JPH08262747A - 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH08262747A JPH08262747A JP7086197A JP8619795A JPH08262747A JP H08262747 A JPH08262747 A JP H08262747A JP 7086197 A JP7086197 A JP 7086197A JP 8619795 A JP8619795 A JP 8619795A JP H08262747 A JPH08262747 A JP H08262747A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】レチクルとウエハとを高精度に位置合せでき、
高集積度の半導体装置が得られる投影露光装置及びそれ
を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】露光用照明系４からの露光光で照明した第１物
体としてのレチクル３のパターンを第２物体であるウエ
ハ２上に投影する射出テレセントリックな投影レンズ系
１と、ウエハ面上に設けた、アラインメントマークを観
察用照明系３５からの観察光で投影レンズ系１を介して
照明すると同時に、該マークの所定面上における結像位
置の観察によりレチクル３とウエハ２の相対的位置関係
を検出する観察手段と、投影レンズのウエハ側での焦点
誤差に基ずく観察手段による計測値の誤差の計測手段を
もつ投影露光装置である。観察手段はウエハマークの観
察位置を任意に変更できる移動機構２０と、計測誤差を
最小にするための観察光主光線の光路調整用の補正光学
系１０１を有している。
高集積度の半導体装置が得られる投影露光装置及びそれ
を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】露光用照明系４からの露光光で照明した第１物
体としてのレチクル３のパターンを第２物体であるウエ
ハ２上に投影する射出テレセントリックな投影レンズ系
１と、ウエハ面上に設けた、アラインメントマークを観
察用照明系３５からの観察光で投影レンズ系１を介して
照明すると同時に、該マークの所定面上における結像位
置の観察によりレチクル３とウエハ２の相対的位置関係
を検出する観察手段と、投影レンズのウエハ側での焦点
誤差に基ずく観察手段による計測値の誤差の計測手段を
もつ投影露光装置である。観察手段はウエハマークの観
察位置を任意に変更できる移動機構２０と、計測誤差を
最小にするための観察光主光線の光路調整用の補正光学
系１０１を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置及びそれを
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特にレチクル
（第１物体）面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微
細な電子回路パターンを投影レンズ系（投影光学系）に
よりウエハ（第２物体）面上に投影露光し、半導体デバ
イスを製造する際にレチクルとウエハとの相対的な位置
関係を高精度に検出し、高集積度の半導体デバイスを製
造するのに好適なものである。
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特にレチクル
（第１物体）面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微
細な電子回路パターンを投影レンズ系（投影光学系）に
よりウエハ（第２物体）面上に投影露光し、半導体デバ
イスを製造する際にレチクルとウエハとの相対的な位置
関係を高精度に検出し、高集積度の半導体デバイスを製
造するのに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造用の投影露光装置で
は、第１物体としてのレチクルの回路パターンを投影レ
ンズ系により第２物体としてのウエハ上に投影し、露光
している。このとき、該投影露光に先立って観察装置を
用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライ
メントマーク（マーク）を検出し、この検出結果に基づ
いてレチクルとウエハとの位置整合（位置合わせ）、所
謂アライメントを行なっている。
は、第１物体としてのレチクルの回路パターンを投影レ
ンズ系により第２物体としてのウエハ上に投影し、露光
している。このとき、該投影露光に先立って観察装置を
用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライ
メントマーク（マーク）を検出し、この検出結果に基づ
いてレチクルとウエハとの位置整合（位置合わせ）、所
謂アライメントを行なっている。
【０００３】このときのアライメント精度は観察装置の
光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性
能は露光装置において重要な要素となっている。このよ
うな観察装置を利用してアライメントを行ったものは従
来より種々の方式が提案されている。
光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性
能は露光装置において重要な要素となっている。このよ
うな観察装置を利用してアライメントを行ったものは従
来より種々の方式が提案されている。
【０００４】例えばウエハ上に塗布されたレジストを感
光させない光（以下、「非露光光」という。）、例えば
He-Neレーザからの波長６３３ｎｍの光を用いて投影レ
ンズ系を介し（ＴＴＬ）、ウエハ上のアライメントマー
クを検出する方式、所謂ＴＴＬオフアクシス方式があ
る。このＴＴＬオフアクシス方式は投影レンズ系におい
て色収差が多く発生する為、一般に露光位置においてウ
エハとレチクルを同時に観察することができない。この
為ベースライン（アライメント位置でのショット中心と
露光位置でのショット中心の距離）の変動を管理する必
要がある。
光させない光（以下、「非露光光」という。）、例えば
He-Neレーザからの波長６３３ｎｍの光を用いて投影レ
ンズ系を介し（ＴＴＬ）、ウエハ上のアライメントマー
クを検出する方式、所謂ＴＴＬオフアクシス方式があ
る。このＴＴＬオフアクシス方式は投影レンズ系におい
て色収差が多く発生する為、一般に露光位置においてウ
エハとレチクルを同時に観察することができない。この
為ベースライン（アライメント位置でのショット中心と
露光位置でのショット中心の距離）の変動を管理する必
要がある。
【０００５】一方、露光光を用いて投影レンズ系を介し
てウエハ面上のアライメントマークを検出する所謂ＴＴ
Ｌオンアクシス方式がある。このＴＴＬオンアクシス方
式を用いた投影露光装置が、例えば特開昭５８−２５６
３８号公報や特開昭６３−３２３０３号公報等で提案さ
れている。
てウエハ面上のアライメントマークを検出する所謂ＴＴ
Ｌオンアクシス方式がある。このＴＴＬオンアクシス方
式を用いた投影露光装置が、例えば特開昭５８−２５６
３８号公報や特開昭６３−３２３０３号公報等で提案さ
れている。
【０００６】これらの公報ではｇ線（４３６ｎｍ）の光
（露光光）を用いて投影レンズ系によりレチクルの回路
パターンをウエハ上に投影露光する一方、アライメント
系にHe-Cdレーザから放射される波長４４２ｎｍの光
（アライメント光）を用い、レチクルとウエハの各々の
アライメントマークを検出している。そして投影レンズ
系をレチクル側とウエハ側の双方でテレセントリックと
なるように、所謂両テレセントリックな光学系を構成す
ることによりレチクル側よりウエハ面上を観察する際、
アライメント光の主光線が常にレチクル面に垂直となる
という特徴を利用している。
（露光光）を用いて投影レンズ系によりレチクルの回路
パターンをウエハ上に投影露光する一方、アライメント
系にHe-Cdレーザから放射される波長４４２ｎｍの光
（アライメント光）を用い、レチクルとウエハの各々の
アライメントマークを検出している。そして投影レンズ
系をレチクル側とウエハ側の双方でテレセントリックと
なるように、所謂両テレセントリックな光学系を構成す
ることによりレチクル側よりウエハ面上を観察する際、
アライメント光の主光線が常にレチクル面に垂直となる
という特徴を利用している。
【０００７】これにより製造するＩＣの種類が変わって
レチクル面上でのパターン寸法が変化してアライメント
系の観察位置を変化させてもレチクル面に入射或は反射
する光の角度を不変とすることができ、この性質を利用
することにより高精度なＴＴＬオンアクシスシステムを
構成している。尚、ＴＴＬオンアクシスシステムという
のは露光する投影光学系を介して露光する状態のままで
レチクルとウエハとのアライメントを行うことである。
レチクル面上でのパターン寸法が変化してアライメント
系の観察位置を変化させてもレチクル面に入射或は反射
する光の角度を不変とすることができ、この性質を利用
することにより高精度なＴＴＬオンアクシスシステムを
構成している。尚、ＴＴＬオンアクシスシステムという
のは露光する投影光学系を介して露光する状態のままで
レチクルとウエハとのアライメントを行うことである。
【０００８】又、観察装置の照明光束主光線の角度を偏
向する方式として、特開昭６３−５６９１７号公報が提
案されている。本公報では投影光学系の光軸と、アライ
メント光学系のレチクル側観察位置との相対位置を検出
し、検出情報に応じて予め求めた投影レンズの主光線の
傾き角度だけ、観察装置の照明光束主光線角度を偏向す
るものである。
向する方式として、特開昭６３−５６９１７号公報が提
案されている。本公報では投影光学系の光軸と、アライ
メント光学系のレチクル側観察位置との相対位置を検出
し、検出情報に応じて予め求めた投影レンズの主光線の
傾き角度だけ、観察装置の照明光束主光線角度を偏向す
るものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】投影レンズ系を介して
ウエハ面上のアライメントマークを観察する際、投影光
学系の光軸上、特定の位置（像高）だけのアライメント
マークを観察するのであれば、その像高で照明光の主光
線がウエハ面と垂直になるように設定すれば良い。
ウエハ面上のアライメントマークを観察する際、投影光
学系の光軸上、特定の位置（像高）だけのアライメント
マークを観察するのであれば、その像高で照明光の主光
線がウエハ面と垂直になるように設定すれば良い。
【００１０】しかしながら、例えばオフアクシスアライ
メントの為のベースラインを計測する時、計測像高がレ
チクルの都合上等で変えざるを得なかったり、又ＴＴＬ
オンアクシスアライメントをする為、或はアライメント
マーク等の配置の為に観察像高を変えなければならない
時がある。このとき投影光学系に瞳の球面収差が残存し
ているとウエハと照明光束の主光線との角度が垂直から
ずれてくる。
メントの為のベースラインを計測する時、計測像高がレ
チクルの都合上等で変えざるを得なかったり、又ＴＴＬ
オンアクシスアライメントをする為、或はアライメント
マーク等の配置の為に観察像高を変えなければならない
時がある。このとき投影光学系に瞳の球面収差が残存し
ているとウエハと照明光束の主光線との角度が垂直から
ずれてくる。
【００１１】次に図１２を用いて投影光学系に瞳の球面
収差が残存している場合に、主光線がウエハ面に垂直入
射せず、ずれることについて説明する。
収差が残存している場合に、主光線がウエハ面に垂直入
射せず、ずれることについて説明する。
【００１２】図１２において１はウエハ２側がテレセン
トリックな投影光学系、２はウエハ、３はレチクルパタ
ーン面、１０は投影光学系１内の絞りを示す。投影光学
系１の瞳に球面収差があると図１２の各像高Ａ，Ｂ，Ｃ
においてウエハ２側のどの像高に対しても観察光の主光
線がウエハ面２を垂直にする為には像高Ａのレチクル３
側に対応するところで＋θ、像高Ｂのレチクル側に対応
するところで０、像高Ｃのレチクル側に対応するところ
で−θ分だけ主光線のレチクル３への入射角を傾けなけ
ればならない。各像高に応じてレチクル３への入射角を
変えないとウエハ２への観察光の入射角が投影光学系１
の結像倍率を−１／βとしたとき像高Ａでは−βθ、像
高Ｂでは０、像高Ｃでは＋βθとなる。
トリックな投影光学系、２はウエハ、３はレチクルパタ
ーン面、１０は投影光学系１内の絞りを示す。投影光学
系１の瞳に球面収差があると図１２の各像高Ａ，Ｂ，Ｃ
においてウエハ２側のどの像高に対しても観察光の主光
線がウエハ面２を垂直にする為には像高Ａのレチクル３
側に対応するところで＋θ、像高Ｂのレチクル側に対応
するところで０、像高Ｃのレチクル側に対応するところ
で−θ分だけ主光線のレチクル３への入射角を傾けなけ
ればならない。各像高に応じてレチクル３への入射角を
変えないとウエハ２への観察光の入射角が投影光学系１
の結像倍率を−１／βとしたとき像高Ａでは−βθ、像
高Ｂでは０、像高Ｃでは＋βθとなる。
【００１３】このようにウエハ２への観察光の入射角が
傾いてしまったとき、図１３（Ａ）に示すように＋側に
Ｄ+ μｍデフォーカスでΔ1 、−側にＤ- μｍデフォー
カスでΔ2 というようにアライメントマーク位置計測値
がずれる。このため、 ＋側は、１μｍデフォーカスあたり Δ1 ／Ｄ+ −側は、１μｍデフォーカスあたり Δ2 ／Ｄ- だけ、アライメントマークの計測値がデフォーカス量に
対し、依存性（以下「デフォーカス特性」と呼ぶ。）を
持ってしまう。
傾いてしまったとき、図１３（Ａ）に示すように＋側に
Ｄ+ μｍデフォーカスでΔ1 、−側にＤ- μｍデフォー
カスでΔ2 というようにアライメントマーク位置計測値
がずれる。このため、 ＋側は、１μｍデフォーカスあたり Δ1 ／Ｄ+ −側は、１μｍデフォーカスあたり Δ2 ／Ｄ- だけ、アライメントマークの計測値がデフォーカス量に
対し、依存性（以下「デフォーカス特性」と呼ぶ。）を
持ってしまう。
【００１４】前述の特開昭６３−３２３０３号公報では
アライメント照明系の一部の光学要素の姿勢を変化させ
て補正を行っている。具体的には光路中のミラー等の角
度を変化させている。この為、補正する為に変化させる
角度はレチクル側の入射角として必要な角度の半分であ
り、微小量な角度となり、高い補正精度を確保すること
は困難であった。
アライメント照明系の一部の光学要素の姿勢を変化させ
て補正を行っている。具体的には光路中のミラー等の角
度を変化させている。この為、補正する為に変化させる
角度はレチクル側の入射角として必要な角度の半分であ
り、微小量な角度となり、高い補正精度を確保すること
は困難であった。
【００１５】前述の特開昭６３−５６９１７号公報では
投影光学系の光軸とアライメント光学系の観察位置との
相対位置を検出し、検出情報に応じて予め求めた投影レ
ンズのテレセントリック性のずれ量に対応した角度だ
け、観察装置の照明光束主光線角度を偏向している。こ
の為、補正精度には投影レンズ光軸と観察位置との相対
位置の検出精度が含まれてしまう。
投影光学系の光軸とアライメント光学系の観察位置との
相対位置を検出し、検出情報に応じて予め求めた投影レ
ンズのテレセントリック性のずれ量に対応した角度だ
け、観察装置の照明光束主光線角度を偏向している。こ
の為、補正精度には投影レンズ光軸と観察位置との相対
位置の検出精度が含まれてしまう。
【００１６】又、予め投影レンズのテレセントリック性
のずれ量に対応した補正テーブルを持つ場合、ずれ量を
設計値により求めると、組立時による調整誤差が残存
し、補正誤差となる。
のずれ量に対応した補正テーブルを持つ場合、ずれ量を
設計値により求めると、組立時による調整誤差が残存
し、補正誤差となる。
【００１７】計測によりずれ量を求める場合も観察光源
の交換等による経時変化により補正精度が落ちるという
問題が生じる。補正テーブルを定期的に計測する場合
も、全像高でのデータを再計測しなければならず、多大
な時間を要するという問題が生じる。
の交換等による経時変化により補正精度が落ちるという
問題が生じる。補正テーブルを定期的に計測する場合
も、全像高でのデータを再計測しなければならず、多大
な時間を要するという問題が生じる。
【００１８】補正テーブルを定期的に計測する場合も、
全像高でのデータを再計測しなければならず多大な時間
を要するという問題が生じる。
全像高でのデータを再計測しなければならず多大な時間
を要するという問題が生じる。
【００１９】更に、投影レンズのテレセントリック性の
ずれ量以外の要因によるフォーカス誤差に起因する計測
誤差は補正できない。例えば、Ｚ駆動による他成分（斜
めに動いた時）がある場合は、フォーカス誤差に起因す
る計測誤差が発生する。
ずれ量以外の要因によるフォーカス誤差に起因する計測
誤差は補正できない。例えば、Ｚ駆動による他成分（斜
めに動いた時）がある場合は、フォーカス誤差に起因す
る計測誤差が発生する。
【００２０】このように補正テーブルかできない要因の
補正は従来システムでは不可能であり、高精度なアライ
メントは到底望めないものである。
補正は従来システムでは不可能であり、高精度なアライ
メントは到底望めないものである。
【００２１】本発明は、投影光学系を介してウエハ（第
２物体）面上のアライメントマークを観察する際、投影
光学系の瞳に球面収差が多少残存していても種々の像高
において観察光の主光線がウエハ面に垂直に入射できる
ようにしてレチクル（第１物体）とウエハとの相対的な
位置合わせを高精度に行い、高集積度の半導体デバイス
が容易に得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法の提供を目的とする。
２物体）面上のアライメントマークを観察する際、投影
光学系の瞳に球面収差が多少残存していても種々の像高
において観察光の主光線がウエハ面に垂直に入射できる
ようにしてレチクル（第１物体）とウエハとの相対的な
位置合わせを高精度に行い、高集積度の半導体デバイス
が容易に得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、 （１−１）露光用照明系からの露光光で照明した第１物
体のパターンを第２物体上に投影する射出テレセントリ
ックな投影レンズ系と、該第２物体に設けたマークを観
察用照明系からの観察光で該投影レンズ系を介して照明
すると共に、該投影レンズ系を介して該マークの所定面
上における結像位置を観察することにより該第１物体と
第２物体の相対的な位置関係を検出する観察手段と該投
影レンズの該第２物体側におけるフォーカス誤差に起因
する該観察手段による計測値の計測誤差を計測する手段
を有した投影露光装置において該観察手段は該第２物体
のマークの観察位置を任意に変えることのできる移動機
構と、該計測誤差を最小にする為、該観察光の主光線の
光路を調整する補正光学系とを有していることを特徴と
している。
は、 （１−１）露光用照明系からの露光光で照明した第１物
体のパターンを第２物体上に投影する射出テレセントリ
ックな投影レンズ系と、該第２物体に設けたマークを観
察用照明系からの観察光で該投影レンズ系を介して照明
すると共に、該投影レンズ系を介して該マークの所定面
上における結像位置を観察することにより該第１物体と
第２物体の相対的な位置関係を検出する観察手段と該投
影レンズの該第２物体側におけるフォーカス誤差に起因
する該観察手段による計測値の計測誤差を計測する手段
を有した投影露光装置において該観察手段は該第２物体
のマークの観察位置を任意に変えることのできる移動機
構と、該計測誤差を最小にする為、該観察光の主光線の
光路を調整する補正光学系とを有していることを特徴と
している。
【００２３】特に、 （１−１−１）前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていること。
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていること。
【００２４】（１−１−２）前記観察手段は前記観察用
照明系からの観察光をアフォーカル光として射出させる
レンズ系を有し、前記補正光学系は互いに対向した状態
で光軸を回転中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任
意に変えることのできる２つの透明な楔を有する楔部材
を有し、該２つの楔は該アフォーカル光路中に設けられ
ており、該２つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の
光路を光軸に対して平行にシフトしていること。
照明系からの観察光をアフォーカル光として射出させる
レンズ系を有し、前記補正光学系は互いに対向した状態
で光軸を回転中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任
意に変えることのできる２つの透明な楔を有する楔部材
を有し、該２つの楔は該アフォーカル光路中に設けられ
ており、該２つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の
光路を光軸に対して平行にシフトしていること。
【００２５】（１−１−３）前記補正光学系は角度の異
なる複数の楔より成る楔部材を有し、該複数の楔のうち
の１つの楔を選択して光路中に配置して前記観察光の光
路を調整していること。
なる複数の楔より成る楔部材を有し、該複数の楔のうち
の１つの楔を選択して光路中に配置して前記観察光の光
路を調整していること。
【００２６】（１−１−４）前記移動機構による第２物
体面上のマークの観察位置の変更に伴って前記補正光学
系は観察光の光路を調整していること。
体面上のマークの観察位置の変更に伴って前記補正光学
系は観察光の光路を調整していること。
【００２７】（１−１−５）前記観察手段の観察光の光
路調整は前記計測手段の計測結果により行っているこ
と。等、を特徴としている本発明の半導体デバイスの製
造方法は、 （１−２）露光光で照明したレチクル面上のパターンを
射出テレセントリックな投影レンズ系によりウエハ面上
に投影した後に、該ウエハを現像処理工程を介して半導
体デバイスを製造する際、観察手段により該ウエハ面上
のマークを観察用照明系からの観察光で該投影レンズ系
を介して照明し、該投影レンズ系を介して該マークの所
定面上における結像位置を観察して、該レチクルとウエ
ハの相対的な位置関係を検出すると共に、移動機構によ
り該ウエハ面上のマークの観察位置を任意に変えたと
き、補正光学系により該計測誤差を最小にする為、該観
察光の主光線の光路を調整していることを特徴としてい
る。
路調整は前記計測手段の計測結果により行っているこ
と。等、を特徴としている本発明の半導体デバイスの製
造方法は、 （１−２）露光光で照明したレチクル面上のパターンを
射出テレセントリックな投影レンズ系によりウエハ面上
に投影した後に、該ウエハを現像処理工程を介して半導
体デバイスを製造する際、観察手段により該ウエハ面上
のマークを観察用照明系からの観察光で該投影レンズ系
を介して照明し、該投影レンズ系を介して該マークの所
定面上における結像位置を観察して、該レチクルとウエ
ハの相対的な位置関係を検出すると共に、移動機構によ
り該ウエハ面上のマークの観察位置を任意に変えたと
き、補正光学系により該計測誤差を最小にする為、該観
察光の主光線の光路を調整していることを特徴としてい
る。
【００２８】特に、 （１−２−１）前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていること。
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていること。
【００２９】（１−２−２）前記観察手段は前記観察用
照明系からの観察光をアフォーカル光として射出させる
レンズ系を有し、前記補正光学系は互いに対向した状態
で光軸を回転中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任
意に変えることのできる２つの透明な楔を有する楔部材
を有し、該２つの楔は該アフォーカル光路中に設けられ
ており、該２つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の
光路を光軸に対して平行にシフトしていること。
照明系からの観察光をアフォーカル光として射出させる
レンズ系を有し、前記補正光学系は互いに対向した状態
で光軸を回転中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任
意に変えることのできる２つの透明な楔を有する楔部材
を有し、該２つの楔は該アフォーカル光路中に設けられ
ており、該２つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の
光路を光軸に対して平行にシフトしていること。
【００３０】（１−２−３）前記補正光学系は角度の異
なる複数の楔より成る楔部材を有し、該複数の楔のうち
の１つの楔を選択して光路中に配置して前記観察光の光
路を調整していること。
なる複数の楔より成る楔部材を有し、該複数の楔のうち
の１つの楔を選択して光路中に配置して前記観察光の光
路を調整していること。
【００３１】（１−２−４）前記観察手段の観察光の光
路調整は前記計測手段の計測結果により行っているこ
と。等、を特徴としている。
路調整は前記計測手段の計測結果により行っているこ
と。等、を特徴としている。
【００３２】
【実施例】図１は本発明の半導体デバイス製造用の投影
露光装置の実施例１の光学系の要部概略図である。同図
において３は第１物体としてのレチクルで、レチクルス
テージ３ａに載置されており、露光用照明系４からの露
光光で照明している。２は第２物体としてのウエハであ
り、その面上にはアライメントマーク（ＡＡマーク）が
設けられている。１は投影光学系（投影レンズ系）であ
り、射出テレセントリック系より成りレチクル３面上の
回路パターン等をウエハ２面上に投影している。１０は
投影レンズ系１の絞りである。８はウエハチャックであ
り、ウエハ２を載置している。
露光装置の実施例１の光学系の要部概略図である。同図
において３は第１物体としてのレチクルで、レチクルス
テージ３ａに載置されており、露光用照明系４からの露
光光で照明している。２は第２物体としてのウエハであ
り、その面上にはアライメントマーク（ＡＡマーク）が
設けられている。１は投影光学系（投影レンズ系）であ
り、射出テレセントリック系より成りレチクル３面上の
回路パターン等をウエハ２面上に投影している。１０は
投影レンズ系１の絞りである。８はウエハチャックであ
り、ウエハ２を載置している。
【００３３】７はθ−Ｚステージでウエハチャック８を
載置しており、ウエハ２のθ回転及びフォーカス調整即
ちＺ方向の調整を行っている。θ−Ｚステージ７はチル
トステージ６及びステップ動作を高精度に行う為のＸＹ
ステージ５上に載置されている。チルトステージ６上に
はステージ位置計測の基準となる光学スクウェアー（バ
ーミラー）１１が置かれており、この光学スクウェアー
１１をレーザ干渉計１２でモニターしている。
載置しており、ウエハ２のθ回転及びフォーカス調整即
ちＺ方向の調整を行っている。θ−Ｚステージ７はチル
トステージ６及びステップ動作を高精度に行う為のＸＹ
ステージ５上に載置されている。チルトステージ６上に
はステージ位置計測の基準となる光学スクウェアー（バ
ーミラー）１１が置かれており、この光学スクウェアー
１１をレーザ干渉計１２でモニターしている。
【００３４】即ち、レーザ干渉計１２はＸＹステージ５
の位置をモニターし、回線を通じてコンピュータ４１で
位置制御している。又チルトステージ６上には非ＴＴＬ
−アライメント用のフィデューシャルマーク９が設けら
れている。
の位置をモニターし、回線を通じてコンピュータ４１で
位置制御している。又チルトステージ６上には非ＴＴＬ
−アライメント用のフィデューシャルマーク９が設けら
れている。
【００３５】本実施例におけるレチクル３とウエハ２と
の位置合わせ（アライメント）は予め位置関係が求めら
れている基準マークに対して各々位置合わせを行うこと
により間接的に行っている。又は実際レジスト像パター
ン等をアライメントを行って露光を行い、その誤差（オ
フセット）を測定し、それ以後その値を考慮してオフセ
ット処理して行っている。
の位置合わせ（アライメント）は予め位置関係が求めら
れている基準マークに対して各々位置合わせを行うこと
により間接的に行っている。又は実際レジスト像パター
ン等をアライメントを行って露光を行い、その誤差（オ
フセット）を測定し、それ以後その値を考慮してオフセ
ット処理して行っている。
【００３６】次にウエハ２面のマーク（アライメント）
の位置検出を観察手段を用いて行う方法について説明す
る。３５は観察用照明系である。観察用照明系３５には
露光用照明系４からファイバー３６を通して露光光を観
察光として導入している。観察用照明系３５からの観察
光はビームスプリッター３２で反射してリレーレンズ３
１に入射する。リレーレンズ３１からの観察光は平行光
（アフォーカル）となり、透明な平行平面板より成る補
正光学系１０１を介して光路を変位させて、絞り２３を
通過し、対物レンズ２２に入射している。
の位置検出を観察手段を用いて行う方法について説明す
る。３５は観察用照明系である。観察用照明系３５には
露光用照明系４からファイバー３６を通して露光光を観
察光として導入している。観察用照明系３５からの観察
光はビームスプリッター３２で反射してリレーレンズ３
１に入射する。リレーレンズ３１からの観察光は平行光
（アフォーカル）となり、透明な平行平面板より成る補
正光学系１０１を介して光路を変位させて、絞り２３を
通過し、対物レンズ２２に入射している。
【００３７】尚、対物レンズ２２は無限遠物体に対して
収差補正している。又補正光学系１０１はアフォーカル
中でかつ対物レンズ２２の瞳面以外の位置に配置してい
る。補正光学系１０１は駆動手段１００により、光軸に
垂直で互いに直交する２軸を中心に傾動可能となってい
る。そしてこのときの補正光学系１０１の姿勢は後述す
るコンピュータ４１で制御している。
収差補正している。又補正光学系１０１はアフォーカル
中でかつ対物レンズ２２の瞳面以外の位置に配置してい
る。補正光学系１０１は駆動手段１００により、光軸に
垂直で互いに直交する２軸を中心に傾動可能となってい
る。そしてこのときの補正光学系１０１の姿勢は後述す
るコンピュータ４１で制御している。
【００３８】対物レンズ２２からの観察光はミラー２１
で反射してレチクル３を照明している。絞り２３と対物
レンズ２２、そしてミラー２１は移動機構２０により光
軸方向（レチクル３と平行方向）に移動可能となってい
る。これによりウエハ２面上の観察像高を変えている。
移動機構２０は回線を通じてコンピュータ４１で制御し
ている。移動機構２０により対物レンズ２２とリレーレ
ンズ３１との間隔は変化するがこの光路はアフォーカル
として結像状態に影響しないようにしている。尚、対物
レンズの移動に連動して光路長を補正する為の機構をア
フォーカル中に設けても良い。
で反射してレチクル３を照明している。絞り２３と対物
レンズ２２、そしてミラー２１は移動機構２０により光
軸方向（レチクル３と平行方向）に移動可能となってい
る。これによりウエハ２面上の観察像高を変えている。
移動機構２０は回線を通じてコンピュータ４１で制御し
ている。移動機構２０により対物レンズ２２とリレーレ
ンズ３１との間隔は変化するがこの光路はアフォーカル
として結像状態に影響しないようにしている。尚、対物
レンズの移動に連動して光路長を補正する為の機構をア
フォーカル中に設けても良い。
【００３９】レチクル３を通過した観察光は投影光学系
１を介し、その中の絞り１０を経て、ウエハ２面上のア
ライメントマーク（ＡＡマーク）を照明している。この
とき後述するように補正光学系１０１を用いて観察像高
が変わっても観察光の主光線の角度を偏向し、デフォー
カス特性を補正するようにしている。ウエハ２面上のＡ
Ａマークからの反射光は元の光路を戻り、順に投影レン
ズ系１、ミラー２１、対物レンズ２２、補正光学系１０
１、リレーレンズ３１、ビームスプリッター３２、そし
てエレクターレンズ３３を介して撮像素子（ＣＣＤカメ
ラ）３４に入射し、その面上にウエハ２面上及びレチク
ル３面上の像（ＡＡマーク像）を結像している。
１を介し、その中の絞り１０を経て、ウエハ２面上のア
ライメントマーク（ＡＡマーク）を照明している。この
とき後述するように補正光学系１０１を用いて観察像高
が変わっても観察光の主光線の角度を偏向し、デフォー
カス特性を補正するようにしている。ウエハ２面上のＡ
Ａマークからの反射光は元の光路を戻り、順に投影レン
ズ系１、ミラー２１、対物レンズ２２、補正光学系１０
１、リレーレンズ３１、ビームスプリッター３２、そし
てエレクターレンズ３３を介して撮像素子（ＣＣＤカメ
ラ）３４に入射し、その面上にウエハ２面上及びレチク
ル３面上の像（ＡＡマーク像）を結像している。
【００４０】撮像素子３４からのＡＡマーク像は回線を
通じてコンピュータ４１で演算処理して、これによりレ
チクル３とウエハ２との相対的な位置関係を求めてい
る。そしてＸＹステージ５を駆動させて、レチクル３と
ウエハ２との位置合わせを行っている。
通じてコンピュータ４１で演算処理して、これによりレ
チクル３とウエハ２との相対的な位置関係を求めてい
る。そしてＸＹステージ５を駆動させて、レチクル３と
ウエハ２との位置合わせを行っている。
【００４１】本実施例において各要素２１，２２，２
３，３１，３２，３３，３４，３５は観察手段の一要素
を構成している。
３，３１，３２，３３，３４，３５は観察手段の一要素
を構成している。
【００４２】以上のように本実施例においてはＣＣＤ３
４面上に形成したマーク像の位置を観察（計測）するこ
とによりウエハ２の位置関係を求めている。例えば、マ
ーク像のＣＣＤ３４面上の基準位置（基準マーク）から
のずれを求めている。
４面上に形成したマーク像の位置を観察（計測）するこ
とによりウエハ２の位置関係を求めている。例えば、マ
ーク像のＣＣＤ３４面上の基準位置（基準マーク）から
のずれを求めている。
【００４３】尚本実施例ではウエハ２面のマークを検出
する観察手段及びレチクルと本体との位置合わせを行う
手段を投影レンズ系１の光軸に対して対称に複数個設け
ている。
する観察手段及びレチクルと本体との位置合わせを行う
手段を投影レンズ系１の光軸に対して対称に複数個設け
ている。
【００４４】本実施例では以上のようにしてレチクル３
とウエハ２との相対的位置合わせを高精度に行い、その
後レチクル３面のパターンを投影レンズ系１によりウエ
ハ２面に投影露光し、公知の現像処理工程を経て半導体
デバイスを製造している。
とウエハ２との相対的位置合わせを高精度に行い、その
後レチクル３面のパターンを投影レンズ系１によりウエ
ハ２面に投影露光し、公知の現像処理工程を経て半導体
デバイスを製造している。
【００４５】次に本実施例における補正光学系１０１の
光学的作用について説明する。一般に投影光学系では前
述したようにウエハ２面上のＡＡマークが投影光学系１
の光軸から変化し、即ち像高が変化し、このとき投影光
学系１に瞳の球面収差があると、これにより投影光学系
１を射出する主光線のウエハ２面上への入射角が垂直か
らずれてくる。
光学的作用について説明する。一般に投影光学系では前
述したようにウエハ２面上のＡＡマークが投影光学系１
の光軸から変化し、即ち像高が変化し、このとき投影光
学系１に瞳の球面収差があると、これにより投影光学系
１を射出する主光線のウエハ２面上への入射角が垂直か
らずれてくる。
【００４６】本実施例では補正光学系１０１によりデフ
ォーカス特性を補正している。
ォーカス特性を補正している。
【００４７】デフォーカス特性の計測 １．ベストピント面から−ａだけθ−ＺをＺ方向に駆動
する。 ２．マーク位置の計測を行いその値をｆ（−ａ）とす
る。 ３．ベストピント面から＋ａだけθ−ＺをＺ方向に駆動
する。 ４．マーク位置の計測を行いその値をｆ（ａ）とする。 ５．デフォーカス特性 Δ＝（f(a)-f(-a)）／２ａを算
出する。
する。 ２．マーク位置の計測を行いその値をｆ（−ａ）とす
る。 ３．ベストピント面から＋ａだけθ−ＺをＺ方向に駆動
する。 ４．マーク位置の計測を行いその値をｆ（ａ）とする。 ５．デフォーカス特性 Δ＝（f(a)-f(-a)）／２ａを算
出する。
【００４８】尚、今回は２点で説明したが、それ以上の
ポイントを測定してもかまわない。Δの絶対値が最小に
なるように顕微鏡円の平行平面板の姿勢を変化され、ウ
エハ面上における主光線の傾きを制御する。
ポイントを測定してもかまわない。Δの絶対値が最小に
なるように顕微鏡円の平行平面板の姿勢を変化され、ウ
エハ面上における主光線の傾きを制御する。
【００４９】図２は図１の補正光学系（平行平面板）１
０１近傍の光路を展開した要部概略図である。同図に示
すようにリレーレンズ３１からの平行光（観察光）は平
行平面板１０１を通過後、光軸Ｌに対して平行偏心（シ
フト）して絞り２３を通過後対物レンズ２２によりレチ
クル３面上に集光している。
０１近傍の光路を展開した要部概略図である。同図に示
すようにリレーレンズ３１からの平行光（観察光）は平
行平面板１０１を通過後、光軸Ｌに対して平行偏心（シ
フト）して絞り２３を通過後対物レンズ２２によりレチ
クル３面上に集光している。
【００５０】今、平行平面板１０１の材質の屈折率を
ｎ、観察光Ｌａの平行平面板１０１への入射角をα、平
行平面板１０１の厚さをｄ、観察光Ｌａの平行平面板１
０１を通過後のシフト量をＳとすると、 Ｓ＝（ｄ／cos α）sin （α−θ） ‥‥‥（１） となる。但し、 θ＝sin -1（sin α／ｎ） ‥‥‥（２） である。従って主光線Ｌａ１のレチクル３への入射角θ
i は、 θi ＝tan -1（Ｓ／ｆ） ‥‥‥（３） となる。但し、ｆは対物レンズ２２の焦点距離である。
このように平行平面板１０１を傾けることによりレチク
ル３への入射角θi を制御することができる。
ｎ、観察光Ｌａの平行平面板１０１への入射角をα、平
行平面板１０１の厚さをｄ、観察光Ｌａの平行平面板１
０１を通過後のシフト量をＳとすると、 Ｓ＝（ｄ／cos α）sin （α−θ） ‥‥‥（１） となる。但し、 θ＝sin -1（sin α／ｎ） ‥‥‥（２） である。従って主光線Ｌａ１のレチクル３への入射角θ
i は、 θi ＝tan -1（Ｓ／ｆ） ‥‥‥（３） となる。但し、ｆは対物レンズ２２の焦点距離である。
このように平行平面板１０１を傾けることによりレチク
ル３への入射角θi を制御することができる。
【００５１】θi とαの関係について具体的な数値を示
すと、 ｄ＝１０ｍｍ ｎ＝１．５ ｆ＝５０ｍｍ とする
とθi ＝１° とする為には α≒１４° となる。従来例で見るとα＝０．５°となり、本発明で
は従来例（特開昭６３−３２３０３号）よりも補正の為
の駆動角度が大きくとれ、駆動及び検出も容易となると
共に駆動分解能も向上し、補正精度を向上させている。
すと、 ｄ＝１０ｍｍ ｎ＝１．５ ｆ＝５０ｍｍ とする
とθi ＝１° とする為には α≒１４° となる。従来例で見るとα＝０．５°となり、本発明で
は従来例（特開昭６３−３２３０３号）よりも補正の為
の駆動角度が大きくとれ、駆動及び検出も容易となると
共に駆動分解能も向上し、補正精度を向上させている。
【００５２】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は補正光学系
１０１を通過した主光線Ｌａ１が投影レンズ系１を介し
てウエハ２面上に入射するときの光路の概略図である。
１０１を通過した主光線Ｌａ１が投影レンズ系１を介し
てウエハ２面上に入射するときの光路の概略図である。
【００５３】同図では投影光学系１の各像高におけるウ
エハ面２と主光線Ｌａ１が垂直（以下「ウエハ側テレセ
ントリシティー」という。）になる為の補正方法を示し
ている。投影光学系１に図１２に示すような瞳の球面収
差が残存しているとき、図３（Ａ）の像高においてウエ
ハ側をテレセントリシティーにする為には投影光学系１
内の絞り１０の位置でｄ1 という瞳の球面収差を発生さ
せる必要がある。その為に平行平面板１０１を角度＋θ
1 傾ける。それにより主光線Ｌａ１はシフトし、主光線
Ｌａ１のレチクル３への入射角は投影光学系内１の絞り
１０においてウエハ側テレセントリシティーにする為に
必要な瞳の球面収差ｄ1 を発生させる為の角度になる。
従って像高Ａでは平行平面板１０１を角度θ1 傾けて、
これによりウエハー側テレセントリシティーを実現して
いる。
エハ面２と主光線Ｌａ１が垂直（以下「ウエハ側テレセ
ントリシティー」という。）になる為の補正方法を示し
ている。投影光学系１に図１２に示すような瞳の球面収
差が残存しているとき、図３（Ａ）の像高においてウエ
ハ側をテレセントリシティーにする為には投影光学系１
内の絞り１０の位置でｄ1 という瞳の球面収差を発生さ
せる必要がある。その為に平行平面板１０１を角度＋θ
1 傾ける。それにより主光線Ｌａ１はシフトし、主光線
Ｌａ１のレチクル３への入射角は投影光学系内１の絞り
１０においてウエハ側テレセントリシティーにする為に
必要な瞳の球面収差ｄ1 を発生させる為の角度になる。
従って像高Ａでは平行平面板１０１を角度θ1 傾けて、
これによりウエハー側テレセントリシティーを実現して
いる。
【００５４】同様にして図３（Ｂ）の像高Ｂにおいては
ウエハ側テレセントリシティーにする為に必要な瞳の球
面収差が０である。図３（Ｃ）の像高Ｃにおいては必要
な瞳の球面収差が＋ｄ2 である。この為それぞれ平行平
面板１０１を角度０，角度−θ1 傾けている。
ウエハ側テレセントリシティーにする為に必要な瞳の球
面収差が０である。図３（Ｃ）の像高Ｃにおいては必要
な瞳の球面収差が＋ｄ2 である。この為それぞれ平行平
面板１０１を角度０，角度−θ1 傾けている。
【００５５】このように本実施例では像高に応じ、平行
平面板１０１の角度を自動補正してデフォーカス特性の
補正を達成している。これにより何らかの原因でアライ
メント計測時にデフォーカスしても図１３に示すような
位置計測値の変化が生じないようにしている。
平面板１０１の角度を自動補正してデフォーカス特性の
補正を達成している。これにより何らかの原因でアライ
メント計測時にデフォーカスしても図１３に示すような
位置計測値の変化が生じないようにしている。
【００５６】図４，図５，図６は本実施例においてデフ
ォーカス特性を補正する為の平行平面板１０１を駆動さ
せるときの駆動機構の説明図である。図４は平面図、図
５は正面図、図６は斜視図である。図４〜図６において
１０１は平行平面板、１０２は平行平面板を固定するホ
ルダ、１０３は平行平面板１０１をＸ軸回りに回転駆動
する為のモータ、１０４はホルダー１０２をモータ軸に
固定する為の止めねじ、１０５はモータ１０３で駆動す
る時に原点位置を検出する為のフォトスイッチ、１０６
はフォトスイッチ１０５を遮光する為の遮光板、１０７
はモータを固定するベースである。
ォーカス特性を補正する為の平行平面板１０１を駆動さ
せるときの駆動機構の説明図である。図４は平面図、図
５は正面図、図６は斜視図である。図４〜図６において
１０１は平行平面板、１０２は平行平面板を固定するホ
ルダ、１０３は平行平面板１０１をＸ軸回りに回転駆動
する為のモータ、１０４はホルダー１０２をモータ軸に
固定する為の止めねじ、１０５はモータ１０３で駆動す
る時に原点位置を検出する為のフォトスイッチ、１０６
はフォトスイッチ１０５を遮光する為の遮光板、１０７
はモータを固定するベースである。
【００５７】１１０は平行平面板１０１をＺ軸回りに回
転駆動する為のモータ、１１１はモータを固定する板、
１１２はベース、１１３はモータ１１０の回転を伝達す
る為のギアａ、１１４はギアａ１１３をモータ軸に固定
する為の止めねじ、１１５はギアａ１１３の回転を伝達
するギアｂ、１１６はギアａ１１３，ギアｂ１１５を介
し、モータ１１０の回転を伝達する為の軸、１１７は軸
１１６にギアｂを固定する為の止めねじ、１１８は軸１
１６を支持するベアリング、１１９はベアリングを保持
するホルダ、１２０はＺ軸回りに回転駆動する時に原点
位置を検出する為のフォトスイッチ、１２１はフォトス
イッチを遮光する為の遮光板である。
転駆動する為のモータ、１１１はモータを固定する板、
１１２はベース、１１３はモータ１１０の回転を伝達す
る為のギアａ、１１４はギアａ１１３をモータ軸に固定
する為の止めねじ、１１５はギアａ１１３の回転を伝達
するギアｂ、１１６はギアａ１１３，ギアｂ１１５を介
し、モータ１１０の回転を伝達する為の軸、１１７は軸
１１６にギアｂを固定する為の止めねじ、１１８は軸１
１６を支持するベアリング、１１９はベアリングを保持
するホルダ、１２０はＺ軸回りに回転駆動する時に原点
位置を検出する為のフォトスイッチ、１２１はフォトス
イッチを遮光する為の遮光板である。
【００５８】次に動作を説明する。
【００５９】（イ）Ｘ軸回りの回転について 平行平面板１０１はホルダ１０２に固定され、ホルダ１
０２はモータ１０３の出力軸に直結されている。モータ
１０３が回転することにより、平行平面板１０１はＸ軸
回りに回転する。ホルダ１０２に固定された遮光板１０
６がフォトスイッチ１０５を遮光した位置を原点とし、
そこからモータ１０３が目標位置まで回転することによ
り平行平面板１０１はＸ軸回りに目標位置まで回転す
る。
０２はモータ１０３の出力軸に直結されている。モータ
１０３が回転することにより、平行平面板１０１はＸ軸
回りに回転する。ホルダ１０２に固定された遮光板１０
６がフォトスイッチ１０５を遮光した位置を原点とし、
そこからモータ１０３が目標位置まで回転することによ
り平行平面板１０１はＸ軸回りに目標位置まで回転す
る。
【００６０】（ロ）Ｚ軸回りの回転について Ｚ軸回りの回転は、平行平面板１０１のＺ軸中心と同軸
に配置した軸１１６を回転することにより行う。ベース
１０７はＸ軸回り駆動系を保持すると共に、軸１１６に
固定されている。Ｚ軸回りの回転はＸ軸回りの駆動系全
体を回転する。これによりＸ軸、Ｚ軸それぞれに独立に
駆動を行っている。軸１１６の回転は軸１１６に固定さ
れたギアｂ１１５及びギアａ１１３を介しモータ１１０
により駆動される。原点の検出はベース１０７に固定さ
れた遮光板１２１がフォトスイッチ１２０を遮光するこ
とにより行っている。
に配置した軸１１６を回転することにより行う。ベース
１０７はＸ軸回り駆動系を保持すると共に、軸１１６に
固定されている。Ｚ軸回りの回転はＸ軸回りの駆動系全
体を回転する。これによりＸ軸、Ｚ軸それぞれに独立に
駆動を行っている。軸１１６の回転は軸１１６に固定さ
れたギアｂ１１５及びギアａ１１３を介しモータ１１０
により駆動される。原点の検出はベース１０７に固定さ
れた遮光板１２１がフォトスイッチ１２０を遮光するこ
とにより行っている。
【００６１】上記構成によりデフォーカス特性の自動補
正を達成している。
正を達成している。
【００６２】図７は本発明の投影露光装置の実施例２の
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
ビームスプリッタ３２をリレーレンズ３１と絞り２３と
の間に設けると共に補正光学系としての平行平面板２０
１を観察用照明系３５とビームスプリッタ３２との間に
設けて駆動手段２００で駆動制御している点が異なって
おり、その他の構成は同じである。
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
ビームスプリッタ３２をリレーレンズ３１と絞り２３と
の間に設けると共に補正光学系としての平行平面板２０
１を観察用照明系３５とビームスプリッタ３２との間に
設けて駆動手段２００で駆動制御している点が異なって
おり、その他の構成は同じである。
【００６３】同図において観察用照明系３５からの観察
光は平行平面板２０１を介しビームスプリッタ３２で反
射した後、絞り２３を通過し、対物レンズ２２に入射し
ている。その後の光路は図１の実施例１と同じである。
光は平行平面板２０１を介しビームスプリッタ３２で反
射した後、絞り２３を通過し、対物レンズ２２に入射し
ている。その後の光路は図１の実施例１と同じである。
【００６４】本実施例では図１の実施例１と同様にして
平行平面板２０１の角度を投影光学系１の観察像高に応
じ傾けることにより、全ての像高においてデフォーカス
特性の補正を達成している。
平行平面板２０１の角度を投影光学系１の観察像高に応
じ傾けることにより、全ての像高においてデフォーカス
特性の補正を達成している。
【００６５】本実施例では平行平面板２０１の傾きが撮
像素子３４面上におけるＡＡマーク像の結像性能に影響
を与えることもないという特長がある。
像素子３４面上におけるＡＡマーク像の結像性能に影響
を与えることもないという特長がある。
【００６６】図８は本発明の投影露光装置の実施例３の
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
補正光学系としての平行平面板３０１を絞り２３と対物
レンズ２２との間に配置して駆動手段３００で駆動制御
している点が異なっており、その他の構成は同じであ
る。
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
補正光学系としての平行平面板３０１を絞り２３と対物
レンズ２２との間に配置して駆動手段３００で駆動制御
している点が異なっており、その他の構成は同じであ
る。
【００６７】同図において観察用照明系３５からの観察
光はビームスプリッター３２で反射してリレーレンズ３
１に入射し、リレーレンズ３１からは平行光（アフォー
カル）となって出射する。リレーレンズ３１からの観察
光は絞り２３を通過し、平行平面板３０１を介して対物
レンズ２２に入射している。その後の光路は図１の実施
例１と同様である。
光はビームスプリッター３２で反射してリレーレンズ３
１に入射し、リレーレンズ３１からは平行光（アフォー
カル）となって出射する。リレーレンズ３１からの観察
光は絞り２３を通過し、平行平面板３０１を介して対物
レンズ２２に入射している。その後の光路は図１の実施
例１と同様である。
【００６８】本実施例では平行平面板３０１が絞り２３
より対物レンズ２２側にある為、観察光は常に絞り２３
の中心を通る。従って観察光に対し垂直なウエハ面で反
射した０次回折光も絞り２３の中心を通る。そこで絞り
２３に対しリレーレンズ３１側に配置した光学系で絞り
２３の中心と０次回折光中心とのずれ量をモニターする
ことにより、平行平面板３０１の姿勢をモニターしてい
る。これによって確実に全像高においてもデフォーカス
特性の補正を保証している。
より対物レンズ２２側にある為、観察光は常に絞り２３
の中心を通る。従って観察光に対し垂直なウエハ面で反
射した０次回折光も絞り２３の中心を通る。そこで絞り
２３に対しリレーレンズ３１側に配置した光学系で絞り
２３の中心と０次回折光中心とのずれ量をモニターする
ことにより、平行平面板３０１の姿勢をモニターしてい
る。これによって確実に全像高においてもデフォーカス
特性の補正を保証している。
【００６９】図９は本発明の投影露光装置の実施例４の
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
補正光学系として透明な複数のプリズム（楔）を有する
楔部材４０１を用いて、該楔部材４０１のうちの１つの
楔を選択してビームスプリッタ３２とリレーレンズ３１
との間に配置していること、そしてコンピュータ４１か
らの指令に基づいて駆動機構４００により観察像高に応
じた対象とする角度を有した楔を光路中に配置してお
り、これにより観察光の光路を変えて実施例１と同様の
効果を得ていることが異なっており、その他の構成は同
じである。
要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて
補正光学系として透明な複数のプリズム（楔）を有する
楔部材４０１を用いて、該楔部材４０１のうちの１つの
楔を選択してビームスプリッタ３２とリレーレンズ３１
との間に配置していること、そしてコンピュータ４１か
らの指令に基づいて駆動機構４００により観察像高に応
じた対象とする角度を有した楔を光路中に配置してお
り、これにより観察光の光路を変えて実施例１と同様の
効果を得ていることが異なっており、その他の構成は同
じである。
【００７０】同図において観察用照明系３５からの観察
光はビームスプリッタ３２で反射して楔部材４０１の１
つの楔を介してリレーレンズ３１に入射している。リレ
ーレンズ３１からの平行光は絞り２３を通過して対物レ
ンズ２２に入射している。その後の光路は図１の実施例
１と同様である。
光はビームスプリッタ３２で反射して楔部材４０１の１
つの楔を介してリレーレンズ３１に入射している。リレ
ーレンズ３１からの平行光は絞り２３を通過して対物レ
ンズ２２に入射している。その後の光路は図１の実施例
１と同様である。
【００７１】本実施例では観察像高が限定され、連続的
な像高に対し、ウエハ側テレセントリシティを補正する
必要のない場合に最適である。像高変更時、楔を交換す
るだけで良い為、平行平面板の姿勢を制御する必要がな
く、又高速に切り替えることができるといった特長があ
る。
な像高に対し、ウエハ側テレセントリシティを補正する
必要のない場合に最適である。像高変更時、楔を交換す
るだけで良い為、平行平面板の姿勢を制御する必要がな
く、又高速に切り替えることができるといった特長があ
る。
【００７２】図１０は本発明の投影露光装置の実施例５
の要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べ
て補正光学系として透明な同質で同形状の２つの楔５０
１，５０２を対向配置した楔部材をリレーレンズ３１と
絞り２３との間に配置していること、そしてコンピュー
タ４１からの指令に基づいて駆動機構５００により観察
像高に応じて２つの楔５０１，５０２の間隔を変えると
共に、双方を光軸を回転軸として回転させることによ
り、観察光の光路を変位させており、これにより実施例
１と同様の効果を得ていることが異なっており、その他
の構成は同じである。
の要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べ
て補正光学系として透明な同質で同形状の２つの楔５０
１，５０２を対向配置した楔部材をリレーレンズ３１と
絞り２３との間に配置していること、そしてコンピュー
タ４１からの指令に基づいて駆動機構５００により観察
像高に応じて２つの楔５０１，５０２の間隔を変えると
共に、双方を光軸を回転軸として回転させることによ
り、観察光の光路を変位させており、これにより実施例
１と同様の効果を得ていることが異なっており、その他
の構成は同じである。
【００７３】同図において観察用照明系３５からの観察
光はビームスプリッタ３２で反射してリレーレンズ３１
で平行光となって楔５０１，５０２を通過し、絞り２３
に入射している。絞り２３からの観察光の光路は図１の
実施例１と同様である。
光はビームスプリッタ３２で反射してリレーレンズ３１
で平行光となって楔５０１，５０２を通過し、絞り２３
に入射している。絞り２３からの観察光の光路は図１の
実施例１と同様である。
【００７４】本実施例では同一形状、同一材質の互いに
対向した透明な２つの楔５０１，５０２を用いている
為、楔で発生する非対称性の収差をキャンセルすること
ができ、常に良好な画像を得ることができる為、高精度
な位置合わせが達成できるという特長がある。
対向した透明な２つの楔５０１，５０２を用いている
為、楔で発生する非対称性の収差をキャンセルすること
ができ、常に良好な画像を得ることができる為、高精度
な位置合わせが達成できるという特長がある。
【００７５】図１１は本発明の投影露光装置の実施例６
の要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べ
てウエハ２面上のＡＡマークを観察する観察手段の各要
素２１，２２，２３，３１，３２，３３，３４をレチク
ル３と投影レンズ系１との間に配置してレチクル３を介
していないこと、観察用照明系６１０からの観察光とし
て露光光とは異なった波長の光束（非露光光）を用いて
いること、観察光として露光光と異なった波長の光を用
いたことに起因して、投影レンズ系１から発生するコマ
収差や非点収差等の諸収差を補正する為に、収差補正レ
ンズ２４をミラー２１と投影レンズ１との間に配置した
点が異なっており、その他の構成は同じである。
の要部概略図である。本実施例は図１の実施例１に比べ
てウエハ２面上のＡＡマークを観察する観察手段の各要
素２１，２２，２３，３１，３２，３３，３４をレチク
ル３と投影レンズ系１との間に配置してレチクル３を介
していないこと、観察用照明系６１０からの観察光とし
て露光光とは異なった波長の光束（非露光光）を用いて
いること、観察光として露光光と異なった波長の光を用
いたことに起因して、投影レンズ系１から発生するコマ
収差や非点収差等の諸収差を補正する為に、収差補正レ
ンズ２４をミラー２１と投影レンズ１との間に配置した
点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００７６】本実施例では収差補正レンズ２４、絞り２
３、対物レンズ２２、ミラー２１等は移動機構６０によ
りレチクル３面と平行方向に移動して観察像高を変えて
いる。
３、対物レンズ２２、ミラー２１等は移動機構６０によ
りレチクル３面と平行方向に移動して観察像高を変えて
いる。
【００７７】本実施例において観察用照明系６１０から
の観察光が順にビームスプリッタ３２、リレーレンズ３
１、補正光学系６０１、絞り２３、対物レンズ２２、そ
してミラー２１までに至る光路は図１の実施例１と同様
である。
の観察光が順にビームスプリッタ３２、リレーレンズ３
１、補正光学系６０１、絞り２３、対物レンズ２２、そ
してミラー２１までに至る光路は図１の実施例１と同様
である。
【００７８】実施例１に比べてミラー２１からの観察光
が収差補正レンズ２４を介して投影レンズ系１に入射し
ている点、そしてウエハ面２上のＡＡマークからの反射
光が投影レンズ１を通過し、収差補正レンズ２４を介し
てミラー２１で反射する点が異なっているだけであり、
その他の構成は同じである。
が収差補正レンズ２４を介して投影レンズ系１に入射し
ている点、そしてウエハ面２上のＡＡマークからの反射
光が投影レンズ１を通過し、収差補正レンズ２４を介し
てミラー２１で反射する点が異なっているだけであり、
その他の構成は同じである。
【００７９】以上の各実施例ではレチクル３面上又はウ
エハ２面上のＡＡマークを観察してレチクル３とウエハ
２との位置合わせを行う場合について説明したが、本発
明に係る補正光学系を利用すればウエハ２面上のマーク
の鮮鋭度、即ちフォーカス状態を検出してウエハ２が投
影光学系１の最良像面に位置するようにθ−Ｚステージ
７を駆動制御することができる。即ち補正光学系は自動
焦点検出系としても同様に適用することができる。
エハ２面上のＡＡマークを観察してレチクル３とウエハ
２との位置合わせを行う場合について説明したが、本発
明に係る補正光学系を利用すればウエハ２面上のマーク
の鮮鋭度、即ちフォーカス状態を検出してウエハ２が投
影光学系１の最良像面に位置するようにθ−Ｚステージ
７を駆動制御することができる。即ち補正光学系は自動
焦点検出系としても同様に適用することができる。
【００８０】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
イスの製造方法の実施例を説明する。
【００８１】図１４は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００８２】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００８３】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８４】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
【００８５】ステップ１６（露光）では上記説明した露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
ってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
ってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００８６】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００８７】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、投影光学
系を介してウエハ（第２物体）面上のアライメントマー
クを観察する際、投影光学系の瞳に球面収差が多少残存
していても種々の像高においてデフォーカス特性を補正
してレチクル（第１物体）とウエハとの相対的な位置合
わせを高精度に行い、高集積度の半導体デバイスが容易
に得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイ
スの製造方法を達成することができる。
系を介してウエハ（第２物体）面上のアライメントマー
クを観察する際、投影光学系の瞳に球面収差が多少残存
していても種々の像高においてデフォーカス特性を補正
してレチクル（第１物体）とウエハとの相対的な位置合
わせを高精度に行い、高集積度の半導体デバイスが容易
に得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイ
スの製造方法を達成することができる。
【図１】本発明の投影露光装置の実施例１の要部概略図
【図２】図１の一部分の光路を展開したときの説明図
【図３】図１の一部分の光路を展開したときの説明図
【図４】本発明に係る補正光学系の駆動機構の要部概略
図
図
【図５】本発明に係る補正光学系の駆動機構の要部概略
図
図
【図６】本発明に係る補正光学系の駆動機構の要部概略
図
図
【図７】本発明の投影露光装置の実施例２の要部概略図
【図８】本発明の投影露光装置の実施例３の要部概略図
【図９】本発明の投影露光装置の実施例４の要部概略図
【図１０】本発明の投影露光装置の実施例５の要部概略
図
図
【図１１】本発明の投影露光装置の実施例６の要部概略
図
図
【図１２】投影光学系の瞳の球面収差の説明図
【図１３】投影光学系のディフォーカス特性の説明図
【図１４】本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
チャート
【図１５】本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
チャート
１ 投影レンズ ２ ウエハ ３ レチクル ４，３５ 照明光学系 ５ Ｘ−Ｙステージ ６ チルトステージ ７ θ−Ｚステージ ８ ウエハチャック ９ フィデューシャルマーク １０ 絞り １１ バーミラー １２ レーザ干渉計 ２１ ミラー ２２ 対物レンズ ２３ 絞り ２４ 補正光学系 ３１ リレーレンズ ３２ ビームスプリッタ ３３ エレクター ３４ ＣＣＤカメラ ３６ ライトガイド ４１ コンピュータ １００，２００，３００，４００，５００，６００
駆動機構 １０１，２０１，３０１，６０１ 平行平面板 １０２，１１９ ホルダ １０３，１１０ モータ １０４，１１４，１１７ 止めねじ １０５，１２０ フォトスイッチ １０６，１２１ 遮光板 １０７，１１２ ベース １１１ モータを固定する板 １１３ ギアａ １１５ ギアｂ １１６ 軸 １１８ ベアリング ４０１，４０２，５０１，５０２ 楔
駆動機構 １０１，２０１，３０１，６０１ 平行平面板 １０２，１１９ ホルダ １０３，１１０ モータ １０４，１１４，１１７ 止めねじ １０５，１２０ フォトスイッチ １０６，１２１ 遮光板 １０７，１１２ ベース １１１ モータを固定する板 １１３ ギアａ １１５ ギアｂ １１６ 軸 １１８ ベアリング ４０１，４０２，５０１，５０２ 楔
Claims (9)
- 【請求項１】 露光用照明系からの露光光で照明した第
１物体のパターンを第２物体上に投影する射出テレセン
トリックな投影レンズ系と、該第２物体に設けたマーク
を観察用照明系からの観察光で該投影レンズ系を介して
照明すると共に、該投影レンズ系を介して該マークの所
定面上における結像位置を観察することにより該第１物
体と第２物体の相対的な位置関係を検出する観察手段と
該投影レンズの該第２物体側におけるフォーカス誤差に
起因する該観察手段による計測値の計測誤差を計測する
手段を有した投影露光装置において該観察手段は該第２
物体のマークの観察位置を任意に変えることのできる移
動機構と、該計測誤差を最小にする為、該観察光の主光
線の光路を調整する補正光学系とを有していることを特
徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていることを特徴とする請求項１の投影露光装
置。 - 【請求項３】 前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光として射出させるレンズ系を有
し、前記補正光学系は互いに対向した状態で光軸を回転
中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任意に変えるこ
とのできる２つの透明な楔を有する楔部材を有し、該２
つの楔は該アフォーカル光路中に設けられており、該２
つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の光路を光軸に
対して平行にシフトしていることを特徴とする請求項１
の投影露光装置。 - 【請求項４】 前記補正光学系は角度の異なる複数の楔
より成る楔部材を有し、該複数の楔のうちの１つの楔を
選択して光路中に配置して前記観察光の光路を調整して
いることを特徴とする請求項１の投影露光装置。 - 【請求項５】 前記移動機構による第２物体面上のマー
クの観察位置の変更に伴って前記補正光学系は観察光の
光路を調整していることを特徴とする請求項１，２，３
又は４の投影露光装置。 - 【請求項６】 露光光で照明したレチクル面上のパター
ンを射出テレセントリックな投影レンズ系によりウエハ
面上に投影した後に、該ウエハを現像処理工程を介して
半導体デバイスを製造する際、観察手段により該ウエハ
面上のマークを観察用照明系からの観察光で該投影レン
ズ系を介して照明し、該投影レンズ系を介して該マーク
の所定面上における結像位置を観察して、該レチクルと
ウエハの相対的な位置関係を検出すると共に、移動機構
により該ウエハ面上のマークの観察位置を任意に変えた
とき、補正光学系により該計測誤差を最小にする為、該
観察光の主光線の光路を調整していることを特徴とする
半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光とするレンズ系を有し、前記補
正光学系は光軸に対し垂直で互いに直交した軸を中心に
傾き調整可能な透明な平行平面板を有し、該平行平面板
は該アフォーカル光路中に設けられており、該平行平面
板の傾きを調整して観察光の光路を光軸に対して平行に
シフトしていることを特徴とする請求項６の半導体デバ
イスの製造方法。 - 【請求項８】 前記観察手段は前記観察用照明系からの
観察光をアフォーカル光として射出させるレンズ系を有
し、前記補正光学系は互いに対向した状態で光軸を回転
中心とする傾き調整可能で双方の間隔を任意に変えるこ
とのできる２つの透明な楔を有する楔部材を有し、該２
つの楔は該アフォーカル光路中に設けられており、該２
つの楔の傾き及び間隔を調整して観察光の光路を光軸に
対して平行にシフトしていることを特徴とする請求項６
の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記補正光学系は角度の異なる複数の楔
より成る楔部材を有し、該複数の楔のうちの１つの楔を
選択して光路中に配置して前記観察光の光路を調整して
いることを特徴とする請求項６の半導体デバイスの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08619795A JP3352280B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08619795A JP3352280B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262747A true JPH08262747A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3352280B2 JP3352280B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=13880065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08619795A Expired - Fee Related JP3352280B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3352280B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7016012B2 (en) | 2002-12-05 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2007036038A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nano System Solutions:Kk | テレセントリック光学系の自動光軸補正方法、自動光軸補正テレセントリック光学装置及び露光装置 |
| CN113093487A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-09 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 掩模对准***、掩模对准方法和光刻设备 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP08619795A patent/JP3352280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7016012B2 (en) | 2002-12-05 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2007036038A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nano System Solutions:Kk | テレセントリック光学系の自動光軸補正方法、自動光軸補正テレセントリック光学装置及び露光装置 |
| JP4721802B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-07-13 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | テレセントリック光学系の自動光軸補正方法、自動光軸補正テレセントリック光学装置及び露光装置 |
| CN113093487A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-09 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 掩模对准***、掩模对准方法和光刻设备 |
| CN113093487B (zh) * | 2021-04-20 | 2024-01-30 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 掩模对准***、掩模对准方法和光刻设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3352280B2 (ja) | 2002-12-03 |
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