JPH08311653A - Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法Info
- Publication number
- JPH08311653A JPH08311653A JP13855895A JP13855895A JPH08311653A JP H08311653 A JPH08311653 A JP H08311653A JP 13855895 A JP13855895 A JP 13855895A JP 13855895 A JP13855895 A JP 13855895A JP H08311653 A JPH08311653 A JP H08311653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film forming
- cvd
- raw material
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜組成にばらつきが生じたりせず、所望の組
成を有する膜を確実に形成することが可能なＣＶＤ成膜
装置及び成膜方法を提供する。 【構成】 膜形成を行う成膜室１内に、ＣＶＤソース原
料６，７を気化させる気化手段４，５を配設し、原料供
給手段８，９により、ＣＶＤソース原料６，７を成膜室
１内に供給して気化手段４，５により気化させる。
成を有する膜を確実に形成することが可能なＣＶＤ成膜
装置及び成膜方法を提供する。 【構成】 膜形成を行う成膜室１内に、ＣＶＤソース原
料６，７を気化させる気化手段４，５を配設し、原料供
給手段８，９により、ＣＶＤソース原料６，７を成膜室
１内に供給して気化手段４，５により気化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、成膜方法に関し、詳
しくは、ＣＶＤ法により膜を形成するために用いられる
ＣＶＤ成膜装置及び成膜方法に関する。
しくは、ＣＶＤ法により膜を形成するために用いられる
ＣＶＤ成膜装置及び成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】基体に
膜を形成する方法として、膜材料の化合物を、高温中で
熱分解、酸化、還元、重合、あるいは気相化学反応など
させた後、膜組成を基体上に沈着させることにより成膜
を行うＣＶＤ法が広く用いられている。
膜を形成する方法として、膜材料の化合物を、高温中で
熱分解、酸化、還元、重合、あるいは気相化学反応など
させた後、膜組成を基体上に沈着させることにより成膜
を行うＣＶＤ法が広く用いられている。
【０００３】そして、このＣＶＤ法による成膜装置とし
ては、従来、例えば図６に示すようなＣＶＤ成膜装置が
用いられている。
ては、従来、例えば図６に示すようなＣＶＤ成膜装置が
用いられている。
【０００４】このＣＶＤ成膜装置は、例えば、チタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ3）系セラミックスの膜を形成するため
の装置であり、膜形成を行う成膜室（反応槽）５１と、
成膜室５１内に配設された、膜が形成される基体（この
例では基板）５２を加熱する基体加熱手段５３と、キャ
リアガス（Ａｒガス）を通過させつつ固体のＰｂソース
原料（ジピバロイルメタン鉛）５６を加熱して、Ｐｂソ
ース原料５６の蒸気を取り出すための固体ソース原料加
熱室５４と、液体のＴｉソース原料（チタンイソプロポ
キシド）５７にキャリアガス（Ａｒガス）を通し、Ｔｉ
ソース原料の蒸気を取り出すための液体ソース原料室５
５と、固体ソース原料加熱室５４及び液体ソース原料室
５５からのソース原料を含むキャリアガス（原料含有ガ
ス）を、ガス加熱器５８で加熱された酸素ガスと混合す
るためのガス混合器５９とを備えて構成されている。
鉛（ＰｂＴｉＯ3）系セラミックスの膜を形成するため
の装置であり、膜形成を行う成膜室（反応槽）５１と、
成膜室５１内に配設された、膜が形成される基体（この
例では基板）５２を加熱する基体加熱手段５３と、キャ
リアガス（Ａｒガス）を通過させつつ固体のＰｂソース
原料（ジピバロイルメタン鉛）５６を加熱して、Ｐｂソ
ース原料５６の蒸気を取り出すための固体ソース原料加
熱室５４と、液体のＴｉソース原料（チタンイソプロポ
キシド）５７にキャリアガス（Ａｒガス）を通し、Ｔｉ
ソース原料の蒸気を取り出すための液体ソース原料室５
５と、固体ソース原料加熱室５４及び液体ソース原料室
５５からのソース原料を含むキャリアガス（原料含有ガ
ス）を、ガス加熱器５８で加熱された酸素ガスと混合す
るためのガス混合器５９とを備えて構成されている。
【０００５】そして、このＣＶＤ成膜装置を用いて膜を
形成するにあたっては、キャリアガスを供給しつつ固体
ソース原料加熱室５４内のＰｂソース原料５６を加熱す
るとともに、液体ソース原料室５５にキャリアガスを供
給して、液体のＴｉソース原料５７中を通過させ、固体
ソース原料加熱室５４及び液体ソース原料室５５からの
ソース原料の蒸気を含むキャリアガス（原料含有ガス）
と酸素ガスをガス混合器５９で混合した後、混合ガスを
成膜室５１に供給して、所定の条件下に、基体加熱手段
５３により加熱された基体（基板）５２上に膜組成を沈
着させることにより成膜を行う。
形成するにあたっては、キャリアガスを供給しつつ固体
ソース原料加熱室５４内のＰｂソース原料５６を加熱す
るとともに、液体ソース原料室５５にキャリアガスを供
給して、液体のＴｉソース原料５７中を通過させ、固体
ソース原料加熱室５４及び液体ソース原料室５５からの
ソース原料の蒸気を含むキャリアガス（原料含有ガス）
と酸素ガスをガス混合器５９で混合した後、混合ガスを
成膜室５１に供給して、所定の条件下に、基体加熱手段
５３により加熱された基体（基板）５２上に膜組成を沈
着させることにより成膜を行う。
【０００６】しかし、従来のＣＶＤ成膜装置は、ソース
原料の蒸気をキャリアガスによって成膜室５１に供給す
るようにしていることから、以下のような問題点があ
る。 ソース原料として、金属の有機化合物を使用する場
合、その蒸気圧の経時的な変動（不安定性）により、成
膜条件を一定に保持しても形成される膜の組成にばらつ
きが生じる。 ソース原料を気化させる温度の微妙な差によって膜組
成が変動する。 ソース原料の蒸気をキャリアガスにより成膜室５１に
搬送する途中でソース原料の蒸気が凝縮、固化し、管
（搬送ライン）の内壁に堆積するため、搬送ラインの抵
抗（圧損）が変動してソース原料を含むキャリアガスの
流量が変化し、ソース原料の供給量が変動して、膜組成
のばらつきを招く。
原料の蒸気をキャリアガスによって成膜室５１に供給す
るようにしていることから、以下のような問題点があ
る。 ソース原料として、金属の有機化合物を使用する場
合、その蒸気圧の経時的な変動（不安定性）により、成
膜条件を一定に保持しても形成される膜の組成にばらつ
きが生じる。 ソース原料を気化させる温度の微妙な差によって膜組
成が変動する。 ソース原料の蒸気をキャリアガスにより成膜室５１に
搬送する途中でソース原料の蒸気が凝縮、固化し、管
（搬送ライン）の内壁に堆積するため、搬送ラインの抵
抗（圧損）が変動してソース原料を含むキャリアガスの
流量が変化し、ソース原料の供給量が変動して、膜組成
のばらつきを招く。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、膜組成にばらつきが生じたりせず、所望の組成を
有する膜を確実に形成することが可能なＣＶＤ成膜装置
及び成膜方法を提供することを目的とする。
あり、膜組成にばらつきが生じたりせず、所望の組成を
有する膜を確実に形成することが可能なＣＶＤ成膜装置
及び成膜方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明のＣＶＤ成膜装置は、膜形成を行う成膜室
と、前記成膜室内に配設された、ＣＶＤソース原料を気
化させる気化手段と、ＣＶＤソース原料を、前記気化手
段に供給する原料供給手段とを具備することを特徴とす
る。
に、本願発明のＣＶＤ成膜装置は、膜形成を行う成膜室
と、前記成膜室内に配設された、ＣＶＤソース原料を気
化させる気化手段と、ＣＶＤソース原料を、前記気化手
段に供給する原料供給手段とを具備することを特徴とす
る。
【０００９】また、前記原料供給手段が、液体または溶
液状のＣＶＤソース原料を供給するものであることを特
徴とする。
液状のＣＶＤソース原料を供給するものであることを特
徴とする。
【００１０】さらに、前記気化手段及び前記原料供給手
段を、少なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の
数だけ備えていることを特徴とする。
段を、少なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の
数だけ備えていることを特徴とする。
【００１１】また、前記気化手段及び前記原料供給手段
を、所定の膜組成を構成する元素の種類の数より少ない
数だけ備えていることを特徴とする。
を、所定の膜組成を構成する元素の種類の数より少ない
数だけ備えていることを特徴とする。
【００１２】また、本願発明の成膜方法は、上記の各Ｃ
ＶＤ成膜装置のいずれかを用い、ＣＶＤソース原料を、
前記原料供給手段により、前記成膜室内に配設された前
記気化手段に供給して、ＣＶＤソース原料を気化させる
工程を含むことを特徴としている。
ＶＤ成膜装置のいずれかを用い、ＣＶＤソース原料を、
前記原料供給手段により、前記成膜室内に配設された前
記気化手段に供給して、ＣＶＤソース原料を気化させる
工程を含むことを特徴としている。
【００１３】さらに、上記の各ＣＶＤ成膜装置のいずれ
かを用い、液体または溶液状のＣＶＤソース原料を、前
記原料供給手段により、前記成膜室内に配設された前記
気化手段に供給して、ＣＶＤソース原料を気化させる工
程を含むことを特徴としている。
かを用い、液体または溶液状のＣＶＤソース原料を、前
記原料供給手段により、前記成膜室内に配設された前記
気化手段に供給して、ＣＶＤソース原料を気化させる工
程を含むことを特徴としている。
【００１４】
【作用】本願発明のＣＶＤ成膜装置においては、ソース
原料を気化させる気化手段が成膜室（反応槽あるいは反
応管など）に配設されており、成膜室内に供給されたソ
ース原料を気化手段によりすべて気化させた状態で成膜
させることができるため、ソース原料の経時変化により
供給割合にある程度経時的な変動があった場合にも、成
膜に供されるソース原料の全量が一定になり、形成され
る膜の組成の変動を防止することができるようになる。
また、従来のＣＶＤ成膜装置におけるような気化温度の
微妙な差による原料ガスの供給量の変動が生じることも
ない。
原料を気化させる気化手段が成膜室（反応槽あるいは反
応管など）に配設されており、成膜室内に供給されたソ
ース原料を気化手段によりすべて気化させた状態で成膜
させることができるため、ソース原料の経時変化により
供給割合にある程度経時的な変動があった場合にも、成
膜に供されるソース原料の全量が一定になり、形成され
る膜の組成の変動を防止することができるようになる。
また、従来のＣＶＤ成膜装置におけるような気化温度の
微妙な差による原料ガスの供給量の変動が生じることも
ない。
【００１５】また、液体または溶液状のＣＶＤソース原
料を用いることにより、成膜室にＣＶＤソース原料をよ
り定量的に供給することが可能になるとともに、成膜室
内の気化手段に供給されたソース原料のすべてを成膜時
に容易に気化させることが可能になり、本願発明の方法
をより確実に実効あらしめることができる。
料を用いることにより、成膜室にＣＶＤソース原料をよ
り定量的に供給することが可能になるとともに、成膜室
内の気化手段に供給されたソース原料のすべてを成膜時
に容易に気化させることが可能になり、本願発明の方法
をより確実に実効あらしめることができる。
【００１６】さらに、気化手段及び原料供給手段を、少
なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の数だけ備
えることにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に形成することが可能になる。
なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の数だけ備
えることにより、各成分の供給量をそれぞれ制御して任
意の組成比の膜を容易に形成することが可能になる。
【００１７】また、形成すべき膜の組成などによって
は、気化手段及び原料供給手段を、所定の膜組成を構成
する元素の種類の数より少ない数としても、所望の組成
の膜を確実に形成することができる。
は、気化手段及び原料供給手段を、所定の膜組成を構成
する元素の種類の数より少ない数としても、所望の組成
の膜を確実に形成することができる。
【００１８】また、本願発明のＣＶＤ成膜装置において
は、気化手段が成膜室内に配設されており、ソース原料
の蒸気をキャリアガスにより搬送することが不要になる
ため、キャリアガスの供給手段やキャリアガスの供給ラ
インを設けることが不要になり、装置の構成を簡略化す
ることが可能になる。
は、気化手段が成膜室内に配設されており、ソース原料
の蒸気をキャリアガスにより搬送することが不要になる
ため、キャリアガスの供給手段やキャリアガスの供給ラ
インを設けることが不要になり、装置の構成を簡略化す
ることが可能になる。
【００１９】さらに、気化手段が成膜室内に配設されて
おり、ソース原料の蒸気をキャリアガスによって搬送す
ることが不要になるため、搬送途中で凝縮、固化したソ
ース原料が搬送ラインに付着、堆積するようなことがな
く、形成される膜の組成を制御することが一層容易にな
る。
おり、ソース原料の蒸気をキャリアガスによって搬送す
ることが不要になるため、搬送途中で凝縮、固化したソ
ース原料が搬送ラインに付着、堆積するようなことがな
く、形成される膜の組成を制御することが一層容易にな
る。
【００２０】
【実施例】以下、本願発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。
するところをさらに詳しく説明する。
【００２１】［実施例１］ (1)ＣＶＤ成膜装置の構成 図１は、本願発明の一実施例にかかるＣＶＤ成膜装置の
構成を示す図である。このＣＶＤ成膜装置は、内部を所
定の温度に加熱するためのヒータ１ａを備えた成膜室
（反応槽）１と、成膜室１内に配設された、膜が形成さ
れる基体（この実施例では基板）２を加熱する基体加熱
手段３と、ソース原料（ＣＶＤソース原料）６，７を気
化させるための気化手段（この実施例では加熱して気化
させるための加熱手段）４，５と、液体または溶液状の
ソース原料６，７を気化手段４，５に供給するための原
料供給手段８，９、及び酸素を成膜室１に供給するため
の、酸素導入バルブ１０を有する酸素供給ライン１１を
備えて構成されている。
構成を示す図である。このＣＶＤ成膜装置は、内部を所
定の温度に加熱するためのヒータ１ａを備えた成膜室
（反応槽）１と、成膜室１内に配設された、膜が形成さ
れる基体（この実施例では基板）２を加熱する基体加熱
手段３と、ソース原料（ＣＶＤソース原料）６，７を気
化させるための気化手段（この実施例では加熱して気化
させるための加熱手段）４，５と、液体または溶液状の
ソース原料６，７を気化手段４，５に供給するための原
料供給手段８，９、及び酸素を成膜室１に供給するため
の、酸素導入バルブ１０を有する酸素供給ライン１１を
備えて構成されている。
【００２２】なお、この実施例では、ソース原料（Ｔｉ
ソース原料）６としてチタンイソプロポキシド（液体）
が用いられており、また、ソース原料（Ｐｂソース原
料）７として四エチル鉛（液体）がそれぞれ用いられて
いる。
ソース原料）６としてチタンイソプロポキシド（液体）
が用いられており、また、ソース原料（Ｐｂソース原
料）７として四エチル鉛（液体）がそれぞれ用いられて
いる。
【００２３】また、膜（この実施例ではチタン酸鉛の薄
膜）が形成される基板２としては、ＭｇＯ板が用いられ
ている。
膜）が形成される基板２としては、ＭｇＯ板が用いられ
ている。
【００２４】さらに、この実施例においては、原料供給
手段８，９として、マスフローコントローラを備えた液
体用フィーダが用いられており、ソース原料６，７を気
化手段４，５の気化部（受け皿）４ａ，５ａ上に所定の
割合で供給することができるように構成されている。
手段８，９として、マスフローコントローラを備えた液
体用フィーダが用いられており、ソース原料６，７を気
化手段４，５の気化部（受け皿）４ａ，５ａ上に所定の
割合で供給することができるように構成されている。
【００２５】また、気化手段４，５は、所定の温度にま
で昇温させることが可能なヒータ（加熱体）４ｂ，５ｂ
と、供給されるソース原料を気化させる気化部４ａ，４
ｂから構成されており、原料供給手段８，９により供給
されたソース原料６，７は気化部４ａ，４ｂで加熱され
蒸発、気化する。
で昇温させることが可能なヒータ（加熱体）４ｂ，５ｂ
と、供給されるソース原料を気化させる気化部４ａ，４
ｂから構成されており、原料供給手段８，９により供給
されたソース原料６，７は気化部４ａ，４ｂで加熱され
蒸発、気化する。
【００２６】(2)成膜 上記ＣＶＤ成膜装置を用いてチタン酸鉛の薄膜を形成す
るにあたっては、まず、成膜室１内の空気を排気ライン
１２から排気して成膜室内を減圧にする。それから、気
化手段４，５のヒータ４ｂ，５ｂを５０〜２００℃に加
熱し、原料供給手段８，９によって、ソース原料である
チタンイソプロポキシド６及び四エチル鉛７を気化部４
ａ，５ａに一定量供給して蒸発、気化させるとともに、
酸素供給ライン１１から酸素を成膜室１に供給し、基板
温度６００℃、反応圧力１０Torrの条件で、膜組成をＭ
ｇＯ基板２上に沈着させることにより成膜を行った。
るにあたっては、まず、成膜室１内の空気を排気ライン
１２から排気して成膜室内を減圧にする。それから、気
化手段４，５のヒータ４ｂ，５ｂを５０〜２００℃に加
熱し、原料供給手段８，９によって、ソース原料である
チタンイソプロポキシド６及び四エチル鉛７を気化部４
ａ，５ａに一定量供給して蒸発、気化させるとともに、
酸素供給ライン１１から酸素を成膜室１に供給し、基板
温度６００℃、反応圧力１０Torrの条件で、膜組成をＭ
ｇＯ基板２上に沈着させることにより成膜を行った。
【００２７】そして、上記実施例の方法によりＭｇＯ基
板２上に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したと
ころ、薄膜はチタン酸鉛の単相膜であることが確認され
た（図２参照）。
板２上に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したと
ころ、薄膜はチタン酸鉛の単相膜であることが確認され
た（図２参照）。
【００２８】(3)比較例 なお、比較のため、図６に示す従来のＣＶＤ成膜装置を
用いてチタン酸鉛の薄膜を形成した。この比較例（従来
例）においては、基板としてＭｇＯ板、Ｔｉのソース原
料としてチタンイソプロポキシド、Ｐｂのソース原料と
してジピバロイルメタン鉛を用い、基板温度６００℃、
反応圧力１０Torrの条件で、各ソース原料をキャリアガ
スによって成膜室に供給し、成膜させた。
用いてチタン酸鉛の薄膜を形成した。この比較例（従来
例）においては、基板としてＭｇＯ板、Ｔｉのソース原
料としてチタンイソプロポキシド、Ｐｂのソース原料と
してジピバロイルメタン鉛を用い、基板温度６００℃、
反応圧力１０Torrの条件で、各ソース原料をキャリアガ
スによって成膜室に供給し、成膜させた。
【００２９】そして、このときに得られたＭｇＯ基板上
に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したところ、
薄膜はチタン酸鉛の単相膜であることが確認された（図
４参照）。
に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したところ、
薄膜はチタン酸鉛の単相膜であることが確認された（図
４参照）。
【００３０】(4)膜組成の経時的変動の有無 さらに、経時的な膜組成の変動の有無を調べるため、上
記実施例１及び比較例の方法においてチタン酸鉛の単相
膜が形成される成膜条件を確認しておき、１ヵ月後に同
じ成膜条件で膜形成を行い、得られた膜の組成をＸ線回
折法により分析した。
記実施例１及び比較例の方法においてチタン酸鉛の単相
膜が形成される成膜条件を確認しておき、１ヵ月後に同
じ成膜条件で膜形成を行い、得られた膜の組成をＸ線回
折法により分析した。
【００３１】その結果、比較例の方法の場合、１ヵ月経
過後に形成した膜においては、Ｘ線回折パターン（図５
参照）にチタン酸鉛の回折ピーク以外の酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）の回折ピークが認められた。これは、１ヵ月経過後
において、チタンイソプロポキシドの蒸気圧が低下した
ため、Ｔｉソース原料の供給量が減少する半面、Ｐｂソ
ース原料の供給量が過剰になり、余ったＰｂがＰｂＯと
なって析出したことによるものと考えられる。
過後に形成した膜においては、Ｘ線回折パターン（図５
参照）にチタン酸鉛の回折ピーク以外の酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）の回折ピークが認められた。これは、１ヵ月経過後
において、チタンイソプロポキシドの蒸気圧が低下した
ため、Ｔｉソース原料の供給量が減少する半面、Ｐｂソ
ース原料の供給量が過剰になり、余ったＰｂがＰｂＯと
なって析出したことによるものと考えられる。
【００３２】これに対して、実施例の方法の場合、一ヵ
月経過後に形成した膜のＸ線回折パターン（図３参照）
にはＰｂＯのピークはほとんど認められず、チタン酸鉛
の単相膜が得られていることがわかる。
月経過後に形成した膜のＸ線回折パターン（図３参照）
にはＰｂＯのピークはほとんど認められず、チタン酸鉛
の単相膜が得られていることがわかる。
【００３３】このように、上記実施例の方法によれば、
繰り返して膜を形成した場合にも、経時的な膜組成の変
動がなく、チタン酸鉛の単相膜が確実に形成されること
が確認された。
繰り返して膜を形成した場合にも、経時的な膜組成の変
動がなく、チタン酸鉛の単相膜が確実に形成されること
が確認された。
【００３４】［実施例２］図１に示すＣＶＤ成膜装置を
用いて、以下の方法によりチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）の薄膜を形成した。
用いて、以下の方法によりチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）の薄膜を形成した。
【００３５】この実施例では、チタンのノルマルブトキ
シドとジルコニウムのターシャルブトキシドを、Ｚｒ／
Ｔｉ比が１／１となるように調整し、混合した混合原料
をブタノールに溶かしたもの（溶液）と、四エチル鉛
（液体）をソース原料として用いた。
シドとジルコニウムのターシャルブトキシドを、Ｚｒ／
Ｔｉ比が１／１となるように調整し、混合した混合原料
をブタノールに溶かしたもの（溶液）と、四エチル鉛
（液体）をソース原料として用いた。
【００３６】そして、上記実施例１と同様の方法によ
り、２００℃に加熱された気化手段４，５の気化部４
ａ，５ａにソース原料を一定量供給して蒸発、気化させ
るとともに、酸素供給ライン１１から酸素を成膜室１に
供給し、基板温度６００℃、反応圧力１０Torrの条件
で、ＭｇＯ基板２上に成膜させた。
り、２００℃に加熱された気化手段４，５の気化部４
ａ，５ａにソース原料を一定量供給して蒸発、気化させ
るとともに、酸素供給ライン１１から酸素を成膜室１に
供給し、基板温度６００℃、反応圧力１０Torrの条件
で、ＭｇＯ基板２上に成膜させた。
【００３７】そして、上記実施例の方法によりＭｇＯ基
板上に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したとこ
ろ、薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛の単相膜であることが
確認された。
板上に形成された薄膜をＸ線回折法により分析したとこ
ろ、薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛の単相膜であることが
確認された。
【００３８】また、一ヵ月経過後に、同じ成膜条件で膜
を形成した場合にも、チタン酸ジルコン酸鉛の単相膜が
得られた。
を形成した場合にも、チタン酸ジルコン酸鉛の単相膜が
得られた。
【００３９】なお、上記実施例１，２では、ヒータを用
い、加熱してＣＶＤソース原料を気化させるようにした
気化手段を用いた場合について説明したが、気化手段の
具体的な構成は、上記実施例のものに限られるものでは
なく、成膜室内でソース原料を気化させることが可能な
種々の気化手段を用いることが可能である。
い、加熱してＣＶＤソース原料を気化させるようにした
気化手段を用いた場合について説明したが、気化手段の
具体的な構成は、上記実施例のものに限られるものでは
なく、成膜室内でソース原料を気化させることが可能な
種々の気化手段を用いることが可能である。
【００４０】また、上記実施例では、ソース原料とし
て、液体または溶液状の物質を用いた場合について説明
したが、ソース原料は、液体物質や溶液状のものに限ら
ず、例えば、ジピバロイルメタン鉛（Ｐｂソース原料）
やジイソプロポキシビスジピバロイルメタンチタン（Ｔ
ｉソース原料）などの固体の原料を用いることも可能で
ある。
て、液体または溶液状の物質を用いた場合について説明
したが、ソース原料は、液体物質や溶液状のものに限ら
ず、例えば、ジピバロイルメタン鉛（Ｐｂソース原料）
やジイソプロポキシビスジピバロイルメタンチタン（Ｔ
ｉソース原料）などの固体の原料を用いることも可能で
ある。
【００４１】また、上記実施例では、チタン酸鉛及びチ
タン酸ジルコン酸鉛の薄膜を形成する場合について説明
したが、膜を構成する物質の種類は上記実施例に限定さ
れるものではなく、チタン酸鉛及びチタン酸ジルコン酸
鉛以外の種々の物質からなる膜を形成する場合にこの発
明を適用することが可能である。また、この発明は、薄
膜のみではなく、厚膜の形成、あるいは表面のコーティ
ングなどを行う場合にも適用することが可能である。
タン酸ジルコン酸鉛の薄膜を形成する場合について説明
したが、膜を構成する物質の種類は上記実施例に限定さ
れるものではなく、チタン酸鉛及びチタン酸ジルコン酸
鉛以外の種々の物質からなる膜を形成する場合にこの発
明を適用することが可能である。また、この発明は、薄
膜のみではなく、厚膜の形成、あるいは表面のコーティ
ングなどを行う場合にも適用することが可能である。
【００４２】この発明は、さらにその他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、成膜時の基体の
温度や雰囲気温度、反応圧力などの成膜条件、ソース原
料の気化温度、形成される膜の組成、膜が形成される基
体及び形成された膜の具体的形状などに関し、発明の要
旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが
できる。
上記実施例に限定されるものではなく、成膜時の基体の
温度や雰囲気温度、反応圧力などの成膜条件、ソース原
料の気化温度、形成される膜の組成、膜が形成される基
体及び形成された膜の具体的形状などに関し、発明の要
旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが
できる。
【００４３】
【発明の効果】上述のように、本願発明のＣＶＤ成膜装
置は、膜形成を行う成膜室内に、ＣＶＤソース原料を気
化させる気化手段を配設し、原料供給手段により、ＣＶ
Ｄソース原料を成膜室内に供給して気化手段により気化
させるようにしているので、ソース原料の経時変化によ
り供給割合にある程度経時的な変動があった場合にも、
成膜に供されるソース原料の全量が一定になり、形成さ
れる膜の組成の変動を防止することができる。したがっ
て、組成が一定で信頼性の高い膜を確実に形成すること
が可能になる。
置は、膜形成を行う成膜室内に、ＣＶＤソース原料を気
化させる気化手段を配設し、原料供給手段により、ＣＶ
Ｄソース原料を成膜室内に供給して気化手段により気化
させるようにしているので、ソース原料の経時変化によ
り供給割合にある程度経時的な変動があった場合にも、
成膜に供されるソース原料の全量が一定になり、形成さ
れる膜の組成の変動を防止することができる。したがっ
て、組成が一定で信頼性の高い膜を確実に形成すること
が可能になる。
【００４４】さらに、液体または溶液状のＣＶＤソース
原料を用いることにより、成膜室にＣＶＤソース原料を
より定量的に供給することが可能になるとともに、成膜
室内の気化手段に供給されたソース原料のすべてを成膜
時に容易に気化させることが可能になり、本願発明をよ
り確実に実効あらしめることができる。
原料を用いることにより、成膜室にＣＶＤソース原料を
より定量的に供給することが可能になるとともに、成膜
室内の気化手段に供給されたソース原料のすべてを成膜
時に容易に気化させることが可能になり、本願発明をよ
り確実に実効あらしめることができる。
【００４５】さらに、気化手段及び原料供給手段を、少
なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の数だけ備
えたＣＶＤ成膜装置の場合、各成分の供給量をそれぞれ
制御して任意の組成比の膜を容易に形成することができ
る。
なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の数だけ備
えたＣＶＤ成膜装置の場合、各成分の供給量をそれぞれ
制御して任意の組成比の膜を容易に形成することができ
る。
【００４６】また、形成すべき膜の組成などによって
は、気化手段及び前記原料供給手段を、所定の膜組成を
構成する元素の種類の数より少ない数とした場合にも、
所望の組成の膜を確実に形成することができるととも
に、設備を簡略化して製造コストを低減することができ
る。
は、気化手段及び前記原料供給手段を、所定の膜組成を
構成する元素の種類の数より少ない数とした場合にも、
所望の組成の膜を確実に形成することができるととも
に、設備を簡略化して製造コストを低減することができ
る。
【００４７】また、気化手段が成膜室内に配設されてお
り、従来のＣＶＤ成膜装置のように、キャリアガスの供
給手段やキャリアガスの供給ラインを設けることが不要
になるため、成膜装置の構成を簡略化することができ
る。
り、従来のＣＶＤ成膜装置のように、キャリアガスの供
給手段やキャリアガスの供給ラインを設けることが不要
になるため、成膜装置の構成を簡略化することができ
る。
【００４８】さらに、気化手段が成膜室内に配設されて
いるため、ソース原料の蒸気をキャリアガスによって搬
送する場合のように、搬送途中で凝縮、固化したソース
原料が搬送ラインに付着、堆積するようなことがなく、
形成される膜の組成を制御することが一層容易になる。
いるため、ソース原料の蒸気をキャリアガスによって搬
送する場合のように、搬送途中で凝縮、固化したソース
原料が搬送ラインに付着、堆積するようなことがなく、
形成される膜の組成を制御することが一層容易になる。
【００４９】本願発明のＣＶＤ成膜装置は、上述のよう
な特徴を有していることから、強誘電体メモリ素子や、
薄膜圧電体、薄膜電気光学素子などのような、膜を構成
する成分が多く、膜組成を微妙にコントロールすること
が必要とされる分野に適用した場合に特に有意義であ
る。
な特徴を有していることから、強誘電体メモリ素子や、
薄膜圧電体、薄膜電気光学素子などのような、膜を構成
する成分が多く、膜組成を微妙にコントロールすること
が必要とされる分野に適用した場合に特に有意義であ
る。
【００５０】また、上述のような特徴を有するＣＶＤ成
膜装置を用いる本願発明の成膜方法によれば、所望の組
成を有しかつ組成のばらつきのない膜を容易かつ確実に
製造することができる。
膜装置を用いる本願発明の成膜方法によれば、所望の組
成を有しかつ組成のばらつきのない膜を容易かつ確実に
製造することができる。
【図１】本願発明の一実施例にかかるＣＶＤ成膜装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】本願発明の実施例においてＭｇＯ基板上に形成
された薄膜のＸ線回折パターンを示す図である。
された薄膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図３】一ヵ月経過後に、本願発明の実施例のＣＶＤ成
膜装置を用いて形成した膜のＸ線回折パターンを示す図
である。
膜装置を用いて形成した膜のＸ線回折パターンを示す図
である。
【図４】従来のＣＶＤ成膜装置を用いてＭｇＯ基板上に
形成された薄膜のＸ線回折パターンを示す図である。
形成された薄膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図５】一ヵ月経過後に、従来のＣＶＤ成膜装置を用い
て形成した膜のＸ線回折パターンを示す図である。
て形成した膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】従来のＣＶＤ成膜装置の構成を示す図である。
１ａ ヒータ １ 成膜室（反応槽） ２ 基体（基板） ３ 基体加熱手段 ４，５ 気化手段 ４ａ，５ａ 気化部 ４ｂ，５ｂ ヒータ（加熱体） ６，７ ＣＶＤソース原料 ８，９ 原料供給手段 １０ 酸素導入バルブ １１ 酸素供給ライン １２ 排気ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 白露 幸祐 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 膜形成を行う成膜室と、 前記成膜室内に配設された、ＣＶＤソース原料を気化さ
せる気化手段と、 ＣＶＤソース原料を、前記気化手段に供給する原料供給
手段とを具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項２】 前記原料供給手段が、液体または溶液状
のＣＶＤソース原料を供給するものであることを特徴と
する請求項１記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項３】 前記気化手段及び前記原料供給手段を、
少なくとも所定の膜組成を構成する元素の種類の数だけ
備えていることを特徴とする請求項１または２記載のＣ
ＶＤ成膜装置。 - 【請求項４】 前記気化手段及び前記原料供給手段を、
所定の膜組成を構成する元素の種類の数より少ない数だ
け備えていることを特徴とする請求項１または２記載の
ＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のＣＶＤ
成膜装置を用い、ＣＶＤソース原料を、前記原料供給手
段により、前記成膜室内に配設された前記気化手段に供
給して、ＣＶＤソース原料を気化させる工程を含むこと
を特徴とする成膜方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載のＣＶＤ
成膜装置を用い、液体または溶液状のＣＶＤソース原料
を、前記原料供給手段により、前記成膜室内に配設され
た前記気化手段に供給して、ＣＶＤソース原料を気化さ
せる工程を含むことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13855895A JPH08311653A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13855895A JPH08311653A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311653A true JPH08311653A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=15224958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13855895A Withdrawn JPH08311653A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08311653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013077321A1 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-04-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP13855895A patent/JPH08311653A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013077321A1 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-04-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3462852B2 (ja) | 化学気相成長法によって薄膜を製造する方法と装置 | |
| US6110531A (en) | Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition | |
| JP5719849B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| US6537613B1 (en) | Process for metal metalloid oxides and nitrides with compositional gradients | |
| KR20000057279A (ko) | 상이한 전구체 조성물을 이용한 화학 증착에 사용되는 복수의 기화기를 구비한 반응물 공급 시스템 | |
| US20030080325A1 (en) | Chemical vapor deposition method of making layered superlattice materials using trimethylbismuth | |
| JPH0883793A (ja) | 強誘電体薄膜の形成方法 | |
| JPH08176826A (ja) | Ｃｖｄ法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるｃｖｄ原料及び液体原料容器 | |
| JPH06349324A (ja) | 強誘電体薄膜の形成方法 | |
| KR20070062491A (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
| JPH08311653A (ja) | Ｃｖｄ成膜装置及び成膜方法 | |
| JPWO2012042772A1 (ja) | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 | |
| JP4595356B2 (ja) | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 | |
| EP1662556B1 (en) | Process for producing oxide thin film | |
| JP2004256510A (ja) | Ｃｖｄ用ビスマス原料溶液及びこれを用いたビスマス含有薄膜の製造方法 | |
| JP4209273B2 (ja) | 処理方法 | |
| JP2003142473A (ja) | ガス供給装置及びガス供給方法、及び成膜装置及び成膜方法 | |
| JPH059738A (ja) | 強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法 | |
| JPH07211644A (ja) | 薄膜の製造方法およびその製造装置 | |
| KR100497926B1 (ko) | 강유전성박막의제조방법및유기금속화학기상증착용원료 | |
| JP3336671B2 (ja) | 化学気相堆積装置及び化学気相堆積方法 | |
| JPH11246976A (ja) | 化学的気相成長装置 | |
| JP2003119171A (ja) | ランタン錯体及びそれを用いたｂｌｔ膜の製造方法 | |
| KR100399606B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 피젯티 박막의 제조방법 | |
| JPH1161411A (ja) | 気相成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |