JPH08288194A - 投影露光装置及び該装置を用いて素子を製造する方法 - Google Patents
投影露光装置及び該装置を用いて素子を製造する方法Info
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Abstract
まり投影光学系で発生する非露光波長に対する収差が小
さい位置でウエハ観察を可能にして、高精度な位置合わ
せを達成する事露光装置を提供する。 【構成】 露光光によって第1物体を照明する照明光学
系と、該照明光学系によって照明された前記第1物体上
のパタ−ンを第2物体上に投影露光する投影光学系と、
前記露光光とは異なる波長のアライメント光で前記第2
物体を照明し、前記第2物体からのアライメント光を前
記投影光学系を介して検出するアライメント光学系とを
有する投影露光装置であって、前記アライメント光学系
が前記第2物体からのアライメント光を前記投影光学系
を介して検出する為に、投影露光時の第1物体の位置と
異なる位置に前記第1物体を移動せしめる移動手段を有
する。
Description
露光装置、特にフォトマスクパタ−ンをウエハ上に投影
して転写する投影露光装置に関するものであり、なかで
もフォトマスクパタ−ンをウエハ上に投影露光する際、
マスクとウエハとを投影光学系に対して同期して走査す
る投影式走査露光装置に最適なものである。
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮小投
影露光装置、通称ステッパ−が主流であり、更なる解像
力向上にむけて光学系の開口数(NA)の拡大や、露光
波長の短波長化が計られている。
走査露光装置を改良し、投影光学系に屈折素子を組み込
んで、反射素子と屈折素子とを組み合わせたもの、ある
いは屈折素子のみで構成した縮小投影光学系を用いて、
マスクステ−ジと感光基板のステ−ジとの両方を縮小倍
率に応じた速度比で相対走査する投影式走査露光装置も
注目されている。
半導体素子の集積度を上げていくにつれ、マスクパタ−
ンと感光基板パタ−ンとの整合状態の許容範囲も年々厳
しくなってきている。感光基板、所謂ウエハの位置情報
を得る為のウエハ面上のアライメントマ−クの観察方式
としては、従来以下の3通りの方式が用いられている。 (イ)オフアクシス方式−−露光光とは波長の異なる非
露光光を用い、かつ投影光学系を通さない方法 (ロ)露光光TTL方式−−露光光と同じ波長の光を用
い、かつ投影光学系を通す方法 (ハ)非露光光TTL方式−露光光とは波長の異なる非
露光光を用い、かつ投影光学系を通す方法
影光学系を通さないで行う方式であり、投影光学系の露
光波長に左右されない。したがって、観察光学系の設計
が比較的容易という特徴がある。
光学系と投影光学系との物理的な制約のため、一般的に
アライメント位置と露光位置が大きく異なり、アライメ
ント終了後露光位置までウエハステ−ジを駆動する必要
がある。このアライメント位置と露光位置までの距離
(以下ベ−スライン)が、常時安定していれば問題ない
が、装置の置かれている環境(温度や気圧、あるいは装
置自体の振動に伴うメカの安定性等)の影響で、経時変
化が起きるという問題点がある。更にオフアクシス方式
では、投影光学系を通さないで行う方式である事から、
投影光学系の挙動(例えば露光による倍率、焦点位置変
化、気圧による倍率、焦点位置変化等)に追従しないと
いう欠点がある。
てアライメントするTTL方式は、前記した投影光学系
の挙動に追従するという点からも有利であるし、またベ
−スラインの問題も発生しない。発生しても、オフアク
シス方式と比較して、一般に一桁以上短く、環境変動の
影響を受けにくいという特徴を有する。
ト光として露光光を用いる為に、投影光学系の収差は良
好に補正してあり、良好な観察光学系が得られる。しか
し、多くの場合、ウエハ面上には電子回路パタ−ンを転
写される感光材料(レジスト)が塗布されている。レジ
ストは通常短波長で吸収が多い。その為、ウエハ面に形
成したアライメントマ−クを観察する際、レジスト膜を
通しての観察が困難である。前述した様に、露光波長の
短波長化が進んでくると、益々アライメントマ−クの検
出は難しくなってくる。
すると、露光光によりレジストが感光してアライメント
マ−クの検出が不安定になったり、検出不能になるとい
う問題点がある。
ト光として露光波長以外の波長の光束を用いる為、前述
したレジスト膜の吸収、感光の問題は発生しない。しか
しながら、投影光学系は露光波長に対して投影露光が最
適となるよう収差補正してあり、アライメント光として
露光波長以外の波長の光束を用いる場合、投影光学系で
発生する収差は非常に大きいものになってくる。
を用いる場合は、例えば特開平3−61802号公報に
開示されているように、投影光学系で発生した収差を補
正する補正光学系を介して、アライメントマ−クの検出
をするように構成している。ところが、エキシマレ−ザ
−、例えば、KrFレ−ザ−(248nm)を露光光として用
いると、投影光学系を構成する実用的な硝材は、透過率
等の関係から石英や蛍石等に限られる為、その結果、投
影光学系で発生する非露光光に対する収差が非常に大き
くなってくる。この為、補正光学系を用いて投影光学系
で発生した収差を良好に補正するのが難しく十分なNA
がとれなくなったり、さらには現実的な補正光学系が構
成できなくなる、という問題点があった。
ント光束と露光光束の干渉を避ける為に、アライメント
光学系は投影光学系の露光像高のかなり外側を観察する
ように構成されるのが一般的である。その為、非露光光
TTLアライメント光束の為に投影光学系を大きくする
必要が生じたり、投影光学系のかなり高い像高の軸外光
束を用いる為に、軸上光束に比較して、投影光学系で発
生する非露光光に対する収差の悪化も非常に大きなもの
になってしまうという問題点もあった。
ための本発明の露光装置のある形態は、露光光によって
第1物体を照明する照明光学系と、該照明光学系によっ
て照明された前記第1物体上のパタ−ンを第2物体上に
投影露光する投影光学系と、前記露光光とは異なる波長
のアライメント光で前記第2物体を照明し、前記第2物
体からのアライメント光を前記投影光学系を介して検出
するアライメント光学系とを有する投影露光装置であっ
て、前記アライメント光学系が前記第2物体からのアラ
イメント光を前記投影光学系を介して検出する為に、投
影露光時の前記第1物体の位置と異なる位置に前記第1
物体を移動せしめる移動手段を有することを特徴とす
る。
しい形態は、第2物体上の前記投影光学系の光軸が交差
する領域からの光であることを特徴とする。
物体を保持し移動する基板を有し、前記第1物体を投影
露光時の第1物体の位置と異なる位置移動した際、前記
アライメント光を前記アライメント光学系に導光する手
段が前記基板に設けられていることを特徴とする。
板に形成された開口部であることを特徴とする。
に設けられた反射部材であることを特徴とする。
前記第1物体と前記第2物体とを前記投影光学系に対し
同期させてそれぞれ所定の方向に走査せしめることによ
り前記第1物体上のパタ−ンを第2物体上に投影露光す
る走査型露光装置であって、前記第1物体を走査せしめ
る手段は前記移動手段を兼ねることを特徴とする。
よって第1物体を照明し、照明された前記第1物体上の
パタ−ンを投影光学系を介して第2物体上に投影露光す
る投影露光方法であって、前記露光光とは異なる波長の
アライメント光で前記第2物体を照明する工程と、前記
第2物体からのアライメント光を前記投影光学系を介し
て検出する為に、投影露光時の第1物体の位置と異なる
位置に前記第1物体を移動せしめる工程と、前記移動工
程後、前記第2物体からのアライメント光を前記投影光
学系を介して検出する工程とを有することを特徴とす
る。
しい形態は、第2物体上の前記投影光学系の光軸が交差
する領域からの光であることを特徴とする。
前記第1物体と前記第2物体とを前記投影光学系に対し
同期させてそれぞれ所定の方向に走査せしめることによ
り前記第1物体上のパタ−ンを第2物体上に投影露光す
る走査型露光方法であって、前記第1物体を走査せしめ
る方向と前記移動工程移動方向とが一致するとことを特
徴とする。
り、アライメント光束が第1物体であるマスク及び移動
手段であるマスクステ−ジと干渉しない状態をつくり、
投影光学系のほぼ軸上を中心とした位置、つまり投影光
学系で発生する非露光波長に対する収差が小さい位置で
第2物体であるウエハが観察可能となり、その結果、高
精度な位置合わせを達成するものである。
詳細に説明する。
影露光装置の実施例1の概略図である。原画であるマス
ク1は不図示のレ−ザ−干渉計によって位置を検出さ
れ、XY方向に位置制御されるマスクステ−ジ2上に載
置されマスクステージ2を介して装置本体に支持されて
いる。一方、感光基板であるウエハ4は、やはり不図示
のレ−ザ−干渉計によって位置を検出され、XY方向に
位置制御されるウエハステ−ジ5上に載置され、ウエハ
ステージ5を介してに装置本体に支持されている。この
マスク1とウエハ4は投影光学系3を介して光学的に共
役な位置に置かれている。投影露光の工程は、不図示の
照明系からの露光光束ILが、コンデンサ−レンズ6、
ミラ−7を介してマスク1を照明し、投影光学系3の光
学倍率に比した大きさで、マスク1の光学結像像をウエ
ハ4に投影する事で行われる。
学系3を示したが、反射素子と屈折素子とを組み合わせ
た投影光学系であっても構わないし、本図のように縮小
投影光学系であれ、等倍であれ、本発明の効果はなんら
変わらないものである。
上方に構成されている。非露光波長を発するアライメン
ト光源8(又は、アライメント光源から光を導光してき
たオプティカルファイバ−でもよい。)から照射された
アライメント光束ALは、ビ−ムスプリッタ−9で反射
され、アライメント光学系10を通り、ミラ−7に至
る。このミラ−7は、露光光を反射し、より長波長側で
ある非露光光を透過する特性を有する。よって、アライ
メント光束ALは、ミラ−7を透過して投影光学系3へ
向かう。アライメント光束ALは、投影光学系3を介し
てウエハ4を照明し、このウエハ4上に構成される位置
合わせ用のマ−クで反射、散乱される。この反射、散乱
光は再び投影光学系3を介してから、マスク1のパタ−
ン面から距離dだけ離れた中間像点Mで、ウエハ4上の
位置合わせ用のマ−ク像を結ぶ事になる。この距離dが
投影光学系3のもつアライメント波長に対する軸上色収
差である。その後アライメント光束ALは、再びミラ−
7を透過して、アライメント光学系10を介して、ビ−
ムスプリッタ−9を透過し、CCD等の撮像素子11上
に適当な倍率でウエハ4上の位置合わせ用のマ−ク像を
再結像する。この撮像素子11で検出されるウエハ4上
の位置合わせ用のマ−ク像位置と、ウエハステ−ジ5を
位置制御しているレ−ザ−干渉計の計測値で、装置本体
に対するウエハ4の位置を計測する事になる。
検出するために、以下の工程で行われる。
ジ2に載置される。マスクステ−ジ2はレ−ザ−干渉計
によって装置本体に精度良く位置制御されており、不図
示のマスクアライメント系でマスク1をマスクステ−ジ
2の所定の位置に載置する事により、マスク1は装置本
体に精度良く位置合わせされたことになる。
出する工程にはいる。ウエハ4を装置本体上のウエハス
テ−ジ5に載置する。このウエハステ−ジ5は、不図示
のレ−ザ−干渉計によって装置本体に精度良く位置制御
されている。ウエハステ−ジ5を駆動して、ウエハ4を
投影光学系3下のアライメント位置に持ってくる。この
時、マスク1、マスクステ−ジ2が通常の投影露光位置
である図1内で(マスク位置A)で示される位置にある
と、アライメント観察系でウエハ4を観察するにはマス
ク1上のパターンがアライメント光束ALを遮ってしま
う。
動して、図1内(マスク位置B)で示される位置までマ
スク1を退避させ、アライメント光束ALを遮らないよ
うにする。この退避駆動後、前述したようにアライメン
ト光束で照明されたウエハ4からの光を検出して、アラ
イメント観察系でウエハ4を観察する事が可能となる。
しかもウエハ上の投影光学系3の光軸が交差する領域
(軸上)の位置合わせ用マークからの光も検出できるよ
うになる。撮像素子11で検出されるウエハ4上の位置
合わせ用のマ−ク像位置と、ウエハステ−ジ5を駆動制
御しているレ−ザ−干渉計の計測値で、装置本体に対す
るウエハ4の位置が計測される。
題となる投影光学系3の収差が最も小さい軸上近傍を、
アライメント観察位置に設定できる点で効果は大きい。
退避駆動せずに、軸上近傍をアライメント観察位置にす
ると、マスク1にアライメント光束ALが透過する穴を
開けねばならない。この穴の大きさは、軸上色収差量d
=600mm、アライメント光束ALのウエハ4側での
NA=0.4、投影光学系3の縮小倍率を5倍とする
と、マスク1のパタ−ン面上で直径約96mmもの巨大
さとなり、到底現実的にマスク1のパタ−ン面上に構成
できる大きさではない。又、軸上近傍のアライメント光
束ALを取り出す反射ミラ−を出し入れする事も考えら
れるが、挿入場所はマスク1の下方、もしくは投影光学
系3より上方が考えられるが、駆動部の配置が照明系等
の干渉を考えると難しい。かつ、マスク1の下方ではア
ライメント光束ALは益々大きくなってしまい、その様
な巨大なミラ−を配置するのは難しい。比べて本発明の
特徴であるマスク1の退避運動は、水平方向への駆動で
あるから投影光学系3やミラ−7との干渉も少なく構成
も平易であり、十分配置可能である。
は、明視野画像観察でも、暗視野画像観察でも、ヘテロ
ダイン等のグレ−ティングマークを用いた干渉計測法で
も、検出された信号をFFT等のフーリエ変換を行いそ
の位相を検知する方法でもよく、どの方法でも本発明の
効果はなんら変わるものでないも。
対してマスク1とウエハ4の位置が精度良く計測され、
その結果、マスク1とウエハ4の相対的位置関係が検出
できる。
−ジ2を露光位置(マスク位置A)に戻して、マスク1
とウエハ4の整合状態が最良となるように、検出したマ
スク1とウエハ4の相対的位置関係に基づいて、マスク
ステ−ジ2又はウエハステ−ジ5の一方あるいはその両
方を駆動制御してから不図示の照明系からの露光光束I
Lによって、マスクを照明し、マスク1の光学結像像を
ウエハ4に投影する。
ッパ−と呼ばれる装置である場合には、ウエハ4上の複
数の領域にマスク1の光学結像像を転写する。その際、
各領域毎に位置合わせの工程後すぐに露光工程にはい
る、ダイバイダイと呼ばれる方式でも、ウエハ4上の複
数の領域をまず位置合わせの工程で計測してから、各領
域を続けて露光する、グロ−バルとよばれる方式でも本
発明の本質はなんら変わらないものである。
テ−ジ2にアライメント光束ALが透過する開口穴12
を構成した事により、マスクステ−ジ2の退避駆動の量
を軽減した事を特徴とする。
動は、アライメント光束ALに干渉しない位置まで、マ
スクステ−ジ2全体を完全に退避させていたが、この場
合は退避駆動量が大きくなってしまい、装置本体が大き
くなり振動等が本体構造に影響を与えるという懸念があ
る。
マスクステ−ジ2のマスク1近傍にアライメント光束A
Lが透過する開口穴12を開ける。この開口穴12は本
当の穴でもよく、ガラスの様な透過部材で埋まっていて
も良いし(そのガラスがレンズで投影光学系で発生する
収差を補正する機能を有していても良い)、マスクステ
ージの一部をガラスのような透過部材で構成しても良
い。この構成によりマスクステ−ジ2の退避駆動量を小
さくする事が可能となり、装置本体の大型化、振動等が
本体構造に影響与えるというの懸念を無くすことができ
る。
ジ2のマスク1近傍にアライメント光束ALが透過する
開口穴12を設け、かつアライメント光束ALを反射し
て、照明光学系と干渉しない方向にアライメント光学系
を構成できる様にした光学反射部材13を開口穴12の
上に構成した事を特徴とする。
メント光学系を分割するミラ−7を構成した。しかし、
露光波長とアライメント波長が近い場合にはミラー7に
よる露光光とアライメント光の分離が難しく、露光波長
がエキシマレ−ザ−である場合は、露光光とアライメン
ト光とを分離するダイクロ膜等のダメ−ジによる膜特性
の劣化も懸念される。ミラ−7を露光時とアライメント
時で出し入れする事も有効な手段ではあるが、出し入れ
による再現性が新たな誤差要因を生じる。
メント光学系の分割は、露光照明系とアライメント光学
系がどうしても近接配置になる為、配置上の困難さの問
題もあった。
クステ−ジ2のマスク1近傍に開けたアライメント光束
AL用の開口穴12の上に、アライメント光束ALを反
射するミラ−13を配置する事とした。ミラ−13で反
射されたアライメント光束ALは露光照明系から遠ざか
った位置にあるアライメント光学系に導光される。この
ミラ−13は、アライメント時には投影光学系3の上方
に位置するが、マスクステ−ジ2上に構成されているの
で、露光時には投影光学系3の上方に位置せず、露光光
束ILの妨げにはならない。よって、ミラ−13はアラ
イメント光束ALを反射するだけの特性、ミラ−7は露
光光束ILを反射するだけの特性をもてばよく、特別な
特性を有するミラ−が必要なくなる。
光束ALを露光照明系の光軸から分離できるので、露光
照明系とアライメント光学系の構成場所の自由度が増
す。
光学系に導光するミラー13をマスクステージのミラー
7側の面に設けたが、マスクステージの投影光学系3側
の面に設けても良い。この構成はマスクステージに開口
穴12をを加工する必要がない。
イメント光学系、マスクステージ、照明系を走査型露光
装置に適用させた実施例である。図4に示すように、本
実施例は、マスク1のパタ−ン面に沿った少なくとも一
つの第一方向に移動可能なマスクステ−ジ2と、前記パ
タ−ン面、もしくはその一部を所定の倍率で投影する投
影光学系3と、投影光学系3の結像面にウエハ4が位置
するようにウエハ4を保持して、少なくとも前記第一方
向に移動可能なウエハステ−ジ5を備え、マスクステ−
ジ2とウエハステ−ジ5とを、投影光学系3の倍率に応
じた速度比で同期させて移動させることによって、パタ
−ンの投影像をウエハ4上に投影露光する走査型投影露
光装置であって、実施例1と同様に、アライメント光学
系によってウエハ4の装置本体に対する位置を検出する
際、マスク1がアライメント光束ALと干渉しない位置
まで退避する。本実施例は、その退避方向を露光の際の
走査露光方向と一致させる事を特徴としている。
では、装置本体に支持した状態でマスク1を駆動する量
は極めて少なく、本発明の退避駆動を実施するには、新
たな駆動機構の追加が必要である。
の為に少なくとも一方向には、マスク1の端から端まで
駆動する機能をマスクステ−ジ2がすでに有している。
また露光領域内では等速走査が原則であるから、加減速
の為に実際にはマスク1の領域以上にマスクステ−ジ2
は駆動する。
方向と本発明の退避駆動の方向を同じにすれば、新たな
駆動機構を追加せずとも本発明は実施可能となる。もち
ろん本実施例は、実施例1の構成例だけでなく、実施例
2、実施例3のアライメント光学系、マスクステージ、
照明系と組み合わせてもなんら問題はない。
イスの生産方法の実施例を説明する。
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
TTL方式でウエハを観察、位置検出する際に、マスク
及びマスクを保持しているステ−ジが退避駆動する事に
より、アライメント光束がマスク及びマスクステ−ジと
干渉しない状態をつくり、投影光学系のほぼ軸上を中心
とした位置、つまり投影光学系で発生する非露光波長に
対する収差が小さい位置でウエハ観察が可能となり、そ
の結果、高精度な位置合わせを簡易な構成で達成する事
ができる。
Claims (11)
- 【請求項1】 露光光によって第1物体を照明する照明
光学系と、該照明光学系によって照明された前記第1物
体上のパタ−ンを第2物体上に投影露光する投影光学系
と、前記露光光とは異なる波長のアライメント光で前記
第2物体を照明し、前記第2物体からのアライメント光
を前記投影光学系を介して検出するアライメント光学系
とを有する投影露光装置において、 前記アライメント光学系が前記第2物体からのアライメ
ント光を前記投影光学系を介して検出する為に、投影露
光時の前記第1物体の位置と異なる位置に前記第1物体
を移動せしめる移動手段を有することを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項2】 前記第2物体からのアライメント光は、
第2物体上の前記投影光学系の光軸が交差する領域から
の光であることを特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。 - 【請求項3】 前記移動手段は、前記第1物体を保持し
移動する基板を有し、前記第1物体を投影露光時の第1
物体の位置と異なる位置移動した際、前記アライメント
光を前記アライメント光学系に導光する手段が前記基板
に設けられていることを特徴とする請求項1、2記載の
投影露光装置。 - 【請求項4】 前記導光手段は、前記第基板に形成され
た開口部であることを特徴とする請求項3の投影露光装
置。 - 【請求項5】 前記導光手段は、前記第基板に設けられ
た反射部材であることを特徴とする請求項3の投影露光
装置。 - 【請求項6】 前記投影露光装置が前記第1物体と前記
第2物体とを前記投影光学系に対し同期させてそれぞれ
所定の方向に走査せしめることにより前記第1物体上の
パタ−ンを第2物体上に投影露光する走査型露光装置で
あって、前記第1物体を走査せしめる手段は前記移動手
段を兼ねることを特徴とする請求項1、2、3の投影露
光装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至6の露光装置を用いて素子
を製造することを特徴する素子の製造方法。 - 【請求項8】 露光光によって第1物体を照明し、照明
された前記第1物体上のパタ−ンを投影光学系を介して
第2物体上に投影露光する投影露光方法において、 前記露光光とは異なる波長のアライメント光で前記第2
物体を照明する工程と;前記第2物体からのアライメン
ト光を前記投影光学系を介して検出する為に、投影露光
時の第1物体の位置と異なる位置に前記第1物体を移動
せしめる工程と;前記移動工程後、前記第2物体からの
アライメント光を前記投影光学系を介して検出する工程
とを有することを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項9】 前記第2物体からのアライメント光は、
第2物体上の前記投影光学系の光軸を含む領域からの光
であることを特徴とする請求項8記載の投影露光方法。 - 【請求項10】 前記投影露光方法が前記第1物体と前
記第2物体とを前記投影光学系に対し同期させてそれぞ
れ所定の方向に走査せしめることにより前記第1物体上
のパタ−ンを第2物体上に投影露光する走査型露光方法
であって、前記第1物体を走査せしめる方向と前記移動
工程移動方向とが一致するとことを特徴とする請求項
8、9の投影露光方法。 - 【請求項11】 請求項8乃至10の露光方法を用いて
素子を製造することを特徴する素子の製造方法。
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