JPH08262382A - 光変調装置 - Google Patents
光変調装置Info
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- JPH08262382A JPH08262382A JP7070047A JP7004795A JPH08262382A JP H08262382 A JPH08262382 A JP H08262382A JP 7070047 A JP7070047 A JP 7070047A JP 7004795 A JP7004795 A JP 7004795A JP H08262382 A JPH08262382 A JP H08262382A
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- optical modulator
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/20—Intrinsic phase difference, i.e. optical bias, of an optical modulator; Methods for the pre-set thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアスティを使用することなく、光変調出
力の歪みを低減することが可能であると共に、小型化が
可能な光変調装置を提供する。 【構成】 光源１から入射された光を他方から入力され
た変調信号により変調して出力すると共に、該変調信号
を終端する端子２ｄを有するＬＮ変調器２と、該ＬＮ変
調器２を駆動できるレベルに変調信号を増幅してＬＮ変
調器２に出力すると共に、出力段のＦＥＴ５Nのバイア
ス電圧が外部から供給される直流電圧ｙおよび直流電圧
ｚにより設定される増幅器１０と、直流電圧ｙおよび直
流電圧ｚを供給すると共に、ＬＮ変調器２の変調動作点
を設定する直流動作電圧を終端抵抗器１１を介して端子
２ｄに供給するバイアス制御回路１２とを具備する。
力の歪みを低減することが可能であると共に、小型化が
可能な光変調装置を提供する。 【構成】 光源１から入射された光を他方から入力され
た変調信号により変調して出力すると共に、該変調信号
を終端する端子２ｄを有するＬＮ変調器２と、該ＬＮ変
調器２を駆動できるレベルに変調信号を増幅してＬＮ変
調器２に出力すると共に、出力段のＦＥＴ５Nのバイア
ス電圧が外部から供給される直流電圧ｙおよび直流電圧
ｚにより設定される増幅器１０と、直流電圧ｙおよび直
流電圧ｚを供給すると共に、ＬＮ変調器２の変調動作点
を設定する直流動作電圧を終端抵抗器１１を介して端子
２ｄに供給するバイアス制御回路１２とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信において光源
とは別に変調器を設ける外部変調型の光強度変調装置の
うち、特にリチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ
変調器と略す）を用いた光変調装置に関する。
とは別に変調器を設ける外部変調型の光強度変調装置の
うち、特にリチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ
変調器と略す）を用いた光変調装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システムは、多様な通信
サービスに対応するために、特に幹線系における高速
化、大容量化の研究が進められている。また、新同期デ
ジタル通信網においても、伝送速度が１５６メガビット
／秒から２．４ギガビット／秒のシステムに続いて、伝
送速度が１０ギガビット／秒のシステムの実用化に向け
て各種の装置およびデバイス等の研究開発が行われてい
る。
サービスに対応するために、特に幹線系における高速
化、大容量化の研究が進められている。また、新同期デ
ジタル通信網においても、伝送速度が１５６メガビット
／秒から２．４ギガビット／秒のシステムに続いて、伝
送速度が１０ギガビット／秒のシステムの実用化に向け
て各種の装置およびデバイス等の研究開発が行われてい
る。
【０００３】このような光ファイバ通信システムの構成
要素の１つに、光源から入力される光の強度を変調する
光変調装置がある。また、この光変調装置には、半導体
レーザの電流を直接制御してレーザ光の強度を変調する
直接変調方式がある。この直接変調方式の変調装置で
は、変調に伴う波長変動（以下、チャーピングという）
が原因となり、変調によって生成される光パルスに歪み
が発生する。このような光パルスの歪みは、伝送速度が
高速になるに従って無視できなくなり、この結果、ギガ
ビット／秒の伝送速度における光信号伝送は困難であ
る。
要素の１つに、光源から入力される光の強度を変調する
光変調装置がある。また、この光変調装置には、半導体
レーザの電流を直接制御してレーザ光の強度を変調する
直接変調方式がある。この直接変調方式の変調装置で
は、変調に伴う波長変動（以下、チャーピングという）
が原因となり、変調によって生成される光パルスに歪み
が発生する。このような光パルスの歪みは、伝送速度が
高速になるに従って無視できなくなり、この結果、ギガ
ビット／秒の伝送速度における光信号伝送は困難であ
る。
【０００４】そこで、高速光ファイバ通信システムで
は、半導体レーザとは別に外部に変調器を設けることを
特徴とするチャーピングの小さい外部変調型の光変調装
置が主流であり、小型で実現できる電界吸収効果型光変
調器あるいは原理的にチャーピングを全くなくすことが
可能なＬＮ変調器の２種が主に研究されている。
は、半導体レーザとは別に外部に変調器を設けることを
特徴とするチャーピングの小さい外部変調型の光変調装
置が主流であり、小型で実現できる電界吸収効果型光変
調器あるいは原理的にチャーピングを全くなくすことが
可能なＬＮ変調器の２種が主に研究されている。
【０００５】ここで、図６は、従来のＬＮ変調器を利用
した光変調装置の一例を示す図である。この図におい
て、符号１は光源、２はＬＮ変調器、３は光出力端、ま
た４は電気入力端、５は増幅器、６−１、６−２はバイ
アスティ、７はバイアス制御回路、８は電源端、９は終
端器である。
した光変調装置の一例を示す図である。この図におい
て、符号１は光源、２はＬＮ変調器、３は光出力端、ま
た４は電気入力端、５は増幅器、６−１、６−２はバイ
アスティ、７はバイアス制御回路、８は電源端、９は終
端器である。
【０００６】光源１は半導体レーザ等により構成され、
波長、パワー共に均一なレーザ光をＬＮ変調器２に出力
する。ＬＮ変調器２は４つの端子２ａ〜２ｄを有し、こ
のうち端子２ａは光源１から出射されるレーザ光を入力
する端子、端子２ｃはこのレーザ光を変調する変調信号
（電気信号）が入力される端子、端子２ｂは変調信号に
よって変調されたレーザ光が光変調波（光パルス）とし
て出射される端子、また端子２ｄは変調信号が当該ＬＮ
変調器２内を通過して出力される端子である。ＬＮ変調
器２において生成された光パルスは、端子２ｂから出射
されて光出力端３から外部に供給される。
波長、パワー共に均一なレーザ光をＬＮ変調器２に出力
する。ＬＮ変調器２は４つの端子２ａ〜２ｄを有し、こ
のうち端子２ａは光源１から出射されるレーザ光を入力
する端子、端子２ｃはこのレーザ光を変調する変調信号
（電気信号）が入力される端子、端子２ｂは変調信号に
よって変調されたレーザ光が光変調波（光パルス）とし
て出射される端子、また端子２ｄは変調信号が当該ＬＮ
変調器２内を通過して出力される端子である。ＬＮ変調
器２において生成された光パルスは、端子２ｂから出射
されて光出力端３から外部に供給される。
【０００７】電気入力端４には、ＥＣＬレベルあるいは
ＳＣＦＬレベル等の振幅が１ボルト以下の電気信号（変
調信号）が入力される。増幅回路５は。この変調信号を
ＬＮ変調器２を駆動できるまでの振幅に増幅してバイア
スティ６−１に出力する。バイアスティ６−１は、増幅
器５の出力段の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと
略す）のドレイン端に電源端８に供給される直流電圧を
コイル６Ｌ1を介して供給すると共に、増幅器５が出力
した変調信号の交流成分のみをコンデンサ６Ｃ1を介し
てＬＮ変調器２に出力する。
ＳＣＦＬレベル等の振幅が１ボルト以下の電気信号（変
調信号）が入力される。増幅回路５は。この変調信号を
ＬＮ変調器２を駆動できるまでの振幅に増幅してバイア
スティ６−１に出力する。バイアスティ６−１は、増幅
器５の出力段の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと
略す）のドレイン端に電源端８に供給される直流電圧を
コイル６Ｌ1を介して供給すると共に、増幅器５が出力
した変調信号の交流成分のみをコンデンサ６Ｃ1を介し
てＬＮ変調器２に出力する。
【０００８】ＬＮ変調器２は、バイアスティ６−１から
入力された変調信号により光源１から入力されるレーザ
光を強度変調して光パルスを出力する。また、このバイ
アスティ６−１から入力された変調信号は、ＬＮ変調器
２内の伝送路を通過してＬＮ変調器２から出力され、バ
イアスティ６−２に入力される。バイアスティ６−２
は、この変調信号にバイアス制御回路７から出力される
直流電圧をコイル６Ｌ2を介して加え、またこの変調信
号をコンデンサ６Ｃ2を介して終端器９に供給する。バ
イアス制御回路７は、バイアスティ６−２に供給する直
流電圧を発生する。終端器９は、バイアスティ６−２か
ら出力された変調信号を終端する。
入力された変調信号により光源１から入力されるレーザ
光を強度変調して光パルスを出力する。また、このバイ
アスティ６−１から入力された変調信号は、ＬＮ変調器
２内の伝送路を通過してＬＮ変調器２から出力され、バ
イアスティ６−２に入力される。バイアスティ６−２
は、この変調信号にバイアス制御回路７から出力される
直流電圧をコイル６Ｌ2を介して加え、またこの変調信
号をコンデンサ６Ｃ2を介して終端器９に供給する。バ
イアス制御回路７は、バイアスティ６−２に供給する直
流電圧を発生する。終端器９は、バイアスティ６−２か
ら出力された変調信号を終端する。
【０００９】次に、図７は、増幅器５の構成例を示す回
路図である。この図に示すように、増幅器５は一般的な
ＦＥＴ増幅回路であり、ＦＥＴ５1〜５Nの交流結合によ
る多段構成となっている。この増幅器５の入力端子５a
は、他端に電圧Ｖtが印加された抵抗Ｒtによって終端さ
れている。また、各ＦＥＴ５1〜５Nのソース端子はグラ
ンドに接続され、各ゲート端子は他端に基準電圧Ｖggが
印加された抵抗Ｒg、……に接続されている。また、Ｆ
ＥＴ５1〜５N-1の各ドレイン端子は、他端に電源電圧Ｖ
ddが印加された抵抗Ｒd、……をにそれぞれ接続される
と共に、コンデンサＣ、……を介して次段の各ＦＥＴ５
2〜５Nにそれぞれ接続されている。また、出力段のＦＥ
Ｔ５Nのドレイン端子は、直接出力端子５bに接続されて
おり、オープンドレインの出力形式となっている。
路図である。この図に示すように、増幅器５は一般的な
ＦＥＴ増幅回路であり、ＦＥＴ５1〜５Nの交流結合によ
る多段構成となっている。この増幅器５の入力端子５a
は、他端に電圧Ｖtが印加された抵抗Ｒtによって終端さ
れている。また、各ＦＥＴ５1〜５Nのソース端子はグラ
ンドに接続され、各ゲート端子は他端に基準電圧Ｖggが
印加された抵抗Ｒg、……に接続されている。また、Ｆ
ＥＴ５1〜５N-1の各ドレイン端子は、他端に電源電圧Ｖ
ddが印加された抵抗Ｒd、……をにそれぞれ接続される
と共に、コンデンサＣ、……を介して次段の各ＦＥＴ５
2〜５Nにそれぞれ接続されている。また、出力段のＦＥ
Ｔ５Nのドレイン端子は、直接出力端子５bに接続されて
おり、オープンドレインの出力形式となっている。
【００１０】このように構成された光変調装置におい
て、図８はＬＮ変調器２の特性を示す図である。この図
において、縦軸は変調信号レベル（ＬＮ変調器２に入力
される変調信号の電圧）が０ボルトの場合の光出力を基
準とした光出力の割合であり、横軸は変調信号のレベル
である。実線Ｌで示すように、ＬＮ変調器２の光出力は
変調信号レベルに応じて変化し、通常、ギガビット／秒
以上の高速で変調されるＬＮ変調器２の場合、光出力の
最大値（１００％）を与える変調信号レベルＶmaxと光
出力の最小値（０％）を与える変調信号レベルＶminと
の差は、３〜６ボルトである。したがって、増幅器５
は、入力端４に入力された変調信号（デジタル信号）を
３〜６ボルトの振幅に増幅してＬＮ変調器２に出力する
ことが要求される。
て、図８はＬＮ変調器２の特性を示す図である。この図
において、縦軸は変調信号レベル（ＬＮ変調器２に入力
される変調信号の電圧）が０ボルトの場合の光出力を基
準とした光出力の割合であり、横軸は変調信号のレベル
である。実線Ｌで示すように、ＬＮ変調器２の光出力は
変調信号レベルに応じて変化し、通常、ギガビット／秒
以上の高速で変調されるＬＮ変調器２の場合、光出力の
最大値（１００％）を与える変調信号レベルＶmaxと光
出力の最小値（０％）を与える変調信号レベルＶminと
の差は、３〜６ボルトである。したがって、増幅器５
は、入力端４に入力された変調信号（デジタル信号）を
３〜６ボルトの振幅に増幅してＬＮ変調器２に出力する
ことが要求される。
【００１１】すなわち、この変調信号はデジタル信号で
あり、増幅器５はデジタル信号のハイレベルの時の電圧
値がＶmax、ローレベルの時の電圧値がＶminとなるよう
なレベルに変調信号を増幅することが好ましく、この場
合、変調信号の直流動作電圧は電圧値Ｖmaxと電圧値Ｖm
inの中間の電圧値に設定されなければならない。このと
き、ＬＮ変調器２は最適な変調動作点の設定状態とな
る。
あり、増幅器５はデジタル信号のハイレベルの時の電圧
値がＶmax、ローレベルの時の電圧値がＶminとなるよう
なレベルに変調信号を増幅することが好ましく、この場
合、変調信号の直流動作電圧は電圧値Ｖmaxと電圧値Ｖm
inの中間の電圧値に設定されなければならない。このと
き、ＬＮ変調器２は最適な変調動作点の設定状態とな
る。
【００１２】一方、ＬＮ変調器２の特性は、温度湿度変
化、素子のばらつき、経年変化等により一定ではなく、
例えば破線Ｌ’の様に直流動作電圧が電圧値Ｖosだけズ
レた特性に変化する場合がある。このため、ＬＮ変調器
２を上述した最適状態に維持するためには、変調信号の
直流動作電圧を電圧値Ｖosだけ補正しなければならな
い。すなわち、この場合、直流動作電圧を電圧値Ｖosだ
け増加させなければならない。
化、素子のばらつき、経年変化等により一定ではなく、
例えば破線Ｌ’の様に直流動作電圧が電圧値Ｖosだけズ
レた特性に変化する場合がある。このため、ＬＮ変調器
２を上述した最適状態に維持するためには、変調信号の
直流動作電圧を電圧値Ｖosだけ補正しなければならな
い。すなわち、この場合、直流動作電圧を電圧値Ｖosだ
け増加させなければならない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した増
幅器５は、出力段のＦＥＴ５Nのソース端子がグランド
に接続され、かつゲートバイアス電圧が固定になってい
るため、増幅器５の出力端５bの直流電圧は一定であ
る。すなわち、このような増幅器５単体では、上述した
電圧値Ｖosを補正することができない。したがって、増
幅器５の出力信号（変調信号）の交流成分のみをＬＮ変
調器２に供給するバイアスティ６−１とバイアス制御回
路７が出力する直流バイアス電圧をＬＮ変調器２に印加
するバイアスティ６−２が必要になる。
幅器５は、出力段のＦＥＴ５Nのソース端子がグランド
に接続され、かつゲートバイアス電圧が固定になってい
るため、増幅器５の出力端５bの直流電圧は一定であ
る。すなわち、このような増幅器５単体では、上述した
電圧値Ｖosを補正することができない。したがって、増
幅器５の出力信号（変調信号）の交流成分のみをＬＮ変
調器２に供給するバイアスティ６−１とバイアス制御回
路７が出力する直流バイアス電圧をＬＮ変調器２に印加
するバイアスティ６−２が必要になる。
【００１４】しかし、このような光変調装置では、変調
信号の伝送経路上に２つのバイアスティ６−１、６−２
が存在するため、これらバイアスティ６−１、６−２の
伝送帯域特性、あるいはＬＮ変調器２の間の反射の影響
等により変調信号の波形が歪み、この結果、ＬＮ変調器
２の光変調出力（光パルス）の波形が歪むという問題が
あった。
信号の伝送経路上に２つのバイアスティ６−１、６−２
が存在するため、これらバイアスティ６−１、６−２の
伝送帯域特性、あるいはＬＮ変調器２の間の反射の影響
等により変調信号の波形が歪み、この結果、ＬＮ変調器
２の光変調出力（光パルス）の波形が歪むという問題が
あった。
【００１５】また、バイアスティ６−１、６−２は、上
述したように構成部品としてコイルを有している。バイ
アスティ６−１、６−２において、このコイルを部品と
して構成することは、抵抗およびキャパシタンスを構成
するより難しく、また部品の小型化も困難である。した
がって、バイアスティ６−１、６−２は、他の部品と比
較して部品占有面積が大きく、光変調装置の小型化の妨
げとなるという問題があった。
述したように構成部品としてコイルを有している。バイ
アスティ６−１、６−２において、このコイルを部品と
して構成することは、抵抗およびキャパシタンスを構成
するより難しく、また部品の小型化も困難である。した
がって、バイアスティ６−１、６−２は、他の部品と比
較して部品占有面積が大きく、光変調装置の小型化の妨
げとなるという問題があった。
【００１６】この発明は、バイアスティを使用すること
なく、光変調出力の歪みを低減することが可能であると
共に、小型化が可能な光変調装置を提供することを目的
とする。
なく、光変調出力の歪みを低減することが可能であると
共に、小型化が可能な光変調装置を提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光変調装
置は、以上の目的を達成するために、光源から入射され
た光を他方から入力された電気信号により変調して出力
すると共に、該電気信号を終端する端子を有するリチウ
ムナイオベート光変調器と、該リチウムナイオベート光
変調器を駆動できるレベルに前記電気信号を増幅して前
記リチウムナイオベート光変調器に出力すると共に、出
力段の増幅素子のバイアス電圧が外部から供給される直
流電圧により設定される可変バイアス型増幅器と、該可
変バイアス型増幅器に前記直流電圧を供給すると共に、
前記リチウムナイオベート光変調器の変調動作点を設定
する直流動作電圧を終端抵抗器を介して前記端子に供給
するバイアス制御回路とを具備することを特徴としてい
る。
置は、以上の目的を達成するために、光源から入射され
た光を他方から入力された電気信号により変調して出力
すると共に、該電気信号を終端する端子を有するリチウ
ムナイオベート光変調器と、該リチウムナイオベート光
変調器を駆動できるレベルに前記電気信号を増幅して前
記リチウムナイオベート光変調器に出力すると共に、出
力段の増幅素子のバイアス電圧が外部から供給される直
流電圧により設定される可変バイアス型増幅器と、該可
変バイアス型増幅器に前記直流電圧を供給すると共に、
前記リチウムナイオベート光変調器の変調動作点を設定
する直流動作電圧を終端抵抗器を介して前記端子に供給
するバイアス制御回路とを具備することを特徴としてい
る。
【００１８】請求項２記載の光変調装置は、光源から入
射された光を他方から入力された電気信号により変調し
て出力すると共に、該電気信号を終端する端子を有する
リチウムナイオベート光変調器と、該リチウムナイオベ
ート光変調器を駆動できるレベルに前記電気信号を増幅
して出力する増幅器と、該増幅器の出力に基づいて前記
リチウムナイオベート光変調器を駆動すると共に、バイ
アス電圧が外部から供給される直流電圧により設定され
るバッファ回路と、該増幅素子に前記直流電圧を供給す
ると共に、前記リチウムナイオベート光変調器の変調動
作点を設定する直流動作電圧を終端抵抗器を介して前記
端子に供給するバイアス制御回路とを具備することを特
徴としている。
射された光を他方から入力された電気信号により変調し
て出力すると共に、該電気信号を終端する端子を有する
リチウムナイオベート光変調器と、該リチウムナイオベ
ート光変調器を駆動できるレベルに前記電気信号を増幅
して出力する増幅器と、該増幅器の出力に基づいて前記
リチウムナイオベート光変調器を駆動すると共に、バイ
アス電圧が外部から供給される直流電圧により設定され
るバッファ回路と、該増幅素子に前記直流電圧を供給す
ると共に、前記リチウムナイオベート光変調器の変調動
作点を設定する直流動作電圧を終端抵抗器を介して前記
端子に供給するバイアス制御回路とを具備することを特
徴としている。
【００１９】請求項３記載の光変調装置は、請求項１ま
たは２記載の発明において、前記増幅素子あるいは前記
バッファ回路の出力形式がオープン出力形式であること
を特徴としている。
たは２記載の発明において、前記増幅素子あるいは前記
バッファ回路の出力形式がオープン出力形式であること
を特徴としている。
【００２０】請求項４記載の光変調装置は、請求項１な
いし３いずれかに記載の発明において、前記増幅素子が
電界効果トランジスタであることを特徴としている。
いし３いずれかに記載の発明において、前記増幅素子が
電界効果トランジスタであることを特徴としている。
【００２１】
【作用】請求項１記載の光変調装置によれば、リチウム
ナイオベート光変調器を最も効率よく駆動する最適な直
流動作電圧が温度湿度変化、素子のばらつき、経年変化
等により変化した場合、バイアス制御回路が終端抵抗器
を介してリチウムナイオベート光変調器に最適な直流動
作電圧を供給する。また、バイアス制御回路は、同時に
増幅器の出力段の増幅素子のバイアス電圧を上記直流動
作電圧に応じて変化させるので、直流動作電圧の変更に
より生じる増幅素子のバイアス電圧の設定変化が修正さ
れる。
ナイオベート光変調器を最も効率よく駆動する最適な直
流動作電圧が温度湿度変化、素子のばらつき、経年変化
等により変化した場合、バイアス制御回路が終端抵抗器
を介してリチウムナイオベート光変調器に最適な直流動
作電圧を供給する。また、バイアス制御回路は、同時に
増幅器の出力段の増幅素子のバイアス電圧を上記直流動
作電圧に応じて変化させるので、直流動作電圧の変更に
より生じる増幅素子のバイアス電圧の設定変化が修正さ
れる。
【００２２】請求項２記載の光変調回路によれば、バイ
アス制御回路は、バッファ回路のバイアス電圧を直流動
作電圧に応じて変化させるので、直流動作電圧の変更に
よって生じるバッファ回路のバイアス電圧の設定変化が
修正される。
アス制御回路は、バッファ回路のバイアス電圧を直流動
作電圧に応じて変化させるので、直流動作電圧の変更に
よって生じるバッファ回路のバイアス電圧の設定変化が
修正される。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は、第１の実施例の構成を示すブロッ
ク図である。なお、既に説明した図６と同一構成要素に
は、同一符号を付してその説明を省略する。この図にお
いて、符号１０は増幅器、１１は終端抵抗器、１２はバ
イアス制御回路である。すなわち、本実施例において図
６に示した従来の光変調装置との相違点は、増幅器１
０、終端抵抗器１１、およびバイアス制御回路１２の構
成である。
て説明する。図１は、第１の実施例の構成を示すブロッ
ク図である。なお、既に説明した図６と同一構成要素に
は、同一符号を付してその説明を省略する。この図にお
いて、符号１０は増幅器、１１は終端抵抗器、１２はバ
イアス制御回路である。すなわち、本実施例において図
６に示した従来の光変調装置との相違点は、増幅器１
０、終端抵抗器１１、およびバイアス制御回路１２の構
成である。
【００２４】図２は、この増幅器１０の構成を示す回路
図である。既に図７で示した従来の増幅器５との相違点
は、出力段のＦＥＴ５Nにおいて、ソース端子が端子１
０aにかつゲート端子に接続された抵抗Ｒgの片端が端子
１０bにそれぞれ接続され、外部から各々の端子１０a、
１０bに電圧を供給することにより、ＦＥＴ５Nのソース
電圧およびゲート電圧を設定するように構成されている
点である。
図である。既に図７で示した従来の増幅器５との相違点
は、出力段のＦＥＴ５Nにおいて、ソース端子が端子１
０aにかつゲート端子に接続された抵抗Ｒgの片端が端子
１０bにそれぞれ接続され、外部から各々の端子１０a、
１０bに電圧を供給することにより、ＦＥＴ５Nのソース
電圧およびゲート電圧を設定するように構成されている
点である。
【００２５】図１において、増幅器１０は、電気入力端
４に入力された変調信号をＬＮ変調器２を駆動できるだ
けの振幅まで増幅してＬＮ変調器２に直接出力する。終
端抵抗器１１は、出力段のＦＥＴ５Nの電圧増幅度を設
定すると共にＬＮ変調器２に入力された変調信号を終端
する。また、終端抵抗器１１は、バイアス制御回路１２
が出力する直流電圧ｘを自らおよびＬＮ変調器２を介し
てＦＥＴ５Nのドレイン端子に供給する。
４に入力された変調信号をＬＮ変調器２を駆動できるだ
けの振幅まで増幅してＬＮ変調器２に直接出力する。終
端抵抗器１１は、出力段のＦＥＴ５Nの電圧増幅度を設
定すると共にＬＮ変調器２に入力された変調信号を終端
する。また、終端抵抗器１１は、バイアス制御回路１２
が出力する直流電圧ｘを自らおよびＬＮ変調器２を介し
てＦＥＴ５Nのドレイン端子に供給する。
【００２６】バイアス制御回路１２は、上述した終端抵
抗器１１の他に増幅器１０の端子１０aおよび端子１０b
にそれぞれ接続され、端子１０aに直流電圧ｙ、端子１
０bには直流電圧ｚをそれぞれ供給する。このバイアス
制御回路１２は、直流電圧ｘを制御することによりＬＮ
変調器２の直流動作電圧を上述した最適状態に設定する
と共に、同時に直流電圧ｙおよび直流電圧ｚを制御する
ことにより、ＦＥＴ５Nの増幅動作バイアス点を設定す
る。
抗器１１の他に増幅器１０の端子１０aおよび端子１０b
にそれぞれ接続され、端子１０aに直流電圧ｙ、端子１
０bには直流電圧ｚをそれぞれ供給する。このバイアス
制御回路１２は、直流電圧ｘを制御することによりＬＮ
変調器２の直流動作電圧を上述した最適状態に設定する
と共に、同時に直流電圧ｙおよび直流電圧ｚを制御する
ことにより、ＦＥＴ５Nの増幅動作バイアス点を設定す
る。
【００２７】このように光変調器を構成することによ
り、上述したＬＮ変調器２の特性変化すなわち最適状態
を与える直流動作電圧の変化をバイアス制御回路１２が
出力する直流電圧ｘを変えることにより補正することが
できる。例えば、上述した直流動作電圧が電圧値Ｖosだ
け増加すると、バイアス制御回路１２は、直流電圧ｘを
電圧値Ｖosだけ増加させる。この場合、ＦＥＴ５Nのド
レイン端子のバイアス電圧は電圧値Ｖosだけ増加するの
で、バイアス制御回路１２は、同時に直流電圧ｙおよび
直流電圧ｚを電圧値Ｖosだけ増加させ、ＦＥＴ５Nのソ
ース端子およびゲート端子の各バイアス電圧を電圧値Ｖ
osだけ増加させる。
り、上述したＬＮ変調器２の特性変化すなわち最適状態
を与える直流動作電圧の変化をバイアス制御回路１２が
出力する直流電圧ｘを変えることにより補正することが
できる。例えば、上述した直流動作電圧が電圧値Ｖosだ
け増加すると、バイアス制御回路１２は、直流電圧ｘを
電圧値Ｖosだけ増加させる。この場合、ＦＥＴ５Nのド
レイン端子のバイアス電圧は電圧値Ｖosだけ増加するの
で、バイアス制御回路１２は、同時に直流電圧ｙおよび
直流電圧ｚを電圧値Ｖosだけ増加させ、ＦＥＴ５Nのソ
ース端子およびゲート端子の各バイアス電圧を電圧値Ｖ
osだけ増加させる。
【００２８】したがって、ＬＮ変調器２に供給される変
調信号の直流動作電圧は、常に最適状態に維持されると
共に、ＦＥＴ５Nのドレイン端子、ソース端子、および
ゲート端子に供給されるバイアス電圧のバランスは常に
一定に保たれる。
調信号の直流動作電圧は、常に最適状態に維持されると
共に、ＦＥＴ５Nのドレイン端子、ソース端子、および
ゲート端子に供給されるバイアス電圧のバランスは常に
一定に保たれる。
【００２９】ここで、図３に示す実線Ｔ1は、この実施
例における増幅器１０の出力から終端抵抗器１１までの
伝送レベルの周波数特性である。また、この図において
破線Ｔ2は、図６に示した従来の光変調装置における増
幅器５から終端器９までの伝送レベルの周波数特性であ
る。この図から読み取れるように、０Ｈｚ〜２０ＧＨｚ
に亘る全ての周波数において、本実施例の伝送レベルは
従来に比べて約１〜２ｄＢ高く、すなわち反射等による
減衰が少なく終端抵抗器１１まで伝送されていることが
わかる。
例における増幅器１０の出力から終端抵抗器１１までの
伝送レベルの周波数特性である。また、この図において
破線Ｔ2は、図６に示した従来の光変調装置における増
幅器５から終端器９までの伝送レベルの周波数特性であ
る。この図から読み取れるように、０Ｈｚ〜２０ＧＨｚ
に亘る全ての周波数において、本実施例の伝送レベルは
従来に比べて約１〜２ｄＢ高く、すなわち反射等による
減衰が少なく終端抵抗器１１まで伝送されていることが
わかる。
【００３０】次に、図４は、第２の実施例の構成を示す
ブロック図である。この実施例では、第１実施例の増幅
器１０の出力段をバッファ回路１３として別に構成にし
ている。すなわち、この実施例では、ＥＦＴ５Nにより
構成されている増幅器１０の出力段を別回路としバッフ
ァ回路１３として構成している。また、増幅器１０にお
いて、ＦＥＴ５Nを除いた回路を新たに増幅器１４とし
ている。図５は、この増幅器１４の構成を示す回路図で
ある。この図に示すように、増幅器１４は、ＦＥＴ５N
を除いたＦＥＴ５1〜ＥＦＴ５N-1からなる増幅回路とし
て構成されており、出力形式はオープンドレインではな
くコンデンサＣを介して交流成分のみを出力する構成に
なっている。
ブロック図である。この実施例では、第１実施例の増幅
器１０の出力段をバッファ回路１３として別に構成にし
ている。すなわち、この実施例では、ＥＦＴ５Nにより
構成されている増幅器１０の出力段を別回路としバッフ
ァ回路１３として構成している。また、増幅器１０にお
いて、ＦＥＴ５Nを除いた回路を新たに増幅器１４とし
ている。図５は、この増幅器１４の構成を示す回路図で
ある。この図に示すように、増幅器１４は、ＦＥＴ５N
を除いたＦＥＴ５1〜ＥＦＴ５N-1からなる増幅回路とし
て構成されており、出力形式はオープンドレインではな
くコンデンサＣを介して交流成分のみを出力する構成に
なっている。
【００３１】この実施例では、バイアス制御回路１２か
らバッファ回路１３のソース端子、ゲート端子、および
ドレイン端子に直流電圧を印加してＬＮ変調器２に入力
される変調信号の直流動作電圧を最適状態に設定してい
る。この第２実施例の構成の場合、第１実施例の構成に
比較して、バッファ回路１３を増幅器１４とは別の回路
として構成しているので、バッファ回路１３の特性を変
更する等によりＬＮ変調器２を駆動する性能を容易に変
更することができる。
らバッファ回路１３のソース端子、ゲート端子、および
ドレイン端子に直流電圧を印加してＬＮ変調器２に入力
される変調信号の直流動作電圧を最適状態に設定してい
る。この第２実施例の構成の場合、第１実施例の構成に
比較して、バッファ回路１３を増幅器１４とは別の回路
として構成しているので、バッファ回路１３の特性を変
更する等によりＬＮ変調器２を駆動する性能を容易に変
更することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光変調装
置によれば、バイアスティを使用することなく構成され
ているので、歪みのない電気信号を用いてリチウムナイ
オベート光変調器を駆動することができる。したがっ
て、波形品質の良い光変調出力を得ることが可能であ
る。また、バイアスティを使用しないので、より少ない
部品で回路を実現でき占有面積を小さくして小型の光変
調装置を構成することが可能である。
置によれば、バイアスティを使用することなく構成され
ているので、歪みのない電気信号を用いてリチウムナイ
オベート光変調器を駆動することができる。したがっ
て、波形品質の良い光変調出力を得ることが可能であ
る。また、バイアスティを使用しないので、より少ない
部品で回路を実現でき占有面積を小さくして小型の光変
調装置を構成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図２】第１実施例における増幅器の構成を示す回路図
である。
である。
【図３】本発明による光変調装置の特性を示した図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図５】第２実施例における増幅器の構成を示す回路図
である。
である。
【図６】従来の光変調装置の構成例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図７】従来の光変調装置における増幅器の構成例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図８】ＬＮ変調器の特性を示す図である。
１ 光源 ２ ＬＮ変調器 ３ 光出力端 ４ 電気入力端 １０、１４ 増幅器 １１ 終端抵抗器 １２ バイアス制御回路 １３ バッファ回路 ５1〜５N ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14
Claims (4)
- 【請求項１】 光源から入射された光を他方から入力さ
れた電気信号により変調して出力すると共に、該電気信
号を終端する端子(2d)を有するリチウムナイオベート光
変調器(2)と、 該リチウムナイオベート光変調器(2)を駆動できるレベ
ルに前記電気信号を増幅して該リチウムナイオベート光
変調器(2)に出力すると共に、出力段の増幅素子(5N)の
バイアス電圧が外部から供給される直流電圧により設定
される可変バイアス型増幅器(10)と、 該可変バイアス型増幅器(10)に前記直流電圧を供給する
と共に、前記リチウムナイオベート光変調器(2)の変調
動作点を設定する直流動作電圧を終端抵抗器(11)を介し
て前記端子(2d)に供給するバイアス制御回路(12)と、 を具備することを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２】 光源から入射された光を他方から入力さ
れた電気信号により変調して出力すると共に、該電気信
号を終端する端子(2d)を有するリチウムナイオベート光
変調器(2)と、 該リチウムナイオベート光変調器(2)を駆動できるレベ
ルに前記電気信号を増幅して出力する増幅器(14)と、 該増幅器(14)の出力に基づいて前記リチウムナイオベー
ト光変調器(2)を駆動すると共に、バイアス電圧が外部
から供給される直流電圧により設定されるバッファ回路
(13)と、 該バッファ回路(13)に前記直流電圧を供給すると共に、
前記リチウムナイオベート光変調器(2)の変調動作点を
設定する直流動作電圧を終端抵抗器(11)を介して前記端
子(2d)に供給するバイアス制御回路(12)と、 を具備することを特徴とする光変調装置。 - 【請求項３】 前記増幅素子(5N)あるいは前記バッファ
回路(13)の出力形式がオープン出力形式であることを特
徴とする請求項１または２記載の光変調装置。 - 【請求項４】 前記増幅素子(5N)が電界効果トランジス
タであることを特徴とする請求項１ないし３いずれかに
記載の光変調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7070047A JPH08262382A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 光変調装置 |
| US08/621,963 US5745282A (en) | 1995-03-28 | 1996-03-26 | Light modulation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7070047A JPH08262382A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 光変調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262382A true JPH08262382A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13420276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7070047A Pending JPH08262382A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 光変調装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5745282A (ja) |
| JP (1) | JPH08262382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012029058A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Opnext Japan Inc | 光送信器およびその制御方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222861B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-04-24 | Photonic Solutions, Inc. | Method and apparatus for controlling the wavelength of a laser |
| US6590690B2 (en) * | 2000-06-02 | 2003-07-08 | Bacharach, Inc. | Electronically modulating an optical light source |
| US6611372B1 (en) * | 2000-06-09 | 2003-08-26 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Erbium and ytterbium co-doped phosphate glass optical fiber amplifiers using short active fiber length |
| US6879996B1 (en) | 2000-09-13 | 2005-04-12 | Edward W. Laves | Method and apparatus for displaying personal digital assistant synchronization data using primary and subordinate data fields |
| US9479263B2 (en) | 2014-04-03 | 2016-10-25 | Arris Enterprises, Inc. | EML bias control system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2083219C (en) * | 1991-11-19 | 1999-01-05 | Hiroshi Nishimoto | Optical transmitter having optical modulator |
| JP3127546B2 (ja) * | 1992-02-04 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 光送信回路 |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP7070047A patent/JPH08262382A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-26 US US08/621,963 patent/US5745282A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012029058A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Opnext Japan Inc | 光送信器およびその制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5745282A (en) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010807 |