JPH08334782A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH08334782A JPH08334782A JP13940495A JP13940495A JPH08334782A JP H08334782 A JPH08334782 A JP H08334782A JP 13940495 A JP13940495 A JP 13940495A JP 13940495 A JP13940495 A JP 13940495A JP H08334782 A JPH08334782 A JP H08334782A
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- signal supply
- scanning signal
- liquid crystal
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、アクティブマトリク
ス方式を採用したパネル状の液晶表示装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a panel type liquid crystal display device adopting an active matrix system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力、軽
量さと従来のディスプレイにない特徴をもち、中でも画
素毎にスイッチング素子をもつ薄膜トランジスタ（Thin
-Film-Transistor、以下ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置は、クロストークの
少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノートパソ
コンのディスプレイやカーナビゲーションのディスプレ
イ等に使用され、近年急速に利用されるようになってき
た。2. Description of the Related Art A display device using a liquid crystal has low power consumption, light weight, and features not found in conventional displays. Among them, a thin film transistor (thin film transistor) having a switching element for each pixel is used.
-Film-Transistor, hereinafter referred to as TFT) active matrix type liquid crystal display device is used for a laptop computer display, a car navigation display, etc., because a clear image display with less crosstalk can be obtained. It has come to be used rapidly in recent years.
【０００３】以下に、液晶表示装置について一例を用い
て説明する。図２（ａ）は一般的な液晶表示装置の平面
図、図２（ｂ），（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）のＡ−
Ａ′、Ｂ−Ｂ′における断面図である。図中、１はガラ
ス基板である。２は複数個がマトリクス状に配列された
薄膜トランジスタ（スイッチ素子）のゲート電極を兼ね
薄膜トランジスタのゲート電極に走査信号を供給する走
査信号供給配線である。３は走査信号供給配線２から陽
極酸化法によって成長形成された陽極酸化膜、４は陽極
酸化膜３上に堆積形成された上層絶縁膜で、これらが走
査信号供給配線２上に積層した絶縁体層を構成し、薄膜
トランジスタ形成領域では薄膜トランジスタのゲート絶
縁膜となり、蓄積容量形成領域では蓄積容量の誘電体層
となる。A liquid crystal display device will be described below with reference to an example. FIG. 2 (a) is a plan view of a general liquid crystal display device, and FIGS. 2 (b) and 2 (c) are A- in FIG. 2 (a).
It is sectional drawing in A ', BB'. In the figure, 1 is a glass substrate. Reference numeral 2 denotes a scanning signal supply wiring that also serves as a gate electrode of a thin film transistor (switch element) arranged in a matrix and supplies a scanning signal to the gate electrode of the thin film transistor. Reference numeral 3 denotes an anodic oxide film grown from the scanning signal supply wiring 2 by an anodic oxidation method, and 4 denotes an upper layer insulating film deposited and formed on the anodic oxide film 3, which are insulators laminated on the scanning signal supply wiring 2. The layer constitutes a gate insulating film of the thin film transistor in the thin film transistor forming region, and becomes a dielectric layer of the storage capacitor in the storage capacitor forming region.
【０００４】５は複数個がマトリクス状に配列された画
素電極であり、この画素電極５に対応して薄膜トランジ
スタが対応して配列されている。６は画素電極５に連設
され走査信号供給配線２の上に上記陽極酸化膜３および
上層絶縁膜からなる絶縁体層（誘電体膜）を介して重ね
られた蓄積容量電極であり、この蓄積容量電極６は走査
信号供給配線２ならびに陽極酸化膜３および上層絶縁膜
４の２層構造からなる絶縁体層とともに蓄積容量を形成
している。A plurality of pixel electrodes 5 are arranged in a matrix, and thin film transistors are arranged corresponding to the pixel electrodes 5. Reference numeral 6 denotes a storage capacitor electrode that is connected to the pixel electrode 5 and is stacked on the scanning signal supply wiring 2 with an insulating layer (dielectric film) made of the anodic oxide film 3 and the upper insulating film interposed therebetween. The capacitor electrode 6 forms a storage capacitor together with the scanning signal supply wiring 2, the anodic oxide film 3 and the insulating layer having a two-layer structure of the upper insulating film 4.
【０００５】７は薄膜トランジスタのソース電極を兼ね
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間を介して画素電
極５に映像信号を供給する映像信号供給配線である。８
は薄膜トランジスタのチャネル領域を形成するためのア
モルファスシリコン半導体膜である。９は薄膜トランジ
スタのドレイン電極である。１０Ａ，１０Ｂはそれぞれ
ドレイン電極９と画素電極５とを接続し、また画素電極
５と蓄積容量電極６を接続するコンタクトホールであ
る。Reference numeral 7 denotes a video signal supply wiring which also serves as a source electrode of the thin film transistor and supplies a video signal to the pixel electrode 5 through the source and drain of the thin film transistor. 8
Is an amorphous silicon semiconductor film for forming a channel region of a thin film transistor. Reference numeral 9 is a drain electrode of the thin film transistor. 10A and 10B are contact holes that connect the drain electrode 9 and the pixel electrode 5, respectively, and also connect the pixel electrode 5 and the storage capacitor electrode 6.
【０００６】以上のように構成された液晶表示装置につ
いてその動作を説明する。まず、走査信号供給配線２に
電圧が印加され、アモルファスシリコン半導体膜８に薄
膜トランジスタのチャンネルが形成され、映像信号供給
配線７からの画像信号が薄膜トランジスタのチャンネル
を通過しドレイン電極９に流れ込み、コンタクトホール
１０Ａを通じ画素電極５に伝わり、さらにコンタクトホ
ール１０Ｂを通じて蓄積容量電極６に伝わる。The operation of the liquid crystal display device configured as described above will be described. First, a voltage is applied to the scanning signal supply wiring 2, a thin film transistor channel is formed in the amorphous silicon semiconductor film 8, an image signal from the video signal supply wiring 7 passes through the thin film transistor channel and flows into the drain electrode 9, and a contact hole is formed. It is transmitted to the pixel electrode 5 through 10A and further to the storage capacitor electrode 6 through the contact hole 10B.
【０００７】これら一連のスイッチング動作により画素
電極５と平行に対向する共通電極（図示せず）との間に
注入された液晶の配向を任意に可変し光透過率を調整す
ることによって所望の画像を作り出す。一般に、蓄積容
量電極６と走査信号供給配線２との間で蓄積容量を形成
し、画素電極５に画像信号が送られた後スイッチ素子で
ある薄膜トランジスタ（走査信号供給配線２、映像信号
供給配線７、アモルファスシリコン半導体膜８、ドレイ
ン電極９）がオフしてもつぎの画像信号が送り込まれる
タイミングまでの期間画像信号を保持できるような構成
を採っている。上記のように、薄膜トランジスタのゲー
ト絶縁膜と蓄積容量の誘電体膜は同一の絶縁体層で兼用
されている。By a series of these switching operations, the orientation of the liquid crystal injected between the pixel electrode 5 and a common electrode (not shown) facing in parallel is arbitrarily changed to adjust the light transmittance to obtain a desired image. To produce. In general, a storage capacitor is formed between the storage capacitor electrode 6 and the scanning signal supply wiring 2, and after the image signal is sent to the pixel electrode 5, a thin film transistor (scanning signal supply wiring 2, video signal supply wiring 7) which is a switch element. , The amorphous silicon semiconductor film 8 and the drain electrode 9) are turned off, the image signal can be held during the period until the next image signal is sent. As described above, the same insulating layer serves as the gate insulating film of the thin film transistor and the dielectric film of the storage capacitor.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記蓄積容量の存在は
輝度ムラの抑制等画像性能を向上させる一方、走査信号
供給配線２の幅の最小値を制限するなどして画素電極５
の面積を小さくして画素開口率（単位画素当たりの光透
過可能な面積の割合）を下げる要因となり、液晶表示装
置上の画像の明るさを落とすことになる。The existence of the above-mentioned storage capacitor improves the image performance such as suppressing the brightness unevenness, while limiting the minimum value of the width of the scanning signal supply wiring 2 and the like.
Is a factor that reduces the pixel aperture ratio (ratio of the light transmissible area per unit pixel) by reducing the area of the image area, and reduces the brightness of the image on the liquid crystal display device.
【０００９】したがって、この発明の目的は、蓄積容量
値を減少させることなく蓄積容量電極の面積を小さくす
ることができ、画素電極を広く配置して画素開口率を向
上でき、また隣接配線との間隔を広くとって隣接配線間
のショート不良の発生率を下げることができる液晶表示
装置を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to reduce the area of the storage capacitor electrode without reducing the storage capacitor value, to dispose the pixel electrode widely and to improve the aperture ratio of the pixel, and to reduce the gap with the adjacent wiring. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of reducing the occurrence rate of short-circuit defects between adjacent wirings with a wide interval.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、
この複数の画素電極に対応して配列された薄膜トランジ
スタからなる複数のスイッチ素子と、複数のスイッチ素
子のゲート電極を兼ね複数のスイッチ素子に走査信号を
供給する複数の走査信号供給配線と、複数のスイッチ素
子を介して複数の画素電極に映像信号を供給する複数の
映像信号供給配線と、複数の走査信号供給配線上に積層
して複数のスイッチ素子のゲート絶縁膜となる絶縁体層
と、画素電極の各々に連設されるとともに走査信号供給
配線の上に絶縁体層を介して重ねられ走査信号供給配線
および絶縁体層とともに複数の蓄積容量を形成する複数
の蓄積容量電極とを備え、絶縁体層の蓄積容量誘電体領
域の上層を除去して下層を残したことを特徴とする。A liquid crystal display device according to claim 1, comprising a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix.
A plurality of switch elements composed of thin film transistors arranged corresponding to the plurality of pixel electrodes; a plurality of scan signal supply wirings which also serve as gate electrodes of the plurality of switch elements and which supply a scan signal to the plurality of switch elements; A plurality of video signal supply wirings for supplying a video signal to a plurality of pixel electrodes through the switch element; an insulator layer laminated on the plurality of scanning signal supply wirings to serve as a gate insulating film of the plurality of switch elements; A plurality of storage capacitor electrodes that are connected to each of the electrodes and that are stacked on the scanning signal supply wiring with an insulating layer interposed therebetween to form a plurality of storage capacitors with the scanning signal supply wiring and the insulating layer; It is characterized in that the upper layer of the storage capacitor dielectric region of the body layer is removed and the lower layer is left.
【００１１】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、絶縁体層が走査信号供給
配線の陽極酸化膜とこの陽極酸化膜の上に堆積した上層
絶縁膜の２層構造からなり、絶縁体層の蓄積容量誘電体
領域は上層絶縁膜を除去して陽極酸化膜を残したことを
特徴とする。請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２
記載の液晶表示装置において、走査信号供給配線がＡｌ
（アルミニウム）を主成分としている。A liquid crystal display device according to a second aspect is the first aspect.
In the liquid crystal display device described above, the insulating layer has a two-layer structure of an anodic oxide film of a scanning signal supply wiring and an upper insulating film deposited on the anodic oxide film, and the storage capacitor dielectric region of the insulating layer is an upper layer. The feature is that the insulating film is removed and the anodic oxide film is left. The liquid crystal display device according to claim 3 is the liquid crystal display device according to claim 2.
In the liquid crystal display device described above, the scanning signal supply wiring is made of Al.
(Aluminum) is the main component.
【００１２】[0012]
【作用】この発明の構成によれば、蓄積容量の誘電体層
の厚みを薄くすることにより必要容量を確保し、結果と
して蓄積容量電極の面積（走査信号供給配線幅を含む）
を小さくすることができる。これによって、相対的に画
素電極を大きくすることができ、画素開口率を向上させ
ることができる。また、隣接配線である映像信号供給配
線、ドレイン電極等との距離を離すことができ、この結
果、隣接配線間ショート不良の発生率を低減することが
できる。According to the structure of the present invention, the required capacitance is secured by reducing the thickness of the dielectric layer of the storage capacitor, and as a result, the area of the storage capacitor electrode (including the scanning signal supply wiring width).
Can be made smaller. As a result, the pixel electrode can be made relatively large and the pixel aperture ratio can be improved. In addition, it is possible to increase the distance from the video signal supply wiring, the drain electrode, etc., which are the adjacent wirings, and as a result, it is possible to reduce the occurrence rate of short-circuit defects between the adjacent wirings.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、この発明の一実施例の液晶表示装置に
ついて図面を参照しながら説明する。図１（ａ）はこの
発明の一実施例における液晶表示装置の平面図であり、
図１（ｂ），（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ′、
Ｂ−Ｂ′における断面図である。図中、１はガラス基板
である。２は複数個がマトリクス状に配列された薄膜ト
ランジスタ（スイッチ素子）のゲート電極を兼ね薄膜ト
ランジスタのゲート電極に走査信号を供給する走査信号
供給配線である。３は走査信号供給配線２から陽極酸化
法によって成長形成された陽極酸化膜、４は陽極酸化膜
３上に堆積形成された上層絶縁膜で、これらが走査信号
供給配線２上に積層した絶縁体層を構成し、薄膜トラン
ジスタ形成領域では薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と
なり、蓄積容量形成領域では蓄積容量の誘電体層とな
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
1 (b) and 1 (c) are respectively AA 'and
It is sectional drawing in BB '. In the figure, 1 is a glass substrate. Reference numeral 2 denotes a scanning signal supply wiring that also serves as a gate electrode of a thin film transistor (switch element) arranged in a matrix and supplies a scanning signal to the gate electrode of the thin film transistor. 3 is an anodic oxide film grown from the scanning signal supply wiring 2 by an anodic oxidation method, 4 is an upper layer insulating film deposited and formed on the anodic oxide film 3, and these are insulators laminated on the scanning signal supply wiring 2. The layer constitutes a gate insulating film of the thin film transistor in the thin film transistor forming region, and becomes a dielectric layer of the storage capacitor in the storage capacitor forming region.
【００１４】５は複数個がマトリクス状に配列された画
素電極であり、この画素電極５に対応して薄膜トランジ
スタが対応して配列されている。６は画素電極５に連設
され走査信号供給配線２の上に上記陽極酸化膜３および
上層絶縁膜からなる絶縁体層（誘電体膜）を介して重ね
られた蓄積容量電極であり、この蓄積容量電極６は走査
信号供給配線２ならびに陽極酸化膜３および上層絶縁膜
４の２層構造からなる絶縁体層とともに蓄積容量を形成
している。A plurality of pixel electrodes 5 are arranged in a matrix, and thin film transistors are arranged corresponding to the pixel electrodes 5. Reference numeral 6 denotes a storage capacitor electrode that is connected to the pixel electrode 5 and is stacked on the scanning signal supply wiring 2 with an insulating layer (dielectric film) made of the anodic oxide film 3 and the upper insulating film interposed therebetween. The capacitor electrode 6 forms a storage capacitor together with the scanning signal supply wiring 2, the anodic oxide film 3 and the insulating layer having a two-layer structure of the upper insulating film 4.
【００１５】７は薄膜トランジスタのソース電極を兼ね
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間を介して画素電
極５に映像信号を供給する映像信号供給配線である。８
は薄膜トランジスタのチャネル領域を形成するためのア
モルファスシリコン半導体膜である。９は薄膜トランジ
スタのドレイン電極である。１０Ａ，１０Ｂはそれぞれ
ドレイン電極９と画素電極５とを接続し、また画素電極
５と蓄積容量電極６を接続するコンタクトホールであ
る。１１は上層絶縁体層４に蓄積容量形成領域で開口を
設け蓄積容量の誘電体層の厚みを薄くするためのコンタ
クトホールである。Reference numeral 7 is a video signal supply wiring which also serves as a source electrode of the thin film transistor and supplies a video signal to the pixel electrode 5 through the source and drain of the thin film transistor. 8
Is an amorphous silicon semiconductor film for forming a channel region of a thin film transistor. Reference numeral 9 is a drain electrode of the thin film transistor. 10A and 10B are contact holes that connect the drain electrode 9 and the pixel electrode 5, respectively, and also connect the pixel electrode 5 and the storage capacitor electrode 6. Reference numeral 11 is a contact hole for forming an opening in the storage capacitor forming region in the upper insulating layer 4 to reduce the thickness of the dielectric layer of the storage capacitor.
【００１６】このような構成の液晶表示装置の作成方法
としてまず、ガラス基板１上に走査信号供給配線２と画
素電極５を作成する。走査信号供給配線材料にはＡｌを
用い、画素電極材料にはインジウム・錫酸化膜（ＩＴ
Ｏ）を用い、スパッタリング成膜法にて薄膜堆積を行い
フォトリソ工程、エッチング工程にて走査信号供給配線
２と画素電極５のパターニングを行う。As a method of manufacturing the liquid crystal display device having such a structure, first, the scanning signal supply wiring 2 and the pixel electrode 5 are formed on the glass substrate 1. Al is used for the scanning signal supply wiring material, and indium tin oxide film (IT) is used for the pixel electrode material.
O) is used to deposit a thin film by a sputtering film forming method, and the scanning signal supply wiring 2 and the pixel electrode 5 are patterned by a photolithography process and an etching process.
【００１７】つぎに、走査信号供給配線２上に選択的に
陽極酸化工法を用い陽極酸化膜３（ＡｌＯX ）を成長形
成させる。つぎに、プラズマ化学気相堆積装置にて窒化
珪素膜からなる上層絶縁膜４およびアモルファスシリコ
ン半導体膜８を連続堆積し、薄膜トランジスタのチャン
ネルを形成するためにアモルファスシリコン半導体膜８
のパターニングをする。Next, the anodic oxide film 3 (AlO x ) is selectively grown on the scanning signal supply wiring 2 by the anodic oxidation method. Next, the upper layer insulating film 4 made of a silicon nitride film and the amorphous silicon semiconductor film 8 are continuously deposited by a plasma chemical vapor deposition apparatus, and the amorphous silicon semiconductor film 8 is formed to form a channel of the thin film transistor.
Patterning.
【００１８】つぎに、上層絶縁膜４にフロンガスを用い
たプラズマエッチング法にて所定の位置にコンタクトホ
ールを形成する。コンタクトホールの位置としては、従
来は画素電極５とドレイン電極９および蓄積容量電極６
とのコンタクト等、電気的導通を必要とする図中のコン
タクトホール１０Ａ，１０Ｂの個所のみであるが、この
発明の実施例では、蓄積容量の誘電体層の一部である上
層絶縁膜４にも同時に、つまり蓄積容量電極６の直下の
部分でかつ走査信号供給配線２の直上の部分にコンタク
トホール１１を形成する。この場合、下層のＡｌＯX 陽
極酸化膜３はフロンガスエッチングに対し十分選択比が
あるためエッチングされずに残り、上層の窒化珪素から
なる上層絶縁膜４のみエッチングされる。結果として蓄
積容量の誘電体層は陽極酸化膜３のみになり、従来例に
比べて上層酸化膜４の分だけ薄くなる。その後、映像信
号供給配線７、ドレイン電極９、蓄積容量電極６となる
金属膜を堆積し、パターニング形成する。この発明の実
施例のＴＦＴスイッチング素子付き基板を用いて液晶表
示装置を製造したところ開口率の高い、隣接配線間ショ
ートの少ない良好な結果が得られた。Next, a contact hole is formed in the upper insulating film 4 at a predetermined position by a plasma etching method using Freon gas. Conventionally, the positions of the contact holes are the pixel electrode 5, the drain electrode 9 and the storage capacitor electrode 6.
In the embodiment of the present invention, the upper insulating film 4 which is a part of the dielectric layer of the storage capacitor is provided only at the contact holes 10A and 10B in the drawing which require electrical conduction, such as contact with. At the same time, that is, the contact hole 11 is formed in a portion immediately below the storage capacitor electrode 6 and immediately above the scanning signal supply wiring 2. In this case, since the lower AlO x anodic oxide film 3 has a sufficient selection ratio with respect to the CFC gas etching, it remains unetched, and only the upper insulating film 4 made of silicon nitride is etched. As a result, the dielectric layer of the storage capacitor is only the anodic oxide film 3, which is thinner than the conventional example by the amount of the upper oxide film 4. After that, a metal film to be the video signal supply wiring 7, the drain electrode 9 and the storage capacitor electrode 6 is deposited and patterned. When a liquid crystal display device was manufactured using the substrate with a TFT switching element of the example of the present invention, good results with a high aperture ratio and a short circuit between adjacent wirings were obtained.
【００１９】このような上層絶縁膜４を除去し陽極酸化
膜３を誘電体層とした構成の液晶表示装置では、蓄積容
量電極６を小さく、また走査信号供給配線２を細くして
も必要な蓄積容量値を確保でき、結果として蓄積容量の
形成面積を２分の１程度に小さくすることが可能であっ
た。In the liquid crystal display device in which the upper insulating film 4 is removed and the anodic oxide film 3 is used as a dielectric layer, it is necessary even if the storage capacitor electrode 6 is made small and the scanning signal supply wiring 2 is made thin. The storage capacitance value can be secured, and as a result, the formation area of the storage capacitance can be reduced to about half.
【００２０】[0020]
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置によれば、
絶縁体層の蓄積容量誘電体領域の上層を除去して下層を
残すことにより、誘電体層の厚みを小さくすることで必
要容量を確保しているので、結果として蓄積容量の形成
面積を小さくすることができる。これにより画素電極を
広く配置することができ、画素開口率の向上に結び付け
ることができる。また、隣接配線との間隔を広くとるこ
とができ、隣接配線間ショート不良の発生率を低減する
ことができる。According to the liquid crystal display device of the first aspect,
Storage capacitor of insulator layer By removing the upper layer of the dielectric region and leaving the lower layer, the required capacitance is secured by reducing the thickness of the dielectric layer, and as a result, the formation area of the storage capacitor is reduced. be able to. As a result, the pixel electrodes can be widely arranged, which can lead to an improvement in the pixel aperture ratio. In addition, the distance between the adjacent wirings can be widened, and the occurrence rate of short-circuit defects between the adjacent wirings can be reduced.
【００２１】請求項２記載の液晶表示装置によれば、絶
縁体層が陽極酸化膜と上層絶縁膜の２層構造であったも
のを、蓄積容量誘電体領域については上層絶縁膜を除去
して陽極酸化膜を残すことで正味の誘電体厚みを小さく
して必要容量を確保しているので、結果として蓄積容量
の形成面積を小さくすることができる。これにより画素
電極を広く配置することができ、画素開口率の向上に結
び付けることができる。また、隣接配線との間隔を広く
取ることができ、隣接配線間ショート不良の発生率を低
減することができた。According to another aspect of the liquid crystal display device of the present invention, the insulating layer has a two-layer structure of an anodic oxide film and an upper insulating film, but the upper insulating film is removed in the storage capacitor dielectric region. By leaving the anodic oxide film, the net dielectric thickness is reduced to secure the required capacitance, and as a result, the formation area of the storage capacitance can be reduced. As a result, the pixel electrodes can be widely arranged, which can lead to an improvement in the pixel aperture ratio. In addition, the distance between the adjacent wirings can be widened, and the occurrence rate of the short circuit defect between the adjacent wirings can be reduced.
【００２２】請求項３の液晶表示装置によれば、上記の
液晶表示装置と同様の効果が得られる。According to the liquid crystal display device of the third aspect, the same effect as that of the above liquid crystal display device can be obtained.
【図１】（ａ）はこの発明の一実施例における液晶表示
装置の平面図、（ｂ），（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）の
Ａ−Ａ′、Ｂ−Ｂ′における断面図である。FIG. 1A is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 1B and 1C are sectional views taken along lines AA ′ and BB ′ of FIG. is there.
【図２】（ａ）は一般的な液晶表示装置の平面図、
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）のＡ−Ａ′、Ｂ−
Ｂ′における断面図である。FIG. 2A is a plan view of a general liquid crystal display device,
(B) and (c) are A-A 'and B- of FIG.
It is sectional drawing in B '.
１ ガラス基板 ２ 走査信号供給配線 ３ 陽極酸化膜 ４ 絶縁膜 ５ 画素電極 ６ 蓄積容量電極 ７ 映像信号供給配線 ８ アモルファスシリコン半導体膜 ９ ドレイン電極 １０Ａ，１０Ｂ コンタクトホール １１ コンタクトホール 1 Glass Substrate 2 Scanning Signal Supply Wiring 3 Anodized Film 4 Insulating Film 5 Pixel Electrode 6 Storage Capacitance Electrode 7 Video Signal Supply Wiring 8 Amorphous Silicon Semiconductor Film 9 Drain Electrodes 10A, 10B Contact Hole 11 Contact Hole
Claims (3)
極と、この複数の画素電極に対応して配列された薄膜ト
ランジスタからなる複数のスイッチ素子と、前記複数の
スイッチ素子のゲート電極を兼ね前記複数のスイッチ素
子に走査信号を供給する複数の走査信号供給配線と、前
記複数のスイッチ素子を介して前記複数の画素電極に映
像信号を供給する複数の映像信号供給配線と、前記複数
の走査信号供給配線上に積層して前記複数のスイッチ素
子のゲート絶縁膜となる絶縁体層と、前記画素電極の各
々に連設されるとともに前記走査信号供給配線の上に前
記絶縁体層を介して重ねられ前記走査信号供給配線およ
び前記絶縁体層とともに複数の蓄積容量を形成する複数
の蓄積容量電極とを備え、前記絶縁体層の蓄積容量誘電
体領域の上層を除去して下層を残したことを特徴とする
液晶表示装置。1. A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a plurality of switch elements composed of thin film transistors arranged corresponding to the plurality of pixel electrodes, and a plurality of gate electrodes of the plurality of switch elements. A plurality of scanning signal supply wirings for supplying a scanning signal to the switch element, a plurality of video signal supply wirings for supplying a video signal to the plurality of pixel electrodes via the plurality of switching elements, and a plurality of the scanning signal supply An insulator layer that is laminated on the wiring and serves as a gate insulating film of the plurality of switch elements, and is connected to each of the pixel electrodes, and is stacked on the scanning signal supply wiring via the insulator layer. A plurality of storage capacitor electrodes that form a plurality of storage capacitors together with the scan signal supply wiring and the insulator layer, and remove the upper layer of the storage capacitor dielectric region of the insulator layer A liquid crystal display device characterized in that the lower layer is left.
膜とこの陽極酸化膜の上に堆積した上層絶縁膜の２層構
造からなり、前記絶縁体層の蓄積容量誘電体領域は上層
絶縁膜を除去して前記陽極酸化膜を残したことを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。2. The insulating layer has a two-layer structure of an anodic oxide film of a scanning signal supply wiring and an upper insulating film deposited on the anodic oxide film, and the storage capacitor dielectric region of the insulating layer is an upper insulating film. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the film is removed and the anodized film is left.
ム）を主成分としている請求項２記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the scanning signal supply wiring contains Al (aluminum) as a main component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940495A JPH08334782A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940495A JPH08334782A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08334782A true JPH08334782A (en) | 1996-12-17 |
Family
ID=15244477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13940495A Pending JPH08334782A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08334782A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2431504A (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate for liquid crystal display with increased storage capacitance |
-
1995
- 1995-06-06 JP JP13940495A patent/JPH08334782A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2431504A (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate for liquid crystal display with increased storage capacitance |
| GB2431504B (en) * | 2005-10-20 | 2009-04-15 | Lg Philiph Lcd Co Ltd | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7943937B2 (en) | 2005-10-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same |
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