JPH08316369A - 半導体装置およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
各部材の変形,変性,破壊の恐れがなく、熱放散性や信
頼性に優れた半導体装置を提供する。 【構成】 セラミックスと金属板13とを接合して一体
化し前記金属板13により回路パターンが形成された金
属接合回路基板122と、前記回路パターン上に搭載さ
れた半導体基体101と、無機質セラミックス粉末を分
散させたマトリックス金属であり前記金属接合回路基板
122の前記半導体基体101とは反対の面にろう材に
より接合されている支持部材125とからなる半導体装
置。 【効果】 製造時または運転時に生ずる熱歪を低減し、
各部材の変形,変性,破壊の恐れがなく、熱放散性や信
頼性に優れ、消費電力が少ない電子装置が得られる。
Description
を用いた電子装置に関する。
は、非絶縁型半導体装置の一電極を兼ねる場合が多かっ
た。例えば、Pb−Snはんだ材により、パワートラン
ジスタチップを銅ベース上に一体化して搭載したパワー
トランジスタ装置では、銅ベースすなわち金属支持部材
は、トランジスタのコレクタ電極と支持部材とを兼ねて
いる。このような半導体装置では、数アンペア以上のコ
レクタ電流が流れる際に、トランジスタチップは内部で
発熱する。発熱に起因する特性の不安定化や寿命の劣化
を避けるため、銅ベースは、熱放散部材を兼ねている。
高耐圧化かつ高周波化され大電流を流せるIGBT(Ins
ulated Gate Bipolar Transistor)チップを銅ベースに
直接はんだ付けして搭載した場合、熱放散中継部材とし
ての銅ベースの役割は、一層重要となる。
持部材から電気的に絶縁し、半導体装置の回路適用上の
自由度を増やした構造が出現している。絶縁型半導体装
置において、すべての電極は、絶縁部材により、金属支
持部材を含むすべてのパッケージ部材から絶縁されて外
部に引き出される。そのため、一対の主電極が回路上の
接地電位から浮いている使用例であっても、電極電位と
は無関係にパッケージを接地電位部に固定できるので、
半導体装置の実装が容易になる。
を安全かつ安定に動作させるには、動作時に発生する熱
をパッケージ外に効率良く放散させる必要がある。熱の
放散は、通常の場合、発熱源である半導体基体から、こ
れと接着された各部材を通じて、気中に熱伝達させて達
成される。絶縁型半導体装置では、熱伝達経路中に、絶
縁体を含み、絶縁体と半導体基体とを接着する部分等に
接着材層を含む。
なるほど、または要求される信頼性すなわち経時的安定
性,耐湿性,耐熱性等が高くなるほど、完全な絶縁性が
求められる。ここでいう耐熱性は、半導体装置の周囲温
度が外因により上昇した場合のほかに、半導体装置の扱
う電力が大きく、半導体基体で発生する熱が大きくなっ
た場合の耐熱性も含む。
ュール装置では、一般に半導体素子を含むあるまとまっ
た電気回路が組み込まれるため、その回路の少なくとも
1部とこれら装置の支持部材または放熱部材等の金属部
とを電気的に絶縁する必要がある。例えば、杉浦ほかに
よる“半導体・通信用DBC基板”:電子材料(Vol.44,
No.5),65〜69頁(1989年)には、両面に銅板が接合され
たAlNセラミックス基板すなわち銅張りAlN基板に
Siチップを搭載したアッセンブリを銅支持部材にはん
だ付けして一体化したパワーモジュール装置が示されて
いる。
は、AlNの持つ高熱伝導性(190W/m・K),低熱
膨張率(4.3×10~ 6/℃),高絶縁性(1015Ω・c
m)等の特長と、銅の持つ高熱伝導性(403W/m・
K),高電気伝導性(1.7×10~ 6Ω・cm)等の特長
とを組合せた基板であり、電流密度が高く発熱の著しい
電力用半導体素子基体(Si:3.5×10~ 6/℃)を直
接はんだ付けして搭載し、優れた放熱性と信頼性とを備
えたモジュール装置を製造するには、有効な部品であ
る。
上にはんだ付け搭載された半導体素子基体を銅支持部材
から電気的に絶縁し、または、その基板面上に形成され
た電気回路を銅支持部材から電気的に絶縁するととも
に、半導体基体から冷却フィンに至る熱流路を形成し、
その放熱効果を高める役割を担う。また、銅張りAlN
基板は、例えばMo板やW板等の特別な熱膨張緩和材を
用いず、熱膨張率の小さい半導体基体を搭載できるた
め、パワーモジュール装置の部品点数や組込み工数の削
減には有利である。
少なく、要求される信頼性がそれほど高くない場合は、
半導体装置の構成部材としてどのような材料を用いても
問題は少ない。しかし、発熱量が大きく高い信頼性が要
求される場合は、構成部材は選択しなければならない。
iチップを銅張りAlN基板に搭載したアッセンブリ
を、ろう付けにより、銅支持部材と一体化している。
るのは、銅張りAlN基板から伝達される熱流を広げて
放熱効果を高める役割を持たせるためである。この場合
は、銅支持部材と銅張りAlN基板との間の熱膨張率の
差が大きいので、はんだ層の破壊,熱流路の遮断,絶縁
板の破壊に基づく信頼性の低下を生じやすい。
材の熱膨張率が互いに異なるため、これらの一体化物に
は残留熱応力および熱歪が発生する。すなわち、銅張り
AlN基板と銅支持部材はPb−60wt%Snはんだ
材によりろう付けされ、ろう材の融点以上に加熱した
後、室温まで冷却する熱処理を受ける。その際、各部材
がろう材の凝固点で互いに固定され、その後は固定され
たまま各部材固有の熱膨張率に従って収縮し、接着部に
熱応力および熱歪が残留するとともに変形を生ずる。一
般に、電力用半導体基体はサイズが大きく、また、パワ
ーモジュール装置では複数の半導体基体や他の素子も搭
載されるので、絶縁基板の面積やろう付け面積も大きく
なる。したがって、残留熱応力および熱歪が大きく、各
部材の変形も促進されやすい。モジュール装置に稼動時
の熱ストレスが繰返し与えられて、残留熱応力および熱
歪に重畳されると、はんだ層の疲労破壊による熱流路の
遮断と機械的に脆い性質を持つ絶縁基板の破損を生ず
る。このような欠陥は、モジュール装置の正常な動作を
阻害する。特に、絶縁基板の破損は、安全上の問題にも
つながる。
が互いに異なるため、これらの一体化物には、反りが発
生する。モジュール装置に反りが発生ずると、これを冷
却フィンに取付ける際に、熱伝導グリースの装填が均一
にはなされない。その結果、銅支持部材と冷却フィンと
間の熱的係合が完全にはなされず、この経路の放熱性が
損なわれ、モジュール装置の正常な電気的動作を困難に
する。また、モジュール装置を冷却フィン上に強制的に
ねじ締めし搭載した場合は、新たな外力の印加により絶
縁基板の破損が助長される。
ずる熱応力および熱歪を軽減し、各部材の変形、変性、
または破壊の恐れがなく、信頼性の高い半導体装置およ
びそれを用いた電子装置を提供することである。
成するために、セラミックスと金属板とを接合して一体
化し前記金属板により回路パターンが形成された金属接
合回路基板と、回路パターン上に搭載された半導体基体
と、無機質セラミックス粉末を分散させたマトリックス
金属であり金属接合回路基板の半導体基体搭載側とは反
対の面にろう材により接合されている支持部材とからな
る半導体装置を提案するものである。
から選択された少なくとも1種の金属からなるマトリッ
クス金属と、SiC,AlN,BeO,BNの群から選
択された少なくとも1種のセラミックスからなる無機質
セラミックス粉末とで構成できる。
O,BNの群から選択された少なくとも1種を添加した
無機質セラミックス粉末またはAlNにY2O3,CaO
の群から選択された少なくとも1種を添加した無機質セ
ラミックス粉末とすることができる。
上とし、支持部材の熱膨張率とセラミックスの熱膨張率
との差を、7×10~ 6/℃以下とする。
ナの群から選択された1種からなるセラミックスであっ
ても、Y2O3,CaOの群から選択された少なくとも1
種を含有するAlNであってもよい。
00μmであることが望ましい。
t,Sn,Sb,Cu,Zn,Pdの群から選択された
少なくとも1種の金属またはNi,Ag,Au,Pt,
Sn,Sb,Cu,Zn,Pdの群から選択された少な
くとも2種の金属を含む合金により被覆することができ
る。
Crの群から選択された少なくとも1種の活性金属を含
むろう材により、セラミックスと金属板とを接合した回
路基板である。
の熱膨張率よりも小さくする。
体の占有面積は、50%以下とすることが好ましい。
T素子またはダイオード素子である。金属接合回路基板
と支持部材とが一体化された領域は、500mm2以上
7000mm2以下の面積を有する。半導体装置は、例
えば、50Hz以上30kHz以下の周波数で作動させ
る。
を接合して一体化し金属板により回路パターンが形成さ
れた金属接合回路基板と、回路パターン上に搭載された
半導体基体と、無機質セラミックス粉末を分散させたマ
トリックス金属であり金属接合回路基板の半導体基体搭
載側とは反対の面にろう材により接合されている支持部
材からなる半導体装置が、負荷に給電する電気回路に組
み込まれた電子装置を提案するものである。
給電する電気回路に組み込まれ、回転装置の回転速度を
制御し、または、それ自体が移動する装置に回転装置と
ともに組み込まれて、移動装置の移動速度を制御する。
回転装置に給電する電気回路は、インバータ回路とする
ことができる。
しまたは流動させる装置に組み込まれ、被撹拌物または
流動物の移動速度を制御する。または、上記電子装置の
半導体装置は、物体を加工する装置に組み込まれ、被加
工物の研削速度を制御する。さらに、上記電子装置の半
導体装置は、発光体に給電する電気回路に組み込まれ、
発光体の放出光量を制御する。
る無機質セラミックス粉末は、熱伝導率が高く熱膨張率
が小さいという基準で選択される。具体的には、SiC
(熱膨張率:3.7×10~ 6/℃,熱伝導率:270W/
m・K),AlN(4.3×10~ 6/℃,170W/m・
K),BeO(7.5×10~ 6/℃,260W/m・K),B
N(3.7×10~ 6/℃,57W/m・K)の群から選択さ
れた少なくとも1種が、好ましい材料として挙げられ
る。
C:3.2g/cm3,AlN:3.3g/cm3,BeO:
2.9g/cm3,BN:1.9g/cm3というように、金
属に比べて小さい。密度が小さいことは、複合材として
の支持部材の軽量化に寄与する。
は、熱伝導率が高いという基準で選択される。具体的に
は、Al(熱伝導率:240W/m・K),Cu(404W/
m・K)が、最も好ましい材料として挙げられ、Al,C
u,Ag(428W/m・K),Ni(94W/m・K)の群か
ら選択された少なくとも1種を含む金属が、好ましい材
料として挙げられる。
ぞれの素材の持つ欠点を互いに補完しあう。例えば、支
持部材125は、図1の模式断面図に示すように、セラ
ミックス粉末125Bをマトリックス金属125Aに分
散させた構成になっている。この場合、支持部材125
の物性値すなわち熱膨張率および熱伝導率は、図2およ
び図3に示すように、セラミックスとマトリックス金属
との中間の値となる。これらの図を参照すると、例えば
AlN粉末125BをCuマトリックス125Aに分散
させた支持部材125(AlNの分散比率:65体積%)
の場合は、熱伝導率:200W/m・Kであり、Cuの特
徴をあまり失うことなく、熱膨張率:6.6×10~ 6/
℃として、半導体基体や絶縁部材の熱膨張率に近似させ
ることができる。
クス金属125Aに分散させた支持部材125(SiC
の分散比率:60体積%)の場合は、熱伝導率:265
W/m・Kであり、熱伝導率の高いAlの性質を失うこと
なく、熱膨張率:7.6×10~6/℃として、半導体基体
や絶縁部材の熱膨張率に近似させることができる。
材でありながら、その物性に方向性を持たない。無機質
セラミックス粉末125Bが、マトリックス金属125
A中に均一に分散されているからである。
は、できるかぎり小さいことが望ましい。粒径が小さい
