JPH08320477A - Liquid crystal device and its production - Google Patents
Liquid crystal device and its productionInfo
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- JPH08320477A JPH08320477A JP6150096A JP6150096A JPH08320477A JP H08320477 A JPH08320477 A JP H08320477A JP 6150096 A JP6150096 A JP 6150096A JP 6150096 A JP6150096 A JP 6150096A JP H08320477 A JPH08320477 A JP H08320477A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は可撓性基板を用いた
液晶装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device using a flexible substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の可撓性基板を用いた液晶装置は、
その基板としてプラスチックフィルムやプラスチックシ
ートを使用している。そのため、耐プロセス温度が約１
５０℃と低く良質の配向層を形成することが出来なかっ
た。そのような配向層を備えた液晶装置を長期に渡って
使用すると、配向層が著しく劣化すると共に基板表面で
化学反応が起こって導電性有機物が発生する。その結果
として、従来の可撓性基板を用いた液晶装置には、「
液晶分子の配向不良」及び「パネル内部を流れる電流
値の上昇」が認められた。は液晶装置の表示品位を著
しく下げるばかりでなく、配向不良の程度によっては表
示不能となり、は液晶装置の消費電力が増大し、場合
によっては正確に動作しなくなる恐れがあり、共に大き
な問題となっていた。2. Description of the Related Art A liquid crystal device using a conventional flexible substrate is
A plastic film or plastic sheet is used as the substrate. Therefore, the process resistance temperature is about 1
As low as 50 ° C., it was not possible to form a high quality alignment layer. When a liquid crystal device provided with such an alignment layer is used for a long period of time, the alignment layer is significantly deteriorated and a chemical reaction occurs on the surface of the substrate to generate a conductive organic substance. As a result, the liquid crystal device using the conventional flexible substrate is
"Faulty alignment of liquid crystal molecules" and "increase in current value flowing inside panel" were observed. Not only significantly deteriorates the display quality of the liquid crystal device, but also becomes impossible to display depending on the degree of misalignment, and may increase the power consumption of the liquid crystal device, and in some cases, it may not operate correctly. Was there.
【０００３】上記の原因となる配向層の密着不良を改
善するために配向層の組成と構造に着目した発明が、幾
つか公開されている。特開昭６１−４７９３１号公報の
１８３ページ左上欄１７行目〜左下欄７行目と表１で説
明されている液晶装置は、塩化ビニリデン／塩化ビニル
共重合体を主体とする配向層を用いるというものであっ
た。Several inventions have been published which focus on the composition and structure of the alignment layer in order to improve the poor adhesion of the alignment layer which causes the above problems. The liquid crystal device described in JP-A-61-47931, page 183, upper left column, line 17 to lower left column, line 7 and Table 1 uses an alignment layer mainly composed of vinylidene chloride / vinyl chloride copolymer. It was that.
【０００４】また、特開平６−１４８６４５号公報の３
ページ右欄２４行目〜４ページ左欄５行目と化学式４で
説明されている液晶装置は、基板が有機フィルムであり
配向層がシリコーン変性ポリアミドであるというもので
あった。In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 6-148645, No. 3
In the liquid crystal device described in page 24, right column, line 24 to page 4, left column, line 5 and Chemical Formula 4, the substrate was an organic film and the alignment layer was a silicone-modified polyamide.
【０００５】さらに、基板表面上に形成するイオン溶出
防止膜及び上下ショート防止膜の表面形状に着目した発
明が、幾つか公開されている。特開平４−３４２２２８
号公報の１４２ページ右欄１１行目〜２４行目と表１で
説明されている配向層の密着性の向上を図った液晶装置
及び特開平５−３４１２８０号公報の３ページ左欄３０
行目〜右欄１７行目と表１で説明されている液晶装置
は、イオン溶出防止膜や上下ショート防止膜の表面に１
００から５００オングストロノームの凹凸を生じさせる
というものであった。Further, some inventions have been disclosed which pay attention to the surface shapes of the ion elution preventing film and the upper and lower short-circuit preventing films formed on the surface of the substrate. JP-A-4-342228
JP-A-142, page 142, right column, lines 11 to 24, and a liquid crystal device for improving the adhesion of the alignment layer described in Table 1 and JP-A-5-341280, page 3, left column 30.
The liquid crystal device described in the first row to the right column, the 17th row and Table 1 has 1
It was intended to produce unevenness of 00 to 500 angstrom.
【０００６】また、上記の原因となる基板表面での導
電性有機物の発生を抑制するといった発明も公開されて
いる。特開昭５８−８７５３６号公報の２６２ページ右
上欄１５行目〜右下欄２行目と第１表で説明されている
液晶装置は、酸素吸収または／及びラジカル補足膜を基
板上に設けて液晶劣化反応を防止するというものであっ
た。Further, an invention has been disclosed that suppresses the generation of conductive organic substances on the surface of the substrate, which causes the above. The liquid crystal device described in JP-A-58-87536, page 262, upper right column, line 15 to lower right column, line 2 and Table 1 has an oxygen absorption or / and radical scavenging film provided on a substrate. It was to prevent the liquid crystal deterioration reaction.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記配
向層の密着不良を改善するために配向層の組成と構造を
変えるという方法では、I）ガラスパネルで用いていた
従来の配向層が使用できなくなるばかりか液晶や製造条
件を最適化し直す必要があり非常にコスト高になるとい
う課題を有していた。However, in the method of changing the composition and structure of the alignment layer in order to improve the poor adhesion of the alignment layer, I) the conventional alignment layer used in the glass panel cannot be used. In addition, the liquid crystal and manufacturing conditions need to be re-optimized, resulting in an extremely high cost.
【０００８】また、イオン溶出防止膜や上下ショート防
止膜の表面に凹凸を付けるという方法では、II）イオン
溶出防止膜や上下ショート防止膜を必要としないパネル
の場合上記膜を付ける工程が余分となりコスト高になる
という課題を有していた。Further, in the method of making the surface of the ion elution preventing film or the upper and lower short-circuit preventing film uneven, II) in the case of a panel which does not require the ion elution preventing film or the upper and lower short circuit preventing film, the step of applying the above film becomes unnecessary. There was a problem of high cost.
【０００９】さらに、前記導電性有機物の発生を抑制す
るために酸素吸収または／及びラジカル補足膜を基板上
に設けるという方法では、III）少なくとも成膜工程が
１つ増えるばかりか液晶や配向層の最適化を図る必要が
あり多大なコストと時間が必要となるという問題を有し
ていた。Further, in the method of providing the oxygen absorption and / or radical scavenging film on the substrate in order to suppress the generation of the conductive organic substance, III) at least one film forming step is added, and at the same time, the liquid crystal and the alignment layer are not formed. There is a problem that it is necessary to optimize it, which requires a great deal of cost and time.
【００１０】そこで、本発明は従来のこのような課題を
解決し、可撓性基板を用いた液晶装置の信頼性及び表示
品質を向上させることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve such a conventional problem and improve the reliability and display quality of a liquid crystal device using a flexible substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明に係
る液晶装置は、相対向して配置され、各々の内側表面に
透明電極（５）と配向層（６）とが形成された一対の可
撓性基板（３、８）と、前記一対の可撓性基板（３、
８）間に挟持されている液晶材料（７）とを有する液晶
装置（２７）において、前記一対の可撓性基板（３、
８）のいずれの可撓性基板においてもその内側表面は、
凹部と凸部の高さの差（ａ）が１０ｎｍ以上かつ１００
ｎｍ以下の凹凸面であることを特徴とする。A liquid crystal device according to a first aspect of the present invention is arranged to face each other, and a transparent electrode (5) and an alignment layer (6) are formed on the inner surface of each of them. A pair of flexible substrates (3, 8) and the pair of flexible substrates (3, 8)
A liquid crystal device (27) having a liquid crystal material (7) sandwiched between the pair of flexible substrates (3,
The inner surface of any of the flexible substrates of 8) is
The height difference (a) between the concave portion and the convex portion is 10 nm or more and 100
It is characterized in that it is an uneven surface of nm or less.
【００１２】このような構成としたため、基板表面上に
形成される配向層が凹部に入り込んで釘打ち効果が生
じ、この働きによって基板表面に対する配向層の密着性
が向上し液晶装置の長期の使用による液晶の配向劣化を
抑制する。また、その結果として可撓性基板表面の液晶
への影響を長期に渡って配向層が除去するため、パネル
内部の電流値上昇を抑制する。それらに加えて、凹部と
凸部の高さの差（ａ）を１００ｎｍ以下としたため、内
部表面の凹凸に起因する表示むらがほとんど発生しな
い。従って、本発明の第１の発明によれば、液晶装置の
表示品位と信頼性を向上させることができる。With such a structure, the alignment layer formed on the surface of the substrate enters into the concave portion to produce a nailing effect, and this function improves the adhesion of the alignment layer to the surface of the substrate, so that the liquid crystal device can be used for a long period of time. It suppresses the alignment deterioration of the liquid crystal. Further, as a result, the influence of the liquid crystal on the surface of the flexible substrate is removed by the alignment layer for a long period of time, so that an increase in current value inside the panel is suppressed. In addition to these, since the height difference (a) between the concave portion and the convex portion is set to 100 nm or less, display unevenness due to the unevenness of the inner surface hardly occurs. Therefore, according to the first aspect of the present invention, the display quality and reliability of the liquid crystal device can be improved.
【００１３】尚、本明細書の請求項１と一見構成が似て
いる発明（特開昭６１−１３７１３２号公報の１９３ペ
ージ左上欄２行目〜右上欄１３行目で説明される液晶セ
ル及び特開昭６３−７１８３０号公報の１４２ページ左
上欄４行目〜左下欄４行目で説明されるネジレネマチッ
ク液晶表示装置）が公開されているが、前者は特許請求
の範囲に「光の着色に作用し」と書いていることから本
発明の凹凸の高さ範囲より大きいことが自明であり、後
者は特許請求の範囲に「凹部と凸部の高さの差を平均１
〜２０μｍとし」と書いてあり、両者とも明らかに本発
明とは異なる。An invention having a configuration similar to that of claim 1 of the present specification (the liquid crystal cell described on page 193, upper left column, line 2 to upper right column, line 13 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-137132). Although the twist-lenematic liquid crystal display device described in JP-A-63-71830, page 142, upper left column, line 4 to lower left column, line 4) is disclosed, the former claims "light coloring." It is obvious that it is larger than the height range of the unevenness of the present invention, and the latter claims in the claims that the difference in height between the concave portion and the convex portion is 1 on average.
.About.20 .mu.m ", and both are clearly different from the present invention.
【００１４】ここで、第１の発明に係る液晶装置におい
て、前記可撓性基板（３、８）のいずれの可撓性基板に
おいてもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）
が２０ｎｍ以上の凹凸面であることがより好ましい。Here, in the liquid crystal device according to the first aspect of the invention, the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a difference in height between the concave portion and the convex portion ( a)
Is more preferably an uneven surface of 20 nm or more.
【００１５】また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が３０ｎｍ以上の凹凸面であることがよ
り好ましい。Further, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 30 nm or more. Is more preferable.
【００１６】また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が４０ｎｍ以上の凹凸面であることがよ
り好ましい。Also, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 40 nm or more. Is more preferable.
【００１７】このような構成にすると、基板表面上に形
成される配向層が凹部により深く入り込んで大きな釘打
ち効果が生じ、この働きによって基板表面に対する配向
層の密着性が更に向上し液晶装置の長期の使用による液
晶の配向劣化を非常によく抑制する。また、その結果と
して可撓性基板表面の液晶への影響を長期に渡って配向
層が除去するため、パネル内部の電流値上昇を抑制す
る。With such a structure, the alignment layer formed on the surface of the substrate enters deep into the recesses to produce a large nailing effect, and this action further improves the adhesion of the alignment layer to the surface of the substrate, and Very well suppresses alignment deterioration of liquid crystal due to long-term use. Further, as a result, the influence of the liquid crystal on the surface of the flexible substrate is removed by the alignment layer for a long period of time, so that an increase in current value inside the panel is suppressed.
【００１８】また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が９０ｎｍ以下の凹凸面であることがよ
り好ましい。また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が８０ｎｍ以下の凹凸面であることがよ
り好ましい。Further, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 90 nm or less. Is more preferable. Further, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is more preferably an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 80 nm or less. .
【００１９】また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が７０ｎｍ以下の凹凸面であることがよ
り好ましい。Also, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 70 nm or less. Is more preferable.
【００２０】また、前記可撓性基板（３、８）のいずれ
の可撓性基板においてもその内側表面は、凹部と凸部の
高さの差（ａ）が６０ｎｍ以下の凹凸面であることがよ
り好ましい。Also, in any of the flexible substrates (3, 8), the inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between the concave portion and the convex portion of 60 nm or less. Is more preferable.
【００２１】このような構成にすると、内部表面の凹凸
に起因する表示むら発生の可能性を小さくできる。即
ち、液晶装置の表示品位を維持しながら、その長期の使
用による液晶の配向劣化とパネル内部の電流値上昇を抑
制することで液晶装置の信頼性を高めることができる。With such a structure, it is possible to reduce the possibility of display unevenness due to the unevenness of the inner surface. That is, while maintaining the display quality of the liquid crystal device, it is possible to enhance the reliability of the liquid crystal device by suppressing the alignment deterioration of the liquid crystal and the increase of the current value inside the panel due to its long-term use.
【００２２】本発明の第２の発明に係る液晶装置の製造
方法は、第１の可撓性基板（３）の内側表面に所定の形
に透明電極（５）を形成し、その後それらの上に配向層
（６）を形成する第１の工程と、第２の可撓性基板
（８）の内側表面に所定の形に透明電極（５）を形成
し、その後それらの上に配向層（６）を形成する第２の
工程と、その後、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓
性基板（８）とをスペーサーを介在させた状態でシール
剤により周囲を接着して空セルを製造する第３の工程
と、その後、空セルの間隙に液晶材料（７）を封入する
第４の工程と、を有する液晶装置の製造方法において、
前記第１の工程と前記第２の工程を行う前に、第１の可
撓性基板（３）と第２の可撓性基板（８）のいずれの可
撓性基板についても、その内側を凹凸面にする工程を有
することを特徴とする。このように構成したため、可撓
性基板の内側表面と配向層との間に前述の釘打ち効果が
現れるように可撓性基板を加工することができる。結果
として、表示品位と信頼性の向上した液晶装置を作り出
すことができるようになる。In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the second aspect of the present invention, the transparent electrode (5) is formed in a predetermined shape on the inner surface of the first flexible substrate (3), and then the transparent electrode (5) is formed thereon. A first step of forming an alignment layer (6) on the second flexible substrate (8), a transparent electrode (5) having a predetermined shape is formed on the inner surface of the second flexible substrate (8), and an alignment layer ( 6), and then the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) are bonded to each other with a sealant around the periphery with a spacer interposed. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a third step of manufacturing empty cells by means of the above method; and a fourth step of subsequently filling a liquid crystal material (7) in the gaps of the empty cells,
Before performing the first step and the second step, the inner side of each of the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) is The method is characterized by having a step of forming an uneven surface. With this configuration, the flexible substrate can be processed so that the nailing effect described above appears between the inner surface of the flexible substrate and the alignment layer. As a result, a liquid crystal device with improved display quality and reliability can be created.
【００２３】本発明の第３の発明に係る液晶装置は、第
１の可撓性基板（３）の内側表面に所定の形に透明電極
（５）を形成し、その後それらの上に配向層（６）を形
成する第１の工程と、第２の可撓性基板（８）の内側表
面に所定の形に透明電極（５）を形成し、その後それら
の上に配向層（６）を形成する第２の工程と、その後、
第１の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板（８）とを
スペーサーを介在させた状態でシール剤により周囲を接
着して空セルを製造する第３の工程と、その後、空セル
の間隙に液晶材料（７）を封入する第４の工程と、を有
する液晶装置の製造方法において、前記第３の工程を行
う前に、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板
（８）のいずれの可撓性基板についても、可撓性基板か
らの導電性有機物の発生を抑制することのできる有機溶
媒に、その内側表面をさらす工程を有することを特徴と
する。このような製造方法としたため、基板表面がその
有機溶媒によって洗浄・改質されて導電性有機物を発生
させる化学反応が起こり難くなり、結果として液晶装置
の長期の使用によるパネル内部の電流値上昇を抑制し、
その信頼性を向上することができる。In the liquid crystal device according to the third aspect of the present invention, transparent electrodes (5) are formed in a predetermined shape on the inner surface of the first flexible substrate (3), and then an alignment layer is formed thereon. The first step of forming (6), the transparent electrode (5) is formed in a predetermined shape on the inner surface of the second flexible substrate (8), and then the alignment layer (6) is formed thereon. The second step of forming and then
A third step of manufacturing empty cells by adhering the periphery of the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) with a sealant in the state where a spacer is interposed, and thereafter. And a fourth step of encapsulating the liquid crystal material (7) in the gaps of the empty cells, the method including: manufacturing the liquid crystal device, the first flexible substrate (3) before the third step. Any of the second flexible substrates (8) has a step of exposing its inner surface to an organic solvent capable of suppressing generation of a conductive organic substance from the flexible substrate. Is characterized by. Because of this manufacturing method, the surface of the substrate is less likely to undergo a chemical reaction that is washed and modified by the organic solvent to generate conductive organic substances, resulting in a rise in the current value inside the panel due to long-term use of the liquid crystal device. Suppress,
The reliability can be improved.
【００２４】ここで、第３の発明に係る液晶装置におい
て、前記第１の工程と前記第２の工程を行う前に、第１
の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板（８）のいずれ
の可撓性基板についても、可撓性基板からの導電性有機
物の発生を抑制することのできる有機溶媒に、その内側
表面をさらす工程を有することがより好ましい。Here, in the liquid crystal device according to the third aspect of the present invention, before performing the first step and the second step, the first step is performed.
Any of the flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) of (1) is an organic solvent capable of suppressing generation of a conductive organic substance from the flexible substrate. More preferably, it has a step of exposing its inner surface.
【００２５】このような製造方法とすると、液晶装置の
製造工程が始まる前に基板表面の洗浄・改質が終了す
る。従って、従来の製造ライン構成や製造プロセスを変
えることなく、信頼性の向上した液晶装置を作り出すこ
とができる。With such a manufacturing method, the cleaning and modification of the substrate surface is completed before the manufacturing process of the liquid crystal device is started. Therefore, a liquid crystal device with improved reliability can be created without changing the conventional manufacturing line configuration or manufacturing process.
【００２６】本発明の第４の発明に係る液晶装置の製造
方法は、第１の可撓性基板（３）の内側表面に所定の形
に透明電極（５）を形成し、その後それらの上に配向層
（６）を形成する第１の工程と、第２の可撓性基板
（８）の内側表面に所定の形に透明電極（５）を形成
し、その後それらの上に配向層（６）を形成する第２の
工程と、その後、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓
性基板（８）とをスペーサーを介在させた状態でシール
剤により周囲を接着して空セルを製造する第３の工程
と、その後、空セルの間隙に液晶材料（７）を封入する
第４の工程と、を有する液晶装置の製造方法において、
前記第３の工程を行う前に、第１の可撓性基板（３）と
第２の可撓性基板（８）のいずれの可撓性基板について
も、可撓性基板への異物の付着を抑制することのできる
有機溶媒に、その内側表面をさらす工程を有することを
特徴とする。このような製造方法としたため、導電性物
質を発生させる可能性の高い異物（レジスト変成物な
ど）が可撓性基板表面へ付着し難くなり、結果として液
晶装置の長期の使用によるパネル内部の電流値上昇を抑
制し、その信頼性を向上することができる。In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the fourth aspect of the present invention, the transparent electrode (5) is formed in a predetermined shape on the inner surface of the first flexible substrate (3), and then the transparent electrode (5) is formed thereon. A first step of forming an alignment layer (6) on the second flexible substrate (8), a transparent electrode (5) having a predetermined shape is formed on the inner surface of the second flexible substrate (8), and then an alignment layer (5) is formed thereon. 6), and then the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) are bonded to each other with a sealant around the periphery with a spacer interposed. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a third step of manufacturing empty cells by means of the above method; and a fourth step of subsequently filling a liquid crystal material (7) in the gaps of the empty cells,
Before performing the third step, the foreign matter is attached to the flexible substrate, whether it is the first flexible substrate (3) or the second flexible substrate (8). It is characterized by including a step of exposing the inner surface to an organic solvent capable of suppressing the above. This manufacturing method makes it difficult for foreign substances (resist metamorphic substances, etc.) that are likely to generate conductive substances to adhere to the surface of the flexible substrate, and as a result, the current inside the panel due to long-term use of the liquid crystal device. It is possible to suppress an increase in value and improve its reliability.
【００２７】本発明の第５の発明に係る液晶装置は、請
求項１０または請求項１１に記載の液晶装置の製造方法
を用いて製造されてなることを特徴とする。このように
構成したため、第５の発明に係る液晶装置は、基板表面
がその有機溶媒によって洗浄・改質されて導電性有機物
を発生させる化学反応が起こり難くなり、長期の使用に
よるパネル内部の電流値上昇がほとんど無く信頼性が向
上した液晶装置となる。A liquid crystal device according to a fifth aspect of the present invention is manufactured by using the method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 10 or 11. With such a configuration, in the liquid crystal device according to the fifth aspect of the present invention, the surface of the substrate is washed and modified by the organic solvent, and it becomes difficult for a chemical reaction to generate a conductive organic substance. The liquid crystal device has almost no increase in value and improved reliability.
【００２８】本発明の第６の発明に係る液晶装置は、請
求項１２記載の液晶装置の製造方法を用いて製造されて
なることを特徴とする。このように構成したため、第６
の発明に係る液晶装置は、導電性物質を発生させる可能
性の高い異物（レジスト変成物など）が可撓性基板表面
へ付着し難くなり、長期の使用によるパネル内部の電流
値上昇がほとんど無く信頼性が向上した液晶装置とな
る。A liquid crystal device according to a sixth aspect of the present invention is characterized by being manufactured by using the method for manufacturing a liquid crystal device according to the twelfth aspect. Because of this configuration, the sixth
In the liquid crystal device according to the invention of claim 1, it becomes difficult for foreign substances (resist metamorphic substances, etc.) that are likely to generate conductive substances to adhere to the surface of the flexible substrate, and there is almost no increase in current value inside the panel due to long-term use. The liquid crystal device has improved reliability.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３０】（実施例１）図１は請求項１記載の発明に
係る液晶装置の第１実施例の要部を示す図である。この
液晶装置は、上側偏光板１、位相差フィルム２、第１の
可撓性基板３、封止材４、透明電極５、配向層６、液晶
材料７、第２の可撓性基板８及び反射板一体型偏光板９
から構成される。液晶材料７は、第２の可撓性基板８か
ら第１の可撓性基板３に向かってその分子の長軸が左に
１９５°捻れている。上側偏光板１は日東電工製ＮＰＦ
−Ｇ１２２８ＤＵであり、反射板一体型偏光板９は 同
ＮＰＦ−Ｇ３２２５Ｍであり、上下基板３及び８はポリ
エーテルサルフォンフィルム（以下ＰＥＳフィルムと略
記）にガスバリアー層とハードコート層を設けたもので
ある。図２は請求項１記載の発明に係る液晶装置の第１
実施例の下基板８と配向層６との接触部を拡大した図で
ある。下基板８の配向層６と接触する内側表面は、透明
電極パターニング工程のレジスト剥離段階で６ｗｔ％Ｋ
ＯＨ水溶液を使用することで凹凸面となっており、その
凹部と凸部の高さの差ａは約１０ｎｍとなっている。図
２では下基板８と配向層６との接触部を示したが、上基
板３と配向層６の接触部についても同様である。尚、こ
こではヨウ素系の偏光板を用いたが、染料系の偏光板を
用いても一向に差し支えない。また、本実施例では位相
差フィルムを用いた上で液晶材料のツイスト角を１９５
°としているが、位相差フィルムが無くても良いし、１
９５°以外のツイスト角でも差し支えない。さらに、こ
こでは液晶装置の表示モードとして反射板一体型偏光板
を用いた反射表示モードを採用しているが、反射板と偏
光板を別々に設けても良いし、バックライトを用いた透
過表示モードやバックライトと半透過反射板を用いた半
透過表示モードであっても全く問題ない。 （実施例２）実施例１において、透明電極パターニング
工程に用いるレジスト剥離液を７．５ｗｔ％ＫＯＨ水溶
液にしたものが実施例２である。この液晶装置の上下基
板の配向層と接触する内側表面も凹凸面となっている
が、その凹部と凸部の高さの差ａは約２０ｎｍとなって
いる。(Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram showing a main portion of a first embodiment of a liquid crystal device according to the invention described in claim 1. This liquid crystal device includes an upper polarizing plate 1, a retardation film 2, a first flexible substrate 3, a sealing material 4, a transparent electrode 5, an alignment layer 6, a liquid crystal material 7, a second flexible substrate 8 and Polarizing plate with integrated reflector 9
Consists of The liquid crystal material 7 has its major axis twisted to the left by 195 ° from the second flexible substrate 8 toward the first flexible substrate 3. The upper polarizing plate 1 is an NPF manufactured by Nitto Denko.
-G1228DU, and the polarizing plate integrated polarizing plate 9 is the same.
NPF-G3225M, and the upper and lower substrates 3 and 8 are polyether sulfone films (hereinafter abbreviated as PES films) provided with a gas barrier layer and a hard coat layer. FIG. 2 shows a first liquid crystal device according to the first aspect of the invention.
It is the figure which expanded the contact part of the lower substrate 8 and the orientation layer 6 of an Example. The inner surface of the lower substrate 8 in contact with the alignment layer 6 is 6 wt% K in the resist stripping step of the transparent electrode patterning process.
By using an OH aqueous solution, the surface becomes uneven, and the height difference a between the concave portion and the convex portion is about 10 nm. Although the contact portion between the lower substrate 8 and the alignment layer 6 is shown in FIG. 2, the same applies to the contact portion between the upper substrate 3 and the alignment layer 6. Although an iodine-based polarizing plate is used here, a dye-based polarizing plate may be used. In addition, in this embodiment, a retardation film is used and the twist angle of the liquid crystal material is 195.
Although it is set to °, the retardation film may be omitted, or 1
Twist angles other than 95 ° are acceptable. Further, here, the reflective display mode using the polarizing plate with a built-in reflector is adopted as the display mode of the liquid crystal device, but the reflective plate and the polarizing plate may be provided separately, or a transmissive display using a backlight is used. There is no problem even in a mode or a transflective display mode using a backlight and a transflective plate. (Example 2) Example 2 is the same as Example 1 except that the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step is a 7.5 wt% KOH aqueous solution. The inner surfaces of the upper and lower substrates of this liquid crystal device, which come into contact with the alignment layers, are also uneven, but the height difference a between the concave and convex portions is about 20 nm.
【００３１】（実施例３）実施例１において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液を９ｗｔ％Ｋ
ＯＨ水溶液にしたものが実施例３である。実施例３で
は、通常の３倍の濃度のＫＯＨ水溶液を用いることで上
下基板の配向層と接触する内側表面を凹凸面としてお
り、その凹部と凸部の高さの差ａは約３０ｎｍとなって
いる。(Embodiment 3) In Embodiment 1, the resist stripping liquid used in the transparent electrode patterning step is 9 wt% K.
Example 3 is an aqueous OH solution. In Example 3, the inner surface that comes into contact with the alignment layers of the upper and lower substrates was made into an uneven surface by using a KOH aqueous solution having a concentration three times higher than usual, and the height difference a between the concave portion and the convex portion was about 30 nm. ing.
【００３２】（実施例４）実施例１において、上下基板
をポリカーボネートフィルム（以下ＰＣフィルムと略
記）にガスバリアー層とハードコート層を設けたものと
し、透明電極パターニング工程に用いるレジスト剥離液
を長瀬産業製中性剥離液Ｎ−３７０にしたものが実施例
４である。実施例４では、有機系のレジスト剥離液を用
いることで上下基板の配向層と接触する内側表面を凹凸
面としており、その凹部と凸部の高さの差ａは約４０ｎ
ｍとなっている。Example 4 In Example 1, the upper and lower substrates were a polycarbonate film (hereinafter abbreviated as PC film) provided with a gas barrier layer and a hard coat layer, and the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step was Nagase. Example 4 is the industrial stripping solution N-370. In Example 4, the inner surface in contact with the alignment layers of the upper and lower substrates was made into an uneven surface by using an organic resist stripping solution, and the height difference a between the concave portion and the convex portion was about 40 n.
It has become m.
【００３３】（実施例５）実施例１において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液を長瀬産業製
中性剥離液Ｎ−３７０にして、レジスト剥離時の中性剥
離液への浸漬時間を通常の２倍にしたものが実施例５で
ある。実施例５では、有機系のレジスト剥離液を用いて
且つそれへの浸漬時間を２倍にすることで、上下基板の
配向層と接触する内側表面に存在する凹部と凸部の高さ
の差ａを約１００ｎｍとした。(Example 5) In Example 1, the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step was changed to the neutral stripping solution N-370 manufactured by Nagase & Co., Ltd. Example 5 is twice that of Example 1. In Example 5, by using the organic resist stripping solution and doubling the immersion time, the difference in height between the concave portions and the convex portions existing on the inner surface in contact with the alignment layers of the upper and lower substrates was measured. a was set to about 100 nm.
【００３４】（実施例６）実施例４において、レジスト
剥離時の中性剥離液への浸漬時間を通常の２倍にしたも
のが実施例６である。実施例６では、レジスト剥離液へ
の浸漬時間を通常の２倍とすることで、上下基板の配向
層と接触する内側表面に存在する凹部と凸部の高さの差
ａを約９０ｎｍとした。(Embodiment 6) In Embodiment 4, Embodiment 6 is one in which the immersion time in the neutral stripping solution at the time of stripping the resist is twice as long as usual. In Example 6, the immersion time in the resist stripping solution was made twice as long as usual, so that the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surfaces of the upper and lower substrates in contact with the alignment layers was about 90 nm. .
【００３５】（実施例７）実施例１において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液を長瀬産業製
レジスト剥離液Ｎ−３００にしたものが実施例７であ
る。実施例７では、異なる有機系のレジスト剥離液を用
いることで、上下基板の配向層と接触する内側表面に存
在する凹部と凸部の高さの差ａを約８０ｎｍとした。(Example 7) In Example 7, the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step was changed to Nagase Sangyo's resist stripping solution N-300. In Example 7, by using different organic resist stripping solutions, the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surface in contact with the alignment layers of the upper and lower substrates was set to about 80 nm.
【００３６】（実施例８）実施例１において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液を長瀬産業製
レジスト剥離液Ｎ−３０３Ｄにしたものが実施例８であ
る。実施例８では、異なる有機系のレジスト剥離液を用
いることで、上下基板の配向層と接触する内側表面に存
在する凹部と凸部の高さの差ａを約７０ｎｍとした。(Example 8) In Example 8, the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step was changed to the resist stripping solution N-303D manufactured by Nagase & Co. Ltd. In Example 8, by using different organic resist stripping solutions, the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surface in contact with the alignment layers of the upper and lower substrates was set to about 70 nm.
【００３７】（実施例９）実施例４において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液を長瀬産業製
レジスト剥離液Ｎ−３００にしたものが実施例９であ
る。実施例９では、異なる有機系のレジスト剥離液を用
いることで、上下基板の配向層と接触する内側表面に存
在する凹部と凸部の高さの差ａを約６０ｎｍとした。(Example 9) In Example 4, the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step was changed to the resist stripping solution N-300 manufactured by Nagase & Co. Ltd. in Example 9. In Example 9, by using different organic resist stripping solutions, the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surfaces of the upper and lower substrates in contact with the alignment layers was set to about 60 nm.
【００３８】（比較例１）実施例１において、透明電極
パターニング工程のレジスト剥離段階で３ｗｔ％ＫＯＨ
水溶液（通常時のレジスト剥離液）を使用し、上下基板
の配向層と接触する内側表面に微細な凹凸が生じないよ
うにした。Comparative Example 1 In Example 1, 3 wt% KOH was used in the resist stripping step of the transparent electrode patterning step.
An aqueous solution (regular resist stripping solution) was used to prevent fine irregularities from being generated on the inner surfaces of the upper and lower substrates that are in contact with the alignment layers.
【００３９】（比較例２）実施例４において、透明電極
パターニング工程のレジスト剥離段階で３ｗｔ％ＫＯＨ
水溶液（通常時のレジスト剥離液）を使用し、上下基板
の配向層と接触する内側表面に微細な凹凸が生じないよ
うにした。Comparative Example 2 In Example 4, 3 wt% KOH was used in the resist stripping step of the transparent electrode patterning step.
An aqueous solution (regular resist stripping solution) was used to prevent fine irregularities from being generated on the inner surfaces of the upper and lower substrates that are in contact with the alignment layers.
【００４０】（比較例３）実施例１において、透明電極
パターニング工程に用いるレジスト剥離液をＮ−メチル
−２−ピロリジノンにしたものが比較例３である。比較
例３では、異なる有機系レジスト剥離液を用いること
で、上下基板の配向層と接触する内側表面に存在する凹
部と凸部の高さの差ａを約１５０ｎｍとした。(Comparative Example 3) In Comparative Example 3, the resist stripping solution used in the transparent electrode patterning step in Example 1 was N-methyl-2-pyrrolidinone. In Comparative Example 3, by using different organic resist stripping solutions, the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surfaces of the upper and lower substrates in contact with the alignment layers was set to about 150 nm.
【００４１】上記実施例１〜実施例９及び比較例１〜比
較例３で説明した液晶装置を９０℃の恒温槽でエージン
グし１００時間ごとに取り出して配向状態を観察した。
その結果を表１に示した。また、同時に電流値を測定し
エージング前の値に対する電流値倍率を算出した。その
結果を図３に示した。尚、図３において、実施例１の電
流値倍率増加曲線は１０であり、以下同様にして、実施
例２の電流値倍率増加曲線は１１、実施例３の電流値倍
率増加曲線は１２、実施例４の電流値倍率増加曲線は１
３、実施例５の電流値倍率増加曲線は１４、実施例６の
電流値倍率増加曲線は１５、実施例７の電流値倍率増加
曲線は１６、実施例８の電流値倍率増加曲線は１７、実
施例９の電流値倍率増加曲線は１８、比較例１の電流値
倍率増加曲線は１９、比較例２の電流値倍率増加曲線は
２０、比較例３の電流値倍率増加曲線は２８である。The liquid crystal devices described in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 3 were aged in a constant temperature bath at 90 ° C. and taken out every 100 hours to observe the alignment state.
The results are shown in Table 1. At the same time, the current value was measured to calculate the current value magnification against the value before aging. The results are shown in Fig. 3. In FIG. 3, the current value multiplying curve of the first embodiment is 10, the same applies to the current value multiplying curve of the second embodiment, the current value multiplying curve of the third embodiment is 11, and the current value multiplying curve of the third embodiment is 12. The current value multiplying curve of Example 4 is 1
3, the current value multiplying curve of the fifth embodiment is 14, the current value multiplying curve of the sixth embodiment is 15, the current value multiplying curve of the seventh embodiment is 16, the current value multiplying curve of the eighth embodiment is 17, The current value multiplying curve of Example 9 is 18, the current value multiplying curve of Comparative Example 1 is 19, the current value multiplying curve of Comparative Example 2 is 20, and the current value multiplying curve of Comparative Example 3 is 28.
【００４２】[0042]
【表１】 [Table 1]
【００４３】上記表１より明らかなように、実施例１〜
実施例９は比較例１〜比較例２よりも長期に渡って良好
な配向状態を保っており、特に実施例４〜実施例９は９
０℃、１０００時間のエージング後も初期の配向状態を
保っている。また、図３より明らかなように、比較例１
〜比較例２の電流値倍率が９０℃、５００時間のエージ
ングで４〜５倍になっているのに対し、実施例１〜実施
例９の電流値倍率は９０℃、１０００時間のエージング
後も３倍以下になっている。As is apparent from Table 1 above, Examples 1 to 1
Example 9 maintains a good alignment state for a longer period of time than Comparative Examples 1 and 2, and in particular, Examples 4 to 9 are 9
The initial alignment state is maintained even after aging at 0 ° C. for 1000 hours. Further, as is clear from FIG. 3, Comparative Example 1
The current value magnification of Comparative Example 2 is 4 to 5 times after aging at 90 ° C for 500 hours, whereas the current value magnification of Examples 1 to 9 is 90 ° C even after aging for 1000 hours. It is less than 3 times.
【００４４】前述の実施例１〜実施例９の構造によれ
ば、基板の配向層と接触する内側表面を凹凸面とし、そ
の凹部と凸部の高さの差をａとしたとき、ａが１０ｎ
ｍ以上、ａが２０ｎｍ以上、ａが３０ｎｍ以上、
ａが４０ｎｍ以上、ａが１００ｎｍ以下、ａが９０
ｎｍ以下、ａが８０ｎｍ以下、ａが７０ｎｍ以下、
ａが６０ｎｍ以下の凹凸面となるようにしたため、基
板表面上に形成される配向層が凹部に入り込んで釘打ち
効果が生じ、この働きによって基板表面に対する配向層
の密着性が向上し液晶装置の長期の使用による液晶の配
向劣化を抑制できる。それに対して、前述の比較例１〜
比較例２では配向層と接触する基板表面に凹凸が無いた
め、液晶装置を長期使用することで液晶の配向が劣化し
てしまい好ましくない。比較例３では、上下基板の配向
層と接触する内側表面に存在する凹部と凸部の高さの差
ａを約１５０ｎｍとしたが、１０００時間のエージング
後も配向状態が良好で電流値上昇も３倍以下であった。
しかし、凹凸面に起因する表示むらが多少現れていた。
それに対して、ａが約１００ｎｍである実施例５の液晶
装置には表示むらが現れておらず、この点でａを１００
ｎｍ以下とした実施例の方がより好ましい。According to the structures of Examples 1 to 9 described above, when the inner surface of the substrate in contact with the alignment layer is a concave-convex surface and the difference in height between the concave and convex portions is a, a is 10n
m or more, a is 20 nm or more, a is 30 nm or more,
a is 40 nm or more, a is 100 nm or less, a is 90
nm or less, a is 80 nm or less, a is 70 nm or less,
Since a has a concavo-convex surface of 60 nm or less, the alignment layer formed on the surface of the substrate enters into the recessed portion to produce a nailing effect, which improves the adhesion of the alignment layer to the surface of the substrate, and Alignment deterioration of liquid crystal due to long-term use can be suppressed. On the other hand, Comparative Examples 1 to 1 described above
In Comparative Example 2, since there is no unevenness on the surface of the substrate that comes into contact with the alignment layer, the alignment of the liquid crystal deteriorates when the liquid crystal device is used for a long time, which is not preferable. In Comparative Example 3, the height difference a between the concave portion and the convex portion existing on the inner surfaces of the upper and lower substrates in contact with the alignment layers was set to about 150 nm, but the alignment state was good and the current value increased even after 1000 hours of aging. It was 3 times or less.
However, some display unevenness due to the uneven surface appeared.
On the other hand, the display unevenness does not appear in the liquid crystal device of Example 5 in which a is about 100 nm.
It is more preferable for the embodiment to be less than or equal to nm.
【００４５】（実施例１０）図４は実施例１０に係る液
晶装置の製造方法をフローチャートで示したものであ
る。この液晶装置の製造方法は、可撓性基板を長瀬産
業製中性剥離液Ｎ−３７０に浸して表面を凹凸面とし
可撓性基板表面に透明電極をスパッタしその上にレジ
ストを塗布した後、所定のパターンを持つフォトマス
クをレジスト上に乗せ露光し、０．７ｗｔ％のＫＯＨ
水溶液で現像してからＦｅＣｌ3水溶液で透明電極を
エッチングし、その後残ったレジストを３ｗｔ％のＫ
ＯＨ水溶液で剥離するといった透明電極形成工程を含む
ものである。本実施例では、表面を凹凸面とするために
長瀬産業製中性剥離液Ｎ−３７０を用いたが、同社製Ｎ
−３００でも良いし、Ｎ−３０３Ｄでも良い。また、東
京応化工業製レジスト剥離液１０４でも良いし、同社製
１０５及び１０６であっても一向に差し支えない。さら
に、濃度６ｗｔ％以上のＫＯＨ水溶液を用いても問題な
い。ここでは透明電極としてＩｎ・ＳｎＯ2を用いたが
ＳｎＯ2でも良いし、他のものでも差し支えない。ま
た、レジストはネガレジストでも良いし、現像ができれ
ば現像液の濃度は０．７％以外の濃度でも良く、また他
の溶液であっても差し支えない。さらに、エッチング用
溶媒がＨＣｌ水溶液その他のものであっても一向に差し
支えない。レジストが剥離できればＫＯＨ水溶液の濃度
は３ｗｔ％以外の濃度でも良く、またその他の溶液であ
っても問題ない。(Embodiment 10) FIG. 4 is a flow chart showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 10. This method of manufacturing a liquid crystal device is such that a flexible substrate is dipped in a neutral stripping solution N-370 manufactured by Nagase & Co. to make the surface uneven, and a transparent electrode is sputtered on the surface of the flexible substrate and a resist is applied thereon. , Put a photomask with a predetermined pattern on the resist and expose it to 0.7 wt% KOH
After developing with an aqueous solution, the transparent electrode is etched with an FeCl 3 aqueous solution, and then the remaining resist is mixed with 3 wt% K.
It includes a transparent electrode forming step of peeling with an OH aqueous solution. In this embodiment, the Nagase Sangyo neutral stripping solution N-370 was used to make the surface uneven.
It may be -300 or N-303D. Further, the resist stripping solution 104 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., or 105 and 106 manufactured by the same company may be used. Furthermore, there is no problem even if a KOH aqueous solution having a concentration of 6 wt% or more is used. Here using an In · SnO 2 as the transparent electrode but may be the SnO 2, no problem also in others. Further, the resist may be a negative resist, and the concentration of the developing solution may be a concentration other than 0.7% if development is possible, and other solutions may be used. Furthermore, even if the etching solvent is an aqueous solution of HCl or the like, there is no problem. The concentration of the KOH aqueous solution may be a concentration other than 3 wt% as long as the resist can be peeled off, and other solutions may be used without any problem.
【００４６】（実施例１１）図５は実施例１１に係る液
晶装置の製造方法をフローチャートで示したものであ
る。この液晶装置の製造方法は、可撓性基板表面に透
明電極をスパッタしその上にレジストを塗布した後、
所定のパターンを持つフォトマスクをレジスト上に乗
せ露光し、０．７ｗｔ％のＫＯＨ水溶液で現像してか
らＦｅＣｌ3水溶液で透明電極をエッチングし、その
後残ったレジストを中性アミン（エタノールアミン）
で剥離するといった透明電極形成工程を含むものであ
る。ここでは透明電極としてＩｎ・ＳｎＯ2を用いたが
ＳｎＯ2でも良いし、他のものでも差し支えない。ま
た、レジストはネガレジストでも良いし、現像ができれ
ば現像液の濃度は０．７％以外の濃度でも良く、また他
の溶液であっても差し支えない。さらに、エッチング用
溶媒がＨＣｌ水溶液その他のものであっても一向に差し
支えない。本実施例では、剥離のためにエタノールアミ
ンを用いたが、Ｎ−メチルジエタノールアミンやＮ，Ｎ
−ジメチルエタノールアミン、またはトリエタノールア
ミン等でも良い。さらに、その他の第１アミンＲＮＨ2
（Ｒはアルキル基）若しくはＡｒＮＨ2（Ａｒはアリー
ル基）、または第２アミンＲ2ＮＨ若しくはＡｒ2ＮＨ、
または第３アミンＲ3Ｎ若しくはＡｒ3Ｎいずれでも良
く、鎖式であっても環式であっても良い。さらに、可撓
性基板からの導電性有機物の発生を抑制することのでき
る有機溶媒であれば、アミン以外のもの、例えばジメチ
ルスルホキシドやＮ−メチル−２−ピロリジノン等でも
良い。尚、本実施例ではのレジスト剥離が表面改質を
兼ねているが、ＫＯＨ水溶液を用いた通常のレジスト剥
離工程後にアミン等による表面改質を行っても本実施例
と同様の効果が得られる。(Embodiment 11) FIG. 5 is a flow chart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 11. The manufacturing method of this liquid crystal device is as follows: After the transparent electrode is sputtered on the surface of the flexible substrate and the resist is applied thereon,
A photomask having a predetermined pattern is placed on the resist, exposed, developed with a 0.7 wt% KOH aqueous solution, and then the transparent electrode is etched with a FeCl 3 aqueous solution, and then the remaining resist is neutralized with an amine (ethanolamine).
This includes a transparent electrode forming step of peeling off. Here using an In · SnO 2 as the transparent electrode but may be the SnO 2, no problem also in others. Further, the resist may be a negative resist, and the concentration of the developing solution may be a concentration other than 0.7% if development is possible, and other solutions may be used. Furthermore, even if the etching solvent is an aqueous solution of HCl or the like, there is no problem. Although ethanolamine was used for peeling in this example, N-methyldiethanolamine and N, N were used.
-Dimethylethanolamine, triethanolamine or the like may be used. In addition, other primary amines RNH 2
(R is an alkyl group) or ArNH 2 (Ar is an aryl group), or a secondary amine R 2 NH or Ar 2 NH,
Alternatively, it may be either a tertiary amine R 3 N or Ar 3 N, and may be chain type or cyclic type. Further, any organic solvent other than amine, such as dimethyl sulfoxide or N-methyl-2-pyrrolidinone, may be used as long as it is an organic solvent capable of suppressing generation of conductive organic substances from the flexible substrate. Although the resist stripping in this example also serves as the surface modification, the same effect as that of the present example can be obtained even if the surface is modified with amine or the like after the usual resist stripping step using the KOH aqueous solution. .
【００４７】（実施例１２）図６は実施例１２に係る液
晶装置の製造方法をフローチャートで示したものであ
る。この液晶装置の製造方法は、可撓性基板を中性ア
ミン（エタノールアミン）に浸し表面改質してから可
撓性基板表面に透明電極をスパッタしその上にレジス
トを塗布した後、所定のパターンを持つフォトマスク
をレジスト上に乗せ露光し、０．７ｗｔ％のＫＯＨ水
溶液で現像してからＦｅＣｌ3水溶液で透明電極をエ
ッチングし、その後残ったレジストを３ｗｔ％のＫＯ
Ｈ水溶液で剥離するといった透明電極形成工程を含むも
のである。本実施例では、表面改質のためにエタノール
アミンを用いたが、Ｎ−メチルジエタノールアミンや
Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、またはトリエタノ
ールアミン等でも良い。さらに、その他の第１アミンＲ
ＮＨ2（Ｒはアルキル基）若しくはＡｒＮＨ2（Ａｒはア
リール基）、または第２アミンＲ2ＮＨ若しくはＡｒ2Ｎ
Ｈ、または第３アミンＲ3Ｎ若しくはＡｒ3Ｎいずれでも
良く、鎖式であっても環式であっても良い。さらに、可
撓性基板からの導電性有機物の発生を抑制することので
きる有機溶媒であれば、アミン以外のもの、例えばジメ
チルスルホキシドやＮ−メチル−２−ピロリジノン等で
も良い。ここでは透明電極としてＩｎ・ＳｎＯ2を用い
たがＳｎＯ2でも良いし、他のものでも差し支えない。
また、レジストはネガレジストでも良いし、現像ができ
れば現像液の濃度は０．７％以外の濃度でも良く、また
他の溶液であっても差し支えない。さらに、エッチング
用溶媒がＨＣｌ水溶液その他のものであっても一向に差
し支えない。レジストが剥離できればＫＯＨ水溶液の濃
度は３ｗｔ％以外の濃度でも良く、またその他の溶液で
あっても問題ない。(Embodiment 12) FIG. 6 is a flow chart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 12. This liquid crystal device manufacturing method is such that a flexible substrate is dipped in a neutral amine (ethanolamine) to modify its surface, a transparent electrode is sputtered on the surface of the flexible substrate, and a resist is applied on the transparent electrode. A photomask having a pattern is placed on the resist, exposed to light, developed with a 0.7 wt% KOH aqueous solution, and then the transparent electrode is etched with a FeCl 3 aqueous solution, and the remaining resist is then removed with a 3 wt% KO.
It includes a step of forming a transparent electrode such as peeling with an aqueous H solution. In this embodiment, ethanolamine is used for surface modification, but N-methyldiethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, triethanolamine or the like may be used. In addition, other primary amines R
NH 2 (R is an alkyl group) or ArNH 2 (Ar is an aryl group), or a secondary amine R 2 NH or Ar 2 N
H or a tertiary amine R 3 N or Ar 3 N may be used, and may be chain type or cyclic type. Further, any organic solvent other than amine, such as dimethyl sulfoxide or N-methyl-2-pyrrolidinone, may be used as long as it is an organic solvent capable of suppressing generation of conductive organic substances from the flexible substrate. Here using an In · SnO 2 as the transparent electrode but may be the SnO 2, no problem also in others.
Further, the resist may be a negative resist, and the concentration of the developing solution may be a concentration other than 0.7% if development is possible, and other solutions may be used. Furthermore, even if the etching solvent is an aqueous solution of HCl or the like, there is no problem. The concentration of the KOH aqueous solution may be a concentration other than 3 wt% as long as the resist can be peeled off, and other solutions may be used without any problem.
【００４８】（実施例１３）図７は実施例１３に係る液
晶装置の製造方法をフローチャートで示したものであ
る。この液晶装置の製造方法は、可撓性基板表面に透
明電極をスパッタしその上にレジストを塗布した後、
所定のパターンを持つフォトマスクをレジスト上に乗
せ露光し、０．７ｗｔ％のＫＯＨ水溶液で現像してか
らＦｅＣｌ3水溶液で透明電極をエッチングし、その
後残ったレジストを長瀬産業製中性剥離液Ｎ−３７０
で剥離するといった透明電極形成工程を含むものであ
る。ここでは透明電極としてＩｎ・ＳｎＯ2を用いたが
ＳｎＯ2でも良いし、他のものでも差し支えない。ま
た、レジストはネガレジストでも良いし、現像ができれ
ば現像液の濃度は０．７％以外の濃度でも良く、また他
の溶液であっても差し支えない。さらに、エッチング用
溶媒がＨＣｌ水溶液その他のものであっても一向に差し
支えない。本実施例では、可撓性基板への異物の付着を
抑制することのできる有機溶媒として長瀬産業製中性剥
離液Ｎ−３７０を用いたが、同社製Ｎ−３００でも良い
し、Ｎ−３０３Ｄでも良い。また、東京応化工業製レジ
スト剥離液１０４でも良いし、同社製１０５及び１０６
であっても一向に差し支えない。即ち、レジスト剥離能
力がある異物付着抑制剤なら全く問題なく使える。さら
に、レジスト剥離能力のない有機溶媒であっても、可撓
性基板への異物の付着を抑制することのできるものであ
れば、レジスト剥離後に可撓性基板リンス剤として使用
することができる。(Embodiment 13) FIG. 7 is a flow chart showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 13. The manufacturing method of this liquid crystal device is as follows: After the transparent electrode is sputtered on the surface of the flexible substrate and the resist is applied thereon,
A photomask having a predetermined pattern is placed on the resist, exposed, developed with a 0.7 wt% KOH aqueous solution, and then the transparent electrode is etched with a FeCl 3 aqueous solution, and then the remaining resist is neutralized by Nagase & Co. -370
This includes a transparent electrode forming step of peeling off. Here using an In · SnO 2 as the transparent electrode but may be the SnO 2, no problem also in others. Further, the resist may be a negative resist, and the concentration of the developing solution may be a concentration other than 0.7% if development is possible, and other solutions may be used. Furthermore, even if the etching solvent is an aqueous solution of HCl or the like, there is no problem. In this embodiment, the Nagase Sangyo neutral stripping solution N-370 was used as the organic solvent capable of suppressing the adhesion of foreign matter to the flexible substrate, but N-300 manufactured by the same company may be used, or N-303D. But good. Also, the resist stripper 104 made by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., or 105 and 106 made by the same
But it doesn't matter. That is, a foreign matter adhesion inhibitor having a resist peeling ability can be used without any problem. Further, even an organic solvent having no resist stripping ability can be used as a rinsing agent for a flexible substrate after stripping the resist as long as it can suppress the adhesion of foreign matter to the flexible substrate.
【００４９】（実施例１４）実施例１４に係る液晶装置
を図１を用いて説明する。この液晶装置は、上側偏光板
１、位相差フィルム２、第１の可撓性基板３、封止材
４、透明電極５、配向層６、液晶材料７、第２の可撓性
基板８及び反射板一体型偏光板９から構成される。液晶
材料７は、第２の可撓性基板８から第１の可撓性基板３
に向かって左に１９５°捻れている。上側偏光板は日東
電工製ＮＰＦ−Ｇ１２２８ＤＵであり、反射板一体型偏
光板は 同 ＮＰＦ−Ｇ３２２５Ｍであり、上下基板はＰ
Ｃフィルムにガスバリアー層とハードコート層を設けた
ものである。上基板３及び下基板８の配向層と接触する
内側表面は、透明電極パターニング工程のレジスト剥離
段階で中性アミンを使用することで表面改質されてお
り、パネル内部を流れる電流値の上昇原因である導電性
有機物の発生を抑制する。ここではヨウ素系の偏光板を
用いたが、染料系の偏光板を用いても一向に差し支えな
い。また、本実施例では位相差フィルムを用いた上で液
晶材料のツイスト角を１９５°としているが、位相差フ
ィルムが無くても良いし、１９５°以外のツイスト角で
も差し支えない。さらに、ここでは液晶装置の表示モー
ドとして反射板一体型偏光板を用いた反射表示モードを
採用しているが、反射板と偏光板を別々に設けても良い
し、バックライトを用いた透過表示モードやバックライ
トと半透過反射板を用いた半透過表示モードであっても
全く問題ない。(Embodiment 14) A liquid crystal device according to Embodiment 14 will be described with reference to FIG. This liquid crystal device includes an upper polarizing plate 1, a retardation film 2, a first flexible substrate 3, a sealing material 4, a transparent electrode 5, an alignment layer 6, a liquid crystal material 7, a second flexible substrate 8 and It is composed of a polarizing plate integrated with a polarizing plate 9. The liquid crystal material 7 is formed from the second flexible substrate 8 to the first flexible substrate 3
It is twisted to the left by 195 °. The upper side polarizing plate is NPF-G1228DU manufactured by Nitto Denko, the polarizing plate integrated type polarizing plate is the same NPF-G3225M, and the upper and lower substrates are P
A C film provided with a gas barrier layer and a hard coat layer. The inner surfaces of the upper substrate 3 and the lower substrate 8 which are in contact with the alignment layers are surface-modified by using a neutral amine in the resist stripping step of the transparent electrode patterning process, which causes an increase in the current value flowing inside the panel. That is, the generation of conductive organic substances is suppressed. Although the iodine-based polarizing plate is used here, a dye-based polarizing plate may be used. Further, in this embodiment, the retardation film is used and the twist angle of the liquid crystal material is 195 °. However, the retardation film may be omitted, or a twist angle other than 195 ° may be used. Further, here, the reflective display mode using the polarizing plate with a built-in reflector is adopted as the display mode of the liquid crystal device, but the reflective plate and the polarizing plate may be provided separately, or a transmissive display using a backlight is used. There is no problem even in a mode or a transflective display mode using a backlight and a transflective plate.
【００５０】（実施例１５）実施例１４において、上下
基板として透明電極の形成前に中性アミンで表面改質し
たＰＣフィルムを用いたものが実施例１５に係る液晶装
置である。(Example 15) In Example 14, the liquid crystal device according to Example 15 uses a PC film surface-modified with a neutral amine before forming transparent electrodes as the upper and lower substrates.
【００５１】（実施例１６）実施例１４において、上下
基板をガスバリアー層とハードコート層を設けたＰＥＳ
フィルムにしたものが実施例１６に係る液晶装置であ
る。(Example 16) In Example 14, PES in which the upper and lower substrates were provided with a gas barrier layer and a hard coat layer
The film is the liquid crystal device according to the sixteenth embodiment.
【００５２】（実施例１７）実施例１５において、上下
基板をガスバリアー層とハードコート層を設けたＰＥＳ
フィルムにしたものが実施例１７に係る液晶装置であ
る。(Example 17) In Example 15, PES in which the upper and lower substrates were provided with a gas barrier layer and a hard coat layer
The film is the liquid crystal device according to the seventeenth embodiment.
【００５３】上記実施例１４〜実施例１７で説明した液
晶装置を、９０℃の恒温槽でエージングし１００時間ご
とに取り出して電流値を測定し、エージング前の値に対
する電流値倍率を算出した。その結果を図８に示した。
尚、前述の比較例１〜比較例２が実施例１４〜実施例１
７に対する比較例となるため、それらの結果をここで再
び併記した。図８において、実施例１４の電流値倍率増
加曲線は２１であり、以下同様にして、実施例１５の電
流値倍率増加曲線は２２、実施例１６の電流値倍率増加
曲線は２３、実施例１７の電流値倍率増加曲線は２４、
比較例１の電流値倍率増加曲線は１９、比較例２の電流
値倍率増加曲線は２０である。図８より明らかなよう
に、比較例１〜比較例２の電流値倍率が９０℃、５００
時間のエージングで４〜５倍になっているのに対し、実
施例１４〜実施例１７の電流値倍率は９０℃、１０００
時間のエージング後も３倍以下になっている。The liquid crystal devices described in Examples 14 to 17 were aged in a constant temperature bath at 90 ° C., taken out every 100 hours, the current value was measured, and the current value magnification against the value before aging was calculated. The result is shown in FIG.
Incidentally, the above-mentioned Comparative Examples 1 and 2 are Examples 14 to 1.
Since the results are comparative examples for No. 7, those results are shown again here. In FIG. 8, the current value magnification increase curve of the fourteenth embodiment is 21, the same applies to the current value magnification increase curve of the fifteenth embodiment, the current value magnification increase curve of the sixteenth embodiment is 23, and the seventeenth embodiment. The current value multiplying curve of is 24,
The current value multiplying curve of Comparative Example 1 is 19, and the current value multiplying curve of Comparative Example 2 is 20. As is clear from FIG. 8, the current value magnifications of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were 90 ° C. and 500.
While the time aging has increased 4 to 5 times, the current value magnifications of Examples 14 to 17 are 90 ° C. and 1000.
After the aging of time, it is less than 3 times.
【００５４】前述の実施例１４〜実施例１７の構造によ
れば、可撓性基板の内側表面を可撓性基板からの導電性
有機物の発生を抑制することのできる有機溶媒にさらし
たため、基板表面が改質されて導電性有機物を発生させ
る化学反応が起こり難くなり、結果として液晶装置の長
期の使用によるパネル内部の電流値上昇を抑制できる。
それに対して、前述の比較例１〜比較例２では有機溶媒
で表面改質を行ってないため、液晶装置を長期使用する
ことで導電性有機物が生じパネル内部の電流値が上昇し
てしまい好ましくない。According to the structures of Examples 14 to 17, the inner surface of the flexible substrate was exposed to the organic solvent capable of suppressing the generation of conductive organic substances from the flexible substrate. The surface is modified to make it difficult for a chemical reaction to generate a conductive organic substance, and as a result, an increase in current value inside the panel due to long-term use of the liquid crystal device can be suppressed.
On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2 described above, the surface modification is not performed with the organic solvent, and therefore, the conductive organic substance is generated and the current value inside the panel is increased when the liquid crystal device is used for a long time, which is preferable. Absent.
【００５５】（実施例１８）実施例１８に係る液晶装置
を図１を用いて説明する。この液晶装置は、上側偏光板
１、位相差フィルム２、第１の可撓性基板３、封止材
４、透明電極５、配向層６、液晶材料７、第２の可撓性
基板８及び反射板一体型偏光板９から構成される。液晶
材料７は、第２の可撓性基板８から第１の可撓性基板３
に向かって左に１９５°捻れている。上側偏光板は日東
電工製ＮＰＦ−Ｇ１２２８ＤＵであり、反射板一体型偏
光板は 同 ＮＰＦ−Ｇ３２２５Ｍであり、上下基板はＰ
Ｃフィルムにガスバリアー層とハードコート層を設けた
ものである。上基板３及び下基板８の配向層６と接触す
る内側表面は、透明電極パターニング工程のレジスト剥
離段階で長瀬産業製中性剥離液Ｎ−３７０を使用するこ
とで可撓性基板への異物の付着を抑制しており、パネル
内部を流れる電流値の上昇原因である導電性有機物の発
生を抑制する。ここではヨウ素系の偏光板を用いたが、
染料系の偏光板を用いても一向に差し支えない。また、
本実施例では位相差フィルムを用いた上で液晶材料のツ
イスト角を１９５°としているが、位相差フィルムが無
くても良いし、１９５°以外のツイスト角でも差し支え
ない。さらに、ここでは液晶装置の表示モードとして反
射板一体型偏光板を用いた反射表示モードを採用してい
るが、反射板と偏光板を別々に設けても良いし、バック
ライトを用いた透過表示モードやバックライトと半透過
反射板を用いた半透過表示モードであっても全く問題な
い。(Embodiment 18) A liquid crystal device according to Embodiment 18 will be described with reference to FIG. This liquid crystal device includes an upper polarizing plate 1, a retardation film 2, a first flexible substrate 3, a sealing material 4, a transparent electrode 5, an alignment layer 6, a liquid crystal material 7, a second flexible substrate 8 and It is composed of a polarizing plate integrated with a polarizing plate 9. The liquid crystal material 7 is formed from the second flexible substrate 8 to the first flexible substrate 3
It is twisted to the left by 195 °. The upper side polarizing plate is NPF-G1228DU manufactured by Nitto Denko, the polarizing plate integrated type polarizing plate is the same NPF-G3225M, and the upper and lower substrates are P
A C film provided with a gas barrier layer and a hard coat layer. The inner surfaces of the upper substrate 3 and the lower substrate 8 which are in contact with the alignment layer 6 are treated with Nagase Sangyo's neutral stripping solution N-370 in the resist stripping step of the transparent electrode patterning step to remove foreign matter from the flexible substrate. Adhesion is suppressed, and generation of conductive organic substances, which is a cause of increase in current value flowing inside the panel, is suppressed. I used an iodine-based polarizing plate here,
There is no problem even if a dye-based polarizing plate is used. Also,
In this embodiment, the retardation film is used and the twist angle of the liquid crystal material is 195 °. However, the retardation film may be omitted or twist angles other than 195 ° may be used. Further, here, the reflective display mode using the polarizing plate with a built-in reflector is adopted as the display mode of the liquid crystal device, but the reflective plate and the polarizing plate may be provided separately, or a transmissive display using a backlight is used. There is no problem even in a mode or a transflective display mode using a backlight and a transflective plate.
【００５６】（実施例１９）実施例１８において、上下
基板をガスバリアー層とハードコート層を設けたＰＥＳ
フィルムにしたものが実施例１９に係る液晶装置であ
る。(Example 19) In Example 18, PES with upper and lower substrates provided with a gas barrier layer and a hard coat layer was used.
The film is the liquid crystal device according to the nineteenth embodiment.
【００５７】上記実施例１８〜実施例１９で説明した液
晶装置を、９０℃の恒温槽でエージングし１００時間ご
とに取り出して電流値を測定し、エージング前の値に対
する電流値倍率を算出した。その結果を図９に示した。
尚、前述の比較例１〜比較例２が実施例１８〜実施例１
９に対する比較例となるため、それらの結果をここで再
び併記した。図９において、実施例１８の電流値倍率増
加曲線は２５であり、以下同様にして、実施例１９の電
流値倍率増加曲線は２６、比較例１の電流値倍率増加曲
線は１９、比較例２の電流値倍率増加曲線は２０であ
る。図９より明らかなように、比較例１〜比較例２の電
流値倍率が９０℃、５００時間のエージングで４〜５倍
になっているのに対し、実施例１８〜実施例１９の電流
値倍率は９０℃、１０００時間のエージング後も３倍以
下になっている。The liquid crystal devices described in Examples 18 to 19 were aged in a constant temperature bath at 90 ° C., taken out every 100 hours, the current value was measured, and the current value magnification against the value before aging was calculated. The results are shown in Fig. 9.
Incidentally, the above-mentioned Comparative Examples 1 and 2 are Examples 18 to 1
Since these are comparative examples for No. 9, the results are shown again here. In FIG. 9, the current value multiplying curve of Example 18 is 25, and similarly, the current value multiplying curve of Example 19 is 26, the current value multiplying curve of Comparative Example 1 is 19, and Comparative Example 2 is similar. The current value multiplying curve of is 20. As is apparent from FIG. 9, the current value magnifications of Comparative Examples 1 and 2 are 4 to 5 times when aged at 90 ° C. for 500 hours, while the current values of Examples 18 to 19 are large. The magnification is 3 times or less even after aging at 90 ° C. for 1000 hours.
【００５８】前述の実施例１８〜実施例１９の構造によ
れば、可撓性基板の内側表面を可撓性基板への異物の付
着を抑制することのできる有機溶媒にさらしたため、基
板表面が清浄化されて導電性有機物を発生させる異物が
ほとんど無くなり、結果として液晶装置の長期の使用に
よるパネル内部の電流値上昇を抑制できる。それに対し
て、前述の比較例１〜比較例２では有機溶媒で表面清浄
化を行ってないため、液晶装置を長期使用することで導
電性有機物が生じパネル内部の電流値が上昇してしまい
好ましくない。According to the structures of Examples 18 to 19 described above, since the inner surface of the flexible substrate was exposed to the organic solvent capable of suppressing the adhesion of foreign matter to the flexible substrate, the substrate surface was As a result, almost no foreign matter that is cleaned to generate a conductive organic substance is eliminated, and as a result, an increase in current value inside the panel due to long-term use of the liquid crystal device can be suppressed. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2 described above, the surface is not cleaned with the organic solvent, and therefore, the conductive organic substance is generated and the current value inside the panel is increased by using the liquid crystal device for a long time, which is preferable. Absent.
【図１】本発明の実施例１〜実施例９及び実施例１４〜
実施例１９における液晶装置の断面図。FIG. 1 is a first example to a ninth example and a fourteenth example of the present invention.
16 is a cross-sectional view of the liquid crystal device in Example 19.
【図２】本発明の実施例１〜実施例９における液晶装置
の可撓性基板と配向層の接触部を拡大した図。FIG. 2 is an enlarged view of a contact portion between a flexible substrate and an alignment layer of a liquid crystal device according to Examples 1 to 9 of the invention.
【図３】本発明の実施例１〜実施例９及び比較例１〜比
較例３のエージング試験による電流値倍率変化を示す
図。FIG. 3 is a diagram showing changes in current value magnification by an aging test of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 3 of the present invention.
【図４】本発明の実施例１０における液晶装置の製造方
法を示すフローチャート。FIG. 4 is a flowchart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to a tenth embodiment of the invention.
【図５】本発明の実施例１１における液晶装置の製造方
法を示すフローチャート。FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to an eleventh embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例１２における液晶装置の製造方
法を示すフローチャート。FIG. 6 is a flowchart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to a twelfth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例１３における液晶装置の製造方
法を示すフローチャート。FIG. 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to a thirteenth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施例１４〜実施例１７及び比較例１
〜比較例２のエージング試験による電流値倍率変化を示
す図。FIG. 8 is an example 14 to example 17 of the present invention and a comparative example 1.
FIG. 6 is a diagram showing a change in current value magnification by an aging test of Comparative Example 2.
【図９】本発明の実施例１８〜実施例１９及び比較例１
〜比較例２のエージング試験による電流値倍率変化を示
す図。9 is an example 18 to example 19 of the present invention and a comparative example 1. FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a change in current value magnification by an aging test of Comparative Example 2.
３…第１の可撓性基板 ５…透明電極 ６…配向層 ７…液晶材料 ８…第２の可撓性基板 ２７…液晶装置 ａ…凹部と凸部の高さの差 3 ... 1st flexible substrate 5 ... Transparent electrode 6 ... Alignment layer 7 ... Liquid crystal material 8 ... 2nd flexible substrate 27 ... Liquid crystal device a ... Difference in height of a concave part and a convex part
Claims (14)
透明電極（５）と配向層（６）とが形成された一対の可
撓性基板（３、８）と、 前記一対の可撓性基板（３、８）間に挟持されている液
晶材料（７）とを有する液晶装置（２７）において、 前記一対の可撓性基板（３、８）のいずれの可撓性基板
においてもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差
（ａ）が１０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下の凹凸面であ
ることを特徴とする液晶装置。1. A pair of flexible substrates (3, 8), which are arranged opposite to each other and have a transparent electrode (5) and an alignment layer (6) formed on their inner surfaces, respectively. A liquid crystal device (27) having a liquid crystal material (7) sandwiched between flexible substrates (3, 8), wherein any of the pair of flexible substrates (3, 8) is flexible. A liquid crystal device, wherein an inner surface thereof is an uneven surface having a height difference (a) between a concave portion and a convex portion of 10 nm or more and 100 nm or less.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が２
０ｎｍ以上の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 2
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or more.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が３
０ｎｍ以上の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 3
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or more.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が４
０ｎｍ以上の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。4. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 4
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or more.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が９
０ｎｍ以下の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。5. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 9
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or less.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が８
０ｎｍ以下の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。6. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 8
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or less.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が７
０ｎｍ以下の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。7. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 7
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or less.
てもその内側表面は、凹部と凸部の高さの差（ａ）が６
０ｎｍ以下の凹凸面であることを特徴とする液晶装置。8. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the inner surface of any of the flexible substrates (3, 8) has a height difference (a) between a concave portion and a convex portion. ) Is 6
A liquid crystal device having an uneven surface of 0 nm or less.
定の形に透明電極（５）を形成し、その後それらの上に
配向層（６）を形成する第１の工程と、 第２の可撓性基板（８）の内側表面に所定の形に透明電
極（５）を形成し、その後それらの上に配向層（６）を
形成する第２の工程と、 その後、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板
（８）とをスペーサーを介在させた状態でシール剤によ
り周囲を接着して空セルを製造する第３の工程と、 その後、空セルの間隙に液晶材料（７）を封入する第４
の工程と、 を有する液晶装置の製造方法において、 前記第１の工程と前記第２の工程を行う前に、第１の可
撓性基板（３）と第２の可撓性基板（８）のいずれの可
撓性基板についても、その内側を凹凸面にする工程を有
することを特徴とする液晶装置の製造方法。9. A first step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on an inner surface of a first flexible substrate (3), and then forming an alignment layer (6) thereon. A second step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on the inner surface of the second flexible substrate (8), and then forming an alignment layer (6) thereon, A third step of manufacturing an empty cell by adhering the periphery of the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) with a sealant in the state in which a spacer is interposed, and thereafter, The fourth for enclosing the liquid crystal material (7) in the gap between the empty cells
And a second flexible substrate (8) before performing the first step and the second step. The method for manufacturing a liquid crystal device, comprising the step of forming an uneven surface on the inside of any of the flexible substrates.
所定の形に透明電極（５）を形成し、その後それらの上
に配向層（６）を形成する第１の工程と、 第２の可撓性基板（８）の内側表面に所定の形に透明電
極（５）を形成し、その後それらの上に配向層（６）を
形成する第２の工程と、 その後、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板
（８）とをスペーサーを介在させた状態でシール剤によ
り周囲を接着して空セルを製造する第３の工程と、 その後、空セルの間隙に液晶材料（７）を封入する第４
の工程と、 を有する液晶装置の製造方法において、 前記第３の工程を行う前に、第１の可撓性基板（３）と
第２の可撓性基板（８）のいずれの可撓性基板について
も、可撓性基板からの導電性有機物の発生を抑制するこ
とのできる有機溶媒に、その内側表面をさらす工程を有
することを特徴とする液晶装置の製造方法。10. A first step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on the inner surface of a first flexible substrate (3), and then forming an alignment layer (6) thereon. A second step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on the inner surface of the second flexible substrate (8), and then forming an alignment layer (6) thereon, A third step of manufacturing an empty cell by adhering the periphery of the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) with a sealant in the state in which a spacer is interposed, and thereafter, The fourth for enclosing the liquid crystal material (7) in the gap between the empty cells
In the method for manufacturing a liquid crystal device, the method includes the step of, and the flexibility of either the first flexible substrate (3) or the second flexible substrate (8) before performing the third step. A method for manufacturing a liquid crystal device, which also comprises a step of exposing an inner surface of the substrate to an organic solvent capable of suppressing generation of a conductive organic substance from the flexible substrate.
法において、 前記第１の工程と前記第２の工程を行う前に、第１の可
撓性基板（３）と第２の可撓性基板（８）のいずれの可
撓性基板についても、可撓性基板からの導電性有機物の
発生を抑制することのできる有機溶媒に、その内側表面
をさらす工程を有することを特徴とする液晶装置の製造
方法。11. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 10, wherein the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (3) are formed before the first step and the second step are performed. Any of the flexible substrates (8), characterized in that it has a step of exposing its inner surface to an organic solvent capable of suppressing generation of conductive organic substances from the flexible substrate. Device manufacturing method.
所定の形に透明電極（５）を形成し、その後それらの上
に配向層（６）を形成する第１の工程と、 第２の可撓性基板（８）の内側表面に所定の形に透明電
極（５）を形成し、その後それらの上に配向層（６）を
形成する第２の工程と、 その後、第１の可撓性基板（３）と第２の可撓性基板
（８）とをスペーサーを介在させた状態でシール剤によ
り周囲を接着して空セルを製造する第３の工程と、 その後、空セルの間隙に液晶材料（７）を封入する第４
の工程と、 を有する液晶装置の製造方法において、 前記第３の工程を行う前に、第１の可撓性基板（３）と
第２の可撓性基板（８）のいずれの可撓性基板について
も、可撓性基板への異物の付着を抑制することのできる
有機溶媒に、その内側表面をさらす工程を有することを
特徴とする液晶装置の製造方法。12. A first step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on an inner surface of a first flexible substrate (3), and then forming an alignment layer (6) thereon. A second step of forming transparent electrodes (5) in a predetermined shape on the inner surface of the second flexible substrate (8), and then forming an alignment layer (6) thereon, A third step of manufacturing an empty cell by adhering the periphery of the first flexible substrate (3) and the second flexible substrate (8) with a sealant in the state in which a spacer is interposed, and thereafter, The fourth for enclosing the liquid crystal material (7) in the gap between the empty cells
In the method for manufacturing a liquid crystal device, the method includes the step of, and the flexibility of either the first flexible substrate (3) or the second flexible substrate (8) before performing the third step. A manufacturing method of a liquid crystal device, characterized in that the substrate also has a step of exposing its inner surface to an organic solvent capable of suppressing adhesion of foreign matter to the flexible substrate.
液晶装置の製造方法を用いて製造されてなることを特徴
とする液晶装置。13. A liquid crystal device manufactured by using the method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 10.
を用いて製造されてなることを特徴とする液晶装置。14. A liquid crystal device manufactured by using the method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 12.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150096A JPH08320477A (en) | 1995-03-17 | 1996-03-18 | Liquid crystal device and its production |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5913695 | 1995-03-17 | ||
| JP7-59136 | 1995-03-17 | ||
| JP6150096A JPH08320477A (en) | 1995-03-17 | 1996-03-18 | Liquid crystal device and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320477A true JPH08320477A (en) | 1996-12-03 |
Family
ID=26400182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6150096A Withdrawn JPH08320477A (en) | 1995-03-17 | 1996-03-18 | Liquid crystal device and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08320477A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6061042A (en) * | 1997-02-06 | 2000-05-09 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP6150096A patent/JPH08320477A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6061042A (en) * | 1997-02-06 | 2000-05-09 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display device |
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