JPH08255824A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH08255824A JPH08255824A JP7302225A JP30222595A JPH08255824A JP H08255824 A JPH08255824 A JP H08255824A JP 7302225 A JP7302225 A JP 7302225A JP 30222595 A JP30222595 A JP 30222595A JP H08255824 A JPH08255824 A JP H08255824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- tweezers
- station
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Attitude Control For Articles On Conveyors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】半導体ウエハに対するフォトレジスト膜塗布作
業やこれに続く現像作業等を行う処理装置において、系
内での処理能率が向上出来るようにする。 【構成】搬出入機構120に設けられた処理前のカセッ
ト122からウエハWBを転移機構のピンセット121
により搬送経路102の左右に熱遮断的に設けられた複
数段の処理工程のステーション103,104,10
5,106,107,108に保持搬送機構110の支
持装置としてのピンセット112,113を介してセッ
ト、リセットするに際し、各ピンセットは縦方向X、横
方向Y、上下方向、旋回方向θの4方向変位が自在であ
るようにし、又、アライメント装置としてガイド部材と
ストッパ部材26を設けてバトンタッチされる被処理物
のセンタリングとアライメントが行われて被処理物の最
適位置姿勢でセット、リセットが行える。
業やこれに続く現像作業等を行う処理装置において、系
内での処理能率が向上出来るようにする。 【構成】搬出入機構120に設けられた処理前のカセッ
ト122からウエハWBを転移機構のピンセット121
により搬送経路102の左右に熱遮断的に設けられた複
数段の処理工程のステーション103,104,10
5,106,107,108に保持搬送機構110の支
持装置としてのピンセット112,113を介してセッ
ト、リセットするに際し、各ピンセットは縦方向X、横
方向Y、上下方向、旋回方向θの4方向変位が自在であ
るようにし、又、アライメント装置としてガイド部材と
ストッパ部材26を設けてバトンタッチされる被処理物
のセンタリングとアライメントが行われて被処理物の最
適位置姿勢でセット、リセットが行える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】開示技術は、半導体製造装置等の
処理システムの技術分野に属する。
処理システムの技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】当業者に周知の如く、IC等の半導体装
置の製造には、シリコンのような半導体単結晶のウエハ
(以下、単にウエハと略称)にトランジスタ等の素子を
形成するために、多数の微細加工工程が含まれるが、そ
の中で、当該ウエハの表面に所定のレジストパターンを
形成するPEP(photoengraving process)工程は加工
工程において極めて重要な工程である。
置の製造には、シリコンのような半導体単結晶のウエハ
(以下、単にウエハと略称)にトランジスタ等の素子を
形成するために、多数の微細加工工程が含まれるが、そ
の中で、当該ウエハの表面に所定のレジストパターンを
形成するPEP(photoengraving process)工程は加工
工程において極めて重要な工程である。
【0003】蓋し、該PEP工程で形成されるレジスト
パターンはエッチングマスク等として使用され、現今の
電子機器に於ける回路形成等の微細加工技術の基礎を成
すものであるからである。
パターンはエッチングマスク等として使用され、現今の
電子機器に於ける回路形成等の微細加工技術の基礎を成
すものであるからである。
【0004】而して、PEP工程に於けるレジストパタ
ーンの形成は、例えば、特開昭52−27367号公報
発明に示されている如く、ウエハの表面にフォトレジス
ト液を薄膜状に塗布して均一な膜厚のフォトレジスト膜
を形成する工程と、その後該フォトレジスト膜の所定領
域を選択的に露光する工程と、これに次いで露光された
フォトレジスト膜を現像して所望のレジストパターンを
形成する工程とから成る。
ーンの形成は、例えば、特開昭52−27367号公報
発明に示されている如く、ウエハの表面にフォトレジス
ト液を薄膜状に塗布して均一な膜厚のフォトレジスト膜
を形成する工程と、その後該フォトレジスト膜の所定領
域を選択的に露光する工程と、これに次いで露光された
フォトレジスト膜を現像して所望のレジストパターンを
形成する工程とから成る。
【0005】このうち露光工程は、例えば、ステップ・
アンド・リピード・アライナー(通常ステッパーと称さ
れる)等の露光装置を用いて行われるが、ウエハの表面
にフォトレジスト膜を形成する工程は、例えば、以下に
説明する装置を用いて行われ、これらは前段の往工程と
後段の復工程等シリーズ式に行われている。
アンド・リピード・アライナー(通常ステッパーと称さ
れる)等の露光装置を用いて行われるが、ウエハの表面
にフォトレジスト膜を形成する工程は、例えば、以下に
説明する装置を用いて行われ、これらは前段の往工程と
後段の復工程等シリーズ式に行われている。
【0006】図9のフローチャートは、かかるシリーズ
式の一般にトラック方式と称されているフォトレジスト
膜成形装置での処理手順の態様を示しており、該フォト
レジスト膜形成装置は図示する様に、そのストレート状
の搬送経路に於いて前段から後段にかけてそれぞれ予備
加熱工程4、冷却工程5、塗布工程6、加熱工程8の処
理工程をシリーズに行う複数の処理ステーションを有し
ている。
式の一般にトラック方式と称されているフォトレジスト
膜成形装置での処理手順の態様を示しており、該フォト
レジスト膜形成装置は図示する様に、そのストレート状
の搬送経路に於いて前段から後段にかけてそれぞれ予備
加熱工程4、冷却工程5、塗布工程6、加熱工程8の処
理工程をシリーズに行う複数の処理ステーションを有し
ている。
【0007】而して、表面にフォトレジスト膜を形成す
るウエハ1は、処理前の収納用のカセット2に収納さ
れ、一枚ずつ取り出されてフォトレジスト膜形成装置に
導入され、ツインタイプの紐ベルト式のベルト保持搬送
機構3により順次各処理ステーションに搬送され、所定
の処理を施されるようにされている。
るウエハ1は、処理前の収納用のカセット2に収納さ
れ、一枚ずつ取り出されてフォトレジスト膜形成装置に
導入され、ツインタイプの紐ベルト式のベルト保持搬送
機構3により順次各処理ステーションに搬送され、所定
の処理を施されるようにされている。
【0008】先ず、予備加熱工程4に於いて、ウエハ1
は予備加熱により水分を除去され、予備加熱されたウエ
ハ1は、次段の冷却工程5で冷却された後、塗布工程6
に送られ、該塗布工程6では、例えば、スピンナーコー
ター(spinner coater)等の塗布装置により、その表面
に所定のフォトレジスト液が設定薄膜厚層に均一に塗布
される。
は予備加熱により水分を除去され、予備加熱されたウエ
ハ1は、次段の冷却工程5で冷却された後、塗布工程6
に送られ、該塗布工程6では、例えば、スピンナーコー
ター(spinner coater)等の塗布装置により、その表面
に所定のフォトレジスト液が設定薄膜厚層に均一に塗布
される。
【0009】次に、フォトレジスト液を塗布されたウエ
ハ1は、ウォーキングビーム方式の搬送機構7を具備し
た加熱工程8に送られて加熱されることにより、該ウエ
ハ1に塗布されたフォトレジスト液は膜状に形成されて
安定化される。
ハ1は、ウォーキングビーム方式の搬送機構7を具備し
た加熱工程8に送られて加熱されることにより、該ウエ
ハ1に塗布されたフォトレジスト液は膜状に形成されて
安定化される。
【0010】そして、該加熱工程8での加熱処理を終了
し、表面に所定のフォトレジスト膜が形成されたウエハ
9は、ベルト保持搬送機構3により、処理済みのウエハ
収納用のカセット10に収納される。
し、表面に所定のフォトレジスト膜が形成されたウエハ
9は、ベルト保持搬送機構3により、処理済みのウエハ
収納用のカセット10に収納される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】而して、上述の如く、
従来のフォトレジスト膜形成装置にあってはそれぞれの
処理工程のステーションがシリーズ式等に配置され、処
理されるべきウエハ1はこれらの各ステーションを所定
の順序で、且つ、ベルト保持搬送機構により前送り方式
の一方通行態様で必ず通り、設計による処理の本来的な
必要の有無に関係なく当該処理を受けなければならない
ようにされている。
従来のフォトレジスト膜形成装置にあってはそれぞれの
処理工程のステーションがシリーズ式等に配置され、処
理されるべきウエハ1はこれらの各ステーションを所定
の順序で、且つ、ベルト保持搬送機構により前送り方式
の一方通行態様で必ず通り、設計による処理の本来的な
必要の有無に関係なく当該処理を受けなければならない
ようにされている。
【0012】このため、該ベルト保持搬送機構により
「押せ押せ」式に一方的に前送されるウエハ1はその搬
送中に処理工程に対するセンタリングや最適アライメン
ト調整が成されず、したがって、処理工程にセットされ
る姿勢が最適にはされず、リセットする必要等が生じる
不具合があり、作業が煩瑣となるマイナス点があるのみ
ならず、搬送中のベルトずれ等により傷,歪発生の虞が
ある不都合さがあり、そのうえ、予め一旦設定された処
理順序を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ス
テーションだけを選択的に通過させることも不可能であ
る欠点があった。
「押せ押せ」式に一方的に前送されるウエハ1はその搬
送中に処理工程に対するセンタリングや最適アライメン
ト調整が成されず、したがって、処理工程にセットされ
る姿勢が最適にはされず、リセットする必要等が生じる
不具合があり、作業が煩瑣となるマイナス点があるのみ
ならず、搬送中のベルトずれ等により傷,歪発生の虞が
ある不都合さがあり、そのうえ、予め一旦設定された処
理順序を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ス
テーションだけを選択的に通過させることも不可能であ
る欠点があった。
【0013】ところで、ウエハ1に半導体素子を形成す
るに必要な処理工程はその順序をも含めて、該ウエハ1
に形成されるICの機能,目的等の種類によって異なる
ものである。
るに必要な処理工程はその順序をも含めて、該ウエハ1
に形成されるICの機能,目的等の種類によって異なる
ものである。
【0014】それにもかかわらず、従来のフォトレジス
ト膜形成装置では、ある処理工程が不要なウエハについ
ても総ての処理工程を経ざるを得ないため、上述不都合
が重なるデメリットがあり、又、所謂スループット性を
向上する妨げとなっている難点があった。
ト膜形成装置では、ある処理工程が不要なウエハについ
ても総ての処理工程を経ざるを得ないため、上述不都合
が重なるデメリットがあり、又、所謂スループット性を
向上する妨げとなっている難点があった。
【0015】又、ウエハ1はカセット2から所定の処理
工程に搬送するに、前送り方式のツインタイプの紐ベル
トコンベヤ等のベルト保持搬送機構3により処理部に搬
送されるため、搬送中に不可避的にズレ等を生じてパー
ティクル等の最も好ましくない塵埃付着が発生する虞も
あった。
工程に搬送するに、前送り方式のツインタイプの紐ベル
トコンベヤ等のベルト保持搬送機構3により処理部に搬
送されるため、搬送中に不可避的にズレ等を生じてパー
ティクル等の最も好ましくない塵埃付着が発生する虞も
あった。
【0016】特に、一対のベルトの相対速度を変化させ
て処理部へのアライメントのためウエハを変位させるよ
うにすると該パーティクル発生等がより生じ易い欠点が
あった。 したがって、処理すべきウエハの種類に応
じ、フォトレジスト膜形成装置に設けられた複段の処理
ステーションのうち、所望の処理ステーションを単一の
ステーションのみの場合を含めてどの順序で使用するか
を決め、所望のアライメント,センタリングをして任意
に独立的に変更出来るフォトレジスト膜形成装置等の処
理装置の現出が望まれている。
て処理部へのアライメントのためウエハを変位させるよ
うにすると該パーティクル発生等がより生じ易い欠点が
あった。 したがって、処理すべきウエハの種類に応
じ、フォトレジスト膜形成装置に設けられた複段の処理
ステーションのうち、所望の処理ステーションを単一の
ステーションのみの場合を含めてどの順序で使用するか
を決め、所望のアライメント,センタリングをして任意
に独立的に変更出来るフォトレジスト膜形成装置等の処
理装置の現出が望まれている。
【0017】そして、2段の被処理物の収納カセットか
ら所定の処理工程のステーションに被処理物を取出して
転移するに、例えば、アメリカ特許第4,775,28
1号明細書に示されている様な保持搬送機構として前後
方向、及び、上下方向に変位することが出来るピンセッ
トを有するシステムも開発されているが、かかるシステ
ム技術においては上述の如く前後方向,上下方向の2方
向の変位の自由度しかなく、被処理物を複数の所定の処
理工程のうちの任意の所望のステーションにセンタリン
グし、アライメントを調整して最適姿勢で、しかも、最
短距離で最適タイミングで搬出入することが出来ないと
う不具合があった。
ら所定の処理工程のステーションに被処理物を取出して
転移するに、例えば、アメリカ特許第4,775,28
1号明細書に示されている様な保持搬送機構として前後
方向、及び、上下方向に変位することが出来るピンセッ
トを有するシステムも開発されているが、かかるシステ
ム技術においては上述の如く前後方向,上下方向の2方
向の変位の自由度しかなく、被処理物を複数の所定の処
理工程のうちの任意の所望のステーションにセンタリン
グし、アライメントを調整して最適姿勢で、しかも、最
短距離で最適タイミングで搬出入することが出来ないと
う不具合があった。
【0018】したがって、被処理物を所定の処理工程の
ステーション部位で更めてセンタリングやアライメント
調整をせねばならず、したがって、フレームに衝突,摺
接して損耗したり、変形したりする虞があり、そのう
え、時間遅れ等が生じ、能率低下を招く欠点があった。
ステーション部位で更めてセンタリングやアライメント
調整をせねばならず、したがって、フレームに衝突,摺
接して損耗したり、変形したりする虞があり、そのう
え、時間遅れ等が生じ、能率低下を招く欠点があった。
【0019】更に、予めセットされたユニットの処理系
に他のユニット系を増設する場合にはこれらの問題はよ
り更に増加するマイナス点があった。
に他のユニット系を増設する場合にはこれらの問題はよ
り更に増加するマイナス点があった。
【0020】又、収納カセットから処理工程のステーシ
ョンへストレートにシリーズ的に搬送することから、保
持搬送機構に常に被処理物が一定姿勢で保持され、した
がって、他の処理や処理に対する予備作業等が出来ず、
作業能率が著しく制約されるという難点があった。
ョンへストレートにシリーズ的に搬送することから、保
持搬送機構に常に被処理物が一定姿勢で保持され、した
がって、他の処理や処理に対する予備作業等が出来ず、
作業能率が著しく制約されるという難点があった。
【0021】
【発明の目的】この出願の発明の目的は上述従来技術に
基づくウエハ等の被処理物の所定の複数の処理工程への
搬出入の問題点を解決すべき技術的課題とし、カセット
から搬出されるウエハのセットされる複数処理工程を必
要に応じ選択的に任意に変更が可能で、各処理のスルー
プット性が高く出来、しかも、被処理物の搬送プロセス
でのアライメント調整やセンタリングが可能で系内での
処理能率が向上出来るようにして各種機械装置製造産業
における加工技術利用分野に益する優れた処理装置を提
供しようとするものである。
基づくウエハ等の被処理物の所定の複数の処理工程への
搬出入の問題点を解決すべき技術的課題とし、カセット
から搬出されるウエハのセットされる複数処理工程を必
要に応じ選択的に任意に変更が可能で、各処理のスルー
プット性が高く出来、しかも、被処理物の搬送プロセス
でのアライメント調整やセンタリングが可能で系内での
処理能率が向上出来るようにして各種機械装置製造産業
における加工技術利用分野に益する優れた処理装置を提
供しようとするものである。
【0022】
【課題を解決するための手段・作用】上述目的に沿い先
述特許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成
は、前述課題を解決するために、ウエハ等の被処理物
の、例えば、フォトレジスト膜塗布,現像等の所定の処
理を行うに際し、処理前の被処理物を所定の収納カセッ
トにセットしておき、該収納カセットに対し搬出入機構
に於いてピンセット等の転移機構が縦方向(X)と横方
向(Y)、そして、上下方向(Z)、更には、旋回方向
(θ)の4方向に変位自在とされて当該収納カセットよ
り被処理物を取出し、該搬出入機構に隣接されて設けら
れている搬送経路との接続部にてインターフェース機構
を介し該搬送経路の保持搬送機構の所定数のピンセット
の1つにバトンタッチ的に転移させ、この間、転移機
構、及び、保持搬送機構に於いては被処理物のセンタリ
ングやアライメントが行われてパーティクル等の発生が
ないようにされ、該保持搬送機構にて処理物が次段の処
理工程に最適姿勢でセットされるようにされ、他のピン
セットには他の被処理物が独立に設定姿勢で保持され、
而して、該搬送経路に於ける保持搬送機構は所定の移動
機構により該搬送経路の両側に設けられ、且つ、熱的に
分離されている複段の処理工程の上下積層等されている
各ステーションに相互独立的に所定に搬入セットされ、
最適姿勢にて当該ステーションに於いて加熱処理等所定
の処理が成され、次いで、該搬送経路の保持搬送機構よ
り所定のプログラムに従い、次段の処理工程のステーシ
ョンに転移され、その間、保持搬送機構においてはピン
セット等の支持装置が負圧式等の3つの支点を有して3
点支持により処理物に傷や歪等が生ぜず、又、微細な塵
埃等が付着しないようにされ、スムースにシリーズ的
に、又、パラレル的に、更にはこれらの組合せ的に所望
にプログラムに従って所定の処理が成されるようにさ
れ、当該複段の処理工程のステーションに於いて被処理
物に対し相互独立的に、相互排反的に、且つ、選択的に
処理が設計通りに成されるようにした技術的手段を講じ
たものである。
述特許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成
は、前述課題を解決するために、ウエハ等の被処理物
の、例えば、フォトレジスト膜塗布,現像等の所定の処
理を行うに際し、処理前の被処理物を所定の収納カセッ
トにセットしておき、該収納カセットに対し搬出入機構
に於いてピンセット等の転移機構が縦方向(X)と横方
向(Y)、そして、上下方向(Z)、更には、旋回方向
(θ)の4方向に変位自在とされて当該収納カセットよ
り被処理物を取出し、該搬出入機構に隣接されて設けら
れている搬送経路との接続部にてインターフェース機構
を介し該搬送経路の保持搬送機構の所定数のピンセット
の1つにバトンタッチ的に転移させ、この間、転移機
構、及び、保持搬送機構に於いては被処理物のセンタリ
ングやアライメントが行われてパーティクル等の発生が
ないようにされ、該保持搬送機構にて処理物が次段の処
理工程に最適姿勢でセットされるようにされ、他のピン
セットには他の被処理物が独立に設定姿勢で保持され、
而して、該搬送経路に於ける保持搬送機構は所定の移動
機構により該搬送経路の両側に設けられ、且つ、熱的に
分離されている複段の処理工程の上下積層等されている
各ステーションに相互独立的に所定に搬入セットされ、
最適姿勢にて当該ステーションに於いて加熱処理等所定
の処理が成され、次いで、該搬送経路の保持搬送機構よ
り所定のプログラムに従い、次段の処理工程のステーシ
ョンに転移され、その間、保持搬送機構においてはピン
セット等の支持装置が負圧式等の3つの支点を有して3
点支持により処理物に傷や歪等が生ぜず、又、微細な塵
埃等が付着しないようにされ、スムースにシリーズ的
に、又、パラレル的に、更にはこれらの組合せ的に所望
にプログラムに従って所定の処理が成されるようにさ
れ、当該複段の処理工程のステーションに於いて被処理
物に対し相互独立的に、相互排反的に、且つ、選択的に
処理が設計通りに成されるようにした技術的手段を講じ
たものである。
【0023】
【実施例】次に、この出願の発明の実施例をウエハに対
するフォトレジスト膜塗布現象装置を有する処理系につ
いて図1〜図6に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
するフォトレジスト膜塗布現象装置を有する処理系につ
いて図1〜図6に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
【0024】図1に示す実施例は、フォトレジスト膜の
塗布現像装置100の態様を示すものであり、中央一側
寄り(図中上部)には本体基台101が設けられてお
り、該本体基台101の中央部には、矢印Y方向(横方
向)に被処理物の搬送用の通路102が延設されてお
り、その一方の側には、未処理のウエハWを加熱して水
分等を除去するためのHMDS(ヘキサメチルジシラザ
ン)処理を伴うか、又は、単に加熱する予備加熱ステー
ション103、そして、これに併設して予備加熱された
ウエハWを冷却するための冷却ステーション104、更
に、例えば、フォトレジスト液を塗布した後の該ウエハ
Wを加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するため
に用いる垂直方向にそれぞれ2枚の図示しない加熱装置
を有する第一、及び、第二の加熱ステーション105,
106が側方に通路102に沿って設けられている。
塗布現像装置100の態様を示すものであり、中央一側
寄り(図中上部)には本体基台101が設けられてお
り、該本体基台101の中央部には、矢印Y方向(横方
向)に被処理物の搬送用の通路102が延設されてお
り、その一方の側には、未処理のウエハWを加熱して水
分等を除去するためのHMDS(ヘキサメチルジシラザ
ン)処理を伴うか、又は、単に加熱する予備加熱ステー
ション103、そして、これに併設して予備加熱された
ウエハWを冷却するための冷却ステーション104、更
に、例えば、フォトレジスト液を塗布した後の該ウエハ
Wを加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するため
に用いる垂直方向にそれぞれ2枚の図示しない加熱装置
を有する第一、及び、第二の加熱ステーション105,
106が側方に通路102に沿って設けられている。
【0025】又、通路102の他方には、予備加熱処
理、及び、冷却処理を終了したウエハWの表面に、例え
ば、フォトレジスト液を塗布するために用いる第一、及
び、第二の塗布ステーション107,108が相隣って
設けられている。
理、及び、冷却処理を終了したウエハWの表面に、例え
ば、フォトレジスト液を塗布するために用いる第一、及
び、第二の塗布ステーション107,108が相隣って
設けられている。
【0026】尚、当該図1では、予備加熱ステーション
103、及び、冷却ステーション104、第一,第二の
加熱ステーション105,106が図示の都合上平面的
に配置されているように示されているが、これは便宜上
のもので、実際には冷却ステーション104の上に予備
加熱ステーション103の加熱装置が上下に2段設けら
れた積層構造とされている。
103、及び、冷却ステーション104、第一,第二の
加熱ステーション105,106が図示の都合上平面的
に配置されているように示されているが、これは便宜上
のもので、実際には冷却ステーション104の上に予備
加熱ステーション103の加熱装置が上下に2段設けら
れた積層構造とされている。
【0027】而して、通路102はその両側にステーシ
ョン103,104,105,106、そして、10
7,108を対向式に配設されているために熱的に離隔
されていることになり、熱管理,制御,メンテナンスが
し易いようにされている。
ョン103,104,105,106、そして、10
7,108を対向式に配設されているために熱的に離隔
されていることになり、熱管理,制御,メンテナンスが
し易いようにされている。
【0028】而して、該通路102には、その内側を、
例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構によ
ってY方向(横方向)に移動するハンドリング手段、例
えば、ウエハWを所定のステーションに移送する保持搬
送機構としての保持搬送装置110が設けられており、
該保持搬送装置110は搬送機構としてのキャリッジ1
11を有し、該キャリッジ111にはバキューム式のピ
ンセット、例えば、ウエハWを吸着保持するための2つ
のピンセット112,113が上下に重層されて取付け
られている。
例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構によ
ってY方向(横方向)に移動するハンドリング手段、例
えば、ウエハWを所定のステーションに移送する保持搬
送機構としての保持搬送装置110が設けられており、
該保持搬送装置110は搬送機構としてのキャリッジ1
11を有し、該キャリッジ111にはバキューム式のピ
ンセット、例えば、ウエハWを吸着保持するための2つ
のピンセット112,113が上下に重層されて取付け
られている。
【0029】該ピンセット112,113はそれぞれ相
互独立にX方向(縦方向)、Y方向(横方向)に移動自
在であると共に同時にZ方向(垂直方向)にも平行移動
が可能で、更に、所定角度θ方向(平面方向)に旋回動
することが出来るようにされている。
互独立にX方向(縦方向)、Y方向(横方向)に移動自
在であると共に同時にZ方向(垂直方向)にも平行移動
が可能で、更に、所定角度θ方向(平面方向)に旋回動
することが出来るようにされている。
【0030】ピンセット112,113のかかる平行移
動、及び、旋回動を可能とするため、キャリッジ111
にはステッピングモータとこれに連結されたボールスク
リュー等の図示しない適宜の駆動機構が設けられてい
る。
動、及び、旋回動を可能とするため、キャリッジ111
にはステッピングモータとこれに連結されたボールスク
リュー等の図示しない適宜の駆動機構が設けられてい
る。
【0031】そして、ピンセット112,113は、両
者の一方のピンセットでウエハWを保持して対応する所
定の処理ステーションに最適姿勢でセット前にセンタリ
ング,アライメント調整して搬送セットシ、当該処理ス
テーションに処理済ウエハWがあった時は、他方のピン
セットで処理済ウエハWをピックアップしてバックセッ
トするように多機能化されている。
者の一方のピンセットでウエハWを保持して対応する所
定の処理ステーションに最適姿勢でセット前にセンタリ
ング,アライメント調整して搬送セットシ、当該処理ス
テーションに処理済ウエハWがあった時は、他方のピン
セットで処理済ウエハWをピックアップしてバックセッ
トするように多機能化されている。
【0032】そして、本体基台101の図上左側には、
ウエハ搬出入機構120が設けらており、処理前のウエ
ハWB を収容するウエハカセット122、及び、処理後
のウエハWF を収容するウエハカセット123が設けら
れ、又、ウエハWの裏面を吸着保持するための転移機構
としてのピンセット121を装備している。
ウエハ搬出入機構120が設けらており、処理前のウエ
ハWB を収容するウエハカセット122、及び、処理後
のウエハWF を収容するウエハカセット123が設けら
れ、又、ウエハWの裏面を吸着保持するための転移機構
としてのピンセット121を装備している。
【0033】該ピンセット121は、上記ピンセット1
12,113と同様の構成によりX方向(縦方向),Y
方向(横方向),Z方向(上下方向)に平行移動、及
び、θ方向(旋回方向)の旋回動が可能にされており、
処理前のウエハWB をウエハカセット122から取出
し、又、処理済のウエハWF をそれぞれプログラムに従
いバトンタッチ的にウエハカセット123に収納するよ
うにされている。
12,113と同様の構成によりX方向(縦方向),Y
方向(横方向),Z方向(上下方向)に平行移動、及
び、θ方向(旋回方向)の旋回動が可能にされており、
処理前のウエハWB をウエハカセット122から取出
し、又、処理済のウエハWF をそれぞれプログラムに従
いバトンタッチ的にウエハカセット123に収納するよ
うにされている。
【0034】又、搬出入機構120のピンセット121
は、処理前のウエハWB を搬送装置110のピンセット
112,113に転移し、又、処理後のウエハWF を該
ピンセット112,113から受け取るようにされてお
り、かかるバトンタッチ的な受渡しを可能とする後述イ
ンターフェース30が通路102と搬出入機構120と
の境界部に設けられている。
は、処理前のウエハWB を搬送装置110のピンセット
112,113に転移し、又、処理後のウエハWF を該
ピンセット112,113から受け取るようにされてお
り、かかるバトンタッチ的な受渡しを可能とする後述イ
ンターフェース30が通路102と搬出入機構120と
の境界部に設けられている。
【0035】そして、搬送装置110のピンセット11
2,113は、各処理ステーション103〜108との
間でウエハWの受渡しをシリーズ的に、パラレル的に、
或いは、これらの組合せ的に、又、スループット的に自
在に行うようにされており、これによって、該ウエハW
は設定のプロクラムの順序に従い、各処理ステーション
103〜108での所定の処理を受ける。
2,113は、各処理ステーション103〜108との
間でウエハWの受渡しをシリーズ的に、パラレル的に、
或いは、これらの組合せ的に、又、スループット的に自
在に行うようにされており、これによって、該ウエハW
は設定のプロクラムの順序に従い、各処理ステーション
103〜108での所定の処理を受ける。
【0036】尚、保持搬送機構110の動作は、全て図
示しない制御システムによって管理制御されるようにな
っている。
示しない制御システムによって管理制御されるようにな
っている。
【0037】したがって、制御システムのプログラムを
変更することによって、ウエハWの各処理ステーション
103〜108に於ける処理をシリーズ的に、パラレル
的に、順次、或いは、スループット的に、そして、独立
的に、相互排反的に任意に設定することが出来、即ち、
各処理ステーション103〜108に於ける処理のいく
つかのみを独立して行うことも、組合せて行うことも、
処理の順序を変更することも可能である。
変更することによって、ウエハWの各処理ステーション
103〜108に於ける処理をシリーズ的に、パラレル
的に、順次、或いは、スループット的に、そして、独立
的に、相互排反的に任意に設定することが出来、即ち、
各処理ステーション103〜108に於ける処理のいく
つかのみを独立して行うことも、組合せて行うことも、
処理の順序を変更することも可能である。
【0038】而して、図2〜5には図示の都合上共通的
にピンセット112,113,121の機構を詳示して
あるが、図に於いて、21は平面視フォーク状のピンセ
ット本体であり、その一側面に3つの支点22,23,
24が三角形状に配置されて突設され、ウエハWはこれ
らの支点22,23,24によって三点支持されて保持
搬送され、該ウエハWに対するこれらの支点22,2
3,24を介しての三点支持によって浮設状にされ、ピ
ンセット本体21の表面のウエハWへのゴミの付着を防
止することが出来る。
にピンセット112,113,121の機構を詳示して
あるが、図に於いて、21は平面視フォーク状のピンセ
ット本体であり、その一側面に3つの支点22,23,
24が三角形状に配置されて突設され、ウエハWはこれ
らの支点22,23,24によって三点支持されて保持
搬送され、該ウエハWに対するこれらの支点22,2
3,24を介しての三点支持によって浮設状にされ、ピ
ンセット本体21の表面のウエハWへのゴミの付着を防
止することが出来る。
【0039】これらの支点22,23,24のうちの1
つの支点24には、その微小頂面に開口して真空吸着の
ための図示しない吸引口が設けられている。
つの支点24には、その微小頂面に開口して真空吸着の
ための図示しない吸引口が設けられている。
【0040】勿論、他の支点22,23についても同様
の機構にすることが設計変更の範囲内である。
の機構にすることが設計変更の範囲内である。
【0041】又、ウエハWのセンタリング、及び又は、
姿勢調整のためにアライメント装置が、該ウエハWの周
縁に対応した円弧状のガイド部材25と、これとは反対
側のストッパ部材26とが設けられており、ウエハW
は、先ず、図3に示す状態で支点22,23,24上に
載置され、この状態では、該ウエハWはセンタリングや
アライメントされておらず、真空吸着もされていない。
姿勢調整のためにアライメント装置が、該ウエハWの周
縁に対応した円弧状のガイド部材25と、これとは反対
側のストッパ部材26とが設けられており、ウエハW
は、先ず、図3に示す状態で支点22,23,24上に
載置され、この状態では、該ウエハWはセンタリングや
アライメントされておらず、真空吸着もされていない。
【0042】次いで、図4に示す様に、ピンセット本体
21をストッパ部材26に向けて水平に移動させてウエ
ハWの周縁に形成されたオリエンテーションフラットW
a をストッパ部材26に当接させる。
21をストッパ部材26に向けて水平に移動させてウエ
ハWの周縁に形成されたオリエンテーションフラットW
a をストッパ部材26に当接させる。
【0043】その後、更にピンセット本体21の水平移
動を続けることにより、ウエハWはピンセット本体21
の支点22,23,24上を軽くスライドし、最終的に
はガイド部材25に当接してセンタリングされ、アライ
メント調整をされて停止する。
動を続けることにより、ウエハWはピンセット本体21
の支点22,23,24上を軽くスライドし、最終的に
はガイド部材25に当接してセンタリングされ、アライ
メント調整をされて停止する。
【0044】したがって、もし、図3の状態でウエハW
の位置がピンセット本体21の中央部からズレていたと
しても、該ウエハWは図4に示す様に、ガイド部材25
に案内されることによって、図5に示す様に、ピンセッ
ト本体21の中央の所定位置にセンタリング、及び、設
定姿勢にアライメントすることが出来る。
の位置がピンセット本体21の中央部からズレていたと
しても、該ウエハWは図4に示す様に、ガイド部材25
に案内されることによって、図5に示す様に、ピンセッ
ト本体21の中央の所定位置にセンタリング、及び、設
定姿勢にアライメントすることが出来る。
【0045】図6には、通路102とウエハ搬出入機構
120との境界部に設けられた前記インターフェース機
構30が示されており、該インターフェース機構30は
ピンセット121とピンセット112,113との間で
受渡しされるウエハWを一時待機させるバッファ機能を
も有し、真空吸着機構により該ウエハWを保持する保持
部材31と、該保持部材31を昇降させるための、例え
ば、エアシリンダ等の駆動装置32とから成っている。
120との境界部に設けられた前記インターフェース機
構30が示されており、該インターフェース機構30は
ピンセット121とピンセット112,113との間で
受渡しされるウエハWを一時待機させるバッファ機能を
も有し、真空吸着機構により該ウエハWを保持する保持
部材31と、該保持部材31を昇降させるための、例え
ば、エアシリンダ等の駆動装置32とから成っている。
【0046】搬出入機構120の転移機構のピンセット
121が図示位置にウエハWを搬送してくると、保持部
材32が駆動装置32を介して設定ストローク上昇し、
該ウエハWを持ち上げて保持し、次に、レジスト塗布現
像装置100側のウエハ保持搬送機構110が、図示の
インターフェース機構30の位置に移動する。
121が図示位置にウエハWを搬送してくると、保持部
材32が駆動装置32を介して設定ストローク上昇し、
該ウエハWを持ち上げて保持し、次に、レジスト塗布現
像装置100側のウエハ保持搬送機構110が、図示の
インターフェース機構30の位置に移動する。
【0047】そして、保持部材31が駆動装置32によ
り下降すると、保持部材31に保持されているウエハW
はピンセット112、又は、113に載置される。
り下降すると、保持部材31に保持されているウエハW
はピンセット112、又は、113に載置される。
【0048】そして、ピンセット112,113からピ
ンセット121への該ウエハWの受渡しについても、上
述プロセスと同様にして行われる。
ンセット121への該ウエハWの受渡しについても、上
述プロセスと同様にして行われる。
【0049】上述構成において、レジスト塗布現像装置
100によって、ウエハWの表面にフォトレジスト膜を
形成する工程を順を追って説明する。
100によって、ウエハWの表面にフォトレジスト膜を
形成する工程を順を追って説明する。
【0050】尚、各工程は、前記制御システムの予め記
憶されたプログラムに基づいて処理される。
憶されたプログラムに基づいて処理される。
【0051】先ず、搬出入機構120の転移機構のピン
セット121によりカセット122から処理前のウエハ
WB を1枚取出し、インターフェース機構30の位置ま
で搬送する。
セット121によりカセット122から処理前のウエハ
WB を1枚取出し、インターフェース機構30の位置ま
で搬送する。
【0052】そして、搬送されてきたウエハWB は、該
インターフェース機構30を介して、通路102の入口
に待機している保持搬送機構110の一方のピンセッ
ト、例えば、ピンセット112に渡されて吸着保持さ
れ、予備加熱ステーション103にセットされて予備加
熱に供される。
インターフェース機構30を介して、通路102の入口
に待機している保持搬送機構110の一方のピンセッ
ト、例えば、ピンセット112に渡されて吸着保持さ
れ、予備加熱ステーション103にセットされて予備加
熱に供される。
【0053】尚、1つのカセット122に同一種のウエ
ハWB のみが収納されている場合には、カセット122
にIDコードを表示し、該IDコードを読取って製造工
程のプログラムを選択するようにしても良い。
ハWB のみが収納されている場合には、カセット122
にIDコードを表示し、該IDコードを読取って製造工
程のプログラムを選択するようにしても良い。
【0054】以下、予備加熱ステーション103、冷却
ステーション104、第一の塗布ステーション107、
第一の加熱ステーション105での処理がこの順序でな
されるように選択された場合について説明する。
ステーション104、第一の塗布ステーション107、
第一の加熱ステーション105での処理がこの順序でな
されるように選択された場合について説明する。
【0055】先ず、1つ目の、即ち、最初のウエハWを
受取ったピンセット112を予備加熱ステーション10
3に向って移動させ、該ウエハWを予備ステーション1
03に所定にセンタリングし、アライメントされた姿勢
状態でセットし、その内部に設けられた図示しないヒー
タプレート上に載置して予備加熱する。
受取ったピンセット112を予備加熱ステーション10
3に向って移動させ、該ウエハWを予備ステーション1
03に所定にセンタリングし、アライメントされた姿勢
状態でセットし、その内部に設けられた図示しないヒー
タプレート上に載置して予備加熱する。
【0056】この間、該ウエハWは転移機構121、保
持搬送機構110により前述した如く縦方向(X),横
方向(Y),上下方向(Z),旋回方向(θ)に所定に
変位されて処理工程に最適状態でセットされるように該
処理工程のステーションにセットされる前に、即ち、セ
ットプロセス中に位置姿勢を調整される。
持搬送機構110により前述した如く縦方向(X),横
方向(Y),上下方向(Z),旋回方向(θ)に所定に
変位されて処理工程に最適状態でセットされるように該
処理工程のステーションにセットされる前に、即ち、セ
ットプロセス中に位置姿勢を調整される。
【0057】又、この時、ウエハWをヒータプレート上
に直接接触させず、ピンセット121のの3つの支点2
2,23,24による三点支持を介しての移載により設
定高さ、例えば、0.3mm程度浮かせた状態でセット
するとゴミ対策が良好である。
に直接接触させず、ピンセット121のの3つの支点2
2,23,24による三点支持を介しての移載により設
定高さ、例えば、0.3mm程度浮かせた状態でセット
するとゴミ対策が良好である。
【0058】この間にピンセット121を移動させて2
番目のウエハWをカセット122から取出し、インター
フェース機構30に待機させておき、最初のウエハWを
予備加熱ステーション103に搬入し終った後、保持搬
送機構110はインターフェース機構30から2番目の
ウエハWをピンセット112で受取り、該ピンセット1
12上に吸着保持し、予備加熱ステーション103での
最初のウエハWの処理が終了するまでそのまま待機す
る。
番目のウエハWをカセット122から取出し、インター
フェース機構30に待機させておき、最初のウエハWを
予備加熱ステーション103に搬入し終った後、保持搬
送機構110はインターフェース機構30から2番目の
ウエハWをピンセット112で受取り、該ピンセット1
12上に吸着保持し、予備加熱ステーション103での
最初のウエハWの処理が終了するまでそのまま待機す
る。
【0059】そして、最初のウエハWの予備加熱処理が
終了すると、保持搬送機構110は以下の動作を行う。
終了すると、保持搬送機構110は以下の動作を行う。
【0060】即ち、先ず、ウエハWを保持していないピ
ンセット113を移動させることにより、予備加熱処理
が終了した最初のウエハWを予備加熱ステーション10
3から取出す。
ンセット113を移動させることにより、予備加熱処理
が終了した最初のウエハWを予備加熱ステーション10
3から取出す。
【0061】このようにして予備加熱処理ステーション
103を空にした後、2番目のウエハWを保持している
ピンセット112を作動させ、該2番目のウエハWを予
備加熱ステーション103にセットする。
103を空にした後、2番目のウエハWを保持している
ピンセット112を作動させ、該2番目のウエハWを予
備加熱ステーション103にセットする。
【0062】次いで、ピンセット112,113をY方
向,θ方向,Z方向に移動し、冷却ステーション104
に移動し、ウエハWを保持したピンセット113をX方
向に動作し、この最初のウエハWを冷却ステーション1
04にセットする。
向,θ方向,Z方向に移動し、冷却ステーション104
に移動し、ウエハWを保持したピンセット113をX方
向に動作し、この最初のウエハWを冷却ステーション1
04にセットする。
【0063】上述動作から、2つのピンセット112,
113を設けた利点が生かされる。
113を設けた利点が生かされる。
【0064】即ち、ピンセットが1つしかない場合に
は、保持搬送機構110は先ず最初のウエハWを予備加
熱ステーション103から取出し、これを冷却ステーシ
ョン104にセットし、その後にインターフェース機構
30から2番目のウエハWを受け取ってこれを予備加熱
ステーション103にセットする動作を行わなければな
らないからである。
は、保持搬送機構110は先ず最初のウエハWを予備加
熱ステーション103から取出し、これを冷却ステーシ
ョン104にセットし、その後にインターフェース機構
30から2番目のウエハWを受け取ってこれを予備加熱
ステーション103にセットする動作を行わなければな
らないからである。
【0065】尚、上述の動作が行われている間に、搬出
入機構120では、ピンセット121により次に処理す
る3番目のウエハWをインターフェース機構30に待機
させておく。
入機構120では、ピンセット121により次に処理す
る3番目のウエハWをインターフェース機構30に待機
させておく。
【0066】次に、保持搬送機構110はインターフェ
ース機構30から3番目のウエハWをピンセット112
に保持して、冷却ステーション104での処理が終了す
るまで待機させる。
ース機構30から3番目のウエハWをピンセット112
に保持して、冷却ステーション104での処理が終了す
るまで待機させる。
【0067】そして、最初のウエハWの冷却工程が終了
した時、保持搬送機構110はウエハWを保持していな
い方のピンセット113で冷却ステーション104内の
ウエハWを取出し、次にプログラムされたフォトレジス
ト膜の塗布工程のための通路102の反対側の第一の塗
布ステーション107にセットする。
した時、保持搬送機構110はウエハWを保持していな
い方のピンセット113で冷却ステーション104内の
ウエハWを取出し、次にプログラムされたフォトレジス
ト膜の塗布工程のための通路102の反対側の第一の塗
布ステーション107にセットする。
【0068】この塗布処理の間に予備加熱ステーション
103に於ける2番目のウエハWの処理が終了したら、
保持搬送機構110はウエハWを保持していない方のピ
ンセット113によって該ウエハWを予備加熱ステーシ
ョン103から取出す。
103に於ける2番目のウエハWの処理が終了したら、
保持搬送機構110はウエハWを保持していない方のピ
ンセット113によって該ウエハWを予備加熱ステーシ
ョン103から取出す。
【0069】そして、ピンセット112に保持している
3番目のウエハWを予備加熱ステーション103にセッ
トすると同時に、ピンセット113に保持している2番
目のウエハWを冷却ステーション104にセットする。
3番目のウエハWを予備加熱ステーション103にセッ
トすると同時に、ピンセット113に保持している2番
目のウエハWを冷却ステーション104にセットする。
【0070】この動作は、上述した通りの態様と同じで
ある。
ある。
【0071】尚、もし、最初のウエハWの冷却工程が終
了する前に、2番目のウエハWの予備加熱処理が終了す
る場合には、次のような処理動作を行うようにプログラ
ムすることも可能である。
了する前に、2番目のウエハWの予備加熱処理が終了す
る場合には、次のような処理動作を行うようにプログラ
ムすることも可能である。
【0072】即ち、先ず3番目の未処理のウエハWをピ
ンセット112に保持した状態で、ピンセット113に
より2番目のウエハWを予備加熱ステーション103か
ら取出し、続いて、ピンセット112に保持されている
3番目のウエハWを予備加熱ステーション103にセッ
トした後、待機する。
ンセット112に保持した状態で、ピンセット113に
より2番目のウエハWを予備加熱ステーション103か
ら取出し、続いて、ピンセット112に保持されている
3番目のウエハWを予備加熱ステーション103にセッ
トした後、待機する。
【0073】そして、冷却ステーション104に於ける
最初のウエハWの冷却工程が終了した後、該最初のウエ
ハWをピンセット112、又は、113で取出し、第一
の塗布ステーション107にセットする。
最初のウエハWの冷却工程が終了した後、該最初のウエ
ハWをピンセット112、又は、113で取出し、第一
の塗布ステーション107にセットする。
【0074】該ステーション107でのフォトレジスト
液の塗布は、例えば、当業者に周知のレジスト液滴下ス
ピンコーティング装置により行う。
液の塗布は、例えば、当業者に周知のレジスト液滴下ス
ピンコーティング装置により行う。
【0075】而して、第一の塗布ステーション107に
於いて最初のウエハWに対するフォトレジスト液の塗布
処理が終了した時、保持搬送機構110はピンセット1
13により該ウエハWを第一の塗布ステーション107
から取出す。
於いて最初のウエハWに対するフォトレジスト液の塗布
処理が終了した時、保持搬送機構110はピンセット1
13により該ウエハWを第一の塗布ステーション107
から取出す。
【0076】続いて、Y方向に沿って図上右側に移動
し、取出した最初のウエハWを第一の加熱ステーション
105にセットして加熱処理を行う。
し、取出した最初のウエハWを第一の加熱ステーション
105にセットして加熱処理を行う。
【0077】この加熱処理を行っている間に冷却ステー
ション104内での2番目のウエハWの冷却処理が終了
したら、保持搬送機構110は該ウエハWをピンセット
113にて取出し、更に、第一の塗布ステーション10
7にセットしてフォトレジスト液の塗布を開始する。
ション104内での2番目のウエハWの冷却処理が終了
したら、保持搬送機構110は該ウエハWをピンセット
113にて取出し、更に、第一の塗布ステーション10
7にセットしてフォトレジスト液の塗布を開始する。
【0078】このようにして、ピンセット112,11
3により時間的に直接、或いは、重複して複数処理がな
される。
3により時間的に直接、或いは、重複して複数処理がな
される。
【0079】而して、第一の加熱ステーション105に
於いて最初のウエハWの処理が終了し、所望のフォトレ
ジスト膜が形成されたら、保持搬送機構110は該最初
のウエハWをピンセット113にて取出す。
於いて最初のウエハWの処理が終了し、所望のフォトレ
ジスト膜が形成されたら、保持搬送機構110は該最初
のウエハWをピンセット113にて取出す。
【0080】続いて、該保持搬送機構110は図上Y方
向に左側に移動し、ピンセット113に保持したウエハ
Wをインターフェース機構30に渡す。
向に左側に移動し、ピンセット113に保持したウエハ
Wをインターフェース機構30に渡す。
【0081】該インターフェース機構30での待機中、
該ウエハWを直接載置部に接触させず、前述した如く、
わずかに浮かせて載置することがゴミ対策上有効であ
る。
該ウエハWを直接載置部に接触させず、前述した如く、
わずかに浮かせて載置することがゴミ対策上有効であ
る。
【0082】又、待機するインターフェース機構30は
キャリアカセットにより構成すると、更に有利である。
キャリアカセットにより構成すると、更に有利である。
【0083】このようにして処理済のウエハWF がイン
ターフェース機構30に待機されると、搬出入機構12
0のピンセット121が該ウエハWF を受取り、カセッ
ト123に収納する。
ターフェース機構30に待機されると、搬出入機構12
0のピンセット121が該ウエハWF を受取り、カセッ
ト123に収納する。
【0084】このようにしてインターフェース機構30
が在ることにより、保持搬送機構110は複数の処理機
能を具備することが可能である。
が在ることにより、保持搬送機構110は複数の処理機
能を具備することが可能である。
【0085】以上述べた一連の処理動作は、カセット1
22内の未処理のウエハWB が無くなるまで続けられ
る。
22内の未処理のウエハWB が無くなるまで続けられ
る。
【0086】尚、上述の動作説明では第一の塗布ステー
ション107と第一の加熱ステーション105とを用い
たが、これらの代りに、第二の塗布ステーション10
8、及び、第二の加熱ステーション106を使用しても
良い。
ション107と第一の加熱ステーション105とを用い
たが、これらの代りに、第二の塗布ステーション10
8、及び、第二の加熱ステーション106を使用しても
良い。
【0087】又、フォトレジスト液の塗布工程、及び/
又は、加熱工程が他の工程に比べて処理時間が長くかか
る場合には、2つの塗布ステーション107,108、
及び/又は、2つの加熱ステーション105,106を
同時に使用することも可能であり、転移機構121部位
から所望の処理工程にスループットで移送して処理する
ことも可能である。
又は、加熱工程が他の工程に比べて処理時間が長くかか
る場合には、2つの塗布ステーション107,108、
及び/又は、2つの加熱ステーション105,106を
同時に使用することも可能であり、転移機構121部位
から所望の処理工程にスループットで移送して処理する
ことも可能である。
【0088】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、1枚のウエハWにつ
いて試しに処理を行ってみるのが普通であり、この場
合、試しの処理が終了したテストウエハWT を、検査の
ためにピンセット123から取出す必要があるが、この
取出しを容易にするため、図7に示す様に、カセット1
23の基部に引出し可能なレシーバ40を設け、該レシ
ーバ40の一端には取手41を設け、内部にはウエハ載
置台42を設けておき、試しの処理を終了したテストウ
エハWT が、ピンセット121によって開口部43から
挿入され、該載置台42に載せられる。
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、1枚のウエハWにつ
いて試しに処理を行ってみるのが普通であり、この場
合、試しの処理が終了したテストウエハWT を、検査の
ためにピンセット123から取出す必要があるが、この
取出しを容易にするため、図7に示す様に、カセット1
23の基部に引出し可能なレシーバ40を設け、該レシ
ーバ40の一端には取手41を設け、内部にはウエハ載
置台42を設けておき、試しの処理を終了したテストウ
エハWT が、ピンセット121によって開口部43から
挿入され、該載置台42に載せられる。
【0089】したがって、テストウエハWT はレシーバ
40を図示のように引出すことによ容易に取出すことが
出来る。
40を図示のように引出すことによ容易に取出すことが
出来る。
【0090】尚、設計変更的には保持搬送機構110の
ピンセットは必ずしも2つである必要はなく、3つ以上
であっても良い。
ピンセットは必ずしも2つである必要はなく、3つ以上
であっても良い。
【0091】以上の動作説明から明かなように、上述実
施例の処理装置によれば、ウエハWの表面にフォトレジ
スト膜を形成し、現像するために必要な複数の処理工程
を、その順序をも含めて任意に組合せて最良の工程をプ
ログラムすることが出来る。
施例の処理装置によれば、ウエハWの表面にフォトレジ
スト膜を形成し、現像するために必要な複数の処理工程
を、その順序をも含めて任意に組合せて最良の工程をプ
ログラムすることが出来る。
【0092】したがって、処理すべきウエハWの種類に
応じて最も効率の良い処理工程の組合せプロセスを選択
し、最も効率の良いスループットを得ることが可能とな
る。
応じて最も効率の良い処理工程の組合せプロセスを選択
し、最も効率の良いスループットを得ることが可能とな
る。
【0093】又、保持搬送機構110が2つのピンセッ
ト112,113を有してそれぞれ独立の動作をするこ
とが出来ることから、処理の自由度が高く、例えば、次
工程のステーションにウエハWが存在していると、その
工程のウエハWの入替えが出来ないといった不都合がな
い。
ト112,113を有してそれぞれ独立の動作をするこ
とが出来ることから、処理の自由度が高く、例えば、次
工程のステーションにウエハWが存在していると、その
工程のウエハWの入替えが出来ないといった不都合がな
い。
【0094】更に、複数の各処理ステーションを通路1
02に沿ってその両側に配設しているため、該両側のス
テーションは対向して熱的に離隔され、熱管理や熱制
御,メンテナンスがし易く、そのため、保持搬送機構1
10の動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高
く、したがって、処理プログラムの変更が容易である。
02に沿ってその両側に配設しているため、該両側のス
テーションは対向して熱的に離隔され、熱管理や熱制
御,メンテナンスがし易く、そのため、保持搬送機構1
10の動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高
く、したがって、処理プログラムの変更が容易である。
【0095】又、予備加熱ステーション103と冷却ス
テーション104とを上下に積層配置したことにより、
設置のために必要な床面積も節減される。
テーション104とを上下に積層配置したことにより、
設置のために必要な床面積も節減される。
【0096】上記の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても当業者は何ら困難性なく使用
することが出来る。
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても当業者は何ら困難性なく使用
することが出来る。
【0097】その場合、塗布ステーション107,10
8に現像液を塗布する装置も設けられることが出来る。
8に現像液を塗布する装置も設けられることが出来る。
【0098】そして、現像装置は、例えば、変速回転中
のウエハW上に現像液をジェット状に噴出させて現像す
る構成とすることも可能である。
のウエハW上に現像液をジェット状に噴出させて現像す
る構成とすることも可能である。
【0099】更に、2つの塗布ステーション107,1
08のいずれか一方をフォトレジスト膜の塗布に用い、
他方を現像液の塗布に用いることにより、フォトレジス
ト膜の形成、及び、現像の両方を行う装置として使用す
ることが出来る。
08のいずれか一方をフォトレジスト膜の塗布に用い、
他方を現像液の塗布に用いることにより、フォトレジス
ト膜の形成、及び、現像の両方を行う装置として使用す
ることが出来る。
【0100】その際、通路102の図上右端にも図6に
示すインターフェース機構30を設け、露光装置との間
でウエハWの受渡しを行えるようにすることにより、フ
ォトレジスト膜塗布処理から現像処理までを一貫した連
続プロセスとしてシリーズ的に、或いは、任意にパラレ
ル的に、更にはスループットで処理することが可能であ
る。
示すインターフェース機構30を設け、露光装置との間
でウエハWの受渡しを行えるようにすることにより、フ
ォトレジスト膜塗布処理から現像処理までを一貫した連
続プロセスとしてシリーズ的に、或いは、任意にパラレ
ル的に、更にはスループットで処理することが可能であ
る。
【0101】尚、処理ユニットを増設して複数連接した
い場合には、通路102の延長線上に次の通路が形成さ
れるように構成し、その接続部にウエハWのバッファ機
構としての待機機構、例えば、キャリアステーションを
設けると良い。
い場合には、通路102の延長線上に次の通路が形成さ
れるように構成し、その接続部にウエハWのバッファ機
構としての待機機構、例えば、キャリアステーションを
設けると良い。
【0102】因みに、図8に示す様に、カセット12
2,123内のウエハWを搬出、或いは、カセット12
2,123内へ搬入するアーム120aを有する搬出入
機構120と、インターフェース機構30でウエハWの
受渡しを行う保持搬送機構110aを有する第一の処理
系のユニット150により上述したような動作で各処理
を行う。
2,123内のウエハWを搬出、或いは、カセット12
2,123内へ搬入するアーム120aを有する搬出入
機構120と、インターフェース機構30でウエハWの
受渡しを行う保持搬送機構110aを有する第一の処理
系のユニット150により上述したような動作で各処理
を行う。
【0103】例えば、該第一の処理系のユニット150
に、保持搬送機構110aを間にしてHMDS(ヘキサ
メチルジシラザン)処理ステーション151、第一の加
熱ステーション1152、第一の冷却ステーション15
3、第一層目のフォトレジスト液を回転塗布する第一の
塗布ステーション154、第二層目のフォトレジスト液
を回転塗布する第二の塗布ステーション155を設け、
これら各ステーションに選択的に、独立的に、或いは、
排反的にウエハWを搬送して処理を行い、更に、複数の
処理ステーション、例えば、第二の加熱ステーション1
56、第二の冷却ステーション157、露光工程での光
乱反射を防止するためにフォトレジスト膜上面にCEL
膜等の表面被覆層を塗布形成する第三の塗布ステーショ
ン158等がそれぞれ対向配置され、且つ、これら各ス
テーションにウエハWを搬送する保持搬送機構110b
を備えた第二の処理系のユニット159を設け、該第二
の処理系のユニット159、及び、第一の処理系のユニ
ット150の間にバッファ機構としての待機機構160
を配置させ、該待機機構160にはウエハW1枚を載置
出来る載置台161を設け、インターフェース機構30
に於けるウエハWの受渡しと同様に、載置台161を利
用して、第一の処理系のユニット150の保持搬送機構
110aと第二の処理系のユニット159の保持搬送機
構110bとの間でウエハWの受渡しを行うように出
来、上記バッファ機構の待機機構160の構成は、載置
台161を設けずに図示しないバッファ用カセットを設
け、該バッファ用カセットにより複数枚のウエハWを待
機出来る構造としても良い。
に、保持搬送機構110aを間にしてHMDS(ヘキサ
メチルジシラザン)処理ステーション151、第一の加
熱ステーション1152、第一の冷却ステーション15
3、第一層目のフォトレジスト液を回転塗布する第一の
塗布ステーション154、第二層目のフォトレジスト液
を回転塗布する第二の塗布ステーション155を設け、
これら各ステーションに選択的に、独立的に、或いは、
排反的にウエハWを搬送して処理を行い、更に、複数の
処理ステーション、例えば、第二の加熱ステーション1
56、第二の冷却ステーション157、露光工程での光
乱反射を防止するためにフォトレジスト膜上面にCEL
膜等の表面被覆層を塗布形成する第三の塗布ステーショ
ン158等がそれぞれ対向配置され、且つ、これら各ス
テーションにウエハWを搬送する保持搬送機構110b
を備えた第二の処理系のユニット159を設け、該第二
の処理系のユニット159、及び、第一の処理系のユニ
ット150の間にバッファ機構としての待機機構160
を配置させ、該待機機構160にはウエハW1枚を載置
出来る載置台161を設け、インターフェース機構30
に於けるウエハWの受渡しと同様に、載置台161を利
用して、第一の処理系のユニット150の保持搬送機構
110aと第二の処理系のユニット159の保持搬送機
構110bとの間でウエハWの受渡しを行うように出
来、上記バッファ機構の待機機構160の構成は、載置
台161を設けずに図示しないバッファ用カセットを設
け、該バッファ用カセットにより複数枚のウエハWを待
機出来る構造としても良い。
【0104】該バッファ用カセットにより、保持搬送機
構110a、及び、保持搬送機構110bの作業量の差
があっても、一方の保持搬送機構が待機する時間を少く
することが可能となる。
構110a、及び、保持搬送機構110bの作業量の差
があっても、一方の保持搬送機構が待機する時間を少く
することが可能となる。
【0105】このように、待機機構160を介して保持
搬送機構を2系統にすることにより、複段の処理工程の
処理ステーションの増設に容易に対応出来ると共に、高
スループット処理が可能となる。
搬送機構を2系統にすることにより、複段の処理工程の
処理ステーションの増設に容易に対応出来ると共に、高
スループット処理が可能となる。
【0106】而して、上記保持搬送機構は2系統に限定
するものではなく、2系統以上としても良く、待機機構
の増設に伴って適宜に増加させることか出来る。
するものではなく、2系統以上としても良く、待機機構
の増設に伴って適宜に増加させることか出来る。
【0107】上述実施例では、製造装置としてフォトレ
ジスト膜の塗布現像処理に適用した態様について説明し
たが、この出願の発明はこれに限定するものではなく、
例えば、エッチング処理,CVD処理,アッシング処理
等でも同様に行うことが出来る。
ジスト膜の塗布現像処理に適用した態様について説明し
たが、この出願の発明はこれに限定するものではなく、
例えば、エッチング処理,CVD処理,アッシング処理
等でも同様に行うことが出来る。
【0108】
【発明の効果】以上、この出願の発明によれば、基本的
にウエハ等の被処理物のフォトレジスト膜塗布等の処理
を行う装置において該被処理物に対する処理前、処理後
の収納カセットを装備する被処理物の搬出入機構から所
定数の複数段の処理工程に接続する搬送経路に該搬送経
路に設けた被処理物の保持搬送機構と該搬出入機構の少
くとも後者に被処理物に対するアライメント装置を有し
ていることにより該被処理物の処理を行う条件によって
最適処理工程に対し被処理物を直接的に、又、スループ
ット的に付与することが出来、搬送中に処理工程への最
適姿勢のセンタリングやアライメント調整が出来、結果
的に各処理工程での処理が最適条件で行え、結果的に処
理された製品の性能が著しく高くなり、製品の信頼性も
著しく向上するという優れた効果が奏される。
にウエハ等の被処理物のフォトレジスト膜塗布等の処理
を行う装置において該被処理物に対する処理前、処理後
の収納カセットを装備する被処理物の搬出入機構から所
定数の複数段の処理工程に接続する搬送経路に該搬送経
路に設けた被処理物の保持搬送機構と該搬出入機構の少
くとも後者に被処理物に対するアライメント装置を有し
ていることにより該被処理物の処理を行う条件によって
最適処理工程に対し被処理物を直接的に、又、スループ
ット的に付与することが出来、搬送中に処理工程への最
適姿勢のセンタリングやアライメント調整が出来、結果
的に各処理工程での処理が最適条件で行え、結果的に処
理された製品の性能が著しく高くなり、製品の信頼性も
著しく向上するという優れた効果が奏される。
【0109】したがって、処理装置において、設計段階
から所定のプログラムに基づく複数の処理工程のステー
ションを搬送経路の両側に上下方向積層する等して設け
ておいても収納カセットから被処理物保持搬送機構が該
収納カセットからの被処理物を取出して選択的に相互独
立的に、或いは、相互排反的に所望の処理工程のステー
ションと直接,間接に搬送するに際し、搬入セット中に
センタリングやアライメント調整が行え、したがって、
目的とする製品に対する最適処理が行われるという優れ
た効果が奏される。
から所定のプログラムに基づく複数の処理工程のステー
ションを搬送経路の両側に上下方向積層する等して設け
ておいても収納カセットから被処理物保持搬送機構が該
収納カセットからの被処理物を取出して選択的に相互独
立的に、或いは、相互排反的に所望の処理工程のステー
ションと直接,間接に搬送するに際し、搬入セット中に
センタリングやアライメント調整が行え、したがって、
目的とする製品に対する最適処理が行われるという優れ
た効果が奏される。
【0110】又、被処理物の処理工程でのセット,リセ
ットが最適姿勢で行えることから該保持搬送機構で複数
の被処理物をセット,リセットすることが出来ることに
より該保持搬送機構が複数種の作業をすることが出来、
ユニット系の作業能率が著しく向上するという優れた効
果が奏される。
ットが最適姿勢で行えることから該保持搬送機構で複数
の被処理物をセット,リセットすることが出来ることに
より該保持搬送機構が複数種の作業をすることが出来、
ユニット系の作業能率が著しく向上するという優れた効
果が奏される。
【0111】又、設計通りに収納カセットからの、又、
カセットに対する被処理物の取出しや収納がスムース
に、且つ、最適条件で行うことが出来、したがって、移
送中の被処理物の損傷や歪や塵埃付着等も確実に防止さ
れるという優れた効果が奏される。
カセットに対する被処理物の取出しや収納がスムース
に、且つ、最適条件で行うことが出来、したがって、移
送中の被処理物の損傷や歪や塵埃付着等も確実に防止さ
れるという優れた効果が奏される。
【図1】この出願の発明の1実施例のウエハに対するフ
ォトレジスト膜塗布現像装置の模式平面図である。
ォトレジスト膜塗布現像装置の模式平面図である。
【図2】図1のピンセットの模式側面図である。
【図3】図1のピンセットの作動前の平面図である。
【図4】同、作動中の平面図である。
【図5】同、作動後の平面図である。
【図6】インターフェースの壁側面図である。
【図7】図1のカセットの構造模式断面図である。
【図8】他の実施例の模式平面図である。
【図9】従来技術に基づくウエハに対するフォトレジス
ト膜塗布装置の模式平面図である。
ト膜塗布装置の模式平面図である。
W(1) 被処理物(ウエハ) 122,123 収納カセット 120 搬出入機構 103,108 処理工程(ステーション) 102 搬送経路 100 処理装置 110 保持搬送機構 112,113 支持装置 22〜24 支点 25,26 アライメント装置
フロントページの続き (72)発明者 平河 修 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】被処理物の収納カセットを有する該被処理
物に対する搬出入機構から複数の処理工程への搬送経路
が接続して延設されている処理装置において、該搬送経
路に配設した被処理物保持機構と上記搬出入機構のいづ
れかに該被処理物に対するアライメント装置が付設され
ていることを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】上記アライメント装置が被処理物に対する
ガイド部材とストッパ部材とを有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7302225A JP2926213B2 (ja) | 1988-02-12 | 1995-10-27 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3021988 | 1988-02-12 | ||
JP63-30219 | 1988-07-28 | ||
JP18978988 | 1988-07-28 | ||
JP63-189789 | 1988-07-28 | ||
JP7302225A JP2926213B2 (ja) | 1988-02-12 | 1995-10-27 | 基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2779889A Division JP2519096B2 (ja) | 1988-02-12 | 1989-02-07 | 処理装置及びレジスト処理装置及び処理方法及びレジスト処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255824A true JPH08255824A (ja) | 1996-10-01 |
JP2926213B2 JP2926213B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=27286884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7302225A Expired - Lifetime JP2926213B2 (ja) | 1988-02-12 | 1995-10-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2926213B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013102226A (ja) * | 1999-04-02 | 2013-05-23 | Applied Materials Inc | 研磨装置において基板を監視する方法及び研磨システムで基板を搬送する方法 |
WO2022202405A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び位置決め方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49107678A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-10-12 | ||
JPS60249329A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Anelva Corp | スパッタエッチング装置 |
JPS61123150A (ja) * | 1985-10-23 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | 製造装置 |
JPS61184841A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Canon Inc | ウエハの位置決め方法および装置 |
JPS61222147A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハの位置合わせ機構 |
JPS61270843A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ位置合せ機構 |
JPS62181546A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 通信システム |
JPS62188642A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-18 | Mitsubishi Metal Corp | ウェーハ精密位置決め装置 |
JPS6323332A (ja) * | 1986-04-28 | 1988-01-30 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエーハ移送方法及び装置 |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP7302225A patent/JP2926213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49107678A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-10-12 | ||
JPS60249329A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Anelva Corp | スパッタエッチング装置 |
JPS61184841A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Canon Inc | ウエハの位置決め方法および装置 |
JPS61222147A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハの位置合わせ機構 |
JPS61270843A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ位置合せ機構 |
JPS61123150A (ja) * | 1985-10-23 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | 製造装置 |
JPS62181546A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 通信システム |
JPS62188642A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-18 | Mitsubishi Metal Corp | ウェーハ精密位置決め装置 |
JPS6323332A (ja) * | 1986-04-28 | 1988-01-30 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエーハ移送方法及び装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013102226A (ja) * | 1999-04-02 | 2013-05-23 | Applied Materials Inc | 研磨装置において基板を監視する方法及び研磨システムで基板を搬送する方法 |
WO2022202405A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び位置決め方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2926213B2 (ja) | 1999-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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