JPH08307155A - Gun diode oscillator using non-radiative dielectric line - Google Patents
Gun diode oscillator using non-radiative dielectric lineInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、FMレーダ発振器等に
用いられるガンダイオード発振器に関し、より特定的に
は、非放射性誘電体線路(Nonradiative
Dielectric Waveguide)を利用
し、マイクロ波帯またはミリ波帯で発振動作するガンダ
イオード発振器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Gunn diode oscillator used for an FM radar oscillator, and more particularly, a non-radiative dielectric waveguide (Nonradiative).
The present invention relates to a Gunn diode oscillator that utilizes Dielectric Waveguide) and that oscillates in a microwave band or a millimeter wave band.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、一対の導体板の相互の間隔を
所定の間隔になるように平行に配設し、両導体板間に配
設される誘電体ストリップに沿ってLSM01モードま
たはLSE01モードの電磁波を伝搬させるようにした
非放射性誘電体線路がある。誘電体ストリップを導体板
ではさむと、高さhの2倍以上の波長の電磁波は、誘電
体ストリップのない部分においてはほぼ遮断される。一
方、誘電体ストリップの部分では、遮断効果が解除され
る。このため、LSM01モードやLSE01モードの
電磁波は、放射せずに低損失で誘電体ストリップに沿っ
て伝播する。したがって、非放射性誘電体線路は、マイ
クロ波やミリ波の伝送線路に適している。2. Description of the Related Art Conventionally, a pair of conductor plates are arranged in parallel with each other so as to have a predetermined gap therebetween, and LSM01 mode or LSE01 mode is arranged along a dielectric strip arranged between both conductor plates. There is a non-radiative dielectric waveguide that is designed to propagate the electromagnetic wave of. When the dielectric strip is sandwiched by the conductor plates, electromagnetic waves having a wavelength that is at least twice the height h are cut off at the portion where the dielectric strip is not present. On the other hand, in the portion of the dielectric strip, the blocking effect is canceled. Therefore, the LSM01 mode or LSE01 mode electromagnetic wave does not radiate and propagates along the dielectric strip with low loss. Therefore, the non-radiative dielectric line is suitable for a microwave or millimeter wave transmission line.
【0003】また、その一対の導体板間に誘電体ストリ
ップとともにガンダイオード、結合共振器等を配設する
ことにより、ガンダイオード発振器を形成できる。この
ため、非放射性誘電体線路は、マイクロ波帯やミリ波帯
のガンダイオード発振器の集積化に適している。したが
って、従来から非放射性誘電体線路を用いたガンダイオ
ード発振器が考えられている。A Gunn diode oscillator can be formed by disposing a Gunn diode, a coupling resonator, and the like together with the dielectric strip between the pair of conductor plates. Therefore, the non-radiative dielectric waveguide is suitable for the integration of the Gunn diode oscillator in the microwave band or the millimeter wave band. Therefore, conventionally, a Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line has been considered.
【0004】図9および図10は、従来のガンダイオー
ド発振器の構成を示す斜視図である。特に、図9は実装
状態を示しており、図10は分解した状態を示してい
る。図9および図10において、ガンダイオード発振器
は、大略的に非放射性誘電体線路部100と、ガンダイ
オード発振ブロック200と、共振器300とを備えて
いる。9 and 10 are perspective views showing the structure of a conventional Gunn diode oscillator. In particular, FIG. 9 shows a mounted state, and FIG. 10 shows a disassembled state. 9 and 10, the Gunn diode oscillator is roughly provided with a non-radiative dielectric line section 100, a Gunn diode oscillation block 200, and a resonator 300.
【0005】非放射性誘電体線路部100は、上下の導
体板101,102(図10において、省略)と、誘電
体ストリップ103とを含む。導体板101,102
は、アルミニュウム等の金属製材料で、使用するミリ波
帯の信号(例えば、60GHz)の半波長よりも小さな
所定の間隔(例えば、2.5mm)に平行に配置され
る。誘電体ストリップ103は、テフロン等の誘電体材
料(比誘電率εr=2)で、幅a(例えば、2.25m
m)、高さh(例えば、2.5mm)に形成されてい
る。The non-radiative dielectric line portion 100 includes upper and lower conductor plates 101 and 102 (omitted in FIG. 10) and a dielectric strip 103. Conductor plates 101, 102
Is a metal material such as aluminum and is arranged in parallel at a predetermined interval (for example, 2.5 mm) smaller than a half wavelength of a millimeter wave band signal (for example, 60 GHz) to be used. The dielectric strip 103 is made of a dielectric material (relative permittivity εr = 2) such as Teflon and has a width a (for example, 2.25 m).
m) and height h (for example, 2.5 mm).
【0006】ガンダイオード発振ブロック200は、ダ
イオードマウント201と、ダイオードマウント201
の一側面に実装されたガンダイオード202と、ダイオ
ードマウント201の一側面に実装されたマイクロスト
リップ線路形式のバイアス基板203とを含む。ダイオ
ードマウント201は、金属製材料(例えば、銅地金に
金メッキ)で略四角柱状(例えば、幅3.75mm、高
さ2.5mm、長さ7.5mm)に形成されており、導
体板101,102を介して接地される。ガンダイオー
ド202は、ダイオードマウント201へダイオードチ
ップからダイボンドされ、これを円筒セラミックケース
でおおい、チップ電極とワイヤー接続された上部を金属
蓋で密封されることにより実装されている。ガンダイオ
ード202の一端は、ダイオードマウント201に電気
的に接続されている。The Gunn diode oscillation block 200 includes a diode mount 201 and a diode mount 201.
A Gunn diode 202 mounted on one side of the diode mount 201 and a microstrip line type bias substrate 203 mounted on one side of the diode mount 201. The diode mount 201 is formed of a metal material (for example, copper metal plated with gold) into a substantially rectangular columnar shape (for example, width 3.75 mm, height 2.5 mm, length 7.5 mm), and the conductor plate 101. , 102 to ground. The Gunn diode 202 is mounted by die-bonding the diode chip to the diode mount 201 from a diode chip, covering the same with a cylindrical ceramic case, and sealing the upper part, which is wire-connected to the chip electrode, with a metal lid. One end of the Gunn diode 202 is electrically connected to the diode mount 201.
【0007】なお、ダイオードマウント201は、ガン
ダイオード202のヒートシンクの役割を果たしてい
る。また、ダイオードマウント201の上下には、ガン
ダイオード202の発振信号がダイオードマウント20
1と導体板101,102との間の隙間に流れないよう
に漏洩信号をトラップし、ガンダイオード202の発振
信号を誘電体ストリップ103側に多く流すための溝2
01a,201bが形成されている。The diode mount 201 serves as a heat sink for the Gunn diode 202. The oscillation signal of the Gunn diode 202 is provided above and below the diode mount 201.
1 for trapping a leak signal so that it does not flow in the gap between the conductor plate 101 and the conductor plates 101, 102, and for allowing a large amount of the oscillation signal of the Gunn diode 202 to flow to the dielectric strip 103 side.
01a and 201b are formed.
【0008】バイアス基板203は、ガンダイオード2
02の端子202aにバイアス電圧を給電するととも
に、ガンダイオード202の発振信号をトラップし、発
振信号がバイアス電圧供給側に流れるのを阻止するため
のものである。このため、バイアス基板203は、誘電
体基板203aと、誘電体基板203a上に形成された
プリント配線203bと、プリント配線203bとガン
ダイオードの端子202aとを電気的に接続するための
リード線部203cとを含む。The bias substrate 203 is a Gunn diode 2
This is for supplying a bias voltage to the terminal 202a of 02 and trapping the oscillation signal of the Gunn diode 202 to prevent the oscillation signal from flowing to the bias voltage supply side. Therefore, the bias substrate 203 includes a dielectric substrate 203a, a printed wiring 203b formed on the dielectric substrate 203a, and a lead wire portion 203c for electrically connecting the printed wiring 203b and the Gunn diode terminal 202a. Including and
【0009】プリント配線203bは、その線路幅の広
狭により等価的にコンデンサとインダクタンスとを形成
し、ローパスフィルタとして動作する。リード線部20
3cは、誘電体基板203a上にプリント配線203b
と一体的に形成され、誘電体基板203aの一部(図1
0の点線で示す部分)を削除加工することにより形成さ
れている。このようなバイアス基板203は、ダイオー
ドマウント201の一側面に接着剤等により実装され
る。また、リード線部203cは、ガンダイオードの端
子202aにハンダ付けされている。The printed wiring 203b equivalently forms a capacitor and an inductance depending on the width of the line, and operates as a low-pass filter. Lead wire part 20
3c is a printed wiring 203b on the dielectric substrate 203a.
And a part of the dielectric substrate 203a (see FIG. 1).
It is formed by deleting the part (shown by the dotted line of 0). Such a bias substrate 203 is mounted on one side surface of the diode mount 201 with an adhesive or the like. Further, the lead wire portion 203c is soldered to the terminal 202a of the Gunn diode.
【0010】共振器300は、ガンダイオード202の
発振信号を誘電体ストリップ103に導くためのもので
ある。この共振器300は、誘電体基板301と、誘電
体基板301上に線路の幅と長さとによりガンダイオー
ド202の発振周波数を所望の周波数(例えば、60G
Hz)にするためのプリント配線302とを含む。The resonator 300 is for guiding the oscillation signal of the Gunn diode 202 to the dielectric strip 103. In this resonator 300, the oscillation frequency of the Gunn diode 202 is set to a desired frequency (for example, 60 G) by the dielectric substrate 301 and the width and length of the line on the dielectric substrate 301.
And a printed wiring 302 for setting the frequency (Hz).
【0011】このようなガンダイオード発振器は、導体
板102上に誘電体ストリップ103、ガンダイオード
発振ブロック200および共振器300を位置決め配置
し、誘電体ストリップ103、ガンダイオード発振ブロ
ック200および共振器300を導体板101,102
で挟持することにより形成されている。In such a Gunn diode oscillator, the dielectric strip 103, the Gunn diode oscillation block 200 and the resonator 300 are positioned and arranged on the conductor plate 102, and the dielectric strip 103, the Gunn diode oscillation block 200 and the resonator 300 are arranged. Conductor plates 101, 102
It is formed by sandwiching with.
【0012】プリント配線203bに所定の一定のバイ
アス電圧を印加した場合、ガンダイオード202は、6
0GHzで発振する。共振器300と誘電体ストリップ
103とが電界結合しているため、誘電体ストリップ1
03にこの発振信号がLSM01モードで流れる。プリ
ント配線203bに印加する電圧を変動させた場合、ガ
ンダイオード内部のキャリアがその変動に応じて変化す
るため、発振周波数が変化する。印加電圧を所望の信号
に応じて変化させれば、ガンダイオードの発振周波数は
FM変調されるため、ガンダイオード202は、60G
Hzを中心としてFM発振する。共振器300と誘電体
ストリップ103とが電界結合しているため、誘電体ス
トリップ103にこのFM発振信号がLSM01モード
で流れる。When a predetermined constant bias voltage is applied to the printed wiring 203b, the gun diode 202 is
It oscillates at 0 GHz. Since the resonator 300 and the dielectric strip 103 are field-coupled, the dielectric strip 1
This oscillation signal flows in 03 in the LSM01 mode. When the voltage applied to the printed wiring 203b is changed, the carrier inside the Gunn diode is changed according to the change, so that the oscillation frequency is changed. If the applied voltage is changed according to a desired signal, the oscillation frequency of the Gunn diode is FM-modulated.
FM oscillation centered on Hz. Since the resonator 300 and the dielectric strip 103 are field-coupled, this FM oscillation signal flows in the dielectric strip 103 in the LSM01 mode.
【0013】図11および図12は、従来の他のガンダ
イオード発振器の構成を示す斜視図である。特に、図1
1は実装状態を示しており、図12は分解した状態を示
している。なお、図9および図10のガンダイオード発
振器と対応する部分には、同一の参照を付して、説明を
省略する。図11および図12のガンダイオード発振器
においては、ビームリード形のバラクタダイオード20
5でFM変調している点と、ダイオードマウント201
の上部と下部を収容するための矩形状の溝G1,G2を
導体板101,102に形成し、ガンダイオード発振ブ
ロック200を位決めするようにした点とが、図9およ
び図10のガンダイオード発振器と異なっている。11 and 12 are perspective views showing the structure of another conventional Gunn diode oscillator. In particular,
1 shows a mounted state, and FIG. 12 shows a disassembled state. The parts corresponding to those of the Gunn diode oscillators of FIGS. 9 and 10 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the Gunn diode oscillator of FIGS. 11 and 12, a beam lead type varactor diode 20 is used.
5 and the point where the FM modulation is performed and the diode mount 201
9 and FIG. 10, the rectangular grooves G1 and G2 for accommodating the upper part and the lower part are formed in the conductor plates 101 and 102 to position the Gunn diode oscillation block 200. It is different from the oscillator.
【0014】バイアス基板206は、誘電体基板206
aと、誘電体基板206a上に形成され、ローパスフィ
ルタとして動作する2つのプリント配線206b,20
6cと、リード線部206dと、金属パターン206e
とを含む。バイアス基板206のほぼ中央には、ガンダ
イオード202の端子202aを露出させるための貫通
孔206fが形成されている。このようなバイアス基板
206は、ダイオードマウント201の一側面に接着剤
等により実装されている。リード線部203cと金属パ
ターン206eとの間には、金箔206gが横架され
る。金箔206gは、リード線部203cと、金属パタ
ーン206eと、ガンダイオードの端子202aとにそ
れぞれ熱圧着されることにより、これら相互を電気的に
接続する。また、金属パターン206eとプリント配線
206cとの間には、バラクタダイオード205が横架
される。バラクタダイオード205の2つのリード端子
は、金属パターン206eとプリント配線206cとに
熱圧着されることにより、これらに電気的に接続してい
る。The bias substrate 206 is a dielectric substrate 206.
a and two printed wirings 206b, 20 formed on the dielectric substrate 206a and operating as a low-pass filter.
6c, the lead wire portion 206d, and the metal pattern 206e
And A through hole 206f for exposing the terminal 202a of the Gunn diode 202 is formed in substantially the center of the bias substrate 206. Such a bias substrate 206 is mounted on one side surface of the diode mount 201 with an adhesive or the like. A gold foil 206g is horizontally provided between the lead wire portion 203c and the metal pattern 206e. The gold foil 206g is thermocompression-bonded to the lead wire portion 203c, the metal pattern 206e, and the terminal 202a of the Gunn diode, thereby electrically connecting them. Further, a varactor diode 205 is horizontally provided between the metal pattern 206e and the printed wiring 206c. The two lead terminals of the varactor diode 205 are electrically connected to the metal pattern 206e and the printed wiring 206c by thermocompression bonding.
【0015】このようなガンダイオード発振器は、導体
板102上に誘電体ストリップ103および共振器30
0を位置決め配置するとともに、ガンダイオード発振ブ
ロック200を溝G2に装着し、導体板101,102
で誘電体ストリップ103、ガンダイオード発振ブロッ
ク200および共振器300を挟持することにより形成
されている。Such a Gunn diode oscillator includes a dielectric strip 103 and a resonator 30 on a conductor plate 102.
0 is positioned and arranged, the Gunn diode oscillation block 200 is mounted in the groove G2, and the conductor plates 101, 102
It is formed by sandwiching the dielectric strip 103, the Gunn diode oscillation block 200, and the resonator 300.
【0016】プリント配線206bに所定の一定のバイ
アス電圧、206cに所望の信号電圧を印加した場合、
ガンダイオード202の発振周波数は、バラクタダイオ
ード205の容量変化によりFM変調される。発振信号
は共振器300へ伝わり、共振器300と誘電体ストリ
ップ103とが電界結合しているため、誘電体ストリッ
プ103にこのFM発振信号がLSM01モードで流れ
る。When a predetermined constant bias voltage is applied to the printed wiring 206b and a desired signal voltage is applied to 206c,
The oscillation frequency of the Gunn diode 202 is FM-modulated by the capacitance change of the varactor diode 205. The oscillation signal is transmitted to the resonator 300, and the resonator 300 and the dielectric strip 103 are electric-field coupled to each other. Therefore, the FM oscillation signal flows in the dielectric strip 103 in the LSM01 mode.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9〜
図12のガンダイオード発振器では、共振器300をガ
ンダイオード発振ブロック200および誘電体ストリッ
プ103と別個に位置決め配置し、導体板101,10
2で挟んで固定するようにしている。このため、共振器
300の加工精度管理およびガンダイオード202に対
する位置決めが難しい。なぜならば、共振器300の加
工精度が悪いと、共振器300が振動や自重で位置ずれ
が発生し、位置決めが正確でないと誘電体ストリップ1
03への伝搬特性が変化するからである。したがって、
図9〜図12のガンダイオード発振器では、作業性が悪
く、加工精度管理が必要なため、量産性に向かないとい
う第1の問題点があった。However, as shown in FIG.
In the Gunn diode oscillator of FIG. 12, the resonator 300 is positioned and arranged separately from the Gunn diode oscillation block 200 and the dielectric strip 103, and the conductor plates 101 and 10 are arranged.
It is sandwiched between two and fixed. For this reason, it is difficult to control the processing accuracy of the resonator 300 and position it with respect to the Gunn diode 202. This is because if the processing accuracy of the resonator 300 is poor, the resonator 300 will be displaced due to vibration or its own weight, and if the positioning is not accurate, the dielectric strip 1 will be displaced.
This is because the propagation characteristic to the signal 03 changes. Therefore,
The Gunn diode oscillators shown in FIGS. 9 to 12 have the first problem that they are not suitable for mass production because they have poor workability and require management of processing accuracy.
【0018】また、共振器300は、誘電体基板301
とプリント配線302とで構成されているので、誘電体
基板301で誘電体損が発生し、パワーロスが大きいと
いう第2の問題点があった。The resonator 300 has a dielectric substrate 301.
Therefore, there is a second problem that dielectric loss occurs in the dielectric substrate 301 and power loss is large.
【0019】また、図9,図10のガンダイオード発振
器では、ガンダイオード発振ブロック200を導体板1
01,102で挟んで固定し、図11,図12のガンダ
イオード発振器では、溝G1,G2に挿入してガンダイ
オード発振ブロック200を固定するようにしている。
このため、図9〜図12のガンダイオード発振器では、
ガンダイオード発振ブロック200の加工精度管理が難
しい。また、図9,図10のガンダイオード発振器で
は、共振器300に対する位置決めが難しい。したがっ
て、この場合においても量産性に向かないという第1の
問題点があった。In the Gunn diode oscillator of FIGS. 9 and 10, the Gunn diode oscillation block 200 is used as the conductor plate 1.
It is sandwiched between 01 and 102 and fixed. In the Gunn diode oscillator of FIGS. 11 and 12, the Gunn diode oscillation block 200 is fixed by being inserted into the grooves G1 and G2.
Therefore, in the Gunn diode oscillators of FIGS. 9 to 12,
It is difficult to control the processing accuracy of the Gunn diode oscillation block 200. Further, in the Gunn diode oscillators of FIGS. 9 and 10, it is difficult to position the resonator 300 with respect to the resonator 300. Therefore, even in this case, there is a first problem that it is not suitable for mass production.
【0020】それゆえに、本発明は、量産性を向上した
非放射性誘電体線路を用いたガンダイオード発振器を提
供することを第1の目的とする。Therefore, it is a first object of the present invention to provide a Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line improved in mass productivity.
【0021】また、パワーロスを少なくした非放射性誘
電体線路を用いたガンダイオード発振器を提供すること
を第2の目的とする。A second object is to provide a Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line with reduced power loss.
【0022】[0022]
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
非放射性誘電体線路の一対の導体板間にガンダイオード
ブロックと、共振器とを内装し、当該ガンダイオードブ
ロックの一側面に実装されたガンダイオードの発振信号
を当該共振器を介して非放射性誘電体線路に伝搬させる
ようにしたガンダイオード発振器であって、共振器は、
金属製材料のみで形成されており、発振信号の発振周波
数を所定の値にするための発振周波数制御部と、当該発
振周波数制御部に連通し、ガンダイオードの端子に接続
される接続部とを備える。The invention according to claim 1 is
A Gunn diode block and a resonator are provided between a pair of conductor plates of the non-radiative dielectric line, and the oscillation signal of the Gunn diode mounted on one side surface of the Gunn diode block is passed through the non-radiative dielectric line through the resonator. A Gunn diode oscillator adapted to propagate to a body line, wherein the resonator is
An oscillation frequency control unit for forming the oscillation frequency of the oscillation signal to a predetermined value, which is formed only of a metal material, and a connection unit communicating with the oscillation frequency control unit and connected to the terminal of the Gunn diode. Prepare
【0023】請求項2に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、ガンダイオードブロックの一側面には、ガンダ
イオードの端子にバイアス電圧を給電するためのバイア
ス基板が実装されており、共振器は、接続部に連通し、
ガンダイオードの端子と、バイアス基板とを電気的に接
続するリード線部をさらに備える。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, a bias substrate for supplying a bias voltage to a terminal of the Gunn diode is mounted on one side surface of the Gunn diode block, and the resonator is , Communicating with the connection,
A lead wire portion for electrically connecting the terminal of the Gunn diode and the bias substrate is further provided.
【0024】請求項3に係る発明は、請求項1または2
の発明において、共振器は、一平面的に形成され、ガン
ダイオードブロックの一側面と平行に配設されることを
特徴とする。The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
In the invention, the resonator is formed in one plane and is arranged in parallel with one side surface of the Gunn diode block.
【0025】請求項4に係る発明は、非放射性誘電体線
路の一対の導体板間にガンダイオードブロックと、共振
器とを内装し、当該ガンダイオードブロックの一側面に
実装されたガンダイオードの発振信号を当該共振器を介
して非放射性誘電体線路に伝搬させるようにしたガンダ
イオード発振器であって、ガンダイオードブロックを各
導体板のいずれか一方の予め定められた所定の位置にネ
ジ止め固定するネジ止め固定手段を備える。According to a fourth aspect of the present invention, a Gunn diode block and a resonator are provided between a pair of conductor plates of a non-radiative dielectric line, and a Gunn diode mounted on one side of the Gunn diode block oscillates. A Gunn diode oscillator in which a signal is propagated to a non-radiative dielectric line through the resonator, wherein a Gunn diode block is screwed and fixed at a predetermined position on one of the conductor plates. A screw fixing means is provided.
【0026】請求項5に係る発明は、請求項4の発明に
おいて、ガンダイオードブロックの片方にλg/4毎に
凹溝があり、ネジで当接する面を平面状に形成したこと
を特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the invention of the fourth aspect, one side of the Gunn diode block has a concave groove for each λg / 4, and the surface contacting with the screw is formed in a flat shape. .
【0027】[0027]
【作用】請求項1に係る発明においては、共振器を金属
製材料のみで形成し、発振周波数制御部と、当該発振周
波数制御部に連通し、ガンダイオードの端子に接続され
る接続部とを備えるようにしている。このため、従来の
ような誘電体基板が不要になる。したがって、パワーロ
スが少なくなる。また、位置決めが容易になり、加工精
度が粗くてすむ。したがって、作業性が向上し、加工精
度管理が不要なため、量産性が向上する。In the invention according to claim 1, the resonator is formed only of a metallic material, and the oscillation frequency control section and the connection section which is connected to the oscillation frequency control section and which is connected to the terminal of the Gunn diode are provided. I am preparing. Therefore, the conventional dielectric substrate becomes unnecessary. Therefore, power loss is reduced. In addition, the positioning becomes easy, and the processing accuracy is rough. Therefore, the workability is improved, and the management of the processing accuracy is unnecessary, so that the mass productivity is improved.
【0028】請求項2に係る発明においては、ガンダイ
オードブロックの一側面には、ガンダイオードの端子に
バイアス電圧を給電するためのバイアス基板が実装され
ており、共振器は、接続部に連通し、ガンダイオードの
端子と、バイアス基板とを電気的に接続するリード線部
をさらに備えるようにしている。このため、バイアス基
板との接続も簡単にできるので、従来の基板切削加工が
不要になり、バイアス基板の構成が簡単になる。In the invention according to claim 2, a bias substrate for supplying a bias voltage to the terminals of the Gunn diode is mounted on one side surface of the Gunn diode block, and the resonator communicates with the connecting portion. A lead wire portion for electrically connecting the terminal of the Gunn diode and the bias substrate is further provided. For this reason, since the connection with the bias substrate can be easily performed, the conventional substrate cutting process is unnecessary, and the configuration of the bias substrate is simplified.
【0029】請求項3に係る発明においては、共振器を
一平面的に形成し、共振器をガンダイオードブロックの
一側面と平行に配設するようにしている。このため、共
振器の作成が容易になり、ガンダイオードの端子への接
続が容易になる。In the invention according to claim 3, the resonator is formed in one plane, and the resonator is arranged parallel to one side surface of the Gunn diode block. Therefore, the resonator can be easily manufactured, and the connection to the terminal of the Gunn diode is facilitated.
【0030】請求項4に係る発明においては、ガンダイ
オードブロックを各導体板のいずれか一方の予め定めら
れた所定の位置にネジ止め固定するようにしている。こ
のため、位置決めが容易になり、量産性が向上する。In the invention according to claim 4, the Gunn diode block is screwed and fixed to one of the conductor plates at a predetermined position. Therefore, positioning becomes easy and mass productivity is improved.
【0031】請求項5に係る発明においては、ガンダイ
オードブロックの片方にλg/4毎に凹溝があり、ネジ
で当接する面を平面状に形成している。このため、各導
体板のいずれか一方とガンダイオード発振ブロックとの
熱伝導が向上し、ガンダイオードの信頼性が向上する。
また、溝加工をする必要がなくなるので、加工が容易に
でき、加工費が減少する。In the invention according to claim 5, one side of the Gunn diode block has a concave groove for each λg / 4, and the surface abutting with the screw is formed in a flat shape. Therefore, the heat conduction between any one of the conductor plates and the Gunn diode oscillation block is improved, and the reliability of the Gunn diode is improved.
Further, since it is not necessary to perform groove processing, the processing can be facilitated and the processing cost can be reduced.
【0032】[0032]
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明の実施例を説
明する。図1〜図3は、本発明の一実施例のガンダイオ
ード発振器の構成を示す図である。特に、図1は実装状
態を示しており、図2は図1のA方向から見た実装状態
を示しており、図3は分解した状態を示している。図1
〜図3において、ガンダイオード発振器は、大略的に非
放射性誘電体線路部1と、ガンダイオード発振ブロック
2と、共振器3とを備えている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are diagrams showing a configuration of a Gunn diode oscillator according to an embodiment of the present invention. In particular, FIG. 1 shows the mounted state, FIG. 2 shows the mounted state seen from the direction A in FIG. 1, and FIG. 3 shows the disassembled state. FIG.
In FIG. 3, the Gunn diode oscillator is roughly provided with a non-radiative dielectric line section 1, a Gunn diode oscillation block 2, and a resonator 3.
【0033】非放射性誘電体線路部1は、上下の導体板
11,12と、誘電体ストリップ13とを含む。導体板
11,12は、アルミニュウム等の金属製材料で、使用
するミリ波帯の信号(例えば、60GHz)の半波長よ
りも小さな所定の間隔(例えば、2.5mm)に平行に
配置される。このために、導体板12には、所定の高さ
のフレーム12a(図1参照)が形成されている。誘電
体ストリップ13は、テフロン等の誘電体材料(比誘電
率εr=2)で、幅a(例えば、2.25mm)、高さ
h(例えば、2.5mm)に形成されている。なお、導
体板12には、バイアス電圧を入力するための貫通端子
12b(図1参照)が固着されている。また、導体板1
2には、ガンダイオード発振ブロック2を位置決めする
位置にネジ溝12c(図3参照)が形成されている。ま
た、導体板11,12には、誘電体ストリップ13を位
置決め固定するために、溝(図示せず)が形成されてい
る。The non-radiative dielectric line portion 1 includes upper and lower conductor plates 11 and 12 and a dielectric strip 13. The conductor plates 11 and 12 are made of a metal material such as aluminum and are arranged in parallel at a predetermined interval (for example, 2.5 mm) smaller than a half wavelength of a millimeter wave band signal (for example, 60 GHz) to be used. For this reason, the conductor plate 12 is formed with a frame 12a (see FIG. 1) having a predetermined height. The dielectric strip 13 is made of a dielectric material (relative permittivity εr = 2) such as Teflon and has a width a (for example, 2.25 mm) and a height h (for example, 2.5 mm). A through terminal 12b (see FIG. 1) for inputting a bias voltage is fixed to the conductor plate 12. Also, the conductor plate 1
2 has a thread groove 12c (see FIG. 3) formed at a position for positioning the Gunn diode oscillation block 2. In addition, grooves (not shown) are formed in the conductor plates 11 and 12 for positioning and fixing the dielectric strip 13.
【0034】図4は、図1のガンダイオード発振ブロッ
ク2および共振器3の構成を示す図である。特に図4
(a)は上面を示し、図4(b)は側面を示している。
ガンダイオード発振ブロック2は、ダイオードマウント
21と、ダイオードマウント21の一側面に実装された
ガンダイオード22と、ダイオードマウント21の一側
面に実装されたマイクロストリプ線路形式のバイアス基
板23とを含む。ダイオードマウント21は、金属製材
料(例えば、銅地金に金メッキ)で略四角柱状(例え
ば、幅3.75mm、高さ2.27mm、長さ7.5m
m)に形成されており、導体板11,12を介して接地
される。ガンダイオード22は、ダイオードマウント2
1へダイオードチップからダイボンドされ、これを円筒
セラミックでおおい、チップ電極とワイヤー接続された
上部を金属蓋で密封されることにより実装されている。
ガンダイオード22の一端は、ダイオードマウント21
に電気的に接続されている。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the Gunn diode oscillation block 2 and the resonator 3 of FIG. Especially Figure 4
FIG. 4A shows the upper surface and FIG. 4B shows the side surface.
The Gunn diode oscillation block 2 includes a diode mount 21, a Gunn diode 22 mounted on one side of the diode mount 21, and a microstrip line type bias substrate 23 mounted on one side of the diode mount 21. The diode mount 21 is made of a metal material (eg, copper metal plated with gold) and has a substantially rectangular columnar shape (eg, width 3.75 mm, height 2.27 mm, length 7.5 m).
m) and is grounded via the conductor plates 11 and 12. Gun diode 22 is a diode mount 2
1 is die-bonded from a diode chip, covered with a cylindrical ceramic, and mounted by sealing an upper part, which is wire-connected to the chip electrode, with a metal lid.
One end of the gun diode 22 has a diode mount 21.
Is electrically connected to
【0035】なお、ダイオードマウント21は、ガンダ
イオード22のヒートシンクの役割を果たしている。ま
た、ダイオードマウント21の下面は、平面上に形成さ
れている。また、ダイオードマウント21の上面には、
ガンダイオード22の発振信号がダイオードマウント2
1と導体板11との間の隙間に流れないように漏洩信号
をトラップし、ガンダイオード22の発振信号を誘電体
ストリップ13側に多く流すため、溝21aが形成され
ている。また、ダイオードマウント21には、鍋ネジ2
1bを嵌挿するネジ孔21cが形成されている。The diode mount 21 serves as a heat sink for the Gunn diode 22. Further, the lower surface of the diode mount 21 is formed on a flat surface. In addition, on the upper surface of the diode mount 21,
The oscillation signal of the Gunn diode 22 is the diode mount 2
A groove 21a is formed in order to trap a leak signal so that the leak signal does not flow in the gap between the conductor plate 11 and the conductor plate 11 and to flow a large amount of the oscillation signal of the Gunn diode 22 toward the dielectric strip 13 side. Also, the diode mount 21 has a pan screw 2
A screw hole 21c into which 1b is inserted is formed.
【0036】バイアス基板23は、ガンダイオード22
の端子22aにバイアス電圧を給電するとともに、ガン
ダイオード22の発振信号をトラップし、発振信号がバ
イアス電圧供給側に流れるのを阻止するためのものであ
る。このため、バイアス基板23は、誘電体基板23a
と、誘電体基板23a上に形成されたプリント配線23
bとを含む。The bias substrate 23 is a Gunn diode 22.
This is for supplying a bias voltage to the terminal 22a of FIG. 1 and trapping the oscillation signal of the Gunn diode 22 to prevent the oscillation signal from flowing to the bias voltage supply side. Therefore, the bias substrate 23 is the dielectric substrate 23a.
And the printed wiring 23 formed on the dielectric substrate 23a
b and are included.
【0037】プリント配線23bは、その線路幅の広狭
により等価的にコンデンサとインダクタンスとを形成
し、ローパスフィルタとして動作する。このようなバイ
アス基板23は、ダイオードマウント21の一側面に接
着剤等により実装される。なお、プリント配線23bの
一端部は、リード線12d(図1参照)で貫通端子12
bに電気的に接続されている。The printed wiring 23b equivalently forms a capacitor and an inductance depending on the width of the line, and operates as a low-pass filter. Such a bias substrate 23 is mounted on one side surface of the diode mount 21 with an adhesive or the like. The lead wire 12d (see FIG. 1) is used to connect the through terminal 12 to one end of the printed wiring 23b.
It is electrically connected to b.
【0038】共振器3は、ガンダイオード22の発振信
号を誘電体ストリップ13に導くためのものである。こ
の共振器3は、金属製材料(例えば、銅)のみで形成さ
れており、その線路の幅と長さとによりガンダイオード
22の発振周波数を所望の周波数(例えば、60GH
z)にするための発振周波数制御部31と、発振周波数
制御部31に連通し、ガンダイオード端子22aにハン
ダ付けされるハンダ付け部32(図4参照)と、ハンダ
付け部32に連通し、ガンダイオード端子22aとプリ
ント配線23bとを電気的に接続するリード線部33と
を含み、L字状に屈曲されている。The resonator 3 guides the oscillation signal of the Gunn diode 22 to the dielectric strip 13. The resonator 3 is formed only of a metallic material (for example, copper), and the oscillation frequency of the Gunn diode 22 is set to a desired frequency (for example, 60 GH) depending on the width and length of the line.
z), an oscillation frequency control section 31, a communication section that communicates with the oscillation frequency control section 31, and a soldering section 32 (see FIG. 4) that is soldered to the Gunn diode terminal 22a, and a soldering section 32. It includes a lead wire portion 33 that electrically connects the Gunn diode terminal 22a and the printed wiring 23b, and is bent in an L shape.
【0039】なお、図9,図10のガンダイオード発振
器では、誘電体基板の一部を削除加工することによりリ
ード線部を形成していたが、共振器3のリード線部33
によりこのような切削加工が不要になり、バイアス基板
23の加工が容易になる。In the Gunn diode oscillators of FIGS. 9 and 10, the lead wire portion is formed by removing a part of the dielectric substrate, but the lead wire portion 33 of the resonator 3 is formed.
This eliminates the need for such cutting work, and facilitates the processing of the bias substrate 23.
【0040】このようなガンダイオード発振器は、導体
板12上に誘電体ストリップ13、共振器3を配置した
ガンダイオード発振ブロック2を鍋ネジ21bで固定
し、導体板11で導体板12上に蓋をすることにより形
成されている。In such a Gunn diode oscillator, the Gunn diode oscillation block 2 in which the dielectric strip 13 and the resonator 3 are arranged on the conductor plate 12 is fixed by a pan screw 21b, and the conductor plate 11 covers the conductor plate 12. It is formed by
【0041】貫通端子12bに所定の一定のバイアス電
圧を印加した場合、ガンダイオード22は、60GHz
で発振する。これにより、共振器3と誘電体ストリップ
13とが電界結合しているため、誘電体ストリップ13
にこの発振信号がLSM01モードで流れる。貫通端子
12bに印加する電圧を変動させた場合、ガンダイオー
ド内部のキャリアがその変動に応じて変化するため、発
振周波数が変化する。印加電圧を所望の信号に応じて変
化させれば、ガンダイオードの発振周波数は、FM変調
される。これにより、共振器3と誘電体ストリップ13
とが電界結合しているため、誘電体ストリップ13にこ
のFM発振信号がLSM01モードで流れる。When a predetermined constant bias voltage is applied to the through terminal 12b, the Gunn diode 22 operates at 60 GHz.
Oscillates at As a result, the resonator 3 and the dielectric strip 13 are electric-field coupled to each other, so that the dielectric strip 13 is
This oscillation signal flows in the LSM01 mode. When the voltage applied to the through terminal 12b is changed, the carrier inside the Gunn diode is changed according to the change, so that the oscillation frequency is changed. If the applied voltage is changed according to a desired signal, the oscillation frequency of the Gunn diode is FM-modulated. As a result, the resonator 3 and the dielectric strip 13 are
Since and are field-coupled, this FM oscillation signal flows in the dielectric strip 13 in the LSM01 mode.
【0042】以上のように、図1〜図4のガンダイオー
ド発振器では、共振器3は、金属製材料のみで形成され
ている。このため、共振器3に従来のような誘電体基板
が不要になり、誘電損失がなくなるため、出力ロスが発
生しない。また、共振器3をガンダイオード22に直接
ハンダ付けでき、固定が簡単になる。また、共振器3を
導体板12上に位置決めする必要がなくなる。また、共
振器3を導体板11,12で挟み込み固定する必要がな
くなるので、共振器3に要求されていた組立加工精度要
求がなくなる。また、誘電体基板がないので、共振器3
を軽量化できる。これらにより、作業しやすくなり、量
産性が向上し、安価になる。As described above, in the Gunn diode oscillator of FIGS. 1 to 4, the resonator 3 is made of only a metallic material. Therefore, the resonator 3 does not require a conventional dielectric substrate, and the dielectric loss is eliminated, so that the output loss does not occur. Further, the resonator 3 can be directly soldered to the Gunn diode 22, and the fixing becomes easy. Further, it is not necessary to position the resonator 3 on the conductor plate 12. Further, since it is not necessary to fix the resonator 3 by sandwiching it between the conductor plates 11 and 12, the assembly processing precision requirement required for the resonator 3 is eliminated. In addition, since there is no dielectric substrate, the resonator 3
Can be made lighter. These facilitate work, improve mass productivity, and reduce costs.
【0043】また、共振器3は、ガンダイオード端子2
2aと、バイアス基板23とを電気的に接続するリード
線部33をさらに備えるようにしている。このため、バ
イアス基板23との接続も簡単にできるので、従来の基
板切削加工が不要になり、バイアス基板23の構成が簡
単・安価になる。The resonator 3 has a Gunn diode terminal 2
2a and the bias substrate 23 are electrically connected to each other by a lead wire portion 33. For this reason, since the connection with the bias substrate 23 can be easily performed, the conventional substrate cutting process is unnecessary, and the configuration of the bias substrate 23 becomes simple and inexpensive.
【0044】また、ガンダイオードブロック2を導体板
12の予め定められた所定の位置にネジ止め固定するよ
うにしている。このため、組立途中、上側の導体板11
を開けた状態で位置決め固定ができる。また、ネジ孔2
1cの径を少し大きめにすることで、ガンダイオード発
振ブロック2の位置を微調整でき、共振器3先端と誘電
体ストリップ13間のギャップを調整でき、出力パワー
調整ができる。また、ガンダイオード発振ブロック2の
位置決めが容易になり、従来の組立加工精度が粗くてす
む。したがって、作業性が向上し、加工精度管理が不要
なため、量産性が向上する。Further, the Gunn diode block 2 is screwed and fixed to the conductor plate 12 at a predetermined position. Therefore, during assembly, the upper conductor plate 11
Positioning and fixing can be done with the open. Also, screw holes 2
By slightly increasing the diameter of 1c, the position of the Gunn diode oscillation block 2 can be finely adjusted, the gap between the tip of the resonator 3 and the dielectric strip 13 can be adjusted, and the output power can be adjusted. Further, the Gundiode oscillation block 2 can be easily positioned, and the conventional assembling accuracy is low. Therefore, the workability is improved, and the management of the processing accuracy is unnecessary, so that the mass productivity is improved.
【0045】また、ガンダイオード発振ブロック2の下
面を平面状に形成している。このため、ガンダイオード
発振ブロック2と導体板12との密着性が向上し、導体
板12とガンダイオード発振ブロック2との熱伝導が向
上するため、ガンダイオード22の信頼性が向上する。
また、ガンダイオード発振ブロック2と導体板12とが
密着するため、ガンダイオード発振ブロック2の下面に
溝加工をする必要がなくなるので、ガンダイオード発振
ブロック2の加工が容易にでき、加工費が減少する。The lower surface of the Gunn diode oscillation block 2 is formed in a flat shape. Therefore, the adhesion between the Gunn diode oscillation block 2 and the conductor plate 12 is improved, and the heat conduction between the conductor plate 12 and the Gunn diode oscillation block 2 is improved, so that the reliability of the Gunn diode 22 is improved.
Further, since the Gunn diode oscillation block 2 and the conductor plate 12 are in close contact with each other, it is not necessary to form a groove on the lower surface of the Gunn diode oscillation block 2, so that the Gunn diode oscillation block 2 can be easily processed and the processing cost is reduced. To do.
【0046】図5〜図7は、本発明の他の実施例のガン
ダイオード発振器の構成を示す図である。特に、図5は
実装状態を示しており、図6は図5のA方向から見た実
装状態を示しており、図6は分解した状態を示してい
る。また、図8は、図5のガンダイオード発振ブロック
2および共振器3の構成を示す図である。特に図8
(a)は上面を示し、図8(b)は側面を示している。
なお、図1〜図4の実施例と対応する部分には、同一の
番号を付し、説明を省略する。5 to 7 are views showing the structure of the Gunn diode oscillator of another embodiment of the present invention. In particular, FIG. 5 shows the mounted state, FIG. 6 shows the mounted state seen from the direction A in FIG. 5, and FIG. 6 shows the disassembled state. 8 is a diagram showing the configurations of the Gunn diode oscillation block 2 and the resonator 3 of FIG. Especially Figure 8
8A shows the upper surface, and FIG. 8B shows the side surface.
The parts corresponding to those in the embodiments of FIGS. 1 to 4 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0047】図5〜図8のガンダイオード発振器で注目
すべきは、共振器3を一平面的に形成し、共振器3をガ
ンダイオードブロック2の一側面と平行に配設するよう
にしたことである。これにより、L字状に屈曲するより
も一平面上の共振器3の作成がさらに容易になり、ガン
ダイオードの端子22aへのハンダ付けがさらに容易に
なる。It should be noted that in the Gunn diode oscillator shown in FIGS. 5 to 8, the resonator 3 is formed in one plane, and the resonator 3 is arranged in parallel with one side surface of the Gunn diode block 2. Is. This makes it easier to form the resonator 3 on one plane than to bend it in an L shape, and it becomes easier to solder the Gunn diode to the terminal 22a.
【0048】なお、導体板11,12に溝を形成し、誘
電体ストリップ13をこの溝に位置決め固定するように
したが、この溝に代えて、接着剤で誘電体ストリップ1
3を位置決め固定するようにしてもよく、導体板11,
12で挟み込んで固定するようにしてもよい。Although the grooves are formed in the conductor plates 11 and 12 and the dielectric strip 13 is positioned and fixed in the groove, the dielectric strip 1 is replaced with an adhesive instead of the groove.
3 may be positioned and fixed, and the conductor plate 11,
It may be sandwiched between 12 and fixed.
【0049】[0049]
【発明の効果】請求項1の発明によれば、共振器を金属
製材料のみで形成し、発振周波数制御部と、当該発振周
波数制御部に連通し、ガンダイオードのガンダイオード
の端子に接続される接続部とを備えるようにしているの
で、従来のような誘電体基板が不要になり、パワーロス
が少なくなる。また、位置決めが容易になり、作業性が
向上し、量産性が向上する。According to the first aspect of the present invention, the resonator is formed of only a metallic material, communicates with the oscillation frequency control section and the oscillation frequency control section, and is connected to the terminal of the Gunn diode of the Gunn diode. Therefore, the conventional dielectric substrate is not necessary and the power loss is reduced. In addition, positioning is facilitated, workability is improved, and mass productivity is improved.
【0050】請求項2の発明によれば、ガンダイオード
ブロックの一側面には、ガンダイオードの端子にバイア
ス電圧を給電するためのバイアス基板が実装されてお
り、共振器は、接続部に連通し、ガンダイオードの端子
と、バイアス基板とを電気的に接続するリード線部をさ
らに備えるようにしているので、バイアス基板との接続
も簡単にでき、従来の基板切削加工が不要になり、バイ
アス基板の構成が簡単になる。According to the invention of claim 2, a bias substrate for supplying a bias voltage to the terminals of the Gunn diode is mounted on one side surface of the Gunn diode block, and the resonator communicates with the connecting portion. Since the lead wire portion for electrically connecting the Gunn diode terminal and the bias substrate is further provided, the connection with the bias substrate can be easily performed, and the conventional substrate cutting process is not required. Simplifies the configuration.
【0051】請求項3の発明によれば、共振器を一平面
的に形成し、共振器をガンダイオードブロックの一側面
と平行に配設するようにしているので、共振器の作成が
容易になり、ガンダイオードの端子への接続が容易にな
る。According to the third aspect of the present invention, the resonator is formed in one plane, and the resonator is arranged parallel to one side surface of the Gunn diode block. Therefore, the resonator can be easily manufactured. Therefore, the connection to the terminal of the Gunn diode becomes easy.
【0052】請求項4の発明によれば、ガンダイオード
ブロックを各導体板のいずれか一方の予め定められた所
定の位置にネジ止め固定するようにしているので、位置
決めが容易になり、量産性が向上する。According to the fourth aspect of the present invention, the Gunn diode block is screwed and fixed at a predetermined position on one of the conductor plates. Therefore, the positioning is facilitated and mass productivity is improved. Is improved.
【0053】請求項5に係る発明によれば、ガンダイオ
ードブロックの片方にλg/4毎に凹溝があり、ネジで
当接する面を平面状に形成しているので、各導体板のい
ずれか一方とガンダイオード発振ブロックとの熱伝導が
向上し、ガンダイオードの信頼性が向上する。また、片
方の溝加工をする必要がなくなるので、加工費が減少す
る。According to the fifth aspect of the present invention, since one side of the Gunn diode block has a concave groove for each λg / 4 and the surface abutting with the screw is formed in a flat shape, any one of the conductor plates is formed. The heat conduction between one side and the Gunn diode oscillation block is improved, and the reliability of the Gunn diode is improved. Moreover, since it is not necessary to machine one groove, the machining cost is reduced.
【図1】本発明の一実施例のガンダイオード発振器の実
装状態における構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a Gunn diode oscillator according to an embodiment of the present invention in a mounted state.
【図2】図1のA方向から見た実装状態を示す斜視図で
ある。FIG. 2 is a perspective view showing a mounting state viewed from the direction A in FIG.
【図3】図2を分解した状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state where FIG. 2 is disassembled.
【図4】図1のガンダイオード発振ブロック2および共
振器3の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing configurations of a Gunn diode oscillation block 2 and a resonator 3 of FIG.
【図5】本発明の他の実施例のガンダイオード発振器の
実装状態における構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a Gunn diode oscillator according to another embodiment of the present invention in a mounted state.
【図6】図5のA方向から見た実装状態を示す斜視図で
ある。6 is a perspective view showing a mounting state as seen from the direction A in FIG.
【図7】図6を分解した状態を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a state where FIG. 6 is disassembled.
【図8】図5のガンダイオード発振ブロック2および共
振器3の構成を示す図である。8 is a diagram showing a configuration of a Gunn diode oscillation block 2 and a resonator 3 of FIG.
【図9】従来のガンダイオード発振器の実装状態におけ
る構成を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a conventional Gunn diode oscillator in a mounted state.
【図10】図9を分解した状態における構成を示す斜視
図である。FIG. 10 is a perspective view showing a configuration in a state where FIG. 9 is disassembled.
【図11】他の従来のガンダイオード発振器の実装状態
における構成を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a configuration of another conventional Gunn diode oscillator in a mounted state.
【図12】図11を分解した状態における構成を示す斜
視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a configuration in a state where FIG. 11 is disassembled.
1…非放射性誘電体線路部 2…ガンダイオード発振ブロック 3…共振器 11,12…導体板 12c…ネジ溝 13…誘電体ストリップ 21…ダイオードマウント 21a…溝 21b…鍋ネジ 21c…ネジ孔 22…ガンダイオード 22a…端子 23…バイアス基板 31…発振周波数制御部 32…ハンダ付け部 33…リード線部 1 ... Non-radiative dielectric line section 2 ... Gunn diode oscillation block 3 ... Resonator 11, 12 ... Conductor plate 12c ... Screw groove 13 ... Dielectric strip 21 ... Diode mount 21a ... Groove 21b ... Pan screw 21c ... Screw hole 22 ... Gunn diode 22a ... Terminal 23 ... Bias substrate 31 ... Oscillation frequency controller 32 ... Soldering part 33 ... Lead wire part
Claims (5)
ガンダイオードブロックと、共振器とを内装し、当該ガ
ンダイオードブロックの一側面に実装されたガンダイオ
ードの発振信号を当該共振器を介して当該非放射性誘電
体線路の誘電体ストリップに伝搬させるようにしたガン
ダイオード発振器であって、 前記共振器は、 金属製材料のみで形成されており、 前記発振信号の発振周波数を所定の値にするための発振
周波数制御部と、 当該発振周波数制御部に連通し、前記ガンダイオードの
端子に接続される接続部とを備える、非放射性誘電体線
路を用いたガンダイオード発振器。1. A Gunn diode block and a resonator are provided between a pair of conductor plates of a non-radiative dielectric line, and an oscillation signal of a Gunn diode mounted on one side surface of the Gunn diode block is applied to the resonator. A Gunn diode oscillator adapted to propagate through the dielectric strip of the non-radiative dielectric line via the resonator, wherein the resonator is formed only of a metal material, and the oscillation frequency of the oscillation signal is a predetermined value. A Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line, comprising: an oscillation frequency control unit for controlling the oscillation frequency; and a connection unit communicating with the oscillation frequency control unit and connected to a terminal of the Gunn diode.
は、前記ガンダイオードの端子にバイアス電圧を給電す
るためのバイアス基板が実装されており、 前記共振器は、前記接続部に連通し、前記ガンダイオー
ドの端子と、前記バイアス基板とを電気的に接続するリ
ード線部をさらに備える、請求項1に記載の非放射性誘
電体線路を用いたガンダイオード発振器。2. A bias substrate for supplying a bias voltage to a terminal of the Gunn diode is mounted on one side surface of the Gunn diode block, and the resonator communicates with the connecting portion. The Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line according to claim 1, further comprising a lead wire portion electrically connecting a terminal of a diode and the bias substrate.
記ガンダイオードブロックの一側面と平行に配設される
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の非放射性
誘電体線路を用いたガンダイオード発振器。3. The non-radiative dielectric waveguide according to claim 1, wherein the resonator is formed in one plane and is arranged in parallel with one side surface of the Gunn diode block. Gunn diode oscillator.
ガンダイオードブロックと、共振器とを内装し、当該ガ
ンダイオードブロックの一側面に実装されたガンダイオ
ードの発振信号を当該共振器を介して非放射性誘電体線
路に伝搬させるようにしたガンダイオード発振器であっ
て、 前記ガンダイオードブロックを各前記導体板のいずれか
一方の予め定められた所定の位置にネジ止め固定するネ
ジ止め固定手段を備える、非放射性誘電体線路を用いた
ガンダイオード発振器。4. A Gunn diode block and a resonator are internally provided between a pair of conductor plates of a non-radiative dielectric line, and an oscillation signal of a Gunn diode mounted on one side surface of the Gunn diode block is supplied to the resonator. A Gunn diode oscillator adapted to propagate through a non-radiative dielectric line via a screwing fixing unit for screwing and fixing the Gunn diode block at a predetermined position on one of the conductor plates. And a Gunn diode oscillator using a non-radiative dielectric line.
体板のいずれか一方に当接する面を平面状に形成し、か
つ他方の面にλg/4毎に凹溝をつけたことを特徴とす
る、請求項4に記載の非放射性誘電体線路を用いたガン
ダイオード発振器。5. A surface of the Gunn diode block that comes into contact with one of the conductor plates is formed in a flat shape, and a groove is formed on the other surface at intervals of λg / 4. A Gunn diode oscillator using the non-radiative dielectric line according to claim 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7110680A JPH08307155A (en) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | Gun diode oscillator using non-radiative dielectric line |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7110680A JPH08307155A (en) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | Gun diode oscillator using non-radiative dielectric line |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08307155A true JPH08307155A (en) | 1996-11-22 |
Family
ID=14541737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7110680A Pending JPH08307155A (en) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | Gun diode oscillator using non-radiative dielectric line |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08307155A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002330028A (en) * | 2001-02-28 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gunn oscillator |
US6630870B1 (en) | 1999-08-24 | 2003-10-07 | Kyocera Corporation | High-frequency diode oscillator and millimeter-wave transmitting/receiving apparatus |
JP2004505580A (en) * | 2000-08-02 | 2004-02-19 | センシング テック コープ | Multi-space structural amplifier |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7110680A patent/JPH08307155A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6630870B1 (en) | 1999-08-24 | 2003-10-07 | Kyocera Corporation | High-frequency diode oscillator and millimeter-wave transmitting/receiving apparatus |
US6744402B2 (en) | 1999-08-24 | 2004-06-01 | Kyocera Corporation | High-frequency diode oscillator and millimeter-wave transmitting/receiving apparatus |
DE10040957B4 (en) * | 1999-08-24 | 2012-04-19 | Kyocera Corp. | High frequency diode oscillator and device for transmitting / receiving millimeter waves |
JP2004505580A (en) * | 2000-08-02 | 2004-02-19 | センシング テック コープ | Multi-space structural amplifier |
JP2002330028A (en) * | 2001-02-28 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gunn oscillator |
JP4667672B2 (en) * | 2001-02-28 | 2011-04-13 | パナソニック株式会社 | Gun oscillator |
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