JPH08507659A - 低雑音蛍光透視形固体放射作像装置 - Google Patents
低雑音蛍光透視形固体放射作像装置Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. 所定の範囲内の波長を有している入射放射線により照射される被検体を 作像する固体蛍光透視形放射作像装置であって、 所定のピッチを有するようにあるパターンで設けられている複数の光センサを 含んでいる大面積光センサ配列を備えており、 該光センサ配列は、該光センサ配列にあるそれぞれの光センサを選択的にアド レスするように、該光センサの各々に電気結合されているアドレス可能な薄膜ト ランジスタ配列を含んでおり、 該アドレス可能な薄膜トランジスタ配列は、複数の低電荷保持薄膜トランジス タを含んでおり、該低電荷保持薄膜トランジスタの各々は、電荷保持が小さくな るように選択された薄膜トランジスタ切り換えシリコン領域を有しており、平方 ミクロンで表した前記切り換えシリコン領域の面積は、ミクロンで表した前記所 定のピッチの値よりも実質的に大きくない固体蛍光透視形放射作像装置。 2. 平方ミクロンで表した前記薄膜トランジスタ切り換えシリコン領域の面 積は、ミクロンで表した前記所定のピッチの値よりも小さな値を有している請求 項1に記載の装置。 3. 前記薄膜トランジスタ切り換えシリコン領域は、チャンネル領域と、ソ ース電極領域と、ドレイン電極領域とを含んでおり、これらの領域は、前記ソー ス電極領域及 び前記ドレイン電極領域の面積の和が前記チャンネル領域の面積の約150%未 満であるような寸法を成している請求項1に記載の装置。 4. 少なくとも1つの前記低電荷保持薄膜トランジスタは、チャンネル領域 を形成するように、互いに向かい合って設けられている実質的に同じ形状のソー ス電極とドレイン電極とを含んでおり、前記チャンネル領域は、前記2つの電極 の間の距離に対応する長さと、それぞれの前記ソース電極及びドレイン電極の下 方にある前記切り換えシリコン領域の幅に対応する幅とを有しており、前記薄膜 トランジスタの各々のチャンネル長に対するチャンネル幅の比は、約20:1未 満である請求項1に記載の装置。 5. 前記薄膜トランジスタの各々のチャンネル長に対するチャンネル幅の比 は、約10:1未満である請求項4に記載の装置。 6. 前記低電荷保持薄膜トランジスタの各々のチャンネル長は、約1μmと 4μmとの間の範囲である請求項4に記載の装置。 7. 前記薄膜トランジスタは、チャンネル長に対するチャンネル幅の比が、 該薄膜トランジスタにより誘起される遅れが約4%未満になるように選択された チャンネル長と、チャンネル幅とを有している請求項4に記載の装置。 8. 少なくとも1つの前記低電荷保持薄膜トランジスタは、前記光センサと 電気的に接触するように設けられている2突起形ソース電極と、それぞれ1つの 前記アドレス 線と電気的に接触するように設けられている単一突起形ドレイン電極とを有して いるくし形薄膜トランジスタを含んでいる請求項1に記載の装置。 9. 前記作像装置のピッチは、約35μmと500μmとの間の範囲内であ る請求項1に記載の装置。 10. 前記チャンネル切り換えシリコン領域の各々は、該チャンネル領域シ リコンの電流密度時間積が約3ナノクーロン/cm2未満になるように、窒化シリ コンの上方に設けられた非晶質シリコン(a−Si)を有している低欠陥半導体 構造を含んでいる請求項1に記載の装置。 11. 前記アドレス可能な薄膜トランジスタ配列は、複数の低電荷保持アド レス線交差部を含んでおり、該交差部の各々は、第1の軸線に沿った向きであっ て、第2の軸線に沿った向きのアドレス線と垂直に整合するように設けられてい る第1のアドレス線を含んでおり、前記第1の軸線は、前記第2の軸線に対して 実質的に垂直であり、前記第1のアドレス線と前記第2のアドレス線との間に電 気絶縁材料が設けられており、該電気絶縁材料は、その中に実質的に半導体材料 が設けられないように選択されている請求項1に記載の装置。 12. 前記交差部において前記第1のアドレス線と前記第2のアドレス線と の間に切り換えシリコン領域が設けられていない請求項11に記載の装置。 13. 前記作像装置の面積は、約300cm2と2000cm2との間の範囲内で ある請求項1に記載の装置。 14. 前記光センサの各々は、光ダイオードを含んでいる請求項1に記載の 装置。 15. 前記低電荷保持薄膜トランジスタの各々のソース電極及びドレイン電 極は、クロムと、アルミニウムと、モリブデンと、タングステンと、チタンとか ら成っている群から選択された材料を含んでいる請求項7に記載の装置。 16. 前記切り換えシリコン領域の各々は、非晶質真性シリコンを含んでい る請求項1に記載の装置。 17. 入射放射線を受け取るように設けられているシンチレータと、 該シンチレータに光学的に結合されている大面積光センサ配列とを備えており 、 該光センサ配列は、所定のピッチを有するようにあるパターンで設けられてい る複数の光センサを含んでおり、前記光センサ配列は更に、該光センサ配列内に あるそれぞれの光センサを選択的にアドレスするように、前記光センサの各々に 電気結合されているアドレス可能な薄膜トランジスタ配列を含んでおり、 該アドレス可能な薄膜トランジスタ配列は、複数の低電荷保持TFTを含んで おり、それぞれの前記薄膜トランジスタは、前記光センサの各々を選択されたア ドレス線に選択的に結合するように、対応する1つの前記光センサにそれぞれ電 気結合されており、前記低電荷保持薄膜トランジスタの各々は、電荷保持が小さ くなるように選択された薄膜トランジスタ切り換えシリコン領域を有しており、 該切 り換えシリコン領域の平方ミクロンで表した面積は、ミクロンで表した前記所定 のピッチの値よりも実質的に大きくなく、 前記アドレス可能な薄膜トランジスタ配列は更に、複数の低電荷保持アドレス 線交差部を含んでおり、該交差部の各々は、第1の軸線に沿った向きの走査線が 第2の軸線に沿った向きのデータ線と垂直に整合するように設けられており、前 記第1の軸線は、前記第2の軸線に対して実質的に垂直であり、前記第1のアド レス線と前記第2のアドレス線との間に電気絶縁材料が設けられており、該電気 絶縁材料は、前記交差部に実質的に切り換えシリコン領域が設けられないように 選択されている固体蛍光透視形X線作像装置。 18. 前記薄膜トランジスタ切り換えシリコン領域は、チャンネル領域と、 ソース電極領域と、ドレイン電極領域とを含んでおり、これらの領域は、前記ソ ース電極領域及び前記ドレイン電極領域の面積の和が前記チャンネル領域の面積 の約150%未満であるような寸法を成している請求項17に記載の装置。 19. 少なくとも1つの前記低電荷保持薄膜トランジスタは、前記チャンネ ル領域を形成するように、互いに向かい合って設けられている実質的に同じ形状 のソース電極と、ドレイン電極とを含んでおり、前記チャンネル領域は、前記2 つの電極の間の距離に対応する長さと、それぞれの前記ソース電極及びドレイン 電極の下方にある前記切り換 えシリコン領域の幅に対応する幅とを有しており、前記薄膜トランジスタの各々 のチャンネル長に対するチャンネル幅の比は、約20:1未満である請求項18 に記載の装置。 20. 前記薄膜トランジスタの各々のチャンネル長に対するチャンネル幅の 比は、約10:1未満である請求項19に記載の装置。 21. 前記低電荷保持薄膜トランジスタの各々のチャンネル長は、約1μm と4μmとの間の範囲内である請求項20に記載の装置。 22. 少なくとも1つの前記低電荷保持薄膜トランジスタは、前記光センサ と電気的に接触するように設けられている2突起形ソース電極と、それぞれ1つ の前記アドレス線と電気的に接触するように設けられている単一突起形ドレイン 電極とを有しているくし形薄膜トランジスタを含んでいる請求項17に記載の装 置。 23. 前記単一突起形ドレイン電極は、前記2突起形ドレイン電極のそれぞ れの第1の突起と第2の突起との間に設けられている請求項22に記載の装置。
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