JPH0829788A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0829788A JPH0829788A JP18874694A JP18874694A JPH0829788A JP H0829788 A JPH0829788 A JP H0829788A JP 18874694 A JP18874694 A JP 18874694A JP 18874694 A JP18874694 A JP 18874694A JP H0829788 A JPH0829788 A JP H0829788A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶駆動時の素子内での液晶分子の移動を抑
え、表示品位の高い強誘電性液晶表示素子を提供する。 【構成】 上下の各ガラス基板1a、1b上の配向制御
膜4a、4bに、同一方向の強いラビング処理と弱いラ
ビング処理とを交互に施すことにより、プレチルト角の
大きい領域と小さい領域とを交互に並べて設ける。しか
もその各領域のプレチルト角の大きさを、両基板間の強
誘電性液晶5の層の傾き角より大きく設定する。これに
より、各領域間に強い境界が生じて、液晶分子の移動が
抑制され、高い表示品位が得られる。
え、表示品位の高い強誘電性液晶表示素子を提供する。 【構成】 上下の各ガラス基板1a、1b上の配向制御
膜4a、4bに、同一方向の強いラビング処理と弱いラ
ビング処理とを交互に施すことにより、プレチルト角の
大きい領域と小さい領域とを交互に並べて設ける。しか
もその各領域のプレチルト角の大きさを、両基板間の強
誘電性液晶5の層の傾き角より大きく設定する。これに
より、各領域間に強い境界が生じて、液晶分子の移動が
抑制され、高い表示品位が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶を用いた
液晶表示素子に関する。
液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関
しては、特開昭61−94023号公報などに開示され
ているように、それぞれの内面に透明電極を設けるとと
もに配向処理を施した一対のガラス基板を、1μm〜3
μm程度のセルギャップを保って平行に対向させ、その
基板間に強誘電性液晶を注入して構成したものが知られ
ている。
しては、特開昭61−94023号公報などに開示され
ているように、それぞれの内面に透明電極を設けるとと
もに配向処理を施した一対のガラス基板を、1μm〜3
μm程度のセルギャップを保って平行に対向させ、その
基板間に強誘電性液晶を注入して構成したものが知られ
ている。
【0003】実際の構成としては、例えば図3(a)の
断面図、図3(b)の平面図に示すように、対向する2
枚のガラス基板1a、1bのそれぞれの内面に、ITO
を用いたストライプ状の透明電極2a、2bと、絶縁膜
3a、3bと、ラビング処理を施した配向制御膜4a、
4bとが、積層された状態で設けられ、そのガラス基板
1a、1b間に強誘電性液晶5が、シール部材6でシー
ルされた状態で配置されている。各基板1a、1bは、
それぞれのストライプ状の透明電極2a、2bの方向が
直角を成すように対向しており、いわゆる単純マトリク
ス基板となっている。その双方の透明電極2a、2bの
交点に相当する部分が、画素を構成することになる。
断面図、図3(b)の平面図に示すように、対向する2
枚のガラス基板1a、1bのそれぞれの内面に、ITO
を用いたストライプ状の透明電極2a、2bと、絶縁膜
3a、3bと、ラビング処理を施した配向制御膜4a、
4bとが、積層された状態で設けられ、そのガラス基板
1a、1b間に強誘電性液晶5が、シール部材6でシー
ルされた状態で配置されている。各基板1a、1bは、
それぞれのストライプ状の透明電極2a、2bの方向が
直角を成すように対向しており、いわゆる単純マトリク
ス基板となっている。その双方の透明電極2a、2bの
交点に相当する部分が、画素を構成することになる。
【0004】この種の液晶表示素子の特徴は、強誘電性
液晶が自発分極を持つため、その自発分極の結合力と外
部電界とによりスイッチングすることができ、しかも強
誘電性液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と1対
1に対応しているために、そのスイッチングを外部電界
の極性切り換えによって行うことができる点にある。
液晶が自発分極を持つため、その自発分極の結合力と外
部電界とによりスイッチングすることができ、しかも強
誘電性液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と1対
1に対応しているために、そのスイッチングを外部電界
の極性切り換えによって行うことができる点にある。
【0005】強誘電性液晶は、一般にカイラルスメクテ
ィック液晶(Sm*C)を用いるので、バルク状態で
は、液晶分子の長軸がねじれた配向を示すが、上述のよ
うに1μm〜3μm程度のギャップ内に入れることによ
り、その長軸のねじれを解消することができる(N.
A.CLARK et al ,MCLC,1983,Vol.9
4,P213〜234参照)。
ィック液晶(Sm*C)を用いるので、バルク状態で
は、液晶分子の長軸がねじれた配向を示すが、上述のよ
うに1μm〜3μm程度のギャップ内に入れることによ
り、その長軸のねじれを解消することができる(N.
A.CLARK et al ,MCLC,1983,Vol.9
4,P213〜234参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶分子は、
マトリックス駆動時の非選択信号によってもある程度揺
らぐことが知られている。このことは、非選択信号を印
加した画素の光学応答をとると、印加パルスと同期して
光量に変動が生じることからも明らかである。
マトリックス駆動時の非選択信号によってもある程度揺
らぐことが知られている。このことは、非選択信号を印
加した画素の光学応答をとると、印加パルスと同期して
光量に変動が生じることからも明らかである。
【0007】基板間で分子長軸の角度に大きくねじれの
ある配向、いわゆるスプレイ配向の液晶では、このよう
な分子の揺らぎは、それによって分子の安定位置が変化
(スイッチング)することがなければ表示内容が保持さ
れるので、若干のコントラストの低下以外には問題とな
らなかった。
ある配向、いわゆるスプレイ配向の液晶では、このよう
な分子の揺らぎは、それによって分子の安定位置が変化
(スイッチング)することがなければ表示内容が保持さ
れるので、若干のコントラストの低下以外には問題とな
らなかった。
【0008】ところが、基板間での分子長軸方向の角度
の変化の比較的少ない配向、いわゆるユニフォーム配向
の液晶においては、液晶分子が電圧(例えば、非選択信
号)の印加によって層内を移動する現象が見られる。こ
の液晶分子の移動現象について、以下に図4を用いて詳
しく説明する。
の変化の比較的少ない配向、いわゆるユニフォーム配向
の液晶においては、液晶分子が電圧(例えば、非選択信
号)の印加によって層内を移動する現象が見られる。こ
の液晶分子の移動現象について、以下に図4を用いて詳
しく説明する。
【0009】図4(a)は電圧印加前の液晶状態を示す
状態説明図、図4(b)は(a)の部分縦断面図、図4
(c)は(b)の部分拡大図、また図4(d)は電圧印
加後の液晶状態を示す状態説明図である。
状態説明図、図4(b)は(a)の部分縦断面図、図4
(c)は(b)の部分拡大図、また図4(d)は電圧印
加後の液晶状態を示す状態説明図である。
【0010】図のように、強誘電性液晶5は、上下のガ
ラス基板1a、1b間に、シール部材6でシールされた
状態で配置されている。また、基板1a、1b上の、ポ
リイミドを用いた配向制御膜(図示せず)のラビングの
方向は、図4(a)、(d)の下から上に向かう方向で
あり、上下の基板1a、1bで平行になっている。この
ようなラビング処理を施すと、図4(b)に示すよう
に、スメクティック層11はラビング方向と直交した方
向に生成される。
ラス基板1a、1b間に、シール部材6でシールされた
状態で配置されている。また、基板1a、1b上の、ポ
リイミドを用いた配向制御膜(図示せず)のラビングの
方向は、図4(a)、(d)の下から上に向かう方向で
あり、上下の基板1a、1bで平行になっている。この
ようなラビング処理を施すと、図4(b)に示すよう
に、スメクティック層11はラビング方向と直交した方
向に生成される。
【0011】強誘電性液晶分子12は、その膜厚を、ら
せんピッチを解除できる位に十分に薄くした場合には、
2つの安定状態を取り得るが、そのうちの1つの状態に
素子内の全液晶分子12の方向を揃えておく。この1つ
の安定状態を、図4(c)のように、層法線に対して+
θの傾斜位置とすると、層法線に対してほぼ対称の、−
θの傾斜位置に他の安定状態が存在する。
せんピッチを解除できる位に十分に薄くした場合には、
2つの安定状態を取り得るが、そのうちの1つの状態に
素子内の全液晶分子12の方向を揃えておく。この1つ
の安定状態を、図4(c)のように、層法線に対して+
θの傾斜位置とすると、層法線に対してほぼ対称の、−
θの傾斜位置に他の安定状態が存在する。
【0012】この+θの安定状態で、素子全面に電界
(例えば、10Hz、±8Vの矩形波)を印加すると、
液晶分子12は、+θの傾きを保ったまま、図4(a)
中の点A側(左端)から点B側(右端)へ層内を移動し
始める。そして、電圧印加を長時間続けると、図4
(d)に示すように、点A側には、液晶分子12のない
空隙部Eが生じ、点B側の素子厚が点A側より厚くな
る。
(例えば、10Hz、±8Vの矩形波)を印加すると、
液晶分子12は、+θの傾きを保ったまま、図4(a)
中の点A側(左端)から点B側(右端)へ層内を移動し
始める。そして、電圧印加を長時間続けると、図4
(d)に示すように、点A側には、液晶分子12のない
空隙部Eが生じ、点B側の素子厚が点A側より厚くな
る。
【0013】また、液晶分子12が−θの安定状態にあ
る場合には、その液晶分子12は、逆に点B側から点A
側へ向かって層内を移動し、液晶分子12のない空隙部
Eが点B側に生じる。
る場合には、その液晶分子12は、逆に点B側から点A
側へ向かって層内を移動し、液晶分子12のない空隙部
Eが点B側に生じる。
【0014】このような液晶分子移動現象は、20時間
〜50時間という比較的短い時間で現れ、生じた空隙部
Eに対しては、電気光学的にコントロールできない。従
って、表示品質上望ましくないのはもちろんのこと、点
A側と点B側との素子厚が、時間によって変化するため
に、液晶表示素子全体の駆動制御が難しくなり、強誘電
性液晶を用いた表示素子として、大きな問題となってい
た。
〜50時間という比較的短い時間で現れ、生じた空隙部
Eに対しては、電気光学的にコントロールできない。従
って、表示品質上望ましくないのはもちろんのこと、点
A側と点B側との素子厚が、時間によって変化するため
に、液晶表示素子全体の駆動制御が難しくなり、強誘電
性液晶を用いた表示素子として、大きな問題となってい
た。
【0015】このような問題に対し、特開平4−247
429号公報に開示されているように、ラビングの方向
が交互に逆方向になるような複数の領域を設定する手段
が知られているが、液晶分子の移動抑制および液晶表示
素子の表示品位の両点で十分に満足し得るものではな
い。そのほか、配向制御膜に複数のプレチルト角を持た
せた例(特開平3−6526)が、階調表示に関して知
られている。
429号公報に開示されているように、ラビングの方向
が交互に逆方向になるような複数の領域を設定する手段
が知られているが、液晶分子の移動抑制および液晶表示
素子の表示品位の両点で十分に満足し得るものではな
い。そのほか、配向制御膜に複数のプレチルト角を持た
せた例(特開平3−6526)が、階調表示に関して知
られている。
【0016】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたもので、液晶駆動時の素子内での液晶分子の移動を
抑え、表示品位の高い強誘電性液晶表示素子を提供する
ことを目的とする。
れたもので、液晶駆動時の素子内での液晶分子の移動を
抑え、表示品位の高い強誘電性液晶表示素子を提供する
ことを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る液晶表示素子では、各基板上の配向制
御膜に、プレチルト角の大きさの異なる複数の領域を設
け、かつその各領域のプレチルト角の大きさを、両基板
間の強誘電性液晶の層の傾き角より大きく設定した。
に、本発明に係る液晶表示素子では、各基板上の配向制
御膜に、プレチルト角の大きさの異なる複数の領域を設
け、かつその各領域のプレチルト角の大きさを、両基板
間の強誘電性液晶の層の傾き角より大きく設定した。
【0018】
【作用】本発明者らは、配向制御膜に、プレチルト角の
大きさの異なる複数の領域を設定した場合、その各領域
間に境界が生じ、しかもその境界は、両基板間の強誘電
性液晶のシェブロン構造に影響され、強誘電性液晶の層
の傾き角の差が、大きくなるとより強く生じることを見
い出した。つまり、プレチルト角の大きさの差が、境界
の強さに大きく影響していることを見い出した。
大きさの異なる複数の領域を設定した場合、その各領域
間に境界が生じ、しかもその境界は、両基板間の強誘電
性液晶のシェブロン構造に影響され、強誘電性液晶の層
の傾き角の差が、大きくなるとより強く生じることを見
い出した。つまり、プレチルト角の大きさの差が、境界
の強さに大きく影響していることを見い出した。
【0019】また、上記各領域間の境界は、液晶分子の
流れに対して抵抗となり、液晶分子の移動を抑制するこ
とがわかった。この時の各領域のプレチルト角の大きさ
の差は、4度以上が好ましく、これより小さい場合に
は、十分に境界が形成されず、液晶分子の移動を抑制す
る作用も小さかった。
流れに対して抵抗となり、液晶分子の移動を抑制するこ
とがわかった。この時の各領域のプレチルト角の大きさ
の差は、4度以上が好ましく、これより小さい場合に
は、十分に境界が形成されず、液晶分子の移動を抑制す
る作用も小さかった。
【0020】さらに、液晶分子の移動量は、プレチルト
角の大きさに依存しており、プレチルト角の大きい領域
と小さい領域とを交互に並べて設けることにより、液晶
分子の流れに強弱が生じ、これが流れに対する抵抗とな
る。特にプレチルト角の小さい領域が、大きい領域に対
して抵抗となることが見い出された。
角の大きさに依存しており、プレチルト角の大きい領域
と小さい領域とを交互に並べて設けることにより、液晶
分子の流れに強弱が生じ、これが流れに対する抵抗とな
る。特にプレチルト角の小さい領域が、大きい領域に対
して抵抗となることが見い出された。
【0021】そして、プレチルト角の大きさの差や、領
域の数を適宜に設定することにより、液晶分子の移動量
を制御し得ることがわかった。
域の数を適宜に設定することにより、液晶分子の移動量
を制御し得ることがわかった。
【0022】また、プレチルト角の大きさの異なる2つ
の領域の境界においては、液晶分子が連続的に立ち上が
っているために、大きな欠陥は生じず、表示品位に対し
て悪影響を与えないこともわかった。
の領域の境界においては、液晶分子が連続的に立ち上が
っているために、大きな欠陥は生じず、表示品位に対し
て悪影響を与えないこともわかった。
【0023】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。なお、実施例の図面において、図3に示した従来
例と同様の構成要素には同一の符号を用いた。 〈実施例1〉図1は、本発明に係る液晶表示素子の実施
例1を説明する平面図で、(a)は一方のガラス基板1
a上の配向制御膜4aに施されたラビング処理の状態、
(b)は他方のガラス基板1b上の配向制御膜4bに施
されたラビング処理の状態、(c)は両基板1a、1b
を互いに平行に対向させて液晶表示素子とした状態、を
それぞれ示している。
する。なお、実施例の図面において、図3に示した従来
例と同様の構成要素には同一の符号を用いた。 〈実施例1〉図1は、本発明に係る液晶表示素子の実施
例1を説明する平面図で、(a)は一方のガラス基板1
a上の配向制御膜4aに施されたラビング処理の状態、
(b)は他方のガラス基板1b上の配向制御膜4bに施
されたラビング処理の状態、(c)は両基板1a、1b
を互いに平行に対向させて液晶表示素子とした状態、を
それぞれ示している。
【0024】各基板1a、1bにはそれぞれ、ITOを
用いたストライプ状の透明電極2a、2bが、配向制御
膜4a、4bの下に設けられ、さらに両基板1a、1b
間には、強誘電性液晶5が、シール部材6でシールされ
た状態で配置されている。
用いたストライプ状の透明電極2a、2bが、配向制御
膜4a、4bの下に設けられ、さらに両基板1a、1b
間には、強誘電性液晶5が、シール部材6でシールされ
た状態で配置されている。
【0025】この液晶表示素子では、各基板1a、1b
上の配向制御膜4a、4bは、図のように、同一方向の
強いラビング処理と弱いラビング処理とが交互に施され
ることにより、プレチルト角の大きい領域と小さい領域
とが交互に並べられた状態で設けられ、全体として6つ
の領域に分けられている。しかも各領域のプレチルト角
の大きさは、強誘電性液晶5の層の傾き角より大きく設
定されている。そして両基板1a、1bは、それぞれの
配向制御膜4a、4bの、ラビング方向とプレチルト角
の大きさとが等しい領域どうしが対向するように配置さ
れている。
上の配向制御膜4a、4bは、図のように、同一方向の
強いラビング処理と弱いラビング処理とが交互に施され
ることにより、プレチルト角の大きい領域と小さい領域
とが交互に並べられた状態で設けられ、全体として6つ
の領域に分けられている。しかも各領域のプレチルト角
の大きさは、強誘電性液晶5の層の傾き角より大きく設
定されている。そして両基板1a、1bは、それぞれの
配向制御膜4a、4bの、ラビング方向とプレチルト角
の大きさとが等しい領域どうしが対向するように配置さ
れている。
【0026】このような、プレチルト角の大きさの異な
る複数の領域を形成する方法として、ラビング時に、基
板側に、厚さ100μmのステンレス板から成るハード
・マスクをかぶせる。このハード・マスクには、選択的
に穴が開けられており、穴の開いた部分のみがラビング
処理される。そこで、配向制御膜の全面にラビング処理
を施した後に、ハード・マスクを用いて、2度目のラビ
ング処理を施せば、選択的にプレチルト角の大きさの異
なる領域を設けることができる。
る複数の領域を形成する方法として、ラビング時に、基
板側に、厚さ100μmのステンレス板から成るハード
・マスクをかぶせる。このハード・マスクには、選択的
に穴が開けられており、穴の開いた部分のみがラビング
処理される。そこで、配向制御膜の全面にラビング処理
を施した後に、ハード・マスクを用いて、2度目のラビ
ング処理を施せば、選択的にプレチルト角の大きさの異
なる領域を設けることができる。
【0027】また、他の方法として、全面にラビング処
理した配向制御膜上にレジスト層を形成し、そのレジス
ト層にUV露光によって選択的に窓を開けて、配向制御
膜表面に対し2度目のラビング処理を行う。その後、全
てのレジストを取り除く。
理した配向制御膜上にレジスト層を形成し、そのレジス
ト層にUV露光によって選択的に窓を開けて、配向制御
膜表面に対し2度目のラビング処理を行う。その後、全
てのレジストを取り除く。
【0028】本実施例1の液晶表示素子を実際に作製す
るために、一辺が75mmの各ガラス基板1a、1b上
に、ITOを用いたストライプ状の透明電極2a、2b
を約1000Å厚で形成し、その上に、Ta2 O5 を用
いた絶縁膜3a、3bを約500Å厚でスパッタ形成し
た。続いて各基板1a、1b上に、配向制御膜4a、4
bとして、フッ素系ポリイミド(日立化成社製LQ18
00)を塗布し、焼成した。これにより、約300Å厚
の配向制御膜4a、4bを形成した。そしてこの各基板
1a、1bに対し、上述したハード・マスクによる選択
的ラビング処理を施した。
るために、一辺が75mmの各ガラス基板1a、1b上
に、ITOを用いたストライプ状の透明電極2a、2b
を約1000Å厚で形成し、その上に、Ta2 O5 を用
いた絶縁膜3a、3bを約500Å厚でスパッタ形成し
た。続いて各基板1a、1b上に、配向制御膜4a、4
bとして、フッ素系ポリイミド(日立化成社製LQ18
00)を塗布し、焼成した。これにより、約300Å厚
の配向制御膜4a、4bを形成した。そしてこの各基板
1a、1bに対し、上述したハード・マスクによる選択
的ラビング処理を施した。
【0029】また、強誘電性液晶としては、次に示す特
性を有するものを用いた。
性を有するものを用いた。
【0030】温度30℃ プレチルト角α1 =23°
α2 =17° 自発分極Ps=5.8nC/cm2 チルト角Θ=14.3° 層の傾き角δ=10.7° (ISO:等方相、ch:コレステリック相、SmA:
スメクティックA相、SmC*:カイラルスメクティッ
クC相) このようにして作製された本実施例1の素子と、全面を
均一にラビング処理(プレチルト角23°)を施した従
来の素子とにおける、液晶分子の移動現象の差異を次の
ように調べた。
α2 =17° 自発分極Ps=5.8nC/cm2 チルト角Θ=14.3° 層の傾き角δ=10.7° (ISO:等方相、ch:コレステリック相、SmA:
スメクティックA相、SmC*:カイラルスメクティッ
クC相) このようにして作製された本実施例1の素子と、全面を
均一にラビング処理(プレチルト角23°)を施した従
来の素子とにおける、液晶分子の移動現象の差異を次の
ように調べた。
【0031】即ち、素子内に、図4に示したような2点
A、Bを取り、±5V、10Hzの矩形波を、25時
間、30℃で印加し、その前後での素子厚を測定し、そ
の差を調べた。それと合わせて、図4に示したような液
晶分子のない空隙部Eの存在を調べた。
A、Bを取り、±5V、10Hzの矩形波を、25時
間、30℃で印加し、その前後での素子厚を測定し、そ
の差を調べた。それと合わせて、図4に示したような液
晶分子のない空隙部Eの存在を調べた。
【0032】その結果、本実施例1の素子の場合、点A
で−0.01μm、点Bで+0.01μmであり、空隙
部Eは存在しなかった。これに対し、全面を均一にラビ
ング処理した従来の素子の場合には、点Aで−0.09
μm、点Bで+0.5μmであり、空隙部Eが存在し
た。
で−0.01μm、点Bで+0.01μmであり、空隙
部Eは存在しなかった。これに対し、全面を均一にラビ
ング処理した従来の素子の場合には、点Aで−0.09
μm、点Bで+0.5μmであり、空隙部Eが存在し
た。
【0033】この結果からわかるように、従来の素子で
は、点Aから点Bへ液晶分子が移動し、かつ点A側に空
隙部Eが発生するが、本実施例1の素子においては、液
晶分子はほとんど移動せず、また空隙部Eも発生しな
い。従って、高い表示品位が得られる。 〈実施例2〉この実施例2では、プレチルト角の大きさ
の異なる複数の領域を設けるために、印刷によりビーズ
を含んだ絶縁膜を選択的に形成し、その上に配向制御膜
を形成することにより、膜表面に平滑な部分と凹凸部分
とを選択的に形成した。その後、配向制御膜の全面に対
して一様にラビング処理を施した。この方法では、ビー
ズの大きさと密度とを変えて、配向制御膜表面の凹凸の
程度を制御することにより、プレチルト角の大きさを制
御することができる。
は、点Aから点Bへ液晶分子が移動し、かつ点A側に空
隙部Eが発生するが、本実施例1の素子においては、液
晶分子はほとんど移動せず、また空隙部Eも発生しな
い。従って、高い表示品位が得られる。 〈実施例2〉この実施例2では、プレチルト角の大きさ
の異なる複数の領域を設けるために、印刷によりビーズ
を含んだ絶縁膜を選択的に形成し、その上に配向制御膜
を形成することにより、膜表面に平滑な部分と凹凸部分
とを選択的に形成した。その後、配向制御膜の全面に対
して一様にラビング処理を施した。この方法では、ビー
ズの大きさと密度とを変えて、配向制御膜表面の凹凸の
程度を制御することにより、プレチルト角の大きさを制
御することができる。
【0034】図2は、本実施例2を説明する図で、
(a)は断面図、(b)は平面図である。
(a)は断面図、(b)は平面図である。
【0035】図のように、この強誘電性液晶表示素子で
は、絶縁膜3a、3bの上に、ビーズ含有絶縁膜7a、
7bが選択的に形成され、その上に配向制御膜4a、4
bが形成されている。これにより、配向制御膜4a、4
bには、ビーズ含有絶縁膜7a、7bの上の凹凸部分
と、それ以外の平滑部分とにそれぞれ対応して、プレチ
ルト角の大きい領域と小さい領域とが交互に設けられて
いる。さらにこの配向制御膜4a、4bには、一様なラ
ビング処理が施されている。
は、絶縁膜3a、3bの上に、ビーズ含有絶縁膜7a、
7bが選択的に形成され、その上に配向制御膜4a、4
bが形成されている。これにより、配向制御膜4a、4
bには、ビーズ含有絶縁膜7a、7bの上の凹凸部分
と、それ以外の平滑部分とにそれぞれ対応して、プレチ
ルト角の大きい領域と小さい領域とが交互に設けられて
いる。さらにこの配向制御膜4a、4bには、一様なラ
ビング処理が施されている。
【0036】上記構成の素子を実際に作製するにあた
り、ビーズ含有絶縁膜7a、7bとして、径が500Å
のシリカの微粒子を予め分散させた有機チタン化合物と
有機珪素化合物との混合物(触媒化成社製(Ti−Si
=1:1))を用いた。そしてこのビーズ含有絶縁膜7
a、7bの上に、配向制御膜4a、4bとして、上記実
施例1と同様に、フッ素系ポリイミド膜(日立化成社製
LQ1800)を形成し、一様なラビング処理を施し
た。その配向制御膜4a、4bの平坦部分のプレチルト
角は6°、凹凸部分のプレチルト角は21°であった。
り、ビーズ含有絶縁膜7a、7bとして、径が500Å
のシリカの微粒子を予め分散させた有機チタン化合物と
有機珪素化合物との混合物(触媒化成社製(Ti−Si
=1:1))を用いた。そしてこのビーズ含有絶縁膜7
a、7bの上に、配向制御膜4a、4bとして、上記実
施例1と同様に、フッ素系ポリイミド膜(日立化成社製
LQ1800)を形成し、一様なラビング処理を施し
た。その配向制御膜4a、4bの平坦部分のプレチルト
角は6°、凹凸部分のプレチルト角は21°であった。
【0037】本実施例2の素子の場合にも、液晶分子は
ほとんど移動せず、また空隙部も発生しなかった。 〈比較例〉ラビング処理によるプレチルト角の大きさ
を、α1 =8°、α2 =4°とし、それ以外は上記実施
例1と同様にして素子を作成し評価を行った。その結
果、上記実施例1と同様に、液晶分子はほとんど移動せ
ず、また空隙部も発生しなかった。ただし、コントラス
トの値が4:1となり、よって表示品位は上記実施例1
の方が高かった。
ほとんど移動せず、また空隙部も発生しなかった。 〈比較例〉ラビング処理によるプレチルト角の大きさ
を、α1 =8°、α2 =4°とし、それ以外は上記実施
例1と同様にして素子を作成し評価を行った。その結
果、上記実施例1と同様に、液晶分子はほとんど移動せ
ず、また空隙部も発生しなかった。ただし、コントラス
トの値が4:1となり、よって表示品位は上記実施例1
の方が高かった。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液晶
表示素子によれば、液晶駆動時の素子内での液晶分子の
移動が抑制されるため、高い表示品位が得られる。
表示素子によれば、液晶駆動時の素子内での液晶分子の
移動が抑制されるため、高い表示品位が得られる。
【図1】本発明に係る液晶表示素子の実施例1を説明す
る平面図で、(a)は一方のガラス基板上の配向制御膜
に施されたラビング処理の状態、(b)は他方のガラス
基板上の配向制御膜に施されたラビング処理の状態、
(c)は両基板を互いに平行に対向させて液晶表示素子
とした状態、をそれぞれ示している。
る平面図で、(a)は一方のガラス基板上の配向制御膜
に施されたラビング処理の状態、(b)は他方のガラス
基板上の配向制御膜に施されたラビング処理の状態、
(c)は両基板を互いに平行に対向させて液晶表示素子
とした状態、をそれぞれ示している。
【図2】本発明に係る液晶表示素子の実施例2を説明す
る図で、(a)は断面図、(b)は平面図である。
る図で、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図3】従来例を説明する図で、(a)は断面図、
(b)は平面図である。
(b)は平面図である。
【図4】従来例を説明する図で、(a)は電圧印加前の
液晶状態を示す状態説明図、(b)は(a)の部分縦断
面図、(c)は(b)の部分拡大図、(d)は電圧印加
後の液晶状態を示す状態説明図である。
液晶状態を示す状態説明図、(b)は(a)の部分縦断
面図、(c)は(b)の部分拡大図、(d)は電圧印加
後の液晶状態を示す状態説明図である。
1a、1b ガラス基板 2a、2b 透明電極 4a、4b 配向制御膜 5 強誘電性液晶 7a、7b ビーズ含有絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項1】 それぞれに透明電極と、ラビング処理を
施した配向制御膜とを設けた一対の平行な基板間に、強
誘電性液晶を配置して成る液晶表示素子において、 前記各基板上の配向制御膜に、プレチルト角の大きさの
異なる複数の領域を設け、かつその各領域のプレチルト
角の大きさを、前記両基板間の強誘電性液晶の層の傾き
角より大きく設定したことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】 前記配向制御膜の各領域のプレチルト角
の大きさの差を、4度以上に設定したことを特徴とする
請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】 前記配向制御膜の、プレチルト角の大き
さの異なる複数の領域として、プレチルト角の大きい領
域と小さい領域とを交互に並べて設けたことを特徴とす
る請求項1または2記載の液晶表示素子。 - 【請求項4】 前記配向制御膜に、同一方向の強いラビ
ング処理と弱いラビング処理とを交互に施すことによ
り、前記プレチルト角の大きい領域と小さい領域とを交
互に並べて設けたことを特徴とする請求項3記載の液晶
表示素子。 - 【請求項5】 前記配向制御膜を、ビーズを含んだ絶縁
膜の上に形成することにより、その配向制御膜に、前記
プレチルト角の大きい領域と小さい領域とを交互に並べ
て設けたことを特徴とする請求項3記載の液晶表示素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18874694A JPH0829788A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18874694A JPH0829788A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0829788A true JPH0829788A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16229054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18874694A Pending JPH0829788A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0829788A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032779A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスク |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP18874694A patent/JPH0829788A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032779A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスク |
US9494816B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with multi-domain unit pixels and an optical mask for manufacturing the same |
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