JPH08255843A - 半導体ｒｏｍ装置及びそのデータ書き込み方法 - Google Patents
半導体ｒｏｍ装置及びそのデータ書き込み方法Info
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- JPH08255843A JPH08255843A JP7056109A JP5610995A JPH08255843A JP H08255843 A JPH08255843 A JP H08255843A JP 7056109 A JP7056109 A JP 7056109A JP 5610995 A JP5610995 A JP 5610995A JP H08255843 A JPH08255843 A JP H08255843A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ワード線Ｌとデータ線ＤＡとのクロス点をア
モルファス・シリコンから成るａ−Ｓｉ配線５で結線
し、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を上記ａ
−Ｓｉ配線５に対して選択的にスポット照射することに
よりデータを書き込む。 【効果】 半導体ＲＯＭ装置のターンアラウンドタイム
を短縮することができる。
モルファス・シリコンから成るａ−Ｓｉ配線５で結線
し、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を上記ａ
−Ｓｉ配線５に対して選択的にスポット照射することに
よりデータを書き込む。 【効果】 半導体ＲＯＭ装置のターンアラウンドタイム
を短縮することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、クロスポイント・セル
構造の半導体ＲＯＭ装置及び半導体ＲＯＭ装置のデータ
書き込み方法に関する。
構造の半導体ＲＯＭ装置及び半導体ＲＯＭ装置のデータ
書き込み方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンのγ補正等の非線形演算を
実行するために用いられる表いわゆるテーブル等は、比
較的小容量のＲＯＭに記憶されており、このＲＯＭとし
ては、例えばクロスポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ
装置を用いている。このクロスポイント・セル構造の半
導体ＲＯＭ装置は、縦横、即ち２次元のＸＹ方向に配置
された配線のクロス点がそれぞれＭＯＳ（metal oxide
semiconductor）構造のトランジスタで結線されるもの
である。
実行するために用いられる表いわゆるテーブル等は、比
較的小容量のＲＯＭに記憶されており、このＲＯＭとし
ては、例えばクロスポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ
装置を用いている。このクロスポイント・セル構造の半
導体ＲＯＭ装置は、縦横、即ち２次元のＸＹ方向に配置
された配線のクロス点がそれぞれＭＯＳ（metal oxide
semiconductor）構造のトランジスタで結線されるもの
である。
【０００３】ここで、図６にクロスポイント・セル構造
の半導体ＲＯＭ装置の概略的な構成を示し、以下に説明
する。
の半導体ＲＯＭ装置の概略的な構成を示し、以下に説明
する。
【０００４】縦（Ｙ方向）配線は、いわゆるデータ線で
あり、これらのデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・
は、リセット用トランジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・を
介して接地されており、これらのリセット用トランジス
タＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・のゲートには、データを出力
するタイミングをとるためのリセットパルス信号が入力
される。また、横（Ｘ方向）配線は、いわゆるワード線
であり、入力端子Ｉ1、Ｉ2、・・・、Ｉnからの入力信
号がＸデコーダ１に入力され、このＸデコーダ１におい
てデコード処理されることにより、ワード線Ｌ1、Ｌ2、
・・・、Ｌnの内の１本のワード線Ｌが選択されて、こ
の選択されたワード線Ｌに電源電圧ＶCCが加わる。
あり、これらのデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・
は、リセット用トランジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・を
介して接地されており、これらのリセット用トランジス
タＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・のゲートには、データを出力
するタイミングをとるためのリセットパルス信号が入力
される。また、横（Ｘ方向）配線は、いわゆるワード線
であり、入力端子Ｉ1、Ｉ2、・・・、Ｉnからの入力信
号がＸデコーダ１に入力され、このＸデコーダ１におい
てデコード処理されることにより、ワード線Ｌ1、Ｌ2、
・・・、Ｌnの内の１本のワード線Ｌが選択されて、こ
の選択されたワード線Ｌに電源電圧ＶCCが加わる。
【０００５】上記データ線ＤＡとワード線Ｌとのクロス
点は、トランジスタＴによって結線される。具体的に
は、ワード線Ｌ1とデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・
・とのクロス点は、トランジスタＴ11、Ｔ12、Ｔ13、・
・・によって結線され、ワード線Ｌ2とデータ線ＤＡ1、
ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、トランジスタＴ
21、Ｔ22、Ｔ23、・・・によって結線され、ワード線Ｌ
nとデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点
は、トランジスタＴn1、Ｔn2、Ｔn3、・・・によって結
線されている。これらのトランジスタＴのゲートは、接
地されたゲート線ＧＬに接続されており、接地電位とさ
れている。
点は、トランジスタＴによって結線される。具体的に
は、ワード線Ｌ1とデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・
・とのクロス点は、トランジスタＴ11、Ｔ12、Ｔ13、・
・・によって結線され、ワード線Ｌ2とデータ線ＤＡ1、
ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、トランジスタＴ
21、Ｔ22、Ｔ23、・・・によって結線され、ワード線Ｌ
nとデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点
は、トランジスタＴn1、Ｔn2、Ｔn3、・・・によって結
線されている。これらのトランジスタＴのゲートは、接
地されたゲート線ＧＬに接続されており、接地電位とさ
れている。
【０００６】尚、上記複数のトランジスタＴは、Ｄで示
した、常時オン状態のデプレッション型、もしくはＥで
示した、通常はオフ状態であり電圧を加えることによっ
てオン状態となるエンハンスメント型のトランジスタと
なっており、データが書き込まれた状態を示している。
した、常時オン状態のデプレッション型、もしくはＥで
示した、通常はオフ状態であり電圧を加えることによっ
てオン状態となるエンハンスメント型のトランジスタと
なっており、データが書き込まれた状態を示している。
【０００７】即ち、クロスポイント・セル構造の半導体
ＲＯＭ装置にプログラム等のデータを書き込むには、デ
ータのパターンに対応するイオン注入用マスクを用い、
特定のトランジスタのチャネル部のみに不純物イオンの
注入を行う。これにより、トランジスタＴはエンハンス
メント型からデプレッション型に変えられ、トランジス
タのゲートは接地電位であっても導通状態となる。この
ようにして、複数のメモリセルがいわゆるマトリックス
状に規則的に配置されたメモリセルアレイにデータのパ
ターンが書き込まれる。ここで、データのパターンと
は、マトリックス状のセル上の２次元パターンを示すも
のであり、また、ビットパターンを示すものでもある。
ＲＯＭ装置にプログラム等のデータを書き込むには、デ
ータのパターンに対応するイオン注入用マスクを用い、
特定のトランジスタのチャネル部のみに不純物イオンの
注入を行う。これにより、トランジスタＴはエンハンス
メント型からデプレッション型に変えられ、トランジス
タのゲートは接地電位であっても導通状態となる。この
ようにして、複数のメモリセルがいわゆるマトリックス
状に規則的に配置されたメモリセルアレイにデータのパ
ターンが書き込まれる。ここで、データのパターンと
は、マトリックス状のセル上の２次元パターンを示すも
のであり、また、ビットパターンを示すものでもある。
【０００８】尚、上記イオン注入工程後、配線工程及び
パシベーション成膜工程等を経ることにより、製品であ
るマスクＲＯＭが製造される。
パシベーション成膜工程等を経ることにより、製品であ
るマスクＲＯＭが製造される。
【０００９】次に、図７に示すデータの入出力のタイミ
ングチャートを用いてクロスポイント・セル構造の半導
体ＲＯＭ装置の動作について説明する。
ングチャートを用いてクロスポイント・セル構造の半導
体ＲＯＭ装置の動作について説明する。
【００１０】具体的には、この図７においては、Ｘ方向
の配線であるワード線Ｌ1が選択されたときのＹ方向の
データ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3におけるデータ出力及び
リセットパルス信号の出力タイミングを示す。
の配線であるワード線Ｌ1が選択されたときのＹ方向の
データ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3におけるデータ出力及び
リセットパルス信号の出力タイミングを示す。
【００１１】実際の動作においては、時間ｔ1で図７の
Ａに示すワード線Ｌ1が選択されて、このワード線Ｌ1に
電源電圧ＶCCが加わり、ワード線Ｌ1はＨｉｇｈ（１）
の状態になる。尚、このワード線Ｌ1に電源電圧ＶCCが
加わる前に、図７のＢに示すリセットパルス信号がデー
タ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3に加えられており、全てのデ
ータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3がリセット用トランジスタ
Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3によって接地電位、即ちＬｏｗ（０）の
状態にリセットされている。
Ａに示すワード線Ｌ1が選択されて、このワード線Ｌ1に
電源電圧ＶCCが加わり、ワード線Ｌ1はＨｉｇｈ（１）
の状態になる。尚、このワード線Ｌ1に電源電圧ＶCCが
加わる前に、図７のＢに示すリセットパルス信号がデー
タ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3に加えられており、全てのデ
ータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3がリセット用トランジスタ
Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3によって接地電位、即ちＬｏｗ（０）の
状態にリセットされている。
【００１２】ワード線Ｌ1がＨＩｇｈ（１）の状態にな
ると、データ線ＤＡ1は、ワード線Ｌ1とのクロス点のト
ランジスタＴ11がデプレッション型であるので導通状態
となり、ワード線Ｌ1から電流が流れ、図７のＣに示す
ようにワード線Ｌ1は時間ｔ1でＨｉｇｈ（１）の状態に
なる。一方、データ線ＤＡ2は、ワード線Ｌ1とのクロス
点のトランジスタＴ12がエンハンスメント型であるため
非導通状態であり、ワード線Ｌ1から電流が流れない。
従って、データ線ＤＡ2は、図７のＤに示すようにＬｏ
ｗ（０）の状態のままである。また、データ線ＤＡ3も
データ線ＤＡ1と同様にして、図７のＥに示すように時
間ｔ1でＨｉｇｈ（１）の状態に変化する。
ると、データ線ＤＡ1は、ワード線Ｌ1とのクロス点のト
ランジスタＴ11がデプレッション型であるので導通状態
となり、ワード線Ｌ1から電流が流れ、図７のＣに示す
ようにワード線Ｌ1は時間ｔ1でＨｉｇｈ（１）の状態に
なる。一方、データ線ＤＡ2は、ワード線Ｌ1とのクロス
点のトランジスタＴ12がエンハンスメント型であるため
非導通状態であり、ワード線Ｌ1から電流が流れない。
従って、データ線ＤＡ2は、図７のＤに示すようにＬｏ
ｗ（０）の状態のままである。また、データ線ＤＡ3も
データ線ＤＡ1と同様にして、図７のＥに示すように時
間ｔ1でＨｉｇｈ（１）の状態に変化する。
【００１３】このようなデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3
からの電流は、図６のＸデコーダ１からの入力データに
対応する出力データとして、データ出力装置２を介して
１又は０のバイナリ・データ列として取り出される。
からの電流は、図６のＸデコーダ１からの入力データに
対応する出力データとして、データ出力装置２を介して
１又は０のバイナリ・データ列として取り出される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のクロ
スポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ装置においては、
データを受注して、このデータに応じたパターンを半導
体ＲＯＭ装置に書き込み、製品として納めるまでの期
間、いわゆるターンアラウンドタイム（ＴＡＴ）に２カ
月近くかかるため、テレビジョンの機種毎に書き込みデ
ータを変更して生産することが困難である。
スポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ装置においては、
データを受注して、このデータに応じたパターンを半導
体ＲＯＭ装置に書き込み、製品として納めるまでの期
間、いわゆるターンアラウンドタイム（ＴＡＴ）に２カ
月近くかかるため、テレビジョンの機種毎に書き込みデ
ータを変更して生産することが困難である。
【００１５】そこで、本発明は上述の実情に鑑み、デー
タの書き込みから製品となるまでの期間を短縮すること
ができる半導体ＲＯＭ装置及び半導体ＲＯＭ装置のデー
タ書き込み方法を提供するものである。
タの書き込みから製品となるまでの期間を短縮すること
ができる半導体ＲＯＭ装置及び半導体ＲＯＭ装置のデー
タ書き込み方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ＲＯ
Ｍ装置は、クロス点はアモルファス・シリコンから成る
配線で結線され、この配線に対してデータのパターンに
応じて紫外線レーザ光が選択的にスポット照射されるこ
とによりデータが書き込まれて成ることにより上述した
課題を解決する。
Ｍ装置は、クロス点はアモルファス・シリコンから成る
配線で結線され、この配線に対してデータのパターンに
応じて紫外線レーザ光が選択的にスポット照射されるこ
とによりデータが書き込まれて成ることにより上述した
課題を解決する。
【００１７】また、本発明に係る半導体ＲＯＭ装置のデ
ータ書き込み方法は、２次元的に配置された配線のクロ
ス点を結線する、アモルファス・シリコンから成る配線
に対して、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を
選択的にスポット照射してデータの書き込みを行うこと
により上述した課題を解決する。
ータ書き込み方法は、２次元的に配置された配線のクロ
ス点を結線する、アモルファス・シリコンから成る配線
に対して、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を
選択的にスポット照射してデータの書き込みを行うこと
により上述した課題を解決する。
【００１８】
【作用】本発明においては、クロスポイント・セル構造
のクロス点がアモルファス・シリコンから成る配線で結
線されており、この配線にデータのパターンに応じて紫
外線レーザ光を選択的にスポット照射することによりデ
ータが書き込まれた半導体ＲＯＭ装置であるので、短期
間で製品として製造することができる。
のクロス点がアモルファス・シリコンから成る配線で結
線されており、この配線にデータのパターンに応じて紫
外線レーザ光を選択的にスポット照射することによりデ
ータが書き込まれた半導体ＲＯＭ装置であるので、短期
間で製品として製造することができる。
【００１９】また、クロスポイント・セル構造のクロス
点がアモルファス・シリコンから成る配線に対して、デ
ータのパターンに応じて紫外線レーザ光を選択的にスポ
ット照射して半導体ＲＯＭ装置へのデータの書き込みを
行うので、アモルファス・シリコンの結晶化によって配
線の抵抗値を低下させ、配線を導通状態にすることによ
りデータの書き込みを行う。
点がアモルファス・シリコンから成る配線に対して、デ
ータのパターンに応じて紫外線レーザ光を選択的にスポ
ット照射して半導体ＲＯＭ装置へのデータの書き込みを
行うので、アモルファス・シリコンの結晶化によって配
線の抵抗値を低下させ、配線を導通状態にすることによ
りデータの書き込みを行う。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について、図
面を参照しながら説明する。図１には、本発明に係る半
導体ＲＯＭ装置の概略的な構成を示す。
面を参照しながら説明する。図１には、本発明に係る半
導体ＲＯＭ装置の概略的な構成を示す。
【００２１】この図１に示す半導体ＲＯＭ装置は、２次
元的に配置された配線のクロス点を結線することにより
構成されるクロスポイント・セル構造となっており、上
記クロス点はアモルファス・シリコンから成る配線で結
線され、この配線に対してデータのパターンに応じて紫
外線レーザ光が選択的にスポット照射されることにより
データが書き込まれて成るものである。
元的に配置された配線のクロス点を結線することにより
構成されるクロスポイント・セル構造となっており、上
記クロス点はアモルファス・シリコンから成る配線で結
線され、この配線に対してデータのパターンに応じて紫
外線レーザ光が選択的にスポット照射されることにより
データが書き込まれて成るものである。
【００２２】上記縦（Ｙ方向）配線は、いわゆるデータ
線であり、これらのデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・
・・は、リセット用トランジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・
・を介して接地されており、これらのリセット用トラン
ジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・のゲートには、データを
出力するタイミングをとるためのリセットパルス信号が
入力される。また、横（Ｘ方向）配線は、いわゆるワー
ド線であり、入力端子Ｉ1、Ｉ2、・・・、Ｉnからの入
力信号がＸデコーダ１に入力され、このＸデコーダ１に
おいてデコード処理されることにより、ワード線Ｌ1、
Ｌ2、・・・、Ｌnの内の１本のワード線Ｌが選択され
て、この選択されたワード線Ｌに電源電圧ＶCCが加わ
る。上記データ線ＤＡ及びワード線Ｌは、後述するよう
に、多結晶シリコンであるポリシリコン（以下、Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉという）やアルミニウム等の金属材料から成
る。
線であり、これらのデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・
・・は、リセット用トランジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・
・を介して接地されており、これらのリセット用トラン
ジスタＭ1、Ｍ2、Ｍ3、・・・のゲートには、データを
出力するタイミングをとるためのリセットパルス信号が
入力される。また、横（Ｘ方向）配線は、いわゆるワー
ド線であり、入力端子Ｉ1、Ｉ2、・・・、Ｉnからの入
力信号がＸデコーダ１に入力され、このＸデコーダ１に
おいてデコード処理されることにより、ワード線Ｌ1、
Ｌ2、・・・、Ｌnの内の１本のワード線Ｌが選択され
て、この選択されたワード線Ｌに電源電圧ＶCCが加わ
る。上記データ線ＤＡ及びワード線Ｌは、後述するよう
に、多結晶シリコンであるポリシリコン（以下、Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉという）やアルミニウム等の金属材料から成
る。
【００２３】また、上記データ線ＤＡとワード線Ｌとの
クロス点は、非晶質シリコンであるアモルファス・シリ
コン（以下、ａ−Ｓｉという）から成るａ−Ｓｉ配線５
によって結線される。具体的には、ワード線Ｌ1とデー
タ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、ａ
−Ｓｉ配線５11、５12、５13、・・・によって結線さ
れ、ワード線Ｌ2とデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・
・とのクロス点は、ａ−Ｓｉ配線５21、５22、５23、・
・・によって結線され、ワード線Ｌnとデータ線ＤＡ1、
ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、ａ−Ｓｉ配線５
n1、５n2、５n3、・・・によって結線されている。
クロス点は、非晶質シリコンであるアモルファス・シリ
コン（以下、ａ−Ｓｉという）から成るａ−Ｓｉ配線５
によって結線される。具体的には、ワード線Ｌ1とデー
タ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、ａ
−Ｓｉ配線５11、５12、５13、・・・によって結線さ
れ、ワード線Ｌ2とデータ線ＤＡ1、ＤＡ2、ＤＡ3、・・
・とのクロス点は、ａ−Ｓｉ配線５21、５22、５23、・
・・によって結線され、ワード線Ｌnとデータ線ＤＡ1、
ＤＡ2、ＤＡ3、・・・とのクロス点は、ａ−Ｓｉ配線５
n1、５n2、５n3、・・・によって結線されている。
【００２４】まず、初期状態では、ａ−Ｓｉ配線５の負
荷抵抗値が非常に高いので、Ｘ方向の任意のワード線Ｌ
を選択してＨｉｇｈ（１）の状態にしても、そのワード
線Ｌからクロス点に電流が流れず、Ｙ方向のデータ出力
装置２からのデータ出力は全てＬｏｗ（０）となる。
荷抵抗値が非常に高いので、Ｘ方向の任意のワード線Ｌ
を選択してＨｉｇｈ（１）の状態にしても、そのワード
線Ｌからクロス点に電流が流れず、Ｙ方向のデータ出力
装置２からのデータ出力は全てＬｏｗ（０）となる。
【００２５】このクロスポイント・セル構造の半導体Ｒ
ＯＭ装置に対してデータを書き込むには、このデータに
対応するパターンに応じてａ−Ｓｉ配線５に選択的に紫
外線レーザ光をスポット照射する。紫外線レーザ光照射
によるａ−Ｓｉの結晶化によってａ−ＳｉはＰｏｌｙ−
Ｓｉ構造に変わってａ−Ｓｉ配線５の負荷抵抗値が十分
に小さくなり、導通状態となってデータが書き込まれた
状態となる。
ＯＭ装置に対してデータを書き込むには、このデータに
対応するパターンに応じてａ−Ｓｉ配線５に選択的に紫
外線レーザ光をスポット照射する。紫外線レーザ光照射
によるａ−Ｓｉの結晶化によってａ−ＳｉはＰｏｌｙ−
Ｓｉ構造に変わってａ−Ｓｉ配線５の負荷抵抗値が十分
に小さくなり、導通状態となってデータが書き込まれた
状態となる。
【００２６】このように、紫外線レーザ光照射によるａ
−Ｓｉの結晶化を用いた抵抗値の変化を利用してデータ
の書き込みを行う。
−Ｓｉの結晶化を用いた抵抗値の変化を利用してデータ
の書き込みを行う。
【００２７】尚、図１に示す複数のａ−Ｓｉ配線５の内
でａ−Ｓｉ配線５11、５12、５13においては、具体的
に、紫外線レーザ光が照射されていないａ−Ｓｉ配線５
12についてはａ−Ｓｉで示し、紫外線レーザ光が照射さ
れてＰｏｌｙ−Ｓｉ構造に変化したａ−Ｓｉ配線５11、
５13についてはｐ−Ｓｉで示している。
でａ−Ｓｉ配線５11、５12、５13においては、具体的
に、紫外線レーザ光が照射されていないａ−Ｓｉ配線５
12についてはａ−Ｓｉで示し、紫外線レーザ光が照射さ
れてＰｏｌｙ−Ｓｉ構造に変化したａ−Ｓｉ配線５11、
５13についてはｐ−Ｓｉで示している。
【００２８】次に、上述のクロスポイント・セル構造の
半導体ＲＯＭ装置にデータを書き込むためのデータ書き
込み装置として紫外線レーザ光スポット照射装置の概略
的な構成を図２に示す。
半導体ＲＯＭ装置にデータを書き込むためのデータ書き
込み装置として紫外線レーザ光スポット照射装置の概略
的な構成を図２に示す。
【００２９】図２の紫外線レーザ光スポット照射装置
は、紫外線レーザ光を出射するレーザ光源１、この紫外
線レーザ光をオン／オフ制御する電子式シャッタ２、紫
外線レーザ光を集光する集光光学系４、２次元の方向に
移動するＸＹステージ６、照射された紫外線レーザ光の
反射光を撮像するＣＣＤカメラ８、この撮像された画像
を表示するモニタ９、及び上記ＸＹステージ６とモニタ
９とを制御する制御装置７等から構成される。この紫外
線レーザ光スポット照射装置によって、半導体ＲＯＭ装
置のａ−Ｓｉ配線に対して紫外線レーザビームのスポッ
トを走査して選択的に照射することにより、データに応
じたパターンが書き込まれる。
は、紫外線レーザ光を出射するレーザ光源１、この紫外
線レーザ光をオン／オフ制御する電子式シャッタ２、紫
外線レーザ光を集光する集光光学系４、２次元の方向に
移動するＸＹステージ６、照射された紫外線レーザ光の
反射光を撮像するＣＣＤカメラ８、この撮像された画像
を表示するモニタ９、及び上記ＸＹステージ６とモニタ
９とを制御する制御装置７等から構成される。この紫外
線レーザ光スポット照射装置によって、半導体ＲＯＭ装
置のａ−Ｓｉ配線に対して紫外線レーザビームのスポッ
トを走査して選択的に照射することにより、データに応
じたパターンが書き込まれる。
【００３０】この紫外線レーザ光スポット照射装置で
は、コンピュータ等から成る制御装置７の制御により、
レーザ光源１から紫外線レーザ光いわゆるＵＶレーザ光
が出射される。この紫外線レーザ光としては、例えば連
続発振が可能なＮｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波を用い
た遠紫外線レーザ光等が用いられる。
は、コンピュータ等から成る制御装置７の制御により、
レーザ光源１から紫外線レーザ光いわゆるＵＶレーザ光
が出射される。この紫外線レーザ光としては、例えば連
続発振が可能なＮｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波を用い
た遠紫外線レーザ光等が用いられる。
【００３１】ここで、紫外線レーザ光を出射するレーザ
光源１、即ち紫外レーザ光源の具体的な構成を図３に示
す。
光源１、即ち紫外レーザ光源の具体的な構成を図３に示
す。
【００３２】この紫外レーザ光源においては、励起用光
源素子として図示しないレーザダイオード等の半導体レ
ーザ素子を用いており、この半導体レーザ素子からの波
長８０８ｎｍの励起用レーザ光は、１／４波長板（ＱＷ
Ｐ）３１の入射面から、例えばＮｄ：ＹＡＧを用いたレ
ーザ媒質３２に入射される。
源素子として図示しないレーザダイオード等の半導体レ
ーザ素子を用いており、この半導体レーザ素子からの波
長８０８ｎｍの励起用レーザ光は、１／４波長板（ＱＷ
Ｐ）３１の入射面から、例えばＮｄ：ＹＡＧを用いたレ
ーザ媒質３２に入射される。
【００３３】ここで、上記１／４波長板３１の入射面に
は、上記励起用レーザ光を透過し、レーザ媒質３２で発
生する波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射するよ
うな波長選択性を持った反射面いわゆるダイクロイック
ミラーが形成されている。
は、上記励起用レーザ光を透過し、レーザ媒質３２で発
生する波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射するよ
うな波長選択性を持った反射面いわゆるダイクロイック
ミラーが形成されている。
【００３４】上記レーザ媒質３２で発生した波長１０６
４ｎｍの基本波レーザ光は、フィルタ３３によってその
出力が調節されて折り返しミラー３５で反射された後、
アウトプットカプラ３６を介して例えばＫＴＰより成る
非線形光学結晶素子３７に入射されることにより、第２
高調波発生（ＳＨＧ）が行われる。この第２高調波発生
による波長５３２ｎｍの第２高調波レーザ光は、ミラー
４０で反射された後、ミラー３８で反射される。
４ｎｍの基本波レーザ光は、フィルタ３３によってその
出力が調節されて折り返しミラー３５で反射された後、
アウトプットカプラ３６を介して例えばＫＴＰより成る
非線形光学結晶素子３７に入射されることにより、第２
高調波発生（ＳＨＧ）が行われる。この第２高調波発生
による波長５３２ｎｍの第２高調波レーザ光は、ミラー
４０で反射された後、ミラー３８で反射される。
【００３５】上記ミラー３８で反射されたレーザ光は、
レンズ３９を介して光アイソレータ４１に入射される。
レンズ３９を介して光アイソレータ４１に入射される。
【００３６】この光アイソレータ４１は、入射された第
２高調波レーザ光のレーザ素子への戻り光を回避するも
のである。この光アイソレータ４１を通過した第２高調
波レーザ光は、電気光学位相変調器（ＥＯＭ）４２に入
射されて位相変調が施される。即ち、出力される遠紫外
線レーザ光の位相変調が行われる。この位相変調された
第２高調波レーザ光は外部共振器５０に入射される。
２高調波レーザ光のレーザ素子への戻り光を回避するも
のである。この光アイソレータ４１を通過した第２高調
波レーザ光は、電気光学位相変調器（ＥＯＭ）４２に入
射されて位相変調が施される。即ち、出力される遠紫外
線レーザ光の位相変調が行われる。この位相変調された
第２高調波レーザ光は外部共振器５０に入射される。
【００３７】上記外部共振器５０は、反射手段として、
凹面ミラー５１、アウトプットカプラ５２、及び反射ミ
ラー５４、５５を備えることにより構成される。また、
この外部共振器５０の光路内には、例えばＢＢＯ等の非
線形光学結晶より成る波長変換素子５３が配置される。
これにより、この外部共振器５０では第４高調波発生が
行われて、波長２６６ｎｍの遠紫外線レーザ光が発生さ
れる。
凹面ミラー５１、アウトプットカプラ５２、及び反射ミ
ラー５４、５５を備えることにより構成される。また、
この外部共振器５０の光路内には、例えばＢＢＯ等の非
線形光学結晶より成る波長変換素子５３が配置される。
これにより、この外部共振器５０では第４高調波発生が
行われて、波長２６６ｎｍの遠紫外線レーザ光が発生さ
れる。
【００３８】また、この外部共振器５０では、上位凹面
ミラー５１の位置決めを行うためにボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）を用いており、このＶＣＭによって凹面ミラ
ー５１の位置を移動制御することにより、外部共振器５
０内の光路長を微小変化させることができるようになさ
れている。
ミラー５１の位置決めを行うためにボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）を用いており、このＶＣＭによって凹面ミラ
ー５１の位置を移動制御することにより、外部共振器５
０内の光路長を微小変化させることができるようになさ
れている。
【００３９】具体的には、凹面ミラー５１に入射された
第２高調波レーザ光は光検出器４４に送られて検出され
る。この光検出器４４からの検出信号はロッキング回路
４５に送られ、このロッキング回路４５によってＶＣＭ
が駆動制御されることにより凹面ミラー５１の位置が制
御される。
第２高調波レーザ光は光検出器４４に送られて検出され
る。この光検出器４４からの検出信号はロッキング回路
４５に送られ、このロッキング回路４５によってＶＣＭ
が駆動制御されることにより凹面ミラー５１の位置が制
御される。
【００４０】これにより、外部共振器５０の共振周波数
が制御されて、第２高調波レーザ光を効率良く外部共振
器５０内に引き込み、遠紫外線レーザ光を安定して発生
させることができる。また、ロッキング回路４５では、
電気光学位相変調器４２の位相変調の制御も行う。
が制御されて、第２高調波レーザ光を効率良く外部共振
器５０内に引き込み、遠紫外線レーザ光を安定して発生
させることができる。また、ロッキング回路４５では、
電気光学位相変調器４２の位相変調の制御も行う。
【００４１】上記レーザ光源１から出射される紫外線レ
ーザ光は、連続発振が可能なレーザ光であり、この連続
発振される紫外線レーザ光は、音響光学変調（ＡＯＭ）
素子等を利用した高速な電子式シャッタ２によって、Ｘ
Ｙステージ６上の半導体ＲＯＭ装置である半導体チップ
５上にスポット照射されるようにオン／オフ制御され
る。この電子式シャッタ２で制御された紫外線レーザ光
は、ミラー３に反射され、対物（集光）レンズ等から成
る集光光学系４によって、半導体チップ５上に直径１μ
ｍ程度のスポットサイズに集光される。
ーザ光は、連続発振が可能なレーザ光であり、この連続
発振される紫外線レーザ光は、音響光学変調（ＡＯＭ）
素子等を利用した高速な電子式シャッタ２によって、Ｘ
Ｙステージ６上の半導体ＲＯＭ装置である半導体チップ
５上にスポット照射されるようにオン／オフ制御され
る。この電子式シャッタ２で制御された紫外線レーザ光
は、ミラー３に反射され、対物（集光）レンズ等から成
る集光光学系４によって、半導体チップ５上に直径１μ
ｍ程度のスポットサイズに集光される。
【００４２】上記半導体チップ５は精密に移動制御され
るＸＹステージ６上に積載されており、また、このＸＹ
ステージ６はコンピュータ等を用いた制御装置７によっ
て２次元的に駆動制御される。これにより、ＸＹステー
ジ６は、所望のメモリセル、即ちａ−Ｓｉ配線上に光ス
ポットが集光されるような位置に駆動される。
るＸＹステージ６上に積載されており、また、このＸＹ
ステージ６はコンピュータ等を用いた制御装置７によっ
て２次元的に駆動制御される。これにより、ＸＹステー
ジ６は、所望のメモリセル、即ちａ−Ｓｉ配線上に光ス
ポットが集光されるような位置に駆動される。
【００４３】また、制御装置７は、レーザ光源１から出
射される紫外線レーザ光の出力を制御しており、この制
御された紫外線レーザ光が、所定の時間だけ所望のａ−
Ｓｉ配線に照射されるように、上記電子式シャッタ２が
開閉される。このような作業操作を繰り返して行うこと
により、データの書き込みが行われる。
射される紫外線レーザ光の出力を制御しており、この制
御された紫外線レーザ光が、所定の時間だけ所望のａ−
Ｓｉ配線に照射されるように、上記電子式シャッタ２が
開閉される。このような作業操作を繰り返して行うこと
により、データの書き込みが行われる。
【００４４】ここで、図３及び図４を用いてメモリセル
の構造を説明する。
の構造を説明する。
【００４５】図３は、メモリセルの平面図を示し、図４
は、メモリセルの断面構造図を示すものである。
は、メモリセルの断面構造図を示すものである。
【００４６】この図３及び図４においては、Ｘ方向のワ
ード線Ｌはアルミニウム（Ａｌ）から成るＡｌ配線４で
示されるものであり、Ｙ方向のデータ線ＤＡはＰｏｌｙ
−Ｓｉから成るＰｏｌｙ−Ｓｉ配線３で示されるもので
ある。このＡｌ配線４とＰｏｌｙ−Ｓｉ配線３とのクロ
ス点は、図４に示すように、Ａｌ配線４とＰｏｌｙ−Ｓ
ｉ配線３とに接触したａ−Ｓｉ配線５で結線される。こ
こで、Ａｌ配線４とａ−Ｓｉ配線５との接触いわゆるコ
ンタクトはコンタクト層Ｃ1によってなされており、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ配線３とａ−Ｓｉ配線５とのコンタクトは
コンタクト層Ｃ2によってなされている。
ード線Ｌはアルミニウム（Ａｌ）から成るＡｌ配線４で
示されるものであり、Ｙ方向のデータ線ＤＡはＰｏｌｙ
−Ｓｉから成るＰｏｌｙ−Ｓｉ配線３で示されるもので
ある。このＡｌ配線４とＰｏｌｙ−Ｓｉ配線３とのクロ
ス点は、図４に示すように、Ａｌ配線４とＰｏｌｙ−Ｓ
ｉ配線３とに接触したａ−Ｓｉ配線５で結線される。こ
こで、Ａｌ配線４とａ−Ｓｉ配線５との接触いわゆるコ
ンタクトはコンタクト層Ｃ1によってなされており、Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ配線３とａ−Ｓｉ配線５とのコンタクトは
コンタクト層Ｃ2によってなされている。
【００４７】具体的には、図５に示すように、Ｓｉ基板
６上のＳｉＯ2から成る絶縁膜７上に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
配線３及びＡｌ配線４が形成され、このＰｏｌｙ−Ｓｉ
配線３とＡｌ配線４との中間に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ配線３
及びＡｌ配線４に接触してａ−Ｓｉ配線５が形成されて
いる。そして、図４のレーザ光照射領域ＬＡで示す領域
に紫外線レーザ光が照射される。
６上のＳｉＯ2から成る絶縁膜７上に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
配線３及びＡｌ配線４が形成され、このＰｏｌｙ−Ｓｉ
配線３とＡｌ配線４との中間に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ配線３
及びＡｌ配線４に接触してａ−Ｓｉ配線５が形成されて
いる。そして、図４のレーザ光照射領域ＬＡで示す領域
に紫外線レーザ光が照射される。
【００４８】尚、Ａｌ配線４上には、ＳｉＯ2から成
る、紫外線レーザ光に対して透過率の高いパシベーショ
ン膜８が膜厚２μｍ程度で形成されており、紫外線レー
ザ光はこのパシベーション膜８を介してａ−Ｓｉ配線５
上に照射される。
る、紫外線レーザ光に対して透過率の高いパシベーショ
ン膜８が膜厚２μｍ程度で形成されており、紫外線レー
ザ光はこのパシベーション膜８を介してａ−Ｓｉ配線５
上に照射される。
【００４９】また、ａ−Ｓｉ配線５は、十分な抵抗値を
確保し、また、紫外線レーザ光が照射される領域を広く
取るために、なるべく細く長くなるように配置すること
が好ましい。
確保し、また、紫外線レーザ光が照射される領域を広く
取るために、なるべく細く長くなるように配置すること
が好ましい。
【００５０】また、上記ａ−Ｓｉ配線５の抵抗値の変化
の程度は、ａ−Ｓｉの材料特性、特にリン、ヒ素等の不
純物のドーピング量に依存するものであり、適切な条件
を適用すれば、抵抗値の変化を３〜４桁の変化とするこ
とが可能である。
の程度は、ａ−Ｓｉの材料特性、特にリン、ヒ素等の不
純物のドーピング量に依存するものであり、適切な条件
を適用すれば、抵抗値の変化を３〜４桁の変化とするこ
とが可能である。
【００５１】このように、クロスポイント・セル構造の
半導体ＲＯＭ装置である半導体チップ２５上を、集光さ
れたレーザビームの光スポットが走査されて、所望のデ
ータパターンに対応するａ−Ｓｉ配線５に選択的に照射
されることによりデータが書き込まれる。
半導体ＲＯＭ装置である半導体チップ２５上を、集光さ
れたレーザビームの光スポットが走査されて、所望のデ
ータパターンに対応するａ−Ｓｉ配線５に選択的に照射
されることによりデータが書き込まれる。
【００５２】このデータが書き込まれた半導体ＲＯＭ装
置におけるデータの入出力動作は、従来のトランジスタ
を用いたクロスポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ装置
におけるデータの入出力動作とほぼ同様に行われる。
置におけるデータの入出力動作は、従来のトランジスタ
を用いたクロスポイント・セル構造の半導体ＲＯＭ装置
におけるデータの入出力動作とほぼ同様に行われる。
【００５３】具体的には、図１に示す、ａ−ＳｉがＰｏ
ｌｙ−Ｓｉ構造に変化したクロス点のａ−Ｓｉ配線５12
では抵抗値が十分に低くなり、導通状態に近いので、例
えば、選択されたＸ方向のワード線Ｌ1からａ−Ｓｉ配
線５12に電流が流れると、このａ−Ｓｉ配線５12に対応
するＹ方向のデータ線ＤＡ2からの出力がＨｉｇｈ
（１）になる。一方、クロス点のａ−Ｓｉ配線５11、５
13はａ−Ｓｉのままであるので、これらのクロス点では
十分な電流が流れずに、対応するＹ方向のデータ線ＤＡ
1、ＤＡ3からの出力はＬｏｗ（０）となる。これによ
り、Ｘデコーダ１からの任意のデータ入力に対して、Ｙ
方向のデータ線ＤＡからのデータ出力を１又は０のバイ
ナリデータ列として取り出すことができる。
ｌｙ−Ｓｉ構造に変化したクロス点のａ−Ｓｉ配線５12
では抵抗値が十分に低くなり、導通状態に近いので、例
えば、選択されたＸ方向のワード線Ｌ1からａ−Ｓｉ配
線５12に電流が流れると、このａ−Ｓｉ配線５12に対応
するＹ方向のデータ線ＤＡ2からの出力がＨｉｇｈ
（１）になる。一方、クロス点のａ−Ｓｉ配線５11、５
13はａ−Ｓｉのままであるので、これらのクロス点では
十分な電流が流れずに、対応するＹ方向のデータ線ＤＡ
1、ＤＡ3からの出力はＬｏｗ（０）となる。これによ
り、Ｘデコーダ１からの任意のデータ入力に対して、Ｙ
方向のデータ線ＤＡからのデータ出力を１又は０のバイ
ナリデータ列として取り出すことができる。
【００５４】また、上記集光光学系４の対物レンズは、
紫外域から可視域までの広い波長域に渡って色収差補正
されたものであり、データの書き込み作業中には、上記
半導体チップ５上に照射された光スポットの反射光が、
ミラー３を介してＣＣＤカメラ８の撮像素子いわゆるＣ
ＤＤ上に結像するように調整されている。このＣＣＤカ
メラ８で得られたデータの書き込み状態の画像信号は、
テレビジョン等のモニタ９に送られる。このモニタ９は
制御装置７によって制御されており、このモニタ９にＣ
ＣＤカメラ８からの画像信号から画像を表示することに
より、データの書き込み状態を観察することができる。
紫外域から可視域までの広い波長域に渡って色収差補正
されたものであり、データの書き込み作業中には、上記
半導体チップ５上に照射された光スポットの反射光が、
ミラー３を介してＣＣＤカメラ８の撮像素子いわゆるＣ
ＤＤ上に結像するように調整されている。このＣＣＤカ
メラ８で得られたデータの書き込み状態の画像信号は、
テレビジョン等のモニタ９に送られる。このモニタ９は
制御装置７によって制御されており、このモニタ９にＣ
ＣＤカメラ８からの画像信号から画像を表示することに
より、データの書き込み状態を観察することができる。
【００５５】尚、上記実施例では、データを書き込むと
きに用いる紫外線レーザ光として半導体レーザの第４高
調波による紫外線レーザ光を用いた場合について説明し
ているが、この紫外線レーザ光としては連続発振される
紫外線レーザ光であればよく、半導体レーザ以外のレー
ザ光源を用いることが可能である。
きに用いる紫外線レーザ光として半導体レーザの第４高
調波による紫外線レーザ光を用いた場合について説明し
ているが、この紫外線レーザ光としては連続発振される
紫外線レーザ光であればよく、半導体レーザ以外のレー
ザ光源を用いることが可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る半導体ＲＯＭ装置は、クロス点はアモルファス
・シリコンから成る配線で結線され、この配線に対して
データのパターンに応じて紫外線レーザ光が選択的にス
ポット照射されることによりデータが書き込まれて成る
ことにより、従来の半導体ＲＯＭ装置よりも構造的に単
純であり、容易に製造することができるので、製造コス
トの削減やＴＡＴの短縮に効果的である。また、半導体
ＲＯＭ装置にマイクロコードを書き込み、この半導体Ｒ
ＯＭ装置をパーソナルコンピュータやエンジニアリング
ワークステーション（ＥＷＳ）等の電子情報機器に組み
込んで、それぞれの電子情報機器の個別の識別番号とす
ることにより、これらの電子情報機器のネットワーク上
での管理を容易に行うことができ、不正なネットワーク
操作や電子情報機器の盗難等の防止に有効に役立たせる
ことができる。
明に係る半導体ＲＯＭ装置は、クロス点はアモルファス
・シリコンから成る配線で結線され、この配線に対して
データのパターンに応じて紫外線レーザ光が選択的にス
ポット照射されることによりデータが書き込まれて成る
ことにより、従来の半導体ＲＯＭ装置よりも構造的に単
純であり、容易に製造することができるので、製造コス
トの削減やＴＡＴの短縮に効果的である。また、半導体
ＲＯＭ装置にマイクロコードを書き込み、この半導体Ｒ
ＯＭ装置をパーソナルコンピュータやエンジニアリング
ワークステーション（ＥＷＳ）等の電子情報機器に組み
込んで、それぞれの電子情報機器の個別の識別番号とす
ることにより、これらの電子情報機器のネットワーク上
での管理を容易に行うことができ、不正なネットワーク
操作や電子情報機器の盗難等の防止に有効に役立たせる
ことができる。
【００５７】また、本発明に係る半導体ＲＯＭ装置のデ
ータ書き込み方法は、２次元的に配置された配線のクロ
ス点を結線する、アモルファス・シリコンから成る配線
に対して、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を
選択的にスポット照射してデータの書き込みを行うこと
により、アモルファス・シリコンの結晶化によって配線
の抵抗値を低下させ、配線を導通状態にすることにより
データの書き込みを行うことができるので、パッケージ
された形態の半導体ＲＯＭ装置に対してデータの書き込
みを行うことができる。具体的には、パッケージの形態
で初期化された状態の、データ書き込み前の半導体ＲＯ
Ｍチップを多量に用意しておき、例えばテレビジョンの
機種毎にγ補正用テーブルのデータを変えてデータの書
き込みを行って半導体ＲＯＭ装置を生産する、というよ
うなフレキシブルな半導体ＲＯＭ装置の生産を行うこと
ができる。
ータ書き込み方法は、２次元的に配置された配線のクロ
ス点を結線する、アモルファス・シリコンから成る配線
に対して、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を
選択的にスポット照射してデータの書き込みを行うこと
により、アモルファス・シリコンの結晶化によって配線
の抵抗値を低下させ、配線を導通状態にすることにより
データの書き込みを行うことができるので、パッケージ
された形態の半導体ＲＯＭ装置に対してデータの書き込
みを行うことができる。具体的には、パッケージの形態
で初期化された状態の、データ書き込み前の半導体ＲＯ
Ｍチップを多量に用意しておき、例えばテレビジョンの
機種毎にγ補正用テーブルのデータを変えてデータの書
き込みを行って半導体ＲＯＭ装置を生産する、というよ
うなフレキシブルな半導体ＲＯＭ装置の生産を行うこと
ができる。
【図１】本発明に係る半導体ＲＯＭ装置の概略的な構成
図である。
図である。
【図２】紫外線レーザ光スポット照射装置の概略的な構
成図である。
成図である。
【図３】紫外レーザ光源の概略的な構成図である。
【図４】メモリセルの概略的な平面図である。
【図５】メモリセルの概略的な断面構造図である。
【図６】従来の半導体ＲＯＭ装置の概略的な構成図であ
る。
る。
【図７】データ入出力のタイミングチャート図である。
１ Ｘデコーダ ２ データ出力装置 ３ Ｐｏｌｙ−Ｓｉ配線 ４ Ａｌ配線 ５ ａ−Ｓｉ配線 ６ Ｓｉ基板 ７ 絶縁膜 ８ パシベーション膜 ２１ レーザ光源 ２２ 電子式シャッタ ２４ 集光光学系 ２５ 半導体チップ ２６ ＸＹステージ ２７ 制御装置 ２８ ＣＣＤカメラ ２９ モニタ
Claims (2)
- 【請求項１】 ２次元的に配置された配線のクロス点を
結線することにより構成されるクロスポイント・セル構
造の半導体ＲＯＭ装置において、 上記クロス点はアモルファス・シリコンから成る配線で
結線され、この配線に対してデータのパターンに応じて
紫外線レーザ光が選択的にスポット照射されることによ
りデータが書き込まれて成ることを特徴とする半導体Ｒ
ＯＭ装置。 - 【請求項２】 ２次元的に配置された配線のクロス点を
結線する、アモルファス・シリコンから成る配線に対し
て、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を選択的
にスポット照射してデータの書き込みを行うことを特徴
とする半導体ＲＯＭ装置のデータ書き込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7056109A JPH08255843A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体ｒｏｍ装置及びそのデータ書き込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7056109A JPH08255843A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体ｒｏｍ装置及びそのデータ書き込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255843A true JPH08255843A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13017932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7056109A Withdrawn JPH08255843A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体ｒｏｍ装置及びそのデータ書き込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255843A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014808A1 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Infineon Technologies Ag | Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung |
| US6917533B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-07-12 | Aeroflex Utmc Microelectronic Systems, Inc. | Radiation-hardened programmable device |
| WO2006132095A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Nippon Steel Corporation | 磁気特性が極めて優れた方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
| US7251150B2 (en) | 2001-10-23 | 2007-07-31 | Aeroflex Colorado Springs Inc. | Radiation-hardened programmable device |
| EP2351083A2 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-03 | The Regents of the University of Michigan | A silicon based nanoscale crossbar memory |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP7056109A patent/JPH08255843A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014808A1 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Infineon Technologies Ag | Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung |
| US6417043B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-07-09 | Infineon Technologies Ag | Memory cell configuration and fabrication method |
| US6917533B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-07-12 | Aeroflex Utmc Microelectronic Systems, Inc. | Radiation-hardened programmable device |
| US7251150B2 (en) | 2001-10-23 | 2007-07-31 | Aeroflex Colorado Springs Inc. | Radiation-hardened programmable device |
| US7656699B2 (en) | 2001-10-23 | 2010-02-02 | Aeroflex UTMC Microelectronics Systems, Inc. | Radiation-hardened programmable device |
| WO2006132095A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Nippon Steel Corporation | 磁気特性が極めて優れた方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
| US7857915B2 (en) | 2005-06-10 | 2010-12-28 | Nippon Steel Corporation | Grain-oriented electrical steel sheet extremely excellent in magnetic properties and method of production of same |
| EP2351083A2 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-03 | The Regents of the University of Michigan | A silicon based nanoscale crossbar memory |
| EP2351083A4 (en) * | 2008-10-20 | 2014-08-13 | Univ Michigan | NANOSCOPIC CROSSBAR MEMORY BASED ON SILICON |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |