JPH08271746A - 光導波路およびその作製法 - Google Patents

光導波路およびその作製法

Info

Publication number
JPH08271746A
JPH08271746A JP7616495A JP7616495A JPH08271746A JP H08271746 A JPH08271746 A JP H08271746A JP 7616495 A JP7616495 A JP 7616495A JP 7616495 A JP7616495 A JP 7616495A JP H08271746 A JPH08271746 A JP H08271746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
optical waveguide
waveguide
optical
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7616495A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Tomaru
暁 都丸
Saburo Imamura
三郎 今村
Michiyuki Amano
道之 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP7616495A priority Critical patent/JPH08271746A/ja
Publication of JPH08271746A publication Critical patent/JPH08271746A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価で簡便に作製可能であり、しかも高性能
な光学素子等の導波路、特に単一モード用導波路であっ
て、数μmオーダー以下の位置合わせ精度で他の光部品
と容易にかつ低損失で光結合が可能な光導波路およびそ
の作製法を提供することにある。 【構成】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈折率
のクラッドとを少なくとも有する光導波路において、コ
アはエポキシ環を有するモノマーあるいはオリゴマーと
重合開始剤の混合物を光硬化または熱硬化したものであ
り、または、コアは不飽和基を有するモノマーあるいは
オリゴマーと重合開始剤の混合物を光硬化または熱硬化
したものであり、コアはシロキサン結合を有するモノマ
ーあるいはオリゴマーと重合開始剤の混合物を光硬化ま
たは熱硬化したものであり、混合物の粘度が、室温にお
いて10000cps以下であることが望ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野、光情報処
理分野において使用される光デバイス等に使用可能な光
導波路およびその作製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の導波路型光学素子等の光
導波路は、石英ガラス、あるいはLiNbO3 等の誘電
体結晶を材料として用いて作製されている。その作製に
は、微細加工を必要するため、LSIプロセスでよく用
いられるフォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセ
ス等が組み合わされていた。これについては、河内正夫
氏によるOptical and Quantum E
lectronics22巻391ページ(1990
年)が参考となる。
【0003】しかし、従来の作製法はその製造プロセス
が繁雑であり、使用される作製装置が高価なことから、
大量生産には適さず、安価な素子等の光導波路を作製で
きないという欠点があった。
【0004】また、従来の作製法により素子等の光導波
路を作製しても、その後に光ファイバ等の他の光部品と
光結合を行う際に精密な調整を要するため、大量生産に
は適していないという問題がある。
【0005】さらに、近時、より安価な材料や高分子材
料を用いて光導波路を作製することも行われている。こ
れについては、今村氏他によるElectronics
Letters 27巻1342ページ(1991
年)が参考となる。しかし、作製法としてガラス導波路
と同様な導波路作製法を用いるとすると、基板1枚ごと
に同じパターンニング工程を繰り返す必要があること、
エッチング装置が高価なこと等のため、材料的には安価
であっても全体のプロセスコストはガラス導波路と同程
度を要し、結果として安価とはならないという欠点があ
る。また、この場合にも、導波路を作製したとしても、
その後に光ファイバ等の他の光部品と光結合を行う際に
精密な調整を要するため、やはり大量生産には適してい
ないという問題がある。
【0006】そこで、プロセスコストを下げるため、あ
るいは光結合の繁雑さを避けるため、金型の転写による
射出成形等の高分子成形法により高分子導波路を作製す
る方法も提案されている。これは大量生産に適した作製
法ではあるが、数μmオーダーの加工精度が要求される
単一モード導波路の作製においては十分な光学特性を有
する導波路が実現できない欠点があった。
【0007】また、このような高分子成形法によりSi
基板に施したV溝加工を基にして作製した金型を用い
て、そのV溝を高分子導波路と一体化して作製し、その
V溝に配される光ファイバとの結合を簡便にして光学素
子等の導波路作製に関わるコストを下げるという考えも
提案されている。しかし、特に単一モード導波路と単一
モード光ファイバとの結合では数μmオーダー以下の位
置合わせ精度が特に要求されるため、十分に低い結合損
失を有する導波路を作製できない欠点があった。これら
はいずれも主に成形時に用いる金型寸法と成形後の高分
子部分の転写寸法とが大きく異なることに起因する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第1の目的
は、安価で簡便に作製可能であり、しかも高性能な光学
素子等の導波路、特に単一モード用導波路であって、数
μmオーダー以下の位置合わせ精度で他の光部品と容易
にかつ低損失で光結合が可能な光導波路を提供すること
にある。
【0009】本発明の第2の目的は、かかる光導波路の
効率的な作製法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するための要因について簡単に説明する。
【0011】(1)光学素子等の光導波路を作製する導
波路作製プロセスにおいては、大掛かりな装置を用い
ず、大量生産に適した加工法を用いること、(2)材料
コストが低く、加工が容易な高分子材料を用いること、
(3)光導波路を作製する際、光ファイバ等他光部品と
の位置合わせを考慮した金型を用い、作製後の光結合の
ための作業をできるだけ簡略化すること等が挙げられ
る。
【0012】本発明では、安価な高分子材料を、大量生
産に適した加工法である金型のパターンを転写する成形
加工により光導波路を作製することを基本としている。
この際の問題は、前述したように、成形時に用いる金型
寸法と成形後の高分子部分の転写寸法とが大きく異なっ
てしまうという点にある。これは例えば射出成形後では
高分子を成形するのに高温下で非常に大きな圧力をかけ
て成形し、その後室温まで冷却するといった方法をとる
ために、ガラス等に比較すると1桁以上大きい固有の熱
膨張係数を有する高分子材料を用いる場合には、成形時
に用いる金型寸法と成形後の高分子部分の転写寸法との
差を小さくすることは困難であることが多い。
【0013】そこで、上記第1の目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、コアと、該コアを囲み該コ
アよりも低屈折率のクラッドとを少なくとも有する光導
波路において、前記コアは、エポキシ環を有するモノマ
ーあるいはオリゴマーと重合開始剤の混合物を光硬化ま
たは熱硬化したものであることを特徴とする。
【0014】請求項2記載の発明は、コアと、該コアを
囲み該コアよりも低屈折率のクラッドとを少なくとも有
する光導波路において、前記コアは、不飽和基を有する
モノマーあるいはオリゴマーと重合開始剤の混合物を光
硬化または熱硬化したものであることを特徴とする。
【0015】請求項3記載の発明は、コアと、該コアを
囲み該コアよりも低屈折率のクラッドとを少なくとも有
する光導波路において、前記コアは、シロキサン結合を
有するモノマーあるいはオリゴマーと重合開始剤の混合
物を光硬化または熱硬化したものであることを特徴とす
る。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項1ないし3
のいずれかの項に記載の光導波路において、前記混合物
の粘度が、室温において10000cps以下であって
もよい。
【0017】また、上記第2目的を達成するために、請
求項5記載の発明は、所望のコアの形状を有する成型用
の型を用い、かつ光硬化性のコア用原料を主とした光学
材料を光照射あるいは加熱により硬化させてコアを形成
する工程を有する光導波路の作製法において、該成型用
の型が光透過性を有し、該光照射が該成型用の型を通し
て行われることを特徴とする。
【0018】本発明の作製法では、光あるいは、熱によ
り硬化するタイプの高分子材料を用い、特に熱をかける
場合でもそれほど高温を必要としなくても硬化する材料
を用いることにより、成形時に用いる金型寸法と成形後
の高分子部分の転写寸法との差をできるだけ小さくする
ことができる。
【0019】また、本発明の光導波路の作製法では、光
あるいは、熱により硬化するタイプの材料の構造もエポ
キシ環、不飽和基、シリコーン等を有するため、硬化収
縮が少ない。このため、成形時に用いる金型寸法と成形
後の高分子部分の転写寸法との差を小さくすることがで
きる。
【0020】さらに、本発明の光導波路の作製法では、
用いられる成形用の型の構造を特定のものとすることに
より光導波路と、光ファイバを載置するためのV溝とを
一体で作製することができる。これにより、光導波路と
光ファイバとの光結合を精度よく簡便にできる。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0022】まず、図1の(a)〜(e)を本発明の光
導波路の作製法の一実施例を説明する。
【0023】図1の(a)に示すように、所望の形状に
加工された基板1上にスピンコート、ディッピング等の
手段により塗布層2を設ける。この塗布層2を形成する
材料としては室温で流動性を示し、かつ、後述の例えば
光照射により硬化し、しかも硬化収縮の比較的小さい性
質を有するモノマーあるいはオリゴマーを挙げることが
できる。
【0024】次に、(b)に示すように、塗布層2の上
に、所望の形状の長尺凸部3aを有する成形用の型3を
被せる。この型3は、本実施例では上記塗布層2を硬化
させるのに利用される波長の光(紫外線)を少なくとも
透過する材料から形成されている。この型3の上方から
上記透過波長の光4を照射して塗布層2を硬化させて下
部クラッドとなる硬化膜5aを形成する。勿論、光照射
時に、上記塗布層2を所定の温度で加熱して硬化させて
もよい。
【0025】次に、(c)に示すように、型3を除去す
ると、硬化膜5aの上部に型3の長尺凸部3aに対応し
た形状、寸法の溝を露出させ、その溝内にコア材料を収
容し、コア材料層6を形成する。このコア材料6として
は、硬化時に下部クラッドである硬化膜5aよりも屈折
率が高くなり、かつ室温で流動性を示すモノマーあるい
はオリゴマーを挙げることができる。
【0026】この工程(c)においては、溝内に光照射
または加熱により硬化させる材料を挿入するが、その材
料の粘度が10000cps以上の材料では溝中にのみ
挿入することが困難であり、硬化後その余剰部分を除去
するのにドライエッチング等の工程が必要となるため、
溝部に挿入する材料の粘度は10000cps以下が望
ましい。
【0027】次に、(d)に示すように、再び光照射4
によりコア材料層6を硬化させ、硬化膜7とする。勿
論、光照射時に、上記コア材料層6を所定の温度で加熱
して硬化させてもよい。この際、溝からはみ出したコア
材料層6の余剰部分がある場合にはドライエッチング等
により除去する。
【0028】次に、(e)に示すように、硬化膜5およ
び7の上に塗布層2と同様の材料を塗布した後、光照射
により上部クラッドとなる硬化膜5bを形成してコアと
上下クラッドとから構成された目的の導波路型の光学素
子8を得ることができる。
【0029】次に、図2を参照して上記実施例の変形例
を説明する。
【0030】まず、図2の(a)は図1の(a)と同一
の状態を示している。本変形例では、図1の(b)にお
ける長尺凸部3aを有する型3を用いずに、図2の
(b)に示すように塗布層2を光照射あるいは加熱によ
り硬化させて下部クラッドとなる硬化膜5aとする。一
方、型9の上部に形成された長尺凹部9a内にコア材料
を収容し、コア材料層6を形成する。このコア材料とし
ては前述と同様に硬化時に硬化膜5aより屈折率の高く
なる室温で流動性を示すモノマーあるいはオリゴマーを
挙げることができる。このコア材料も、前述したよう
に、溝内への挿入困難性等を考慮してその粘度は100
00cps以下が望ましい。
【0031】次に、(c)に示すように硬化膜5aを下
側にした状態で基板1を型9上に載せ、型9が透明性で
あれば、型9の下方から光照射し、または加熱してコア
材料層6を硬化させてコアリッジ10を形成する。型9
を取り除くと、(d)に示すように、コアリッジ10が
硬化膜5a上に突出するように露出する。次に、このコ
アリッジ10および硬化膜5aの上に塗布層2を形成す
る材料と同様の材料を塗布し、光照射あるいは加熱によ
り硬化させて上部クラッドとなる硬化膜5bを形成す
る。このような各工程を経て、(e)に示すように、コ
アと上下クラッドとから構成された目的の導波路型の光
学素子8を得ることができる。
【0032】以下、具体的な例を挙げて本発明を詳細に
説明する。
【0033】(実施例1)本発明の光導波路の作製法に
ついて説明する。図3に示したのはその作製手順であ
る。
【0034】まず、(a)に示すように、基板21を用
意し、この上にスピンコート法により下部クラッド材料
としてエポキシ系UVモノマー(粘度1000cps)
を塗布し、塗布層22を形成する。この塗布材料の主成
分は次の一般式
【0035】
【化1】
【0036】(ここで、nは0以上の整数である)で表
されるか、あるいは次の一般式
【0037】
【化2】
【0038】で表される。この塗布層22の上には、
(b)に示すようにガラス性の型24を被せる。この型
24は、その下側に幅10μm、高さ10μm、長さ5
0mmの凸部24aを有するものである。塗布層22上
に型24を被せた状態で、紫外線照射25により塗布層
22を光硬化させ、(c)に示すように導波路の下部ク
ラッド23aを形成する(屈折率n=1.51、波長
1.31μm)。この下部クラッド23aの上には、型
24の凸部24aの形状に従って凹部が形成される。
【0039】次に、(d)に示すように、この下部クラ
ッド23aの凹部内に、塗布層22を形成する材料の主
成分と同一の主成分を有し、コア材料となるエポキシ系
UVモノマー材料(粘度100cps)を挿入してコア
材料層26を形成する。この際、コア材料のモノマーの
粘度が100cps以下のものを選ぶと、ほぼ溝(凹
部)のみに挿入でき、はみ出した材料の除去工程を省略
することができる。
【0040】次に、(e)に示すように、紫外線照射に
よりモノマーのコア材料層26を光硬化させて、コア2
7を形成する。このコア27は、幅7μm、高さ7μm
の寸法を有している(屈折率n=1.52、波長1.3
1μm)。
【0041】次に、(f)に示すように、コア27およ
び下部クラッド23aの上に、塗布層22を形成する材
料と同一の材料であるエポキシ系UVモノマーを塗布
し、紫外線照射により硬化させて上部クラッド23bを
形成する。これにより、コアと上下クラッドとから構成
された光導波路28を作製することができる。
【0042】得られた光導波路28についてLD光源
(波長1.31μm)を用いて導波路損失を測定したと
ころ、導波路損失は0.3dB/cmであった。
【0043】(実施例2)コア材料および上下クラッド
材料の主成分として下記の不飽和基を有するモノマーを
用いた以外は、実施例1と同様の作製法により導波路型
の光学素子を作製したところ、導波路損失は0.1dB
/cmであった(クラッド屈折率n=1.47、コア屈
折率n=1.48、コア幅7μm、高さ7μm)。
【0044】
【化3】
【0045】
【化4】
【0046】(実施例3)コア材料および上下クラッド
材料の主成分として下記のシロキサン結合を有するモノ
マーを用いた以外は、実施例1と同様の作製法により導
波路型の光学素子を作製したところ、導波路損失は0.
1dB/cm(波長1.3μm)、0.5dB/cm
(波長1.55μm)であった(クラッド屈折率n=
1.50、コア屈折率n=1.51、コア幅7μm、高
さ7μm)。なお、シロキサン結合を有するモノマーを
下記の一般式で表すが、式中、nは自然数である。
【0047】
【化5】
【0048】
【化6】
【0049】(実施例4)本発明方法によるV溝付導波
路の作製法について説明する。図4に示したのはその作
製手順である。
【0050】まず、(a)に示すように、基板30を用
意し、この上にエポキシ系UVモノマーを塗布し、塗布
層31を形成する。
【0051】一方、(b)に示すように、ガラス性の型
32を用意する。この型32は、その下側の一部にV字
形状凸部33を有するものである。この凸部33は、開
き角60°、高さ150μm、幅170μm、長さ20
mmの寸法を有している。
【0052】次に、(c)に示すように、型32を塗布
層31上に被せ、型32の上方からUV光源により紫外
線照射34を行って露光し、光硬化させ、下部クラッド
(屈折率n=1.51、波長1.31μm)35aを形
成する。塗布層31は型32の下側の凸形状に従って硬
化し、下部クラッド35aの上面にV溝36が形成され
る。このV溝36は、開き角60°、高さ150μm、
長さ20mmの寸法を有している。
【0053】他方、(d)に示すように、他の型37を
用意する。この型37の下側には、型32の凸部33と
同寸法の凸部38が形成され、この凸部38の中央側の
端部から凸部38の長さ方向に沿って延びる細溝部39
が形成されている。この細溝部39は、深さ10μm、
幅10μm、長さ40mmの寸法を有している。
【0054】次に、(e)に示すように、型37の細溝
部39にコアとなるエポキシ系UVモノマー300を挿
入すると共に、(c)に示したように基板30の下部ク
ラッド35aを密着させる。次いで、(f)に示すよう
に、型37の下方から光照射してモノマー300を硬化
させ、コアリッジ301を下部クラッド35a上に密着
した状態で形成する。この際、下部クラッド35aの上
に形成されていたV溝36と型37のV字形状凸部38
とを正確に合わせることにより、(f)に示すように幅
10μm、高さ10μmのコアリッジ(屈折率n=1.
52、波長1.31μm)301をV溝36の位置に合
わせて作製する。
【0055】次に、(g)に示すように、再びエポキシ
系UVモノマー31を塗布し、光照射により硬化させて
上部クラッド35bを形成する。これにより、コアリッ
ジ301、上下クラッド35aおよび35bを含むV溝
付導波路302を作製することができる。この導波路3
02のV溝36には、光ファイバを固定することができ
るが、V溝36がコアリッジ301と一体に形成されて
いるので、その光ファイバとコアリッジ301との光結
合に際し、その位置決めを容易にかつ低接続損失で行う
ことができる。なお、本実施例において、光ファイバを
挿入する溝形状としてV溝を用いたが光ファイバが挿入
できる形状であればV溝でなくてもよいことは勿論であ
る。
【0056】得られた導波路302の外観を図4の
(h)に示す。このV溝36に光ファイバを固定し、L
D光源(波長1.31μm)を用いて導波路損失を測定
したところ、ファイバとの接続損失は0.2dB、導波
路損失は0.3dB/cmであった。
【0057】なお、上記実施例のいずれにおいても光硬
化剤を用いた光導波路の作製例を示したが、熱により重
合させる場合は重合開始剤の種類を変えることにより同
様な作製が行える。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価で簡便に作製可能であり、しかも高性能な光学素子
等の導波路、特に単一モード用導波路であって、数μm
オーダー以下の位置合わせ精度で他の光部品と容易にか
つ低損失で光結合が可能な光導波路を提供することがで
きる。
【0059】また、本発明によれば、光導波路と光ファ
イバ固定用の溝とが一体に設けられているので、その溝
に固定された光ファイバと光導波路との光結合を精度よ
く、簡便に低損失で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(e)は、それぞれ本発明の光導波路
の作製法の一実施例における各工程を示す断面図であ
る。
【図2】(a)〜(e)は、それぞれ本発明の光導波路
の作製法の他の実施例における各工程を示す断面図であ
る。
【図3】(a)〜(f)は、それぞれ本発明の光導波路
の作製法のさらに他の実施例における各工程を示す図で
あって、(a)は断面図であり、(b)〜(f)は斜視
図である。
【図4】(a)〜(h)は、それぞれ本発明の光導波路
の作製法の他の実施例における各工程を示す図であっ
て、(a)、(c)、(e)〜(g)は断面図であり、
(b)、(d)および(h)は斜視図である。
【符号の説明】
1 基板 2 室温で流動性を示すモノマーあるいはオリゴマー 3 成形用の型 4 光照射あるいは加熱 5a 下部クラッド 5b 上部クラッド 6 コア材料層 7 コア 8 導波路型の光学素子 9 成形用の型 9a 凹部 10 コアリッジ 21 基板 22 エポキシ系UVモノマー 23a 下部クラッド 23b 上部クラッド 24 成形用の型 25 光照射 26 コア材料層 27 コア 28 直線導波路 30 基板 31 エポキシ系UVモノマー 32 成形用の型 33 V字形状凸部 34 紫外線照射 35a 下部クラッド 35b 上部クラッド 36 V溝 37 成形用の型 38 V字形状凸部 39 細溝部 300 コア材料 301 コアリッジ 302 V溝付導波路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記コアは、エポキシ環を有するモノマーあるいはオリ
    ゴマーと重合開始剤の混合物を光硬化または熱硬化した
    ものであることを特徴とする光導波路。
  2. 【請求項2】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記コアは、不飽和基を有するモノマーあるいはオリゴ
    マーと重合開始剤の混合物を光硬化または熱硬化したも
    のであることを特徴とする光導波路。
  3. 【請求項3】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記コアは、シロキサン結合を有するモノマーあるいは
    オリゴマーと重合開始剤の混合物を光硬化または熱硬化
    したものであることを特徴とする光導波路。
  4. 【請求項4】 前記混合物の粘度が、室温において10
    000cps以下であることを特徴とする請求項1ない
    し3のいずれかの項に記載の光導波路。
  5. 【請求項5】 所望のコアの形状を有する成型用の型を
    用い、かつ光硬化性のコア用原料を主とした光学材料を
    光照射あるいは加熱により硬化させてコアを形成する工
    程を有する光導波路の作製法において、 該成型用の型が光透過性を有し、該光照射が該成型用の
    型を通して行われることを特徴とする光導波路の作製
    法。
JP7616495A 1995-03-31 1995-03-31 光導波路およびその作製法 Pending JPH08271746A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7616495A JPH08271746A (ja) 1995-03-31 1995-03-31 光導波路およびその作製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7616495A JPH08271746A (ja) 1995-03-31 1995-03-31 光導波路およびその作製法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08271746A true JPH08271746A (ja) 1996-10-18

Family

ID=13597438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7616495A Pending JPH08271746A (ja) 1995-03-31 1995-03-31 光導波路およびその作製法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08271746A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170739A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路及びその作製方法
JPH10170738A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路及びその作製方法
US6537723B1 (en) 1998-10-05 2003-03-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US7366381B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Jsr Corporation Optical waveguide chip and optical component comprising same
US7394965B2 (en) 2004-03-23 2008-07-01 Jsr Corporation Photosensitive resin composition for optical waveguide formation and optical waveguide
US7604758B2 (en) 2003-12-19 2009-10-20 Fuji Xerox Co., Ltd. Process for producing polymer optical waveguide
US7847017B2 (en) 2005-11-10 2010-12-07 Nec Corporation Photosensitive resin composition for optical waveguide formation, optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2016071256A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 住友大阪セメント株式会社 光変調器

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170739A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路及びその作製方法
JPH10170738A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路及びその作製方法
US6537723B1 (en) 1998-10-05 2003-03-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6806040B2 (en) 1998-10-05 2004-10-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6933097B2 (en) 1998-10-05 2005-08-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US7358036B2 (en) 1998-10-05 2008-04-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US7366381B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Jsr Corporation Optical waveguide chip and optical component comprising same
US7604758B2 (en) 2003-12-19 2009-10-20 Fuji Xerox Co., Ltd. Process for producing polymer optical waveguide
US7394965B2 (en) 2004-03-23 2008-07-01 Jsr Corporation Photosensitive resin composition for optical waveguide formation and optical waveguide
US7847017B2 (en) 2005-11-10 2010-12-07 Nec Corporation Photosensitive resin composition for optical waveguide formation, optical waveguide and method for producing optical waveguide
US8414733B2 (en) 2005-11-10 2013-04-09 Nec Corporation Photosensitive resin composition for optical waveguide formation, optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2016071256A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 住友大阪セメント株式会社 光変調器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6488414B1 (en) Optical fiber component with shaped optical element and method of making same
US7561773B2 (en) Optical waveguide, method of manufacturing the same and optical communication module
EP0782714B1 (en) A method of making an optical waveguide device
US5343544A (en) Integrated optical fiber coupler and method of making same
US6606442B2 (en) Optical waveguide component and a method of producing the same
US6466707B1 (en) Phasar athermalization using a slab waveguide
US6962667B2 (en) Process for producing polymer optical waveguide
US5136678A (en) Optical wave guide array
EP1701188A1 (en) Process for producing optical waveguide
JPH08327842A (ja) 光導波路
JP2004144987A (ja) 高分子光導波路の製造方法
JPH1090544A (ja) 導波路型光学素子の作製法
JP2006267501A (ja) サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール
US6870992B2 (en) Alignment apparatus and methods for transverse optical coupling
JP4265293B2 (ja) 鋳型及びコネクタ一体型高分子光導波路の製造方法
TWI275848B (en) Multi-fiber optic device
JPH08271746A (ja) 光導波路およびその作製法
JPS61138903A (ja) 光導波路の製造方法
JP2006508399A (ja) 光描画可能な重合性複合材料に基づく光学素子構造
US7542646B2 (en) Optical waveguide and method of manufacturing the same
JP2004226941A (ja) 高分子光導波路及び光学素子の製造方法並びに光学素子
JP2007501433A (ja) 光ファイバの光素子との受動的位置合せ
JP4292892B2 (ja) 積層型高分子光導波路の製造方法及びこの方法により作製される積層型高分子光導波路
JP4534415B2 (ja) 高分子光導波路の製造方法
JPH08327844A (ja) 光導波路の作製方法