JPH08313460A - Method and equipment for inspecting semiconductor - Google Patents
Method and equipment for inspecting semiconductorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の故障解析
および半導体基板上の不純物粒子（パーティクル）等の
評価方法および装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a failure analysis method for semiconductor devices and an evaluation method and device for impurity particles on a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の半導体デバイスの高集積化に伴
い、デバイス構造は三次元的に微細化、複雑化してきて
いる。そのため、故障箇所の詳細な観察や組成分析が製
造プロセスの抜本的な改善のために非常に重要な要素技
術としてクローズアップされてきている。デバイスの動
作不良の発生の大きな一つの要因に製造プロセスや輸送
の際のパーティクルの発生が挙げられる。2. Description of the Related Art With the recent high integration of semiconductor devices, the device structure has been three-dimensionally miniaturized and complicated. Therefore, detailed observation of the failure location and compositional analysis have been highlighted as very important elemental technologies for drastic improvement of the manufacturing process. One of the major causes of device malfunctions is the generation of particles during the manufacturing process and transportation.
【０００３】これまでのパーティクル評価法は、可視光
レーザとＸ−Ｙステージとを組み合わせたパーティクル
位置決め装置を用いて行うパーティクルの位置決めと、
走査型電子顕微および電子線励起蛍光Ｘ線分析装置（Ｓ
ＥＭ−ＥＤＸ）を用いて行うパーティクル組成の決定
と、からなっていた。この方法によりどのプロセスから
パーティクルが発生したかの情報が得られるようになっ
た。The conventional particle evaluation methods include particle positioning performed by using a particle positioning device that is a combination of a visible light laser and an XY stage.
Scanning electron microscope and electron beam excitation X-ray fluorescence analyzer (S
EM-EDX) for determining the particle composition. With this method, it is possible to obtain information on which process the particles are generated from.
【０００４】パーティクル内部の情報を抽出する方法と
しては、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いた微小パー
ティクル切断および断面観察について、いくつかの研究
例が報告されている（たとえば Tomiyasu et.al.in SIM
S IX p565-568(1994) ）。また、パーティクルを構成す
るものの一つとしてホトレジスト等の有機物があげられ
るが、試料表面にレーザを照射して試料を蒸発させ、そ
こで発生したフラグメントイオンを検出する Laser Ion
ization Mass Spectrometry(LIMS) の有効性が指摘され
ている。（たとえば L.Van Vaeck et. al., Anal. Che
m.57(1985)2944参照。）このような技術はパーティクル
の組成および構造を決定するのに有効な要素技術とな
る。As a method for extracting information inside particles, some research examples have been reported on cutting of fine particles using a focused ion beam (FIB) and cross-section observation (for example, Tomiyasu et.al.in SIM.
S IX p565-568 (1994)). In addition, organic substances such as photoresist can be cited as one of the constituents of particles. Laser Ion that irradiates the sample surface with a laser to evaporate the sample and detects the fragment ions generated there
The effectiveness of ization mass spectrometry (LIMS) has been pointed out. (For example, L. Van Vaeck et. Al., Anal. Che
See m. 57 (1985) 2944. ) Such a technique is an effective elemental technique for determining the composition and structure of particles.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
パーティクル評価法ではパーティクルを位置決めした後
装置から取り出し、別のＳＥＭ−ＥＤＸ装置の真空室に
入れる際にパーティクルが発生してしまうこと、有機物
系のパーティクルに対しては炭素などの元素に関する情
報だけでは汚染源は特定できず、構成成分に関する情報
を得られる技術が必要であった。However, according to the conventional particle evaluation method, when particles are positioned and then taken out of the apparatus and put into the vacuum chamber of another SEM-EDX apparatus, particles are generated, and organic particles For particles, the pollution source could not be specified only by information on elements such as carbon, and a technology capable of obtaining information on constituent components was required.
【０００６】パーティクルは、成膜、イオン注入、洗浄
などの単一のプロセスを数１００段通して作成される半
導体デバイスにとってそのどこからでも入り込んでくる
非常にやっかいなものである。しかも、上記の理由から
その組成や構造はまちまちである。そこで、本発明は単
一真空装置内に半導体基板あるいは実装した基板を導入
し、室内にてパーティクル位置を特定し、かつ即座にそ
の組成および構造を解析する半導体検査装置を提供する
ことを目的とする。[0006] Particles are very troublesome to get into a semiconductor device produced from hundreds of single processes such as film formation, ion implantation and cleaning, and get in from anywhere. Moreover, their compositions and structures are different for the above reasons. Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor inspection apparatus in which a semiconductor substrate or a mounted substrate is introduced into a single vacuum device, particle positions are specified in a room, and the composition and structure thereof are immediately analyzed. To do.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段および作用】本発明は半導
体試料の表面上あるいは内部に存在するパーティクル
を、前記半導体試料に可視光レーザを照射しながら前記
半導体試料を固定したＸ−Ｙステージを駆動させて散乱
光を検出することにより位置決定し、パーティクルを速
やかに走査二次電子（ＳＥＭ）像で確認し、元素分析し
た後、ＦＩＢおよび高輝度パルス紫外線レーザを用いて
組成および構造を決定可能な分析方法および装置を提供
する。The present invention drives an XY stage on which the semiconductor sample is fixed while irradiating the semiconductor sample with a visible light laser for particles existing on or inside the surface of the semiconductor sample. Then, the scattered light is detected to determine the position, the particles can be quickly confirmed by scanning secondary electron (SEM) images, and after elemental analysis, the composition and structure can be determined using FIB and high-intensity pulsed ultraviolet laser. Provided are various analytical methods and devices.
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。半導体試
料表面にアルゴンレーザあるいはＨｅ−Ｎｅレーザのよ
うな可視光レーザを照射しながら、半導体試料を取り付
けたＸ−Ｙステージを走査し、半導体試料の水平方向に
設置した検出器に散乱光が到達した場合にパーティクル
と判断する。この時点で電子ビームを用いてパーティク
ル付近の走査電子像を観察してパーティクルであるかど
うかを判断し、パーティクルをＳＥＭ−ＥＤＸで分析
し、組成を決定する。The present invention will be described in detail below. While irradiating the surface of the semiconductor sample with a visible light laser such as an argon laser or a He-Ne laser, the XY stage attached with the semiconductor sample is scanned, and the scattered light reaches the detector installed in the horizontal direction of the semiconductor sample. If it does, it is determined to be a particle. At this point, a scanning electron image in the vicinity of the particles is observed using an electron beam to determine whether the particles are particles, and the particles are analyzed by SEM-EDX to determine the composition.
【０００９】パーティクルが誘電体やチャージアップし
やすい有機物（フォトレジストなど）の場合は、パルス
化した高輝度紫外線レーザ（Ｑ−switch Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザの４倍波：266nm ）をパーティクルに照射し、パ
ーティクルの一部又は全部を蒸発させ、パーティクルの
構造に由来するフラグメントイオンを飛行時間型質量分
析計により検出する。検出されたフラグメントイオンか
らパーティクルを構成する有機物を特定できる。この方
法をパーティクルに適用することにより、誘電体や有機
物系のパーティクルの組成を推測することが可能とな
る。When the particles are a dielectric substance or an organic substance (photoresist etc.) which easily charges up, a pulsed high-intensity ultraviolet laser (Q-switch Nd: YAG) is used.
The particles are irradiated with a laser fourth harmonic (266 nm) to evaporate a part or all of the particles, and fragment ions derived from the structure of the particles are detected by a time-of-flight mass spectrometer. It is possible to identify the organic matter that constitutes the particle from the detected fragment ions. By applying this method to particles, it is possible to estimate the composition of dielectric or organic particles.
【００１０】パーティクルの表層のみの情報を得たい場
合、連続イオンビームを用いると試料の消費が激しく半
導体試料表面のみの情報が得にくい。電子ビームと半導
体試料表面上で同一の原点を持つように光軸を調整した
ＦＩＢをパルス化してパーティクルに照射し、パルス化
した二次イオン信号を飛行時間型質量分析計により検出
することで半導体試料表面のスパッタリングを最小限に
抑え、パーティクル表面の情報のみを検出することがで
きる。ここで、原点とは連続可視光レーザが半導体試料
表面上に投影された中心点を呼ぶ。When it is desired to obtain information only on the surface layer of particles, continuous ion beam consumes much sample and it is difficult to obtain information only on the semiconductor sample surface. FIB whose optical axis is adjusted so that it has the same origin on the electron beam and the surface of the semiconductor sample is pulsed to irradiate the particles, and the pulsed secondary ion signal is detected by the time-of-flight mass spectrometer. Sputtering on the sample surface can be minimized and only information on the particle surface can be detected. Here, the origin refers to the center point where the continuous visible light laser is projected on the surface of the semiconductor sample.
【００１１】また、パーティクルが皮膜に覆われている
場合、連続ビームでパーティクルを切断し断面部を同様
に分析することでパーティクル発生の要因を明らかにす
ることができる。Further, when the particles are covered with a film, the factors causing the particles can be clarified by cutting the particles with a continuous beam and analyzing the cross section in the same manner.
【００１２】実装された半導体基板上のパーティクルを
検出するのは、シリコンウエハ表面上を分析する場合と
比較して、はるかに困難さを伴う。デバイスパターンは
微細に加工されているため、既にμｍ程度の凹凸を含ん
でいるため可視光レーザによる散乱光はパターンエッジ
においても発生する。このため、半導体試料表面に入射
したレーザ光が散乱される現像のみでは、それが試料形
状起因か又はパーティクル起因であるかは判断しにく
い。そこで、半導体試料を設置したＸ−Ｙステージの水
平方向に真空窓を通して２個以上の検出器を設置し、不
規則な形状をもつパーティクルにレーザ光が照射されて
発生する散乱光が三次元的に放出される特徴を利用し
て、これ等の検出器でレーザ散乱光が同時に検出された
場合にパーティクルとして認識する。これは、デバイス
のパターンの場合、平面方向に対してμｍ程度ではフラ
ットであることから、パターンからの散乱光が試料の水
平方向に設置された複数個の検出器に同時に入射する確
率は非常に低い。従って、不定形であるパーティクルに
レーザ光が衝突した際は入射光が全方向に散乱される特
徴を利用して、パーティクルを見分けることが出来る。
その後、ＳＥＭによりパーティクルかどうかを確認すれ
ば更によい。[0012] Detecting particles on a mounted semiconductor substrate is much more difficult than when analyzing on the surface of a silicon wafer. Since the device pattern is finely processed and already contains irregularities of about μm, scattered light by the visible light laser is also generated at the pattern edge. For this reason, it is difficult to determine whether it is due to the shape of the sample or due to particles only by the development in which the laser light incident on the surface of the semiconductor sample is scattered. Therefore, two or more detectors are installed through the vacuum window in the horizontal direction of the XY stage on which the semiconductor sample is installed, and the scattered light generated by irradiating the irregularly shaped particles with laser light is three-dimensional. By utilizing the characteristics emitted to the laser, when the laser scattered light is simultaneously detected by these detectors, it is recognized as particles. This is because, in the case of the device pattern, it is flat in the plane direction at about μm, so the scattered light from the pattern is very likely to be simultaneously incident on a plurality of detectors installed in the horizontal direction of the sample. Low. Therefore, when the laser light collides with an irregular particle, the incident light is scattered in all directions, so that the particle can be distinguished.
After that, it is more preferable to confirm by SEM whether the particles are particles.
【００１３】図１を参照して、本発明の装置の構成を説
明する。半導体試料２が設置されるＸ−Ｙステージ３
と、半導体試料２の水平方向に設置されたレーザ散乱光
１１を検出するための２個以上の検出器４と、半導体試
料２の鉛直方向に設置された連続可視光レーザビーム１
と、半導体試料２表面上で連続可視光レーザビーム１と
同一の原点をもつように光軸が調整された集束イオンビ
ーム７、高輝度可視光レーザビーム９及び偏向磁場１０
により光軸が調整された電子ビーム５と、飛行時間型質
量分析計及び蛍光Ｘ線分析器を有する分析器８と、を装
備している。同一の原点とは、連続可視光レーザビーム
１が半導体試料２の表面上に投影された中心点のことを
言う。The configuration of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. XY stage 3 on which semiconductor sample 2 is installed
And two or more detectors 4 for detecting the laser scattered light 11 installed in the horizontal direction of the semiconductor sample 2, and the continuous visible light laser beam 1 installed in the vertical direction of the semiconductor sample 2.
And the focused ion beam 7, the high-intensity visible laser beam 9, and the deflection magnetic field 10 whose optical axes are adjusted so that they have the same origin as the continuous visible laser beam 1 on the surface of the semiconductor sample 2.
It is equipped with an electron beam 5 whose optical axis is adjusted by and an analyzer 8 having a time-of-flight mass spectrometer and a fluorescent X-ray analyzer. The same origin means the center point where the continuous visible light laser beam 1 is projected on the surface of the semiconductor sample 2.
【００１４】実装されたデバイスは微細加工が施されて
いるのみならず、薄い多層膜を積層した構造となってい
る。薄膜の剥がれなどが原因で発生したパーティクルが
薄膜下に取り残され故障原因となることもある。薄膜下
のパーティクルにより盛り上がった部位を可視光レーザ
の散乱により検出し、ＳＥＭ像の観察から埋もれたパー
ティクルの存在の有無を確認し、ＦＩＢにより表層薄膜
を切断し、パーティクルを表層に露出することができ
る。露出したパーティクルを分析するのは上記と同様で
ある。The mounted device is not only subjected to fine processing, but also has a structure in which thin multilayer films are laminated. Particles generated due to peeling of the thin film may be left under the thin film and cause a failure. It is possible to detect the presence of particles buried under the thin film detected by scattering of visible light laser by the visible light laser scattering, cut the surface thin film by FIB, and expose the particles to the surface. it can. Analyzing the exposed particles is the same as above.
【００１５】[0015]
【実施例】図１の装置を用いて、６インチサイズの実装
されたシリコンウエハ基板上のパーティクルを分析した
例を示す。散乱光が検出された位置において、約１μｍ
径のパーティクルをＳＥＭ観察した後、ＥＤＸ分析を行
った。測定は加速電圧１５ｋＶで２ｎＡの条件で行っ
た。得られたＥＤＸ分析の結果を図２に示す。スペクト
ルの解析から、パーティクルがＴｉを含んでいることが
わかった。Ｓｉのピークは基板からのものであるか試料
内の情報かは判断できない。このパーティクルの表層を
ＦＩＢを用いたＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析した結果を図３
に、その後１０秒間パーティクル近傍２０μｍ平方をイ
オンビームを連続にしてスパッタエッチングした後、Ｔ
ＯＦ−ＳＩＭＳ分析した結果を図４に示す。ＴＯＦ−Ｓ
ＩＭＳ測定条件は、一次イオンに３０ｋＶのＧａ+ イオ
ンビームを用い、一次イオン電流はは５ｎＡとした。イ
オンビームパルス幅は５ｎｓｅｃで、１０ｋＨｚの繰り
返しで６０００００パルス積算した。また、図３から表
層はほぼＴｉＯ2 になっていることがわかった。また、
表層をスパッタエッチングしたパーティクルはマススペ
クトルの結果からほぼＴｉＮで構成されていることがわ
かった。以上のことより、このパーティクルがバリアメ
タル等でもちいられるＴｉＮ膜に由来していることと後
段のプロセスのなかでパーティクル表面が酸化されたこ
となどの情報が抽出できた。EXAMPLE An example of analyzing particles on a mounted 6-inch silicon wafer substrate by using the apparatus shown in FIG. About 1 μm at the position where scattered light is detected
EDX analysis was performed after SEM observation of the particles having a diameter. The measurement was performed at an acceleration voltage of 15 kV and 2 nA. The results of the EDX analysis obtained are shown in FIG. From the analysis of the spectrum, it was found that the particles contained Ti. It cannot be determined whether the Si peak is from the substrate or the information in the sample. FIG. 3 shows the result of TOF-SIMS analysis using FIB on the surface layer of the particles.
Then, after performing a sputter etching of a 20 μm square in the vicinity of the particles for 10 seconds with a continuous ion beam,
The result of the OF-SIMS analysis is shown in FIG. TOF-S
As the IMS measurement conditions, a Ga + ion beam of 30 kV was used as the primary ions, and the primary ion current was 5 nA. The ion beam pulse width was 5 nsec, and 600,000 pulses were integrated by repeating 10 kHz. Further, it was found from FIG. 3 that the surface layer was almost TiO 2 . Also,
It was found from the mass spectrum results that the particles obtained by sputter-etching the surface layer were composed almost of TiN. From the above, it was possible to extract information such that the particles were derived from the TiN film used as a barrier metal and that the surface of the particles was oxidized in the subsequent process.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明により、これまで困難であった半
導体基板の表面あるいは基板内のパーティクルの位置検
出とその組成および構造の解析を単一装置で実効可能と
した。これにより、パーティクル発生のプロセスの特定
を迅速に決定可能となり、半導体デバイスの歩留まり安
定に寄与することが期待できる。According to the present invention, the position detection of particles on the surface of a semiconductor substrate and the analysis of the composition and structure thereof, which have been difficult until now, can be effectively performed by a single apparatus. This makes it possible to quickly determine the process of particle generation, which can be expected to contribute to stable yield of semiconductor devices.
【図１】本発明を構成する半導体検査装置の概要図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor inspection device that constitutes the present invention.
【図２】検出されたパーティクルのＳＥＭ−ＥＤＸスペ
クトルである。FIG. 2 is a SEM-EDX spectrum of detected particles.
【図３】パーティクルの表層のＴＯＦ−ＳＩＭＳスペク
トルである。FIG. 3 is a TOF-SIMS spectrum of the surface layer of particles.
【図４】スパッタエッチング後のパーティクルのＴＯＦ
−ＳＩＭＳスペクトルである。FIG. 4 TOF of particles after sputter etching
-SIMS spectrum.
１ パーティクル検出用可視光レーザ ２ 試料 ３ Ｘ−Ｙステージ ４ 検出器 ５ 電子線 ６ パーティクル ７ 集束イオンビーム ８ 分析器 ９ 構造解析用高輝度レーザ １０ 偏向磁場 １１ レーザ散乱光 １２ 試料室 1 Particle Detection Visible Light Laser 2 Sample 3 XY Stage 4 Detector 5 Electron Beam 6 Particle 7 Focused Ion Beam 8 Analyzer 9 High Brightness Laser for Structural Analysis 10 Deflection Magnetic Field 11 Laser Scattered Light 12 Sample Chamber
Claims (6)
に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを
照射し、前記Ｘ−Ｙステージを駆動させながらレーザ散
乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、
前記パーティクルの組成を電子ビームを前記パーティク
ルに照射して励起される蛍光Ｘ線を検出することにより
分析することを特徴とする半導体検査方法。1. Particles are obtained by irradiating a semiconductor sample placed on an XY stage with a continuous visible light beam from a vertical direction of the semiconductor sample and detecting laser scattered light while driving the XY stage. Judge the position,
A semiconductor inspection method, wherein the composition of the particles is analyzed by irradiating the particles with an electron beam and detecting fluorescent X-rays excited.
に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを
照射し、前記Ｘ−Ｙステージを駆動させながらレーザ散
乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、
高輝度紫外線パルスレーザで前記半導体試料表面上の前
記パーティクルを蒸発させ、発生した試料由来のイオン
を飛行時間型質量分析計により検出することで分子情報
を得ることを特徴とする半導体検査方法。2. A semiconductor sample placed on an XY stage is irradiated with a continuous visible light beam from a vertical direction of the semiconductor sample, and laser scattered light is detected while driving the XY stage to thereby generate particles. Judge the position,
A semiconductor inspection method, wherein molecular information is obtained by evaporating the particles on the surface of the semiconductor sample with a high-intensity ultraviolet pulse laser and detecting the generated sample-derived ions with a time-of-flight mass spectrometer.
に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを
照射し、前記Ｘ−Ｙステージを駆動させながらレーザ散
乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、
集束イオンビームをパルス化して前記パーティクルに照
射し、前記パーティクル表面からパルス状に発生した二
次イオンを飛行時間型質量分析計により検出することで
前記半導体試料表面上に存在する前記パーティクルの表
層のみの元素組成および構造情報を得ることを特徴とす
る半導体検査方法。3. Particles are obtained by irradiating a semiconductor sample placed on an XY stage with a continuous visible light beam from the vertical direction of the semiconductor sample and detecting laser scattered light while driving the XY stage. Judge the position,
Irradiating the particles by pulsing a focused ion beam, and detecting the secondary ions generated in a pulse form from the particle surface by a time-of-flight mass spectrometer only the surface layer of the particles present on the semiconductor sample surface A semiconductor inspection method characterized by obtaining elemental composition and structural information of.
照射して切断し、切断面を分析することを特徴とする請
求項１、２または３記載の半導体検査方法。4. The semiconductor inspection method according to claim 1, wherein the particle is irradiated with a focused ion beam to be cut, and the cut surface is analyzed.
集束イオンビームを用いて除去し、前記パーティクルを
露出させて前記パーティクルを分析することを特徴とす
る請求項１、２、３または４記載の半導体検査方法。5. The thin film deposited on the particles is removed by using a focused ion beam, the particles are exposed, and the particles are analyzed. Semiconductor inspection method.
と、前記半導体試料の水平方向に設置された２個以上の
検出器と、前記半導体試料の鉛直方向に設置された連続
可視光レーザビームと、前記半導体試料表面上で連続可
視光レーザビームと同一の原点をもつように光軸が調整
された集束イオンビーム、高輝度可視光レーザビーム及
び電子ビームと、飛行時間型質量分析計と、蛍光Ｘ線分
析器と、を装備したことを特徴とする半導体検査装置。6. An XY stage on which a semiconductor sample is installed, two or more detectors installed in the horizontal direction of the semiconductor sample, and a continuous visible light laser beam installed in the vertical direction of the semiconductor sample. A focused ion beam whose optical axis is adjusted to have the same origin as the continuous visible light laser beam on the semiconductor sample surface, a high-intensity visible light laser beam and an electron beam, and a time-of-flight mass spectrometer, A semiconductor inspection device comprising: a fluorescent X-ray analyzer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145341A JPH08313460A (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Method and equipment for inspecting semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145341A JPH08313460A (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Method and equipment for inspecting semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08313460A true JPH08313460A (en) | 1996-11-29 |
Family
ID=15382944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145341A Withdrawn JPH08313460A (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Method and equipment for inspecting semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08313460A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090955A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-14 | Niton Corporation | X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy |
| US7763820B1 (en) | 2003-01-27 | 2010-07-27 | Spectramet, Llc | Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli |
| CN102636505A (en) * | 2012-03-20 | 2012-08-15 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | Method for synchronously detecting single-ion-beam and double-channel signals |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP7145341A patent/JPH08313460A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090955A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-14 | Niton Corporation | X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy |
| US6801595B2 (en) | 2001-05-04 | 2004-10-05 | Niton Corporation | X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy |
| US7763820B1 (en) | 2003-01-27 | 2010-07-27 | Spectramet, Llc | Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli |
| US8476545B2 (en) | 2003-01-27 | 2013-07-02 | Spectramet, Llc | Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli |
| CN102636505A (en) * | 2012-03-20 | 2012-08-15 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | Method for synchronously detecting single-ion-beam and double-channel signals |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |