JPH08285511A - 軸変位センサ及び弁装置の弁体開閉量センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】例えば、軸の変位を検出する軸変位センサ並び
に例えば、液体若しくは気体の流量を制御する流量制御
弁装置の弁体開閉用の軸の変位を検知して、弁体の開閉
量を検知する弁装置の弁体開閉量センサを提供し、特
に、磁気的に軸変位を検知する構成により、使用性の向
上、耐環境性の向上を図ると共に、設備的、コスト的な
改善を図り、しかも検出精度の向上を図ることを目的と
する。 【構成】弁装置２の弁体を回動動作させて開閉する軸３
の回動動作により軸３の軸方向に変位する軸操作用ハン
ドル６及び押さえ部材１０の変位に従って変位する磁石
体１５の磁極の方向と略直交する位置に磁石体１５と所
定距離離れて設けられるバイアス磁石内蔵型のＭＲ素子
１８を設け、このＭＲ素子１８から出力される信号を処
理して軸３の変位を検出し、これから弁体の開閉量を検
出する構成とし、ＭＲ素子１８を、その最大感度方向が
磁石体１５の磁極方向と直交する方向で、かつＭＲ素子
１８のバイアス磁界の方向が磁石体１５の磁極の方向と
略一致するように配設するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、軸の変位を検出する軸
変位センサ、並びに例えば、液体若しくは気体の流量を
制御する流量制御弁装置の弁体開閉用の軸の変位を検知
して、該弁体の開閉量を検知する弁装置の弁体開閉量セ
ンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液体若しくは気体の流量を制御す
る流量制御弁装置の弁体の開閉量（開閉状態）を検知す
る構成としては、機械的、機械電気的、電気的の３つの
構成が採られている。

【０００３】機械的に開閉量を検知する構成では、例え
ば、弁体の開閉動作を行うハンドル部分に「開」と
「閉」の表示を付すと共に、「開」と「閉」の表示の中
間にておよその開閉量が判別可能な表示を施し、ハンド
ルの位置によって、弁体の開閉量を確認するようにして
いる。

【０００４】又、機械電気的に開閉量を検知する構成で
は、例えば、弁体の開閉動作に伴って移動する腕を設
け、検知すべき位置（例えば、弁体の全開、全閉状態
等）にマイクロスイッチを取り付け、前記腕によるマイ
クロスイッチの作動により、弁体の開閉量を検知するよ
うにしている。

【０００５】更に、電気的に開閉量を検知する構成で
は、前記マイクロスイッチの代わりに高周波発振型等の
近接センサを使用して、弁体の開閉量を検知するように
している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の弁体の開閉量を検知する構成にあっては、夫々次の
ような問題点がある。

【０００７】即ち、機械的に弁体の開閉量を検知する構
成では、ハンドルの位置によって、弁の開閉量を確認す
る構成であるため、弁装置の据付現場でなければ開閉量
を確認できず、非常に不便であり、使用性に劣る。

【０００８】又、機械電気的に弁体の開閉量を検知する
構成では、有接点構造であるため、弁装置の多くが屋外
で使用されることを考えると、耐環境的に不安がある。

【０００９】更に、機械電気的並びに電気的に弁体の開
閉量を検知する構成では、夫々マイクロスイッチや近接
センサによる点（ポイント）の検知しかできないため、
例えば、「全開」、「全閉」の状態を検知するためには
２つのスイッチやセンサが必要であり、更に、「全
開」、「全閉」の中間の点の状態を検知するためには、
その検知点の数だけスイッチやセンサが必要であり、設
備的にもコスト的にも不利である。

【００１０】本発明は以上のような従来の問題点に鑑
み、例えば、軸の変位を検出する軸変位センサ並びに例
えば、液体若しくは気体の流量を制御する流量制御弁装
置の弁体開閉用の軸の変位を検知して、該弁体の開閉量
を検知する弁装置の弁体開閉量センサを提供し、特に、
磁気的に軸変位を検知する構成により、使用性の向上、
耐環境性の向上を図ると共に、設備的、コスト的な改善
を図り、しかも検出精度の向上を図ることを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このため、請求項１記載
の発明の軸変位センサは、軸の回動動作により該軸の軸
方向に変位する変位部材と、前記軸方向に磁極を有し、
変位部材の変位に従って変位する磁石体と、前記磁石体
の磁極の方向と略直交する位置に該磁石体と所定距離離
れて設けられるバイアス磁石内蔵型の強磁性薄膜よりな
る磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子から出力される信
号を処理して軸の変位を検出する検出回路と、を含んで
構成され、前記磁気抵抗素子を、その最大感度方向が前
記磁石体の磁極方向と直交する方向で、かつ磁気抵抗素
子のバイアス磁界の方向が磁石体の磁極の方向と略一致
するように配設した。

【００１２】請求項２記載の発明の弁装置の弁体開閉量
センサは、弁装置の弁体を回動動作させて開閉する軸
と、前記弁体が収納される弁装置本体に連設され、前記
軸をその反弁体側端部を突出させた状態で回動自由に支
持する軸支持部と、前記軸の軸支持部からの突出端部に
連結され、該軸を回動させて弁体を開閉するハンドルで
あって、回動動作により該軸の軸方向に変位するハンド
ルと、前記軸の軸支持部からの突出端部の前記ハンドル
と軸支持部との間に嵌挿されて、前記軸支持部に固定取
付されるハウジングと、前記軸の軸支持部からの突出端
部の前記ハンドルとハウジングとの間に軸方向にスライ
ド自由に嵌挿され、前記ハンドルの変位により軸方向に
押圧されて変位する押さえ部材と、前記ハウジングに設
けられた収納部に軸方向にスライド自由にかつ軸方向に
磁極を有するように収納されると共に前記押さえ部材に
より軸方向に押圧されてスライドする磁石体と、前記磁
石体を常時は前記押圧スライド方向と反対方向に弾性付
勢する弾性部材と、前記磁石体の磁極の方向と略直交す
る位置で該磁石体と所定距離離れた位置に配設され、前
記ハウジングに設けられた取付部に取り付けられるバイ
アス磁石内蔵型の強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子から出力される信号を処理して軸の変
位から弁体の開閉量を検出する検出回路と、を含んで構
成され、前記磁気抵抗素子を、その最大感度方向が前記
磁石体の磁極方向と直交する方向で、かつ磁気抵抗素子
のバイアス磁界の方向が磁石体の磁極の方向と略一致す
るように配設した。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明において、軸が回転される
と、変位部材が軸の軸方向に変位し、該変位部材の変位
に従って磁石体が変位する。

【００１４】ここで、磁石体の近傍の磁束密度変化は、
磁石体からの方向によって異なり、一般的な距離の２乗
に逆比例する方向は磁極面に直交する方向である。磁極
方向と直交する方向では、磁極間の略１／２の位置で磁
界はゼロとなるが、その前後は弱磁界ながら移動距離に
略比例した磁束密度の変化が得られる。

【００１５】磁石体の磁極方向と略直交する方向に最大
感度方向を向けて配置した磁気抵抗素子は、磁石体の磁
極間の略１／２の位置で磁石体の磁極方向と直交する方
向の磁界がゼロとなるため、このときには、磁界による
出力電圧は発生しない。

【００１６】従って、この点を磁石体の全ストロークの
１／２に設定すれば、軸の変位量に対応した磁石体の出
力電圧が得られ、軸の変位量を常に把握することができ
る。

【００１７】請求項２記載の発明において、弁体の開閉
を行う際には、ハンドルを回転操作して、その回転量に
より弁体の開閉量を調節する。この場合、ハンドルの回
転操作により、軸が回転されると、弁体は変位する。

【００１８】従って、ハンドルの回転操作により、弁体
の変位に伴って、ハンドルが変位し、押さえ部材が同方
向に変位する。押さえ部材の変位により、磁石体は弾性
部材の弾性付勢力により、或いは該弾性付勢力に抗して
同方向に変位することになる。

【００１９】この場合、弁体の開閉量と磁石体の変位量
とは対応しており、磁石体の変位量を検出することによ
り、請求項１記載の発明と同様に弁体の開閉量を検出す
ることができる。

【００２０】特に、請求項１及び２記載の発明において
は、磁気抵抗素子の中でも、バイアス磁石を内蔵したも
のでは、ヒステリシスが小さく、弱磁界領域では印加磁
界に対して直線的な出力電圧が得られることが公知であ
る。従って、バイアス磁石内蔵型のＭＲ素子の使用によ
り、磁石体の変位に対応したリニアな出力電圧が得られ
る。

【００２１】

【実施例】以下、添付された図面を参照して本発明を詳
述する。図１及び図２は、請求項１及び２記載の発明の
共通の実施例である流量制御弁の開閉量センサの構成を
示している。これらの図において、配管１に介装された
流量制御弁装置２は、弁装置２本体内に図示しない弁体
が開閉可能に設けられている。

【００２２】前記弁体には、該弁体を回動動作させて開
閉する軸３が連結されている。この弁体は、軸３を略
１．５回転すると、上下方向に略２ｍｍ変位する機構と
なっており、全開から全閉までの軸３の回転による軸３
の上下変位量は２ｍｍである。

【００２３】前記弁体が装着された弁装置２本体には、
前記軸３をその反弁体側端部を突出させた状態で回動自
由に支持する軸支持部が連設されている。この軸支持部
は、管部４と該管部４外周面にねじ嵌合されたナット５
から構成される。

【００２４】前記軸３のナット５からの突出端部には、
該軸３を回動させて弁体を開閉するハンドル６が連結さ
れる。この場合、ハンドル６は、底面が開放された円筒
状に形成され、端壁中央部には内方に突出するボス部６
Ａが一体形成される。

【００２５】前記ボス部６Ａの中心孔６ａは角形に形成
され、該中心孔６ａは軸３の端部に設けられた角形部３
ａに嵌合される。又、ハンドル６から突出する軸３の端
部外周面にはナット７がねじ嵌合され、これにより、ハ
ンドル６が軸３の端部に固定取付される。

【００２６】ここで、前記ナット５から突出する軸３の
端部のハンドル６とナット５との間の部分には、ハウジ
ング８が嵌挿される。このハウジング８は、内筒部８Ａ
と該内筒部８Ａ外周面と所定の環状空間を隔てて位置す
る外筒部８Ｂとから構成され、内筒部８Ａと外筒部８Ｂ
は端壁部８Ｃにより連接されている。

【００２７】かかるハウジング８の内筒部８Ａは下側の
小径部８ａと上側の大径部８ｂと該小径部８ａと大径部
８ｂの境部内周面から軸直角な面方向に環状に張り出す
フランジ部８ｃとから構成される。

【００２８】そして、ハウジング８の内筒部８Ａの小径
部８ａ内周面は前記ナット５外周面に嵌合固定され、フ
ランジ部８ｃは波ワッシャ９を介してナット５上面に係
止される。この波ワッシャ９は、ハウジング８とナット
５のガタ付防止用である。この場合、内筒部８Ａのフラ
ンジ部８ｃ内周と軸３外周との間並びに大径部８ｂ内周
と前記ハンドル６のボス部６Ａ外周との間には、夫々環
状の空間部Ａ，Ｂが形成される。又、外筒部８Ｂ外周面
は前記ハンドル６内周面に隙間を介して重合される。

【００２９】前記軸３のナット５からの突出端部のハン
ドル６とハウジング８の内筒部８Ａの大径部８ｂとの間
には、ハンドル６の変位により軸方向に押圧されて変位
する押さえ部材１０が軸方向にスライド自由に嵌挿され
る。この場合、押さえ部材１０は、中心孔１０ａが形成
された有底筒状部１０Ａと、該筒状部１０Ａの上端外周
から軸直角な方向に延びるフランジ部１０Ｂとから構成
され、その中心孔１０ａは軸３外周に、筒状部１０Ａの
外周部はハンドル６のボス部６Ａに、フランジ部１０Ｂ
はハウジング８の大径部８ｂに、夫々スライド自由に嵌
挿される。

【００３０】尚、押さえ部材１０のフランジ部１０Ｂ外
周面の複数箇所には凹溝１１が形成され、この凹溝１１
にはハウジング８の内筒部８Ａ内周面の複数箇所に突出
形成された回り止めの凸部１２が係合され、押さえ部材
１０の回転を抑止するようになっている。又、前記空間
部Ｂには、押さえ部材１０の筒状部１０Ａ底面とナット
５上端面とに係止される圧縮ばね１３が介装され、押さ
え部材１０を、ワッシャ１４を介して常時は上方向に弾
性付勢している。

【００３１】このワッシャ１４は、ハンドル６の回転に
伴う上下動を、押さえ部材１０に伝達する際の摩耗防止
用のものである。

【００３２】前記ハウジング８に設けられた収納部１７
に軸方向にスライド自由にかつ軸方向に磁極を有するよ
うに収納されると共に前記押さえ部材１０により軸方向
に押圧されてスライドする磁石体１５が設けられてい
る。

【００３３】即ち、前記収納部１７は、ハウジング８の
内筒部８Ａの内周面側の一部に上端が開放された円筒状
に形成され、収納部１７内底部には、前記磁石体１５を
常時は前記押圧スライド方向と反対方向に弾性付勢する
弾性部材としての圧縮ばね１６が介装されている。

【００３４】従って、前記磁石体１５は、圧縮ばね１６
によって収納部１７の上端開放面に臨む押さえ部材１０
のフランジ部１０Ｂに圧接され、押さえ部材１０の下動
により、圧縮ばね１６の弾性付勢力に抗して、下方向に
スライド動作される。

【００３５】一方、前記磁石体１５の磁極の方向と略直
交する位置で該磁石体１５と所定距離（例えば、０．５
ｍｍ〜１０ｍｍ）離れた位置に配設され、前記ハウジン
グ８に設けられた取付部に取り付けられたバイアス磁石
内蔵型の強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子（以下、ＭＲ
素子と言う）１８が設けられている。

【００３６】ここで、前記取付部は、ハウジング８の内
筒部８Ａの外周面の磁石体収納部１７を間に挟んだ両側
位置から対応する外筒部８Ｂ内周面位置に延びて連接さ
れる鉛直な一対の板部１９から構成され、両板部１９に
は、前記ＭＲ素子１８が電気的に接続され、該ＭＲ素子
１８からの信号を処理する回路基板２０が取り付けられ
ている。

【００３７】この回路基板２０には、該回路基板２０へ
の電源供給並びに処理信号を遠隔地の集中制御室に設け
た検出回路に伝送するためのコード２１が電気的に接続
されている。そして、前記ＭＲ素子１８は、その最大感
度方向が前記磁石体１５の磁極方向と直交する方向で、
かつそのバイアス磁界の方向が磁石体１５の磁極の方向
と略一致するように配設される。

【００３８】次に、かかる構成の流量制御弁の開閉量セ
ンサの作用について説明する。流量制御弁より流量制御
を行う際には、ハンドル６を回転操作して、その回転量
により弁体の開閉量を調節する。この場合、ハンドル６
の回転操作により、軸３が回転されると、前述したよう
に弁体は上下方向に変位する。

【００３９】従って、ハンドル６の回転操作により、弁
体の上下方向変位に伴って、ハンドル６が上下方向に変
位し、そのボス部６Ａにより押さえ部材１０が圧縮ばね
１３の弾性付勢力により、或いは該弾性付勢力に抗して
同方向に変位する。押さえ部材１０の変位により、磁石
体１５は圧縮ばね１６の弾性付勢力により、或いは該弾
性付勢力に抗して同方向に変位することになる。

【００４０】この場合、弁体の開閉量と磁石体１５の変
位量とは対応しており、磁石体１５の変位量を検出する
ことにより、弁体の開閉量を検出することができる。

【００４１】この弁体の開閉量検出機能を詳述する。磁
石体１５の近傍の磁束密度変化は、磁石体１５からの方
向によって異なり、一般的な距離の２乗に逆比例する方
向は磁極面に直交する方向である。磁極方向と直交する
方向では、磁極間の略１／２の位置で磁界はゼロとなる
が、その前後は弱磁界ながら移動距離に略比例した磁束
密度の変化が得られる。

【００４２】上述の弁体の開閉量検出センサにおいて、
磁石体１５の磁極方向と略直交する方向に最大感度方向
を向けて配置したＭＲ素子１８は、磁石体１５の磁極間
の略１／２の位置で磁石体１５の磁極方向と直交する方
向の磁界がゼロとなるため、このときには、磁界による
出力電圧は発生しない。

【００４３】従って、この点を磁石体１５の全ストロー
クの１／２に設定すれば、弁体の開閉量に対応したＭＲ
素子１８の出力電圧が得られ、回路基板２０にて信号処
理を行い、集中制御室に信号を伝送することにより、遠
隔地にて弁体の開閉量を常に把握することができる。

【００４４】かかる構成の弁体の開閉量センサによる
と、弁装置の据付現場でなくとも開閉量を確認できるた
め、非常に便利であり、使用性に優れる。又、有接点構
造でないため、屋外で使用される弁装置であっても、耐
環境的な不安がなく、単一のセンサで、「全開」、「全
閉」の中間の点の状態を検知できるため、設備的にもコ
スト的にも有利である。

【００４５】又、かかる構成の弁体の開閉量センサによ
ると、バイアス磁石内蔵型のＭＲ素子１８を使用した結
果、次のような利点がある。即ち、図３に示すように、
磁石体ａにガウスメータのプローブｂを相対向させ、磁
石体ａをプローブｂに対して変位させた場合の磁束密度
をガウスメータにて測定すると、磁石体ａが変位すると
き、磁石体ａの磁極方向と略直交する方向で、磁石体ａ
の変位に対して両磁極面間にある点の磁束密度Ｂは、磁
石体ａからプローブｂまでの距離ｄと磁石体の変位ｌに
応じて、図４のように変化する。

【００４６】一方、上記弁体の開閉量センサに使用し
た、ＭＲ素子の中でも、バイアス磁石を内蔵したもので
は、ヒステリシスが小さく、弱磁界領域では印加磁界に
対して直線的な出力電圧が得られることが公知である。
従って、図３の磁束密度測定に使用したガウスメータの
プローブｂの代わりにバイアス磁石内蔵型のＭＲ素子を
使用すれば、磁石体の変位に対応したリニアな出力電圧
が得られる。

【００４７】即ち、図５に示すように、磁石体１５にＭ
Ｒ素子１８を相対向させ、磁石体１５をＭＲ素子１８に
対して変位させた場合の出力電圧を測定すると、出力電
圧（中心電圧）は、磁石体１５からＭＲ素子１８までの
距離ｄと磁石体１５の変位ｌに応じて、図６のように変
化する。

【００４８】従って、図１及び２の弁体の開閉量センサ
において、磁石体１５とＭＲ素子１８とを、図５の実験
装置と同じような位置関係に配置しておけば、弁体の開
閉量に対応した軸３の変位に伴う磁石体１５の変位に対
応するリニアな出力電圧が得られ、この出力電圧から軸
３の変位、ひいては弁体の開閉量が正確に検出できる。
また、上記弁体の開閉量センサは、軸操作用ハンドルの
回転角度情報を、基準点からの加算方式（インクリメン
タル）ではなく、常にその時点の角度情報に対応する電
圧信号として検出するアブソリュート検知センサである
ため、外来雑音に強く、また、停電に際しても復帰後直
ちに角度情報に対応した電圧信号が得られる。

【００４９】尚、上述した弁体の開閉量センサにおい
て、磁石体１５は温度係数が小さい希土類系磁石が望ま
しい。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、軸の回動動作により該軸の軸方向に変位す
る変位部材の変位に従って変位する磁石体の磁極の方向
と略直交する位置に該磁石体と所定距離離れて設けられ
るバイアス磁石内蔵型の強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素
子を設け、この磁気抵抗素子から出力される信号を処理
して軸の変位を検出する構成とし、磁気抵抗素子を、そ
の最大感度方向が磁石体の磁極方向と直交する方向で、
かつ磁気抵抗素子のバイアス磁界の方向が磁石体の磁極
の方向と略一致するように配設するようにしたから、使
用性の向上、耐環境性の向上を図れると共に、設備的、
コスト的な改善を図れ、特に、バイアス磁石内蔵型の強
磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子使用した結果、磁石体の
変位に対応したリニアな出力電圧が得られ、この出力電
圧から軸の変位が正確に検出できる。

【００５１】請求項２記載の発明によれば、弁装置の弁
体を回動動作させて開閉する軸の回動動作により該軸の
軸方向に変位する軸操作用ハンドル及び押さえ部材の変
位に従って変位する磁石体の磁極の方向と略直交する位
置に該磁石体と所定距離離れて設けられるバイアス磁石
内蔵型の強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子を設け、この
磁気抵抗素子から出力される信号を処理して軸の変位を
検出し、これから弁体の開閉量を検出する構成とし、磁
気抵抗素子を、その最大感度方向が磁石体の磁極方向と
直交する方向で、かつ磁気抵抗素子のバイアス磁界の方
向が磁石体の磁極の方向と略一致するように配設するよ
うにしたから、遠隔地にて弁体の開閉量を常に把握する
ことができ、使用性の向上、耐環境性の向上を図れると
共に、設備的、コスト的な改善を図れ、特に、バイアス
磁石内蔵型の強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子使用した
結果、磁石体の変位に対応したリニアな出力電圧が得ら
れ、この出力電圧から軸の変位、ひいては弁体の開閉量
が正確に検出できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 請求項１及び２記載の発明の共通の実施例の
流量制御弁装置の弁体開閉量センサの縦断面図

【図２】 同上実施例の平面図

【図３】 ガウスメータのプローブによる磁束密度測定
装置の概略図

【図４】 同上の測定装置による磁束密度の変化を示す
特性図

【図５】 ＭＲ素子による磁束密度測定装置の概略図

【図６】 同上の測定装置による出力電圧の変化を示す
特性図

【符号の説明】 ２ 流量制御弁装置 ３ 軸 ４ 管部 ５ ナット ６ ハンドル ８ ハウジング １０ 押さえ部材 １５ 磁石体 １７ 収納部 １８ ＭＲ素子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 軸の回動動作により該軸の軸方向に変位
   する変位部材と、 前記軸方向に磁極を有し、変位部材の変位に従って変位
   する磁石体と、 前記磁石体の磁極の方向と略直交する位置に該磁石体と
   所定距離離れて設けられるバイアス磁石内蔵型の強磁性
   薄膜よりなる磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子から出力される信号を処理して軸の変
   位を検出する検出回路と、を含んで構成され、 前記磁気抵抗素子を、その最大感度方向が前記磁石体の
   磁極方向と直交する方向で、かつ磁気抵抗素子のバイア
   ス磁界の方向が磁石体の磁極の方向と略一致するように
   配設したことを特徴とする軸変位センサ。
2. 【請求項２】 弁装置の弁体を回動動作させて開閉する
   軸と、 前記弁体が収納される弁装置本体に連設され、前記軸を
   その反弁体側端部を突出させた状態で回動自由に支持す
   る軸支持部と、 前記軸の軸支持部からの突出端部に連結され、該軸を回
   動させて弁体を開閉するハンドルであって、回動動作に
   より該軸の軸方向に変位するハンドルと、 前記軸の軸支持部からの突出端部の前記ハンドルと軸支
   持部との間に嵌挿されて、前記軸支持部に固定取付され
   るハウジングと、 前記軸の軸支持部からの突出端部の前記ハンドルとハウ
   ジングとの間に軸方向にスライド自由に嵌挿され、前記
   ハンドルの変位により軸方向に押圧されて変位する押さ
   え部材と、 前記ハウジングに設けられた収納部に軸方向にスライド
   自由にかつ軸方向に磁極を有するように収納されると共
   に前記押さえ部材により軸方向に押圧されてスライドす
   る磁石体と、 前記磁石体を常時は前記押圧スライド方向と反対方向に
   弾性付勢する弾性部材と、 前記磁石体の磁極の方向と略直交する位置で該磁石体と
   所定距離離れた位置に配設され、前記ハウジングに設け
   られた取付部に取り付けられるバイアス磁石内蔵型の強
   磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子から出力される信号を処理して軸の変
   位から弁体の開閉量を検出する検出回路と、を含んで構
   成され、 前記磁気抵抗素子を、その最大感度方向が前記磁石体の
   磁極方向と直交する方向で、かつ磁気抵抗素子のバイア
   ス磁界の方向が磁石体の磁極の方向と略一致するように
   配設したことを特徴とする弁装置の弁体開閉量センサ。