ほど、マトリックス金属中のセラミックス粉末125B
の分散が均一になり、金属支持部材125の物性値を制
御しやすくなる。しかし、過度に細かくなると、セラミ
ックス粉末125B同士の2次凝集を生じ、分散性を逆
に害する。このように、作業性との関連を考慮すると、
最も好ましい粒径は、3〜300μmである。
の銅支持板の代わりに用いた場合、次のような効果が得
られる。 a.本発明の支持部材125の熱膨張率が小さく、絶縁
部材(AlN,BeO,アルミナ)のそれと近似するの
で、支持部材125と絶縁部材の間のはんだ層に熱応力
および熱歪が残留しない。支持部材125と絶縁部材と
の一体化物は、反り等の変形を生じない。一体化物には
残留応力および熱歪がないため、半導体装置の稼働時に
熱ストレスの重畳を受けても、はんだ層の疲労破壊によ
る熱流路の遮断や絶縁部材の機械的破壊を生じにくい。
その結果、半導体装置の正常動作が維持され安全性が確
保される。 b.一体化物には、反りが生じないので、モジュール装
置から冷却フィンに至る経路の熱中継が確実に行なわれ
る。また、モジュール装置を冷却フィン上にねじ締め搭
載しても、絶縁部材の破壊が生じない。その結果、半導
体装置の正常動作が維持され安全性が確保される。 c.本発明の支持部材125には高い熱伝導性が付与さ
れているため、発熱の著しい半導体基体から絶縁部材や
支持部材を経て冷却フィンに至る熱流路にあって、支持
部材125は熱流を拡散させて広げる役割を十分に果た
す。したがって、半導体装置を用いた電子装置の放熱性
と信頼性が高まる。 d.本発明の支持部材125を適用した半導体装置は、
支持部材125が密度の小さい無機質セラミックスを含
んでいるから、従来の半導体装置と比べて、大幅に軽量
化される。
は、製造時または運転時に生ずる熱応力を軽減されて、
各部材の変形,変性,または破壊の恐れがなく、信頼性
が高くなる。したがって、このような半導体装置を適用
した電子装置の信頼性も高くなる。
る半導体装置およびそれを用いた電子装置の実施例を説
明する。
回路基板の模式断面図であり、図5は、図4の金属接合
回路基板を用いた半導体装置の構造の一例を示す斜視図
である。
(AlN)および金属板を接合して一体化した金属接合回
路基板と、無機質セラミックス粉末が分散されたマトリ
ックス金属で構成された支持部材とをろう材により接合
した半導体装置およびこれを電子装置に応用した例につ
いて説明する。
3mmの寸法を有するNiめっきの複合金属であり、熱
膨張率:6.5×10~ 6/℃,熱伝導率:260W/m・
K,密度:3.1g/cm3という物性値を示す。これら
の物性値は方向性を持っていない。以上の性質を得るた
めに、支持部材125は、Alマトリックス金属125
AにSiC焼結体粉末125B(65体積%)が分散され
たものである。SiC焼結体粉末125Bには、BeO
が1.5wt%添加されている。この粉末125Bは、
SiC粉末とBeO粉末との圧粉成形体をホットプレス
法により1700℃で焼結し、得られた焼結体を粒径7
0μm以下に粉砕したものである。引続き、Al地金を
真空電気炉で700℃で溶解した後、上記SiC粉末1
25Bを溶融Alとともに撹拌し、ダイキャスト金型に
鋳込んで、上記寸法の支持部材125を得た。支持部材
125には、Crをめっきし、引続いてNiを厚さ約4
μmに電解めっきした。ここで、粉末125BにBeO
を添加したSiCを用いているのは、SiCに270W
/m・Kという極めて高い熱伝導率が付与されて、支持
部材125の高熱伝導化に有効なためである。このBe
Oの代替物としてはBNが挙げられ、BNを添加して
も、BeOを添加した場合と同様に高熱伝導化できる。
−55〜+150℃の温度サイクル試験を実施した。こ
の試験を1000回繰り返した後に、物性値を測定した
ところ、熱膨張率:6.3×10~ 6/℃,熱伝導率:2
65W/m・K,密度:3.1g/cm3となり、初期値と
ほとんど同じであり、方向性もないことが確認された。
また、支持部材125の寸法変化や変形は、全く観測さ
れなかった。
す金属接合回路基板122と組み合わされ、IGBT素
子を搭載した2000V,75A級の半導体装置900
に適用した。金属回路基板122は、寸法31mm×6
0mm×0.63mmを有するAlN焼結体12の両面
に、厚さ300μmのコレクタ電極を兼ねる銅板13
a,エミッタ電極を兼ねる銅板13b,ゲート電極を兼
ねる銅板13cと、厚さ150μmの銅板13dを、活
性金属としてのTiを2wt%添加したAg−28wt
%Cuろう130a,130b,130c,130dに
より接合したものである。なお、銅板13a,13b,
13c,13dの表面には、無電解めっきにより厚さ4
μmのNi層が形成されているが、図示を省略してあ
る。活性金属としてのTiの代替物として、Cr,Z
r,Hf等が挙げられる。これらの活性金属は、AlN
焼結体12と反応して窒化物を形成し、ろう層130
a,130b,130c,130dとAlN焼結体12
との間の接合媒体の役割を演ずる。活性金属は、Ti,
Cr,Zr,Hfの群から選択された少なくとも1種を
含んでいればよい。AlN焼結体12は、Al2O3の還
元窒化法により製作されたAlN粉末を、助材としての
Y2O3(添加量:5wt%)とともに、窒素雰囲気中で1
700℃で常圧焼結して得た。Y2O3は、焼結助材とし
て焼結体を緻密化するとともに、高熱伝導性を付与する
役割も担う。Y2O3のほかには、CaOを焼結助材とし
て用いることも可能である。AlN焼結体12の素材と
なるAlN粉末は、金属Al粉末を直接窒化して得られ
る粉末であってもよい。
が、厚さ:200μmの図示しないPb−50wt%S
nはんだ124により、支持部材125上に接着され、
金属接合回路基板122の銅板13a上には、IGBT
素子(13mm×13mm×0.3mm)101が、厚
さ:200μmの図示しないSn−5wt%Sb−0.
6wt%Ni−0.05wt%Pはんだ113により、
ダイオード素子(10mm×10mm×0.3mm)10
1Aとともに接着されている。各素子101,101A
は、直径:550μmのAl線117によりワイヤボン
ディングされ、エミッタ電極13b,ゲート電極13c
に接続されている。
b,ゲート電極13cには、それぞれ外部端子116,
116Aが設けられ、さらに、各素子101,101
A,金属接合回路基板122等が,外気から完全に遮断
されるように、図示を省略したエポキシ系樹脂製ケース
を設けるとともに、このケース内にシリコーンゲルやエ
ポキシ系樹脂を充填し硬化させて、半導体装置900を
得た。
例を示す図である。なお、比較用として、従来例と同様
の部材構成を採用した半導体装置すなわち本実施例と同
寸法の金属接合回路基板122と銅支持部材とを組合せ
た半導体装置も作製した。
置が組み込まれた電動機の回転数制御用インバータ装置
の回路構成の一例を示す図である。
125間の熱抵抗は、0.35℃/Wであった。この値は
比較用半導体装置の熱抵抗0.24℃/Wよりも高いが、
目標仕様の0.42℃/W以下は満たしている。
熱流路を金属接合回路基板122や支持部材125等の
高熱伝導性部材で構成したこと、および、Mo板のよう
な熱膨張率緩和部材を省略して簡素な積層構造を採用で
きたことが、第1の要因である。また、金属接合回路基
板122と熱膨張率が整合した支持部材125を適用し
たため、はんだ層124における気泡等の欠陥が低減さ
れたことが、第2の要因である。(半導体基体101,
101A)−(金属接合回路基板122)−(支持部材12
5)の積層一体化物を形成した段階での反り量すなわち
腹の高さは、最大30μmであった。この最大30μm
は、比較用半導体装置の(半導体基体)−(金属接合回路
基板)−(銅支持部材)の積層一体化物の場合の300μ
mより大幅に小さい。支持部材125の熱膨張率が金属
接合回路基板122の熱膨張率と整合しているからであ
る。
通り、0.42℃/Wの値までは許される。この目標熱抵
抗値を満たすには、支持部材125は、90W/m・K
以上の熱伝導率を備えている必要がある。図2を参照す
ると、このような熱伝導率は、マトリックス金属がCu
およびAlであり、無機質セラミックス粉末がSiC,
BeO,AlN,BNである任意の組合せおよび組成範
囲で得られる。
を示す図である。半導体装置900に間欠通電し、支持
部材125の温度を30〜100℃間で繰返し変化させ
る試験を実施した。本実施例による半導体装置の熱抵抗
Aは、30000回までは、ほとんど変動を示さず、4
0000回に至り、0.39W/℃とわずかに上昇してい
る。しかし、この熱抵抗の上昇は、上記目標仕様を下回
る値であって、半導体装置900の機能には支障を及ぼ
さない。これに対して、比較用半導体装置の熱抵抗B
は、初期値こそ本実施例の半導体装置より低いものの、
試験回数が増すにつれて著しく上昇し、15000回で
は、初期値の2倍以上に達している。このように、本実
施例の半導体装置900は、比較用半導体装置よりも格
段に安定して優れた放熱性を維持している。
じた原因は、主として金属接合回路基板122と銅支持
板との間におけるはんだ層の熱疲労破壊であった。この
熱疲労破壊は、銅支持板と金属接合回路基板122との
熱膨張率が大幅に異なっており、はんだ付け部に残留す
る熱応力および熱歪が極めて大きいことである。
た高い信頼性を示した理由は、金属接合回路基板122
と半導体基体101,101Aとの間に熱膨張率差がほ
とんどないため、はんだ113に過大な熱応力および熱
歪が作用せず、はんだの熱疲労破壊が避けられたこと、
金属接合回路基板122と支持部材125との熱膨張率
が近似しているため、はんだ層124に作用する熱応力
および熱歪が軽減されたことである。
間のコロナ放電開始電圧の推移を示す図である。上記間
欠通電試験では、電極13a,13b,13cから支持
板125に至る積層構造の絶縁耐力も追跡試験した。コ
ロナ放電開始電圧は、電荷量100pCにおける値であ
る。本実施例による半導体装置のコロナ放電開始電圧A
は、初期値約8kVに対して、40000回後において
も約8kVであり、ほとんど変動していない。これに対
し、比較用半導体装置のコロナ放電開始電圧Bは、本実
施例による半導体装置と同等の初期値を示しているが、
試験回数を増すにつれて低下し、15000回以降は、
約1kVとほぼ一定の値を示している。
は、比較用半導体装置と比べて、優れた絶縁性を安定的
に維持している。比較用半導体装置の絶縁性が劣化した
主な理由は、金属接合回路基板122における絶縁体と
してのAlN焼結体12が電極13a,13b,13c
に対応する部分で機械的に破壊したことである。絶縁物
が機械的に破壊すると、その破壊部分で電界が極度に大
きくなる結果、放電を生ずる。焼結体の機械的破損は、
銅支持板と金属接合回路基板122の熱膨張率差に起因
する過度な熱応力および熱歪が作用する結果として生ず
る。
では、支持板125と金属接合回路基板122との一体
化部には過度な熱応力および熱歪が作用しないので、A
lN焼結体12の機械的破損を生じない。したがって、
絶縁体内部で電界が不連続的に大きい値を示すこともな
い。その結果、本実施例による半導体装置は、優れた絶
縁性を安定的に示すことになった。
の間の熱膨張率差に対する熱抵抗変化率の関係を示す図
である。ここで得たデータは、本実施例による半導体装
置に上記同様の間欠通電試験を30000回施し、試験
の前後における熱抵抗変化を示している。また、AlN
焼結体12と同じ寸法のBeO焼結体およびアルミナ焼
結体を用いた金属接合回路基板122の場合も同時に示
す。熱抵抗の変化は、用いた金属接合回路基板の種類や
構成には関係なく、支持部材125との間の熱膨張率差
が7×10~ 6/℃を越えた場合に顕著に生じている。こ
の場合の熱抵抗上昇の主因は、はんだ層124の熱疲労
破壊である。このことは、はんだ層124を高信頼化す
るには、熱膨張率差を7×10~ 6/℃以下に調整する必
要があることを示唆している。
たしながら、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きた。この効果は、金属接合回路基板122の面積、し
たがってはんだ層124の面積が大きくなるほど顕著で
ある。その一例を図11により説明する。図11は、本
実施例による半導体装置Aの金属接合回路基板122−
支持部材125間の接着面積および比較用半導体装置B
の金属回路基板122−支持板間の接着面積に対する温
度サイクル印加後の故障発生率の関係を示す図である。
温度サイクルは、−55〜+150℃のもとで1000
回与えた。図11によれば、接着面積が約500mm2
までは、半導体装置A,Bともに故障発生率は0%であ
る。500mm2を越えると、比較用半導体装置Bでは
加速的に故障発生率が増加するのに対して、本実施例に
よる半導体装置Aでは7000mm2までは、0%が維
持されている。なお、本実施例による半導体装置Aでは
20000mm2の場合に故障発生率約5%を記録して
いる。
mm2の場合に半導体装置900の稼働が不可能である
ことを意味するものではない。換言すると、接着面積2
0000mm2の場合でも、用途に合わせて、信頼性の
水準を少し低く設定すれば、半導体装置900の実稼働
は、可能である。ここでいう故障とは、主としてはんだ
層124に生じたクラックまたは金属接合回路基板12
2の機械的破損のことである。このように、温度サイク
ル数が1000回と多いにもかかわらず、本実施例構造
の半導体装置では、大面積の領域まで故障を生じていな
い。これは、金属接合回路基板122から支持部材12
5に至る積層構造体の熱膨張率が整合しているためであ
る。
材の密度が3.1g/cm3と小さいため、装置900の
重量が軽減されている。この点は、半導体装置900を
電子装置用として実装する際の作業を容易にさせるだけ
でなく、電子装置の小型,軽量化に寄与する。
素子101の発熱温度との関係を示す図である。本実施
例の半導体装置900を組み込んだ図7のインバータ装
置を用いて、電動機950の回転数制御を試みた。スイ
ッチング損失は、周波数を増すにつれて増えるが、商用
電源の50Hzから30kHzまでの間では、素子10
1が安定して動作し得る温度の125℃を越えることは
なかった。この範囲内で電動機950は特別な異常を伴
わずに作動した。
インバータ装置および電動機は、電気自動車にその動力
源として組み込まれた。この電気自動車では、動力源か
ら車輪に至る駆動機構を簡素化できたために、ギヤーの
噛み込み比率の違いにより変速していた従来の自動車と
比較して、変速時のショックが軽減された。また、この
電気自動車は、0〜250km/hの範囲でスムーズな
走行が可能であった。動力源を源とする振動や騒音は、
従来の気筒型エンジンを搭載した自動車の約1/2に軽
減できた。
組み込んだインバータ装置の実施例の電動機の効率Aと
従来の交流電動機を用いた場合の効率Bとを比較して示
す図である。本実施例の半導体装置900を組み込んだ
インバータ装置は、ブラシレス直流電動機とともに、冷
房時の消費電力:5kW,暖房時の消費電力:3kW,
電源電圧200Vの冷暖房機に組み込まれた。本実施例
は、比較した全回転数範囲で、従来よりも10%以上は
高い効率を示している。この効率の高さは、冷暖房機使
用時の電力消費の低減に役立つ。また、室内の温度が運
転開始から設定温度に到達するまでの時間は、本実施例
の場合は、従来の交流電動機を用いた場合よりも約1/
2に短縮された。
0が他の流体を撹拌または流動させる装置、例えば洗濯
機、流体循環装置等に組み込まれた場合でも得られる。
基板上に多数個の半導体装置基体が密集して搭載され、
これらがマトリックス金属に無機質セラミックス粉末を
分散した支持部材上に搭載された半導体装置と、これを
用いた電子装置について説明する。
mm×86mm×0.63mm)122の電極領域13a
には、Sn−5wt%Sb−0.6wt%Ni−0.05
wt%Pはんだ(厚さ:200μm)113により、IG
BT素子(13mm×13mm×0.3mm、6個)10
1と、ダイオード素子(13mm×13mm×0.3m
m,2個)101Aが接着された。引続き前記実施例1
と同様に、素子101,101Aと電極13b,13c
間のワイヤボンディング117,端子116、116A
の取り付けを行なった後、金属接合回路基板122を支
持部材(95mm×110mm×5mm)125にPb−
60wt%Snはんだ(厚さ:200μm)124により
接着した。
結体12の一方の面には、電極領域13a,13b,1
3cが形成され、他方の面には金属板13dが形成され
ている。これらの電極および金属板は銅からなり、前記
実施例1と同様の手法によりろう付けされている。
25AにAlNセラミックス粉末125Bを分散した複
合体で構成されており、熱膨張率:6.5×10~ 6/
℃、熱伝導率:215W/m・K、密度:5.5g/cm3
なる物性値(AlN粉末の分散量:60体積%)を有して
いる。これらの物性値は方向性を持っていない。以上の
性質を得るために、支持部材125はCuマトリックス
金属125Aに高熱伝導化されたAlNセラミックス粉
末125Bを分散したものとなっている。AlN粉末1
25BはY2O3が焼結助材および高熱伝導化のために5
wt%添加されており、常圧焼結法で1700℃で焼結
した後、粒径50μm以下に粉砕されたものである。粒
径30μm、純度99.99%のCu粉末とAlN粉末
125Bをバインダーとともに混合した後成形し、この
成形体を真空中で1000℃,100MPaのもとで加
圧熱処理し、上記寸法の支持部材125を得た。支持部
材125には、Niを厚さ約4μmに電解めっきした。
支持部材125の高熱伝導化や低熱膨張化を図る目的の
もとでは、粉末125BとしてCaOを助材にして焼結
したAlNを用いることが許される。
には、−55〜+150℃の温度サイクル試験が施され
た。この試験を1000回与えた後物性を測定したが、
熱膨張率:6.4×10~ 6/℃,熱伝導率:210W/m
・K,密度:5.5g/cm3と、上記初期値とほとんど
同じであり、方向性もないことが確認された。また、支
持部材125の寸法変化や変形は、全く観測されなかっ
た。
施し、半導体装置900を得た。この半導体装置900
は、搭載されたすべての素子が並列に接続され、等価的
に図14に示す回路構成となっている。また、本実施例
と同寸法の金属接合回路基板122を銅支持板に搭載し
た比較用半導体装置も製作した。半導体装置900は最
終的に、図7に示した電動機950の回転数制御用イン
バータ装置に組み込まれた。
をより高めるには、支持部材125の熱膨張率は接着さ
れる相手部材(金属接合回路基板122)のそれより大き
い方が好ましい。熱膨張率が相手部材より過度に小さい
と、ろう付けされた一体化物が室温に戻る際に金属接合
回路基板122に引張り応力が作用する。その際に、焼
結体12の引張り応力に対する耐破壊強度は金属ほどに
は大きくないため、破損を生じやすい。金属接合回路基
板122になり得るセラミックス焼結体12の熱膨張率
はAlN:4.3×10~ 6/℃,BeO:7.5×10~
6/℃,アルミナ:6.3×10~ 6/℃である。支持部材
125の熱膨張率は、これら焼結体12の熱膨張率を越
えるように調整することが望ましい。
体基体101,101Aに至る部材構成では、半導体基
体(3.5×10~ 6/℃)−金属接合回路基板(銅板とAl
N焼結体の複合体、5.2×10~ 6/℃)−支持板(6.5
×10~ 6/℃)の組合せにおいて、熱膨張率が近似して
いる。そのため、接着面積が4960mm2と大きいに
もかかわらず、一体化物の反り量は15μmに過ぎず、
各接着部に残留する熱応力が少ないことを裏付けてい
る。残留する熱応力が少ないことは、半導体装置900
を冷却フィンに取り付ける際に熱伝導路が遮断されるの
を防ぐのに役立つとともに、取り付けの際のねじ締めに
よる半導体装置900の構成部品の破損防止に寄与す
る。
101と支持板125との間の熱抵抗は、0.029℃/
Wと極めて小さい値であった。このように低い値が得ら
れたのは、実施例1の場合と同様の理由の他に、多数の
発熱素子101,101Aが有効な熱伝導路内に搭載さ
れているため、実施例1の場合よりも実効的な放熱性能
が向上していることがある。すなわち、発熱素子10
1,101Aが金属接合回路基板122の面積に占める
割合は(27.3%)に及んでいる。このように、本実施
例構造の放熱機能は、特に発熱素子の占有面積が大きく
なる場合に有効に発揮される。
る半導体基体の占有面積と熱抵抗の関係を示す図であ
る。占有面積が50%になるまでの範囲では、金属接合
回路基板の熱流拡大の機能が有効に作用するために、熱
抵抗は逐次減少する。しかし、50%を越えると熱流拡
大の機能が反映されなくなるため、熱抵抗は上昇に転ず
る。したがって、本実施例構成の半導体装置は、占有面
積50%までは放熱機能を向上させることが可能であ
る。
0℃の温度サイクルが3000回印加された。これによ
る半導体基体101−支持板125間熱抵抗は0.03
5℃/Wとわずかに変化したものの、この変化量は、装
置900の使用上は、全く問題ない範囲である。熱抵抗
変化を生じなかった最大の理由は、(半導体基体10
1,101A)−(金属接合回路基板122)−(支持
部材125)積層構造全体の熱膨張率が整合されている
ため、はんだ層113,124の熱疲労破壊が抑制され
たことである。
移を示す図である。半導体装置900に間欠通電試験を
施し、支持部材125の温度を30〜100℃の間で繰
返し変化させた。熱抵抗は50000回まではほとんど
変化を示さず、60000回に至ってわずかに上昇し始
めているのみである。このように安定した放熱性が維持
されたのは、上記した温度サイクル試験の場合と同様の
理由に基づく。
0が、図7と同様のインバータ回路に組み込まれた。こ
こでは、1相分として8個の半導体装置900が割り当
てられている。本実施例のインバータ装置(電源電圧:
2500V,ピーク出力電流:650A,平均周波数:
2kHz)は、電車用の主電動機(190kW)の速度制
御に供された。この結果、走行開始(加速)時に電動機が
発する騒音は平均周波数1.5kHzの場合より1/3低
く、短い駅間距離(1.2km)を想定した走行試験でも
表定速度40km/hと優れた運行性能が得られた。こ
れは、高周波化されて発熱の著しい半導体基体101を
効率的に冷却でき、同基体が安定的に動作するためであ
る。
装置900は、電動機の回転速度や移動装置の走行速度
を制御するのに有用である。本実施例と同様の半導体装
置がエレベータ、エスカレータ、ベルトコンベヤー等の
物体を運搬する装置やその装置に組み込まれた場合で
も、電車に組み込まれた場合と同様の効果が得られる。
には複数の種類の無機質セラミックス粉末が添加されて
いても、その効果は変わらない。例えば、SiC粉末と
ともに第2のセラミックス粉末AlN、BeO,BN
(3.7×10~ 6/℃、90W/m・K)のいずれかが添加
されていてもよい。また、マトリックス金属がCuの場
合でも、これにSiC,AlN,BeO,BNの群から
選択された2種類以上の無機質セラミックス粉末が添加
されていることに、格別の支障は伴わない。さらに、マ
トリックス金属に複数の種類の金属が用いられること
に、何らの支障も生じない。その例を説明する。
値を示す。ここで、マトリックス金属125Aには、C
u,Al,Ag,Niの群から選択された金属が用いら
れ、無機質セラミックス粉末125Bには、SiC,A
lN,BeO,BNの群から選択された複数種類の粉末
が用いられて、粉末125Bは、マトリックス金属12
5A中に50体積%添加されている。ここに示すいずれ
の支持部材125も、金属接合回路基板122とはんだ
付けされ、電気的不活性領域かつ熱伝導路にあって熱中
継または熱流拡大の機能と、金属接合回路基板122と
の間の熱応力および熱歪を緩和する機能とを兼ねるには
十分な性能を備えている。
られるめっき層は、Niに限定すべきものではない。は
んだ材やろう材に対するぬれ性を向上させるために、表
面にCu,Ni,Ag,Au,Pt,Pd,Sn,S
b,Al,Zn,または、これらの合金を被覆すること
は好ましいことである。この際、めっき法に限らず、蒸
着法またはスパッタリング法等によってもよい。
等は、実施例に開示した材料のみには限定されない。半
導体装置が製作されるプロセスや半導体装置に要求され
る特性,特に耐熱疲労信頼性に応じて、種々の成分およ
び組成のものを選択できる。例えば、Pb−5wt%S
b,Pb−52wt%Sn−8wt%Bi,Au−12
wt%Ge,Au−6wt%Si,Au−20wt%S
i,Al−11.7wt%Si,Ag−4.5wt%S
i,Au−85wt%Pb,Au−26wt%Sb,C
u−69.3wt%Mg,Cu−35wt%Mn,Cu
−36wt%Pb,Cu−76.5wt%Sb,Cu−
16.5wt%Si,Cu−28wt%Ti,Cu−1
0wt%Zr、または、これらを任意に組合わせたろう
材を適用できる。
される金属接合回路基板122は、単数に限定されず、
複数であってもよい。
電する電気回路に組み込まれて使用される。 (1)半導体装置が、回転装置に給電する電気回路に組み
込まれて上記回転装置の回転速度を制御するか、また
は、それ自体が移動する装置に回転装置とともに組み込
まれて移動装置の移動速度を制御する場合 (2)前記回転装置に給電する電気回路が、インバータ回
路である場合 (3)半導体装置が流体を撹拌または流動させる装置に組
み込まれて、被撹拌物または被流動物の移動速度を制御
する場合 (4)半導体装置が物体を加工する装置に組み込まれて、
被加工物の研削速度を制御する場合 (5)半導体装置が発光体に組み込まれて、発光体の放出
光量を制御する場合 (6)半導体装置が50Hzないし30kHzの周波数の
もとで作動する場合にも上記実施例の場合と同様の効
果、利点を享受できる。
に搭載される半導体基体になり得る素材は、Si:4.
2×10~ 6/℃,Ge:5.8×10~ 6/℃,GaA
s:6.5×10~ 6/℃,GaP:5.3×10~ 6/℃,
SiC:3.5×10~ 6/℃等である。これらの素材か
らなる半導体素子を搭載することに、何らの制約もな
い。この際、半導体基体はサイリスタ、トランジスタ
等、実施例に記載されていない電気的機能を有していて
もよい。また、金属接合回路基板122に搭載される素
子は半導体基体に限定されず、例えばコンデンサ,抵抗
体,コイル等の受動素子であってもよい。
は、図6および14に示したものに限定されない。例え
ば、図17に示すように、半導体装置の内部で種々の電
気回路が設けられていることは、これを電子装置に用い
る上で支障になるものではない。この際、半導体装置の
内部の電気回路に受動素子が組み込まれていることも、
好ましいことである。
生ずる熱歪を低減し、各部材の変形,変性,破壊の恐れ
がなく、熱放散性や信頼性に優れた半導体装置を提供で
きる。
り、消費電力の少ない電子装置を提供できる。
断面図である。
す斜視図である。
である。
路の一例を示すである。
る。
電開始電圧の推移を示す図である。
率差と熱抵抗変化率との関係を示す図である。
度サイクル印加後の故障発生率との関係を示す図であ
る。
との関係を示す図である。
と比較して示す図である。
の占有面積と熱抵抗との関係を示す図である。
ある。
示す図である。
Claims (22)
- 【請求項1】 セラミックスと金属板とを接合して一体
化し前記金属板により回路パターンが形成された金属接
合回路基板と、 前記回路パターン上に搭載された半導体基体と、 無機質セラミックス粉末を分散させたマトリックス金属
であり前記金属接合回路基板の前記半導体基体搭載側と
は反対の面にろう材により接合されている支持部材とか
らなる半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記支持部材が、Al,Cu,Ag,Niの群から選択
された少なくとも1種の金属からなる前記マトリックス
金属と、SiC,AlN,BeO,BNの群から選択さ
れた少なくとも1種のセラミックスからなる前記無機質
セラミックス粉末とで構成されることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の半導体装置において、 前記無機質セラミックス粉末が、前記SiCにBeO,
BNの群から選択された少なくとも1種を添加した前記
無機質セラミックス粉末または前記AlNにY2O3,C
aOの群から選択された少なくとも1種を添加した前記
無機質セラミックス粉末であることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記支持部材の熱伝導率が、90W/m・K以上である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記セラミックスが、AlN,BeO,アルミナの群か
ら選択された1種からなることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項6】 請求項1ないし4のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記セラミックスが、Y2O3,CaOの群から選択され
た少なくとも1種を含有するAlNであることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記支持部材の熱膨張率と前記セラミックスの熱膨張率
との差が、7×10~6/℃以下であることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記無機質セラミックス粉末の粒径が、3〜300μm
であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれか一項に記載
の半導体装置において、 前記支持部材の表面が、Ni,Ag,Au,Pt,S
n,Sb,Cu,Zn,Pdの群から選択された少なく
とも1種の金属またはNi,Ag,Au,Pt,Sn,
Sb,Cu,Zn,Pdの群から選択された少なくとも
2種の金属を含む合金により被覆されていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項10】 請求項1ないし9のいずれか一項に記
載の半導体装置において、 前記金属接合回路基板が、Ti,Zr,Hf,Crの群
から選択された少なくとも1種の活性金属を含むろう材
により、前記セラミックスと前記金属板とを接合した回
路基板であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項11】 請求項1ないし10のいずれか一項に
記載の半導体装置において、 前記金属接合回路基板の熱膨張率が、前記支持部材の熱
膨張率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項12】 請求項1ないし11のいずれか一項に
記載の半導体装置において、 前記金属接合回路基板の面積に対する前記半導体基体の
占有面積が、50%以下であることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項13】 請求項1ないし12のいずれか一項に
記載の半導体装置において、 前記半導体基体が、IGBT素子またはダイオード素子
であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項14】 請求項1ないし13のいずれか一項に
記載の半導体装置において、 前記金属接合回路基板と前記支持部材とが一体化された
領域が、500mm2以上7000mm2以下の面積を有
することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項15】 請求項1ないし14のいずれか一項に
記載の半導体装置において、 前記半導体装置が、50Hz以上30kHz以下の周波
数で作動することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項16】 セラミックスと金属板とを接合して一
体化し前記金属板により回路パターンが形成された金属
接合回路基板と、前記回路パターン上に搭載された半導
体基体と、無機質セラミックス粉末を分散させたマトリ
ックス金属であり前記金属接合回路基板の前記半導体基
体搭載側とは反対の面にろう材により接合されている支
持部材からなる半導体装置が、負荷に給電する電気回路
に組み込まれたことを特徴とする電子装置。 - 【請求項17】 請求項17に記載の電子装置におい
て、 前記半導体装置が、回転装置に給電する電気回路に組み
込まれ、前記回転装置の回転速度を制御することを特徴
とする電子装置。 - 【請求項18】 請求項17に記載の電子装置におい
て、 前記半導体装置が、それ自体が移動する装置に前記回転
装置とともに組み込まれて、前記移動装置の移動速度を
制御することを特徴とする電子装置。 - 【請求項19】 請求項17または18に記載の電子装
置において、 前記回転装置に給電する電気回路が、インバータ回路で
あることを特徴とする電子装置。 - 【請求項20】 請求項17ないし19のいずれか一項
に記載の電子装置において、 前記半導体装置が、流体を撹拌しまたは流動させる装置
に組み込まれ、被撹拌物または流動物の移動速度を制御
する半導体装置であることを特徴とする電子装置。 - 【請求項21】 請求項17ないし20に記載の電子装
置において、 前記半導体装置が、物体を加工する装置に組み込まれ、
被加工物の研削速度を制御する半導体装置であることを
特徴とする電子装置。 - 【請求項22】 請求項17ないし21のいずれか一項
に記載の電子装置において、 前記半導体装置が、発光体に給電する電気回路に組み込
まれ、前記発光体の放出光量を制御する半導体装置であ
ることを特徴とする電子装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12460995A JP3306613B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 半導体装置およびそれを用いた電子装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP12460995A JP3306613B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 半導体装置およびそれを用いた電子装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316369A true JPH08316369A (ja) | 1996-11-29 |
JP3306613B2 JP3306613B2 (ja) | 2002-07-24 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244118A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12460995A patent/JP3306613B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2008244118A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
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