置。 - 【請求項6】 基板上に、順次、下地層、磁性層、保護
層を形成して磁気ディスクを製造するに当たり、少なく
とも磁性層及び保護層を形成する際、請求項1〜5の何
れかに記載のスパッタリング装置を使用することを特徴
とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956394A JPH0860354A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | スパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956394A JPH0860354A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | スパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0860354A true JPH0860354A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16409915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19956394A Pending JPH0860354A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | スパッタリング装置および磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0860354A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010236094A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
CN113846304A (zh) * | 2021-11-26 | 2021-12-28 | 北京航空航天大学 | 靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射*** |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19956394A patent/JPH0860354A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010236094A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
CN113846304A (zh) * | 2021-11-26 | 2021-12-28 | 北京航空航天大学 | 靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射*** |
CN113846304B (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-11 | 北京航空航天大学 | 靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射*** |
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