JPH0829282A - 真空計 - Google Patents
真空計Info
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- JPH0829282A JPH0829282A JP18516194A JP18516194A JPH0829282A JP H0829282 A JPH0829282 A JP H0829282A JP 18516194 A JP18516194 A JP 18516194A JP 18516194 A JP18516194 A JP 18516194A JP H0829282 A JPH0829282 A JP H0829282A
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- thin film
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １×１０-1Ｐａから１×１０-5Ｐａ程度の圧
力を測定するための新規な構成を有する真空計を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板１上に形成された電極２，３間に
微粒子からなる不均一薄膜４が形成されている真空測定
用素子を有し、該素子に流れる電流を測定することによ
り真空度を測定する真空計。 【効果】 従来用いられていた電離真空計に比べて極め
て小さく構成することができるため、任意の場所に設置
することができ、さらに測定に際し、電離によるイオン
の生成や高電圧による電場や磁場の発生を伴わないた
め、周囲の各種装置に悪影響を及ぼすこともない。
力を測定するための新規な構成を有する真空計を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板１上に形成された電極２，３間に
微粒子からなる不均一薄膜４が形成されている真空測定
用素子を有し、該素子に流れる電流を測定することによ
り真空度を測定する真空計。 【効果】 従来用いられていた電離真空計に比べて極め
て小さく構成することができるため、任意の場所に設置
することができ、さらに測定に際し、電離によるイオン
の生成や高電圧による電場や磁場の発生を伴わないた
め、周囲の各種装置に悪影響を及ぼすこともない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１×１０-1Ｐａから１
×１０-5Ｐａ程度の圧力を測定するための真空計に関す
る。
×１０-5Ｐａ程度の圧力を測定するための真空計に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、真空技術は、各種デバイスの作製
や、電気的、光学的測定など、あらゆる科学分野におい
て欠くべからざる技術として広く用いられている。この
うち、圧力（真空度）を測定する技術において、低真空
から超高真空まで各圧力領域に対してそれぞれ異なった
原理に基づいた方法が用いられている。
や、電気的、光学的測定など、あらゆる科学分野におい
て欠くべからざる技術として広く用いられている。この
うち、圧力（真空度）を測定する技術において、低真空
から超高真空まで各圧力領域に対してそれぞれ異なった
原理に基づいた方法が用いられている。
【０００３】まず、大気圧から１×１０2 Ｐａ程度の真
空では、大気との圧力差をバネなどを用いて機械的に測
定する隔膜型真空計が多く用いられている。また、おお
よその真空度を知るために、気中における放電の様子を
観察するガイスラー管が、簡易なインジケーターとして
用いられている。
空では、大気との圧力差をバネなどを用いて機械的に測
定する隔膜型真空計が多く用いられている。また、おお
よその真空度を知るために、気中における放電の様子を
観察するガイスラー管が、簡易なインジケーターとして
用いられている。
【０００４】次に、１×１０2 Ｐａから１×１０-1Ｐａ
程度の低真空を計る方法として、液柱の高さから真空度
を求めるマノメーターおよびマクラウドゲージが用いら
れている。マノメーターは、測定したい真空と大気圧も
しくは基準真空との差圧を液柱の高さの差から測定する
ものである。いずれも、使用する液体としては、水銀も
しくは蒸気圧の低い油が用いられる。このほか、真空中
における放熱現象を利用した、熱伝導真空計やピラニ真
空計が広く用いられている。いずれも、真空中において
フィラメントを加熱し、その温度を熱電対もしくはフィ
ラメント自身の抵抗変化から測定し、真空度を求めるも
のである。
程度の低真空を計る方法として、液柱の高さから真空度
を求めるマノメーターおよびマクラウドゲージが用いら
れている。マノメーターは、測定したい真空と大気圧も
しくは基準真空との差圧を液柱の高さの差から測定する
ものである。いずれも、使用する液体としては、水銀も
しくは蒸気圧の低い油が用いられる。このほか、真空中
における放熱現象を利用した、熱伝導真空計やピラニ真
空計が広く用いられている。いずれも、真空中において
フィラメントを加熱し、その温度を熱電対もしくはフィ
ラメント自身の抵抗変化から測定し、真空度を求めるも
のである。
【０００５】また、１×１０-1Ｐａから１×１０-5Ｐａ
の中真空領域では、真空中での放電電流を測定する電離
真空計が用いられる。代表的な物として、ペニングゲー
ジ、マグネトロンゲージ、シュルツゲージが挙げられ
る。ペニングゲージは、陰極からでた電子の飛行距離
を、磁場を用いることによって長くし、１×１０-4Ｐａ
程度まで放電が続くように工夫されている。一方、マグ
ネトロンゲージは、中心に線状の陰極を配置しこれを取
り巻くように陽極および磁極が配置されており、ペニン
グゲージより動作が安定である。また、シュルツゲージ
は、比較的悪い真空度を測定できるようにするため、感
度を下げる工夫がされている。
の中真空領域では、真空中での放電電流を測定する電離
真空計が用いられる。代表的な物として、ペニングゲー
ジ、マグネトロンゲージ、シュルツゲージが挙げられ
る。ペニングゲージは、陰極からでた電子の飛行距離
を、磁場を用いることによって長くし、１×１０-4Ｐａ
程度まで放電が続くように工夫されている。一方、マグ
ネトロンゲージは、中心に線状の陰極を配置しこれを取
り巻くように陽極および磁極が配置されており、ペニン
グゲージより動作が安定である。また、シュルツゲージ
は、比較的悪い真空度を測定できるようにするため、感
度を下げる工夫がされている。
【０００６】さらに、１×１０-5Ｐａより良い高真空領
域での測定には、特別に工夫された電離真空計が用いら
れる。一般には、Ｂ−Ａゲージと呼ばれるものがもっと
も多く用いられている。Ｂ−Ａゲージは、グリッドから
放出される軟Ｘ線による光電子の影響を減らすために、
コレクターを線状としていることが特徴である。さらに
１×１０-7Ｐａ以下の超高真空になると、Ｂ−Ａゲージ
を改良したエキストラクタゲージが用いられる。
域での測定には、特別に工夫された電離真空計が用いら
れる。一般には、Ｂ−Ａゲージと呼ばれるものがもっと
も多く用いられている。Ｂ−Ａゲージは、グリッドから
放出される軟Ｘ線による光電子の影響を減らすために、
コレクターを線状としていることが特徴である。さらに
１×１０-7Ｐａ以下の超高真空になると、Ｂ−Ａゲージ
を改良したエキストラクタゲージが用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】現在、工業的に重要で
多く利用されている真空領域は中真空から高真空領域で
あるが、この領域の真空測定には、電離真空計が広く用
いられている。しかしながら、この電離真空計は測定の
際、気体分子を電子線を利用してイオン化し、そのとき
のイオン電流を測定することから、本来真空中に存在し
ないイオン種を生成してしまう。このことは、プラズマ
ＣＶＤや有機金属ＣＶＤなどの表面化学反応を利用した
成膜装置において問題となる。
多く利用されている真空領域は中真空から高真空領域で
あるが、この領域の真空測定には、電離真空計が広く用
いられている。しかしながら、この電離真空計は測定の
際、気体分子を電子線を利用してイオン化し、そのとき
のイオン電流を測定することから、本来真空中に存在し
ないイオン種を生成してしまう。このことは、プラズマ
ＣＶＤや有機金属ＣＶＤなどの表面化学反応を利用した
成膜装置において問題となる。
【０００８】さらに、電離真空計の場合、高電圧に伴う
電場や磁場を発生するため、真空装置内において精密な
電気測定を必要とする場合、測定対象の付近に真空計を
設置することができない。また、電離真空計は構造が複
雑であるため、測定したい任意の場所に設置することは
極めて困難である。
電場や磁場を発生するため、真空装置内において精密な
電気測定を必要とする場合、測定対象の付近に真空計を
設置することができない。また、電離真空計は構造が複
雑であるため、測定したい任意の場所に設置することは
極めて困難である。
【０００９】そのほか、熱陰極を利用している電離真空
計の場合、フィラメントの熱損傷が激しい環境では寿命
が極めて短い。
計の場合、フィラメントの熱損傷が激しい環境では寿命
が極めて短い。
【００１０】本発明の目的は、電離真空計が有している
上記課題を解決し、中真空から高真空領域の真空測定を
行うことのできる新規な真空計を提供することにある。
上記課題を解決し、中真空から高真空領域の真空測定を
行うことのできる新規な真空計を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、本発明では、対向する電極間に不均一薄膜
を有し、該不均一薄膜を流れる電流を測定することを特
徴とする真空計としている。
するために、本発明では、対向する電極間に不均一薄膜
を有し、該不均一薄膜を流れる電流を測定することを特
徴とする真空計としている。
【００１２】本発明によれば、不均一薄膜面への気体分
子の吸着現象に伴う、該不均一薄膜の電気伝導度の変化
を測定することにより、中真空から高真空の真空度を測
定することを可能としたものである。
子の吸着現象に伴う、該不均一薄膜の電気伝導度の変化
を測定することにより、中真空から高真空の真空度を測
定することを可能としたものである。
【００１３】以下に本発明の測定原理を説明する。
【００１４】図１は、本発明に係る電極と不均一薄膜を
有する素子の一例を示している。図中、１は基板、２お
よび３は電極、４は不均一薄膜である。
有する素子の一例を示している。図中、１は基板、２お
よび３は電極、４は不均一薄膜である。
【００１５】基板１の材料としては、例えばガラス、石
英等の絶縁材料が用いられる。
英等の絶縁材料が用いられる。
【００１６】電極２，３は、相対向して設けられるもの
で、例えば真空成膜プロセスとフォトリソプロセス等の
通常よく用いられる方法で形成することができる。この
電極２，３の材料としては導電性を有するものであれば
どのようなものであっても構わないが、例えばＮｉ，Ｃ
ｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等
の金属或は合金及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2 ，Ｐｄ
−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成され
る印刷導体、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 等の導電体及びポリ
シリコン等の半導体導体材料等が挙げられる。
で、例えば真空成膜プロセスとフォトリソプロセス等の
通常よく用いられる方法で形成することができる。この
電極２，３の材料としては導電性を有するものであれば
どのようなものであっても構わないが、例えばＮｉ，Ｃ
ｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等
の金属或は合金及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2 ，Ｐｄ
−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成され
る印刷導体、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 等の導電体及びポリ
シリコン等の半導体導体材料等が挙げられる。
【００１７】不均一薄膜４の膜厚は、数Åより数千Å程
度、好ましくは数十Åより数百Åであり、これを構成す
る材料の具体例を挙げるならばＰｄ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ
3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸化物、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ
2 ，ＬａＢ6 ，ＣｅＢ6 ，ＹＢ4 ，ＧｄＢ4 等の硼化
物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等
の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，
Ｇｅ等の半導体、カーボン、ＡｇＭｇ，ＮｉＣｕ，Ｐｂ
Ｓｎ等であり、基本的には微粒子膜からなる。なおここ
で述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であ
り、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した
状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合
った状態（島状も含む）の膜をさす。
度、好ましくは数十Åより数百Åであり、これを構成す
る材料の具体例を挙げるならばＰｄ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ
3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸化物、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ
2 ，ＬａＢ6 ，ＣｅＢ6 ，ＹＢ4 ，ＧｄＢ4 等の硼化
物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等
の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，
Ｇｅ等の半導体、カーボン、ＡｇＭｇ，ＮｉＣｕ，Ｐｂ
Ｓｎ等であり、基本的には微粒子膜からなる。なおここ
で述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であ
り、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した
状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合
った状態（島状も含む）の膜をさす。
【００１８】また、不均一薄膜４としては、微粒子膜に
例えば電流を流すことによって局所的に破壊し、亀裂を
含んだ薄膜であってもよい。
例えば電流を流すことによって局所的に破壊し、亀裂を
含んだ薄膜であってもよい。
【００１９】不均一薄膜４は、電極２，３の対向部間に
確実に付設することができれば、基板１に電極２，３を
付設した後に付設しても、電極２，３の付設に先立って
付設してもよい。
確実に付設することができれば、基板１に電極２，３を
付設した後に付設しても、電極２，３の付設に先立って
付設してもよい。
【００２０】上記不均一薄膜４の付設は、例えばガスデ
ポジションや真空蒸着の他、有機金属溶液を塗布した後
に加熱焼成することによっても行うことができる。
ポジションや真空蒸着の他、有機金属溶液を塗布した後
に加熱焼成することによっても行うことができる。
【００２１】かかる素子において、両電極２と３の間に
電圧を印加すると、不均一薄膜４に電流が流れることが
観察される。この電流は、一般に、微粒子間における電
子のトンネル現象として説明されている（例えば、Ｃ．
Ａ．Ｎｅｕｇｅｂａｕｅｒ，ａｎｄ Ｍ．Ｂ．Ｗｅｂ
ｂ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３３（１９６２）７４、
Ｒ．Ｍ．Ｈｉｌｌ：Ｐｒｏｃ．Ｒｏｙ．Ｓｏｃ．Ａ３０
９（１９６９）３７７）。
電圧を印加すると、不均一薄膜４に電流が流れることが
観察される。この電流は、一般に、微粒子間における電
子のトンネル現象として説明されている（例えば、Ｃ．
Ａ．Ｎｅｕｇｅｂａｕｅｒ，ａｎｄ Ｍ．Ｂ．Ｗｅｂ
ｂ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３３（１９６２）７４、
Ｒ．Ｍ．Ｈｉｌｌ：Ｐｒｏｃ．Ｒｏｙ．Ｓｏｃ．Ａ３０
９（１９６９）３７７）。
【００２２】この不均一薄膜の電気伝導現象に対して、
一定の真空雰囲気下における、電流と電圧の関係およ
び、素子温度に依存した電気特性の変化は精力的に調べ
られている。しかしながら、真空度と電流値（電気伝導
度）との関係は殆ど調べられていなかった。
一定の真空雰囲気下における、電流と電圧の関係およ
び、素子温度に依存した電気特性の変化は精力的に調べ
られている。しかしながら、真空度と電流値（電気伝導
度）との関係は殆ど調べられていなかった。
【００２３】本発明者は、図２に示したような回路を用
いて、前記素子に定電圧を印加し、このとき素子に流れ
る電流値と真空度との関係を調べた。尚、図２におい
て、７は図１に示したような素子、８は定電圧電源、９
は微小電流計、１０は真空容器である。
いて、前記素子に定電圧を印加し、このとき素子に流れ
る電流値と真空度との関係を調べた。尚、図２におい
て、７は図１に示したような素子、８は定電圧電源、９
は微小電流計、１０は真空容器である。
【００２４】その結果、素子電流と圧力（真空度）との
間に図３のような関係を得た。
間に図３のような関係を得た。
【００２５】このような関係は、気体分子運動論を用い
て以下のように説明することができる。
て以下のように説明することができる。
【００２６】一般に、圧力ｐ、温度Ｔにおいて、質量ｍ
の気体分子が面積ｄＳの表面に単位時間当り衝突する個
数は、
の気体分子が面積ｄＳの表面に単位時間当り衝突する個
数は、
【００２７】
【数１】 と表される。ここで、ｋはボルツマン定数である。今、
ある時刻ｔに面積ｄＳの表面に吸着している分子の個数
をθとしたとき、面積ｄＳの表面に時間ｄｔの間に吸着
する分子の数は、
ある時刻ｔに面積ｄＳの表面に吸着している分子の個数
をθとしたとき、面積ｄＳの表面に時間ｄｔの間に吸着
する分子の数は、
【００２８】
【数２】 となる。ここで、ｎS は面積ｄＳの表面に存在する吸着
可能なサイトの個数、αは吸着確率である。
可能なサイトの個数、αは吸着確率である。
【００２９】一方、吸着した分子の平均滞在時間をτと
したとき、面積ｄＳの表面から時間ｄｔの間に脱離する
分子の数は、
したとき、面積ｄＳの表面から時間ｄｔの間に脱離する
分子の数は、
【００３０】
【数３】 となる。ここで、十分時間が経ち、平衡状態に達した場
合を考える。このとき、（２）式と（３）式が等しくな
る。これより、飽和吸着量θS が求まる。それは、
合を考える。このとき、（２）式と（３）式が等しくな
る。これより、飽和吸着量θS が求まる。それは、
【００３１】
【数４】 となる。
【００３２】素子電流はこの飽和吸着量θS に比例して
おり、素子電流Ｉf は圧力ｐに対して、下のような式で
表される。
おり、素子電流Ｉf は圧力ｐに対して、下のような式で
表される。
【００３３】
【数５】
【００３４】ここで、ｃ1 ，ｃ2 は素子に依存した定
数、ｊは温度と気体分子に依存する定数となる。これら
の定数を適当に選ぶ（素子設計や温度設定による）こと
によって、図３の特性曲線を変化させることができる。
すなわち、予め較正を行い、これらの定数を定めて特性
曲線を用意しておくことにより、素子電流から真空度を
知ることができる。
数、ｊは温度と気体分子に依存する定数となる。これら
の定数を適当に選ぶ（素子設計や温度設定による）こと
によって、図３の特性曲線を変化させることができる。
すなわち、予め較正を行い、これらの定数を定めて特性
曲線を用意しておくことにより、素子電流から真空度を
知ることができる。
【００３５】本発明の真空計に用いられる前記素子は、
極めて小さくすることができるため、測定したい任意の
場所に設置することができる。また、測定に際し素子に
印加する電圧はせいぜい数Ｖ程度であり、高電圧に伴う
電場や磁場を発生しないため、周囲の測定装置に影響を
及ぼすこともない。
極めて小さくすることができるため、測定したい任意の
場所に設置することができる。また、測定に際し素子に
印加する電圧はせいぜい数Ｖ程度であり、高電圧に伴う
電場や磁場を発生しないため、周囲の測定装置に影響を
及ぼすこともない。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００３７】［実施例１］図１に示した素子を以下のよ
うにして作製した。
うにして作製した。
【００３８】基板１として幅Ｗが１０ｍｍの石英基板を
用い、この上に金蒸着により厚さ２００ｎｍの電極２お
よび３を形成した。電極２と電極３の間隔Ｌは０．１ｍ
ｍとした。さらに蒸着によって、電極２と電極３の間に
不均一薄膜４として平均膜厚１０ｎｍの金薄膜を形成し
た。
用い、この上に金蒸着により厚さ２００ｎｍの電極２お
よび３を形成した。電極２と電極３の間隔Ｌは０．１ｍ
ｍとした。さらに蒸着によって、電極２と電極３の間に
不均一薄膜４として平均膜厚１０ｎｍの金薄膜を形成し
た。
【００３９】次に、図２に示したような回路を用いて、
上記素子７に定電圧電源８より２Ｖの電圧を印加し、こ
のときに素子７に流れる電流（素子電流）を微小電流計
９で測定した。尚、測定においては真空容器１０内の圧
力を１×１０-2〜１×１０-5Ｐａの範囲内で変化させ
た。その結果を図４に示す。
上記素子７に定電圧電源８より２Ｖの電圧を印加し、こ
のときに素子７に流れる電流（素子電流）を微小電流計
９で測定した。尚、測定においては真空容器１０内の圧
力を１×１０-2〜１×１０-5Ｐａの範囲内で変化させ
た。その結果を図４に示す。
【００４０】図４に示した測定結果では、素子電流と真
空度との関係において、素子電流がほぼ（５）式で示し
た圧力依存性を有しており、（５）式中の定数を特定す
ることができた。このため、素子電流を測定することに
より、中真空から高真空の真空度を知ることができた。
空度との関係において、素子電流がほぼ（５）式で示し
た圧力依存性を有しており、（５）式中の定数を特定す
ることができた。このため、素子電流を測定することに
より、中真空から高真空の真空度を知ることができた。
【００４１】［実施例２］本実施例において用いた素子
を図５に示す。基板１としては石英基板を用いた。金電
極２と３はフォトレジストを用いてパターニングし、電
極間隔は２μｍとした。本実施例では、金の蒸着薄膜の
代わりに、有機金属錯体溶液を塗り、３００℃で焼成す
ることによって作製した酸化パラジウム薄膜５を用い
た。この素子に電流を流すと、酸化パラジウム薄膜５は
局所的に加熱し、幅約２００ｎｍの亀裂が生成され、不
均一薄膜となる。
を図５に示す。基板１としては石英基板を用いた。金電
極２と３はフォトレジストを用いてパターニングし、電
極間隔は２μｍとした。本実施例では、金の蒸着薄膜の
代わりに、有機金属錯体溶液を塗り、３００℃で焼成す
ることによって作製した酸化パラジウム薄膜５を用い
た。この素子に電流を流すと、酸化パラジウム薄膜５は
局所的に加熱し、幅約２００ｎｍの亀裂が生成され、不
均一薄膜となる。
【００４２】本実施例で作製した素子は、実施例１で述
べたような蒸着薄膜とほぼ同じ電気特性を示した。この
ため、素子電流を測定することにより、中真空から高真
空の真空度を知ることができた。
べたような蒸着薄膜とほぼ同じ電気特性を示した。この
ため、素子電流を測定することにより、中真空から高真
空の真空度を知ることができた。
【００４３】［実施例３］本実施例において用いた素子
を図６に示す。基板１としてはコーニング７０５９ガラ
ス基板を用いた。本実施例では、最初にカーボン薄膜６
を蒸着し、その上に銀電極２および３を蒸着により作製
した。電極間隔は０．１ｍｍとした。この素子も実施例
２で述べた素子と同様に、電流を流すことによってカー
ボン薄膜６を局所的に破壊し、亀裂を含んだ不均一薄膜
を作ることによって、島間トンネル伝導機構に基づく電
気特性を示すようになった。
を図６に示す。基板１としてはコーニング７０５９ガラ
ス基板を用いた。本実施例では、最初にカーボン薄膜６
を蒸着し、その上に銀電極２および３を蒸着により作製
した。電極間隔は０．１ｍｍとした。この素子も実施例
２で述べた素子と同様に、電流を流すことによってカー
ボン薄膜６を局所的に破壊し、亀裂を含んだ不均一薄膜
を作ることによって、島間トンネル伝導機構に基づく電
気特性を示すようになった。
【００４４】本実施例で作製した素子の場合、３Ｖを印
加することによって実施例１で述べたような蒸着薄膜と
ほぼ同じ電気特性を示した。このため、素子電流を測定
することにより、中真空から高真空の真空度を知ること
ができた。
加することによって実施例１で述べたような蒸着薄膜と
ほぼ同じ電気特性を示した。このため、素子電流を測定
することにより、中真空から高真空の真空度を知ること
ができた。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、１×１
０-1Ｐａから１×１０-5Ｐａの圧力領域を測定する真空
計として、以下の効果を奏するものである。
０-1Ｐａから１×１０-5Ｐａの圧力領域を測定する真空
計として、以下の効果を奏するものである。
【００４６】１．電離を伴わないことから、イオンを発
生することなく真空測定が可能となる。これにより、プ
ラズマＣＶＤや有機金属ＣＶＤなどのように表面化学反
応を利用した成膜装置に組み込んで使用することができ
る。
生することなく真空測定が可能となる。これにより、プ
ラズマＣＶＤや有機金属ＣＶＤなどのように表面化学反
応を利用した成膜装置に組み込んで使用することができ
る。
【００４７】２．高電圧及び磁場を用いていないことか
ら、周囲の装置に影響を及ぼすことなく真空を測定する
ことができる。
ら、周囲の装置に影響を及ぼすことなく真空を測定する
ことができる。
【００４８】３．電離真空計に比べて、簡易な構造で且
つ極めて小型に構成できるため、真空装置内の測定した
い任意の場所に設置が可能である。
つ極めて小型に構成できるため、真空装置内の測定した
い任意の場所に設置が可能である。
【００４９】４．高圧電源を必要としないことから、電
離真空計に比べて安価となる。
離真空計に比べて安価となる。
【００５０】５．熱陰極を用いていないことから、熱損
傷によって寿命が短くなることがない。
傷によって寿命が短くなることがない。
【図１】本発明に用いられる素子の一例を示す概略構成
図である。
図である。
【図２】圧力の測定に用いた回路の模式図である。
【図３】本発明に用いられる素子に流れる素子電流と圧
力の関係を説明するための図である。
力の関係を説明するための図である。
【図４】実施例１にて作製した素子に流れる素子電流と
圧力の関係を示す図である。
圧力の関係を示す図である。
【図５】実施例２にて作製した素子の概略構成図であ
る。
る。
【図６】実施例３にて作製した素子の概略構成図であ
る。
る。
１ 基板 ２，３ 電極 ４ 不均一薄膜 ５ 酸化パラジウム薄膜 ６ カーボン薄膜 ７ 真空測定用素子 ８ 定電圧電源 ９ 微小電流計 １０ 真空容器
Claims (3)
- 【請求項１】 対向する電極間に不均一薄膜を有し、該
不均一薄膜を流れる電流を測定することを特徴とする真
空計。 - 【請求項２】 不均一薄膜として微粒子からなる島状薄
膜を用いた請求項１に記載の真空計。 - 【請求項３】 不均一薄膜として亀裂を含んだ薄膜を用
いた請求項１に記載の真空計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18516194A JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18516194A JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829282A true JPH0829282A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16165905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18516194A Withdrawn JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0829282A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199486A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Seiko Instruments Inc | 真空度検査デバイス及びその製造方法 |
| CN102313625A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-01-11 | 北京大学 | 碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法 |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP18516194A patent/JPH0829282A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199486A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Seiko Instruments Inc | 真空度検査デバイス及びその製造方法 |
| CN102313625A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-01-11 | 北京大学 | 碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |