JPH0834130B2 - シンクロトロン放射光発生装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置Info
- Publication number
- JPH0834130B2 JPH0834130B2 JP1060979A JP6097989A JPH0834130B2 JP H0834130 B2 JPH0834130 B2 JP H0834130B2 JP 1060979 A JP1060979 A JP 1060979A JP 6097989 A JP6097989 A JP 6097989A JP H0834130 B2 JPH0834130 B2 JP H0834130B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion pump
- duct
- magnetic field
- charged particle
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 title claims description 22
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 claims description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 11
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/04—Magnet systems, e.g. undulators, wigglers; Energisation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光発生装置（以下SOR装
置と略す）に係り、特に、工業用の小型SOR装置に好適
なSOR装置に関する。
置と略す）に係り、特に、工業用の小型SOR装置に好適
なSOR装置に関する。
従来のSOR装置は、例えば分子科学研究所発行（昭和5
7年12月）の文献「UVSORストレージリング」の第56〜57
頁に記載のように、荷電粒子ビームを軌道に対して曲げ
て放射光（以下、SOR光と略す）を取出す偏向部には、
その偏向部荷電粒子ビームダクトの内部にイオンポンプ
を組込んでいる他はポンプを設置していない。
7年12月）の文献「UVSORストレージリング」の第56〜57
頁に記載のように、荷電粒子ビームを軌道に対して曲げ
て放射光（以下、SOR光と略す）を取出す偏向部には、
その偏向部荷電粒子ビームダクトの内部にイオンポンプ
を組込んでいる他はポンプを設置していない。
これは、従来のストレージリングがある程度以上大き
いために直線部の荷電粒子ビームダクトにスペース的な
余裕があり、イオンポンプ、及びチタンゲツタポンプ等
の取付けが容易なためである。
いために直線部の荷電粒子ビームダクトにスペース的な
余裕があり、イオンポンプ、及びチタンゲツタポンプ等
の取付けが容易なためである。
ところで、従来のSOR装置は、学術用のため敷地面
積，建設コスト等はある程度の規模まで許されるが、工
業用のSOR装置を製作する場合、敷地面積，建設コスト
等から従来と比較して相当に小形化する必要がある。
積，建設コスト等はある程度の規模まで許されるが、工
業用のSOR装置を製作する場合、敷地面積，建設コスト
等から従来と比較して相当に小形化する必要がある。
このために、一偏向部当りの電子を偏向する角度も大
きくなり、従つて、偏向電磁石の磁場強度も相当に上げ
る必要上から、通常，超電導電磁石が用いられる。又、
ストレージリングの小形化に伴い直線部の荷電粒子ビー
ムダクトにはRFギヤビテイ，インフレクタ等が設置され
る関係上、直線部の荷電粒子ビームダクトにポンプを必
要数分設置するスペース的余裕がなく、偏向部電磁石外
周のSOR光導出ダクトにもイオンポンプを設置する必要
が生じる。
きくなり、従つて、偏向電磁石の磁場強度も相当に上げ
る必要上から、通常，超電導電磁石が用いられる。又、
ストレージリングの小形化に伴い直線部の荷電粒子ビー
ムダクトにはRFギヤビテイ，インフレクタ等が設置され
る関係上、直線部の荷電粒子ビームダクトにポンプを必
要数分設置するスペース的余裕がなく、偏向部電磁石外
周のSOR光導出ダクトにもイオンポンプを設置する必要
が生じる。
この例を第７図に示す。
第７図は、SOR装置における真空排気システムを構成
した工業用小型SOR装置の偏向部を示す。該図におい
て、１は荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形
成するための偏向部荷電粒子ビームダクト（偏向ダク
ト）である。本例では偏向部１個所あたりの偏向角を18
0゜として２個所の偏向部と真空部で周回軌道を構成し
ているため、偏向ダクト１は半リング形状をしており、
偏向ダクト１の中心軸と磁界の中心がほぼ一致するよう
に、Ｃ字形状をした偏向電磁石２の鉄芯が包囲してい
る。
した工業用小型SOR装置の偏向部を示す。該図におい
て、１は荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形
成するための偏向部荷電粒子ビームダクト（偏向ダク
ト）である。本例では偏向部１個所あたりの偏向角を18
0゜として２個所の偏向部と真空部で周回軌道を構成し
ているため、偏向ダクト１は半リング形状をしており、
偏向ダクト１の中心軸と磁界の中心がほぼ一致するよう
に、Ｃ字形状をした偏向電磁石２の鉄芯が包囲してい
る。
又、前記偏向ダクト１の外周側には、窓3aから取出し
たSOR光をSOR装置外に導出するためのSOR光導出ダクト
３が、荷電粒子ビーム軌道面に対して平行、且つ偏向ダ
クト１に対して接線方向に、偏向電磁石２の鉄芯を貫通
して伸びている。SOR光導出ダクト３の外側端部は、ゲ
ートバルブ５、及び閉止フランジ６によつて封止してあ
り、１例として１本だけについて図示してあるように、
必要に応じてSOR光ユーザが使用するSOR光ビームライン
７に閉止フランジ６を除去して接続される。
たSOR光をSOR装置外に導出するためのSOR光導出ダクト
３が、荷電粒子ビーム軌道面に対して平行、且つ偏向ダ
クト１に対して接線方向に、偏向電磁石２の鉄芯を貫通
して伸びている。SOR光導出ダクト３の外側端部は、ゲ
ートバルブ５、及び閉止フランジ６によつて封止してあ
り、１例として１本だけについて図示してあるように、
必要に応じてSOR光ユーザが使用するSOR光ビームライン
７に閉止フランジ６を除去して接続される。
そして、偏向電磁石２の鉄芯の外枠とゲートバルブ５
間のSOR光導出ダクト３壁にイオンポンプ４が設置され
ている。
間のSOR光導出ダクト３壁にイオンポンプ４が設置され
ている。
第８図にこのイオンポンプの概略構造を示す。
該図において、８はイオンポンプケースであり、この
イオンポンプケース８の内部には、多数の空洞状陽極９
と、その両側に陰極10とが配置され、電源11と図示の如
く結線されている。そして、ポンプケース８の外側に
は、磁石12が取付られており、前記空洞状陽極９の軸方
向と磁石12の磁場方向13とを一致させてある。
イオンポンプケース８の内部には、多数の空洞状陽極９
と、その両側に陰極10とが配置され、電源11と図示の如
く結線されている。そして、ポンプケース８の外側に
は、磁石12が取付られており、前記空洞状陽極９の軸方
向と磁石12の磁場方向13とを一致させてある。
この理由は、陽極９の中で電子がイオンポンプの主磁
場に絡みつきながら電子サイクロトロン運動を行いつつ
陽極９の空洞内をイオンポンプ主磁場の方向13に移動せ
るも、両端の陰極10の電場で陽極９内に押し返され、結
局電子は陽極９の空洞内に閉じ込められて電子雲を形成
する。
場に絡みつきながら電子サイクロトロン運動を行いつつ
陽極９の空洞内をイオンポンプ主磁場の方向13に移動せ
るも、両端の陰極10の電場で陽極９内に押し返され、結
局電子は陽極９の空洞内に閉じ込められて電子雲を形成
する。
この電子雲の中に被排気ガス分子が飛び込むと電子と
衝突してガス分子がイオン化され、イオンは陽極９の出
口で陰極10の電場で引寄せられ排気作用が行われる。
衝突してガス分子がイオン化され、イオンは陽極９の出
口で陰極10の電場で引寄せられ排気作用が行われる。
従つて、排気作用を良好に行なわせるためには、空洞
状陽極９の軸方向とイオンポンプ主磁場の方向13とを一
致させて、電子雲を陽極９内に閉じ込めておくことが重
要である。
状陽極９の軸方向とイオンポンプ主磁場の方向13とを一
致させて、電子雲を陽極９内に閉じ込めておくことが重
要である。
上述した構成のイオンポンプを偏向電磁石の外周側の
SOR光導出ダクトの途中に設けているが、偏向電磁石に
は漏洩磁場（第６図に矢印14で示す）があるため、上述
の如く、排気作用を良好に行なわせるために、空洞状陽
極の軸方向とイオンポンプの主磁場方向とを一致させ
て、電子雲を陽極内に閉じ込めようとしても、偏向電磁
石の漏洩磁場がイオンポンプまでおよび陽極内に電子雲
を閉じ込めておくことができなくなり、結局、イオンポ
ンプの排気性能を大幅に低下させてしまい、特に、偏向
電磁石を超電導磁石で形成した場合にこの傾向が顕著で
ある。
SOR光導出ダクトの途中に設けているが、偏向電磁石に
は漏洩磁場（第６図に矢印14で示す）があるため、上述
の如く、排気作用を良好に行なわせるために、空洞状陽
極の軸方向とイオンポンプの主磁場方向とを一致させ
て、電子雲を陽極内に閉じ込めようとしても、偏向電磁
石の漏洩磁場がイオンポンプまでおよび陽極内に電子雲
を閉じ込めておくことができなくなり、結局、イオンポ
ンプの排気性能を大幅に低下させてしまい、特に、偏向
電磁石を超電導磁石で形成した場合にこの傾向が顕著で
ある。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的と
するところは、偏向電磁石からの漏洩磁場があつても、
イオンポンプの排気性能を損うことのないようにしたSO
R装置を提供するにある。
するところは、偏向電磁石からの漏洩磁場があつても、
イオンポンプの排気性能を損うことのないようにしたSO
R装置を提供するにある。
上記目的は、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポン
プの主磁界方向、又はイオンポンプの空洞状陽極の軸方
向とをほぼ一致させることにより達成されるが、具体的
にはイオンポンプを上記のように設置すればよく、イオ
ンポンプの位置はSOR光導出ダクトの下側であつても、
側方であつてもよい。
プの主磁界方向、又はイオンポンプの空洞状陽極の軸方
向とをほぼ一致させることにより達成されるが、具体的
にはイオンポンプを上記のように設置すればよく、イオ
ンポンプの位置はSOR光導出ダクトの下側であつても、
側方であつてもよい。
上記構成とすることにより、イオンポンプの主磁場に
偏向電磁石の漏洩磁場が合成されることになり、これに
より、イオンポンプ内の磁場強度が増す。
偏向電磁石の漏洩磁場が合成されることになり、これに
より、イオンポンプ内の磁場強度が増す。
通常、磁界中の電子サイクロトロン周波数は次式で表
わされる。
わされる。
ここで、 B:磁束密度 e:電子の電荷量 m:電子の質量 磁束密度Ｂの大きさに比例して、電子サイクロトロン
の周波数が高くなるため、被排気ガス分子と電子との
衝突回数も増える結果、排気性能も向上することにな
る。
の周波数が高くなるため、被排気ガス分子と電子との
衝突回数も増える結果、排気性能も向上することにな
る。
以下、図示した実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
る。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
第１図、及び第２図に本発明の一実施例を示す。SOR
装置の詳細構造については、第７図を用いて説明したの
で、ここでの詳細説明は省略する。
装置の詳細構造については、第７図を用いて説明したの
で、ここでの詳細説明は省略する。
該図を用いて概略構成を説明すると、超電導偏向電磁
石２の内部には、電子蓄積用の偏向部荷電粒子ビームダ
クト１が組込まれ、この偏向部荷電粒子ビームダクト１
の外周にはSOR光導出ダクト３が設けられ、SOR光ビーム
ライン７と接続されている。イオンポンプ４は超電導偏
向電磁石２の外周側位置で、SOR光導出ダクト３より分
岐して途中に取付けられている。
石２の内部には、電子蓄積用の偏向部荷電粒子ビームダ
クト１が組込まれ、この偏向部荷電粒子ビームダクト１
の外周にはSOR光導出ダクト３が設けられ、SOR光ビーム
ライン７と接続されている。イオンポンプ４は超電導偏
向電磁石２の外周側位置で、SOR光導出ダクト３より分
岐して途中に取付けられている。
そして、本実施例ではイオンポンプ４を、該イオンポ
ンプ４の主磁場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14
の方向と平面上ほぼ一致するよう配置してある。しか
も、イオンポンプ４の取付けは、SOR光導出ダクト３の
下側に位置するようにしている。イオンポンプ４の主磁
場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ
一致しているということは、上述の第８図を用いて説明
した如く、イオンポンプ４の磁場方向13と空洞状陽極９
の軸方向とが一致していることから、空洞状陽極９の軸
方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向と一致し
ていることであり、イオンポンプ４を、空洞状陽極９の
軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ
一致するように配置したことにもなる。
ンプ４の主磁場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14
の方向と平面上ほぼ一致するよう配置してある。しか
も、イオンポンプ４の取付けは、SOR光導出ダクト３の
下側に位置するようにしている。イオンポンプ４の主磁
場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ
一致しているということは、上述の第８図を用いて説明
した如く、イオンポンプ４の磁場方向13と空洞状陽極９
の軸方向とが一致していることから、空洞状陽極９の軸
方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向と一致し
ていることであり、イオンポンプ４を、空洞状陽極９の
軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ
一致するように配置したことにもなる。
又、イオンポンプケース８内に多数の空洞状陽極９
と、その両側に陰極10とが配置され、更に前記イオンポ
ンプケース８の外側に磁石12が設置されて形成されるイ
オンポンプ４にあつては、前記空洞状陽極９の軸方向、
又は前記磁石12の磁場方向13を超電導偏向電磁石２の漏
洩磁場14の方向とほぼ一致するように形成配置されるこ
とにもなる。
と、その両側に陰極10とが配置され、更に前記イオンポ
ンプケース８の外側に磁石12が設置されて形成されるイ
オンポンプ４にあつては、前記空洞状陽極９の軸方向、
又は前記磁石12の磁場方向13を超電導偏向電磁石２の漏
洩磁場14の方向とほぼ一致するように形成配置されるこ
とにもなる。
第２図は、SOR装置における偏向部の側面を示したも
ので、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁場14が図示の如
く下側から上側に発生し、イオンポンプ４内をある傾斜
をもつて貫通する。漏洩磁場14がある傾きを持つこと
は、半径方向の磁場以外に鉛直方向成分及び接線方向成
分を有するためであり、これ等の影響を実際の数値例で
検討すると以下の通りになる。
ので、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁場14が図示の如
く下側から上側に発生し、イオンポンプ４内をある傾斜
をもつて貫通する。漏洩磁場14がある傾きを持つこと
は、半径方向の磁場以外に鉛直方向成分及び接線方向成
分を有するためであり、これ等の影響を実際の数値例で
検討すると以下の通りになる。
第３図は、イオンポンプ４の主磁場方向と漏洩磁場成
分及び磁気シールドについて説明するためのものであ
る。
分及び磁気シールドについて説明するためのものであ
る。
超電導偏向電磁石の漏洩磁束密度の半径方向成分を
BR、接線方向成分をBT、鉛直方向成分をBZで表わす。
BR、接線方向成分をBT、鉛直方向成分をBZで表わす。
ここで、イオンポンプの主磁場13はBRの方向に合わせ
て、イオンポンプを超電導偏向電磁石の外周に配置して
ある。
て、イオンポンプを超電導偏向電磁石の外周に配置して
ある。
実施した一例によれば、磁気シールド材15無しの状態
で、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁束密度は、 BR＝0.13 T BT＝0.025T BZ＝0.04 T である。又、イオンポンプ本来の主磁場BIPは BIP＝0.12T である。
で、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁束密度は、 BR＝0.13 T BT＝0.025T BZ＝0.04 T である。又、イオンポンプ本来の主磁場BIPは BIP＝0.12T である。
以上の数値を用いて、第４図に示す合成磁場16と陽極
９の軸との傾き角θを求めると、 となる。
９の軸との傾き角θを求めると、 となる。
以上より、本実施例によればイオンポンプ４の主磁場
13の方向を、超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向と
合わせることにより、イオンポンプ４の陽極９内の磁場
は0.12Tから0.254Tに大きくなり、従つて電子サイクロ
トロン周波数は約２倍高くなり、この分、被排気ガス
をイオン化する回数も増し、イオンポンプの排気性能が
単品時よりも上る。一方、BT,BZ成分で合成磁場16はイ
オンポンプ４の陽極９軸に対してθ＝10.5゜傾くので、
この分、イオンポンプ４の性能は若干低下するも、単品
時よりは、まだ高い排気性能を得ることができる。尚、
第４図における符号17は電子である。
13の方向を、超電導偏向電磁石２の漏洩磁場14の方向と
合わせることにより、イオンポンプ４の陽極９内の磁場
は0.12Tから0.254Tに大きくなり、従つて電子サイクロ
トロン周波数は約２倍高くなり、この分、被排気ガス
をイオン化する回数も増し、イオンポンプの排気性能が
単品時よりも上る。一方、BT,BZ成分で合成磁場16はイ
オンポンプ４の陽極９軸に対してθ＝10.5゜傾くので、
この分、イオンポンプ４の性能は若干低下するも、単品
時よりは、まだ高い排気性能を得ることができる。尚、
第４図における符号17は電子である。
第３図にはさらにイオンポンプを磁性材15でシールド
した構造を示しているが、この磁性材15による磁気シー
ルドの効果を以下検討する。
した構造を示しているが、この磁性材15による磁気シー
ルドの効果を以下検討する。
前記、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁場14の作用す
るイオンポンプ４に、厚み12mmの鋼板を被せることによ
り、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁場の大きさは下
記の通り小さくなる。
るイオンポンプ４に、厚み12mmの鋼板を被せることによ
り、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁場の大きさは下
記の通り小さくなる。
BR＝0.035T BT＝0.0 Ｔ BZ＝0.005T 前記同様に傾き角θは、 以上より、イオンポンプ４に磁気シールドを追加した
実施例によれば、イオンポンプ４内の磁場の大きさを単
品時の0.12Tから0.155Tに増し、この分、イオンポンプ
４の排気性能を上げることができた。
実施例によれば、イオンポンプ４内の磁場の大きさを単
品時の0.12Tから0.155Tに増し、この分、イオンポンプ
４の排気性能を上げることができた。
尚、この場合の合成磁場の傾きは1.8゜と小さく無視
し得る。
し得る。
第５図、及び第６図は、本発明の他の実施例を示すも
ので、イオンポンプ４を超電導偏向電磁石２の中心水平
位置で、かつ、SOR光導出ダクト３の側方に配置したも
のである。
ので、イオンポンプ４を超電導偏向電磁石２の中心水平
位置で、かつ、SOR光導出ダクト３の側方に配置したも
のである。
この場合も、イオンポンプ４の主磁場方向と超電導偏
向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ一致させてある。
向電磁石２の漏洩磁場14の方向とほぼ一致させてある。
尚、上述した各実施例では、イオンポンプに磁石を内
蔵したものについて説明したが、磁石を内蔵しないイオ
ンポンプを用い、この磁石による作用を、偏向電磁石の
漏洩磁場で行なわせることによつても同様な効果が得ら
れることは勿論である。
蔵したものについて説明したが、磁石を内蔵しないイオ
ンポンプを用い、この磁石による作用を、偏向電磁石の
漏洩磁場で行なわせることによつても同様な効果が得ら
れることは勿論である。
以上説明した本発明のシンクロトロン放射光発生装置
によれば、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポンプの
主磁界方向とをほぼ一致させたものであるから、イオン
ポンプの主磁場に偏向電磁石の漏洩磁場が合成されるこ
とになり、偏向電磁石からの漏洩磁場があつてもイオン
ポンプの排気性能を損うことがなく、むしろ、イオンポ
ンプの排気性能を向上させることができ、此種小型SOR
装置には非常に有効である。
によれば、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポンプの
主磁界方向とをほぼ一致させたものであるから、イオン
ポンプの主磁場に偏向電磁石の漏洩磁場が合成されるこ
とになり、偏向電磁石からの漏洩磁場があつてもイオン
ポンプの排気性能を損うことがなく、むしろ、イオンポ
ンプの排気性能を向上させることができ、此種小型SOR
装置には非常に有効である。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光発生装置の一実
施例を示す平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は
漏洩磁場成分とイオンポンプの配置関係、及び磁気シー
ルドを説明するためのイオンポンプの部分断面斜視図、
第４図は陽極と合成磁場の傾きの関係を説明するための
図、第５図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６図
は第５図の側面図、第７図は従来例を示す平面図、第８
図はイオンポンプの構成を示す断面図である。 １……偏向部荷電粒子ビームダクト、２……超電導偏向
電磁石、３……放射光導出ダクト、４……イオンポン
プ、８……イオンポンプケース、９……陽極、10……陰
極、11……電源、12……磁石、13……イオンポンプの主
磁場、14……漏洩磁場、15……磁気シールド材。
施例を示す平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は
漏洩磁場成分とイオンポンプの配置関係、及び磁気シー
ルドを説明するためのイオンポンプの部分断面斜視図、
第４図は陽極と合成磁場の傾きの関係を説明するための
図、第５図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６図
は第５図の側面図、第７図は従来例を示す平面図、第８
図はイオンポンプの構成を示す断面図である。 １……偏向部荷電粒子ビームダクト、２……超電導偏向
電磁石、３……放射光導出ダクト、４……イオンポン
プ、８……イオンポンプケース、９……陽極、10……陰
極、11……電源、12……磁石、13……イオンポンプの主
磁場、14……漏洩磁場、15……磁気シールド材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池口 隆 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 松本 学 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 上田 新次郎 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 小針 利明 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 高橋 孝夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 早坂 東亜 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 北山 豊樹 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−226600（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−121242（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、
かつ、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成
する偏向部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子
ビームダクトの外周側に放射光を外部に取出すために接
続されている少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前
記偏向荷電磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途
中に接続されているイオンポンプとを備えたシンクロト
ロン放射光発生装置において、 前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向と前記イオンポンプの
主磁界方向とがほぼ一致するようにしたことを特徴とす
るシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項２】偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、
かつ、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成
する偏向部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子
ビームダクトの外周側に放射光を外部に取出すために接
続されている少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前
記偏向電磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中
に接続されているイオンポンプとを備えたシンクロトロ
ン放射光発生装置において、 前記イオンポンプを、該イオンポンプの主磁界方向と前
記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とがほぼ一致するように
配置したことを特徴とするシンクロトロン放射光発生装
置。 - 【請求項３】偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、
かつ、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成
する偏向部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子
ビームダクトの外周側に放射光を外部に取出すために接
続されている少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前
記偏向電磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中
に接続されているイオンポンプとを備えたシンクロトロ
ン放射光発生装置において、 前記イオンポンプを、該イオンポンプの主磁界方向と前
記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とがほぼ一致するよう
に、前記放射光導出ダクトの下側に配置したことを特徴
とするシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項４】偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、
かつ、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成
する偏向部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子
ビームダクトの外周側に放射光を外部に取出すために接
続されている少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前
記偏向電磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中
に接続されているイオンポンプとを備えたシンクロトロ
ン放射光発生装置において、 前記イオンポンプを、該イオンポンプの主磁界方向と前
記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とがほぼ一致するよう
に、前記放射光導出ダクトの側方に配置したことを特徴
とするシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項５】偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、
かつ、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成
する偏向部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子
