JPH0837168A - 半導体ウエハのダイシング方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法及び装置Info
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- JPH0837168A JPH0837168A JP17235894A JP17235894A JPH0837168A JP H0837168 A JPH0837168 A JP H0837168A JP 17235894 A JP17235894 A JP 17235894A JP 17235894 A JP17235894 A JP 17235894A JP H0837168 A JPH0837168 A JP H0837168A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハを複数のチップに分割するため
のダイシング方法及び装置に関する。 【構成】 半導体ウエハ１１の表面にＶ溝を形成する手
段１２−Ａと、半導体ウエハを切断する切断手段１２−
Ｂと、半導体ウエハが固定されるウエハ固定面１８を有
すると共に、該ウエハ固定面と前記Ｖ溝形成手段の相対
位置が調整されるようになっているウエハ固定手段１３
と、前記ウエハ固定面上に固定された半導体ウエハを撮
像してその画像情報を取り込む撮像手段２０と、前記撮
像手段から入力された画像情報を画像処理してＶ溝の幅
を検出する画像処理手段２２と、前記画像処理手段によ
り検出されたＶ溝幅を入力し、前記半導体ウエハとＶ溝
形成手段との相対位置を制御する制御手段２３とを備え
る半導体ウエハのダイシング装置であって、Ｖ溝を形成
すると共にＶ溝幅の検出、Ｖ溝幅の制御及び半導体ウエ
ハの切断を行なうようになっている。
のダイシング方法及び装置に関する。 【構成】 半導体ウエハ１１の表面にＶ溝を形成する手
段１２−Ａと、半導体ウエハを切断する切断手段１２−
Ｂと、半導体ウエハが固定されるウエハ固定面１８を有
すると共に、該ウエハ固定面と前記Ｖ溝形成手段の相対
位置が調整されるようになっているウエハ固定手段１３
と、前記ウエハ固定面上に固定された半導体ウエハを撮
像してその画像情報を取り込む撮像手段２０と、前記撮
像手段から入力された画像情報を画像処理してＶ溝の幅
を検出する画像処理手段２２と、前記画像処理手段によ
り検出されたＶ溝幅を入力し、前記半導体ウエハとＶ溝
形成手段との相対位置を制御する制御手段２３とを備え
る半導体ウエハのダイシング装置であって、Ｖ溝を形成
すると共にＶ溝幅の検出、Ｖ溝幅の制御及び半導体ウエ
ハの切断を行なうようになっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを複数の
チップに分割するためのダイシング方法及び装置に関す
る。
チップに分割するためのダイシング方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上には電子デバイス、光デ
バイス、あるいはこれらを複合化した光電子集積回路等
の素子が形成され、この半導体ウエハを個々のデバイス
毎に分割するためにダイシング装置が用いられる。一般
的なダイシング装置は、水平方向に可動なウエハ固定テ
ーブルと、このウエハ固定テーブルに固定された半導体
ウエハに対して鉛直方向に進退される高速回転可能なダ
イシングブレードとを備えており、コントローラによる
制御下、デバイス間に形成されるスクライブラインの中
心線上を断面が方形の円板状のダイシングブレードによ
り切断していた。
バイス、あるいはこれらを複合化した光電子集積回路等
の素子が形成され、この半導体ウエハを個々のデバイス
毎に分割するためにダイシング装置が用いられる。一般
的なダイシング装置は、水平方向に可動なウエハ固定テ
ーブルと、このウエハ固定テーブルに固定された半導体
ウエハに対して鉛直方向に進退される高速回転可能なダ
イシングブレードとを備えており、コントローラによる
制御下、デバイス間に形成されるスクライブラインの中
心線上を断面が方形の円板状のダイシングブレードによ
り切断していた。
【０００３】ところで、ダイボンディング工程等におい
ては、このように切断された半導体チップをコレットに
吸着してパッケージ上に搬送するが、この際に半導体チ
ップのエッジを破損して半導体素子に傷を付ける場合が
あった。これを防ぐため図７に示すように、最初に円周
断面がＶ形の円板状のダイシングブレード（以下、Ｖ溝
形成用ブレードという）１１−Ａにより半導体ウエハ上
にＶ溝を設け（図７（ａ））、次にＶ溝に沿って前記断
面が方形の円板状のダイシングブレード（以下、切断用
ブレードという）１１−Ｂにより切断して（図７
（ｂ））、エッジにテーパの付いた半導体チップを形成
する方法が考案された。
ては、このように切断された半導体チップをコレットに
吸着してパッケージ上に搬送するが、この際に半導体チ
ップのエッジを破損して半導体素子に傷を付ける場合が
あった。これを防ぐため図７に示すように、最初に円周
断面がＶ形の円板状のダイシングブレード（以下、Ｖ溝
形成用ブレードという）１１−Ａにより半導体ウエハ上
にＶ溝を設け（図７（ａ））、次にＶ溝に沿って前記断
面が方形の円板状のダイシングブレード（以下、切断用
ブレードという）１１−Ｂにより切断して（図７
（ｂ））、エッジにテーパの付いた半導体チップを形成
する方法が考案された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなを用いた場
合は、Ｖ形ブレードの磨耗、ウエハ厚のばらつき等によ
りＶ溝の幅が変動し、幅が広すぎると半導体素子に傷を
付けることになり、また、狭すぎるとエッジにテーパを
付けることができなく、Ｖ溝の幅を許容範囲にコントロ
ールする必要があった。そこで本発明は、かかる問題点
を解決してＶ溝の幅を所定の範囲に入るように調整ある
いは制御して半導体ウエハをダイシングする方法及び装
置を提供することを目的とする。
合は、Ｖ形ブレードの磨耗、ウエハ厚のばらつき等によ
りＶ溝の幅が変動し、幅が広すぎると半導体素子に傷を
付けることになり、また、狭すぎるとエッジにテーパを
付けることができなく、Ｖ溝の幅を許容範囲にコントロ
ールする必要があった。そこで本発明は、かかる問題点
を解決してＶ溝の幅を所定の範囲に入るように調整ある
いは制御して半導体ウエハをダイシングする方法及び装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体ウ
エハのダイシング方法は、半導体ウエハの表面にＶ形の
溝を形成すると共にＶ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の
範囲に入るように制御し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導
体ウエハを切断することを特徴とする。
エハのダイシング方法は、半導体ウエハの表面にＶ形の
溝を形成すると共にＶ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の
範囲に入るように制御し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導
体ウエハを切断することを特徴とする。
【０００６】前記半導体ウエハのダイシング方法におい
て、一のＶ溝を形成している間に、隣接するＶ溝の周辺
を撮像してその画像情報を取り込み、該画像情報を画像
処理することにより前記Ｖ溝幅を検出すること、あるい
は一のＶ溝を形成すると同時に該Ｖ溝の周辺を撮像して
その画像情報を取り込み、該画像情報を画像処理するこ
とにより前記Ｖ溝幅を検出することを特徴とする。
て、一のＶ溝を形成している間に、隣接するＶ溝の周辺
を撮像してその画像情報を取り込み、該画像情報を画像
処理することにより前記Ｖ溝幅を検出すること、あるい
は一のＶ溝を形成すると同時に該Ｖ溝の周辺を撮像して
その画像情報を取り込み、該画像情報を画像処理するこ
とにより前記Ｖ溝幅を検出することを特徴とする。
【０００７】本発明に係わる他の半導体ウエハのダイシ
ング方法は、半導体ウエハの表面にＶ形の溝を形成した
後、Ｖ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の範囲に入るよう
に調整し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導体ウエハを切断
することを特徴とする。
ング方法は、半導体ウエハの表面にＶ形の溝を形成した
後、Ｖ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の範囲に入るよう
に調整し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導体ウエハを切断
することを特徴とする。
【０００８】前記半導体ウエハのダイシング方法におい
て、円周断面がＶ形の円板状ブレードを回転して半導体
ウエハの表面にＶ形の溝を形成すること、あるいは円周
断面が方形の円板状ブレードを回転して半導体ウエハの
切断を行なうことを特徴とし、円周断面が方形のブレー
ドの厚さがＶ溝幅の最小値より薄いことを特徴とする。
て、円周断面がＶ形の円板状ブレードを回転して半導体
ウエハの表面にＶ形の溝を形成すること、あるいは円周
断面が方形の円板状ブレードを回転して半導体ウエハの
切断を行なうことを特徴とし、円周断面が方形のブレー
ドの厚さがＶ溝幅の最小値より薄いことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明に係わる半導体ウエハのダ
イシング装置は、半導体ウエハの表面にＶ溝を形成する
手段と、半導体ウエハを切断する切断手段と、半導体ウ
エハが固定されるウエハ固定面を有すると共に、該ウエ
ハ固定面と前記Ｖ溝形成手段の相対位置が調整されるよ
うになっているウエハ固定手段と、前記ウエハ固定面上
に固定された半導体ウエハを撮像してその画像情報を取
り込む撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像情
報を画像処理してＶ溝の幅を検出する画像処理手段と、
前記画像処理手段により検出されたＶ溝幅を入力し、前
記半導体ウエハとＶ溝形成手段との相対位置を制御する
制御手段とを備える半導体ウエハのダイシング装置であ
って、Ｖ溝を形成すると共にＶ溝幅の検出、Ｖ溝幅の制
御及び半導体ウエハの切断を行なうようになっているこ
とを特徴とする。
イシング装置は、半導体ウエハの表面にＶ溝を形成する
手段と、半導体ウエハを切断する切断手段と、半導体ウ
エハが固定されるウエハ固定面を有すると共に、該ウエ
ハ固定面と前記Ｖ溝形成手段の相対位置が調整されるよ
うになっているウエハ固定手段と、前記ウエハ固定面上
に固定された半導体ウエハを撮像してその画像情報を取
り込む撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像情
報を画像処理してＶ溝の幅を検出する画像処理手段と、
前記画像処理手段により検出されたＶ溝幅を入力し、前
記半導体ウエハとＶ溝形成手段との相対位置を制御する
制御手段とを備える半導体ウエハのダイシング装置であ
って、Ｖ溝を形成すると共にＶ溝幅の検出、Ｖ溝幅の制
御及び半導体ウエハの切断を行なうようになっているこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、本発明に係わる半導体ウ
エハのダイシング方法は、Ｖ溝幅を検出し、このＶ溝幅
が許容範囲に入るようにブレードとウエハ表面との間隔
を調整あるいは制御するので、これ以外の方法に比較し
て調整・制御が簡単となり、正確な溝幅がえられ易い。
従って、均一にエッジのとれたチップを切断することが
できる。また、本発明に係わる半導体ウエハのダイシン
グ装置は、Ｖ溝を形成しながら溝幅が許容範囲に入るよ
うな機能を有しているので、半導体ウエハ等の厚さにば
らつきがある場合にも適用することができる。
エハのダイシング方法は、Ｖ溝幅を検出し、このＶ溝幅
が許容範囲に入るようにブレードとウエハ表面との間隔
を調整あるいは制御するので、これ以外の方法に比較し
て調整・制御が簡単となり、正確な溝幅がえられ易い。
従って、均一にエッジのとれたチップを切断することが
できる。また、本発明に係わる半導体ウエハのダイシン
グ装置は、Ｖ溝を形成しながら溝幅が許容範囲に入るよ
うな機能を有しているので、半導体ウエハ等の厚さにば
らつきがある場合にも適用することができる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本発明に
よるダイシング装置１０を概略的に示している。このダ
イシング装置１０は、半導体ウエハ１１を切断する切断
手段としてダイシングブレード（以下、ブレードと略記
する）１２を有し、また、半導体ウエハ１１を固定する
ためのウエハ固定手段としてウエハ固定テーブル１３を
有している。
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本発明に
よるダイシング装置１０を概略的に示している。このダ
イシング装置１０は、半導体ウエハ１１を切断する切断
手段としてダイシングブレード（以下、ブレードと略記
する）１２を有し、また、半導体ウエハ１１を固定する
ためのウエハ固定手段としてウエハ固定テーブル１３を
有している。
【００１２】ブレード１２は、支持コラム１４に支持さ
れた主軸ヘッド１５の主軸１６に取り付けられている。
支持コラム１４は、固定構造体であるベッド１７に鉛直
向きとなるように固定されており、主軸ヘッド１５は支
持コラム１４に沿って鉛直方向に上下動される。また、
主軸１６は水平方向に延び、高速回転される。
れた主軸ヘッド１５の主軸１６に取り付けられている。
支持コラム１４は、固定構造体であるベッド１７に鉛直
向きとなるように固定されており、主軸ヘッド１５は支
持コラム１４に沿って鉛直方向に上下動される。また、
主軸１６は水平方向に延び、高速回転される。
【００１３】一方、ウエハ固定テーブル１３はベッド１
７の上面に取り付けられており、互いに直交する水平方
向の２軸に沿って直進運動可能となっている。また、ウ
エハ固定テーブル１３の上面は水平なウエハ固定面１８
となっており、この面１８は鉛直方向の軸線を中心とし
て正逆両方向に回転可能となっている。ウエハ固定面１
８には、半導体ウエハ１１がダイシングテープ１９に貼
り付けられた状態で真空吸着により固定される。
７の上面に取り付けられており、互いに直交する水平方
向の２軸に沿って直進運動可能となっている。また、ウ
エハ固定テーブル１３の上面は水平なウエハ固定面１８
となっており、この面１８は鉛直方向の軸線を中心とし
て正逆両方向に回転可能となっている。ウエハ固定面１
８には、半導体ウエハ１１がダイシングテープ１９に貼
り付けられた状態で真空吸着により固定される。
【００１４】さらに、この実施例のダイシング装置１０
は、主軸ヘッド１５の下部に、半導体ウエハ１１の表面
を撮像する撮像手段であるＣＣＤカメラ２０を備えてい
る。このＣＣＤカメラ２０はブレード１２に隣接する領
域を撮像することができる。また、ＣＣＤカメラ２０
は、Ａ／Ｄ変換器２１を介して、画像処理手段であるコ
ンピュータ２２に接続されている。
は、主軸ヘッド１５の下部に、半導体ウエハ１１の表面
を撮像する撮像手段であるＣＣＤカメラ２０を備えてい
る。このＣＣＤカメラ２０はブレード１２に隣接する領
域を撮像することができる。また、ＣＣＤカメラ２０
は、Ａ／Ｄ変換器２１を介して、画像処理手段であるコ
ンピュータ２２に接続されている。
【００１５】ＣＣＤカメラ２０で撮像した画像のアナロ
グ情報は、Ａ／Ｄ変換器２１によりデジタル化され、コ
ンピュータ２２に入力される。コンピュータ２２は、入
力された画像情報を適当なアルゴリズムに従って画像処
理し、切断ラインの位置を検出することができる。コン
ピュータ２２により検出された切断ラインの位置情報
は、ブレード１２の回転、主軸ヘッド１５の上下動及び
ウエハ固定テーブル１３の水平方向運動を制御するコン
トローラ（制御手段）２３に入力され、その切断ライン
にて半導体ウエハ１１を切断するようになっている。
グ情報は、Ａ／Ｄ変換器２１によりデジタル化され、コ
ンピュータ２２に入力される。コンピュータ２２は、入
力された画像情報を適当なアルゴリズムに従って画像処
理し、切断ラインの位置を検出することができる。コン
ピュータ２２により検出された切断ラインの位置情報
は、ブレード１２の回転、主軸ヘッド１５の上下動及び
ウエハ固定テーブル１３の水平方向運動を制御するコン
トローラ（制御手段）２３に入力され、その切断ライン
にて半導体ウエハ１１を切断するようになっている。
【００１６】さらに、この実施例では、撮像領域に残っ
た洗浄水を除去するための洗浄水除去装置２６が設けら
れている。これは、空気あるいは不活性ガス等のガスを
噴射することで洗浄水を吹き飛ばすものであり、そのガ
ス噴射ノズル２７は主軸ヘッド１５の下部であって、Ｃ
ＣＤカメラ２０及び洗浄水噴射ノズル２５の近傍に位置
される。
た洗浄水を除去するための洗浄水除去装置２６が設けら
れている。これは、空気あるいは不活性ガス等のガスを
噴射することで洗浄水を吹き飛ばすものであり、そのガ
ス噴射ノズル２７は主軸ヘッド１５の下部であって、Ｃ
ＣＤカメラ２０及び洗浄水噴射ノズル２５の近傍に位置
される。
【００１７】ここで、図２は切断すべき半導体ウエハ１
１の表面を概略的に示す平面図であり、半導体ウエハ１
１に格子状に描かれている実線はスクライブラインＳで
ある。以下、本実施例に係わるダイシング方法を図４に
沿って説明する。なお、以下の説明において、図２に示
す横方向のスクライブラインＳと平行な方向をＸ軸方
向、縦方向のスクライブラインＳと平行な方向をＹ軸方
向と称することにする。
１の表面を概略的に示す平面図であり、半導体ウエハ１
１に格子状に描かれている実線はスクライブラインＳで
ある。以下、本実施例に係わるダイシング方法を図４に
沿って説明する。なお、以下の説明において、図２に示
す横方向のスクライブラインＳと平行な方向をＸ軸方
向、縦方向のスクライブラインＳと平行な方向をＹ軸方
向と称することにする。
【００１８】まず、表面にスクライブラインが設けられ
た半導体ウエハ１１をウエハ固定テーブル１３の上に吸
着固定する（ステップ１００）。次いで、ウエハ固定テ
ーブル１３を移動させて、最初に切断を行なう切断ライ
ン、即ち図２において最も上側のＸ軸方向のスクライブ
ラインＳの周辺領域をＣＣＤカメラ２０の下方に配置す
る。次いで、コントローラ２３を介してウエハ固定テー
ブル１３を制御し、そのウエハ固定テーブル１３をＸ軸
方向に移動させて、図２の点線で示す撮像領域Ｐ11〜Ｐ
15を順次撮像していく。ＣＣＤカメラ２０により撮像さ
れた画像のアナログ情報はＡ／Ｄ変換器２１によりディ
ジタル化された後、コンピュータ２２に入力されてメモ
リに記憶される。
た半導体ウエハ１１をウエハ固定テーブル１３の上に吸
着固定する（ステップ１００）。次いで、ウエハ固定テ
ーブル１３を移動させて、最初に切断を行なう切断ライ
ン、即ち図２において最も上側のＸ軸方向のスクライブ
ラインＳの周辺領域をＣＣＤカメラ２０の下方に配置す
る。次いで、コントローラ２３を介してウエハ固定テー
ブル１３を制御し、そのウエハ固定テーブル１３をＸ軸
方向に移動させて、図２の点線で示す撮像領域Ｐ11〜Ｐ
15を順次撮像していく。ＣＣＤカメラ２０により撮像さ
れた画像のアナログ情報はＡ／Ｄ変換器２１によりディ
ジタル化された後、コンピュータ２２に入力されてメモ
リに記憶される。
【００１９】次に、入力された全画像情報を種々の条件
を加味してスクライブラインＳの情報を抽出する。スク
ライブライン情報を抽出する条件としては、特にＶ溝の
幅及びその許容範囲が重要である。例えば、Ｖ溝幅の最
大許容値は１００μｍ、最小許容値は５０μｍである。
を加味してスクライブラインＳの情報を抽出する。スク
ライブライン情報を抽出する条件としては、特にＶ溝の
幅及びその許容範囲が重要である。例えば、Ｖ溝幅の最
大許容値は１００μｍ、最小許容値は５０μｍである。
【００２０】半導体ウエハ１１の表面をＶ溝形成用ブレ
ード１２−Ａを回転してスクライブラインＳに沿ってＸ
軸方向及びＹ軸方向に移動してＶ溝を形成する（ステッ
プ１０１）。図３はＶ溝幅とその許容範囲を示す図であ
る。形成された溝幅はＶ溝を形成しながらＣＣＤカメラ
２０により撮像され、コンピュータ２２に入力されて検
出され、また許容範囲が判断される。Ｖ溝幅が所定の範
囲から外れる場合は、ウエハ固定テーブル１３とブレー
ド１２−Ａとの間隔をコントローラ２３によって調整し
て制御される（ステップ１０２）。
ード１２−Ａを回転してスクライブラインＳに沿ってＸ
軸方向及びＹ軸方向に移動してＶ溝を形成する（ステッ
プ１０１）。図３はＶ溝幅とその許容範囲を示す図であ
る。形成された溝幅はＶ溝を形成しながらＣＣＤカメラ
２０により撮像され、コンピュータ２２に入力されて検
出され、また許容範囲が判断される。Ｖ溝幅が所定の範
囲から外れる場合は、ウエハ固定テーブル１３とブレー
ド１２−Ａとの間隔をコントローラ２３によって調整し
て制御される（ステップ１０２）。
【００２１】次に、Ｖ溝形成用ブレード１２−Ａを切断
用ブレード１２に取り替え（ステップ１０３）、先に形
成した半導体ウエハ上のＶ溝に沿って切断する（ステッ
プ１０４）。切断用ブレード１２の厚さはＶ溝幅の最小
許容値以下で、ウエハの厚さによって２０〜４０μｍの
ものが用いられる。この方法はＶ溝幅の検出、制御は自
動で処理されるので半導体ウエハ、ダイシングテープの
厚さあるいはウエハ固定面の平面度にばらつきがある場
合でも適用することができる。
用ブレード１２に取り替え（ステップ１０３）、先に形
成した半導体ウエハ上のＶ溝に沿って切断する（ステッ
プ１０４）。切断用ブレード１２の厚さはＶ溝幅の最小
許容値以下で、ウエハの厚さによって２０〜４０μｍの
ものが用いられる。この方法はＶ溝幅の検出、制御は自
動で処理されるので半導体ウエハ、ダイシングテープの
厚さあるいはウエハ固定面の平面度にばらつきがある場
合でも適用することができる。
【００２２】図５は本実施例に係わる他のダイシング方
法を示す工程図である。この方法は図４の方法における
ステップ１０２の代わりに、一のスクライブラインに沿
ってＶ溝を形成している間に、隣接するＶ溝の周辺をＣ
ＣＤカメラ２０により撮像し、前記と同様の手段によっ
て当該溝幅を検出し、その結果からウエハ固定テーブル
１３とブレード１２−Ａとの間隔をコントローラ２３に
よって調整して制御する（ステップ２０２）。その他の
工程は図４と同じである。この方法は図４と比較して測
定されるＶ溝の位置がＶ溝を形成しているブレードから
離れているので、より鮮明に撮像することができる。
法を示す工程図である。この方法は図４の方法における
ステップ１０２の代わりに、一のスクライブラインに沿
ってＶ溝を形成している間に、隣接するＶ溝の周辺をＣ
ＣＤカメラ２０により撮像し、前記と同様の手段によっ
て当該溝幅を検出し、その結果からウエハ固定テーブル
１３とブレード１２−Ａとの間隔をコントローラ２３に
よって調整して制御する（ステップ２０２）。その他の
工程は図４と同じである。この方法は図４と比較して測
定されるＶ溝の位置がＶ溝を形成しているブレードから
離れているので、より鮮明に撮像することができる。
【００２３】また、図６は本実施例に係わる別のダイシ
ング方法を示す工程図である。まずウエハ固定テーブル
１３の上に吸着固定された半導体ウエハ１１の表面に所
定の幅を有するＶ溝を前記と同様の手段によって形成す
る（ステップ３０１）。次いで、この工程を停止してか
らＶ溝をＣＣＤカメラ２０等によって撮像し、直接ある
いはＡ／Ｄ変換してＶ溝幅を検出する（ステップ３０
２）。この時の溝幅が許容範囲にあればＶ溝形成用ブレ
ード１２−Ａを切断用ブレード１２−Ｂに交換して（ス
テップ３０４）、前記Ｖ溝に沿ってウエハを切断する
（ステップ３０６）。Ｖ溝幅が許容範囲から外れていれ
ば、ウエハ固定テーブルとＶ溝形成用ブレード１２−Ａ
の間隔を調整して（ステップ３０５）、新たなウエハの
表面に再度Ｖ溝を形成する。この方法は半導体ウエハの
厚さが均一で、装置の再現性がある場合は操作が簡単と
なるので適している。
ング方法を示す工程図である。まずウエハ固定テーブル
１３の上に吸着固定された半導体ウエハ１１の表面に所
定の幅を有するＶ溝を前記と同様の手段によって形成す
る（ステップ３０１）。次いで、この工程を停止してか
らＶ溝をＣＣＤカメラ２０等によって撮像し、直接ある
いはＡ／Ｄ変換してＶ溝幅を検出する（ステップ３０
２）。この時の溝幅が許容範囲にあればＶ溝形成用ブレ
ード１２−Ａを切断用ブレード１２−Ｂに交換して（ス
テップ３０４）、前記Ｖ溝に沿ってウエハを切断する
（ステップ３０６）。Ｖ溝幅が許容範囲から外れていれ
ば、ウエハ固定テーブルとＶ溝形成用ブレード１２−Ａ
の間隔を調整して（ステップ３０５）、新たなウエハの
表面に再度Ｖ溝を形成する。この方法は半導体ウエハの
厚さが均一で、装置の再現性がある場合は操作が簡単と
なるので適している。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体ウエハのダイシング方法は、Ｖ溝幅を検出し、この
Ｖ溝幅が許容範囲に入るようにブレードとウエハ表面と
の間隔を調整あるいは制御するので、調整・制御が簡単
となり、正確な溝幅がえられ易い。従って、均一にエッ
ジのとれたチップを切断することができる。また、本発
明に係わる半導体ウエハのダイシング装置は、Ｖ溝を形
成しながら溝幅が許容範囲に入るような機能を有してい
るので、半導体ウエハ等の厚さにばらつきがある場合等
にも適用することができる。
導体ウエハのダイシング方法は、Ｖ溝幅を検出し、この
Ｖ溝幅が許容範囲に入るようにブレードとウエハ表面と
の間隔を調整あるいは制御するので、調整・制御が簡単
となり、正確な溝幅がえられ易い。従って、均一にエッ
ジのとれたチップを切断することができる。また、本発
明に係わる半導体ウエハのダイシング装置は、Ｖ溝を形
成しながら溝幅が許容範囲に入るような機能を有してい
るので、半導体ウエハ等の厚さにばらつきがある場合等
にも適用することができる。
【図１】本実施例に係わる半導体ウエハのダイシング装
置の構成を示す概略図である。
置の構成を示す概略図である。
【図２】半導体ウエハのスクライブライン及び撮像領域
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】Ｖ溝幅とその許容範囲を示す図である。
【図４】本実施例に係わる半導体ウエハのダイシング方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図５】他の実施例に係わる半導体ウエハのダイシング
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図６】別の実施例に係わる半導体ウエハのダイシング
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図７】従来の半導体ウエハのダイシング方法を説明す
る図である。
る図である。
１０：ダイシング装置 １１：半導体ウエハ １２：ダイシングブレード（切断手段） １３：ウエハ固定テーブル（ウエハ固定手段） １５：主軸ヘッド １８：ウエハ固定面 １９：ダイシングテープ ２０：ＣＣＤカメラ（撮像手段） ２１：Ａ／Ｄ変換器 ２２：コンピュータ（画像処理手段） ２３：コントローラ（制御手段） ２５：洗浄水ノズル ２６：洗浄水除去装置 ２７：ガス噴射ノズル ２８：チップ ３０：コレット
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面にＶ形の溝を形成す
ると共にＶ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の範囲に入る
ように制御し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導体ウエハを
切断することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方
法。 - 【請求項２】 一のＶ溝を形成している間に、隣接する
Ｖ溝の周辺を撮像してその画像情報を取り込み、該画像
情報を画像処理することにより前記Ｖ溝幅を検出するこ
とを特徴とする請求項１の半導体ウエハのダイシング方
法。 - 【請求項３】 一のＶ溝を形成すると同時に該Ｖ溝の周
辺を撮像してその画像情報を取り込み、該画像情報を画
像処理することにより前記Ｖ溝幅を検出することを特徴
とする請求項１の半導体ウエハのダイシング方法。 - 【請求項４】 半導体ウエハの表面にＶ形の溝を形成し
た後、Ｖ溝幅を検出し、該Ｖ溝幅が所定の範囲に入るよ
うに調整し、しかる後該Ｖ溝に沿って半導体ウエハを切
断することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方
法。 - 【請求項５】 円周断面がＶ形の円板状ブレードを回転
して半導体ウエハの表面にＶ形の溝を形成することを特
徴とする請求項１又は４の半導体ウエハのダイシング方
法。 - 【請求項６】 円周断面が方形の円板状ブレードを回転
して半導体ウエハの切断を行なうことを特徴とする請求
項１又は４の半導体ウエハのダイシング方法。 - 【請求項７】 ブレードの厚さがＶ溝幅の最小値より薄
いことを特徴とする請求項６の半導体ウエハのダイシン
グ方法。 - 【請求項８】 半導体ウエハの表面にＶ溝を形成する手
段と、半導体ウエハを切断する切断手段と、半導体ウエ
ハが固定されるウエハ固定面を有すると共に、該ウエハ
固定面と前記Ｖ溝形成手段の相対位置が調整されるよう
になっているウエハ固定手段と、前記ウエハ固定面上に
固定された半導体ウエハを撮像してその画像情報を取り
込む撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像情報
を画像処理してＶ溝の幅を検出する画像処理手段と、前
記画像処理手段により検出されたＶ溝幅を入力し、前記
半導体ウエハとＶ溝形成手段との相対位置を制御する制
御手段とを備える半導体ウエハのダイシング装置であっ
て、Ｖ溝を形成すると共にＶ溝幅の検出、Ｖ溝幅の制御
及び半導体ウエハの切断を行なうようになっていること
を特徴とする半導体ウエハのダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17235894A JPH0837168A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体ウエハのダイシング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17235894A JPH0837168A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体ウエハのダイシング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837168A true JPH0837168A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15940430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17235894A Pending JPH0837168A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体ウエハのダイシング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837168A (ja) |
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-
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- 1994-07-25 JP JP17235894A patent/JPH0837168A/ja active Pending
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