JPH0831377B2 - High voltage transformer - Google Patents
High voltage transformerInfo
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- JPH0831377B2 JPH0831377B2 JP63212778A JP21277888A JPH0831377B2 JP H0831377 B2 JPH0831377 B2 JP H0831377B2 JP 63212778 A JP63212778 A JP 63212778A JP 21277888 A JP21277888 A JP 21277888A JP H0831377 B2 JPH0831377 B2 JP H0831377B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、CRT等に高電圧を供給するための高圧ト
ランス、特に異常発生時の特性の改善に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a high-voltage transformer for supplying a high voltage to a CRT or the like, and particularly to improvement of characteristics when an abnormality occurs.
［従来の技術］ 従来から高電圧発生のためにフライバックトランスな
どの高圧トランスが広く利用されている。例えば、テレ
ビジョン受像器等のCRT（陰極線管）の高圧電極への電
圧供給には、このような高圧トランスが必須である。ま
た、コンピュータ機器の発達に伴うディスプレイ装置と
してのCRTの需要増大に応じ、高圧トランスの重要性も
ますます増大してきている。[Prior Art] Conventionally, a high voltage transformer such as a flyback transformer has been widely used to generate a high voltage. For example, such a high voltage transformer is indispensable for supplying a voltage to a high voltage electrode of a CRT (cathode ray tube) such as a television receiver. Further, as the demand for CRTs as display devices has increased with the development of computer equipment, the importance of high voltage transformers has been increasing.
ここで、このような高圧トランスの一例について第２
図乃至第４図を用いて説明する。高圧トランス10は、一
対のＵ形コアを組合せたコア脚に一次側にコイル及び二
次側コイルが同心円状に装着されており、その断面形状
は軸を中心に対象となるため、第３図においては一方側
のみを示してある。Here, the second example of such a high-voltage transformer will be described.
This will be described with reference to FIGS. In the high-voltage transformer 10, a coil and a secondary coil are concentrically mounted on the primary side of a core leg that is a combination of a pair of U-shaped cores, and the cross-sectional shape is symmetrical about the axis. In, only one side is shown.
コア脚12の周囲には筒状の一次側ボビン14が配置され
ており、この一次側ボビン14に低圧コイルである一次側
コイルN1が巻回されている。また、一次側ボビン14の端
面に形成した端子部に固定された端子ピン16は例えば一
次側コイルN1に電力を供給するためのものである。A cylindrical primary side bobbin 14 is arranged around the core leg 12, and a primary side coil N 1 that is a low voltage coil is wound around the primary side bobbin 14. The terminal pin 16 fixed to the terminal portion formed on the end surface of the primary bobbin 14 is for supplying power to the primary coil N 1 , for example.
そして、一次側ボビン14の周囲には所定距離隔てて同
じく筒状の二次側ボビン18が配置されている。この二次
側ボビン18の周囲には高圧コイルを形成する多巻数の二
次側コイルNHが巻回されている。A cylindrical secondary side bobbin 18 is also arranged around the primary side bobbin 14 at a predetermined distance. Around the secondary bobbin 18, a multi-turn secondary coil N H forming a high voltage coil is wound.
ここで、この例においては、二次側コイルNHは、第１
層NH1から第６層NH6までの６層構造となっている。そし
て、第４図に示すように通常銅材によって形成される直
径30μｍ程度の導線20には、絶縁被膜22が被覆されてお
り、この導線は一層毎に含浸絶縁材24に含浸固定されて
いる。そして、二次側コイルNHの各層間には、絶縁性の
ポリエチレンテレフタレート等のシートからなる層間絶
縁材26が介在されている。なお、含浸絶縁材24にはエポ
キシ系プラスチック等が採用されている。このように二
次側コイルNHの層間及び線間に絶縁材を巻込んだり、絶
縁材を含浸注形するのは、二次側コイルにおいて30kVも
の高圧を発生しており、これを確実に絶縁する必要があ
るからである。また、二次側コイルNHのそれぞれ一層を
形成する単位コイルNH1からNH6は、それぞれダイオード
DHを介し直列に接続されている。Here, in this example, the secondary coil N H is
It has a six-layer structure from the layer N H1 to the sixth layer N H6 . Then, as shown in FIG. 4, an insulating coating film 22 is coated on the conductor wire 20 which is usually made of copper material and has a diameter of about 30 μm, and this conductor wire is impregnated and fixed to the impregnated insulation material 24 layer by layer. . An interlayer insulating material 26 made of an insulating sheet of polyethylene terephthalate or the like is interposed between the layers of the secondary coil N H. The impregnated insulating material 24 is made of epoxy plastic or the like. In this way, winding the insulating material between the layers of the secondary coil N H and between the wires, or impregnating the insulating material with casting, generates a high voltage of 30 kV in the secondary coil. It is necessary to insulate. Further, the unit coils N H1 to N H6 forming one layer of the secondary side coil N H are diode diodes, respectively.
Connected in series via D H.
次に、このような高圧トランスを用いた回路の一例に
ついて第５図に基づいて説明する。Next, an example of a circuit using such a high voltage transformer will be described with reference to FIG.
この回路は、CRTに用いられる偏向装置の一般的な回
路であり、水平偏向出力回路30と、高圧トランス10を有
している。そして、この高圧トランス10からの出力をCR
T32に供給する。This circuit is a general circuit of a deflection device used for a CRT, and has a horizontal deflection output circuit 30 and a high voltage transformer 10. Then, the output from this high-voltage transformer 10 is CR
Supply to T32.
水平偏向出力回路30は、水平出力トランジスタT
R1と、ダンパーダイオードD1、共振コンデンサC1、水平
偏向コイルLH及びＳ字補正コンデンサCSとから成ってい
る。そして、水平出力トランジスタTR1は、水平ドライ
ブ回路（図示せず）から送られてくる電圧パルス信号を
受け入れ、所定のスイッチング動作を行う。こ水平出力
トランジスタTR1のスイッチングと、ダンパーダイオー
ドD1の協働によって水平偏向コイルLHにのこぎり刃状の
電流を加える。また、この水平偏向コイルLHと共振コン
デンサC1はその共振作用によってフライバックパルスを
発生させ、これが高圧トランス10に加えられる。The horizontal deflection output circuit 30 includes a horizontal output transistor T
And R1, damper diode D 1, the resonance capacitor C 1, consists the horizontal deflection coil L H and S-correction capacitor C S. Then, the horizontal output transistor T R1 receives a voltage pulse signal sent from a horizontal drive circuit (not shown) and performs a predetermined switching operation. A sawtooth-shaped current is applied to the horizontal deflection coil L H by the switching of the horizontal output transistor T R1 and the cooperation of the damper diode D 1 . Further, the horizontal deflection coil L H and the resonance capacitor C 1 generate a flyback pulse by its resonance action, and this is applied to the high voltage transformer 10.
高圧トランス10は、上述のような構成をしており、高
圧トランス10の一次側コイルN1の一方側の端子はダンパ
ーダイオードD1のカソード、水平偏向コイルLH及び共振
コンデンサC1の共通端に接続されており、他端側端子は
入力電源EBに接続されている。一方、高圧トランス10の
二次側コイルNH1〜NH6は整流ダイオードDH1〜DH5を介し
て直列に接続され、最終段の高圧整流ダイオードDH6がC
RT（陰極線管）32の高圧電極（アノード）34に接続され
ている。The high-voltage transformer 10 is configured as described above, and one terminal of the primary side coil N 1 of the high-voltage transformer 10 has a cathode of the damper diode D 1 , a common end of the horizontal deflection coil L H and the resonance capacitor C 1 . Is connected to the input power source E B. On the other hand, the secondary side coils N H1 to N H6 of the high voltage transformer 10 are connected in series via the rectifying diodes D H1 to D H5, and the high voltage rectifying diode D H6 at the final stage is C
It is connected to a high voltage electrode (anode) 34 of an RT (cathode ray tube) 32.
このような構成において、高圧トランス10は前述の水
平偏向出力回路30から加えられるフライバックパルスを
昇圧し、更に高圧整流ダイオードDHによって整流を行
い、その整流出力である高電圧EHをアノード34に加える
のである。尚、平滑用コンデンサCHはこの高電圧EHを平
滑するためのものである。In such a configuration, the high-voltage transformer 10 boosts the flyback pulse applied from the horizontal deflection output circuit 30 described above, and further rectifies it by the high-voltage rectification diode D H , and the high voltage E H that is the rectified output is anode 34 In addition to. The smoothing capacitor C H is for smoothing this high voltage E H.
このような高圧トランス10において、何らかの原因に
よって、二次側コイルNHにおいて短絡が発生すると、こ
こにおいて電流量が増大し、発火発煙等の事故にも繋が
る。In such a high-voltage transformer 10, if a short circuit occurs in the secondary coil N H for some reason, the amount of current increases, leading to an accident such as ignition and smoke.
このため、従来の装置においても、このような発火発
煙を防止するための手段が講じられている。そこで、従
来の保護回路について第６図に基づいて説明する。For this reason, even in the conventional device, means for preventing such ignition and smoke is taken. Therefore, a conventional protection circuit will be described with reference to FIG.
この例においては、第５図における電源EBで過大電流
を検出し、電流供給を制限するようになっている。これ
は、二次側コイルNHにおいて短絡が発生すると一次側電
流IBもそれに応じて増大するからである。In this example, it detects an excessive current in the power supply E B in FIG. 5, so as to limit the current supply. This is because when a short circuit occurs in the secondary coil N H , the primary current I B also increases accordingly.
すなわち、この例において電源EBは次のような構成を
有している。入力端Ｐは、電力の入力端であって、通常
交流の100Vの電源に接続される。そして、この入力端Ｐ
はブリッジ結合された４つのダイオードD21,D22,D23,D
24からなる整流回路42に接続されている。また、この整
流回路42の出力側には、電圧安定化回路44が接続され、
所定の直流電力を高圧トランス10に供給するようになっ
ている。すなわち、出力端46が第５図における一次側コ
イルN1の一端T1に接続されている。なお、コンデンサC
21は電圧を平滑させるためのものである。That is, the power supply E B in this example has the following configuration. The input terminal P is an input terminal for electric power, and is normally connected to a 100V AC power source. And this input terminal P
Is four diodes D 21 ,, D 22 ,, D 23 , D which are bridge-coupled
It is connected to a rectifier circuit 42 consisting of 24 . A voltage stabilizing circuit 44 is connected to the output side of the rectifying circuit 42,
A predetermined DC power is supplied to the high voltage transformer 10. That is, the output end 46 is connected to one end T 1 of the primary coil N 1 in FIG. Note that the capacitor C
21 is for smoothing the voltage.
電圧安定化回路44は、トランジスタTR21、抵抗R20及
び制御回路48からなっている。そして、制御回路48に
は、電圧安定化回路44の出力側の電圧が入力され、制御
回路48はこの電圧が所定の一定値になるようにトランジ
スタTR21のベース電圧を制御する。従って、電圧安定化
回路44から出力される電圧はほぼ一定値に制御され、出
力端46における電圧EBもほぼ一定値となる。なお、コン
デンサC23は、電圧平滑、特に過渡応答改善のためのも
のである。The voltage stabilizing circuit 44 includes a transistor TR 21 , a resistor R 20, and a control circuit 48. Then, the voltage on the output side of the voltage stabilizing circuit 44 is input to the control circuit 48, and the control circuit 48 controls the base voltage of the transistor T R21 so that this voltage becomes a predetermined constant value. Accordingly, the voltage output from the voltage stabilizing circuit 44 is controlled substantially constant value, it is substantially constant voltage E B at the output 46. The capacitor C 23 is for smoothing the voltage, and particularly for improving the transient response.
更に、この例においては、電圧安定化回路44と出力端
46の間に異常電流検出回路50を設け、これに流れる電流
IBを監視するようになっている。この異常電流検出回路
50は、電圧安定化回路44と出力端46の間に挿入配置され
た抵抗R22の両端電圧を検出し、この両端電圧が所定値
以上になった際に、トランジスタTR22をオンすることに
よって、以上電流を検出するものである。Further, in this example, the voltage stabilizing circuit 44 and the output terminal are
An abnormal current detection circuit 50 is installed between 46 and the current flowing through it.
It is designed to monitor I B. This abnormal current detection circuit
50 detects the voltage across the resistor R 22 inserted between the voltage stabilizing circuit 44 and the output terminal 46, and turns on the transistor T R22 when the voltage across the resistor R 22 exceeds a predetermined value. The above is for detecting the current.
このため、抵抗R22の上流側端にはトランジスタTR22
のエミッタが接続され、抵抗R22の下流側端には抵抗R23
を介しトランジスタTR22のベースが接続されている。な
お、コンデンサC22は電流IBの微小時間における変化を
吸収するためのものである。Therefore, the upstream end of the resistor R 22 transistor T R22
Is connected to the emitter of the resistor R 22 and the resistor R 23 is
The base of the transistor T R22 is connected via. The capacitor C 22 is for absorbing a change in the current I B in a minute time.
このような構成において、電流IBが増加し、抵抗R22
の両端の電位差が所定値を越えると、トランジスタTR22
ベース・エミッタ間の電位差が所定値を越え、トランジ
スタTR22が導通される。ここで、このTR22のコレクタは
抵抗R24及びR25を介しアームされている。そこで、TR22
が導通され、ここに電流が流れると、抵抗R24とR25の接
続点の電位は、抵抗R25の電圧降下分だけ上昇すること
になる。なお、コンデンサC24は、抵抗R24とR25の接続
点における交流成分を除去するためのものである。In such a configuration, the current I B increases and the resistance R 22
When the potential difference between both ends of the transistor exceeds a specified value, the transistor T R22
The potential difference between the base and the emitter exceeds a predetermined value, and the transistor T R22 is turned on. Here, the collector of T R22 is armed via resistors R 24 and R 25 . So T R22
Is conducted and a current flows there, the potential at the connection point between the resistors R 24 and R 25 rises by the voltage drop across the resistor R 25 . The capacitor C 24 is for removing the AC component at the connection point of the resistors R 24 and R 25 .
一方、抵抗R24とR25の接続点はトランジスタTR23のベ
ースに接続されている。そして、このトランジスタTR23
のコレクタにはフォトカプラ52の入力端の一端側が接続
され、トランジスタTR23のエミッタはアースされてい
る。また、フォトカプラ52の入力端の他端側には抵抗R
26を介し電源EC21が接続されている。このため、トラン
ジスタTR23がオンされると、フォトカプラ52の入力端に
接続された発光ダイオード52aがオンされる。また、フ
ォトカプラ52の受光側のトランジスタ52bのベースは抵
抗R27を介しアースに接続され、コレクタは電源EC22に
接続され、エミッタは水平発振回路54に接続されてい
る。On the other hand, the connection point between the resistors R 24 and R 25 is connected to the base of the transistor T R23 . And this transistor T R23
Is connected to one end of the input end of the photocoupler 52, and the emitter of the transistor TR23 is grounded. In addition, a resistor R is attached to the other end of the input end of the photocoupler 52.
Power supply E C21 is connected via 26 . Therefore, when the transistor TR23 is turned on, the light emitting diode 52a connected to the input end of the photocoupler 52 is turned on. The base of the transistor 52b on the light receiving side of the photocoupler 52 is connected to the ground via the resistor R 27 , the collector is connected to the power supply E C22 , and the emitter is connected to the horizontal oscillation circuit 54.
そこで、フォトカプラ52の発光ダイオード52aの発光
によりトランジスタ52bがオンすると水平発振回路54に
発振停止信号が入力される。そして、水平発振回路54は
発振停止信号を受け入れたときに発振を停止する。この
水平発振回路からの発振パルスは、第５図におけるドラ
イブ回路30の入力端子に入力されるものなので、これが
停止されることによってドライブ回路30の動作が停止さ
れる。これによって高圧トランス10にはフライバック・
パルスが発生しない。そこで、高圧トランス10の発火、
発煙などを防止することができる。Therefore, when the transistor 52b is turned on by the light emission of the light emitting diode 52a of the photocoupler 52, the oscillation stop signal is input to the horizontal oscillation circuit 54. Then, the horizontal oscillation circuit 54 stops the oscillation when receiving the oscillation stop signal. Since the oscillation pulse from this horizontal oscillation circuit is input to the input terminal of the drive circuit 30 in FIG. 5, the operation of the drive circuit 30 is stopped by stopping this. This allows the high voltage transformer 10 to fly back
No pulse is generated. So, the ignition of the high voltage transformer 10,
It is possible to prevent smoking.
［発明が解決しようとする課題］ 上述のように従来の高圧トランス保護回路において理
論的には高圧トランスの発火、発煙を防止することがで
きる。しかし、このような保護回路を有するにも拘ら
ず、高圧トランスが発火、発煙を起こす場合もある。そ
こで、これについて詳細に検討したところ高圧トランス
の二次側コイルNHのショート（レアショート）につい
て、次のようなことが明らかとなった。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the conventional high-voltage transformer protection circuit, theoretically it is possible to prevent ignition and smoking of the high-voltage transformer. However, despite having such a protection circuit, the high-voltage transformer may ignite or smoke. Then, when this was examined in detail, the following became clear about the short (rare short) of the secondary coil N H of the high voltage transformer.
まず、高圧トランス10の絶縁被膜22、含浸絶縁材24、
層間絶縁材26等の絶縁材の材料は絶縁材24、層間絶縁剤
26等の絶縁材の材料は次のような条件を考慮して決定さ
れている。First, the insulating coating 22 of the high-voltage transformer 10, the impregnated insulating material 24,
The material of the insulating material such as the interlayer insulating material 26 is the insulating material 24, the interlayer insulating agent
The material of the insulating material such as 26 is determined in consideration of the following conditions.
（Ａ）定常動作時おける内部温度で安定していること （Ｂ）通常動作における機械的、熱的ストレスに長期間
耐えられること （Ｃ）注形、含浸等の作業性が良いこと そして、これら条件を考慮すると各絶縁材は、それぞ
れ異なる材料で形成される場合が多い。このため、これ
らの絶縁材の融点等、その形状を保持できる温度はそれ
ぞれ異なることとなる。なお、これらの絶縁材としては
通常プラスチックが利用されるが、プラスチックには熱
可塑性の樹脂、熱硬化性樹脂等があるため、形状を保持
できる温度は融点であったり、軟化点であったり、分解
温度であったりする。(A) Stable at internal temperature during steady operation (B) Long-term withstanding mechanical and thermal stress in normal operation (C) Good workability such as casting and impregnation Considering the conditions, each insulating material is often formed of a different material. Therefore, the temperatures such as the melting points of these insulating materials that can maintain their shapes are different. Although plastics are usually used as these insulating materials, since there are thermoplastic resins, thermosetting resins, etc. in the plastics, the temperature at which the shape can be maintained is the melting point or the softening point, It may be the decomposition temperature.
そして、通常の場合、絶縁被膜22の融点は255℃、含
浸絶縁材24の融点は300℃、層間絶縁材26の融点は260℃
程度のものが採用されている。In the normal case, the melting point of the insulating coating 22 is 255 ° C., the melting point of the impregnated insulating material 24 is 300 ° C., and the melting point of the interlayer insulating material 26 is 260 ° C.
Something is adopted.
一方、何らかの原因により、二次側コイルNHの一つの
層、例えば一層目の単位コイルNH1の中間の一巻回がと
なりの導線20とショートすると、この部分において短絡
電流に起因する発熱が起こる。二次側より数十Ｗ（20W
〜50W）程度の電力出力する場合において、二次側コイ
ルNHの一巻において2W程度の電力を消費することにな
る。すると、第７図において斜線で示すようにこの熱に
よって両隣の導線20もショート状態になり、更に発熱が
増加する。そして、このような発熱状態は、ショート領
域が広がるにつれ更に大きくなり、二次側コイルNHの一
層目における５、６巻回のショートによって約10W程度
の発熱エネルギーが生じる。On the other hand, if for some reason, one layer of the secondary side coil N H , for example, one turn in the middle of the unit coil N H1 of the first layer is short-circuited with the adjacent conductor wire 20, heat generation due to the short-circuit current will occur in this part. Occur. Dozens of watts from the secondary side (20W
In the case of outputting about 50 W), one turn of the secondary coil N H consumes about 2 W of power. Then, as indicated by the hatched lines in FIG. 7, this heat also short-circuits the conductor wires 20 on both sides, further increasing heat generation. Then, such a heat generation state becomes larger as the short-circuit area expands, and heat energy of about 10 W is generated by the short circuit of the first coil of the secondary coil NH for 5 or 6 turns.
この程度の発熱が起こると、第７図に示すように一層
目と二層目の二次側コイルNH1とNH2を絶縁している層間
絶縁材26の溶解も始まる。すなわち、この層間絶縁材26
は通常の場合ポリエチレンテレフタレート等の材料が用
いられておりその融点は260℃程度である。そこで、一
層目内のショートによって発熱量が増加すると、この層
間絶縁材26が溶け、一層目と二層目のコイル同士の短絡
も生じることになる。When this amount of heat is generated, the interlayer insulating material 26 that insulates the first and second layers of the secondary side coils N H1 and N H2 also begins to melt, as shown in FIG. That is, this interlayer insulating material 26
Usually, a material such as polyethylene terephthalate is used and its melting point is about 260 ° C. Therefore, when the amount of heat generation increases due to a short circuit in the first layer, the interlayer insulating material 26 melts, and a short circuit occurs between the first and second coils.
一方、高圧トランス10の二次側コイルは６つの二次側
コイルNH1からNH6の直列接続からなっている。このた
め、NH1NH2の間には出力電圧EHの６分の１の直流電圧が
かかっていることになる。そして、通常のCRT32の高圧
電極34に印加する電圧が30kV程度なので、一層目の二次
側コイルNH1と二次側コイルNH2の間には5kV近くの電圧
がかかっていることになる。On the other hand, the secondary coil of the high voltage transformer 10 is composed of six secondary coils N H1 to N H6 connected in series. Therefore, a DC voltage of 1/6 of the output voltage E H is applied between N H1 and N H2 . Since the voltage applied to the high voltage electrode 34 of the normal CRT 32 is about 30 kV, a voltage of about 5 kV is applied between the secondary coil N H1 and the secondary coil N H2 of the first layer.
そこで、層間絶縁材26が溶け、層間のショートが発生
するということは、5kVもの高電圧におけるショートと
なり、このときに消費される電力は非常に大きなものと
なってしまう。従って、高圧トランス10において、この
ような状態が生起されると、その瞬間に大電流が流れて
しまい、発火、発煙が生じ、その後電流が停止されても
臭い、煙等の発生を十分に防止することはできなかっ
た。Therefore, the fact that the interlayer insulating material 26 is melted to cause a short circuit between layers results in a short circuit at a high voltage of 5 kV, and the power consumed at this time becomes extremely large. Therefore, when such a state occurs in the high-voltage transformer 10, a large current will flow at that moment, causing ignition and smoke, and even if the current is stopped after that, odor, smoke, etc. are sufficiently prevented. I couldn't.
この短絡発生時の一次側電流IBの変化状態の一態様を
第８図に示しており、図中startにおいて第１層におけ
る最初の短絡が起こり、時間t1まで徐々に層内における
短絡が進んでいく。そして、時間t2において層間の短絡
が起こるとその電流値は直線的に上昇し発火発煙等の危
険を生じるのである。このように、従来の高圧トランス
においては、保護回路を有していても短絡が起こった際
に発煙発火等を充分防止できないという問題点があっ
た。FIG. 8 shows one mode of the change state of the primary-side current I B at the time of occurrence of this short circuit. The first short circuit in the first layer occurs at start in the figure, and the short circuit in the layer gradually occurs until time t 1. Go ahead. Then, the current value of a short circuit between layers occurs at time t 2 is the serious risk of such linearly increased fire smoke. As described above, the conventional high-voltage transformer has a problem that even if it has a protection circuit, it is not possible to sufficiently prevent smoke and ignition when a short circuit occurs.
また、高圧コイル10に温度ヒューズを埋込み温度が上
昇した時にこのヒューズの溶解断続によって高圧コイル
への電流を遮断する事ができる。しかし、高圧トランス
10の駆動周波数は一般に15.75KHZ〜130KHzと高いため、
温度ヒューズのような形状の大きいものを配設するとそ
の電磁結合度が低くなり、高圧トランス10の基本的性能
が害されてしまうという問題点もあった。Further, when the temperature fuse is embedded in the high voltage coil 10 and the temperature rises, it is possible to interrupt the current to the high voltage coil by intermittently melting the fuse. But the high voltage transformer
Since the driving frequency of 10 is generally high at 15.75KHZ ~ 130KHz,
If a large-sized one such as a thermal fuse is arranged, the degree of electromagnetic coupling thereof is lowered, and the basic performance of the high voltage transformer 10 is impaired.
発明の目的 この発明は、上述のような問題点を解決することを課
題として為されたものであり、高圧トランスにおける二
次側コイルにおけるショート等の異常発生時において、
発煙、発火等が発生しにくい高圧トランス保護回路を提
供することを目的とする。OBJECT OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and when an abnormality such as a short circuit occurs in the secondary coil of a high voltage transformer,
It is an object of the present invention to provide a high-voltage transformer protection circuit that does not easily generate smoke or fire.
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、一次側コイルと二次側コ
イルを有し、二次側コイルより高電圧を出力する高圧ト
ランスにおいて、二次側コイルは被覆絶縁材が被覆され
た導線を多数巻回して一層に形成した単位コイルを複数
積層して形成され、この単位コイルは線間絶縁材に含浸
固定され、各単位コイル間には両者を仕切る層間絶縁材
が配置され、上記層間絶縁材はその形状を保持できる上
限温度が上記被覆絶縁材および線間絶縁材のいずれより
も高い材料で形成されていると共に、高圧トランスにお
ける異常電流を検出する異常電流検出手段と、異常電流
を検出したときに、高圧トランスへの電流供給を停止す
る保護回路とを有し、層間絶縁層材が形状保持している
間に異常電流を検出することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, in a high-voltage transformer that has a primary coil and a secondary coil, and outputs a higher voltage than the secondary coil, the secondary coil has insulation insulation. An inter-layer insulation material that is formed by stacking a plurality of unit coils formed by winding a number of conducting wires covered with a material into a single layer, and the unit coils are impregnated and fixed in an inter-wire insulation material and partition the two between each unit coil. Is placed, and the interlayer insulating material is formed of a material whose upper limit temperature that can maintain its shape is higher than either of the above-mentioned covering insulating material and inter-line insulating material, and abnormal current detection for detecting abnormal current in the high voltage transformer. And a protection circuit for stopping the current supply to the high voltage transformer when the abnormal current is detected, and the abnormal current is detected while the shape of the interlayer insulating layer material is maintained.
［作用］ この発明においては、高圧トランスの一次側にパルス
電流が発生されれ、これが昇圧され二次側から高電圧が
出力される。[Operation] In the present invention, a pulse current is generated on the primary side of the high-voltage transformer, and this is boosted to output a high voltage from the secondary side.
そして、この発明においては、層間絶縁材として高温
でも形状を保持できるものを採用している。すなわち、
層間絶縁材の形状を保持できる上限温度は、被覆絶縁材
や含浸絶縁材よりも高く設定されている。したがって、
二次コイル内において導線のショートが発生した場合
に、導線同士のショートが進み、発熱が増大しても、層
間絶縁材の溶解は遅延される。Further, in the present invention, as the interlayer insulating material, one which can retain its shape even at high temperature is adopted. That is,
The upper limit temperature at which the shape of the interlayer insulating material can be maintained is set higher than that of the covering insulating material and the impregnated insulating material. Therefore,
When a conductor short circuit occurs in the secondary coil, even if the conductor wires are short-circuited with each other and heat generation increases, the dissolution of the interlayer insulating material is delayed.
このため、異常電流検出手段により、層内のショート
の段階で異常流電流の検出し、高圧トランスへの電流供
給を停止することができる。そこで、高圧トランスの層
間絶縁材の溶解による層間のショートの発生を防止で
き、発煙、発火等を未然に防止することができる。Therefore, the abnormal current detecting means can detect an abnormal current at the stage of short circuit in the layer and stop the current supply to the high voltage transformer. Therefore, it is possible to prevent a short circuit between layers due to dissolution of the interlayer insulating material of the high-voltage transformer, and to prevent smoke, ignition, and the like.
［実施例］ 次に、この発明に係る高圧トランスの一実施例につい
て図面に基づいて説明する。第１図は要部の構成を示す
断面図である。[Embodiment] Next, an embodiment of the high-voltage transformer according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the main part.
ここで、全体の構成は、上述の従来例の場合と同様で
あるが、この発明において特徴的なことは、層間絶縁材
26として形状を保持できる上限温度（例えば、融点）の
非常に高い材料、少なくとも被膜絶縁材22、含浸絶縁材
24のいずれよりも形状を保持できる上限温度の高い材料
を利用していることである。Here, the overall structure is similar to that of the above-mentioned conventional example, but the characteristic feature of the present invention is that the interlayer insulating material is used.
A material having a very high upper limit temperature (eg, melting point) capable of retaining the shape as 26, at least a film insulating material 22, an impregnated insulating material
That is, a material having a higher maximum temperature capable of retaining the shape than any of 24 is used.
そして、この実施例の高圧トランス10においては、従
来例と同様の層間絶縁材26の他に、融点の高い層間絶縁
材26aを有している。この層間絶縁材26aの融点は、被膜
絶縁材22、含浸絶縁材24、層間絶縁材26のいずれよりも
高く設定されている。The high-voltage transformer 10 of this embodiment has an interlayer insulating material 26a having a high melting point in addition to the interlayer insulating material 26 similar to the conventional example. The melting point of the interlayer insulating material 26a is set higher than any of the film insulating material 22, the impregnated insulating material 24, and the interlayer insulating material 26.
このような構成を有する高圧トランスにおいて、なん
らかの原因で、導線20の１つが隣の導線20と短絡した場
合、従来例の場合と同様にここで数Ｗ程度の発熱が起こ
る。そして、この発熱によって含浸絶縁材22が軟化溶解
し、導線20は下方へ落下し始める。すると、この落下に
よって、ショートがさらに進み、ショートする導線20が
１本増える毎に数Ｗずつ発熱量が増えていく。そして、
周囲の層間絶縁材26も軟化溶解し始める。In the high-voltage transformer having such a configuration, if one of the conductors 20 is short-circuited with the adjacent conductor 20 for some reason, heat generation of about several watts occurs here as in the case of the conventional example. Then, the heat generation causes the impregnated insulating material 22 to be softened and melted, and the conductive wire 20 starts to drop downward. Then, due to this drop, the short-circuit progresses further, and the amount of heat generation increases by several W each time the number of short-circuited conductors 20 increases. And
The surrounding interlayer insulating material 26 also begins to soften and melt.
ところが、この実施例においては、融点の高い材料か
らなる層間絶縁材26aを有している。従って、導線20の
ショートによる発熱がかなり進んでも、層間絶縁材26a
が完全に軟化溶解し、導線20が倒れて、となりの層のコ
イルとショートすることを抑制できる。However, this embodiment has the interlayer insulating material 26a made of a material having a high melting point. Therefore, even if the heat generation due to the short circuit of the conductor 20 progresses considerably, the interlayer insulating material 26a
It is possible to prevent the conductive wire 20 from being completely softened and melted, and the conductive wire 20 falling down to short-circuit with the coil in the next layer.
これによって、かなりの本数の導線20がショートする
まで、層間短絡は発生しない。このため、上述の高圧ト
ランス保護回路によっても、層間短絡発生前に高圧トラ
ンスの二次側コイルNH内のショート発生を検知できるこ
とになり、高圧トランスの発煙発火発生前に電流供給を
停止することができる。As a result, no interlayer short circuit occurs until a considerable number of conductor wires 20 short circuit. Therefore, the above-mentioned high-voltage transformer protection circuit can also detect the occurrence of a short circuit in the secondary coil N H of the high-voltage transformer before the interlayer short-circuit occurs, and the current supply must be stopped before the high-voltage transformer smokes and ignites. You can
なお、この実施例においては、融点の高い層間絶縁材
26aを従来の層間絶縁材26に追加して設けている。この
構成によれば、層間絶縁材26の溶解熱を利用して、温度
上昇を抑制できる。従って、層間短絡発生までの導線20
の短絡の本数をさらに増加することができ、一次側電流
IB検出による異常検出をさらに確実にすることができ
る。また、このような構成とすれば、温度上昇が抑制さ
れるので、層間絶縁材26aの融点を他の絶縁材と比べて
それ程大きなものとしなくても良く、安価の材料を選択
することも可能となる。In this example, an interlayer insulating material having a high melting point is used.
26a is provided in addition to the conventional interlayer insulating material 26. According to this configuration, the temperature rise can be suppressed by utilizing the heat of fusion of the interlayer insulating material 26. Therefore, the conductor wire 20
The number of short circuits in the
It is possible to further ensure the abnormality detection by I B detection. Further, with such a configuration, since the temperature rise is suppressed, it is not necessary to set the melting point of the interlayer insulating material 26a to be so large as compared with other insulating materials, and it is possible to select an inexpensive material. Becomes
通常他の絶縁材より融点が50゜高ければ十分である。 A melting point of 50 ° higher than that of other insulating materials is usually sufficient.
さらに、第６図に示した従来の高圧トランス保護回路
は、次のような理由でその異常検出動作が大きく遅れる
場合がある。Further, in the conventional high voltage transformer protection circuit shown in FIG. 6, the abnormality detection operation may be greatly delayed due to the following reasons.
すなわち、高圧トランス10の一次側に供給する電流IB
は、一定値でないことによる。すなわち、第９図に示す
ようにCRT32における明るさ調整（輝度調整）等によっ
て電流IBはかなり大きく変化する。これは、CRT32の輝
度の変化に応じて二次側電流（高圧電流）IHが変化し、
一次側電流IBが変化するからである。そして、この変化
量は一次側電流IBの値に対してかなり大きなものとなっ
ている。That is, the current I B supplied to the primary side of the high-voltage transformer 10
Is not a constant value. That is, as shown in FIG. 9, the current I B changes considerably due to the brightness adjustment (brightness adjustment) in the CRT 32. This is because the secondary side current (high voltage current) I H changes according to the change in the brightness of the CRT32.
This is because the primary current I B changes. Then, this change amount is considerably large with respect to the value of the primary side current I B.
従って、異常電流検出回路50おけるトランジスタTR22
の動作するタイミングは、一次側電流IBがかなり上昇し
たときになってしまう。そこで、一次側電流IBが層内の
短絡により上昇してもこれを検知し、一次側電流を遮断
することができない場合が多い。このため、従来の高圧
トランス保護回路は十分な機能を発揮できない場合があ
った。Therefore, the transistor T R22 in the abnormal current detection circuit 50
The operation timing of is when the primary side current I B rises considerably. Therefore, even if the primary-side current I B rises due to a short circuit in the layer, it is often not possible to detect this and interrupt the primary-side current. For this reason, the conventional high voltage transformer protection circuit may not be able to exhibit a sufficient function.
そこで、以下にこの発明の高圧トランスに好適な異常
検出の感度を大幅に上げた保護回路を第２図に基づいて
説明する。Therefore, a protection circuit suitable for the high-voltage transformer according to the present invention, which greatly increases the sensitivity of abnormality detection, will be described below with reference to FIG.
この回路によれば、二次側コイルにおけるショート発
生時における異常電流の検出を大幅に改良できる。従っ
て、この発明の高圧トランス10にこの保護回路を組合せ
れば、非常に確実な層間短絡発生防止を図ることができ
る。According to this circuit, detection of abnormal current when a short circuit occurs in the secondary coil can be significantly improved. Therefore, by combining this protection circuit with the high-voltage transformer 10 of the present invention, it is possible to very reliably prevent the occurrence of an interlayer short circuit.
図において、水平ドライブ回路（図示せず）、水平偏
向出力回路30、高圧トランス10は第５図に示した従来例
の構成及び作用と同様であり、説明を省略する。In the figure, the horizontal drive circuit (not shown), the horizontal deflection output circuit 30, and the high-voltage transformer 10 have the same configurations and operations as those of the conventional example shown in FIG.
そして、この実施例においては、保護回路60を有して
いる。The protection circuit 60 is provided in this embodiment.
この保護回路60は、異常発生時に高圧トランス10への
電流供給を停止するものであり、次のような構成を有し
ている。The protection circuit 60 stops the current supply to the high voltage transformer 10 when an abnormality occurs, and has the following configuration.
電源EBから一次側コイルN1の始端T1への電流供給回路
には、一次側電流IB検出用の抵抗R1と、電流遮断用のヒ
ューズF1が挿入配置されている。Power current supply circuit E from B to start T 1 of the primary coil N 1, and the resistance R 1 of the primary-side current I B detection, fuse F 1 for current interruption is inserted and arranged.
また、一次側コイルN1にはその中間点に中間タップT2
が設けられ、始端側コイルN11と終端側コイルN12の２つ
のコイルに分割できるようになっている。そして、この
中間タップT2には逆流防止用のダイオードD2のアノード
側が接続されている。このダイオードD2のカソード側に
はサイリスタSCRのアノードが接続され、このサイリス
タSCRのカソードはヒューズF1と抵抗R1の接続点に接続
されている。従って、サイリスタSCRがオンされた場合
には始端側コイルN11及びヒューズF1を閉回路が形成さ
れることになる。なお、サイリスタSCRと並列に配設さ
れているコンデンサC2は平滑用のものであり、適宜省略
することも可能である。また、サイリスタSCRのカソー
ド、ゲート間に接続されたコンデンサC3は電圧平滑及び
ノイズ除去のためのものである。In addition, the primary side coil N 1 has an intermediate tap T 2 at its intermediate point.
Is provided so that the coil can be divided into two coils, a starting end side coil N 11 and an ending side coil N 12 . Then, the anode side of the backflow preventing diode D 2 is connected to the intermediate tap T 2 . The cathode side of the diode D 2 is connected to the anode of the thyristor SCR, and the cathode of the thyristor SCR is connected to the connection point of the fuse F 1 and the resistor R 1 . Therefore, when the thyristor SCR is turned on, a closed circuit is formed for the starting end side coil N 11 and the fuse F 1 . The capacitor C 2 arranged in parallel with the thyristor SCR is for smoothing and can be omitted as appropriate. The capacitor C 3 connected between the cathode and gate of the thyristor SCR is for voltage smoothing and noise removal.
一方、二次側コイルNHの入力側端T4は、電流検出用抵
抗R2、抵抗R3、バイアス電源ESを介し電源EBの出力側に
接続されている。そして、抵抗R2によって二次側コイル
NHに流れる高圧電流IHを検出することができる。また、
抵抗R2とR3の接続部はABL（Automatic Briteness Limit
ter）側に通じている。On the other hand, the input side end T 4 of the secondary coil N H is connected to the output side of the power supply E B via the current detection resistance R 2 , the resistance R 3 , and the bias power supply E S. And the secondary coil by the resistor R 2
The high-voltage current I H flowing through N H can be detected. Also,
The connection between resistors R 2 and R 3 is ABL (Automatic Briteness Limit
ter) side.
そして、この抵抗R2と抵抗R3の接続部がサイリスタSC
Rのゲートに接続されているため、サイリスタSCRのゲー
ト電位は抵抗R2における電圧降下、すなわち高圧電流IH
の大きさに応じて変化することになり、オンオフされる
ことになる。And, the connecting part of this resistor R 2 and resistor R 3 is the thyristor SC.
Since it is connected to the gate of R, the gate potential of thyristor SCR is the voltage drop across resistor R 2 , that is, the high voltage current I H
It will change depending on the size of, and will be turned on and off.
なお、コンデンサC3がサイリスタSCRのカソードゲー
ト間に接続されている。The capacitor C 3 is connected between the cathode gates of the thyristor SCR.
高圧トランス10内部においてレアショートが発生した
場合には、一次側電流IBと二次側電流IHの比較によって
これを検出し、一次側電流IBを停止する。When a rare short circuit occurs inside the high-voltage transformer 10, it is detected by comparing the primary current I B and the secondary current I H , and the primary current I B is stopped.
ここで、この電流停止は、サイリスタSCRをオンする
ことによって行うのであるが、このための回路の抵抗
R1、R2、バイアス電流ESの設定等について説明する。Here, this current stop is performed by turning on the thyristor SCR.
The setting of R 1 , R 2 and bias current E S will be described.
まず、一次側電流IBはCRT32の輝度調整によって第９
図のように変化する。このように、この一次側電流IBは
輝度調整等の二次側電流IHによらない定数部分と、輝度
調整等による二次側電流IHによるに比例する部分に分け
られ、次のように表すことができる。First, the primary side current I B is adjusted to the 9th by adjusting the brightness of CRT32.
Change as shown. Thus, the primary side current I B is divided into a constant part that does not depend on the secondary side current I H such as brightness adjustment and a part that is proportional to the secondary side current I H due to brightness adjustment. Can be expressed as
IB＝Ａ×IH＋IB0 ……（１） ここで、Ａは回路から決定される定数であり、IB0はC
RTの輝度調整等によって変動しない定数部分である。I B = A × I H + I B0 (1) where A is a constant determined from the circuit and I B0 is C
It is a constant part that does not change due to RT brightness adjustment.
また、バイアス電源ES、抵抗R2を介しサイリスタSCR
のゲートに印加される電圧eHは、次のように表される。In addition, the thyristor SCR is connected via the bias power supply E S and the resistor R 2.
The voltage e H applied to the gate of is expressed as follows.
−eH＝IH×R2＋ES ……（２） ここで、この電圧は、電源EBの＋側を基準として表し
てある。 -E H = I H × R 2 + E S ...... (2) where this voltage is represented the + side of the power source E B as a reference.
さらに、抵抗R1における電圧降下eBは次のように表す
ことができる。Further, the voltage drop e B across the resistor R 1 can be expressed as:
−eB＝IB×R1 ……（３） ここで、この電圧は、上述の場合と同様に電源EBの＋
側を基準として表してある。−e B = I B × R 1 (3) Here, this voltage is + of the power source E B as in the case described above.
The side is shown as a reference.
そして、（１）式を（３）式に代入することによって
抵抗R1における電圧降下eBは次のように表されることに
なる。Then, by substituting the equation (1) into the equation (3), the voltage drop e B at the resistor R 1 can be expressed as follows.
−eB＝Ａ×IH×R1＋IB0×R1 ……（４） 一方、正常動作時においては、サイリスタSCRのゲー
トの電位は、カソードと同電位とし、遮断状態とするた
め、両者は等しくなるように設定することが望ましい。
従って、eB＝eHとなるようにESを設定する必要がある。-E B = A × I H × R 1 + I B0 × R 1 (4) On the other hand, during normal operation, the gate potential of the thyristor SCR is set to the same potential as the cathode and is cut off. Are preferably set to be equal.
Therefore, it is necessary to set E S so that e B = e H.
そこで、（４）式と（２）式の右辺同士は等しくな
り、 IH×R2＋ES＝Ａ×IH×R1＋IB0×R1 となる。Therefore, (4) and (2) the right side to each other are equal to, a I H × R 2 + E S = A × I H × R 1 + I B0 × R 1.
そして、この式における変数部分同士、定数部分同士
は等しいため、 IH×R2＝Ａ×IH×R1 であり、 R2＝IB0×R1 となる。Since the variable parts and the constant parts in this equation are equal, I H × R 2 = A × I H × R 1 and R 2 = I B0 × R 1 .
ここで、ESの値を先に決定するとR1、R2はそれぞれ次
のように決定される。Here, if the value of E S is determined first , R 1 and R 2 are determined as follows, respectively.
R1＝ES/IB0 R2＝Ａ×ES/IB0 このようにして、求まった値に対し回路のバラツキ等
を考慮して、その分ES値を大きめに設定すれば、サイリ
スタSCRの正常時にゲート電位がカソード電位に比べ高
くなることはなく、常にオフされることになる。R 1 = E S / I B0 R 2 = A × E S / I B0 In this way, considering the circuit variation etc. to the value found, if the E S value is set to a larger value, the thyristor The gate potential does not become higher than the cathode potential when the SCR is normal, and is always turned off.
そして、高圧トランス中でレアーショート等が発生す
ると、上述のようにそのショート部において大量のエネ
ルギーが消費され、そのエネルギー消費Ｐに対応した電
流ΔIBが一次側電流に加算される。When the rare short circuit or the like occurs in the high-voltage transformer, a large amount of energy in its short section as mentioned above is consumed, the current [Delta] I B corresponding to the energy consumption P is added to the primary current.
ΔIB＝P/EB 通常の場合高圧トランスが発火に至るようなショート
であれば、この電流増加分ΔIBは第４図におけるΔIBの
２倍以上となる。従って、抵抗R1における電圧降下は非
常に大きくなり、サイリスタSCRのカソードの電位がゲ
ート電位に比較して充分低くなり、サイリスタSCRがオ
ンされる。なお、このショートは高圧トランス内部の二
次側コイルNHにおけるものであり、この時の二次側電流
IHはほとんど変化しない。ΔI B = P / E B Normally, if the high-voltage transformer is a short circuit that causes ignition, this current increase ΔI B will be twice or more than ΔI B in FIG. Therefore, the voltage drop in the resistor R 1 becomes very large, the potential of the cathode of the thyristor SCR becomes sufficiently lower than the gate potential, and the thyristor SCR is turned on. This short circuit is in the secondary coil N H inside the high-voltage transformer.
I H hardly changes.
このようにしてサイリスタSCRがオンとすると、サイ
リスタSCRは一次側コイルN1の中間タップT2に発生する
パルス電圧を非常に低いインピーダンスでショートする
ことになり、この電流によってヒューズF1は溶断され
る。The thyristor SCR in this way is turned on, the thyristor SCR will be short pulse voltage generated in the intermediate tap T 2 of the primary coil N 1 at very low impedance, a fuse F 1 This current is blown It
そして、ヒューズF1を溶断することによって、高圧ト
ランスの一次側コイルN1に対する電流供給を停止するこ
とができる。Then, by blowing the fuse F 1 , the current supply to the primary coil N 1 of the high voltage transformer can be stopped.
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明に係る高圧トランスに
よれば、層間短絡を発生する時期を大巾に遅らせること
ができる。このため、保護回路による異状検出が容易と
なり、高圧トランス発煙、発火を効果的に防止すること
ができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the high-voltage transformer of the present invention, the time when an interlayer short circuit occurs can be greatly delayed. For this reason, it becomes easy to detect abnormalities by the protection circuit, and it is possible to effectively prevent smoking and ignition of the high voltage transformer.
第１図はこの発明に係る高圧トランスの一実施例の一部
断面図、 第２図は同実施例に好適な高圧電源保護回路を示す回路
図、 第３図は高圧トランスの構成を示す概略断面図、 第４図は高圧トランスの内部構成を示す断面図、 第５図は高圧トランスを使用した回路の構成例を示す回
路図、 第６図は従来の高圧トランス保護回路の一例を示す回路
図、 第７図は高圧トランスにおけるレアショートの状況を示
す説明図、 第８図は高圧トランスにおけるレアショート発生時にお
ける一次側電流IBの変化を示す特性図、 第９図はCRT32の輝度調整に対応する二次側電流IHと一
次側電流の関係を示す特性図である。 10……高圧トランス 20……導線 22……被覆絶縁材 24……含浸絶縁材 26、26a……層間絶縁材FIG. 1 is a partial sectional view of an embodiment of a high voltage transformer according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a high voltage power supply protection circuit suitable for this embodiment, and FIG. 3 is a schematic view showing the configuration of a high voltage transformer. Sectional view, FIG. 4 is a sectional view showing the internal configuration of the high-voltage transformer, FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a circuit using the high-voltage transformer, and FIG. 6 is a circuit showing an example of a conventional high-voltage transformer protection circuit. Figure, FIG. 7 is an explanatory diagram showing a status of a short circuit in the high-voltage transformer, FIG. 8 is a characteristic diagram showing a change in the primary-side current I B at the time of occurrence of a layer short in the high voltage transformer, FIG. 9 is a luminance adjustment CRT32 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the secondary side current I H and the primary side current corresponding to FIG. 10 …… High voltage transformer 20 …… Conductor 22 …… Cover insulation 24 …… Impregnation insulation 26, 26a …… Interlayer insulation
Claims (1)
側コイルより高電圧を出力する高圧トランスにおいて、 二次側コイルは被覆絶縁材が被覆された導線を多数巻回
して一層に形成した単位コイルを複数積層して形成さ
れ、 この単位コイルは線間絶縁材に含浸固定され、 各単位コイル間には両者を仕切る層間絶縁材が配置さ
れ、 上記層間絶縁材はその形状を保持できる上限温度が上記
被覆絶縁材および線間絶縁材のいずれよりも高い材料で
形成されていると共に、 高圧トランスにおける異常電流を検出する異常電流検出
手段と、 異常電流を検出したときに、高圧トランスへの電流供給
を停止する保護回路とを有し、 層間絶縁材が形成保持している間に異常電流を検出する
ことを特徴とする高圧トランス。1. A high-voltage transformer having a primary side coil and a secondary side coil, which outputs a higher voltage than the secondary side coil, wherein the secondary side coil is formed by winding a large number of conducting wires covered with a covering insulating material. The unit coil is formed by stacking a plurality of unit coils formed on the unit coil. The unit coil is impregnated and fixed in a wire insulation material, and an interlayer insulation material separating the two is disposed between the unit coils. The maximum temperature that can be maintained is made of a material that is higher than any of the above-mentioned insulation materials and wire insulation materials, and the abnormal current detection means that detects an abnormal current in the high-voltage transformer and high voltage when the abnormal current is detected. A high-voltage transformer having a protection circuit for stopping current supply to the transformer and detecting an abnormal current while the interlayer insulating material is being formed and held.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63212778A JPH0831377B2 (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | High voltage transformer |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP63212778A JPH0831377B2 (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | High voltage transformer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260111A JPH0260111A (en) | 1990-02-28 |
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| JP (1) | JPH0831377B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970000851B1 (en) * | 1992-09-01 | 1997-01-20 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | Video signal processor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542007Y2 (en) * | 1976-09-30 | 1980-10-02 |
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1988
- 1988-08-26 JP JP63212778A patent/JPH0831377B2/en not_active Expired - Fee Related
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