ビームダクトの外周側に放射光を外部に取出すために接
続されている少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前
記偏向荷電磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途
中に接続され、イオンポンプケース内に多数の空洞状陽
極、その両側に陰極が配置されて形成されるイオンポン
プとを備えたシンクロトロン放射光発生装置において、 前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向と前記イオンポンプの
空洞状陽極の軸方向とがほぼ一致するようにしたことを
特徴とするシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項６】前記偏向電磁石は、超電導偏向電磁石であ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のシ
ンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項７】前記イオンポンプは、その周囲が磁気シー
ルド材で覆われていることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載のシンクロトロン放射光発生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060979A JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
| US07/490,450 US5036290A (en) | 1989-03-15 | 1990-03-08 | Synchrotron radiation generation apparatus |
| DE69019769T DE69019769T2 (de) | 1989-03-15 | 1990-03-12 | Vorrichtung zur Synchrotronstrahlungserzeugung. |
| EP90302611A EP0388123B1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-12 | Synchrotron radiation generation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060979A JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242600A JPH02242600A (ja) | 1990-09-26 |
| JPH0834130B2 true JPH0834130B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=13158056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060979A Expired - Fee Related JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5036290A (ja) |
| EP (1) | EP0388123B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0834130B2 (ja) |
| DE (1) | DE69019769T2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2156998C (en) | 1990-02-05 | 1999-02-16 | Donald E. Raterman | Method and apparatus for currency discrimination and counting |
| EP2259664B1 (en) | 2004-07-21 | 2017-10-18 | Mevion Medical Systems, Inc. | A programmable radio frequency waveform generator for a synchrocyclotron |
| US20060045754A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Peter Lukens | Ion pump for cryogenic magnet apparatus |
| EP2389981A3 (en) | 2005-11-18 | 2012-03-07 | Still River Systems, Inc. | Charged particle radiation therapy |
| US8003964B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-08-23 | Still River Systems Incorporated | Applying a particle beam to a patient |
| US8581523B2 (en) | 2007-11-30 | 2013-11-12 | Mevion Medical Systems, Inc. | Interrupted particle source |
| US8933650B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-01-13 | Mevion Medical Systems, Inc. | Matching a resonant frequency of a resonant cavity to a frequency of an input voltage |
| TW201438787A (zh) | 2012-09-28 | 2014-10-16 | Mevion Medical Systems Inc | 控制粒子治療 |
| CN104813749B (zh) | 2012-09-28 | 2019-07-02 | 梅维昂医疗***股份有限公司 | 控制粒子束的强度 |
| JP6254600B2 (ja) | 2012-09-28 | 2017-12-27 | メビオン・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド | 粒子加速器 |
| US10254739B2 (en) | 2012-09-28 | 2019-04-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Coil positioning system |
| US9681531B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-06-13 | Mevion Medical Systems, Inc. | Control system for a particle accelerator |
| US9622335B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-04-11 | Mevion Medical Systems, Inc. | Magnetic field regenerator |
| TW201422279A (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-16 | Mevion Medical Systems Inc | 聚焦粒子束 |
| TW201433331A (zh) | 2012-09-28 | 2014-09-01 | Mevion Medical Systems Inc | 線圈位置調整 |
| CN104812444B (zh) | 2012-09-28 | 2017-11-21 | 梅维昂医疗***股份有限公司 | 粒子束的能量调节 |
| US8791656B1 (en) | 2013-05-31 | 2014-07-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Active return system |
| US9730308B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-08-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Particle accelerator that produces charged particles having variable energies |
| CN110237447B (zh) | 2013-09-27 | 2021-11-02 | 梅维昂医疗***股份有限公司 | 粒子治疗*** |
| US10675487B2 (en) | 2013-12-20 | 2020-06-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Energy degrader enabling high-speed energy switching |
| US9962560B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-05-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Collimator and energy degrader |
| US9661736B2 (en) | 2014-02-20 | 2017-05-23 | Mevion Medical Systems, Inc. | Scanning system for a particle therapy system |
| US9950194B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-04-24 | Mevion Medical Systems, Inc. | Patient positioning system |
| US10786689B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-09-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Adaptive aperture |
| WO2017155856A1 (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Viewray Technologies, Inc. | Magnetic field compensation in a linear accelerator |
| US10925147B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-02-16 | Mevion Medical Systems, Inc. | Treatment planning |
| US11103730B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-08-31 | Mevion Medical Systems, Inc. | Automated treatment in particle therapy |
| EP3645111A1 (en) | 2017-06-30 | 2020-05-06 | Mevion Medical Systems, Inc. | Configurable collimator controlled using linear motors |
| WO2020185544A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Mevion Medical Systems, Inc. | Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3505281A1 (de) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Magnetfelderzeugende einrichtung |
| JPS62226600A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | 株式会社東芝 | 加速器 |
| JPS63121242A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Toshiba Corp | 加速器のスパツタ・イオン・ポンプ |
| JP2507384B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1996-06-12 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
| US4853640A (en) * | 1987-02-12 | 1989-08-01 | Hitachi, Ltd. | Synchrotron radiation source |
| JPH0712000B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060979A patent/JPH0834130B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-08 US US07/490,450 patent/US5036290A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-12 EP EP90302611A patent/EP0388123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-12 DE DE69019769T patent/DE69019769T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5036290A (en) | 1991-07-30 |
| DE69019769T2 (de) | 1995-12-07 |
| EP0388123A3 (en) | 1991-07-10 |
| DE69019769D1 (de) | 1995-07-06 |
| EP0388123A2 (en) | 1990-09-19 |
| JPH02242600A (ja) | 1990-09-26 |
| EP0388123B1 (en) | 1995-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0834130B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| US5117212A (en) | Electromagnet for charged-particle apparatus | |
| JP4008030B2 (ja) | アイソクロナスサイクロトロンから荷電粒子を抽出する方法及びこの方法を応用する装置 | |
| EP1793407B1 (en) | Multi-beam klystron apparatus | |
| RU2222122C2 (ru) | Электромагнит для управления пучком (варианты) и способ управления пучком с его использованием | |
| JP4276340B2 (ja) | サイクロトロン用電磁石の設計方法及びサイクロトロンシステム | |
| Mertzig et al. | A high-compression electron gun for C6+ production: concept, simulations and mechanical design | |
| US7808182B2 (en) | Electron gun and magnetic circuit for an improved THz electromagnetic source | |
| US20020131542A1 (en) | spherical neutron generator | |
| AU2007201217B2 (en) | Ion detection system with neutral noise suppression | |
| JPH1116525A (ja) | Ｘ線コンピュータトモグラフ装置 | |
| JP2813386B2 (ja) | 荷電粒子装置の電磁石 | |
| Sanin et al. | Development of continuous wave high voltage negative ion beam injector for tandem accelerator | |
| EP0238669B1 (en) | Electron linear accelerator | |
| JP3306877B2 (ja) | 質量分析装置 | |
| JPH02273443A (ja) | 多段加速型荷電粒子線源 | |
| JPH07282998A (ja) | 電子蓄積リング | |
| JP2004241347A (ja) | 円形加速器 | |
| JP2685503B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| JP2791083B2 (ja) | 負イオン源 | |
| Karasawa | Self-shielding type cyclotron | |
| JPH07263194A (ja) | 加速器 | |
| Staten et al. | Formation and acceleration of high-energy neutral beams for magnetic fusion | |
| JPH06124674A (ja) | Ｅｃｒ型イオン源 | |
| JPS63121242A (ja) | 加速器のスパツタ・イオン・ポンプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |