JPH0829282A - 真空計 - Google Patents
真空計Info
- Publication number
- JPH0829282A JPH0829282A JP18516194A JP18516194A JPH0829282A JP H0829282 A JPH0829282 A JP H0829282A JP 18516194 A JP18516194 A JP 18516194A JP 18516194 A JP18516194 A JP 18516194A JP H0829282 A JPH0829282 A JP H0829282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- thin film
- film
- electrodes
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 1×10-1Paから1×10-5Pa程度の圧
力を測定するための新規な構成を有する真空計を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板1上に形成された電極2,3間に
微粒子からなる不均一薄膜4が形成されている真空測定
用素子を有し、該素子に流れる電流を測定することによ
り真空度を測定する真空計。 【効果】 従来用いられていた電離真空計に比べて極め
て小さく構成することができるため、任意の場所に設置
することができ、さらに測定に際し、電離によるイオン
の生成や高電圧による電場や磁場の発生を伴わないた
め、周囲の各種装置に悪影響を及ぼすこともない。
力を測定するための新規な構成を有する真空計を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板1上に形成された電極2,3間に
微粒子からなる不均一薄膜4が形成されている真空測定
用素子を有し、該素子に流れる電流を測定することによ
り真空度を測定する真空計。 【効果】 従来用いられていた電離真空計に比べて極め
て小さく構成することができるため、任意の場所に設置
することができ、さらに測定に際し、電離によるイオン
の生成や高電圧による電場や磁場の発生を伴わないた
め、周囲の各種装置に悪影響を及ぼすこともない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、1×10-1Paから1
×10-5Pa程度の圧力を測定するための真空計に関す
る。
×10-5Pa程度の圧力を測定するための真空計に関す
る。
【0002】
【従来の技術】現在、真空技術は、各種デバイスの作製
や、電気的、光学的測定など、あらゆる科学分野におい
て欠くべからざる技術として広く用いられている。この
うち、圧力(真空度)を測定する技術において、低真空
から超高真空まで各圧力領域に対してそれぞれ異なった
原理に基づいた方法が用いられている。
や、電気的、光学的測定など、あらゆる科学分野におい
て欠くべからざる技術として広く用いられている。この
うち、圧力(真空度)を測定する技術において、低真空
から超高真空まで各圧力領域に対してそれぞれ異なった
原理に基づいた方法が用いられている。
【0003】まず、大気圧から1×102 Pa程度の真
空では、大気との圧力差をバネなどを用いて機械的に測
定する隔膜型真空計が多く用いられている。また、おお
よその真空度を知るために、気中における放電の様子を
観察するガイスラー管が、簡易なインジケーターとして
用いられている。
空では、大気との圧力差をバネなどを用いて機械的に測
定する隔膜型真空計が多く用いられている。また、おお
よその真空度を知るために、気中における放電の様子を
観察するガイスラー管が、簡易なインジケーターとして
用いられている。
【0004】次に、1×102 Paから1×10-1Pa
程度の低真空を計る方法として、液柱の高さから真空度
を求めるマノメーターおよびマクラウドゲージが用いら
れている。マノメーターは、測定したい真空と大気圧も
しくは基準真空との差圧を液柱の高さの差から測定する
ものである。いずれも、使用する液体としては、水銀も
しくは蒸気圧の低い油が用いられる。このほか、真空中
における放熱現象を利用した、熱伝導真空計やピラニ真
空計が広く用いられている。いずれも、真空中において
フィラメントを加熱し、その温度を熱電対もしくはフィ
ラメント自身の抵抗変化から測定し、真空度を求めるも
のである。
程度の低真空を計る方法として、液柱の高さから真空度
を求めるマノメーターおよびマクラウドゲージが用いら
れている。マノメーターは、測定したい真空と大気圧も
しくは基準真空との差圧を液柱の高さの差から測定する
ものである。いずれも、使用する液体としては、水銀も
しくは蒸気圧の低い油が用いられる。このほか、真空中
における放熱現象を利用した、熱伝導真空計やピラニ真
空計が広く用いられている。いずれも、真空中において
フィラメントを加熱し、その温度を熱電対もしくはフィ
ラメント自身の抵抗変化から測定し、真空度を求めるも
のである。
【0005】また、1×10-1Paから1×10-5Pa
の中真空領域では、真空中での放電電流を測定する電離
真空計が用いられる。代表的な物として、ペニングゲー
ジ、マグネトロンゲージ、シュルツゲージが挙げられ
る。ペニングゲージは、陰極からでた電子の飛行距離
を、磁場を用いることによって長くし、1×10-4Pa
程度まで放電が続くように工夫されている。一方、マグ
ネトロンゲージは、中心に線状の陰極を配置しこれを取
り巻くように陽極および磁極が配置されており、ペニン
グゲージより動作が安定である。また、シュルツゲージ
は、比較的悪い真空度を測定できるようにするため、感
度を下げる工夫がされている。
の中真空領域では、真空中での放電電流を測定する電離
真空計が用いられる。代表的な物として、ペニングゲー
ジ、マグネトロンゲージ、シュルツゲージが挙げられ
る。ペニングゲージは、陰極からでた電子の飛行距離
を、磁場を用いることによって長くし、1×10-4Pa
程度まで放電が続くように工夫されている。一方、マグ
ネトロンゲージは、中心に線状の陰極を配置しこれを取
り巻くように陽極および磁極が配置されており、ペニン
グゲージより動作が安定である。また、シュルツゲージ
は、比較的悪い真空度を測定できるようにするため、感
度を下げる工夫がされている。
【0006】さらに、1×10-5Paより良い高真空領
域での測定には、特別に工夫された電離真空計が用いら
れる。一般には、B−Aゲージと呼ばれるものがもっと
も多く用いられている。B−Aゲージは、グリッドから
放出される軟X線による光電子の影響を減らすために、
コレクターを線状としていることが特徴である。さらに
1×10-7Pa以下の超高真空になると、B−Aゲージ
を改良したエキストラクタゲージが用いられる。
域での測定には、特別に工夫された電離真空計が用いら
れる。一般には、B−Aゲージと呼ばれるものがもっと
も多く用いられている。B−Aゲージは、グリッドから
放出される軟X線による光電子の影響を減らすために、
コレクターを線状としていることが特徴である。さらに
1×10-7Pa以下の超高真空になると、B−Aゲージ
を改良したエキストラクタゲージが用いられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】現在、工業的に重要で
多く利用されている真空領域は中真空から高真空領域で
あるが、この領域の真空測定には、電離真空計が広く用
いられている。しかしながら、この電離真空計は測定の
際、気体分子を電子線を利用してイオン化し、そのとき
のイオン電流を測定することから、本来真空中に存在し
ないイオン種を生成してしまう。このことは、プラズマ
CVDや有機金属CVDなどの表面化学反応を利用した
成膜装置において問題となる。
多く利用されている真空領域は中真空から高真空領域で
あるが、この領域の真空測定には、電離真空計が広く用
いられている。しかしながら、この電離真空計は測定の
際、気体分子を電子線を利用してイオン化し、そのとき
のイオン電流を測定することから、本来真空中に存在し
ないイオン種を生成してしまう。このことは、プラズマ
CVDや有機金属CVDなどの表面化学反応を利用した
成膜装置において問題となる。
【0008】さらに、電離真空計の場合、高電圧に伴う
電場や磁場を発生するため、真空装置内において精密な
電気測定を必要とする場合、測定対象の付近に真空計を
設置することができない。また、電離真空計は構造が複
雑であるため、測定したい任意の場所に設置することは
極めて困難である。
電場や磁場を発生するため、真空装置内において精密な
電気測定を必要とする場合、測定対象の付近に真空計を
設置することができない。また、電離真空計は構造が複
雑であるため、測定したい任意の場所に設置することは
極めて困難である。
【0009】そのほか、熱陰極を利用している電離真空
計の場合、フィラメントの熱損傷が激しい環境では寿命
が極めて短い。
計の場合、フィラメントの熱損傷が激しい環境では寿命
が極めて短い。
【0010】本発明の目的は、電離真空計が有している
上記課題を解決し、中真空から高真空領域の真空測定を
行うことのできる新規な真空計を提供することにある。
上記課題を解決し、中真空から高真空領域の真空測定を
行うことのできる新規な真空計を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、本発明では、対向する電極間に不均一薄膜
を有し、該不均一薄膜を流れる電流を測定することを特
徴とする真空計としている。
するために、本発明では、対向する電極間に不均一薄膜
を有し、該不均一薄膜を流れる電流を測定することを特
徴とする真空計としている。
【0012】本発明によれば、不均一薄膜面への気体分
子の吸着現象に伴う、該不均一薄膜の電気伝導度の変化
を測定することにより、中真空から高真空の真空度を測
定することを可能としたものである。
子の吸着現象に伴う、該不均一薄膜の電気伝導度の変化
を測定することにより、中真空から高真空の真空度を測
定することを可能としたものである。
【0013】以下に本発明の測定原理を説明する。
【0014】図1は、本発明に係る電極と不均一薄膜を
有する素子の一例を示している。図中、1は基板、2お
よび3は電極、4は不均一薄膜である。
有する素子の一例を示している。図中、1は基板、2お
よび3は電極、4は不均一薄膜である。
【0015】基板1の材料としては、例えばガラス、石
英等の絶縁材料が用いられる。
英等の絶縁材料が用いられる。
【0016】電極2,3は、相対向して設けられるもの
で、例えば真空成膜プロセスとフォトリソプロセス等の
通常よく用いられる方法で形成することができる。この
電極2,3の材料としては導電性を有するものであれば
どのようなものであっても構わないが、例えばNi,C
r,Au,Mo,W,Pt,Ti,Al,Cu,Pd等
の金属或は合金及びPd,Ag,Au,RuO2 ,Pd
−Ag等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成され
る印刷導体、In2 O3 −SnO2 等の導電体及びポリ
シリコン等の半導体導体材料等が挙げられる。
で、例えば真空成膜プロセスとフォトリソプロセス等の
通常よく用いられる方法で形成することができる。この
電極2,3の材料としては導電性を有するものであれば
どのようなものであっても構わないが、例えばNi,C
r,Au,Mo,W,Pt,Ti,Al,Cu,Pd等
の金属或は合金及びPd,Ag,Au,RuO2 ,Pd
−Ag等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成され
る印刷導体、In2 O3 −SnO2 等の導電体及びポリ
シリコン等の半導体導体材料等が挙げられる。
【0017】不均一薄膜4の膜厚は、数Åより数千Å程
度、好ましくは数十Åより数百Åであり、これを構成す
る材料の具体例を挙げるならばPd,Ru,Ag,A
u,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,Sn,T
a,W,Pb等の金属、PdO,SnO2 ,In2 O
3 ,PbO,Sb2 O3 等の酸化物、HfB2 ,ZrB
2 ,LaB6 ,CeB6 ,YB4 ,GdB4 等の硼化
物、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,WC等
の炭化物、TiN,ZrN,HfN等の窒化物、Si,
Ge等の半導体、カーボン、AgMg,NiCu,Pb
Sn等であり、基本的には微粒子膜からなる。なおここ
で述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であ
り、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した
状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合
った状態(島状も含む)の膜をさす。
度、好ましくは数十Åより数百Åであり、これを構成す
る材料の具体例を挙げるならばPd,Ru,Ag,A
u,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,Sn,T
a,W,Pb等の金属、PdO,SnO2 ,In2 O
3 ,PbO,Sb2 O3 等の酸化物、HfB2 ,ZrB
2 ,LaB6 ,CeB6 ,YB4 ,GdB4 等の硼化
物、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,WC等
の炭化物、TiN,ZrN,HfN等の窒化物、Si,
Ge等の半導体、カーボン、AgMg,NiCu,Pb
Sn等であり、基本的には微粒子膜からなる。なおここ
で述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であ
り、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した
状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合
った状態(島状も含む)の膜をさす。
【0018】また、不均一薄膜4としては、微粒子膜に
例えば電流を流すことによって局所的に破壊し、亀裂を
含んだ薄膜であってもよい。
例えば電流を流すことによって局所的に破壊し、亀裂を
含んだ薄膜であってもよい。
【0019】不均一薄膜4は、電極2,3の対向部間に
確実に付設することができれば、基板1に電極2,3を
付設した後に付設しても、電極2,3の付設に先立って
付設してもよい。
確実に付設することができれば、基板1に電極2,3を
付設した後に付設しても、電極2,3の付設に先立って
付設してもよい。
【0020】上記不均一薄膜4の付設は、例えばガスデ
ポジションや真空蒸着の他、有機金属溶液を塗布した後
に加熱焼成することによっても行うことができる。
ポジションや真空蒸着の他、有機金属溶液を塗布した後
に加熱焼成することによっても行うことができる。
【0021】かかる素子において、両電極2と3の間に
電圧を印加すると、不均一薄膜4に電流が流れることが
観察される。この電流は、一般に、微粒子間における電
子のトンネル現象として説明されている(例えば、C.
A.Neugebauer,and M.B.Web
b:J.Appl.Phys.33(1962)74、
R.M.Hill:Proc.Roy.Soc.A30
9(1969)377)。
電圧を印加すると、不均一薄膜4に電流が流れることが
観察される。この電流は、一般に、微粒子間における電
子のトンネル現象として説明されている(例えば、C.
A.Neugebauer,and M.B.Web
b:J.Appl.Phys.33(1962)74、
R.M.Hill:Proc.Roy.Soc.A30
9(1969)377)。
【0022】この不均一薄膜の電気伝導現象に対して、
一定の真空雰囲気下における、電流と電圧の関係およ
び、素子温度に依存した電気特性の変化は精力的に調べ
られている。しかしながら、真空度と電流値(電気伝導
度)との関係は殆ど調べられていなかった。
一定の真空雰囲気下における、電流と電圧の関係およ
び、素子温度に依存した電気特性の変化は精力的に調べ
られている。しかしながら、真空度と電流値(電気伝導
度)との関係は殆ど調べられていなかった。
【0023】本発明者は、図2に示したような回路を用
いて、前記素子に定電圧を印加し、このとき素子に流れ
る電流値と真空度との関係を調べた。尚、図2におい
て、7は図1に示したような素子、8は定電圧電源、9
は微小電流計、10は真空容器である。
いて、前記素子に定電圧を印加し、このとき素子に流れ
る電流値と真空度との関係を調べた。尚、図2におい
て、7は図1に示したような素子、8は定電圧電源、9
は微小電流計、10は真空容器である。
【0024】その結果、素子電流と圧力(真空度)との
間に図3のような関係を得た。
間に図3のような関係を得た。
【0025】このような関係は、気体分子運動論を用い
て以下のように説明することができる。
て以下のように説明することができる。
【0026】一般に、圧力p、温度Tにおいて、質量m
の気体分子が面積dSの表面に単位時間当り衝突する個
数は、
の気体分子が面積dSの表面に単位時間当り衝突する個
数は、
【0027】
【数1】 と表される。ここで、kはボルツマン定数である。今、
ある時刻tに面積dSの表面に吸着している分子の個数
をθとしたとき、面積dSの表面に時間dtの間に吸着
する分子の数は、
ある時刻tに面積dSの表面に吸着している分子の個数
をθとしたとき、面積dSの表面に時間dtの間に吸着
する分子の数は、
【0028】
【数2】 となる。ここで、nS は面積dSの表面に存在する吸着
可能なサイトの個数、αは吸着確率である。
可能なサイトの個数、αは吸着確率である。
【0029】一方、吸着した分子の平均滞在時間をτと
したとき、面積dSの表面から時間dtの間に脱離する
分子の数は、
したとき、面積dSの表面から時間dtの間に脱離する
分子の数は、
【0030】
【数3】 となる。ここで、十分時間が経ち、平衡状態に達した場
合を考える。このとき、(2)式と(3)式が等しくな
る。これより、飽和吸着量θS が求まる。それは、
合を考える。このとき、(2)式と(3)式が等しくな
る。これより、飽和吸着量θS が求まる。それは、
【0031】
【数4】 となる。
【0032】素子電流はこの飽和吸着量θS に比例して
おり、素子電流If は圧力pに対して、下のような式で
表される。
おり、素子電流If は圧力pに対して、下のような式で
表される。
【0033】
【数5】
【0034】ここで、c1 ,c2 は素子に依存した定
数、jは温度と気体分子に依存する定数となる。これら
の定数を適当に選ぶ(素子設計や温度設定による)こと
によって、図3の特性曲線を変化させることができる。
すなわち、予め較正を行い、これらの定数を定めて特性
曲線を用意しておくことにより、素子電流から真空度を
知ることができる。
数、jは温度と気体分子に依存する定数となる。これら
の定数を適当に選ぶ(素子設計や温度設定による)こと
によって、図3の特性曲線を変化させることができる。
すなわち、予め較正を行い、これらの定数を定めて特性
曲線を用意しておくことにより、素子電流から真空度を
知ることができる。
【0035】本発明の真空計に用いられる前記素子は、
極めて小さくすることができるため、測定したい任意の
場所に設置することができる。また、測定に際し素子に
印加する電圧はせいぜい数V程度であり、高電圧に伴う
電場や磁場を発生しないため、周囲の測定装置に影響を
及ぼすこともない。
極めて小さくすることができるため、測定したい任意の
場所に設置することができる。また、測定に際し素子に
印加する電圧はせいぜい数V程度であり、高電圧に伴う
電場や磁場を発生しないため、周囲の測定装置に影響を
及ぼすこともない。
【0036】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0037】[実施例1]図1に示した素子を以下のよ
うにして作製した。
うにして作製した。
【0038】基板1として幅Wが10mmの石英基板を
用い、この上に金蒸着により厚さ200nmの電極2お
よび3を形成した。電極2と電極3の間隔Lは0.1m
mとした。さらに蒸着によって、電極2と電極3の間に
不均一薄膜4として平均膜厚10nmの金薄膜を形成し
た。
用い、この上に金蒸着により厚さ200nmの電極2お
よび3を形成した。電極2と電極3の間隔Lは0.1m
mとした。さらに蒸着によって、電極2と電極3の間に
不均一薄膜4として平均膜厚10nmの金薄膜を形成し
た。
【0039】次に、図2に示したような回路を用いて、
上記素子7に定電圧電源8より2Vの電圧を印加し、こ
のときに素子7に流れる電流(素子電流)を微小電流計
9で測定した。尚、測定においては真空容器10内の圧
力を1×10-2〜1×10-5Paの範囲内で変化させ
た。その結果を図4に示す。
上記素子7に定電圧電源8より2Vの電圧を印加し、こ
のときに素子7に流れる電流(素子電流)を微小電流計
9で測定した。尚、測定においては真空容器10内の圧
力を1×10-2〜1×10-5Paの範囲内で変化させ
た。その結果を図4に示す。
【0040】図4に示した測定結果では、素子電流と真
空度との関係において、素子電流がほぼ(5)式で示し
た圧力依存性を有しており、(5)式中の定数を特定す
ることができた。このため、素子電流を測定することに
より、中真空から高真空の真空度を知ることができた。
空度との関係において、素子電流がほぼ(5)式で示し
た圧力依存性を有しており、(5)式中の定数を特定す
ることができた。このため、素子電流を測定することに
より、中真空から高真空の真空度を知ることができた。
【0041】[実施例2]本実施例において用いた素子
を図5に示す。基板1としては石英基板を用いた。金電
極2と3はフォトレジストを用いてパターニングし、電
極間隔は2μmとした。本実施例では、金の蒸着薄膜の
代わりに、有機金属錯体溶液を塗り、300℃で焼成す
ることによって作製した酸化パラジウム薄膜5を用い
た。この素子に電流を流すと、酸化パラジウム薄膜5は
局所的に加熱し、幅約200nmの亀裂が生成され、不
均一薄膜となる。
を図5に示す。基板1としては石英基板を用いた。金電
極2と3はフォトレジストを用いてパターニングし、電
極間隔は2μmとした。本実施例では、金の蒸着薄膜の
代わりに、有機金属錯体溶液を塗り、300℃で焼成す
ることによって作製した酸化パラジウム薄膜5を用い
た。この素子に電流を流すと、酸化パラジウム薄膜5は
局所的に加熱し、幅約200nmの亀裂が生成され、不
均一薄膜となる。
【0042】本実施例で作製した素子は、実施例1で述
べたような蒸着薄膜とほぼ同じ電気特性を示した。この
ため、素子電流を測定することにより、中真空から高真
空の真空度を知ることができた。
べたような蒸着薄膜とほぼ同じ電気特性を示した。この
ため、素子電流を測定することにより、中真空から高真
空の真空度を知ることができた。
【0043】[実施例3]本実施例において用いた素子
を図6に示す。基板1としてはコーニング7059ガラ
ス基板を用いた。本実施例では、最初にカーボン薄膜6
を蒸着し、その上に銀電極2および3を蒸着により作製
した。電極間隔は0.1mmとした。この素子も実施例
2で述べた素子と同様に、電流を流すことによってカー
ボン薄膜6を局所的に破壊し、亀裂を含んだ不均一薄膜
を作ることによって、島間トンネル伝導機構に基づく電
気特性を示すようになった。
を図6に示す。基板1としてはコーニング7059ガラ
ス基板を用いた。本実施例では、最初にカーボン薄膜6
を蒸着し、その上に銀電極2および3を蒸着により作製
した。電極間隔は0.1mmとした。この素子も実施例
2で述べた素子と同様に、電流を流すことによってカー
ボン薄膜6を局所的に破壊し、亀裂を含んだ不均一薄膜
を作ることによって、島間トンネル伝導機構に基づく電
気特性を示すようになった。
【0044】本実施例で作製した素子の場合、3Vを印
加することによって実施例1で述べたような蒸着薄膜と
ほぼ同じ電気特性を示した。このため、素子電流を測定
することにより、中真空から高真空の真空度を知ること
ができた。
加することによって実施例1で述べたような蒸着薄膜と
ほぼ同じ電気特性を示した。このため、素子電流を測定
することにより、中真空から高真空の真空度を知ること
ができた。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、1×1
0-1Paから1×10-5Paの圧力領域を測定する真空
計として、以下の効果を奏するものである。
0-1Paから1×10-5Paの圧力領域を測定する真空
計として、以下の効果を奏するものである。
【0046】1.電離を伴わないことから、イオンを発
生することなく真空測定が可能となる。これにより、プ
ラズマCVDや有機金属CVDなどのように表面化学反
応を利用した成膜装置に組み込んで使用することができ
る。
生することなく真空測定が可能となる。これにより、プ
ラズマCVDや有機金属CVDなどのように表面化学反
応を利用した成膜装置に組み込んで使用することができ
る。
【0047】2.高電圧及び磁場を用いていないことか
ら、周囲の装置に影響を及ぼすことなく真空を測定する
ことができる。
ら、周囲の装置に影響を及ぼすことなく真空を測定する
ことができる。
【0048】3.電離真空計に比べて、簡易な構造で且
つ極めて小型に構成できるため、真空装置内の測定した
い任意の場所に設置が可能である。
つ極めて小型に構成できるため、真空装置内の測定した
い任意の場所に設置が可能である。
【0049】4.高圧電源を必要としないことから、電
離真空計に比べて安価となる。
離真空計に比べて安価となる。
【0050】5.熱陰極を用いていないことから、熱損
傷によって寿命が短くなることがない。
傷によって寿命が短くなることがない。
【図1】本発明に用いられる素子の一例を示す概略構成
図である。
図である。
【図2】圧力の測定に用いた回路の模式図である。
【図3】本発明に用いられる素子に流れる素子電流と圧
力の関係を説明するための図である。
力の関係を説明するための図である。
【図4】実施例1にて作製した素子に流れる素子電流と
圧力の関係を示す図である。
圧力の関係を示す図である。
【図5】実施例2にて作製した素子の概略構成図であ
る。
る。
【図6】実施例3にて作製した素子の概略構成図であ
る。
る。
1 基板 2,3 電極 4 不均一薄膜 5 酸化パラジウム薄膜 6 カーボン薄膜 7 真空測定用素子 8 定電圧電源 9 微小電流計 10 真空容器
Claims (3)
- 【請求項1】 対向する電極間に不均一薄膜を有し、該
不均一薄膜を流れる電流を測定することを特徴とする真
空計。 - 【請求項2】 不均一薄膜として微粒子からなる島状薄
膜を用いた請求項1に記載の真空計。 - 【請求項3】 不均一薄膜として亀裂を含んだ薄膜を用
いた請求項1に記載の真空計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18516194A JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18516194A JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0829282A true JPH0829282A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16165905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18516194A Withdrawn JPH0829282A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 真空計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0829282A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199486A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Seiko Instruments Inc | 真空度検査デバイス及びその製造方法 |
CN102313625A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-01-11 | 北京大学 | 碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法 |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP18516194A patent/JPH0829282A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199486A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Seiko Instruments Inc | 真空度検査デバイス及びその製造方法 |
CN102313625A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-01-11 | 北京大学 | 碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7308819B2 (en) | Gas measuring method inside a sealed container | |
JP5127042B2 (ja) | 電離真空計 | |
EP1853890B1 (en) | Vacuum measuring gauge | |
US7332714B2 (en) | Quadrupole mass spectrometer and vacuum device using the same | |
JPH07181095A (ja) | 電離真空計 | |
US20080224711A1 (en) | Ionization vacuum gauge | |
CN107993908B (zh) | 一种基于场发射阴极电子源的电离真空计及其应用方法 | |
Tilford | Sensitivity of hot cathode ionization gages | |
JPH0829282A (ja) | 真空計 | |
Jaycox et al. | A new design of an ionization manometer | |
US4477778A (en) | Hydrogen detector | |
JP6803496B1 (ja) | 圧力測定方法及び熱陰極電離真空計 | |
Arnold et al. | Causes of unstable and nonreproducible sensitivities in Bayard–Alpert ionization gauges | |
US3496399A (en) | Ion gauge with collector plates anf anodes perpendicular to each other | |
JP3300775B2 (ja) | 定電流動作電界放射型真空計 | |
JP4196367B2 (ja) | 電離真空計 | |
Langer et al. | Gated p-Si field emission cathode applied in an ionization vacuum gauge | |
JP3125002B2 (ja) | 電界放射型真空計 | |
JP6200840B2 (ja) | 熱陰極電離真空計 | |
US7226331B2 (en) | Electron source manufacturing apparatus and electron source manufacturing method | |
JPH0829283A (ja) | 電離真空計 | |
US6837768B2 (en) | Method of fabricating electron source substrate and image forming apparatus | |
JP3861487B2 (ja) | 電子線装置及びその制御方法 | |
JP3890343B2 (ja) | 電子源の製造装置及び電子源の製造方法 | |
JPH0251209B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |