JPH08323306A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板を搬送する際に薬液や水分が槽外に飛散
して汚染やパーティクル発生の原因となることを防止す
ること。 【構成】 基板を支持したリフタヘッドＬＨ1を薬液槽
ＣＢ側から水洗槽ＷＢ側に搬送する前に、液面センサ５
５で水洗槽ＷＢ中の純水の液面を監視しながらバルブＶ
4を開放して槽内の純水をドレンする。よって、水洗槽
ＷＢ中の純水の液面に基板やリフタヘッドＬＨ1に付着
した薬液が落下しても、水洗槽ＷＢ中の純水の液面から
反応等によって発散する薬液や水分を含む液滴が水洗槽
ＷＢ中の純水の液面よりもかなり高い位置にある水洗槽
ＷＢの内壁上部に遮られるので、薬液や水分を含む液適
が水洗槽ＷＢ外に飛散することを防止でき、かかる液滴
によって汚染やパーティクルが発生することを防止でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板や液晶ガ
ラス基板などの薄板状の各種基板を処理液に浸漬してこ
の表面に洗浄等の諸処理を施す基板処理装置及び基板処
理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記のような基板処理装置では、
レジスト剥離液、エッチング液などの各種薬液や純水を
処理液として収容する複数の処理槽を備え、これらの処
理槽中に基板を順次浸漬してこの基板に一連の処理を行
っている。ここで、ある薬液を収容する薬液槽中で薬液
処理が終了した基板は、この薬液槽外に一旦搬出された
後、純水で満たされた水洗槽中に浸漬される。そして、
この水洗槽中における基板への純水のシャワー、槽中へ
の純水のアップフロー、槽外への純水のドレン等からな
る水洗処理の諸工程を繰返すことにより、基板表面に付
着した薬液やパーティクルが除去される。

【０００３】さらに、基板に複数回の薬液処理を施す場
合、水洗槽中で水洗処理が終了した基板を、水洗槽外に
一旦搬出した後、前述の薬液槽或いは別の薬液で満たさ
れた別の薬液槽中に再度浸漬して薬液処理を施し、再度
別の水洗槽に浸漬して上記と同様の水洗処理を施す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
装置では、薬液槽側から水洗槽側に基板を搬送する際
や、逆に水洗槽側から薬液槽側に基板を搬送する際に、
薬液槽から持ち出した基板の搬入先である水洗槽中の純
水表面に基板やその支持具に付着した薬液が液滴として
落下したり、或いは水洗槽から持ち出した基板の搬入先
である薬液槽中の薬液表面に基板やその支持具に付着し
た純水が液滴として落下したりする。このように純水表
面に薬液が滴下したり、逆に薬液表面に純水が滴下した
りすると、薬液と純水が落下点で急激に混合・反応し、
特に反応性の高い薬液を用いている場合、薬液や水分が
槽外に飛散して周囲の部品などに付着し、汚染やパーテ
ィクル発生の原因となる。

【０００５】そこで、この発明は、複数の処理槽間で基
板を搬送する際に薬液や水分が槽外に飛散して汚染やパ
ーティクル発生の原因となることを防止できる基板処理
装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板処理装置は、第１の処理液を収容す
る第１の処理槽と、第１の処理液と異なる第２の処理液
を収容する第２の処理槽と、基板を支持して第１の処理
槽側から第２の処理槽側に基板を搬送する搬送手段と、
搬送手段に支持された基板が第２の処理槽上方に搬送さ
れる前に、第２の処理槽中の処理液の液面を降下させる
液面調節手段とを備えることを特徴とする。

【０００７】また、請求項２の基板処理装置は、第１の
処理槽には処理液として薬液を収容し、第２の処理槽に
は処理液として純水を収容することを特徴とする。

【０００８】また、請求項３の基板処理装置は、液面調
節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処理槽上
方に搬送される前に、第２の処理槽中の処理液をほぼ全
部槽外に排出することを特徴とする。

【０００９】また、請求項４の基板処理装置は、液面調
節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処理槽上
方に搬送される前に、第２の処理槽中の処理液を部分的
に槽外に排出することを特徴とする。

【００１０】また、請求項５の基板処理方法は、第１の
処理液を収容する第１の処理槽側から第１の処理液と異
なる第２の処理液を収容する第２の処理槽側に基板を搬
送する際において基板が第２の処理槽上方に位置する前
に、第２の処理槽中の処理液の液面を降下させることを
特徴とする。

【００１１】

【作用】請求項１の基板処理装置では、液面調節手段
が、搬送手段に支持された基板が第２の処理槽上方に搬
送される前に第２の処理槽中の処理液の液面を降下させ
るので、第２の処理槽の内壁上端が第２の処理液の液面
に対して高くなる。よって、第２の処理槽中の第２の処
理液液面に基板や搬送手段に付着した第１の処理液が落
下しても、第２の処理槽中の処理液の液面から反応等に
よって発散する第１の処理液や第２の処理液を含む飛散
物が第２の処理槽中の処理液液面よりも高い第２の処理
槽の内壁上端に進路をある程度遮られるので、第１の処
理液や第２の処理液を含む飛散物が第２の処理槽外に飛
散することを防止でき、かかる液滴によって汚染が発生
することやパーティクルが発生することを防止できる。

【００１２】また、請求項２の基板処理装置では、第１
の処理槽に処理液として薬液を収容し、第２の処理槽に
処理液として純水を収容するので、第２の処理槽中の純
水液面に薬液が滴下し、薬液と純水が落下点で急激に混
合・反応する場合においても、薬液や水分を含む飛散物
が第２の処理槽外に飛散することを防止でき、かかる飛
散物によって汚染やパーティクルが発生することを防止
できる。

【００１３】また、請求項３の基板処理装置では、液面
調節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処理槽
上方に搬送される前に第２の処理槽中の処理液をほぼ全
部槽外に排出するので、第１の処理液や第２の処理液を
含む飛散物が第２の処理槽外に飛散することを効果的に
防止できる。

【００１４】また、請求項４の基板処理装置では、液面
調節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処理槽
上方に搬送される前に第２の処理槽中の処理液を部分的
に槽外に排出するので、第２の処理槽中の処理液の液面
を降下させるために要する時間を短縮して基板処理のス
ループットを高めることができるとともに、第２の処理
液の無駄を防止できる。

【００１５】また、請求項５の基板処理方法では、第１
の処理液を収容する第１の処理槽側から第２の処理液を
収容する第２の処理槽側に基板を搬送する際に基板が第
２の処理槽上方に位置する前に第２の処理槽中の処理液
の液面を降下させるので、第２の処理槽の内壁上端が第
２の処理液の液面に対して高くなる。よって、第２の処
理槽中の第２の処理液液面に基板や搬送手段に付着した
第１の処理液が落下しても、第２の処理槽中の処理液の
液面から反応等によって発散する第１の処理液や第２の
処理液を含む飛散物が第２の処理槽中の処理液液面より
も高い第２の処理槽の内壁上端に進路をある程度遮られ
るので、第１の処理液や第２の処理液を含む飛散物が第
２の処理槽外に飛散することを防止でき、かかる液滴に
よって汚染が発生することやパーティクルが発生するこ
とを防止できる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照しつつ、この発明の具体的
な実施例について説明する。

【００１７】図１は、この発明の一実施例に係る基板処
理装置の構成を示す図である。図示のように、この装置
は、図示を省略するカセット搬入部から移載されてきた
カセットＣＡが載置され内部から複数の未処理基板Ｗが
同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣＡから
取り出された未処理基板Ｗが順次洗浄処理される基板処
理部５と、洗浄処理後の複数の処理済み基板Ｗが同時に
カセットＣＡ中に収納される基板収納部７とを備える。
さらに、この装置には、これらの基板取出部３、基板処
理部５、及び基板収納部７に亙って適宜移動して基板Ｗ
を搬送する搬送ロボットＴＲからなる基板搬送移載機構
が設けられている。この搬送ロボットＴＲは、洗浄処理
前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板Ｗを把持する一対
のハンド９１、９２を有し、基板Ｗを一箇所から別の箇
所に搬送したり移載したりする。

【００１８】基板取出部３は、昇降移動するホルダ３ａ
を備える。そして、ホルダ３ａの上面にはガイド溝が刻
設されており、カセットＣＡ中の複数の未処理基板Ｗを
垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。した
がって、ホルダ３ａが上昇すると、カセットＣＡ中から
基板が取り出されることとなる。カセットＣＡ中から取
り出された基板Ｗは、搬送ロボットＴＲに受け渡され、
水平移動後に基板処理部５に投入される。

【００１９】基板処理部５は、硫酸と過酸化水素水との
混合溶液などの各種薬液のうちのいずれかの薬液を収容
する薬液槽ＣＢと純水を収容する水洗槽ＷＢとを一組と
して備える複数の洗浄ユニットＵ1〜Ｕnと、洗浄処理後
の基板Ｗを乾燥させるためのスピンドライヤを内蔵する
乾燥部５４とから構成される。

【００２０】基板処理部５において、各洗浄ユニットＵ
1〜Ｕnには、それぞれ上下動及び横行可能なリフタヘッ
ドＬＨ1〜ＬＨnからなる基板搬送浸漬機構が設けられて
いる。各リフタヘッドＬＨ1〜ＬＨnは、搬送ロボットＴ
Ｒから受け取った基板Ｗを薬液槽ＣＢに浸漬し、次にこ
の基板Ｗを同一洗浄ユニット内の隣接する水洗槽ＷＢに
浸漬した後、搬送ロボットＴＲに受け渡すという動作を
繰返す。

【００２１】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能なホルダ７ａによって、搬送ロボッ
トＴＲに把持された処理済み基板Ｗを受け取ってカセッ
トＣＡ中に収納する。なお、基板収納部７上に載置され
たカセットＣＡは、カセット搬出部（図示を省略）に受
け渡されて装置外に吐き出される。

【００２２】各洗浄ユニットＵ1〜Ｕnに設けた薬液槽Ｃ
Ｂの底部側には、バルブＶ11〜Ｖ1nを介してそれぞれ薬
液Ｃ1〜Ｃnの供給用配管が接続されるとともに、バルブ
Ｖ2を介してドレン用配管も接続されている。さらに、
各薬液槽ＣＢには、薬液槽ＣＢ上部からオーバーフロー
した薬液Ｃ1〜Ｃnを圧送するポンプＰとこのポンプＰか
ら圧送されてきた薬液Ｃ1〜Ｃnを濾過して薬液槽ＣＢに
戻すフィルタＦとからなる循環機構ＣＩが設けられてい
る。

【００２３】各洗浄ユニットＵ1〜Ｕnに設けた水洗槽Ｗ
Ｂの底部側には、バルブＶ3を介して純水ＤＩＷの供給
用配管が接続されるとともに、バルブＶ4を介してドレ
ン用配管も接続されている。さらに、各水洗槽ＷＢに
は、窒素Ｎ₂を水洗槽ＷＢの底部側に供給しながらこの
窒素圧を検出することによって水洗槽ＷＢ中の純水の液
面の高さを検出する液面センサ５５が設けられている。

【００２４】図２は、図１に示す基板処理部５に設けた
洗浄ユニットＵ1の水洗槽ＷＢにおける給排水機構、液
面検出機構等の詳細について説明する図である。水洗槽
ＷＢの底部側からバルブＶ3を介して供給される純水Ｄ
ＩＷは、水洗槽ＷＢ底部に設けた一対のパイプ５０、５
０に供給される。そして、これらのパイプ５０、５０に
供給された純水ＤＩＷは、パイプ５０、５０の上部に等
間隔で一列に設けた開口から吐出される。パイプ５０、
５０上部の開口から吐出された純水ＤＩＷは、その上方
に設けたパンチングプレート５１によって比較的均一な
上昇流に整えられる。

【００２５】一方、液面センサ５５は、水洗槽ＷＢの上
部側から底部側に向けて延びその下端が開放されている
パイプ５５ａと、このパイプ５５ａに定常的に供給され
ている窒素Ｎ₂の圧力を検出する圧電素子５５ｂとを備
える。圧電素子５５ｂで検出される圧力は、パイプ５５
ａの下端が開放されていることから、パイプ５５ａが純
水ＤＩＷ中に漬かっている深さに比例する。したがっ
て、制御回路５６によって圧電素子５５ｂの検出出力を
常時モニタしこれを適当に換算することにより、水洗槽
ＷＢに収容されている純水ＤＩＷの液面をほぼ正確に判
定できる。この制御回路５６は、液面センサ５５やバル
ブＶ4とともに液面制御手段を構成する。

【００２６】なお、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷの量が減
ってパイプ５５ａの下端位置以下に液面が下がった場
合、圧電素子５５ｂの検出出力が変動しなくなって、圧
電素子５５ｂの検出出力からは直接的に水洗槽ＷＢ中の
純水ＤＩＷの液面を決定することができなくなる。この
ため、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷが全て排出されたか否
かを判定する際には、バルブＶ4を介してドレンされる
純水ＤＩＷの減少量が一定ないし規則的に変化すること
を利用して、圧電素子５５ｂの検出出力の経時変化をモ
ニタし、これを適当に換算して外挿する。

【００２７】このような外挿を用いた方法として、例え
ば圧電素子５５ｂの検出出力から求めた水洗槽ＷＢ中の
純水ＤＩＷの液面の高さの時間変化を逐次記憶して液面
高さの減少速度を計算し、この減少速度の逆数とパイプ
５５ａの下端位置から水洗槽ＷＢの底までの距離との積
を求めることによりこの積の値として純水ＤＩＷの残量
排出に要する時間が決定できる。したがって、パイプ５
５ａの下端位置以下に水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷの液面
が下がって圧電素子５５ｂの検出出力が変化しなくなっ
た時刻から、上記した純水ＤＩＷの残量排出時間の経過
をもって、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷが全て排出された
と判定されることとなる。

【００２８】以下、図１の基板処理装置の動作を簡単に
説明する。基板取出部３上のカセットＣＡ中の基板Ｗ
は、上昇するホルダ３ａによってカセットＣＡ外に取り
出され、搬送ロボットＴＲの一対のハンド９１、９２に
把持されてこれに受け渡される。一対のハンド９１、９
２に把持された基板Ｗは、水平方向に搬送されて洗浄ユ
ニットＵ1のリフタヘッドＬＨ1に受け渡される。リフタ
ヘッドＬＨ1に保持された基板Ｗは、そのまま薬液槽Ｃ
Ｂに浸漬され薬液処理が施された後、内部の純水を半分
程度或いはそれ以上ドレンした水洗槽ＷＢ中にセットさ
れ、ここで水洗処理が施される。次に、水洗処理後の基
板ＷがリフタヘッドＬＨ1側から搬送ロボットＴＲの一
対のハンド９１、９２側に受け渡され、これら一対のハ
ンド９１、９２から次の洗浄ユニットＵ2（図示を省略
する）のリフタヘッドに受け渡される。この洗浄ユニッ
トＵ2でも薬液の種類を変えて洗浄ユニットＵ1での処理
と同様の薬液処理及び水洗処理が行われた後、搬送ロボ
ットＴＲの一対のハンド９１、９２側に受け渡される。
そして、これ以後の洗浄ユニットＵ3〜Ｕnでも適宜薬液
の種類を変えて同様の処理が行われ、最後の洗浄ユニッ
トＵnの薬液槽ＣＢ及び水洗槽ＷＢで仕上げの薬液処理
及び水洗処理が施される。次に、洗浄ユニットＵnで水
洗処理後の基板ＷがリフタヘッドＬＨnから搬送ロボッ
トＴＲの一対のハンド９１、９２に受け渡される。次
に、一対のハンド９１、９２に支持された基板Ｗは、乾
燥部５４に移載されてここで乾燥処理される。最後に、
乾燥後の基板Ｗは、この乾燥部５４から搬送ロボットＴ
Ｒの一対のハンド９１、９２に受け渡された後、一対の
ホルダ７ａに受け渡されてカセットＣＡ中に収納され
る。

【００２９】図３は、図１の基板処理装置の動作の一部
を説明するフローチャートであり、各洗浄ユニットＵ1
〜Ｕnの薬液槽ＣＢで処理を終了した基板Ｗを水洗槽Ｗ
Ｂまで搬送してここで水洗処理を施すまでの工程を説明
したものである。

【００３０】まず、薬液槽ＣＢ中での処理を終了した基
板Ｗを支持するリフタヘッドＬＨ1〜ＬＨnの上昇を開始
させる（ステップＳ1）。次に、バルブＶ4を開放して水
洗槽ＷＢ中の純水をドレンを開始する（ステップＳ
2）。そして、液面センサ５５からの信号に基づいて、
所定水準までの排水を確認してバルブＶ4を閉止する
（ステップＳ3）。次に、基板Ｗを支持するリフタヘッ
ドＬＨ1〜ＬＨnの上昇完了を確認した後、このリフタヘ
ッドを薬液槽ＣＢ上方から水洗槽ＷＢ上方に移動させる
（ステップＳ4）。次に、水洗槽ＷＢ上方への移動を完
了しここで基板Ｗを支持するリフタヘッドＬＨ1〜ＬＨn
を降下させて、基板Ｗを水洗槽ＷＢ中にセットする（ス
テップＳ5）。最後に、バルブＶ3を開放して水洗槽ＷＢ
中に純水ＤＩＷを供給してオーバーフロー水洗を行う
（ステップＳ6）。

【００３１】図４は、図３のステップＳ3終了後の状態
に対応するもので、洗浄ユニットＵ1の水洗槽ＷＢの上
方には、基板Ｗを支持するリフタヘッドＬＨ1が配置さ
れている。この結果、基板Ｗやこれを支持するリフタヘ
ッドＬＨ1からは薬液Ｃ1の液滴ＤＬが滴って、水洗槽Ｗ
Ｂ中の純水の液面に落下する。この結果、落下した液滴
ＤＬと水洗槽ＷＢ中の純水とが反応して薬液や水分を含
む飛散液ＳＰが落下点から周囲にランダムに飛び出す。
特に、薬液Ｃ1が硫酸などのように反応性が高いもので
ある場合、飛散液ＳＰの飛散量や飛散速度が大きくな
る。しかし、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷを一定量以上ド
レンして純水ＤＩＷの液面を予め下げてあるので、純水
ＤＩＷの液面から発散する飛散液ＳＰはこの液面よりも
十分高い水洗槽ＷＢの内壁上部に遮られて水洗槽ＷＢ外
に飛散しない。よって、水洗槽ＷＢ外に薬液Ｃ1を含む
滴が飛散して汚染やパーティクル発生の原因となること
を防止することができる。さらに、水洗槽ＷＢ外に薬液
Ｃ1を含む滴が飛散することを防止できるので、リフタ
ヘッドＬＨ1の上下動のストローク量を比較的少なくし
ても、リフタヘッドＬＨ1のうち上部の通常水洗されな
い部分が汚染されることを確実に防止できる。

【００３２】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、上記実施例では薬液槽ＣＢ側から水洗槽ＷＢ側
に基板Ｗを搬送する場合にのみ水洗槽ＷＢ側の純水の液
面を下げたが、逆に水洗槽ＷＢ側から薬液槽ＣＢ側に基
板Ｗを搬送する際に薬液槽ＣＢ側の薬液の液面を下げる
ことによって薬液を含む飛散物が薬液槽の周囲に散って
汚染の原因となることを防止できる。

【００３３】また、上記実施例では、複数の洗浄ユニッ
トＵ1〜Ｕnを連続的に配置して一連の処理を行うもので
あるが、これに多機能の単一処理槽を組み込んだものと
することができる。すなわち、基板処理装置内に、上記
実施例で用いたように単一機能の複数処理槽に基板を順
次浸漬してこれに一連の処理を行う多槽式処理部と、多
機能の単一処理槽に薬液や純水を順次投入して槽内の基
板に一連の処理を行う単槽式処理部とを組み込み、多槽
式処理部内で一方の槽から他方の槽に基板を搬送する際
に、この他方の槽の液面を下げることで薬液等を含む飛
散物の発生を防止できる。

【００３４】また、上記実施例では、リフタヘッドＬＨ
1〜ＬＨnを薬液槽ＣＢ側から水洗槽ＷＢ側に移動させる
際に、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷを完全にドレンしきっ
ていないが、完全なドレンに時間を要しない場合など特
別の支障がないときは、水洗槽ＷＢ中の純水ＤＩＷを完
全にドレンして薬液や純水を含む滴の槽外への飛散をよ
り効果的に防止することができる。

【００３５】また、上記実施例では水洗槽ＷＢ中に基板
Ｗをセットした後に純水ＤＩＷを供給してオーバーフロ
ー水洗を行っているが、クイックダンプリンスやシャワ
ーリンスを組み合わせることもでき、さらに水洗用の純
水ＤＩＷとしては、温水、冷水のいずれの場合も適用可
能である。

【００３６】さらに、上記実施例ではリフタヘッドＬＨ
1〜ＬＨnによって基板Ｗを薬液槽ＣＢから水洗槽ＷＢに
移動させているが、搬送ロボットＴＲを用いて各薬液槽
ＣＢから各水洗槽ＷＢに基板Ｗを移動させることができ
る。この場合、リフタヘッドを横行させる機構を設けな
くて済むが、各処理槽ごとに上下動するリフタヘッドを
設ける必要があり、搬送ロボットＴＲの洗浄機構も必要
となる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の基板処
理装置によれば、液面調節手段が、搬送手段に支持され
た基板が第２の処理槽上方に搬送される前に第２の処理
槽中の処理液の液面を降下させるので、第２の処理槽の
内壁上端が第２の処理液の液面に対して高くなる。よっ
て、第２の処理槽中の第２の処理液液面に基板や搬送手
段に付着した第１の処理液が落下しても、第２の処理槽
中の処理液の液面から反応等によって発散する第１の処
理液や第２の処理液を含む飛散物が第２の処理槽中の処
理液液面よりも高い第２の処理槽の内壁上端に進路をあ
る程度遮られるので、第１の処理液や第２の処理液を含
む飛散物が第２の処理槽外に飛散することを防止でき、
かかる液滴によって汚染が発生することやパーティクル
が発生することを防止できる。

【００３８】また、請求項２の基板処理装置によれば、
第１の処理槽に処理液として薬液を収容し、第２の処理
槽に処理液として純水を収容するので、第２の処理槽中
の純水液面に薬液が滴下し、薬液と純水が落下点で急激
に混合・反応する場合においても、薬液や水分を含む飛
散物が第２の処理槽外に飛散することを防止でき、かか
る飛散物によって汚染やパーティクルが発生することを
防止できる。

【００３９】また、請求項３の基板処理装置によれば、
液面調節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処
理槽上方に搬送される前に第２の処理槽中の処理液をほ
ぼ全部槽外に排出するので、第１の処理液や第２の処理
液を含む飛散物が第２の処理槽外に飛散することを効果
的に防止できる。

【００４０】また、請求項４の基板処理装置によれば、
液面調節手段が、搬送手段に支持された基板が第２の処
理槽上方に搬送される前に第２の処理槽中の処理液を部
分的に槽外に排出するので、第２の処理槽中の処理液の
液面を降下させるために要する時間を短縮して基板処理
のスループットを高めることができるとともに、第２の
処理液の無駄を防止できる。

【００４１】また、請求項５の基板処理方法によれば、
第１の処理液を収容する第１の処理槽側から第２の処理
液を収容する第２の処理槽側に基板を搬送する際に基板
が第２の処理槽上方に位置する前に第２の処理槽中の処
理液の液面を降下させるので、第２の処理槽の内壁上端
が第２の処理液の液面に対して高くなる。よって、第２
の処理槽中の第２の処理液液面に基板や搬送手段に付着
した第１の処理液が落下しても、第２の処理槽中の処理
液の液面から反応等によって発散する第１の処理液や第
２の処理液を含む飛散物が第２の処理槽中の処理液液面
よりも高い第２の処理槽の内壁上端に進路をある程度遮
られるので、第１の処理液や第２の処理液を含む飛散物
が第２の処理槽外に飛散することを防止でき、かかる液
滴によって汚染が発生することやパーティクルが発生す
ることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の基板処理装置の構造を示す図であ
る。

【図２】図１の基板処理装置の要部を示す図である。

【図３】図１の装置の動作を説明するフローチャートで
ある。

【図４】薬液の飛散を説明する図である。

【符号の説明】

３ 基板取出部 ５ 基板処理部 ７ 基板収納部 ５５ 液面センサ ５５ａ パイプ ５５ｂ 圧電素子 ５６ 制御回路 Ｕ1〜Ｕn 洗浄ユニット ＣＡ カセット ＴＲ 搬送ロボット ＬＨ1、ＬＨn リフタヘッド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の処理液を収容する第１の処理槽
   と、 前記第１の処理液と異なる第２の処理液を収容する第２
   の処理槽と、 基板を支持して前記第１の処理槽側から前記第２の処理
   槽側に基板を搬送する搬送手段と、 前記搬送手段に支持された基板が前記第２の処理槽上方
   に搬送される前に、前記第２の処理槽中の処理液の液面
   を降下させる液面調節手段とを備えることを特徴とする
   基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理槽には処理液として薬液
   を収容し、前記第２の処理槽には処理液として純水を収
   容することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記液面調節手段は、前記搬送手段に支
   持された基板が前記第２の処理槽上方に搬送される前
   に、前記第２の処理槽中の処理液をほぼ全部槽外に排出
   することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか
   記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記液面調節手段は、前記搬送手段に支
   持された基板が前記第２の処理槽上方に搬送される前
   に、前記第２の処理槽中の処理液を部分的に槽外に排出
   することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか
   記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 第１の処理液を収容する第１の処理槽側
   から前記第１の処理液と異なる第２の処理液を収容する
   第２の処理槽側に基板を搬送する際において基板が前記
   第２の処理槽上方に位置する前に、前記第２の処理槽中
   の処理液の液面を降下させることを特徴とする基板処理
   方法。