JPH08264819A - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
Semiconductor device and manufacturing method thereofInfo
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- JPH08264819A JPH08264819A JP7087409A JP8740995A JPH08264819A JP H08264819 A JPH08264819 A JP H08264819A JP 7087409 A JP7087409 A JP 7087409A JP 8740995 A JP8740995 A JP 8740995A JP H08264819 A JPH08264819 A JP H08264819A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及び該半導体
装置の製造方法に関し、より詳しくは太陽電池モジュー
ル、特に非晶質シリコンを始めとする非晶質半導体層に
より光電変換を行う装置、いわゆる非晶質太陽電池モジ
ュールとその製造方法に関する。更に詳しくは、上記太
陽電池モジュールの正・負極の取出し段における構造と
電気的良導体の取付け方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device, and more particularly to a solar cell module, particularly a device for performing photoelectric conversion by an amorphous semiconductor layer including amorphous silicon, so-called. The present invention relates to an amorphous solar cell module and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to the structure of the positive and negative electrode lead-out stages of the solar cell module and the method of attaching a good electrical conductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】非晶質太陽電池モジュールは、絶縁基板
上に複数の光電変換装置である非晶質太陽電池セルを形
成し、その太陽電池セルを直列及び／又は並列に接続し
て構成されている。かかる太陽電池モジュールにおいて
は、複数接続された太陽電池セルの最終段で、図５に示
すように、それぞれ正極側、負極側にモジュールの端子
取出し部につなぐ収集電極１として、銅線２に半田メッ
キ３を施したリード線４をガラス基板５上の取出し電極
の薄膜６に取り付けていた。2. Description of the Related Art An amorphous solar battery module is formed by forming a plurality of amorphous solar battery cells, which are photoelectric conversion devices, on an insulating substrate and connecting the solar battery cells in series and / or in parallel. ing. In such a solar cell module, as shown in FIG. 5, at the final stage of a plurality of connected solar cells, a copper wire 2 is soldered to the positive electrode side and the negative electrode side as collector electrodes 1 connected to the terminal lead-out portions of the module, respectively. The lead wire 4 with the plating 3 was attached to the thin film 6 of the extraction electrode on the glass substrate 5.
【０００３】この際の取付け方法としては、ガラス基板
５上等の取出し電極の薄膜６にに予め通常の鉛と錫を主
成分とする半田を超音波を発振する半田ごてを用いて半
田付けを行い、これを予備半田７とする。その後、予備
半田７の上に半田メッキ３したリード線４を配設し、そ
の上から通常のヒーターのみから成る半田ごてを押さえ
付け、加熱融着させて、ガラス基板５上の取出し電極の
薄膜６にリード線４を取り付けていた。As a mounting method at this time, a normal solder containing lead and tin as a main component is previously soldered to the thin film 6 of the extraction electrode on the glass substrate 5 using a soldering iron which oscillates ultrasonic waves. Then, this is used as the preliminary solder 7. After that, the lead wire 4 with the solder plating 3 is arranged on the preliminary solder 7, and the soldering iron consisting of only a normal heater is pressed down on the lead wire 4 and heat-fused to remove the extraction electrode of the glass substrate 5. The lead wire 4 was attached to the thin film 6.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このように太陽電池モ
ジュールを形成する場合、リード線４の取付けは、ガラ
ス基板５上の取出し電極の薄膜６に予め半田による予備
半田７を行い、その上に半田メッキ３した銅線２をリー
ド線４を配置して加熱融着させ、ガラス基板５上にリー
ド線４を取り付ける、というツーステップボンディング
の方法を採らねばならなかった。このツーステップボン
ディングの方法は加工工数が言うまでもなく２工程必要
であるため、時間がかかり製造コストが高く付くという
問題があった。しかも、リード線４の取付け部は２回、
熱影響を受けることになり、熱伝導率及び熱膨張率が大
きく異なるため、ガラス基板５と薄膜６とが剥離する恐
れもあった。When the solar cell module is formed in this way, the lead wire 4 is attached by preliminarily soldering the thin film 6 of the extraction electrode on the glass substrate 5 with solder, and then the lead wire 4 is mounted on the thin film 6. A two-step bonding method has to be adopted in which the copper wire 2 plated with the solder 3 is arranged with the lead wire 4 and heated and fused, and the lead wire 4 is mounted on the glass substrate 5. This two-step bonding method requires two steps, not to mention the number of processing steps, so that there is a problem that it takes time and the manufacturing cost is high. Moreover, the lead wire 4 is attached twice,
The glass substrate 5 and the thin film 6 may be separated from each other because they are affected by heat and the thermal conductivity and the thermal expansion coefficient are greatly different.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記問題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、従来の
半田を用いることによっては解決できないとの結論を得
た。そこで、新たな半田を用いた半導体装置とその製法
を研究開発し、本発明に至ったのである。Therefore, as a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have concluded that the conventional solder cannot be used to solve the problem. Therefore, the present invention has been achieved by researching and developing a semiconductor device using a new solder and a manufacturing method thereof.
【０００６】本発明に係るリード線の要旨とするところ
は、絶縁基板上に被着形成された回路の少なくとも取出
し電極が導電性金属酸化物から成り、該取出し電極に電
気的良導体から成る導線が鉛、錫、亜鉛及びアンチモン
を必須成分とする半田により半田付けされていることに
ある。The gist of the lead wire according to the present invention is that at least the take-out electrode of the circuit formed on the insulating substrate is made of a conductive metal oxide, and the take-out electrode is a conductor made of an electrically good conductor. It is to be soldered with a solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components.
【０００７】また、本発明に係るリード線の他の要旨と
するところは、絶縁性金属酸化物から成る絶縁基板上に
被着形成された回路の少なくとも取出し電極が導電性金
属酸化物薄膜又は金属薄膜から成り、該取出し電極部に
形成された開口部を通して電気的良導体から成る導線が
鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田によ
り前記絶縁基板に半田付けされるとともに、該取出し電
極の非開口部において該導線が電気的に接続されている
ことにある。Another aspect of the lead wire according to the present invention is that at least a take-out electrode of a circuit formed on an insulating substrate made of an insulating metal oxide is a conductive metal oxide thin film or a metal. A conducting wire made of a thin film and made of an electrically good conductor is soldered to the insulating substrate with a solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components through an opening formed in the extracting electrode portion, and The conductor is electrically connected at the non-opening.
【０００８】かかる半導体装置において、前記電気的良
導体から成る導線の少なくとも半田付け部分が鉛と錫を
主成分とする半田により被覆され、且つ該半田の被覆箇
所の少なくとも半田付け箇所に鉛、錫、亜鉛及びアンチ
モンを必須成分とする半田が被着されていることにあ
る。In such a semiconductor device, at least a soldering portion of the conductive wire made of a good electrical conductor is covered with a solder containing lead and tin as main components, and at least a soldering portion of the soldering portion is covered with lead, tin, This is because the solder containing zinc and antimony as essential components is applied.
【０００９】また、かかる半導体装置において、前記
鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田は、
鉛が１〜６０重量％、錫が１０〜９８重量％、亜鉛が
０．０１〜２５重量％及びアンチモンが０．０１〜５０
重量％であることにある。Further, in such a semiconductor device, the solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components is
Lead is 1 to 60% by weight, tin is 10 to 98% by weight, zinc is 0.01 to 25% by weight, and antimony is 0.01 to 50% by weight.
% By weight.
【００１０】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法
の要旨とするところは、絶縁基板上に被着形成された少
なくとも導電性金属酸化物又は金属から成る取出し電極
部に、少なくとも一部が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを
必須成分とする半田で被覆された電気的良導体から成る
導線を配置し、該導線の半田被着部を超音波を発振する
半田ごてで押さえつけつつ、超音波を発振し且つ加熱し
て取り付けることことにある。Next, the gist of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is that at least a part of the extraction electrode portion made of at least a conductive metal oxide or metal is deposited and formed on an insulating substrate. A conductor wire made of an electrically good conductor coated with solder containing lead, tin, zinc, and antimony as essential components is arranged, and the ultrasonic wave is applied while pressing the solder-covered portion of the conductor wire with a soldering iron that oscillates ultrasonic waves. It is to oscillate and heat to attach.
【００１１】[0011]
【作用】本発明に係る半導体装置は、回路のうち少なく
とも取出し電極が導電性金属酸化物によって形成されて
いて、この導電性金属酸化物から成る取出し電極に電気
的良導体から成る導線が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを
必須成分とする半田により接続されている。この導電性
金属酸化物とこれらアンチモンなどを必須成分とする半
田とは強固に接合され、リード線は強固に接続される。In the semiconductor device according to the present invention, at least the take-out electrode of the circuit is made of a conductive metal oxide, and the take-out electrode made of the conductive metal oxide has lead and tin conductors made of an electrically good conductor. , Zinc and antimony are essential components for connection. The conductive metal oxide and the solder containing antimony as an essential component are firmly joined, and the lead wires are firmly connected.
【００１２】また、本発明に係る他の半導体装置は、絶
縁性金属酸化物たとえばガラスから成る絶縁基板上に被
着形成された回路のうち少なくとも取出し電極が導電性
金属酸化物薄膜又は金属薄膜によって形成されていて、
この薄膜から成る取出し電極部に半田付け時に形成され
た開口部を通して電気的良導体から成る導線が鉛、錫、
亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田により前記絶
縁基板に半田付けされている。したがって、導線に大き
な力が作用しても半田と絶縁基板との接合が良好である
ため剥がれることはなく、また、取出し電極が絶縁基板
から剥離することもない。一方、取出し電極の非開口部
において導線が半田を介して電気的に接続されているた
め、導通不良が生ずることもない。Further, in another semiconductor device according to the present invention, at least a take-out electrode of a circuit formed on an insulating substrate made of an insulating metal oxide such as glass is formed of a conductive metal oxide thin film or a metal thin film. Formed,
Through the opening formed at the time of soldering the lead-out electrode part made of this thin film, the lead wire made of a good electrical conductor is lead, tin,
It is soldered to the insulating substrate with a solder containing zinc and antimony as essential components. Therefore, even if a large force is applied to the conductive wire, the solder and the insulating substrate are bonded well, and thus the lead electrode does not peel off, and the extraction electrode does not peel off from the insulating substrate. On the other hand, since the conducting wire is electrically connected through the solder in the non-opening portion of the extraction electrode, the conduction failure does not occur.
【００１３】ここで、本発明に用いられる導線はそれを
構成する電気的良導体の少なくとも半田付け部分が鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田により被
覆されている。より具体的には、電気的良導体の最外郭
全表面や、半田付けされる箇所の最外郭表面に、鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田が被着さ
れて構成されている。かかる半田は電気的良導体に直接
被着されていても良いが、まず電気的良導体に通常の鉛
と錫を主成分とする半田などによって被覆し、その被覆
の上に上記アンチモンなどを必須成分とする半田を被着
して構成しても良い。この鉛、錫、亜鉛及びアンチモン
を必須成分とする半田は酸化物に対して強い被着性を有
しており、予備半田を用いなくとも、導線の電気的良導
体に被覆されている半田を加熱溶融させるだけで充分な
強度をもって導線を半田付けすることができる。Here, the conductive wire used in the present invention is such that at least a soldering portion of an electrically good conductor constituting the conductive wire is lead,
It is covered with solder containing tin, zinc and antimony as essential components. More specifically, lead, on the outermost entire surface of the good electrical conductor or the outermost surface of the portion to be soldered,
It is constituted by applying solder containing tin, zinc and antimony as essential components. Such solder may be directly applied to a good electrical conductor, but first the good electrical conductor is coated with a solder containing lead and tin as a main component, and the antimony and the like are added as essential components on the coating. It may be configured by depositing solder to be used. This solder containing lead, tin, zinc, and antimony as essential components has strong adherence to oxides, and it can heat the solder coated on the good electrical conductor of the lead wire without using preliminary solder. The conductor wire can be soldered with sufficient strength only by melting.
【００１４】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法
にあっては、導電性金属酸化物又は導電性金属から成る
取出し電極に、電気的良導体から成る導線に被着されて
いる鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田
を配置し、その導線を取出し電極に半田ごてで押さえ付
けて位置決めする。そして、その半田ごてを介して導線
の半田に超音波を発振しつつ加熱して溶融させ、導線を
取出し電極に取り付ける。これらアンチモンなどを必須
成分とする半田は導電性金属酸化物などの酸化物あるい
は下地基板であるガラスのような酸化物に対して強固に
接合し、さらに超音波を発振させることにより、接合が
より強固なものとなる。Next, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, lead and tin deposited on a lead wire made of a good electrical conductor on a lead electrode made of a conductive metal oxide or a conductive metal. , Solder with zinc and antimony as essential components is placed, and the lead wire is taken out and pressed onto the electrode with a soldering iron for positioning. Then, through the soldering iron, the solder of the conductor wire is heated and melted while oscillating ultrasonic waves, and the conductor wire is taken out and attached to the electrode. These solders containing antimony as an essential component are firmly bonded to an oxide such as a conductive metal oxide or an oxide such as glass which is a base substrate, and further ultrasonic waves are oscillated to further improve the bonding. It will be strong.
【００１５】[0015]
【実施例】次に、本発明に係る半導体装置及び該半導体
装置の製造方法の実施例を図面を参照しつつ詳しく説明
する。Embodiments of the semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００１６】図１(a) に示すように、本実施例に用いら
れる導線であるリード線１０は電気的良導体１２の外表
面が鉛と錫を主成分とする通常の半田１４などによって
被覆されていて、更に、その半田１４の外表面が鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田１６によ
って被覆されて構成されている。電気的良導体１２は電
気的に良導体から形成されていて、たとえば銅や銀、金
などが用いられ、この電気的良導体１２の形状は断面円
形、角形などの線状のものに限定されず、箔状や帯状な
どのものを適切な幅と長さに切断したものであっても良
く、特に限定されるものではない。As shown in FIG. 1 (a), in the lead wire 10 which is a conductor wire used in this embodiment, the outer surface of a good electrical conductor 12 is covered with a normal solder 14 mainly composed of lead and tin. In addition, the outer surface of the solder 14 is lead,
It is constituted by being coated with a solder 16 containing tin, zinc and antimony as essential components. The electrically good conductor 12 is formed of an electrically good conductor, and for example, copper, silver, gold, or the like is used, and the shape of the electrically good conductor 12 is not limited to a linear shape such as a circular section or a square section, and a foil. It may be a strip or strip cut into an appropriate width and length, and is not particularly limited.
【００１７】また、半田１４は鉛と錫を主成分とする通
常のものが主として用いられる。半田１４は溶融させた
半田１４の中に電気的良導体１２を通過させて、ほぼ一
定の膜厚で被覆するなど、種々の方法で被覆が施され
る。As the solder 14, a normal solder containing lead and tin as main components is mainly used. The solder 14 is coated by various methods such as passing the electrically good conductor 12 through the melted solder 14 and coating it with a substantially constant film thickness.
【００１８】一方、鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須
成分とする半田１６はこれら必須成分である鉛、錫、亜
鉛、アンチモン及び必要に応じて添加した他の元素を偏
析なく合金化した半田を言う。特に必須成分の重量割合
を挙げれば、Ｐｂ（鉛）が１〜６０重量％、Ｓｎ（錫）
が１０〜９８．５重量％、Ｚｎ（亜鉛）が０．０１〜２
５重量％及びＳｂ（アンチモン）が０．０１〜５０重量
％それぞれ含まれる半田である。また、これらの元素以
外にスケールの防止や曇りを防止するために、数重量％
のＡｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｂｅ（ベリ
リウム）などを加えても良い。更に、これらの元素を溶
融させるために実用的にはＣｕを加える場合において
も、Ｃｕが１〜５重量％であるならば、半田の諸特性に
特に大きな支障はない。この鉛、錫、亜鉛及びアンチモ
ンを必須成分とする半田１６は添加元素である亜鉛及び
アンチモンが酸化物と化学結合をするため、半田付けに
おいてはフラックスを必要としない。なお、半田１６を
半田１４が被覆された電気的良導体１２に被覆する方法
は、半田１４を被覆するのと同様に、溶融させた半田１
６の中に半田１４が被覆された電気的良導体１２を通過
させて被覆する方法を用いることができ、特に限定され
るものではない。On the other hand, the solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components is a solder alloyed with these essential components lead, tin, zinc, antimony and other elements added as necessary without segregation. To tell. Particularly, the weight ratio of the essential components is 1 to 60% by weight of Pb (lead) and Sn (tin).
Is 10 to 98.5% by weight, and Zn (zinc) is 0.01 to 2
5% by weight and 0.01 to 50% by weight of Sb (antimony), respectively. In addition to these elements, in order to prevent scale and fogging, several wt%
Al (aluminum), Si (silicon), Be (beryllium), etc. may be added. Further, even when Cu is added practically to melt these elements, if the Cu content is 1 to 5% by weight, various characteristics of the solder are not particularly hindered. The solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components does not require a flux in soldering because zinc and antimony which are additional elements chemically bond with the oxide. The method of coating the solder 16 on the good electrical conductor 12 coated with the solder 14 is similar to the method of coating the solder 14, and the melted solder 1
It is possible to use a method of passing the electrically good conductor 12 coated with the solder 14 in 6 to coat it, and the method is not particularly limited.
【００１９】半田１６を溶融させる半田ごて１８は超音
波を発振することができるように構成されていて、半田
チップ２０にヒーターと超音波振動子が取り付けられて
いる。本発明に用いられる半田ごて１８は５KHz 〜１０
０KHz の発振が可能であり、また、ヒーターにより小手
先温度が約４００℃まで昇温することが可能なものが用
いられる。この超音波を発振する半田ごて１８を用いる
ことにより、半田１６を導電性金属酸化物から成る電極
や、ガラスを始めとする酸化物から成る絶縁基板などに
取り付けることが可能となる。The soldering iron 18 for melting the solder 16 is constructed so as to be capable of oscillating ultrasonic waves, and a solder chip 20 is provided with a heater and an ultrasonic vibrator. The soldering iron 18 used in the present invention is 5 KHz to 10
It is possible to oscillate at 0 KHz and use a heater that can raise the hand temperature to about 400 ° C. By using the soldering iron 18 that oscillates ultrasonic waves, it becomes possible to attach the solder 16 to an electrode made of a conductive metal oxide, an insulating substrate made of an oxide such as glass, or the like.
【００２０】すなわち、リード線１０を、ガラス基板な
どの絶縁基板２２の上に被着形成された SnO2 などの導
電性金属酸化物から成る取出し電極２４の所定の位置に
配置した後、半田ごて１８の半田チップ２０によってリ
ード線１０を取出し電極２４に押さえ付け、所定の超音
波を発振させつつヒーターにより加熱して、図１(b)に
示すように、リード線１０の半田１６を溶融させて取出
し電極２４に半田付けするのである。溶融させられた半
田１６は取出し電極２４の導電性金属酸化物と化学結合
して、強固に接続されることになる。半田付けの箇所は
１箇所であっても良いが、複数箇所でも良く、半田チッ
プ２０の位置を順次変えることによって適宜設定され
る。That is, after placing the lead wire 10 at a predetermined position of the take-out electrode 24 made of a conductive metal oxide such as SnO 2 deposited on the insulating substrate 22 such as a glass substrate, the lead wire 10 is soldered. The lead wire 10 is taken out by the 18 solder chips 20 and pressed against the electrode 24, and is heated by a heater while oscillating a predetermined ultrasonic wave to melt the solder 16 of the lead wire 10 as shown in FIG. 1 (b). Then, the lead-out electrode 24 is soldered. The melted solder 16 is chemically bonded to the conductive metal oxide of the extraction electrode 24 and is firmly connected. Although the number of soldering points may be one, it may be plural, and the number is appropriately set by sequentially changing the position of the solder chip 20.
【００２１】取出し電極２４の膜厚が厚い場合などには
上記図１(b) に示すように、半田１６は取出し電極２４
の表面に被着し接合されることになる。ところが、取出
し電極２４の膜厚が薄い場合や半田付け温度が高い場
合、半田付け時間が長い場合あるいは超音波の振動数と
の関係などによっては、上記図１(c) に示すように、半
田１６は取出し電極２４の薄膜が破れて形成された開口
部２５を通して絶縁基板２２と接合されることになる。
この絶縁基板２２はガラスなどの絶縁性金属酸化物で形
成されていることが必要であり、絶縁基板２２が絶縁性
金属酸化物で形成されていることにより、半田１６と絶
縁基板２２とは強固に接合されることになる。一方、半
田１６と取出し電極２４とは開口部２５の外周部などに
おいて電気的に接続されていて、導電性は確保されてい
る。なお、同図(b) 及び(c) において、リード線１０と
取出し電極２４との間を説明のために大きく隙間を開け
て記載したが、実際はリード線１０と取出し電極２４と
は接触しており、電気的に導通している。このように、
リード線１０を取出し電極２４部を介して直接ガラス基
板などの絶縁基板２２に接合させることにより、非常に
強固な接合が得られ、取出し電極２４が絶縁基板２２か
ら剥離するなどの恐れがなくなる。When the thickness of the take-out electrode 24 is large, as shown in FIG.
Will be adhered to and bonded to the surface of. However, when the film thickness of the extraction electrode 24 is thin, the soldering temperature is high, the soldering time is long, or depending on the relationship with the ultrasonic frequency, as shown in FIG. 16 is bonded to the insulating substrate 22 through the opening 25 formed by breaking the thin film of the extraction electrode 24.
The insulating substrate 22 needs to be formed of an insulating metal oxide such as glass. Since the insulating substrate 22 is formed of an insulating metal oxide, the solder 16 and the insulating substrate 22 are strong. Will be joined to. On the other hand, the solder 16 and the take-out electrode 24 are electrically connected to each other in the outer peripheral portion of the opening 25, etc., and the conductivity is secured. Although a large gap is shown between the lead wire 10 and the lead-out electrode 24 in the drawings (b) and (c) for the sake of explanation, the lead wire 10 and the lead-out electrode 24 are actually in contact with each other. And electrically connected. in this way,
By bonding the lead wire 10 directly to the insulating substrate 22 such as a glass substrate via the extraction electrode 24, a very strong bond is obtained, and there is no fear that the extraction electrode 24 is separated from the insulating substrate 22.
【００２２】ここで、超音波を発振する半田ごて１８を
用いるのは、この半田１６はフラックスを用いることな
く、酸化物と化学結合をするため、界面の結合を阻害す
るものを取り除く必要がある。特に、半田１６と被着物
との間の空気層は接触面積を狭くし、付着力の低下の大
きな原因となるものである。このため、超音波振動によ
り空気層を除去し、接着力を高める一方、ヒーターによ
る熱と超音波エネルギーにより、半田の溶融も容易とな
り、一層接着性が向上することになる。Here, the soldering iron 18 that oscillates ultrasonic waves is used. Since this solder 16 chemically bonds with an oxide without using a flux, it is necessary to remove a soldering substance that hinders the bonding at the interface. is there. In particular, the air layer between the solder 16 and the adherend narrows the contact area, which is a major cause of the decrease in adhesion. Therefore, while the air layer is removed by ultrasonic vibration to enhance the adhesive force, the heat of the heater and the ultrasonic energy facilitate the melting of the solder and further improve the adhesiveness.
【００２３】以上、本発明に用いられるリード線とその
接続方法の一実施例を詳述したが、次に、本発明が適用
される半導体装置とその製造方法を非晶質太陽電池モジ
ュールとその製造方法を例にして、図面を参照しつつ説
明する。The embodiment of the lead wire used in the present invention and the connecting method thereof have been described in detail above. Next, the semiconductor device to which the present invention is applied and the method of manufacturing the same are described as an amorphous solar cell module and its manufacturing method. The manufacturing method will be described as an example with reference to the drawings.
【００２４】まず図２及び図３に示すように、非晶質太
陽電池モジュール２６は、透明ガラス基板、透明樹脂基
板又は金属基板上に樹脂を被覆した基板などの絶縁基板
２８上に、金属あるいは導電性金属酸化物を蒸着等の方
法により被着させて導電層３０を形成し、続いてその上
に非晶質半導体層３２を形成し、その後、金属あるいは
導電性金属酸化物を蒸着などの方法により被着させて導
電層３４を順次形成することにより、光電変換装置３６
を形成して構成される。なお、ここで上記薄膜３０，３
２，３４を各々形成した後、エッチングやレーザースク
ライブ、あるいは薄膜作成時において金属マスクなどを
用いることにより直列の集積型太陽電池モジュール２６
を形成することができる。上記太陽電池モジュール２６
においては最終段にてそれぞれ正側、負側にモジュール
の取出し電極３８，４０につなぐ収集電極として、前記
リード線１０が絶縁基板２８上の導電層３０，３４の端
部である取出し電極３８，４０に取り付けられる。First, as shown in FIGS. 2 and 3, the amorphous solar cell module 26 includes a transparent glass substrate, a transparent resin substrate, or a metal substrate on which an insulating substrate 28 such as a resin is coated with metal or metal. A conductive metal oxide is deposited by a method such as vapor deposition to form a conductive layer 30, and then an amorphous semiconductor layer 32 is formed thereon, after which a metal or a conductive metal oxide is deposited. A photoelectric conversion device 36 is formed by sequentially depositing the conductive layer 34 by a method.
Is formed and formed. The thin films 30 and 3 are
2 and 34 are respectively formed, and then a series of integrated solar cell modules 26 are formed by using a metal mask or the like during etching, laser scribing, or thin film formation.
Can be formed. The solar cell module 26
In the final stage, as the collecting electrodes connected to the extraction electrodes 38 and 40 of the module on the positive side and the negative side, respectively, the lead wire 10 is the extraction electrode 38, which is the end of the conductive layers 30 and 34 on the insulating substrate 28. It is attached to 40.
【００２５】リード線１０は予め通常の鉛と錫を主成分
とする半田１４による半田メッキ電気的良導体の周りを
鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田１６
にて被覆を施したものであり、このリード線１０を直接
正・負取出し電極３８，４０の部分と重ね、超音波を発
振する半田ごて１８にて、絶縁基板２２上のリード線１
０の上から熱と超音波を加えることにより、取出し電極
３８，４０にリード線１０を強固に取り付けることがで
きる。これにより、いわゆるワンステップボンディング
をすることができる。The lead wire 10 is preliminarily solder-plated with a solder 14 containing lead and tin as main components. A solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components around a good electrical conductor.
The lead wire 10 is directly covered with the positive and negative extraction electrodes 38 and 40, and the lead wire 1 on the insulating substrate 22 is covered with a soldering iron 18 that oscillates ultrasonic waves.
By applying heat and ultrasonic waves from above 0, the lead wire 10 can be firmly attached to the extraction electrodes 38 and 40. This allows so-called one-step bonding.
【００２６】以上、本発明の代表的な実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はないのは言うまでもない。The representative embodiments of the present invention have been described above, but it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments.
【００２７】たとえば図４(a) に示すように、前述の実
施例と同様に電気的良導体１２の外表面の全体に通常の
半田１４を被覆した後、その外表面の全体に鉛、錫、亜
鉛、アンチモンを必須成分とする半田１６を被覆した構
造のリード線１０であっても良いが、同図(b) に示すよ
うに、電気的良導体１２の外表面の全体に直接、鉛、
錫、亜鉛、アンチモンを必須成分とする半田１６を被覆
した構造のリード線４２であっても良い。また、同図
(c) に示すように、電気的良導体１２の外表面の全体又
は一部に通常の半田１４を被覆した後、その被覆された
外表面の一部に鉛、錫、亜鉛、アンチモンを必須成分と
する半田１６を被覆した構造のリード線４４で構成する
ことも可能である。更に、同図(d) に示すように、電気
的良導体１２の外表面の一部に直接、鉛、錫、亜鉛、ア
ンチモンを必須成分とする半田１６を被覆した構造のリ
ード線４６で構成することも可能である。更に、同図
(e) に示すように、電気的良導体１２の外表面の片面又
は片側の一部に直接、鉛、錫、亜鉛、アンチモンを必須
成分とする半田１６を被覆した構造のリード線４８で構
成することも可能である。これら各種の形態のリード線
は、たとえば金属箔の両面又は片面に半田１４及び１６
を用いて所望の形状に被着させた後、適宜半田１４及び
１６の被着された金属箔を所定の大きさに切断して製造
することができ、その他種々の製造方法を採用すること
ができる。For example, as shown in FIG. 4 (a), after the normal solder 14 is coated on the entire outer surface of the good electrical conductor 12 as in the above-described embodiment, the entire outer surface is covered with lead, tin, The lead wire 10 may have a structure in which the solder 16 containing zinc and antimony as essential components is coated, but as shown in FIG. 2B, lead is directly applied to the entire outer surface of the good electrical conductor 12.
The lead wire 42 may have a structure in which the solder 16 containing tin, zinc, and antimony as essential components is coated. Also, the same figure
As shown in (c), after the normal solder 14 is coated on all or part of the outer surface of the electrically good conductor 12, lead, tin, zinc and antimony are essential components on the part of the coated outer surface. It is also possible to form the lead wire 44 having a structure in which the solder 16 is covered. Further, as shown in FIG. 3D, a lead wire 46 having a structure in which a part of the outer surface of the electrically good conductor 12 is directly coated with a solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components It is also possible. Furthermore, the same figure
As shown in (e), a lead wire 48 having a structure in which one surface or a part of one surface of the electrically good conductor 12 is directly coated with a solder 16 containing lead, tin, zinc, and antimony as essential components It is also possible. These various types of lead wires are provided with solder 14 and 16 on both sides or one side of a metal foil, for example.
After being applied in a desired shape by using, the metal foil to which the solders 14 and 16 are applied can be appropriately cut into a predetermined size to be manufactured, and various other manufacturing methods can be adopted. it can.
【００２８】次に、本発明に係るリード線が接続される
回路の取出し電極は酸化物によって形成されているのが
好ましいが、回路全体を酸化物で形成するだけでなく、
回路のうち取出し電極部のみを酸化物で形成したり、あ
るいは少なくとも取出し電極部の表面を導電性の酸化物
で被覆して構成することも可能である。また、取出し電
極に接続されたリード線を補強などの目的で、リード線
を酸化物であるガラス基板上に直接はわせ、リード線の
中間部分の１又は複数箇所をガラス基板上に固定するこ
とも可能である。Next, it is preferable that the lead-out electrode of the circuit to which the lead wire according to the present invention is connected is made of oxide, but not only the whole circuit is made of oxide,
It is also possible to form only the extraction electrode portion of the circuit with an oxide, or to cover at least the surface of the extraction electrode portion with a conductive oxide. In addition, for the purpose of reinforcing the lead wire connected to the extraction electrode, the lead wire is directly placed on the glass substrate which is an oxide, and one or more places of the middle portion of the lead wire are fixed on the glass substrate. Is also possible.
【００２９】また、上記半田ごては超音波振動子とヒー
ターとを備えて、超音波振動子により超音波を発振し、
ヒーターにより加熱するように構成されていたが、超音
波振動子のみによって構成された半田ごてであっても良
い。すなわち、超音波振動子を発振させることによっ
て、その超音波振動子により振動させられた半田が分子
間で発熱させられる。かかる熱を利用して、半田を溶融
させて半田付けをすることができる。その他、半田ごて
は超音波を発振しないものであっても良いが、接合性の
観点からは超音波を発振させるのが好ましく、ヒーター
を備えた半田ごてと超音波振動子とを別個の装置で構成
することも可能である。The soldering iron is provided with an ultrasonic vibrator and a heater, and the ultrasonic vibrator oscillates ultrasonic waves,
Although it is configured to be heated by the heater, it may be a soldering iron configured only by the ultrasonic vibrator. That is, by oscillating the ultrasonic vibrator, the solder vibrated by the ultrasonic vibrator causes heat generation between the molecules. The heat can be used to melt the solder for soldering. In addition, the soldering iron may not oscillate ultrasonic waves, but it is preferable to oscillate ultrasonic waves from the viewpoint of bondability, and the soldering iron equipped with a heater and the ultrasonic vibrator are separated from each other. It is also possible to configure the device.
【００３０】更に、リード線を構成する電気的良導体と
その少なくとも半田付け部分の外表面に被覆される鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田との接合
性を向上させるために、電気的良導体の外表面に導電性
を有する酸化物によって被覆し、その表面に上記鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田を被覆す
るように構成しても良い。Furthermore, a good electrical conductor forming the lead wire and lead coated on at least the outer surface of the soldered portion thereof,
In order to improve the bondability with solder containing tin, zinc and antimony as essential components, the outer surface of an electrically good conductor is coated with a conductive oxide, and the surface thereof is lead,
You may comprise so that the solder which has an essential component of tin, zinc, and antimony may be covered.
【００３１】以上、本発明に係るリード線及び半導体装
置並びに該半導体装置の製造方法の実施例を、太陽電池
モジュールとその製造方法を例にして説明したが、本発
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。本
発明に係るリード線は各種の半導体装置に適用し得るも
のであり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で当業
者の知識に基づき、種々なる改良、変更、修正を加えた
態様で実施しうるものである。The embodiments of the lead wire, the semiconductor device, and the method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention have been described above by taking the solar cell module and the method of manufacturing the same as an example. However, the present invention is limited to these embodiments. It is not limited. The lead wire according to the present invention can be applied to various semiconductor devices, and the present invention is implemented in a mode in which various improvements, changes, and modifications are made based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. It is possible.
【００３２】以下に実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例によって限定される
ものではない。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
【００３３】まず図２及び図３に示すように、厚さ４mm
の３００×４００mmのガラス基板２８上に熱ＣＶＤ法に
より、酸化錫 SnO2 を約５００nm被着させた。続いて、
上記ガラス基板２８上の透明導電性金属酸化物層である
SnO2 層を波長約１．０６μｍのＹＡＧレーザーの基本
波を用いて、７mm幅間隔で電気的に分割し、電極３０を
形成した。その後、超音波洗浄機を用いて、レーザース
クライブによる薄膜の切り子などを取り除いた。基板を
乾燥させた後、容量結合型グロー放電分解装置を用いて
アモルファスシリコン層を蒸着した。蒸着方法は、ガラ
ス基板温度２００℃、槽内圧力０．５〜１．０torrの条
件下で、 SiH4 、CH4 、Ｂ2 Ｈ6 からなる混合ガス、引
続き SiH4 、Ｈ2 からなる混合ガス、更に SiH4 、P
H3 、Ｈ2 からなる混合ガスを順次この順序にて容量結
合型グロー放電分解装置内で分解することにより、Ｐ型
非晶質シリコン半導体層、Ｉ型非晶質シリコン半導体
層、Ｎ型非晶質シリコン半導体層をそれぞれの膜厚が１
２nm，４５０nm，３０nmとなるように、薄膜を形成して
いった。基板を取り出した後、酸化錫のレーザースクラ
イブ部分から約５０μｍずらして、電極である酸化錫に
ダメージがないようにＹＡＧレーザーの第２高調波によ
り、アモルファスシリコン層を分離し、非晶質半導体層
３２を形成した。その後、スパッタリング法により酸化
亜鉛と銀を順次蒸着して裏面金属層を形成した。次に、
上記基板を非晶質半導体層３２の分離部分よりさらに電
極３０の分離線と反対側に５０μｍずらして、非晶質半
導体層３２と裏面金属層を同時にＹＡＧレーザーの第２
高調波を用いて電極である酸化錫にダメージがないよう
に分割し、集積型太陽電池モジュール２６を形成した。First, as shown in FIGS. 2 and 3, the thickness is 4 mm.
On the glass substrate 28 of 300 × 400 mm, tin oxide SnO 2 was deposited by about 500 nm by the thermal CVD method. continue,
It is a transparent conductive metal oxide layer on the glass substrate 28.
An electrode 30 was formed by electrically dividing the SnO 2 layer using a fundamental wave of a YAG laser having a wavelength of about 1.06 μm at 7 mm width intervals. After that, a thin film facet or the like was removed by laser scribing using an ultrasonic cleaner. After drying the substrate, an amorphous silicon layer was deposited using a capacitively coupled glow discharge decomposition apparatus. The vapor deposition method is as follows: a glass substrate temperature of 200 ° C., a chamber pressure of 0.5 to 1.0 torr, a mixed gas of SiH 4 , CH 4 , and B 2 H 6 , followed by a mixed gas of SiH 4 and H 2. , Further SiH 4 , P
A P-type amorphous silicon semiconductor layer, an I-type amorphous silicon semiconductor layer, and an N-type non-silicon layer are decomposed by sequentially decomposing a mixed gas of H 3 and H 2 in this order in a capacitively coupled glow discharge decomposition apparatus. The thickness of each crystalline silicon semiconductor layer is 1
A thin film was formed to have a thickness of 2 nm, 450 nm, and 30 nm. After the substrate is taken out, the amorphous silicon layer is separated by the second harmonic of the YAG laser so that the tin oxide, which is the electrode, is not displaced by being displaced by about 50 μm from the laser scribe portion of the tin oxide, and the amorphous semiconductor layer. 32 was formed. Then, zinc oxide and silver were sequentially deposited by a sputtering method to form a back surface metal layer. next,
The substrate is shifted further by 50 μm on the side opposite to the separation line of the electrode 30 from the separation portion of the amorphous semiconductor layer 32, and the amorphous semiconductor layer 32 and the back surface metal layer are simultaneously irradiated by the second YAG laser.
The integrated solar cell module 26 was formed by dividing the tin oxide, which is an electrode, using harmonics so as not to damage it.
【００３４】このようにして作製した太陽電池モジュー
ル２６の正・負の取出し段（３８，４０）に収集電極と
して半田メッキを施したリード線１０を取り付けた（図
３を参照）。このリード線１０は、予め半田メッキ銅箔
の周りを鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする
半田１６にて被覆を施したものであり、このリード線１
０を直接正・負取取出し電極３８，４０部分と重ね、超
音波を発振する半田ごてにて、該ガラス基板２８上のリ
ード線１０の上から熱と超音波を加えることにより、ガ
ラス基板２８上にリード線１０を取り付けた（図３参
照）。Solder-plated lead wires 10 were attached as collecting electrodes to the positive and negative extraction stages (38, 40) of the solar cell module 26 thus manufactured (see FIG. 3). The lead wire 10 is obtained by coating the periphery of a solder-plated copper foil with a solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components in advance.
0 is directly superposed on the positive / negative extraction electrodes 38 and 40, and heat and ultrasonic waves are applied from above the lead wire 10 on the glass substrate 28 with a soldering iron that oscillates ultrasonic waves to thereby obtain a glass substrate. The lead wire 10 was attached on the wire 28 (see FIG. 3).
【００３５】ここで、リード線１０に用いた半田メッキ
銅箔の半田１４の組成はＳｎ：Ｐｂ＝６０：４０の半田
を使用した。銅箔１２は厚み８０μｍ，幅２mmであり、
半田メッキの半田１４の厚みはそれぞれの片面に約３５
μｍずつ被覆されている。この半田メッキした銅箔を、
連続的に鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする
半田１６を溶融させた半田浴の中に浸漬して、半田１６
を被覆し、引続き半田浴から引き出し、冷却後巻き取る
ことにより、所定の膜厚を有する半田１６で被覆された
リード線１０を得ることができた。The composition of the solder 14 of the solder-plated copper foil used for the lead wire 10 was Sn: Pb = 60: 40. The copper foil 12 has a thickness of 80 μm and a width of 2 mm,
The thickness of the solder-plated solder 14 is about 35 on each side.
It is coated by μm. This solder-plated copper foil,
The solder 16 containing lead, tin, zinc and antimony as essential components is continuously immersed in a molten solder bath to form the solder 16
Was obtained, and the lead wire 10 coated with the solder 16 having a predetermined film thickness could be obtained by taking out from the solder bath, cooling, and winding.
【００３６】[0036]
【発明の効果】本発明に係るリード線は、そのリード線
を構成する電気的良導体の少なくとも半田付け部分が
鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田によ
り被覆されているため、この鉛、錫、亜鉛及びアンチモ
ンを必須成分とする半田が特に酸化物に対して強い接合
性を有していることから、予備半田を用いなくとも充分
な強度をもって半田付けすることができる。このため、
半田付け工程の工数が減少し、コストダウンを図ること
ができる。In the lead wire according to the present invention, at least the soldering part of the electrically good conductor forming the lead wire is covered with the solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components. Since solder containing tin, zinc, and antimony as essential components has a strong bondability with respect to oxides in particular, it is possible to perform soldering with sufficient strength without using preliminary solder. For this reason,
The number of steps in the soldering process is reduced, and the cost can be reduced.
【００３７】また、本発明に係るリード線において、そ
のリード線を構成する電気的良導体の少なくとも半田付
け部分が鉛と錫を主成分とする半田により被覆され、且
つ該半田の被覆箇所の少なくとも半田付け箇所に鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田が被着さ
れていることにより、電気的良導体と、鉛、錫、亜鉛及
びアンチモンを必須成分とする半田とが鉛と錫を主成分
とする半田により強固に接合され、接続不良が生ずるこ
とはない。Further, in the lead wire according to the present invention, at least the soldered portion of the electrically good conductor constituting the lead wire is covered with the solder containing lead and tin as the main components, and at least the solder at the covered portion of the solder. Lead at the attachment point,
Since the solder containing tin, zinc and antimony as essential components is deposited, the electrical good conductor and the solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components are It is firmly joined and no connection failure occurs.
【００３８】次に、本発明に係る半導体装置は絶縁基板
上に被着形成された回路の少なくとも取出し電極が導電
性金属酸化物から成り、該取出し電極とリード線が鉛、
錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田により半
田付けされているため、半田付け箇所において電気的接
続不良が生ずることはない。Next, in the semiconductor device according to the present invention, at least the extraction electrode of the circuit deposited on the insulating substrate is made of a conductive metal oxide, and the extraction electrode and the lead wire are lead,
Since soldering is performed with the solder containing tin, zinc, and antimony as essential components, no electrical connection failure will occur at the soldering point.
【００３９】また、かかる半導体装置の製造方法におい
て、絶縁基板上に被着形成された少なくとも導電性金属
酸化物から成る取出し電極部に、リード線の鉛、錫、亜
鉛及びアンチモンを必須成分とする半田の被着部を配置
し、該リード線を超音波を発振する半田ごてで押さえつ
けつつ、超音波を発振し且つ加熱して取り付けるように
しているため、半田を加熱溶融させるだけでなく、超音
波を発振させており、更に強固に接合される。更に、半
田付けの工数が減るため、半導体装置が熱影響を受ける
ことが少なくなり、品質が安定するなどの効果を奏す
る。Further, in the method for manufacturing a semiconductor device, lead, tin, zinc and antimony of the lead wire are essential components in the extraction electrode portion formed of at least a conductive metal oxide deposited on the insulating substrate. The solder adhered portion is arranged, and while pressing the lead wire with a soldering iron that oscillates an ultrasonic wave, the ultrasonic wave is oscillated and heated so that the solder is not only melted by heating, Ultrasonic waves are oscillated, and they are joined more firmly. Furthermore, since the number of soldering steps is reduced, the semiconductor device is less affected by heat, and the quality is stabilized.
【図１】リード線の構造とその半田付け方法を説明する
ための説明図であり、同図(a)は半田付け前の状態を示
す断面図、同図(b) は半田付け後の状態を示す断面図で
あり、同図(c) は半田付け後の他の状態を示す断面図で
ある。1A and 1B are explanatory views for explaining a structure of a lead wire and a soldering method thereof. FIG. 1A is a sectional view showing a state before soldering, and FIG. 1B is a state after soldering. FIG. 6C is a sectional view showing another state after soldering.
【図２】本発明が適用される半導体装置の一例である太
陽電池モジュールの要部を示す断面説明図である。FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view showing a main part of a solar cell module which is an example of a semiconductor device to which the present invention is applied.
【図３】本発明が適用される半導体装置の一例である太
陽電池モジュールを示す平面説明図である。FIG. 3 is a plan explanatory view showing a solar cell module which is an example of a semiconductor device to which the present invention is applied.
【図４】図(a) 乃至(e) はいずれも本発明に係るリード
線の半田被覆部の実施例を示す要部断面説明図である。4 (a) to 4 (e) are cross-sectional explanatory views of essential parts showing an embodiment of a solder coating part of a lead wire according to the present invention.
【図５】従来の予備半田を用いた半田付け方法を示す要
部断面説明図である。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view of an essential part showing a conventional soldering method using preliminary soldering.
１０，４２，４４，４６，４８；リード線 １２；電気的良導体 １４；鉛と錫を主成分とする半田 １６；鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半
田 １８；半田ごて ２２，２８；絶縁基板 ２４，３８，４０；取出し電極 ２５；開口部 ２６；太陽電池モジュール10, 42, 44, 46, 48; lead wire 12; good electrical conductor 14; solder containing lead and tin as main components 16; solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components 18; soldering iron 22, 28; Insulating substrate 24, 38, 40; Extraction electrode 25; Opening 26; Solar cell module
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 譲 兵庫県芦屋市若葉町２−２−232 (72)発明者 山岸 英雄 京都府綴喜郡田辺町田辺狐川153の１ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Yuzuru Kondo 2-2-232 Wakaba-cho, Ashiya-shi, Hyogo (72) Inventor Hideo Yamagishi 153-1, Tanabegawa, Tanabe-cho, Tsuzuki-gun, Kyoto Prefecture
Claims (4)
くとも取出し電極が導電性金属酸化物から成り、該取出
し電極に電気的良導体から成る導線が鉛、錫、亜鉛及び
アンチモンを必須成分とする半田により半田付けされて
いることを特徴とする半導体装置。1. At least an extraction electrode of a circuit deposited on an insulating substrate is made of a conductive metal oxide, and a conductive wire made of a good electrical conductor is used as an essential component for the extraction electrode. A semiconductor device characterized in that it is soldered with a solder.
被着形成された回路の少なくとも取出し電極が導電性金
属酸化物薄膜又は金属薄膜から成り、該取出し電極部に
形成された開口部を通して電気的良導体から成る導線が
鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田によ
り前記絶縁基板に半田付けされるとともに、該取出し電
極の非開口部において該導線が電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。2. A circuit formed by depositing on an insulating substrate made of an insulating metal oxide, wherein at least a take-out electrode is made of a conductive metal oxide thin film or a metal thin film, and an opening formed at the take-out electrode portion is used. A conductive wire made of a good electrical conductor is soldered to the insulating substrate with a solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components, and the conductive wire is electrically connected in the non-opening portion of the extraction electrode. A semiconductor device characterized by:
成分とする半田は、鉛が１〜６０重量％、錫が１０〜９
８重量％、亜鉛が０．０１〜２５重量％及びアンチモン
が０．０１〜５０重量％であることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載する半導体装置。3. The solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components contains 1 to 60% by weight of lead and 10 to 9% of tin.
The semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein 8 wt%, zinc is 0.01 to 25 wt%, and antimony is 0.01 to 50 wt%.
導電性金属酸化物又は金属から成る取出し電極部に、少
なくとも一部が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分
とする半田で被覆された電気的良導体から成る導線を配
置し、該導線の半田被着部を超音波を発振する半田ごて
で押さえつけつつ、超音波を発振し且つ加熱して取り付
けることを特徴とする半導体装置の製造方法。4. An extraction electrode part made of at least a conductive metal oxide or metal deposited on an insulating substrate, at least a part of which is coated with a solder containing lead, tin, zinc and antimony as essential components. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: arranging a conductive wire made of an electrically good conductor, oscillating and heating ultrasonic waves while pressing a soldering portion of the conductive wire with a soldering iron that oscillates ultrasonic waves. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087409A JPH08264819A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087409A JPH08264819A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH08264819A true JPH08264819A (en) | 1996-10-11 |
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ID=13914088
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| JP7087409A Pending JPH08264819A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| JP (1) | JPH08264819A (en) |
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