JPH08293641A - Semiconductor laser array device - Google Patents
Semiconductor laser array deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は複数の電極が縦横に２
次元に配列された波長可変半導体レーザアレイ装置等の
半導体レーザアレイ装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention has a plurality of electrodes arranged vertically and horizontally.
The present invention relates to a semiconductor laser array device such as a wavelength tunable semiconductor laser array device arranged in a dimension.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は従来の半導体レーザアレイ装置を
示す斜視図である。図において、１は半導体レーザアレ
イチップ、２は、半導体レーザアレイチップ１の半導体
レーザ、３は半導体レーザ２の発光点、４は半導体レー
ザアレイチップ１の各半導体レーザ２を分離する分離
溝、５は半導体レーザ２の表面電極、６は半導体レーザ
２の裏面電極、７は半導体レーザアレイチップ１を取付
けるヒートシンク、８は、ヒートシンク７に半導体レー
ザアレイチップ１を接着する半田材、９はヒートシンク
７の表面電極接続部、１０は表面電極５と表面電極接続
部９とを接続する金線である。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser array device. In the figure, 1 is a semiconductor laser array chip, 2 is a semiconductor laser of the semiconductor laser array chip 1, 3 is a light emitting point of the semiconductor laser 2, 4 is a separation groove for separating each semiconductor laser 2 of the semiconductor laser array chip 1, 5 Is a front surface electrode of the semiconductor laser 2, 6 is a back surface electrode of the semiconductor laser 2, 7 is a heat sink for mounting the semiconductor laser array chip 1, 8 is a solder material for bonding the semiconductor laser array chip 1 to the heat sink 7, and 9 is a heat sink 7. The surface electrode connecting portion 10 is a gold wire connecting the surface electrode 5 and the surface electrode connecting portion 9.
【０００３】このような従来の半導体レーザアレイ装置
においては、８個の半導体レーザ２（ＬＤ１、ＬＤ２、
ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８）が
アレイ状に並んでおり、レーザ光は、発光点３から図中
矢印の方向に出射される。各半導体レーザ２間は分離溝
４によって電気的に分離されている。そして、半導体レ
ーザアレイチップ１の裏面電極６は半田材８を介してヒ
ートシンク７に接着され、表面電極５は金線１０を介し
てヒートシンク７上の表面電極接続部９に接続される。
なお、このような従来装置に関連するものとして、特開
平５ー３１９５５号公報には、それぞれ一つの表面電極
を有する発光ダイオードについて、高密度に形成された
発光ダイオードとその駆動回路との電気的な配線を可能
にするために、各電極から配線電極によって引出された
配線用ボンティングパッドをアレイの後方に一列以上配
置した構造のものが開示されている。In such a conventional semiconductor laser array device, eight semiconductor lasers 2 (LD1, LD2,
LD3, LD4, LD5, LD6, LD7, LD8) are arranged in an array, and the laser light is emitted from the light emitting point 3 in the direction of the arrow in the figure. The semiconductor lasers 2 are electrically separated from each other by a separation groove 4. Then, the back surface electrode 6 of the semiconductor laser array chip 1 is bonded to the heat sink 7 via the solder material 8, and the front surface electrode 5 is connected to the front surface electrode connecting portion 9 on the heat sink 7 via the gold wire 10.
As related to such a conventional device, Japanese Patent Laid-Open No. 31955/1993 discloses an electrical connection between a light emitting diode having a high density and a driving circuit for the light emitting diode each having one surface electrode. In order to enable various wirings, there is disclosed a structure in which wiring bonding pads drawn from the respective electrodes by the wiring electrodes are arranged in one or more rows behind the array.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、分布帰還
（ＤＦＢ）形レーザを用いた波長可変半導体レーザは、
多電極構造による不均一電流注入により容易に波長可変
動作を得ることができ、また、アレイ化により、さらに
広い範囲にわたる波長可変幅が得られる。このような波
長可変半導体レーザアレイチップにおいては、各半導体
レーザ２は波長可変機能を持たせるために、表面電極５
が共振器方向に分割され、表面電極５が縦横に２次元に
配列されている。このため、半導体レーザアレイチップ
１とヒートシンク７を接続するワイヤ本数が多くなり、
各表面電極５にボンディングされた金線１０を互いに接
触することなく、ヒートシンク７上の表面電極接続部９
に接続するのは困難であった。また、表面電極接続部９
から離れた表面電極５では、金線１０が長くなるため、
金線１０の相互インダクタンスが大きくなって、隣接す
る半導体レーザ２間の電気干渉が生じる等の問題があっ
た。A wavelength tunable semiconductor laser using a distributed feedback (DFB) type laser is
The wavelength tunable operation can be easily obtained by the non-uniform current injection by the multi-electrode structure, and the wavelength tunable width over a wider range can be obtained by forming an array. In such a wavelength tunable semiconductor laser array chip, each semiconductor laser 2 has a surface electrode 5 in order to have a wavelength tunable function.
Are divided in the resonator direction, and the surface electrodes 5 are two-dimensionally arranged vertically and horizontally. Therefore, the number of wires connecting the semiconductor laser array chip 1 and the heat sink 7 increases,
The front surface electrode connecting portion 9 on the heat sink 7 without contacting the gold wires 10 bonded to the respective front surface electrodes 5 with each other.
Was difficult to connect to. In addition, the surface electrode connecting portion 9
Since the gold wire 10 becomes longer at the surface electrode 5 away from the
There has been a problem that the mutual inductance of the gold wire 10 becomes large and electrical interference occurs between the adjacent semiconductor lasers 2.
【０００５】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、多電極の半導体レーザアレイチッ
プにあっても、ワイヤボンディングの作業性を向上させ
ることを第一の目的にしている。また、ボンディングワ
イヤの長さを短くして、隣接する半導体レーザ間の電気
干渉を防ぐのを第二の目的にしている。さらに、高速変
調を可能にした半導体レーザアレイ装置を得るのを第三
の目的にしている。The present invention has been made to solve the above problems, and has as its first object to improve the workability of wire bonding even in a multi-electrode semiconductor laser array chip. . The second purpose is to shorten the length of the bonding wire to prevent electrical interference between adjacent semiconductor lasers. Further, a third object is to obtain a semiconductor laser array device capable of high speed modulation.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
レーザアレイ装置は、列状に配列された表面電極接続部
を有するヒートシンク、半絶縁領域によって分離され、
それぞれ複数の表面電極を有する半導体レーザと、この
半導体レーザのヒートシンクの表面電極接続部に対向す
る表面電極に設けられた第１のボンディングパッド部
と、半導体レーザの残りの表面電極から引出され上記半
絶縁領域上に配置された電極引出し線路と、この電極引
出し線路に設けられた第２のボンディングパッド部とを
有し、第１のボンディングパッド部と第２のボンディン
グパッド部がヒートシンクの表面電極接続部に対向する
よう列状に配列された半導体レーザアレイチップ、半導
体レーザアレイチップの第１および第２のボンディング
パッド部とヒートシンクの表面電極接続部を接続するワ
イヤボンディング部材を備えたものである。また、半導
体レーザの複数の表面電極は、レーザ光出射方向に配置
されているものである。A semiconductor laser array device according to the present invention is separated by a heat sink having surface electrode connecting portions arranged in rows and a semi-insulating region,
A semiconductor laser having a plurality of front surface electrodes, a first bonding pad portion provided on the front surface electrode facing the front surface electrode connection portion of the heat sink of the semiconductor laser, and the above-mentioned half of the semiconductor laser extracted from the front surface electrode. It has an electrode lead-out line arranged on the insulating region and a second bonding pad portion provided on the electrode lead-out line, and the first bonding pad portion and the second bonding pad portion are surface electrode connection of the heat sink. The semiconductor laser array chip is arranged in a row so as to face the portion, and the wire bonding member for connecting the first and second bonding pad portions of the semiconductor laser array chip and the surface electrode connecting portion of the heat sink. Further, the plurality of surface electrodes of the semiconductor laser are arranged in the laser light emitting direction.
【０００７】また、ヒートシンクの表面電極接続部は、
レーザ出射方向側の後方側に形成されているものであ
る。さらに、半絶縁領域の上面は、半導体レーザ表面と
ほぼ同一面を形成するものである。また、半導体レーザ
アレイチップは、裏面から半絶縁領域に達するバイアホ
ールを設けたものである。加えて、バイアホールを、半
絶縁領域の下の部分にのみ設けたものである。Further, the surface electrode connection portion of the heat sink is
It is formed on the rear side of the laser emission direction side. Furthermore, the upper surface of the semi-insulating region forms substantially the same surface as the semiconductor laser surface. Further, the semiconductor laser array chip is provided with via holes reaching the semi-insulating region from the back surface. In addition, the via hole is provided only in the portion below the semi-insulating region.
【０００８】[0008]
【作用】上記のように構成された半導体レーザアレイ装
置においては、半導体レーザのヒートシンクの表面電極
接続部に対向する表面電極に設けられた第１のボンディ
ングパッド部と、電極引出し線路に設けられた第２のボ
ンディングパッド部が、ヒートシンクの表面電極接続部
に対向して列状に配列されて、ヒートシンクの表面電極
接続部とワイヤボンディングによって接続されるので、
ボンディングワイヤの長さを短くして、相互インダクタ
ンスを小さくする。さらに、半絶縁領域の上面は、半導
体レーザ表面とほぼ同一面を形成して、半絶縁領域上に
パターニングし易くする。また、半導体レーザアレイチ
ップは、裏面から半絶縁領域に達するバイアホールを設
け、電極引出し線路を高周波伝送線路としている。In the semiconductor laser array device configured as described above, the first bonding pad portion provided on the surface electrode facing the surface electrode connection portion of the heat sink of the semiconductor laser and the electrode lead-out line are provided. Since the second bonding pad portions are arranged in a row in opposition to the surface electrode connecting portion of the heat sink and are connected to the surface electrode connecting portion of the heat sink by wire bonding,
Shorten the length of the bonding wire to reduce mutual inductance. Further, the upper surface of the semi-insulating region is formed substantially flush with the surface of the semiconductor laser to facilitate patterning on the semi-insulating region. Further, the semiconductor laser array chip is provided with a via hole reaching from the back surface to the semi-insulating region, and the electrode lead-out line is a high frequency transmission line.
【０００９】[0009]
実施例１．図１は、この発明の実施例１による波長可変
半導体レーザアレイ装置を示す斜視図、図２は図１の波
長可変半導体レーザアレイ装置におけるＬＤ６、ＬＤ
７、ＬＤ８部分の拡大図である。図において、１〜３、
６〜１０は上記従来装置と同一のものでありその説明を
省略する。５１、５２、５３は各半導体レーザ２に波長
可変機能を持たせるために、表面電極が共振器方向に３
分割されたもので、５１は第１表面電極、５２は第２表
面電極、５３は第３表面電極である。また、５１０、５
２０は、各々、第１表面電極５１、第２表面電極５２か
らの電極引き出し線路、５１１、５２１、５３１は各々
第１表面電極５１、第２表面電極５２、第３表面電極５
３のボンディングパッド部である。また、１１は、Ｆｅ
−ＩｎＰ埋め込み、あるいはプロトン注入等により作製
した半絶縁領域である。Example 1. 1 is a perspective view showing a wavelength tunable semiconductor laser array device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the LD 6 and LD in the wavelength tunable semiconductor laser array device of FIG.
7 is an enlarged view of the LD8 portion. In the figure, 1-3,
Reference numerals 6 to 10 are the same as those of the above-mentioned conventional apparatus, and the description thereof is omitted. 51, 52, and 53 have surface electrodes 3 in the cavity direction so that each semiconductor laser 2 has a variable wavelength function.
51 is a first surface electrode, 52 is a second surface electrode, and 53 is a third surface electrode. Also, 510, 5
Reference numeral 20 denotes electrode lead lines 511, 521, and 531 from the first surface electrode 51 and the second surface electrode 52, respectively, and the first surface electrode 51, the second surface electrode 52, and the third surface electrode 5, respectively.
3 is a bonding pad portion. In addition, 11 is Fe
-A semi-insulating region formed by burying InP or by proton injection.
【００１０】このように構成された半導体レーザアレイ
装置においては、図５の従来の半導体レーザアレイ装置
に示したような分離溝４に代わり、Ｆｅ−ＩｎＰ埋め込
み、あるいはプロトン注入等により形成した半絶縁領域
１１で半導体レーザ２間の電気的アイソレーションをと
ることにより、チップ表面を平坦化している。ここで、
半絶縁領域１１の形成方法は、半導体レーザ２と半導体
レーザ２との間をエッチングして、メサ溝を形成したの
ち、そのメサ溝中にＦｅ−ＩｎＰ結晶を埋め込み成長さ
せるか、あるいは、半導体レーザ２をマスク材で保護
し、マスク材で覆われていない半導体レーザ２と半導体
レーザ２との間にプロトンを注入して形成する。この時
注入する元素は、半絶縁領域を形成できる元素であれば
プロトンには限らず、例えば、酸素等でもよい。そし
て、この半絶縁領域１１の上に、表面電極の電極引き出
し線路５１０、５２０をパターニングして、各半導体レ
ーザ２の第１表面電極５１、第２表面電極５２、第３表
面電極５３のボンディングパッド部５１１、５２１、５
３１を、ヒートシンク７の表面電極接続部９と互いに向
かい合って一列に配列させる。そして、この半導体レー
ザアレイチップ１の裏面電極６は、半田材８を介してヒ
ートシンク７に接着され、第１表面電極５１、第２表面
電極５２、第３表面電極５３は、各表面電極のボンディ
ングパッド部５１１、５２１、５３１にワイヤボンディ
ングによって接着された金線１０を介して、ヒートシン
ク７上の表面電極接続部９に接続される。In the semiconductor laser array device constructed as described above, instead of the isolation groove 4 shown in the conventional semiconductor laser array device of FIG. 5, a semi-insulation formed by burying Fe—InP or by proton injection or the like. By electrically isolating the semiconductor laser 2 in the region 11, the chip surface is flattened. here,
The semi-insulating region 11 is formed by etching between the semiconductor lasers 2 to form a mesa groove, and then burying and growing an Fe—InP crystal in the mesa groove, or by forming a semiconductor laser. 2 is protected by a mask material, and protons are injected between the semiconductor laser 2 and the semiconductor laser 2 which are not covered with the mask material. The element implanted at this time is not limited to protons as long as it is an element capable of forming a semi-insulating region, and may be oxygen or the like. Then, the electrode lead lines 510 and 520 of the surface electrodes are patterned on the semi-insulating region 11 to bond the first surface electrode 51, the second surface electrode 52, and the third surface electrode 53 of each semiconductor laser 2 to the bonding pads. Parts 511, 521, 5
31 are arranged in a row so as to face the surface electrode connection portions 9 of the heat sink 7 and to face each other. Then, the back surface electrode 6 of the semiconductor laser array chip 1 is adhered to the heat sink 7 via the solder material 8, and the first front surface electrode 51, the second front surface electrode 52, and the third front surface electrode 53 are bonded to each front surface electrode. It is connected to the surface electrode connecting portion 9 on the heat sink 7 via the gold wire 10 adhered to the pad portions 511, 521 and 531 by wire bonding.
【００１１】実施例１による半導体レーザアレイ装置で
は、ボンディングパッド部５１１、５２１、５３１と表
面電極接続部９が互いに向かい合って一列に配列してい
るため、ワイヤボンディングの作業性が飛躍的に向上す
る。さらに、各半導体レーザ２の各々の表面電極５１、
５２、５３とヒートシンク７上に形成された表面電極接
続部９との距離を短くすることができるので、金線１０
の相互インダクタンスが小さくなって、隣接する半導体
レーザ２間で電気干渉が生じるのを防ぐことができる。
またヒートシンク７にも格別の加工を施す必要もない。In the semiconductor laser array device according to the first embodiment, since the bonding pad portions 511, 521, 531 and the surface electrode connecting portion 9 are arranged in a line so as to face each other, the workability of wire bonding is dramatically improved. . Furthermore, each surface electrode 51 of each semiconductor laser 2,
Since the distance between 52, 53 and the surface electrode connecting portion 9 formed on the heat sink 7 can be shortened, the gold wire 10
It is possible to prevent the mutual inductance from becoming small and electrical interference between the adjacent semiconductor lasers 2.
Further, there is no need to perform special processing on the heat sink 7.
【００１２】実施例２．図３は、この発明の実施例２に
よる波長可変半導体レーザアレイ装置を示す斜視図であ
る。図において、１２はチップ裏面から半絶縁領域１１
に到達する深さに形成されたバイアホールである。バイ
アホール１２の表面には、オーミック金属、金メッキ等
で構成された裏面電極６が形成されている。実施例２
は、図３に示すように、半絶縁領域１１上に形成される
電極引き出し線路５１０、５２０を、バイアホール１２
を形成することにより、例えば、マイクロストリップ線
路である高周波伝送線路としたものである。変調信号
を、低損失で高周波特性の良いマイクロストリップ線路
で伝送させることにより、より高周波での変調が可能と
なる。金線１０の長いものに変調信号を印加すれば、金
線１０のインダクタンスにより高周波帯では信号の損失
が増大する欠点があり、高周波変調が困難となるが、実
施例２では、高周波伝送線路を用いて変調信号を印加す
るため、変調信号を低損失で信号歪みなくレーザに伝え
ることができ、高速変調が可能となる。Embodiment 2 FIG. 3 is a perspective view showing a wavelength tunable semiconductor laser array device according to a second embodiment of the present invention. In the figure, 12 is a semi-insulating region 11 from the back surface of the chip.
Is a via hole formed to reach the depth. On the surface of the via hole 12, a back surface electrode 6 made of ohmic metal, gold plating or the like is formed. Example 2
As shown in FIG. 3, the electrode lead lines 510 and 520 formed on the semi-insulating region 11 are connected to the via holes 12
To form a high-frequency transmission line, which is a microstrip line, for example. By transmitting the modulated signal through a microstrip line having low loss and good high frequency characteristics, it is possible to perform modulation at a higher frequency. When a modulation signal is applied to a long gold wire 10, the inductance of the gold wire 10 has a drawback that the signal loss increases in the high frequency band, which makes high frequency modulation difficult, but in the second embodiment, a high frequency transmission line is used. Since the modulation signal is applied by using the modulation signal, the modulation signal can be transmitted to the laser with low loss and no signal distortion, and high-speed modulation can be performed.
【００１３】図４は、図３に示した波長可変半導体レー
ザアレイ装置の変形例を示す斜視図である。図３では、
チップ裏面全体にバイアホール１２が形成されているの
に対し、図４に示す実施例では、半絶縁領域１１の下の
みにバイアホール１２が形成されている。図４に示した
ように、バイアホール１２が半絶縁領域１１の下の部分
のみに形成された構造においても、電極引き出し線路５
１０、５２０はマイクロストリップ線路となるので、図
３に示したものと同様の効果を奏する。FIG. 4 is a perspective view showing a modification of the wavelength tunable semiconductor laser array device shown in FIG. In FIG.
While the via hole 12 is formed on the entire back surface of the chip, in the embodiment shown in FIG. 4, the via hole 12 is formed only under the semi-insulating region 11. As shown in FIG. 4, even in the structure in which the via hole 12 is formed only under the semi-insulating region 11, the electrode lead-out line 5
The microstrip lines 10 and 520 have the same effect as that shown in FIG.
【００１４】[0014]
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。半導体
レーザのヒートシンクの表面電極接続部に対向する表面
電極に設けられたボンディングパッド部と、電極引出し
線路に設けられたボンディングパッド部が、ヒートシン
クの表面電極接続部に対向して列状に配列されて、ヒー
トシンクの表面電極接続部とワイヤボンディングによっ
て接続されるので、作業性が向上するとともに、ボンデ
ィングワイヤの長さが短く、相互インダクタンスが小さ
くなるので、隣接する半導体レーザ間の電気干渉を防
ぐ。Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects. The bonding pad portion provided on the surface electrode facing the surface electrode connection portion of the heat sink of the semiconductor laser and the bonding pad portion provided on the electrode lead-out line are arranged in rows facing the surface electrode connection portion of the heat sink. Since it is connected to the surface electrode connecting portion of the heat sink by wire bonding, workability is improved, and the length of the bonding wire is short and mutual inductance is small, so that electrical interference between adjacent semiconductor lasers is prevented.
【００１５】さらに、半絶縁領域の上面は、半導体レー
ザ表面とほぼ同一面を形成して、半絶縁領域上にパター
ニングし易くして、半絶縁領域を利用することにより、
チップ面積を増やさない。また、半導体レーザアレイチ
ップは、裏面から半絶縁領域に達するバイアホールを設
け、電極引出し線路を高周波伝送線路としているので、
高速変調が可能となる。Further, the upper surface of the semi-insulating region is substantially flush with the surface of the semiconductor laser to facilitate patterning on the semi-insulating region, and by utilizing the semi-insulating region,
Do not increase the chip area. Further, since the semiconductor laser array chip has a via hole reaching from the back surface to the semi-insulating region and the electrode lead-out line is a high-frequency transmission line,
High speed modulation is possible.
【図１】 この発明の実施例１による波長可変半導体レ
ーザアレイ装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a wavelength tunable semiconductor laser array device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１の波長可変半導体レーザアレイ装置にお
けるＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８部分の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of LD6, LD7, and LD8 portions in the wavelength tunable semiconductor laser array device of FIG.
【図３】 この発明の実施例２による波長可変半導体レ
ーザアレイ装置を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a wavelength tunable semiconductor laser array device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 図３に示す波長可変半導体レーザアレイ装置
の変形例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a modified example of the wavelength tunable semiconductor laser array device shown in FIG.
【図５】 従来の半導体レーザアレイ装置を示す斜視図
である。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser array device.
１ 半導体レーザアレイチップ、２ 半導体レーザ、７
ヒートシンク、９ 表面電極接続部、１０ 金線、１
１ 半絶縁領域、５１，５２，５３ 表面電極、５１
０，５２０ 電極引き出し線路、５１１，５２１，５３
１ ボンディングパッド部1 semiconductor laser array chip, 2 semiconductor lasers, 7
Heat sink, 9 surface electrode connection, 10 gold wire, 1
1 semi-insulating region, 51, 52, 53 surface electrode, 51
0,520 electrode lead lines, 511, 521, 53
1 Bonding pad
Claims (6)
るヒートシンク、半絶縁領域によって分離され、それぞ
れ複数の表面電極を有する半導体レーザと、この半導体
レーザの上記ヒートシンクの表面電極接続部に対向する
表面電極に設けられた第１のボンディングパッド部と、
上記半導体レーザの残りの表面電極から引出され上記半
絶縁領域上に配置された電極引出し線路と、この電極引
出し線路に設けられた第２のボンディングパッド部とを
有し、上記第１のボンディングパッド部と第２のボンデ
ィングパッド部が上記ヒートシンクの表面電極接続部に
対向するよう列状に配列された半導体レーザアレイチッ
プ、上記半導体レーザアレイチップの第１および第２の
ボンディングパッド部と上記ヒートシンクの表面電極接
続部を接続するワイヤボンディング部材を備えたことを
特徴とする半導体レーザアレイ装置。1. A heat sink having front surface electrode connection portions arranged in rows, a semiconductor laser having a plurality of front surface electrodes each separated by a semi-insulating region, and a front surface electrode connection portion of the heat sink of the semiconductor laser. A first bonding pad portion provided on the front surface electrode,
The first bonding pad has an electrode lead-out line that is drawn from the remaining surface electrode of the semiconductor laser and is arranged on the semi-insulating region, and a second bonding pad portion provided on the electrode lead-out line. Of the semiconductor laser array chips arranged in a row so that the portions and the second bonding pad portions face the surface electrode connection portion of the heat sink, the first and second bonding pad portions of the semiconductor laser array chip and the heat sink. A semiconductor laser array device comprising a wire bonding member for connecting a surface electrode connecting portion.
ザ光出射方向に配置されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザアレイ装置。2. The semiconductor laser array device according to claim 1, wherein the plurality of front surface electrodes of the semiconductor laser are arranged in a laser beam emitting direction.
ザ光出射方向側の後方側に形成されていることを特徴と
する請求項２記載の半導体レーザアレイ装置。3. The semiconductor laser array device according to claim 2, wherein the surface electrode connection portion of the heat sink is formed on the rear side of the laser light emitting direction side.
とほぼ同一面を形成することを特徴とする請求項１〜請
求項３のいずれか一項記載の半導体レーザアレイ装置。4. The semiconductor laser array device according to claim 1, wherein the upper surface of the semi-insulating region is substantially flush with the surface of the semiconductor laser.
半絶縁領域に達するバイアホールを設けたことを特徴と
する請求項１〜請求項４のいずれか一項記載の半導体レ
ーザアレイ装置。5. The semiconductor laser array device according to claim 1, wherein the semiconductor laser array chip is provided with a via hole reaching from the back surface to the semi-insulating region.
にのみ設けたことを特徴とする請求項５記載の半導体レ
ーザアレイ装置。6. The semiconductor laser array device according to claim 5, wherein the via hole is provided only in a portion below the semi-insulating region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9817795A JPH08293641A (en) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9817795A JPH08293641A (en) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | Semiconductor laser array device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293641A true JPH08293641A (en) | 1996-11-05 |
Family
ID=14212760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9817795A Pending JPH08293641A (en) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | Semiconductor laser array device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293641A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238989A (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sony Corp | Multi-beam semiconductor laser |
| JP2014165393A (en) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Control method of wavelength variable laser array element and control device therefor |
| CN108110619A (en) * | 2011-12-24 | 2018-06-01 | 普林斯顿光电子学公司 | The surface encapsulation of high velocity vertical cavity surface emitting laser |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP9817795A patent/JPH08293641A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238989A (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sony Corp | Multi-beam semiconductor laser |
| US7903713B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Multi-beam semiconductor laser |
| CN108110619A (en) * | 2011-12-24 | 2018-06-01 | 普林斯顿光电子学公司 | The surface encapsulation of high velocity vertical cavity surface emitting laser |
| JP2014165393A (en) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Control method of wavelength variable laser array element and control device therefor |
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