JPH08279445A - Sog film forming method - Google Patents
Sog film forming methodInfo
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- JPH08279445A JPH08279445A JP8287895A JP8287895A JPH08279445A JP H08279445 A JPH08279445 A JP H08279445A JP 8287895 A JP8287895 A JP 8287895A JP 8287895 A JP8287895 A JP 8287895A JP H08279445 A JPH08279445 A JP H08279445A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）膜形成方法の改良に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、半導体素子製造に
おける平坦化膜、層間絶縁膜、保護膜、多層レジスト用
被膜などとして用いられるＳＯＧ膜の形成において、基
板上に塗布され設けられたＳＯＧ膜の不要部分を、取り
扱い易い溶剤を用いて、作業環境に悪影響をもたらすこ
となく容易に除去し、ＳＯＧ膜を効率よく形成させる方
法に関するものである。The present invention relates to SOG (Spin O
n Glass) film forming method. More specifically, the present invention eliminates the need for an SOG film applied and provided on a substrate in the formation of an SOG film used as a flattening film, an interlayer insulating film, a protective film, a coating film for a multi-layer resist in the manufacture of semiconductor elements. The present invention relates to a method for efficiently forming a SOG film by easily removing a portion using a solvent that is easy to handle without adversely affecting the working environment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体素子の製造においては、平
坦化膜、層間絶縁膜、保護膜、多層レジスト用被膜など
が用いられ、そして、これらの膜材料として、ＳＯＧ材
料が多用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a flattening film, an interlayer insulating film, a protective film, a multi-layer resist film, etc. have been used in the manufacture of semiconductor devices, and SOG materials are often used as these film materials.
【０００３】このＳＯＧ材料としては、これまで、アル
コキシシランの部分加水分解物を用いたゾル−ゲル法に
よるものが知られているが、このものは、被膜形成時に
おける膜収縮などの問題を有している。したがって、脱
ガス性が少なく、厚膜にしてもクラックの発生が少ない
無機系ＳＯＧ材料の実用化が望まれている。As the SOG material, a sol-gel method using a partial hydrolyzate of alkoxysilane has been known so far, but this material has a problem such as film shrinkage during film formation. are doing. Therefore, there is a demand for practical use of an inorganic SOG material that has a low degassing property and a small number of cracks even when the film is thick.
【０００４】このようなＳＯＧ材料としては、例えばポ
リシラザン系ＳＯＧ材料（特公昭６３−１６３２５号公
報）、ポリヒドリドシラン系ＳＯＧ材料（特開平３−１
１９０２８号公報、特公昭６３−６６４１８号公報）な
どが提案されている。Examples of such SOG materials include polysilazane SOG materials (Japanese Patent Publication No. 63-16325) and polyhydridosilane SOG materials (JP-A-3-1).
No. 19028, Japanese Patent Publication No. 63-66418) and the like are proposed.
【０００５】ところで、ＳＯＧ膜の形成方法としては、
一般にスピンナーと呼ばれる塗布装置を用い、このスピ
ンナー上にシリコンウエーハなどの被処理基板を真空密
着などの手段により固定し、次いで所要の回転速度でス
ピンナーを回転させながら、被処理基板の上方からＳＯ
Ｇ膜形成用塗布液を滴下し、スピンナーの回転による遠
心力を利用して基板表面全体にこれを一定の厚さに塗布
し、その後に加熱処理により溶媒の除去、及び硬膜化さ
せることによって形成している。しかし、回転塗布の最
中に、滴下した塗布液の一部がスピンナーケース内壁に
付着したり、被処理基板の裏面に回り込んだりして、ス
ピンナーケース内及びウエーハを汚染するため、これを
取り除くカップリンス、バックリンス処理が必要とな
る。また、被処理基板の周縁（エッジ）部に形成された
ＳＯＧ膜は、該基板の搬送工程において欠落し、やはり
処理室内の汚染、基板表面の汚染の原因となるため、上
記加熱処理前にエッジリンス処理によって取り除いてお
く必要がある。By the way, as a method of forming the SOG film,
A coating device generally called a spinner is used, a substrate to be processed such as a silicon wafer is fixed on the spinner by means such as vacuum adhesion, and then while rotating the spinner at a required rotation speed, an SO
By dropping the G film forming coating solution, applying a constant thickness to the entire surface of the substrate by utilizing the centrifugal force generated by the rotation of the spinner, and then removing the solvent and hardening the film by heat treatment. Is forming. However, during spin coating, a part of the dropped coating liquid adheres to the inner wall of the spinner case or wraps around the back surface of the substrate to be processed, which contaminates the inside of the spinner case and the wafer. Cup rinse and back rinse treatment are required. Further, the SOG film formed on the peripheral (edge) portion of the substrate to be processed is lost during the step of transferring the substrate, which also causes contamination in the processing chamber and contamination on the substrate surface. It must be removed by rinsing.
【０００６】従来、ＳＯＧ膜用のリンス液としては、通
常ＳＯＧ膜形成用塗布液に使用されている溶剤、例えば
アルコール系溶剤であるエチルアルコールやイソプロピ
ルアルコールなど（特開昭５７−１３５０５７号公報、
特開平６−２５０３８０号公報）、あるいはケトン系溶
剤であるアセトン（特開平６−２１８３２１号公報）な
どが用いられている。しかしながら、アルコール系溶剤
は極性が強く親水性であり、アルコキシシランの部分加
水分解物を用いたＳＯＧ膜に対しては良好な溶解性を示
すが、前記ポリシラザン系、ポリヒドリドシラン系のＳ
ＯＧ膜形成用塗布液に対して使用すると、塗布液中の、
≡ＳｉＮＲ−基や、＝ＳｉＨ−基などがアルコール分子
中の活性水素と反応して、水素ガスやアンモニアガス、
モノシラン（ＳｉＨ4）ガスなどの有害なガスを発生す
るという欠点がある。さらにリンス後の廃液をドレイン
タンクに封入して処理する場合にも、これらのガスが長
時間にわたって発生し続けるために、完全密封状態にし
にくく輸送が困難であった。一方、ケトン系、エーテル
系、及びエステル系などの溶剤は、分子中に活性水素は
有しないが、親水性であり、洗浄後の廃液が大気中の水
分を溶解し、その結果、廃液中の水分が≡ＳｉＮＲ−基
や、＝ＳｉＨ−基と反応し、上記と同様有害なガスを発
生するという欠点がある。Conventionally, as a rinse liquid for the SOG film, a solvent which is usually used in a coating liquid for forming an SOG film, such as an alcohol solvent such as ethyl alcohol or isopropyl alcohol, is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-135057.
JP-A-6-250380) or a ketone solvent such as acetone (JP-A-6-218321) is used. However, the alcohol-based solvent has strong polarity and hydrophilicity, and exhibits good solubility in an SOG film using a partial hydrolyzate of an alkoxysilane, but the polysilazane-based and polyhydridosilane-based S
When used for a coating liquid for forming an OG film,
≡SiNR-group, = SiH-group or the like reacts with active hydrogen in the alcohol molecule to produce hydrogen gas, ammonia gas,
There is a drawback in that harmful gas such as monosilane (SiH 4 ) gas is generated. Further, even when the waste liquid after rinsing is sealed in the drain tank for processing, these gases continue to be generated for a long time, so that it is difficult to achieve a completely sealed state and it is difficult to transport. On the other hand, ketone-based, ether-based, and ester-based solvents do not have active hydrogen in the molecule, but are hydrophilic and the waste liquid after cleaning dissolves water in the atmosphere, and as a result, There is a drawback that water reacts with ≡SiNR-groups or = SiH-groups to generate harmful gas as described above.
【０００７】また、前記ポリシラザン系やポリヒドリド
シラン系のＳＯＧ膜形成用塗布液をよく溶解する溶剤と
して、非極性の疎水性溶剤であるキシレン、トルエン、
ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶剤や、ハロゲン化炭
化水素系溶剤などが知られている。しかしながら、これ
らの溶剤を塗布液としてではなく、リンス液としてその
まま使用する際には、作業室内の換気を十分に行う必要
があり、またこれらの廃液を処理する場合には、外部に
漏らさないように、特に注意する必要があり、大量の処
理には不適当である。Further, as a solvent which dissolves the polysilazane-based or polyhydridosilane-based SOG film-forming coating solution well, non-polar hydrophobic solvents such as xylene and toluene,
Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and halogenated hydrocarbon solvents are known. However, when these solvents are used as a rinse liquid as they are, not as a coating liquid, it is necessary to adequately ventilate the inside of the work chamber, and when treating these waste liquids, do not let them leak outside. However, it requires special attention and is not suitable for large-scale processing.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、シラン構造やシラザン構造を含むＳＯＧ
膜形成用塗布液を用いて基板上にＳＯＧ膜を形成させる
際に、基板上に塗布され設けられたＳＯＧ膜の不要部分
を、大量使用時での取り扱いが容易な溶剤を用い、かつ
有害なガスの発生を伴わず作業環境を汚染することな
く、容易に除去しうる方法を提供することを目的として
なされたものである。Under the circumstances described above, the present invention provides an SOG containing a silane structure or a silazane structure.
When the SOG film is formed on the substrate using the film forming coating solution, unnecessary portions of the SOG film coated and provided on the substrate are treated with a solvent that is easy to handle even in a large amount of use and is harmful. The object of the present invention is to provide a method that can be easily removed without generating a gas and contaminating the working environment.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、不要なＳ
ＯＧ膜を除去するための溶媒について鋭意研究を重ねた
結果、溶剤として、特定の沸点及び水の溶解度を有する
脂肪族炭化水素系溶剤を用いることにより、作業環境を
汚染することなく、しかも効率よく、不要なＳＯＧ膜を
除去しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have found that unnecessary S
As a result of earnest studies on a solvent for removing the OG film, as a solvent, an aliphatic hydrocarbon solvent having a specific boiling point and water solubility is used, and thus the work environment is not polluted and the efficiency is improved. It was found that the unnecessary SOG film can be removed, and the present invention has been completed based on this finding.
【００１０】すなわち、本発明は、シラン構造又はシラ
ザン構造あるいはその両方を含むＳＯＧ膜形成用塗布液
を基板上の所定域に塗布してＳＯＧ膜を形成させる方法
において、上記所定域以外に付着したＳＯＧ膜の不要部
分に、沸点５０〜２００℃、水の溶解度０．１重量％以
下の脂肪族炭化水素系溶剤を吹き付けてこれを除去する
ことを特徴とするＳＯＧ膜形成方法を提供するものであ
る。That is, the present invention is a method of forming an SOG film by applying an SOG film-forming coating liquid containing a silane structure and / or a silazane structure to a predetermined region on a substrate to deposit the SOG film outside the predetermined region. A method for forming an SOG film, which comprises spraying an unnecessary portion of the SOG film with an aliphatic hydrocarbon solvent having a boiling point of 50 to 200 ° C. and a water solubility of 0.1% by weight or less to remove the solvent. is there.
【００１１】本発明方法においては、ＳＯＧ膜形成用塗
布液として、シラン構造又はシラザン構造あるいはその
両方を含むものが用いられる。In the method of the present invention, a coating liquid containing a silane structure, a silazane structure, or both is used as the SOG film forming coating liquid.
【００１２】前記シラン構造を有するものとしては、例
えばポリヒドリドシラン類が好ましく挙げられ、一方、
シラザン構造を有するものとしては、例えばポリシラザ
ン類が好ましく挙げられる。このポリヒドリドシラン類
及びポリシラザン類の製造方法については特に制限はな
く、従来公知の方法により製造することができる。As the one having the silane structure, for example, polyhydridosilanes are preferably mentioned, while
Preferred examples of those having a silazane structure include polysilazanes. The method for producing the polyhydridosilanes and the polysilazanes is not particularly limited, and they can be produced by a conventionally known method.
【００１３】前記ポリヒドリドシラン類は、例えば一般
式 Ｒ1ｎＳｉＨＸ3-n （Ｉ） （式中のＲ1は水素原子、アルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルシ
リル基又はアルキルアミノ基、Ｘはハロゲン原子、ｎは
０又は１である）で表わされるハロゲノヒドリドシラン
化合物を加水分解することにより得られる。The polyhydridosilanes can be prepared, for example, by the general formula R 1 nSiHX 3-n (I) (wherein R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group,
It is obtained by hydrolyzing a halogenohydridosilane compound represented by an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alkylsilyl group or an alkylamino group, X is a halogen atom, and n is 0 or 1.
【００１４】一方、ポリシラザン類は、例えば一般式 Ｒ2ｍＳｉＸ4-m （ＩＩ） （式中のＲ2は水素原子、アルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルシ
リル基又はアルキルアミノ基、Ｘはハロゲン原子、ｍは
１又は２であり、Ｒ2が２つある場合、２つのＲ2は同一
でも異なっていてもよい）で表わされるハロゲノシラン
化合物と、アンモニア又はアミン類とを、有機溶媒中で
反応させることにより得られる。On the other hand, polysilazanes are represented by, for example, the general formula R 2 mSiX 4-m (II) (wherein R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group,
Aryl group, aralkyl group, alkoxy group, alkylsilyl group or alkylamino group, X is a halogen atom, m is 1 or 2, and when two R 2 are present, the two R 2 may be the same or different. ) Is obtained by reacting a halogenosilane compound represented by) with ammonia or amines in an organic solvent.
【００１５】前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、
Ｒ1及びＲ2におけるアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、オクチル基、デシル基、シクロヘキシル基な
どが、アルケニル基としては、例えばビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテ
ニル基、デセニル基、シクロヘキセニル基などが、アリ
ール基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基などが、アラルキル基としては、例え
ばベンジル基、フェネチル基などが、アルコキシ基とし
ては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などが、アルキルシリル基としては、例えば
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基などが、アル
キルアミノ基としては、例えばジメチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基などが挙げられる。In the above general formulas (I) and (II),
Examples of the alkyl group in R 1 and R 2 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group and a cyclohexyl group, and an alkenyl group such as a vinyl group. An allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, an octenyl group, a decenyl group, a cyclohexenyl group, and the like, an aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, and the like, an aralkyl group, for example, Benzyl group, phenethyl group and the like, the alkoxy group, for example, methoxy group, ethoxy group, propoxy group,
A butoxy group and the like, an alkylsilyl group such as a trimethylsilyl group and a triethylsilyl group, and an alkylamino group such as a dimethylamino group and a diethylamino group.
【００１６】本発明においては、適当な有機溶媒中に、
前記ポリヒドリドシラン類やポリシラザン類などを溶解
させて、ＳＯＧ膜形成用塗布液を調製する。塗布液とし
ては、前記ポリヒドリドシラン類やポリシラザン類など
を１〜６０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の割合
で含有し、かつ常温における粘度が０．５〜５０センチ
ポアズ、好ましくは１〜２０センチポアズの範囲にある
ものが実用上好適である。この粘度は所望の膜厚などに
応じて、有機溶剤の種類や量を適宜選択することによ
り、調整することができる。In the present invention, in a suitable organic solvent,
The polyhydridosilanes, polysilazanes, and the like are dissolved to prepare an SOG film-forming coating liquid. The coating solution contains the polyhydridosilanes and polysilazanes in a proportion of 1 to 60% by weight, preferably 10 to 30% by weight, and has a viscosity at room temperature of 0.5 to 50 centipoise, preferably 1 to Those in the range of 20 centipoise are practically suitable. This viscosity can be adjusted by appropriately selecting the type and amount of the organic solvent according to the desired film thickness and the like.
【００１７】本発明においては、このようにして調製し
たＳＯＧ膜形成用塗布液を基板上の所定域に塗布する
が、その塗布方法については特に制限はなく、従来、Ｓ
ＯＧ膜の形成に慣用されている方法を用いることができ
る。例えばスピンナー上にシリコンウエーハなどの被処
理基板を真空密着などの手段により固定し、次いで所要
の回転速度でスピンナーを回転させながら、被処理基板
の上から、該ＳＯＧ膜形成用塗布液を滴下し、スピンナ
ーの回転による遠心力を利用して、基板表面の所定域に
一定の厚さに塗布する方法などを用いることができる。In the present invention, the SOG film-forming coating solution thus prepared is applied to a predetermined area on the substrate, but the application method is not particularly limited, and the conventional S
A method commonly used for forming an OG film can be used. For example, a substrate to be processed such as a silicon wafer is fixed on the spinner by means such as vacuum adhesion, and then the SOG film forming coating solution is dripped from above the substrate to be processed while rotating the spinner at a required rotation speed. Alternatively, a method of applying a uniform thickness to a predetermined area of the substrate surface by utilizing the centrifugal force generated by the rotation of the spinner can be used.
【００１８】次に、基板上の所定域以外に付着したＳＯ
Ｇ膜の不要部分に、溶剤を吹き付けて、これを除去する
（リンス処理）。本発明においては、この溶剤として、
沸点が５０〜２００℃の範囲にあり、かつ水の溶解度が
０．１重量％以下の脂肪族炭化水素系溶剤を用いること
が必要である。沸点が５０℃未満のものは蒸気圧が高く
て引火しやすく、かつ環境に悪影響をもたらすおそれが
あるし、２００℃を超えるとリンス処理後の乾燥が困難
となる。また、水の溶解度が０．１重量％を超えると溶
剤中の水分がＳＯＧ材料のシラン基やシラザン基と反応
して、水素ガス、アンモニアガス、モノシランガスなど
の有害なガスを発生させる場合がある。Next, the SO deposited on the substrate other than the predetermined area
The unnecessary portion of the G film is sprayed with a solvent to remove it (rinse treatment). In the present invention, as this solvent,
It is necessary to use an aliphatic hydrocarbon solvent having a boiling point in the range of 50 to 200 ° C. and a water solubility of 0.1% by weight or less. A substance having a boiling point of lower than 50 ° C has a high vapor pressure and is easily ignited, and may adversely affect the environment, and a temperature of higher than 200 ° C makes it difficult to dry after rinsing. When the solubility of water exceeds 0.1% by weight, water in the solvent may react with silane groups or silazane groups of the SOG material to generate harmful gas such as hydrogen gas, ammonia gas, monosilane gas. .
【００１９】前記性状を有する脂肪族炭化水素系溶剤と
しては種々のものがあるが、例えばシクロヘキセン、ジ
メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ‐メ
ンタン、デカリン、２，２，５‐トリメチルヘキサン及
びジペンテンが、大量使用時での取り扱いが容易で、か
つ有害なガスを発生することがない上、ＳＯＧ材料の溶
解除去性に優れるなどの点から、特に好適である。この
溶剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて
用いてもよい。There are various kinds of aliphatic hydrocarbon solvents having the above-mentioned properties. For example, cyclohexene, dimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, p-menthane, decalin, 2,2,5-trimethylhexane and dipentene are contained in a large amount. It is particularly preferable because it is easy to handle at the time of use, does not generate a harmful gas, and is excellent in the ability to dissolve and remove the SOG material. This solvent may be used alone or in combination of two or more kinds.
【００２０】このようにして、所定域以外に付着したＳ
ＯＧ膜の不要部分を除去したのち、乾燥処理することに
より、所望のＳＯＧ膜を形成することができる。In this way, the S deposited outside the predetermined area
A desired SOG film can be formed by removing unnecessary portions of the OG film and then performing a drying process.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によると、基板上の所定域以外に
付着したＳＯＧ膜の不要部分の除去に、活性水素をもた
ない疎水性の脂肪族炭化水素系溶剤を用いることによ
り、有害なガスの発生を抑えることができる。また、こ
の溶剤は大量使用時での取り扱いが容易であり、作業環
境の改善及び換気設備に係る費用の削減が期待でき、ま
た、廃液の精製や廃棄処理が容易であるなどの効果を奏
する。さらに、該溶剤はポリシラザン系樹脂やポリヒド
リドシラン系樹脂に対する溶解性に優れ、かつ消防法上
の安全性及び適度な乾燥性を有し、リンス処理時間及び
リンス後の乾燥処理の短縮化、並びに廃液処理が容易で
あるなどの効果を奏する。According to the present invention, by using a hydrophobic aliphatic hydrocarbon solvent having no active hydrogen to remove unnecessary portions of the SOG film attached to areas other than a predetermined area on the substrate, it is harmful. Generation of gas can be suppressed. Further, this solvent is easy to handle when used in a large amount, and it is expected that the working environment can be improved and the cost for ventilation equipment can be reduced, and the waste liquid can be easily purified and disposed of. Furthermore, the solvent has excellent solubility in polysilazane-based resins and polyhydridosilane-based resins, and has safety and appropriate drying properties under the Fire Service Law, and shortens the rinsing time and the drying process after rinsing, and It has effects such as easy treatment of waste liquid.
【００２２】[0022]
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。なお、以下に示す判定基準に従っ
て、廃液安定性、ゲルの析出性を評価した。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The waste liquid stability and gel precipitation were evaluated according to the following criteria.
【００２３】（１）廃液安定性 ○：洗浄後の廃液をドレインタンクに回収し、空気中で
密封して暗所にて３日間放置したのち、開封したところ
ガスの発生はみられなかった。 ×：洗浄後の廃液をドレインタンクに回収し、空気中で
密封して暗所にて半日間放置したのち、開封したところ
泡（ガス）の発生が確認された。 ××：洗浄後の廃液をドレインタンクに回収したとこ
ろ、ただちに泡（ガス）が発生した。(1) Waste liquid stability ◯: The waste liquid after cleaning was collected in a drain tank, sealed in air, left for 3 days in a dark place, and then opened, and no gas was observed. X: The waste liquid after cleaning was collected in a drain tank, sealed in air, left for a half day in the dark, and then opened, and generation of bubbles (gas) was confirmed. XX: Bubbles (gas) were immediately generated when the waste liquid after cleaning was collected in the drain tank.
【００２４】（２）ゲルの析出性 ○：１０００枚の洗浄処理においても、ゲル状物質の析
出はみられず。 ×：８００枚の洗浄処理において、廃液排出管付近にゲ
ル状物質の析出がみられた。 ××：３００枚の洗浄処理において、廃液排出管付近に
ゲル状物質の析出がみられた。(2) Precipitation of Gel ◯: No precipitation of gel-like substance was observed even after washing 1000 sheets. X: In the washing treatment of 800 sheets, precipitation of gel-like substance was observed near the waste liquid discharge pipe. XX: In the cleaning process of 300 sheets, precipitation of a gel-like substance was observed near the waste liquid discharge pipe.
【００２５】実施例１ スピンナーを用いた回転塗布法により、ポリシラザン系
ＳＯＧ材料であるＰＨＰＳ（平均分子量＝１７００〜２
１００、固形分２０重量％：東燃社製）をシリコンウエ
ーハ上に３０００ｒｐｍ、２０秒間で塗布し膜厚０．４
μｍの塗布膜を得た。次いで、回転数１５００ｒｐｍで
同装置のウエーハ裏面洗浄ノズルからシクロヘキセンを
１０ｍｌ／ｍｉｎ、５秒間噴射したところ、シリコンウ
エーハの周縁部及び裏面部のポリシラザン系ＳＯＧ材料
は完全に除去された。また洗浄処理後の廃液をドレイン
タンクに回収し、密封して暗所にて３日間放置したとこ
ろ水素ガス、アンモニアガス、モノシランガスなどのガ
スの発生は起こらなかった。廃液安定性、ゲルの析出性
を表１に示す。Example 1 By a spin coating method using a spinner, a polysilazane SOG material PHPS (average molecular weight = 1700 to 2) was used.
100, solid content 20% by weight: manufactured by Tonensha Co., Ltd.) was applied on a silicon wafer at 3000 rpm for 20 seconds to give a film thickness of 0.4.
A coating film of μm was obtained. Next, when cyclohexene was sprayed at 10 ml / min for 5 seconds from the wafer back surface cleaning nozzle of the same device at a rotation speed of 1500 rpm, the polysilazane-based SOG material on the peripheral portion and the back surface portion of the silicon wafer was completely removed. Further, when the waste liquid after the cleaning treatment was collected in a drain tank, sealed, and allowed to stand in a dark place for 3 days, generation of gas such as hydrogen gas, ammonia gas and monosilane gas did not occur. Table 1 shows the waste liquid stability and gel precipitation.
【００２６】実施例２〜７ 実施例１で使用したシクロヘキセンの代りに、ジメチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ‐メンタ
ン、デカリン、２，２，５‐トリメチルヘキサン、ジペ
ンテンを用いた以外は、実施例１と同様にして実施し
た。その結果を表１に示す。Examples 2 to 7 Example 1 was repeated except that dimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, p-menthane, decalin, 2,2,5-trimethylhexane and dipentene were used in place of the cyclohexene used in Example 1. It carried out similarly to. Table 1 shows the results.
【００２７】比較例１ 実施例１で使用したシクロヘキセンの代りに、メタノー
ルを用いた以外は、実施例１と同様にして実施したとこ
ろ、シリコンウエーハの周縁部及び裏面部のポリシラザ
ン系ＳＯＧ材料は完全に除去されたものの、廃液排出管
付近にゲル状物質の析出がみられた。また洗浄処理後の
廃液をドレインタンクに回収したところ、ただちに泡が
発生し、水素ガス、アンモニアガス、モノシランガスな
どのガスが検出された。廃液安定性、ゲルの析出性を表
１に示す。COMPARATIVE EXAMPLE 1 The procedure of Example 1 was repeated except that methanol was used in place of the cyclohexene used in Example 1, and the polysilazane-based SOG material at the peripheral portion and the back surface of the silicon wafer was completely removed. However, gel-like substances were deposited near the waste liquid discharge pipe. Further, when the waste liquid after the cleaning treatment was collected in the drain tank, bubbles were immediately generated, and gases such as hydrogen gas, ammonia gas, monosilane gas were detected. Table 1 shows the waste liquid stability and gel precipitation.
【００２８】比較例２〜比較例８ 実施例１で使用したシクロヘキセンの代りに、ｎ‐ヘキ
サノール、アセトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、
酢酸ｎ‐アミル、イソプロピルエーテル、エチレングリ
コールジエチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同
様にして実施した。その結果を表１に示す。Comparative Examples 2 to 8 Instead of the cyclohexene used in Example 1, n-hexanol, acetone, cyclohexanone, ethyl acetate,
It carried out like Example 1 except having used n-amyl acetate, isopropyl ether, and ethylene glycol diethyl ether. Table 1 shows the results.
【００２９】なお比較例２〜８で用いた溶剤は、いずれ
もシリコンウエーハの周縁部及び裏面部のポリシラザン
系ＳＯＧ材料を良く除去することができた。The solvents used in Comparative Examples 2 to 8 were able to remove the polysilazane-based SOG material on the peripheral portion and the back surface of the silicon wafer well.
【００３０】[0030]
【表１】 [Table 1]
Claims (2)
の両方を含むＳＯＧ膜形成用塗布液を基板上の所定域に
塗布してＳＯＧ膜を形成させる方法において、上記所定
域以外に付着したＳＯＧ膜の不要部分に、沸点５０〜２
００℃、水の溶解度０．１重量％以下の脂肪族炭化水素
系溶剤を吹き付けてこれを除去することを特徴とするＳ
ＯＧ膜形成方法。1. A method for forming an SOG film by applying an SOG film-forming coating liquid containing a silane structure, a silazane structure, or both to a predetermined region on a substrate, thereby eliminating the need for an SOG film deposited outside the predetermined region. Boiling point 50 to 2
S which is characterized by spraying an aliphatic hydrocarbon solvent having a solubility of water of 0.1% by weight or less at 00 ° C. to remove it.
OG film forming method.
ン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ｐ‐メンタン、デカリン、２，２，５‐トリメチルヘキ
サン及びジペンテンの中から選ばれた少なくとも１種で
ある請求項１記載の方法。2. The aliphatic hydrocarbon solvent is cyclohexene, dimethylcyclohexane, ethylcyclohexane,
The method according to claim 1, wherein the method is at least one selected from p-menthane, decalin, 2,2,5-trimethylhexane and dipentene.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287895A JPH08279445A (en) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | Sog film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287895A JPH08279445A (en) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | Sog film forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279445A true JPH08279445A (en) | 1996-10-22 |
Family
ID=13786547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8287895A Pending JPH08279445A (en) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | Sog film forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279445A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082848A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | Polysilazane-treating solvent and method for treating polysilazane by using such solvent |
| US7344603B2 (en) * | 2001-12-27 | 2008-03-18 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Solvent for treating polysilazane and method of treating polysilazane with the solvent |
| JP2009537305A (en) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | Treatment of polysilazane waste |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP8287895A patent/JPH08279445A/en active Pending
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| JP2009537305A (en) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | Treatment of polysilazane waste |
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