JPH08264848A - エッジジョセフソン接合素子およびその製造方法 - Google Patents
エッジジョセフソン接合素子およびその製造方法Info
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- JPH08264848A JPH08264848A JP7207977A JP20797795A JPH08264848A JP H08264848 A JPH08264848 A JP H08264848A JP 7207977 A JP7207977 A JP 7207977A JP 20797795 A JP20797795 A JP 20797795A JP H08264848 A JPH08264848 A JP H08264848A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 基板１１上にｃ−軸配向性を有するＹＢ
ａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極１２、上部電極１５
を形成し、下部電極１２にステップテラス１７、ステッ
プ側面１８を形成し、下部電極１２のステップテラス１
７、ステップ側面１８が形成された部分を含む領域と上
部電極１５との間にペロウスカイト構造のＰｒＧａＯ3
からなるトンネル絶縁膜１４を設け、トンネル絶縁膜１
４の膜厚をＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜のｃ−軸方向のコヒー
レンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒ
ーレンス長よりも薄くし、下部電極１２、上部電極１５
に接続された電極端子１６ａ、１６ｂを設け、電極端子
１６ａと上部電極１５、電極端子１６ｂとを分離する層
間絶縁膜１３を設ける。 【効果】 素子特性が良好となり、また超伝導ジョセフ
ソントンネル接合を確実に実現することができ、さらに
高速化が実現できる。
ａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極１２、上部電極１５
を形成し、下部電極１２にステップテラス１７、ステッ
プ側面１８を形成し、下部電極１２のステップテラス１
７、ステップ側面１８が形成された部分を含む領域と上
部電極１５との間にペロウスカイト構造のＰｒＧａＯ3
からなるトンネル絶縁膜１４を設け、トンネル絶縁膜１
４の膜厚をＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜のｃ−軸方向のコヒー
レンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒ
ーレンス長よりも薄くし、下部電極１２、上部電極１５
に接続された電極端子１６ａ、１６ｂを設け、電極端子
１６ａと上部電極１５、電極端子１６ｂとを分離する層
間絶縁膜１３を設ける。 【効果】 素子特性が良好となり、また超伝導ジョセフ
ソントンネル接合を確実に実現することができ、さらに
高速化が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は超伝導薄膜を用い
たエッジジョセフソン接合素子およびその製造方法に関
するものである。
たエッジジョセフソン接合素子およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】１９８６年に発見されたＬａ2-xＭxＣｕ
Ｏ4（Ｍ：Ｓｒ、Ｂａ、０＜ｘ＜１）は超伝導転移温度
ＴCが３０〜４０Ｋと従来の金属超伝導体の超伝導転移
温度ＴCと比較して著しく高いことから、酸化物超伝導
体の探索が進められ、超伝導転移温度ＴC〜９０Ｋを有
するＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏx系酸化物超伝導体（Ｌｎ：Ｙお
よびランタニド元素）、超伝導転移温度ＴC〜１１０Ｋ
を有するＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体、超伝
導転移温度ＴC〜１２０Ｋを有するＴｌＢａＣａＣｕＯx
系酸化物超伝導体、超伝導転移温度ＴC〜１６０Ｋを有
するＨｇＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体の発見が相
次いだ。これらの新しいいわゆる高温超伝導体の出現と
ともに、電子デバイスの応用に向けて高温超伝導体の研
究が活発化した。
Ｏ4（Ｍ：Ｓｒ、Ｂａ、０＜ｘ＜１）は超伝導転移温度
ＴCが３０〜４０Ｋと従来の金属超伝導体の超伝導転移
温度ＴCと比較して著しく高いことから、酸化物超伝導
体の探索が進められ、超伝導転移温度ＴC〜９０Ｋを有
するＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏx系酸化物超伝導体（Ｌｎ：Ｙお
よびランタニド元素）、超伝導転移温度ＴC〜１１０Ｋ
を有するＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体、超伝
導転移温度ＴC〜１２０Ｋを有するＴｌＢａＣａＣｕＯx
系酸化物超伝導体、超伝導転移温度ＴC〜１６０Ｋを有
するＨｇＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体の発見が相
次いだ。これらの新しいいわゆる高温超伝導体の出現と
ともに、電子デバイスの応用に向けて高温超伝導体の研
究が活発化した。
【０００３】電子デバイスに超伝導薄膜を用いる場合に
不可欠となる技術が超伝導薄膜／トンネル絶縁膜／超伝
導薄膜の接合作製技術である。酸化物超伝導体の発見当
初、超伝導転移温度ＴCの高い超伝導薄膜はｃ−軸配向
性を有していたため、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜
を用いた積層型ジョセフソン接合素子の作製が多く試み
られた。ところが、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜を
用いた積層型ジョセフソン接合素子においては２つの問
題点がある。
不可欠となる技術が超伝導薄膜／トンネル絶縁膜／超伝
導薄膜の接合作製技術である。酸化物超伝導体の発見当
初、超伝導転移温度ＴCの高い超伝導薄膜はｃ−軸配向
性を有していたため、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜
を用いた積層型ジョセフソン接合素子の作製が多く試み
られた。ところが、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜を
用いた積層型ジョセフソン接合素子においては２つの問
題点がある。
【０００４】まず第１に、ｃ−軸配向性を有する超伝導
薄膜の平坦化には大きな困難が伴う。すなわち、通常一
般的に用いられるスパッタリング法、レーザー蒸着法、
分子線エピタキシ法（ＭＢＥ法）等の物理蒸着法による
酸化物高温超伝導薄膜の表面はスパイラル成長形態を持
っている。図９は通常の物理蒸着法による酸化物高温超
伝導薄膜の平面模式図、図１０は図９のＡ−Ａ断面図で
ある。図に示すように、基板１上にｃ−軸配向性を有す
る酸化物高温超伝導薄膜からなる下部電極２を形成した
ときには、超伝導薄膜が螺旋転位１０を中心とするスパ
イラル成長し、超伝導薄膜にステップテラス７が形成さ
れ、ステップ側面８の高さは超伝導薄膜がＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏx薄膜の場合には１２Å（ｃ−軸長）の整数倍とな
る。このことはネイチャー（Ch. Geeber et al., Natur
e, 350 (1991) 279）等で明らかである。このため、超
伝導薄膜は成長するに従い螺旋転位１０に起因するスパ
イラル成長が顕在化して、超伝導薄膜の表面は数百Å台
の大きな凹凸ができる。
薄膜の平坦化には大きな困難が伴う。すなわち、通常一
般的に用いられるスパッタリング法、レーザー蒸着法、
分子線エピタキシ法（ＭＢＥ法）等の物理蒸着法による
酸化物高温超伝導薄膜の表面はスパイラル成長形態を持
っている。図９は通常の物理蒸着法による酸化物高温超
伝導薄膜の平面模式図、図１０は図９のＡ−Ａ断面図で
ある。図に示すように、基板１上にｃ−軸配向性を有す
る酸化物高温超伝導薄膜からなる下部電極２を形成した
ときには、超伝導薄膜が螺旋転位１０を中心とするスパ
イラル成長し、超伝導薄膜にステップテラス７が形成さ
れ、ステップ側面８の高さは超伝導薄膜がＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏx薄膜の場合には１２Å（ｃ−軸長）の整数倍とな
る。このことはネイチャー（Ch. Geeber et al., Natur
e, 350 (1991) 279）等で明らかである。このため、超
伝導薄膜は成長するに従い螺旋転位１０に起因するスパ
イラル成長が顕在化して、超伝導薄膜の表面は数百Å台
の大きな凹凸ができる。
【０００５】第２に、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx系酸化物高温超
伝導体、ＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化物高温超伝導体等
の酸化物高温超伝導体は異方性があり、ｃ−軸方向のコ
ヒーレンス長ξc（〜２Å）はａ−軸方向、ｂ−軸方向
のコヒーレンス長ξa、ξb（〜２０Å）に対して短いか
ら、トンネル絶縁膜を薄くする必要がある。このため、
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜については超伝導接合を目指し
て、コヒーレンス長の点から有利なａ−軸配向性を有す
る超伝導薄膜が作製されてきた。しかし、ａ−軸配向性
を有する超伝導薄膜は超伝導特性が劣るため、素子特性
が劣るという欠点がある。
伝導体、ＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化物高温超伝導体等
の酸化物高温超伝導体は異方性があり、ｃ−軸方向のコ
ヒーレンス長ξc（〜２Å）はａ−軸方向、ｂ−軸方向
のコヒーレンス長ξa、ξb（〜２０Å）に対して短いか
ら、トンネル絶縁膜を薄くする必要がある。このため、
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜については超伝導接合を目指し
て、コヒーレンス長の点から有利なａ−軸配向性を有す
る超伝導薄膜が作製されてきた。しかし、ａ−軸配向性
を有する超伝導薄膜は超伝導特性が劣るため、素子特性
が劣るという欠点がある。
【０００６】このため、超伝導性に優れるｃ−軸配向性
を有する超伝導薄膜の一部をエッチングし、ａ−軸方
向、ｂ−軸方向の露出した部分を用いるエッジ接合を有
するジョセフソン接合素子が考えられている。
を有する超伝導薄膜の一部をエッチングし、ａ−軸方
向、ｂ−軸方向の露出した部分を用いるエッジ接合を有
するジョセフソン接合素子が考えられている。
【０００７】図１１はこのようなジョセフソン接合素子
を示す概略断面図である。図に示すように、基板１上に
ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜たとえばｃ−軸配向性
を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極２、上
部電極５が形成され、下部電極２と上部電極５との間に
ジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜４が設けられ、
下部電極２、上部電極５に接続された電極端子６ａ、６
ｂが設けられ、下部電極２、電極端子６ａと上部電極５
とを分離する層間絶縁膜３が設けられている。
を示す概略断面図である。図に示すように、基板１上に
ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜たとえばｃ−軸配向性
を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極２、上
部電極５が形成され、下部電極２と上部電極５との間に
ジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜４が設けられ、
下部電極２、上部電極５に接続された電極端子６ａ、６
ｂが設けられ、下部電極２、電極端子６ａと上部電極５
とを分離する層間絶縁膜３が設けられている。
【０００８】つぎに、図１１に示したジョセフソン接合
素子の製造方法について説明する。まず、基板１上にｃ
−軸配向性を有する超伝導薄膜、絶縁膜を蒸着する。つ
ぎに、この蒸着膜の一部をマスクで覆い、たとえば４０
°で斜めイオンミリングし、下部電極２のエッジ部分を
形成する。つぎに、絶縁膜を蒸着してトンネル絶縁膜４
を形成し、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜を蒸着して
上部電極５を形成する。つぎに、下部電極２上の絶縁膜
の一部をイオンミリングにより除去し、電極端子６ａと
なる部分を除いて絶縁層上にさらに絶縁層を蒸着により
形成する。つぎに、蒸着により電極端子６ａ、６ｂを設
ける。
素子の製造方法について説明する。まず、基板１上にｃ
−軸配向性を有する超伝導薄膜、絶縁膜を蒸着する。つ
ぎに、この蒸着膜の一部をマスクで覆い、たとえば４０
°で斜めイオンミリングし、下部電極２のエッジ部分を
形成する。つぎに、絶縁膜を蒸着してトンネル絶縁膜４
を形成し、ｃ−軸配向性を有する超伝導薄膜を蒸着して
上部電極５を形成する。つぎに、下部電極２上の絶縁膜
の一部をイオンミリングにより除去し、電極端子６ａと
なる部分を除いて絶縁層上にさらに絶縁層を蒸着により
形成する。つぎに、蒸着により電極端子６ａ、６ｂを設
ける。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１１に示し
たジョセフソン接合素子においては、斜めイオンミリン
グにより下部電極２のエッジ部分を形成する際に、下部
電極２の接合部が加速されたイオンの照射を受け、ダメ
ージ部分９が生じ、下部電極２の界面部分の超伝導が劣
化し、超伝導ジョセフソントンネル接合とならないこと
がある。
たジョセフソン接合素子においては、斜めイオンミリン
グにより下部電極２のエッジ部分を形成する際に、下部
電極２の接合部が加速されたイオンの照射を受け、ダメ
ージ部分９が生じ、下部電極２の界面部分の超伝導が劣
化し、超伝導ジョセフソントンネル接合とならないこと
がある。
【００１０】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、素子特性が良好であり、また超伝導ジョ
セフソントンネル接合を確実に実現することができるエ
ッジジョセフソン接合素子、その製造方法を提供するこ
とを目的とする。
されたもので、素子特性が良好であり、また超伝導ジョ
セフソントンネル接合を確実に実現することができるエ
ッジジョセフソン接合素子、その製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、超伝導薄膜を用いたエッジジ
ョセフソン接合素子において、ｃ−軸配向性を有し、螺
旋転位を有する第１の超伝導薄膜からなる第１の電極の
ステップ側面に上記第１の超伝導薄膜のｃ−軸方向のコ
ヒーレンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方向の
コヒーレンス長よりも薄いトンネル絶縁膜を形成し、上
記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向性を有する第２の超伝導
薄膜からなる第２の電極を形成する。
め、この発明においては、超伝導薄膜を用いたエッジジ
ョセフソン接合素子において、ｃ−軸配向性を有し、螺
旋転位を有する第１の超伝導薄膜からなる第１の電極の
ステップ側面に上記第１の超伝導薄膜のｃ−軸方向のコ
ヒーレンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方向の
コヒーレンス長よりも薄いトンネル絶縁膜を形成し、上
記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向性を有する第２の超伝導
薄膜からなる第２の電極を形成する。
【００１２】また、超伝導薄膜を用いたエッジジョセフ
ソン接合素子において、ｃ−軸配向性を有し、ステップ
フロー成長によるステップ側面を有する第１の超伝導薄
膜からなる第１の電極の上記ステップ側面に、上記第１
の超伝導薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長よりも厚く
かつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長よりも薄
いトンネル絶縁膜を形成し、上記トンネル絶縁膜にｃ−
軸配向性を有する第２の超伝導薄膜からなる第２の電極
を形成する。
ソン接合素子において、ｃ−軸配向性を有し、ステップ
フロー成長によるステップ側面を有する第１の超伝導薄
膜からなる第１の電極の上記ステップ側面に、上記第１
の超伝導薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長よりも厚く
かつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長よりも薄
いトンネル絶縁膜を形成し、上記トンネル絶縁膜にｃ−
軸配向性を有する第２の超伝導薄膜からなる第２の電極
を形成する。
【００１３】これらの場合、上記トンネル絶縁膜をペロ
ウスカイト構造とする。
ウスカイト構造とする。
【００１４】また、基板上にｃ−軸配向性を有し、ステ
ップ側面を有する第１の超伝導薄膜を形成する工程と、
上記第１の超伝導薄膜上に上記第１の超伝導薄膜のｃ−
軸方向のコヒーレンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ
−軸方向のコヒーレンス長よりも薄いトンネル絶縁膜を
形成する工程と、上記第１の超伝導薄膜の上記ステップ
側面上に形成された上記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向性
を有する第２の超伝導薄膜を形成する工程とを行なう。
ップ側面を有する第１の超伝導薄膜を形成する工程と、
上記第１の超伝導薄膜上に上記第１の超伝導薄膜のｃ−
軸方向のコヒーレンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ
−軸方向のコヒーレンス長よりも薄いトンネル絶縁膜を
形成する工程と、上記第１の超伝導薄膜の上記ステップ
側面上に形成された上記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向性
を有する第２の超伝導薄膜を形成する工程とを行なう。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１はこの発明に係る螺旋転位エ
ッジジョセフソン接合素子を示す概略断面図、図２は図
１に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子の一部
を示す断面図である。図に示すように、基板１１上にｃ
−軸配向性を有し、螺旋転位を有する第１の超伝導薄膜
であるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極１２、ｃ
−軸配向性を有する第２の超伝導薄膜であるＹＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏx薄膜からなる上部電極１５が形成され、下部電極
１２にステップテラス１７、ステップ側面１８が形成さ
れ、下部電極１２のステップテラス１７、ステップ側面
１８が形成された部分を含む領域と上部電極１５との間
にジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜１４が設けら
れ、トンネル絶縁膜１４は酸化物高温超伝導体の基本結
晶構造と類似のペロウスカイト構造のＰｒＧａＯ3から
なり、トンネル絶縁膜１４の膜厚はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長ξcよりも厚くかつａ
−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長ξa、ξbよりも
薄い。また、下部電極１２、上部電極１５に接続された
電極端子１６ａ、１６ｂが設けられ、電極端子１６ａと
上部電極１５、電極端子１６ｂとを分離する層間絶縁膜
１３が設けられている。
ッジジョセフソン接合素子を示す概略断面図、図２は図
１に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子の一部
を示す断面図である。図に示すように、基板１１上にｃ
−軸配向性を有し、螺旋転位を有する第１の超伝導薄膜
であるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極１２、ｃ
−軸配向性を有する第２の超伝導薄膜であるＹＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏx薄膜からなる上部電極１５が形成され、下部電極
１２にステップテラス１７、ステップ側面１８が形成さ
れ、下部電極１２のステップテラス１７、ステップ側面
１８が形成された部分を含む領域と上部電極１５との間
にジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜１４が設けら
れ、トンネル絶縁膜１４は酸化物高温超伝導体の基本結
晶構造と類似のペロウスカイト構造のＰｒＧａＯ3から
なり、トンネル絶縁膜１４の膜厚はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長ξcよりも厚くかつａ
−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長ξa、ξbよりも
薄い。また、下部電極１２、上部電極１５に接続された
電極端子１６ａ、１６ｂが設けられ、電極端子１６ａと
上部電極１５、電極端子１６ｂとを分離する層間絶縁膜
１３が設けられている。
【００１６】この螺旋転位エッジジョセフソン接合素子
においては、下部電極１２、上部電極１５の電極端子１
６ａ、１６ｂのそれぞれにバイアス電流、電圧測定の端
子を接続し、電流を注入すると、たとえば上部電極１５
に電流が流れ込み、トンネル絶縁膜１４をトンネルし、
下部電極１２に至る。このとき、ステップ側面１８では
トンネル絶縁膜１４の膜厚よりもコヒーレンス長ξa、
ξbの方が大きいから、超伝導電流は矢印Ａの方向に電
気抵抗なく流れる。また、ステップテラス１７の面では
トンネル絶縁膜１４の膜厚よりもコヒーレンス長ξcの
方が小さいから、超伝導電流は矢印Ｂの方向には流れな
い。
においては、下部電極１２、上部電極１５の電極端子１
６ａ、１６ｂのそれぞれにバイアス電流、電圧測定の端
子を接続し、電流を注入すると、たとえば上部電極１５
に電流が流れ込み、トンネル絶縁膜１４をトンネルし、
下部電極１２に至る。このとき、ステップ側面１８では
トンネル絶縁膜１４の膜厚よりもコヒーレンス長ξa、
ξbの方が大きいから、超伝導電流は矢印Ａの方向に電
気抵抗なく流れる。また、ステップテラス１７の面では
トンネル絶縁膜１４の膜厚よりもコヒーレンス長ξcの
方が小さいから、超伝導電流は矢印Ｂの方向には流れな
い。
【００１７】つぎに、図１、図２に示した螺旋転位エッ
ジジョセフソン接合素子の製造方法すなわちこの発明に
係る製造方法について説明する。まず、基板１１上にｃ
−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部
電極１２を液層エピタキシャル法により形成する。この
場合、上述したように、ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏx薄膜は螺旋転位を中心としてスパイラル成長す
るから、広いステップテラス１７と高さが大きいステッ
プ側面１８とが形成される。つぎに、ステップテラス１
７の上面、ステップ側面１８を含む領域にペロウスカイ
ト構造のＰｒＧａＯ3からなるトンネル絶縁膜１４をス
パッタリング法により形成する。つぎに、全面にｃ−軸
配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をスパッタリング
法により形成する。この場合、このＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜の厚さをステップ側面１８の高さよりも大きくする。
つぎに、ステップ側面１８部以外のＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜をエッチングして、上部電極１５を形成し、トンネル
絶縁膜１４の電極端子１６ａが設けられる部分にコンタ
クトホールを設ける。つぎに、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を
エッチングした部分の電極端子１６ａが設けられる部分
を除いた部分に層間絶縁膜１３を埋め込む。つぎに、蒸
着により電極端子１６ａ、１６ｂを設ける。
ジジョセフソン接合素子の製造方法すなわちこの発明に
係る製造方法について説明する。まず、基板１１上にｃ
−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部
電極１２を液層エピタキシャル法により形成する。この
場合、上述したように、ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏx薄膜は螺旋転位を中心としてスパイラル成長す
るから、広いステップテラス１７と高さが大きいステッ
プ側面１８とが形成される。つぎに、ステップテラス１
７の上面、ステップ側面１８を含む領域にペロウスカイ
ト構造のＰｒＧａＯ3からなるトンネル絶縁膜１４をス
パッタリング法により形成する。つぎに、全面にｃ−軸
配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をスパッタリング
法により形成する。この場合、このＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜の厚さをステップ側面１８の高さよりも大きくする。
つぎに、ステップ側面１８部以外のＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄
膜をエッチングして、上部電極１５を形成し、トンネル
絶縁膜１４の電極端子１６ａが設けられる部分にコンタ
クトホールを設ける。つぎに、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を
エッチングした部分の電極端子１６ａが設けられる部分
を除いた部分に層間絶縁膜１３を埋め込む。つぎに、蒸
着により電極端子１６ａ、１６ｂを設ける。
【００１８】このような螺旋転位エッジジョセフソン接
合素子、その製造方法においては、下部電極１２、上部
電極１５をｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜
で構成しているから、下部電極１２、上部電極１５の超
伝導特性が良好であるので、素子特性が良好である。ま
た、斜めイオンミリングを行なわないから、下部電極１
２の界面部分の超伝導が劣化することがないので、超伝
導ジョセフソントンネル接合を確実に実現することがで
きる。また、ジョセフソン接合面はステップ側面１８の
みとなるから、微小エッジ接合が実現できるので、ジョ
セフソン接合への電荷蓄積量、時間が少なくて済むた
め、高速化が実現できる。また、トンネル絶縁膜１４を
ペロウスカイト構造としているから、トンネル絶縁膜１
４の表面濡れ性が良好であるので、素子特性が良好であ
る。また、下部電極１２を液層エピタキシャル法により
形成しているから、ステップテラス１７の幅、ステップ
側面１８の高さを大きくすることができる。また、トン
ネル絶縁膜１４をスパッタリング法により形成している
から、回り込みが大きいので、ステップ側面１８にもト
ンネル絶縁膜１４を形成することができる。
合素子、その製造方法においては、下部電極１２、上部
電極１５をｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜
で構成しているから、下部電極１２、上部電極１５の超
伝導特性が良好であるので、素子特性が良好である。ま
た、斜めイオンミリングを行なわないから、下部電極１
２の界面部分の超伝導が劣化することがないので、超伝
導ジョセフソントンネル接合を確実に実現することがで
きる。また、ジョセフソン接合面はステップ側面１８の
みとなるから、微小エッジ接合が実現できるので、ジョ
セフソン接合への電荷蓄積量、時間が少なくて済むた
め、高速化が実現できる。また、トンネル絶縁膜１４を
ペロウスカイト構造としているから、トンネル絶縁膜１
４の表面濡れ性が良好であるので、素子特性が良好であ
る。また、下部電極１２を液層エピタキシャル法により
形成しているから、ステップテラス１７の幅、ステップ
側面１８の高さを大きくすることができる。また、トン
ネル絶縁膜１４をスパッタリング法により形成している
から、回り込みが大きいので、ステップ側面１８にもト
ンネル絶縁膜１４を形成することができる。
【００１９】図３はこの発明に係る他の螺旋転位エッジ
ジョセフソン接合素子の一部を示す断面図である。図に
示すように、上部電極１５が覆う領域に２つのステップ
側面１８が存在する。
ジョセフソン接合素子の一部を示す断面図である。図に
示すように、上部電極１５が覆う領域に２つのステップ
側面１８が存在する。
【００２０】この螺旋転位エッジジョセフソン接合素子
においては、図４に示すように、２つのジョセフソン接
合１９が並列に形成されるから、超伝導量子干渉計（Ｓ
ＱＵＩＤ）としての検出感度を向上することができる。
においては、図４に示すように、２つのジョセフソン接
合１９が並列に形成されるから、超伝導量子干渉計（Ｓ
ＱＵＩＤ）としての検出感度を向上することができる。
【００２１】図５はこの発明に係る他のエッジジョセフ
ソン接合素子を示す概略断面図である。図に示すよう
に、基板２１上にｃ−軸配向性を有する第１、第２の超
伝導薄膜であるｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx
薄膜からなる下部電極２２、上部電極２５が形成され、
下部電極２２にステップテラス２７、ステップ側面２８
が形成され、下部電極２２のステップテラス２７、ステ
ップ側面２８が形成された部分を含む領域と上部電極２
５との間にジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜２４
が設けられ、トンネル絶縁膜２４は酸化物高温超伝導体
の基本結晶構造と類似のペロウスカイト構造のＰｒＧａ
Ｏ3からなり、トンネル絶縁膜２４の膜厚はＹＢａ2Ｃｕ
3Ｏx薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長ξcよりも厚く
かつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長ξa、ξb
よりも薄い。また、下部電極２２、上部電極２５に接続
された電極端子２６ａ、２６ｂが設けられ、電極端子２
６ａと上部電極２５、電極端子２６ｂとを分離する層間
絶縁膜２３が設けられている。
ソン接合素子を示す概略断面図である。図に示すよう
に、基板２１上にｃ−軸配向性を有する第１、第２の超
伝導薄膜であるｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx
薄膜からなる下部電極２２、上部電極２５が形成され、
下部電極２２にステップテラス２７、ステップ側面２８
が形成され、下部電極２２のステップテラス２７、ステ
ップ側面２８が形成された部分を含む領域と上部電極２
５との間にジョセフソン接合となるトンネル絶縁膜２４
が設けられ、トンネル絶縁膜２４は酸化物高温超伝導体
の基本結晶構造と類似のペロウスカイト構造のＰｒＧａ
Ｏ3からなり、トンネル絶縁膜２４の膜厚はＹＢａ2Ｃｕ
3Ｏx薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長ξcよりも厚く
かつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長ξa、ξb
よりも薄い。また、下部電極２２、上部電極２５に接続
された電極端子２６ａ、２６ｂが設けられ、電極端子２
６ａと上部電極２５、電極端子２６ｂとを分離する層間
絶縁膜２３が設けられている。
【００２２】このエッジジョセフソン接合素子において
は、下部電極２２、上部電極２５の電極端子２６ａ、２
６ｂのそれぞれにバイアス電流、電圧測定の端子を接続
し、電流を注入すると、たとえば上部電極２５に電流が
流れ込み、トンネル絶縁膜２４をトンネルし、下部電極
２２に至る。このとき、ステップ側面２８ではトンネル
絶縁膜２４の膜厚よりもコヒーレンス長ξa、ξbの方が
大きいから、超伝導電流は電気抵抗なく流れる。また、
ステップテラス２７の面ではトンネル絶縁膜２４の膜厚
よりもコヒーレンス長ξcの方が小さいから、超伝導電
流は流れない。
は、下部電極２２、上部電極２５の電極端子２６ａ、２
６ｂのそれぞれにバイアス電流、電圧測定の端子を接続
し、電流を注入すると、たとえば上部電極２５に電流が
流れ込み、トンネル絶縁膜２４をトンネルし、下部電極
２２に至る。このとき、ステップ側面２８ではトンネル
絶縁膜２４の膜厚よりもコヒーレンス長ξa、ξbの方が
大きいから、超伝導電流は電気抵抗なく流れる。また、
ステップテラス２７の面ではトンネル絶縁膜２４の膜厚
よりもコヒーレンス長ξcの方が小さいから、超伝導電
流は流れない。
【００２３】つぎに、図５に示したエッジジョセフソン
接合素子の製造方法すなわちこの発明に係る製造方法に
ついて説明する。まず、図６に示すように、基板２１の
一部を基板２１に接触しないマスク２９で覆い、スパッ
タリング法により基板２１上にｃ−軸配向性を有するＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極２２を成長させ
る。この場合、ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx
薄膜はステップフロー成長するから、マスク２９で覆わ
れた領域ではマスク２９によって覆われていないところ
からＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜の成長核がマイグレートして
くるので、マスク２９によって覆われた基板２１面上に
は広いステップテラス２７と高さが大きいステップ側面
２８とが形成される。つぎに、図７に示すように、マス
ク２９を除去したのち、ステップテラス２７、ステップ
側面２８が形成された部分を含む領域にペロウスカイト
構造のＰｒＧａＯ3からなるトンネル絶縁膜２４をスパ
ッタリング法により形成する。つぎに、全面に上部電極
２５となるｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜
をスパッタリング法により形成する。この場合、このｃ
−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜の厚さをステ
ップ側面２８の高さよりも大きくする。つぎに、ステッ
プテラス２７、ステップ側面２８が形成された領域およ
び下部電極２２が存在しない領域をレジスト３０によっ
て覆う。つぎに、レジスト３０で覆われていない部分の
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をたとえば希硝酸でエッチング
し、トンネル絶縁膜２４の電極端子２６ａが設けられる
部分にコンタクトホールを設ける。つぎに、電極端子２
６ａ、２６ｂとなる部分を除いて全面に層間絶縁層２３
を蒸着により形成する。つぎに、蒸着により電極端子２
６ａ、２６ｂを設ける。
接合素子の製造方法すなわちこの発明に係る製造方法に
ついて説明する。まず、図６に示すように、基板２１の
一部を基板２１に接触しないマスク２９で覆い、スパッ
タリング法により基板２１上にｃ−軸配向性を有するＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜からなる下部電極２２を成長させ
る。この場合、ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx
薄膜はステップフロー成長するから、マスク２９で覆わ
れた領域ではマスク２９によって覆われていないところ
からＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜の成長核がマイグレートして
くるので、マスク２９によって覆われた基板２１面上に
は広いステップテラス２７と高さが大きいステップ側面
２８とが形成される。つぎに、図７に示すように、マス
ク２９を除去したのち、ステップテラス２７、ステップ
側面２８が形成された部分を含む領域にペロウスカイト
構造のＰｒＧａＯ3からなるトンネル絶縁膜２４をスパ
ッタリング法により形成する。つぎに、全面に上部電極
２５となるｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜
をスパッタリング法により形成する。この場合、このｃ
−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜の厚さをステ
ップ側面２８の高さよりも大きくする。つぎに、ステッ
プテラス２７、ステップ側面２８が形成された領域およ
び下部電極２２が存在しない領域をレジスト３０によっ
て覆う。つぎに、レジスト３０で覆われていない部分の
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をたとえば希硝酸でエッチング
し、トンネル絶縁膜２４の電極端子２６ａが設けられる
部分にコンタクトホールを設ける。つぎに、電極端子２
６ａ、２６ｂとなる部分を除いて全面に層間絶縁層２３
を蒸着により形成する。つぎに、蒸着により電極端子２
６ａ、２６ｂを設ける。
【００２４】このようなエッジジョセフソン接合素子、
その製造方法においても、下部電極２２、上部電極２５
の超伝導特性が良好であるから、素子特性が良好であ
り、また下部電極２２の界面部分の超伝導が劣化するこ
とがないから、超伝導ジョセフソントンネル接合を確実
に実現することができ、さらに微小エッジ接合が実現で
きるから、ジョセフソン接合への電荷蓄積量、時間が少
なくて済むので、高速化が実現できる。
その製造方法においても、下部電極２２、上部電極２５
の超伝導特性が良好であるから、素子特性が良好であ
り、また下部電極２２の界面部分の超伝導が劣化するこ
とがないから、超伝導ジョセフソントンネル接合を確実
に実現することができ、さらに微小エッジ接合が実現で
きるから、ジョセフソン接合への電荷蓄積量、時間が少
なくて済むので、高速化が実現できる。
【００２５】図８はこの発明に係る他のエッジジョセフ
ソン接合素子を示す概略断面図である。図に示すよう
に、上面が微傾斜した基板３１上に下部電極２２、上部
電極２５が形成され、下部電極２２と上部電極２５との
間にトンネル絶縁膜２４が設けられている。
ソン接合素子を示す概略断面図である。図に示すよう
に、上面が微傾斜した基板３１上に下部電極２２、上部
電極２５が形成され、下部電極２２と上部電極２５との
間にトンネル絶縁膜２４が設けられている。
【００２６】このエッジジョセフソン接合素子において
は、基板３１の傾斜方向と接合部の傾斜方向とが反対方
向であるから、ステップフロー成長時のバンチングが強
調されるので、ステップ側面２８の高さを大きくするこ
とができる。このため、基板３１内における接合部の占
有面積を小さくすることができるから、高集積化に有利
である。
は、基板３１の傾斜方向と接合部の傾斜方向とが反対方
向であるから、ステップフロー成長時のバンチングが強
調されるので、ステップ側面２８の高さを大きくするこ
とができる。このため、基板３１内における接合部の占
有面積を小さくすることができるから、高集積化に有利
である。
【００２７】なお、上述実施の形態においては、第１、
第２の超伝導薄膜としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を用いた
が、第１、第２の超伝導薄膜として他のＬｎＢａ2Ｃｕ3
Ｏx系酸化物超伝導体薄膜、ＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化
物超伝導体薄膜、ＴｌＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導
体薄膜、ＨｇＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体薄膜を
用いてもよい。また、上述実施の形態においては、トン
ネル絶縁膜１４、２４をペロウスカイト構造のＰｒＧａ
Ｏ3で構成したが、トンネル絶縁膜を他の材料で構成し
てもよいが、表面濡れ性が良好な絶縁膜を用いるのが望
ましい。また、上述実施の形態においては、トンネル絶
縁膜１４、２４をスパッタリング法により形成したが、
レーザー蒸着法、分子線エピタキシ法等によりトンネル
絶縁膜を形成してもよく、分子線エピタキシ法のように
回り込みが小さいときには、トンネル絶縁膜形成時に基
板を傾けるとともに回転させるのが望ましい。また、図
１に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子におい
ては、下部電極１２を液層エピタキシャル法により形成
したが、他の方法により第１の電極を形成してもよく、
ステップテラスの幅、ステップ側面の高さを大きくする
ことができる方法を用いるのが望ましい。また、図１、
図３に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子にお
いては、ジョセフソン接合数が１つ、２つの場合につい
て説明したが、ジョセフソン接合数を３つ以上にしても
よい。また、図５、図８に示したエッジジョセフソン接
合素子においては、下部電極２２をスパッタリング法に
より形成したが、レーザ蒸着法、ＭＢＥ等の方法により
第１の電極を形成してもよい。また、図５に示したエッ
ジジョセフソン接合素子においては、ｃ−軸配向性を有
するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をエッチングし、トンネル絶
縁膜２４の電極端子２６ａが設けられる部分にコンタク
トホールを設けたのち、層間絶縁層２３を形成したが、
ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をエッチン
グし、層間絶縁層２３を形成したのち、トンネル絶縁膜
２４の電極端子２６ａが設けられる部分にコンタクトホ
ールを設けてもよい。
第２の超伝導薄膜としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を用いた
が、第１、第２の超伝導薄膜として他のＬｎＢａ2Ｃｕ3
Ｏx系酸化物超伝導体薄膜、ＢｉＳｒＣａＣｕＯx系酸化
物超伝導体薄膜、ＴｌＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導
体薄膜、ＨｇＢａＣａＣｕＯx系酸化物超伝導体薄膜を
用いてもよい。また、上述実施の形態においては、トン
ネル絶縁膜１４、２４をペロウスカイト構造のＰｒＧａ
Ｏ3で構成したが、トンネル絶縁膜を他の材料で構成し
てもよいが、表面濡れ性が良好な絶縁膜を用いるのが望
ましい。また、上述実施の形態においては、トンネル絶
縁膜１４、２４をスパッタリング法により形成したが、
レーザー蒸着法、分子線エピタキシ法等によりトンネル
絶縁膜を形成してもよく、分子線エピタキシ法のように
回り込みが小さいときには、トンネル絶縁膜形成時に基
板を傾けるとともに回転させるのが望ましい。また、図
１に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子におい
ては、下部電極１２を液層エピタキシャル法により形成
したが、他の方法により第１の電極を形成してもよく、
ステップテラスの幅、ステップ側面の高さを大きくする
ことができる方法を用いるのが望ましい。また、図１、
図３に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合素子にお
いては、ジョセフソン接合数が１つ、２つの場合につい
て説明したが、ジョセフソン接合数を３つ以上にしても
よい。また、図５、図８に示したエッジジョセフソン接
合素子においては、下部電極２２をスパッタリング法に
より形成したが、レーザ蒸着法、ＭＢＥ等の方法により
第１の電極を形成してもよい。また、図５に示したエッ
ジジョセフソン接合素子においては、ｃ−軸配向性を有
するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をエッチングし、トンネル絶
縁膜２４の電極端子２６ａが設けられる部分にコンタク
トホールを設けたのち、層間絶縁層２３を形成したが、
ｃ−軸配向性を有するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜をエッチン
グし、層間絶縁層２３を形成したのち、トンネル絶縁膜
２４の電極端子２６ａが設けられる部分にコンタクトホ
ールを設けてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るエ
ッジジョセフソン接合素子、その製造方法においては、
第１、第２の電極をｃ−軸配向性を有する第１、第２の
超伝導薄膜で構成しているから、第１、第２の電極の超
伝導特性が良好であるので、素子特性が良好であり、ま
た斜めイオンミリングを行なわないから、第１の電極の
界面部分の超伝導が劣化することがないので、超伝導ジ
ョセフソントンネル接合を確実に実現することができ、
さらにジョセフソン接合面はステップ側面のみとなるか
ら、微小エッジ接合が実現できるので、ジョセフソン接
合への電荷蓄積量、時間が少なくて済むため、高速化が
実現できる。
ッジジョセフソン接合素子、その製造方法においては、
第１、第２の電極をｃ−軸配向性を有する第１、第２の
超伝導薄膜で構成しているから、第１、第２の電極の超
伝導特性が良好であるので、素子特性が良好であり、ま
た斜めイオンミリングを行なわないから、第１の電極の
界面部分の超伝導が劣化することがないので、超伝導ジ
ョセフソントンネル接合を確実に実現することができ、
さらにジョセフソン接合面はステップ側面のみとなるか
ら、微小エッジ接合が実現できるので、ジョセフソン接
合への電荷蓄積量、時間が少なくて済むため、高速化が
実現できる。
【００２９】また、トンネル絶縁膜をペロウスカイト構
造としたときには、トンネル絶縁膜の表面濡れ性が良好
であるため、素子特性が良好である。
造としたときには、トンネル絶縁膜の表面濡れ性が良好
であるため、素子特性が良好である。
【図１】この発明に係る螺旋転位エッジジョセフソン接
合素子を示す概略断面図である。
合素子を示す概略断面図である。
【図２】図１に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合
素子の一部を示す断面図である。
素子の一部を示す断面図である。
【図３】この発明に係る他の螺旋転位エッジジョセフソ
ン接合素子の一部を示す断面図である。
ン接合素子の一部を示す断面図である。
【図４】図３に示した螺旋転位エッジジョセフソン接合
素子の電気回路図である。
素子の電気回路図である。
【図５】この発明に係る他のエッジジョセフソン接合素
子を示す概略断面図である。
子を示す概略断面図である。
【図６】図５に示したエッジジョセフソン接合素子の製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図７】図５に示したエッジジョセフソン接合素子の製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図８】この発明に係る他のエッジジョセフソン接合素
子を示す概略断面図である。
子を示す概略断面図である。
【図９】通常の物理蒸着法による酸化物高温超伝導薄膜
の平面模式図である。
の平面模式図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】従来のジョセフソン接合素子を示す概略断面
図である。
図である。
１０…螺旋転位 １１…基板 １２…下部電極 １４…トンネル絶縁膜 １５…上部電極 １８…ステップ側面 ２１…基板 ２２…下部電極 ２４…トンネル絶縁膜 ２５…上部電極 ２８…ステップ側面 ３１…基板
Claims (4)
- 【請求項１】超伝導薄膜を用いたエッジジョセフソン接
合素子において、ｃ−軸配向性を有し、螺旋転位を有す
る第１の超伝導薄膜からなる第１の電極のステップ側面
に、上記第１の超伝導薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス
長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレン
ス長よりも薄いトンネル絶縁膜を形成し、上記トンネル
絶縁膜にｃ−軸配向性を有する第２の超伝導薄膜からな
る第２の電極を形成したことを特徴とするエッジジョセ
フソン接合素子。 - 【請求項２】超伝導薄膜を用いたエッジジョセフソン接
合素子において、ｃ−軸配向性を有し、ステップフロー
成長によるステップ側面を有する第１の超伝導薄膜から
なる第１の電極の上記ステップ側面に、上記第１の超伝
導薄膜のｃ−軸方向のコヒーレンス長よりも厚くかつａ
−軸方向、ｂ−軸方向のコヒーレンス長よりも薄いトン
ネル絶縁膜を形成し、上記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向
性を有する第２の超伝導薄膜からなる第２の電極を形成
したことを特徴とするエッジジョセフソン接合素子。 - 【請求項３】上記トンネル絶縁膜がペロウスカイト構造
であることを特徴とする請求項１または２に記載のエッ
ジジョセフソン接合素子。 - 【請求項４】基板上にｃ−軸配向性を有し、ステップ側
面を有する第１の超伝導薄膜を形成する工程と、上記第
１の超伝導薄膜上に上記第１の超伝導薄膜のｃ−軸方向
のコヒーレンス長よりも厚くかつａ−軸方向、ｂ−軸方
向のコヒーレンス長よりも薄いトンネル絶縁膜を形成す
る工程と、上記第１の超伝導薄膜の上記ステップ側面上
に形成された上記トンネル絶縁膜にｃ−軸配向性を有す
る第２の超伝導薄膜を形成する工程とを具備することを
特徴とするエッジジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7207977A JPH08264848A (ja) | 1995-01-23 | 1995-08-15 | エッジジョセフソン接合素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP798995 | 1995-01-23 | ||
| JP7-7989 | 1995-01-23 | ||
| JP7207977A JPH08264848A (ja) | 1995-01-23 | 1995-08-15 | エッジジョセフソン接合素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264848A true JPH08264848A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=26342409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7207977A Pending JPH08264848A (ja) | 1995-01-23 | 1995-08-15 | エッジジョセフソン接合素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264848A (ja) |
-
1995
- 1995-08-15 JP JP7207977A patent/JPH08264848A/ja active Pending
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