JPH08311169A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08311169A JPH08311169A JP11886395A JP11886395A JPH08311169A JP H08311169 A JPH08311169 A JP H08311169A JP 11886395 A JP11886395 A JP 11886395A JP 11886395 A JP11886395 A JP 11886395A JP H08311169 A JPH08311169 A JP H08311169A
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- epoxy resin
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の封止樹脂とインサートとの間の
剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止
用樹脂組成物を提供すること。 【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)
及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フ
ェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂(B成分)、硬化促進剤(C成分)、無機質充填
材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂
組成物に対して、60〜95vol%含有してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止
用樹脂組成物を提供すること。 【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)
及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フ
ェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂(B成分)、硬化促進剤(C成分)、無機質充填
材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂
組成物に対して、60〜95vol%含有してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ耐熱性、耐湿性
に優れた、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその樹
脂組成物で封止した半導体装置に関する。
に優れた、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその樹
脂組成物で封止した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体素子は素子の集
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進んでいる。同時に半導体
装置の基板への取り付けを行う時に、半導体装置自体が
短時間のうちに200℃以上の高温にさらされるように
なってきた。この時、樹脂封止材中に含有される水分が
気化し、ここで発生する蒸気圧が樹脂と素子、リードフ
レーム等のインサートとの界面において、剥離応力とし
て働き、樹脂インサートの間で剥離が発生し、特に薄型
の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置のフク
レやクラックに至ってしまうことになる。以上の様な剥
離やクラックにより半導体装置の耐湿信頼性の劣化を生
じることになる。このような剥離やクラックを生じる防
止策として、タブ裏面と封止用樹脂との間の接着力を向
上させるため、タブ面のディンプル加工、スリット加工
等の手法が取られているが、リードフレームの高コスト
化、効果不十分等の問題があり、封止用樹脂での改善が
望まれる。このため、吸湿の影響が少なく、半導体装置
が基板への取り付けの際の高温にさらされても、剥離や
クラックが発生せず、耐湿信頼性の劣化の少ない封止用
樹脂の開発が強く要求されている。
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進んでいる。同時に半導体
装置の基板への取り付けを行う時に、半導体装置自体が
短時間のうちに200℃以上の高温にさらされるように
なってきた。この時、樹脂封止材中に含有される水分が
気化し、ここで発生する蒸気圧が樹脂と素子、リードフ
レーム等のインサートとの界面において、剥離応力とし
て働き、樹脂インサートの間で剥離が発生し、特に薄型
の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置のフク
レやクラックに至ってしまうことになる。以上の様な剥
離やクラックにより半導体装置の耐湿信頼性の劣化を生
じることになる。このような剥離やクラックを生じる防
止策として、タブ裏面と封止用樹脂との間の接着力を向
上させるため、タブ面のディンプル加工、スリット加工
等の手法が取られているが、リードフレームの高コスト
化、効果不十分等の問題があり、封止用樹脂での改善が
望まれる。このため、吸湿の影響が少なく、半導体装置
が基板への取り付けの際の高温にさらされても、剥離や
クラックが発生せず、耐湿信頼性の劣化の少ない封止用
樹脂の開発が強く要求されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
要求に対し、樹脂封止に用いる封止用樹脂組成物におい
て、その吸湿を低下することにより、半導体装置の封止
樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑
制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
要求に対し、樹脂封止に用いる封止用樹脂組成物におい
て、その吸湿を低下することにより、半導体装置の封止
樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑
制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、すなわち下記
一般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂(A
成分)、一般式(II)で示される水酸基当量130〜1
80(g/eq)軟化点70〜130(℃)のテルペン
骨格を有するフェノール樹脂一般式(III) で示されるア
ラルキル基フェノール樹脂及び一般式(IV)で示される
クレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる2
種以上の硬化剤(B成分)、一般式(V)で示される硬
化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成
分とし、樹脂組成物に対して前記無機質充填材を60〜
95vol%含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関する。
一般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂(A
成分)、一般式(II)で示される水酸基当量130〜1
80(g/eq)軟化点70〜130(℃)のテルペン
骨格を有するフェノール樹脂一般式(III) で示されるア
ラルキル基フェノール樹脂及び一般式(IV)で示される
クレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる2
種以上の硬化剤(B成分)、一般式(V)で示される硬
化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成
分とし、樹脂組成物に対して前記無機質充填材を60〜
95vol%含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関する。
【0005】
【化1】 (式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 は、H基、CH3 基も
しくはC(CH3 )3 基を示し、nは0〜3の整数を示
す。)
しくはC(CH3 )3 基を示し、nは0〜3の整数を示
す。)
【0006】
【化2】 (式中、mは0〜5の整数を示す。)
【0007】
【化3】 (式中、lは0〜30の整数を示す。)
【0008】
【化4】 (式中、kは0以上の整数を示す。)
【0009】
【化5】
【0010】更に、上記A成分のエポキシ樹脂には通常
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いられるエポキ
シ樹脂を併用することができる。この併用されるエポキ
シ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であれば特に制限するものではないが、従来
から半導体封止用樹脂組成物の封止樹脂として用いられ
ているオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂等が好適である。
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いられるエポキ
シ樹脂を併用することができる。この併用されるエポキ
シ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であれば特に制限するものではないが、従来
から半導体封止用樹脂組成物の封止樹脂として用いられ
ているオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂等が好適である。
【0011】本発明に用いる上記の一般式(II)で示さ
れる水酸基当量130〜180(g/eq)軟化点70
〜130(℃)のテルペン骨格を有するフェノール樹脂
及び一般式(III) で示されるアラルキル基フェノール樹
脂及び一般式(IV)で示されるクレゾールノボラック型
フェノール樹脂以外にも通常の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に用いられるフェノール樹脂を併用することが
できる。この併用されるフェノール樹脂は1分子中に2
個以上の水酸基を有するフェノール樹脂であれば特に限
定するものではないが、従来から半導体の封止樹脂とし
て用いられているノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ール類とジメトキシパラキシレンから合成されるキシリ
レン基を有するフェノール・アラルキル樹脂、分子内に
ジシクロペンタジエン骨格構造を有するフェノール樹脂
等があり、2種類以上併用しても良い。また、(A)の
エポキシ樹脂と(B)の硬化剤の当量比(Bの水酸基数
/エポキシ樹脂基数)は、特に限定はされないが、それ
ぞれの未反応分を少なく抑えるために0.7〜1.3の
範囲に設定することが好ましい。
れる水酸基当量130〜180(g/eq)軟化点70
〜130(℃)のテルペン骨格を有するフェノール樹脂
及び一般式(III) で示されるアラルキル基フェノール樹
脂及び一般式(IV)で示されるクレゾールノボラック型
フェノール樹脂以外にも通常の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に用いられるフェノール樹脂を併用することが
できる。この併用されるフェノール樹脂は1分子中に2
個以上の水酸基を有するフェノール樹脂であれば特に限
定するものではないが、従来から半導体の封止樹脂とし
て用いられているノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ール類とジメトキシパラキシレンから合成されるキシリ
レン基を有するフェノール・アラルキル樹脂、分子内に
ジシクロペンタジエン骨格構造を有するフェノール樹脂
等があり、2種類以上併用しても良い。また、(A)の
エポキシ樹脂と(B)の硬化剤の当量比(Bの水酸基数
/エポキシ樹脂基数)は、特に限定はされないが、それ
ぞれの未反応分を少なく抑えるために0.7〜1.3の
範囲に設定することが好ましい。
【0012】C成分の硬化促進剤として、従来使用して
いたアミン類及びその誘導体又はそれらの塩類、1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデンセン−7及び
その誘導体又はそれらの塩類、各種オニウム化合物、イ
ミダゾール等の硬化促進剤から一般式(IV)で示される
潜在性のある(活性化エネルギーに変曲点があり、低温
で反応が遅く、高温で反応が早い)硬化促進剤を用い
る。C成分の硬化促進剤を必須成分として用いる一つの
理由としては、上記1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデンセン−7を使用すると、成形する前に吸湿
した場合、硬化性が著しく低下してしまう為である。硬
化促進剤の配合割合は、好ましくはエポキシ樹脂100
重量部に対して、0.1〜10重量部である。
いたアミン類及びその誘導体又はそれらの塩類、1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデンセン−7及び
その誘導体又はそれらの塩類、各種オニウム化合物、イ
ミダゾール等の硬化促進剤から一般式(IV)で示される
潜在性のある(活性化エネルギーに変曲点があり、低温
で反応が遅く、高温で反応が早い)硬化促進剤を用い
る。C成分の硬化促進剤を必須成分として用いる一つの
理由としては、上記1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデンセン−7を使用すると、成形する前に吸湿
した場合、硬化性が著しく低下してしまう為である。硬
化促進剤の配合割合は、好ましくはエポキシ樹脂100
重量部に対して、0.1〜10重量部である。
【0013】本発明に用いるD成分の無機質充填剤は結
晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カル
シウム、炭酸カルシウム、又はこれらを球形化したビー
ズ等が挙げられ、1種以上用いることができる。充填剤
の配合量としては、成形性、熱膨張係数の低減、高温強
度向上の観点から60〜95vol%以上が好ましい。
晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カル
シウム、炭酸カルシウム、又はこれらを球形化したビー
ズ等が挙げられ、1種以上用いることができる。充填剤
の配合量としては、成形性、熱膨張係数の低減、高温強
度向上の観点から60〜95vol%以上が好ましい。
【0014】その他の添加剤として高級脂肪酸、高級脂
肪金属塩、エステル系ワックス、ポリエチレン系ワック
ス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポキシ
シラン、アミノシラン、ウレイドシランビニルシラン、
アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコ
レート等のカップリング剤及び難燃剤等を用いることが
できる。
肪金属塩、エステル系ワックス、ポリエチレン系ワック
ス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポキシ
シラン、アミノシラン、ウレイドシランビニルシラン、
アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコ
レート等のカップリング剤及び難燃剤等を用いることが
できる。
【0015】以上のような原材料を用いて樹脂組成物を
作製する一般的な方法としては、所定の配合量の原材料
をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロー
ル、押出機等によって混練し、冷却、粉砕することによ
って封止用樹脂組成物を得ることができる。
作製する一般的な方法としては、所定の配合量の原材料
をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロー
ル、押出機等によって混練し、冷却、粉砕することによ
って封止用樹脂組成物を得ることができる。
【0016】本発明で得られる樹脂組成物を用いて電子
部品を封止する方法としては、低圧トランスファー成形
法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧
縮成形法によっても可能である。
部品を封止する方法としては、低圧トランスファー成形
法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧
縮成形法によっても可能である。
【0017】
【効果】前記した樹脂組成物は、低吸水率、高接着で、
高温時での曲げ強度や歪みが高く、この樹脂組成物を用
いて封止した半導体装置は、含有する水分が少なく、更
にインサートとの密着性が高くなり、はんだ付け時のク
ラックが発生することなく、耐熱信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を提供することができる。
高温時での曲げ強度や歪みが高く、この樹脂組成物を用
いて封止した半導体装置は、含有する水分が少なく、更
にインサートとの密着性が高くなり、はんだ付け時のク
ラックが発生することなく、耐熱信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を提供することができる。
【0018】
【実施例】以下実施例及び比較例によって具体的に本発
明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定
されるものではない。まず、表1に示す重量部で配合し
予備混合(ドライブレンド)した後、10インチ径の二
軸加熱ロールを使用して、混練温度80〜90℃、混練
時間7〜10分の条件で混練し、冷却後、粉砕後微粒化
して得た封止用樹脂組成物を用いた。
明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定
されるものではない。まず、表1に示す重量部で配合し
予備混合(ドライブレンド)した後、10インチ径の二
軸加熱ロールを使用して、混練温度80〜90℃、混練
時間7〜10分の条件で混練し、冷却後、粉砕後微粒化
して得た封止用樹脂組成物を用いた。
【0019】実施例1〜4、比較例1〜6 この封止用樹脂組成物を用い、トランスファー成形機
で、金型温度180℃、成形圧力70kgf/cm2 、
硬化時間90秒の条件で成形した。スパイラルフロー
(SF)は、EMMI1−66に準じて測定した。吸湿
後の硬化性については、封止用樹脂組成物を25℃、5
0%RH雰囲気中に24時間放置後、上記と同様にスパ
イラルフロー測定時カル部の硬化状態を見た。表2にお
いて、○印は、吸湿後の硬化性が良好、×印は不良であ
ることを示す。A1ピール接着力は、厚み約0.03m
mのアルミホイル上に幅10mmの成形品を上記の条件
で成形し、更に175℃、5時間後硬化を行ったものに
ついて、アルミ箔と成形品の密着力を測定した。曲げ弾
性率、曲げ強さ、歪みは、127×12.7×4mmの
試験片を上記の条件で成形し、更に後硬化を行ったもの
について、オートグラフ(島津製作所製)を用いて、三
点支持の曲げ試験を20℃及び215℃で行った。吸湿
率はφ50×3mmの円板を上記の条件で成形し、更に
後硬化を行ったものについてPCT(121℃、2at
m)20時間後の重量変化から測定した。また、封止用
樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、後硬化(175℃/5時間)
後はんだ付け時の耐熱性と耐熱信頼性を測定した。はん
だ付け時の耐熱性に用いた半導体装置QFP80ピン
は、外形寸法が20×14×2(mm)のフラットパッ
ケージであり、8×14×0.4(mm)の素子を搭載
した80ピン、42アロイリードのものである。試験条
件は、85℃/85%RHで所定時間加湿した後、21
5℃のベーパーフェーズリフロー炉において90秒加熱
する。評価は外観を顕微鏡にて観察し、パッケージクラ
ックの有無を判定することにより行った。耐湿信頼性に
用いた半導体装置DIP16ピンは、外形寸法が6.3
×19.5×3.8(mm)であり、リードフレームは
42アロイ材で7.2×3.9(mm)のチップサイズ
を有するものである。(チップのデザインはA115μ
m幅、ギャップ5μm、パッシベーションなし) このようにして得られた半導体装置について、125
℃、24時間ベーキング後85℃/85%RHで72時
間加熱させた後、215℃のベーパーフェーズリフロー
炉において、90秒加熱処理を行い、PCT(121
℃、2atm)の条件化で放置した時の半導体装置のA
1配線の腐食断線を導通試験を行うことにより求めた。
上記の各試験結果をまとめて表2に示す。表2より、実
施例の成形品は、低吸水率、高接着時での曲げ弾性率が
低く、高温時での曲げ強度や歪みが高く、これを用いて
封止した半導体装置は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信
頼性が良好であることが明白である。
で、金型温度180℃、成形圧力70kgf/cm2 、
硬化時間90秒の条件で成形した。スパイラルフロー
(SF)は、EMMI1−66に準じて測定した。吸湿
後の硬化性については、封止用樹脂組成物を25℃、5
0%RH雰囲気中に24時間放置後、上記と同様にスパ
イラルフロー測定時カル部の硬化状態を見た。表2にお
いて、○印は、吸湿後の硬化性が良好、×印は不良であ
ることを示す。A1ピール接着力は、厚み約0.03m
mのアルミホイル上に幅10mmの成形品を上記の条件
で成形し、更に175℃、5時間後硬化を行ったものに
ついて、アルミ箔と成形品の密着力を測定した。曲げ弾
性率、曲げ強さ、歪みは、127×12.7×4mmの
試験片を上記の条件で成形し、更に後硬化を行ったもの
について、オートグラフ(島津製作所製)を用いて、三
点支持の曲げ試験を20℃及び215℃で行った。吸湿
率はφ50×3mmの円板を上記の条件で成形し、更に
後硬化を行ったものについてPCT(121℃、2at
m)20時間後の重量変化から測定した。また、封止用
樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、後硬化(175℃/5時間)
後はんだ付け時の耐熱性と耐熱信頼性を測定した。はん
だ付け時の耐熱性に用いた半導体装置QFP80ピン
は、外形寸法が20×14×2(mm)のフラットパッ
ケージであり、8×14×0.4(mm)の素子を搭載
した80ピン、42アロイリードのものである。試験条
件は、85℃/85%RHで所定時間加湿した後、21
5℃のベーパーフェーズリフロー炉において90秒加熱
する。評価は外観を顕微鏡にて観察し、パッケージクラ
ックの有無を判定することにより行った。耐湿信頼性に
用いた半導体装置DIP16ピンは、外形寸法が6.3
×19.5×3.8(mm)であり、リードフレームは
42アロイ材で7.2×3.9(mm)のチップサイズ
を有するものである。(チップのデザインはA115μ
m幅、ギャップ5μm、パッシベーションなし) このようにして得られた半導体装置について、125
℃、24時間ベーキング後85℃/85%RHで72時
間加熱させた後、215℃のベーパーフェーズリフロー
炉において、90秒加熱処理を行い、PCT(121
℃、2atm)の条件化で放置した時の半導体装置のA
1配線の腐食断線を導通試験を行うことにより求めた。
上記の各試験結果をまとめて表2に示す。表2より、実
施例の成形品は、低吸水率、高接着時での曲げ弾性率が
低く、高温時での曲げ強度や歪みが高く、これを用いて
封止した半導体装置は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信
頼性が良好であることが明白である。
【0020】
【表1】
【0021】
【表2】
【0022】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたもの
であり、従って該封止用樹脂封止組成物で封止した半導
体装置もはんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたも
のとなる。
物は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたもの
であり、従って該封止用樹脂封止組成物で封止した半導
体装置もはんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたも
のとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I)で示されるビフェニル型エポ
キシ樹脂(A成分)、下記一般式(II)で示される水酸
基当量130〜180(g/eq)軟化点70〜130
(℃)のテルペン骨格を有するフェノール樹脂及び一般
式(III) で示されるアラルキル型フェノール樹脂及び一
般式(IV)で示されるクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂から選ばれる2種以上の硬化剤(B成分)、下記
一般式(V)で示される硬化促進剤(C成分)、無機質
充填材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を
樹脂組成物に対して60〜95vol%含有してなる半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 は、H基、CH3 基も
しくはC(CH3 )3 基を示し、nは0〜3の整数を示
す。) 【化2】 (式中、mは0〜5の整数を示す。) 【化3】 (式中、lは0〜30の整数を示す。) 【化4】 (式中、kは0以上の整数を示す。) 【化5】 - 【請求項2】請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物で封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11886395A JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11886395A JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08311169A true JPH08311169A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=14747002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11886395A Pending JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08311169A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194491B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-02-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Biphenyl epoxy resin, naphthalene-containing phenolic resin and accelerator triphenylphosphine/p-benzoquinone |
CN1320019C (zh) * | 2002-10-03 | 2007-06-06 | 日本化药株式会社 | 光半导体密封用环氧树脂组合物 |
JP2013249280A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Air Water Inc | フェノール系オリゴマー、その製法及び用途 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP11886395A patent/JPH08311169A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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