JPH08287856A - イオン輸送量測定装置 - Google Patents
イオン輸送量測定装置Info
- Publication number
- JPH08287856A JPH08287856A JP11794695A JP11794695A JPH08287856A JP H08287856 A JPH08287856 A JP H08287856A JP 11794695 A JP11794695 A JP 11794695A JP 11794695 A JP11794695 A JP 11794695A JP H08287856 A JPH08287856 A JP H08287856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- ion
- coil
- ion transport
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン輸送を遮断することなくリアルタイム
でイオン量を測定する。 【構成】 イオン発生源２２を出たイオンは、加速電極
２４によって必要なエネルギにまで加速され、収束電極
２６によってウェハー３２上で適切なサイズとなるよう
に収束される。その後、Ｘ偏向電極２８およびＹ偏向電
極３０によってＸ方向およびＹ方向にそれぞれ走査さ
れ、ウェハー３２の全面で一様にイオン注入が行われ
る。このようにイオンが輸送されるとき、イオンは各所
に配置されたコイル２、４、６、８、１０内を通過す
る。その結果、コイルには、通過したイオンの量に対応
する強さの電流が流れ、各コイルに接続された電流計１
２、１４、１６、１８、２０はその電流をそれぞれ測定
する。従って、各電流計の測定結果によって、イオン輸
送通路の各段階におけるイオンの量をリアルタイムで知
ることができる。
でイオン量を測定する。 【構成】 イオン発生源２２を出たイオンは、加速電極
２４によって必要なエネルギにまで加速され、収束電極
２６によってウェハー３２上で適切なサイズとなるよう
に収束される。その後、Ｘ偏向電極２８およびＹ偏向電
極３０によってＸ方向およびＹ方向にそれぞれ走査さ
れ、ウェハー３２の全面で一様にイオン注入が行われ
る。このようにイオンが輸送されるとき、イオンは各所
に配置されたコイル２、４、６、８、１０内を通過す
る。その結果、コイルには、通過したイオンの量に対応
する強さの電流が流れ、各コイルに接続された電流計１
２、１４、１６、１８、２０はその電流をそれぞれ測定
する。従って、各電流計の測定結果によって、イオン輸
送通路の各段階におけるイオンの量をリアルタイムで知
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、輸送されているイオン
の量を測定する装置に関するものである。
の量を測定する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造装置では、半導体基板
にｐ型、ｎ型の不純物原子を添加するために、イオン注
入装置が用いられている。このイオン注入装置は、イオ
ン源、イオン引き出し部、質量分析部、加速部、収束・
偏向部、注入部などによって構成されており、所定のイ
オンを所定の速度で半導体基板に打ち込めるようになっ
ている。
にｐ型、ｎ型の不純物原子を添加するために、イオン注
入装置が用いられている。このイオン注入装置は、イオ
ン源、イオン引き出し部、質量分析部、加速部、収束・
偏向部、注入部などによって構成されており、所定のイ
オンを所定の速度で半導体基板に打ち込めるようになっ
ている。
【０００３】イオン注入装置内のイオンの輸送路は高真
空に保たれるが、輸送路の真空度が低いと、イオンが途
中で中性化してしまい、十分な量のイオンが基板に到達
せず、イオン打ち込みの効率が低下したり、あるいはイ
オンビームの走査ができなくなったりする。そこで従来
は、イオン輸送路の各所でイオンの量を適宜測定し、ど
の段階でイオンの中性化が起きているか、従ってイオン
の輸送効率が低下しているかを調べていた。具体的に
は、イオン輸送路の種々の場所に導電体の箱を配置し、
その箱に電流計を接続して、電流計の読みよりイオンの
量を求めていた。すなわち、輸送されるイオンの量が十
分な場合には、上記導電体の箱で捕捉されるイオンの量
も多く、従って電流計の読みも大きくなる。逆に、イオ
ンの量が少ない場合には、電流計の読みは小さくなる。
空に保たれるが、輸送路の真空度が低いと、イオンが途
中で中性化してしまい、十分な量のイオンが基板に到達
せず、イオン打ち込みの効率が低下したり、あるいはイ
オンビームの走査ができなくなったりする。そこで従来
は、イオン輸送路の各所でイオンの量を適宜測定し、ど
の段階でイオンの中性化が起きているか、従ってイオン
の輸送効率が低下しているかを調べていた。具体的に
は、イオン輸送路の種々の場所に導電体の箱を配置し、
その箱に電流計を接続して、電流計の読みよりイオンの
量を求めていた。すなわち、輸送されるイオンの量が十
分な場合には、上記導電体の箱で捕捉されるイオンの量
も多く、従って電流計の読みも大きくなる。逆に、イオ
ンの量が少ない場合には、電流計の読みは小さくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の測定方法では、導電体の箱をイオンの輸送路に配置
する必要があるため、測定時はイオンの輸送が中断され
ることになり、従って、イオン注入を行いつつ、リアル
タイムでイオンの輸送量を測定することは不可能であ
る。また、イオン輸送路のある部分で測定を行うと、そ
の部分でイオンは遮断されるため、以降の部分では測定
は行えない。すなわち、イオン輸送路の複数の箇所で同
時に測定を行うことはできない。
来の測定方法では、導電体の箱をイオンの輸送路に配置
する必要があるため、測定時はイオンの輸送が中断され
ることになり、従って、イオン注入を行いつつ、リアル
タイムでイオンの輸送量を測定することは不可能であ
る。また、イオン輸送路のある部分で測定を行うと、そ
の部分でイオンは遮断されるため、以降の部分では測定
は行えない。すなわち、イオン輸送路の複数の箇所で同
時に測定を行うことはできない。
【０００５】また、液晶表示装置の液晶基板に対してイ
オン注入を行うような場合には、基板が不導体であるた
め、半導体基板などの導電体基板の場合のように基板に
電流計を接続して基板に対するイオン注入量を測定する
といったことができない。
オン注入を行うような場合には、基板が不導体であるた
め、半導体基板などの導電体基板の場合のように基板に
電流計を接続して基板に対するイオン注入量を測定する
といったことができない。
【０００６】本発明の目的は、このような問題を解決
し、イオンの輸送を遮断することなくリアルタイムでイ
オンの量を測定できるイオン輸送量測定装置を提供する
ことにある。
し、イオンの輸送を遮断することなくリアルタイムでイ
オンの量を測定できるイオン輸送量測定装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、輸送されているイオンの量を測定する装置に
おいて、コイルと、このコイルに流れる電流を測定する
電流計とを備え、前記イオンが前記コイルの内側を通過
するように、前記コイルが配置されていることを特徴と
する。本発明はまた、前記コイルが、半導体製造装置を
構成するイオン注入装置に組み込まれていることを特徴
とする。本発明はまた、前記イオンが不導体基板に向け
て輸送されていることを特徴とする。本発明はまた、前
記不導体基板が、液晶表示装置の液晶基板であることを
特徴とする。本発明はまた、前記イオンがプラズマ原子
から成ることを特徴とする。前記コイルが複数であり、
それぞれ異なる位置に配置されていることを特徴とす
る。
するため、輸送されているイオンの量を測定する装置に
おいて、コイルと、このコイルに流れる電流を測定する
電流計とを備え、前記イオンが前記コイルの内側を通過
するように、前記コイルが配置されていることを特徴と
する。本発明はまた、前記コイルが、半導体製造装置を
構成するイオン注入装置に組み込まれていることを特徴
とする。本発明はまた、前記イオンが不導体基板に向け
て輸送されていることを特徴とする。本発明はまた、前
記不導体基板が、液晶表示装置の液晶基板であることを
特徴とする。本発明はまた、前記イオンがプラズマ原子
から成ることを特徴とする。前記コイルが複数であり、
それぞれ異なる位置に配置されていることを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】コイルの内側を、輸送されているイオンが通過
すると、通過したイオンの量に対応する電流がコイルに
流れ、電流計はその電流を測定する。従って、電流計の
測定結果により、輸送されているイオンの量を知ること
ができる。
すると、通過したイオンの量に対応する電流がコイルに
流れ、電流計はその電流を測定する。従って、電流計の
測定結果により、輸送されているイオンの量を知ること
ができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１
は本発明によるイオン輸送量測定装置を配備した、半導
体製造のためのイオン注入装置の要部を示す模式図であ
る。３２は半導体基板であるウェハーであり、このウェ
ハー３２に対してイオン注入によってｐ型あるいはｎ型
の不純物原子が添加される。２２はイオン発生源であ
り、ｐ型あるいはｎ型の所定のイオンを発生する。イオ
ン発生源２２が発生したイオンは、直線Ａを軸とする通
路に沿って輸送され、ウェハー３２に到達する。
は本発明によるイオン輸送量測定装置を配備した、半導
体製造のためのイオン注入装置の要部を示す模式図であ
る。３２は半導体基板であるウェハーであり、このウェ
ハー３２に対してイオン注入によってｐ型あるいはｎ型
の不純物原子が添加される。２２はイオン発生源であ
り、ｐ型あるいはｎ型の所定のイオンを発生する。イオ
ン発生源２２が発生したイオンは、直線Ａを軸とする通
路に沿って輸送され、ウェハー３２に到達する。
【００１０】イオン輸送通路の各位置には、イオンの進
行方向に沿って順番に、加速電極２４、収束電極２６、
Ｘ偏向電極２８、ならびにＹ偏向電極３０が配置されて
いる。そして、本発明に係わるコイル２、４、６、８、
１０がそれぞれイオン発生源２２と加速電極２４との
間、加速電極２４と収束電極２６との間、収束電極２６
とＸ偏向電極２８との間、Ｘ偏向電極２８とＹ偏向電極
３０との間、ならびにＹ偏向電極３０とウェハー３２と
の間に、イオンがその内側を通過するように配置されて
いる。さらに、各コイル２、４、６、８、１０の端子間
にはそれぞれ、本発明に係わる電流計１２、１４、１
６、１８、２０が接続されている。
行方向に沿って順番に、加速電極２４、収束電極２６、
Ｘ偏向電極２８、ならびにＹ偏向電極３０が配置されて
いる。そして、本発明に係わるコイル２、４、６、８、
１０がそれぞれイオン発生源２２と加速電極２４との
間、加速電極２４と収束電極２６との間、収束電極２６
とＸ偏向電極２８との間、Ｘ偏向電極２８とＹ偏向電極
３０との間、ならびにＹ偏向電極３０とウェハー３２と
の間に、イオンがその内側を通過するように配置されて
いる。さらに、各コイル２、４、６、８、１０の端子間
にはそれぞれ、本発明に係わる電流計１２、１４、１
６、１８、２０が接続されている。
【００１１】各コイル２、４、６、８、１０の巻数は、
本実施例では３回とする。コイルの巻数は、コイルを通
過するイオンの量が少ないほど、また電流計の感度が低
いほど多くする必要があるが、一般的なイオン注入装置
で、特別に高感度ではない電流計を用いる場合、数回程
度の巻数でイオン量の測定を行える。
本実施例では３回とする。コイルの巻数は、コイルを通
過するイオンの量が少ないほど、また電流計の感度が低
いほど多くする必要があるが、一般的なイオン注入装置
で、特別に高感度ではない電流計を用いる場合、数回程
度の巻数でイオン量の測定を行える。
【００１２】イオン発生源２２を出たイオンは、加速電
極２４によって必要なエネルギにまで加速され、収束電
極２６によってウェハー３２上で適切なサイズとなるよ
うに収束される。その後、Ｘ偏向電極２８およびＹ偏向
電極３０によってＸ方向およびＹ方向にそれぞれ走査さ
れ、ウェハー３２の全面で一様にイオン注入が行われ
る。
極２４によって必要なエネルギにまで加速され、収束電
極２６によってウェハー３２上で適切なサイズとなるよ
うに収束される。その後、Ｘ偏向電極２８およびＹ偏向
電極３０によってＸ方向およびＹ方向にそれぞれ走査さ
れ、ウェハー３２の全面で一様にイオン注入が行われ
る。
【００１３】このようにイオンが輸送されるとき、イオ
ンは各所に配置されたコイル２、４、６、８、１０内を
通過する。その結果、コイルには、通過したイオンの量
に対応する強さの電流が流れ、各コイルに接続された電
流計１２、１４、１６、１８、２０はその電流をそれぞ
れ測定する。従って、各電流計の読みによって、イオン
輸送通路の各段階におけるイオンの量を知ることができ
る。そして、この測定結果にもとづいてどの段階でどの
程度イオンの中性化が発生しているかが分り、適切な処
置を講じることができる。このようなイオン輸送量の測
定は、従来のようにイオンの輸送を遮断することなく行
えるので、ウェハー３２に対するイオン注入を行いつ
つ、リアルタイムで測定を実施できる。
ンは各所に配置されたコイル２、４、６、８、１０内を
通過する。その結果、コイルには、通過したイオンの量
に対応する強さの電流が流れ、各コイルに接続された電
流計１２、１４、１６、１８、２０はその電流をそれぞ
れ測定する。従って、各電流計の読みによって、イオン
輸送通路の各段階におけるイオンの量を知ることができ
る。そして、この測定結果にもとづいてどの段階でどの
程度イオンの中性化が発生しているかが分り、適切な処
置を講じることができる。このようなイオン輸送量の測
定は、従来のようにイオンの輸送を遮断することなく行
えるので、ウェハー３２に対するイオン注入を行いつ
つ、リアルタイムで測定を実施できる。
【００１４】次に、不導体基板にイオン注入を行う場合
のイオン量の測定について説明する。図２は、液晶表示
装置の液晶基板にイオン注入を行う装置において、本発
明のイオン輸送量測定装置を用いた場合の一例を示す模
式図である。イオンを注入すべき基板４２は液晶表示装
置の液晶基板であり、不導体である。この基板４２の直
前に本発明に係わるコイル４４が配置されている。所定
のイオン発生源からのイオン４８は基板４２にほぼ垂直
に入射するが、コイル４４は、これらのイオンがその内
側を通過するように配置されている。そして、コイル４
４の端子間には本発明に係わる電流計４６が接続されて
いる。コイル４４の巻数は本例では３回である。
のイオン量の測定について説明する。図２は、液晶表示
装置の液晶基板にイオン注入を行う装置において、本発
明のイオン輸送量測定装置を用いた場合の一例を示す模
式図である。イオンを注入すべき基板４２は液晶表示装
置の液晶基板であり、不導体である。この基板４２の直
前に本発明に係わるコイル４４が配置されている。所定
のイオン発生源からのイオン４８は基板４２にほぼ垂直
に入射するが、コイル４４は、これらのイオンがその内
側を通過するように配置されている。そして、コイル４
４の端子間には本発明に係わる電流計４６が接続されて
いる。コイル４４の巻数は本例では３回である。
【００１５】このような構成において、基板４２に入射
するイオン４８がコイル４４内を通過すると、その量に
応じた強さの電流がコイル４４に流れ、電流計４６はそ
の電流を測定する。コイル４４は上述のように基板４２
の直前に配置されているので、コイル４４を通過したイ
オンはほぼすべて基板４２に入射する。よって、電流計
４６の測定結果、は、基板４２に輸送され、基板４２に
注入されるイオンの量を表している。
するイオン４８がコイル４４内を通過すると、その量に
応じた強さの電流がコイル４４に流れ、電流計４６はそ
の電流を測定する。コイル４４は上述のように基板４２
の直前に配置されているので、コイル４４を通過したイ
オンはほぼすべて基板４２に入射する。よって、電流計
４６の測定結果、は、基板４２に輸送され、基板４２に
注入されるイオンの量を表している。
【００１６】従来、基板が不導体の場合には、電流計を
基板に接続するといった方法で、注入イオン量を測定す
ることはできなかったが、本発明では基板が不導体であ
っても、基板に注入されるイオンの量を測定することが
可能である。
基板に接続するといった方法で、注入イオン量を測定す
ることはできなかったが、本発明では基板が不導体であ
っても、基板に注入されるイオンの量を測定することが
可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のイオン輸送
量測定装置では、コイルの内側を、輸送されているイオ
ンが通過すると、通過したイオンの量に対応する電流が
コイルに流れ、電流計はその電流を測定する。従って、
電流計の測定結果により、輸送されているイオンの量を
知ることができる。
量測定装置では、コイルの内側を、輸送されているイオ
ンが通過すると、通過したイオンの量に対応する電流が
コイルに流れ、電流計はその電流を測定する。従って、
電流計の測定結果により、輸送されているイオンの量を
知ることができる。
【００１８】このように、本発明のイオン輸送量測定装
置では、イオンの輸送を遮断しないので、例えば半導体
基板に対してイオン注入を行いつつ、リアルタイムでイ
オンの輸送量を測定することができる。さらに、イオン
輸送路の複数の箇所にコイルを配置して、複数の箇所で
同時に測定を行うことができる。また、液晶表示装置の
液晶基板に対してイオン注入を行う場合のように、基板
が不導体であっても、基板の直前に本発明のコイルを配
置することにより、基板に対するイオン注入量を測定す
ることができる。
置では、イオンの輸送を遮断しないので、例えば半導体
基板に対してイオン注入を行いつつ、リアルタイムでイ
オンの輸送量を測定することができる。さらに、イオン
輸送路の複数の箇所にコイルを配置して、複数の箇所で
同時に測定を行うことができる。また、液晶表示装置の
液晶基板に対してイオン注入を行う場合のように、基板
が不導体であっても、基板の直前に本発明のコイルを配
置することにより、基板に対するイオン注入量を測定す
ることができる。
【図１】本発明のイオン輸送量測定装置を、半導体製造
に用いるイオン注入装置内に配備した場合の一例を示す
模式図である。
に用いるイオン注入装置内に配備した場合の一例を示す
模式図である。
【図２】液晶表示装置の液晶基板に注入されるイオンの
量を、本発明のイオン輸送量測定装置によって測定する
場合の一例を示す模式図である。
量を、本発明のイオン輸送量測定装置によって測定する
場合の一例を示す模式図である。
２、４、６、８、１０、４４ コイル １２、１４、１６、１８、２０、４６ 電流計 ２２ イオン発生源 ２４ 加速電極 ２６ 収束電極 ２８ Ｘ偏向電極 ３０ Ｙ偏向電極 ３２ ウェハー ４２ 基板
Claims (6)
- 【請求項１】 輸送されているイオンの量を測定する装
置において、 コイルと、 このコイルに流れる電流を測定する電流計とを備え、 前記イオンが前記コイルの内側を通過するように、前記
コイルが配置されている、 ことを特徴とするイオン輸送量測定装置。 - 【請求項２】 前記コイルが、半導体製造装置を構成す
るイオン注入装置に組み込まれている請求項１記載のイ
オン輸送量測定装置。 - 【請求項３】 前記イオンが不導体基板に向けて輸送さ
れている請求項１記載のイオン輸送量測定装置。 - 【請求項４】 前記不導体基板は、液晶表示装置の液晶
基板である請求項３記載のイオン輸送量測定装置。 - 【請求項５】 前記イオンはプラズマ原子から成る請求
項１記載のイオン輸送量測定装置。 - 【請求項６】 前記コイルは複数であり、それぞれ異な
る位置に配置されている請求項１記載のイオン輸送量測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794695A JPH08287856A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | イオン輸送量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794695A JPH08287856A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | イオン輸送量測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287856A true JPH08287856A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14724151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11794695A Pending JPH08287856A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | イオン輸送量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134306A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社荏原製作所 | 電子光学装置及び検査装置 |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP11794695A patent/JPH08287856A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134306A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社荏原製作所 | 電子光学装置及び検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657394B2 (ja) | ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置 | |
| EP1271603B1 (en) | Scanning electron microscope | |
| US7105839B2 (en) | Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams | |
| EP0926699A1 (en) | Method and apparatus for deflecting charged particles | |
| CA1271997A (en) | Electron beam test probe for integrated circuit testing | |
| US6541780B1 (en) | Particle beam current monitoring technique | |
| JP2000200579A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| US7528614B2 (en) | Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam | |
| CN110431649A (zh) | 带电粒子束装置 | |
| US9384940B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| CN113471042B (zh) | 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备 | |
| US7309997B1 (en) | Monitor system and method for semiconductor processes | |
| JP3515063B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| JPH08287856A (ja) | イオン輸送量測定装置 | |
| US3763425A (en) | Method of testing the continuity of an electrical conductor by use of an electron beam converted from high to low energy | |
| CN113471041B (zh) | 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备 | |
| KR20200045542A (ko) | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 | |
| KR20230143624A (ko) | 하전 입자 빔에 영향을 미치는 방법, 다중극자 디바이스, 및 하전 입자 빔 장치 | |
| JP3343421B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH0696712A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP3132796B2 (ja) | 半導体素子の観察方法及びそれに用いる走査形電子顕微鏡 | |
| JPH11242941A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH10339711A (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
| KR100711198B1 (ko) | 주사형전자현미경 | |
| JP2722835B2 (ja) | イオン注入装置 |