JPH08255792A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH08255792A JPH08255792A JP5724995A JP5724995A JPH08255792A JP H08255792 A JPH08255792 A JP H08255792A JP 5724995 A JP5724995 A JP 5724995A JP 5724995 A JP5724995 A JP 5724995A JP H08255792 A JPH08255792 A JP H08255792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- film
- silicon oxide
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法によりシリ
コン酸化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device having a step of forming a silicon oxide film by a vapor phase growth method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、LSI製造技術の一つとし
て、気相成長法(CVD法)が知られている。CVD法
は、例えば、配線間を絶縁するシリコン酸化膜等の絶縁
膜の成膜に用いられている。2. Description of the Related Art A vapor phase growth method (CVD method) has been conventionally known as one of LSI manufacturing technologies. The CVD method is used, for example, for forming an insulating film such as a silicon oxide film that insulates between wirings.
【0003】シリコン酸化膜の成膜に関しては、原料ガ
スとして、ウェハ面内の膜厚均一性(面内膜厚均一性)
および段差被覆性を高くできるTEOS(テトラエトキ
シシラン:Si(0C2 H5 )4 )を用いて、一度に複
数のシリコン酸化膜を形成するバッチ式の減圧CVD法
が知られている。For forming a silicon oxide film, the film thickness uniformity within the wafer (in-plane film thickness uniformity) is used as a source gas.
Further, a batch type low pressure CVD method is known in which a plurality of silicon oxide films are formed at one time by using TEOS (tetraethoxysilane: Si (0C 2 H 5 ) 4 ) capable of enhancing step coverage.
【0004】ところで、最近では、ウエハを複数枚ずつ
処理するバッチ式の成膜装置から1枚ずつ処理する枚葉
式の成膜装置へ移行しており、TEOSを用いた枚葉式
の減圧CVD法についても検討されている。By the way, recently, there has been a shift from a batch type film forming apparatus for processing a plurality of wafers to a single wafer type film forming apparatus for processing one wafer at a time, and a single wafer type low pressure CVD using TEOS is performed. The law is also being considered.
【0005】しかし、枚葉式の減圧CVD法は、成膜速
度が10n/minと遅いため、成膜の高スループット
化が困難である。このような問題は枚葉式の減圧CVD
法の実用化の障害になっている。However, in the single-wafer type low pressure CVD method, since the film forming rate is as slow as 10 n / min, it is difficult to increase the film forming throughput. Such problems are caused by single-wafer type low pressure CVD.
It is an obstacle to the practical application of the law.
【0006】また、最近では、LSIの生産性を向上す
るために、8インチ、12インチ等の大口径のウエハが
用いられるようになってきている。このため、大面積の
ウェハ上にシリコン酸化膜を均一性良く形成できる方法
が必要となっている。Further, recently, in order to improve the productivity of LSI, a wafer having a large diameter of 8 inches, 12 inches or the like has been used. Therefore, there is a need for a method capable of forming a silicon oxide film on a large-area wafer with good uniformity.
【0007】成膜速度が速いCVD法としては高速回転
型CVD法がある。この高速回転型CVD法では、ウェ
ハ面内の膜厚均一性が改善される。高速回転型CVD法
は、熱CVD法の一種であって、基板をその中心を軸と
して回転させ、基板表面上の全面に、基板回転軸と平行
に、反応性ガス(原料ガス)を一様な層流状態に流すと
いうものである。There is a high-speed rotation type CVD method as a CVD method having a high film forming rate. This high-speed rotation type CVD method improves the film thickness uniformity within the wafer surface. The high-speed rotation type CVD method is a kind of thermal CVD method, in which a substrate is rotated around its center, and a reactive gas (raw material gas) is uniformly distributed on the entire surface of the substrate in parallel with the substrate rotation axis. It is a laminar flow.
【0008】成膜速度を速くでき、ウェハ面内の膜厚均
一性を改善できることは、例えば、Siのエピ成長で
は、Y.Sato et al.,Extened A
bstracts of 1991 Internat
ion al conference on Soli
d State Device and Materi
als,Yokohama,1991,p717.に示
されている。The fact that the film formation rate can be increased and the film thickness uniformity within the wafer surface can be improved is, for example, in the case of Si epitaxial growth, Y. Sato et al. , Extended A
btracts of 1991 Internet
Ion al conference on Soli
d State Device and Material
als, Yokohama, 1991, p717. Is shown in.
【0009】しかしながら、従来の高速回転型CVD法
には以下のような問題がある。すなわち、今後のCVD
法によるシリコン酸化膜の枚葉式の成膜法には、高成膜
速度、さらにバッチ式と同様に高段差被覆性が得られる
必要があるが、従来の高速回転型CVD法は、高成膜速
度および高段差被覆性の条件を同時に満足することはで
きなかった。However, the conventional high-speed rotation type CVD method has the following problems. That is, future CVD
The single-wafer film formation method of a silicon oxide film by the method needs to have a high film formation rate and high step coverage like the batch method, but the conventional high-speed rotary CVD method has a high performance. It was not possible to satisfy the conditions of film speed and high step coverage at the same time.
【0010】また、高成膜速度で、高面内膜厚均一性の
CVD法として、大流量型CVD法があるが、高速回転
型CVD法の場合と同様に、上記条件を同時に満足する
ことはできなかった。Further, there is a large flow rate type CVD method as a CVD method with a high film forming rate and a high uniformity of the in-plane film thickness. I couldn't.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、今後のC
VD法によるシリコン酸化膜の枚葉式の成膜法には、高
成膜速度、高段差被覆性が要求されるが、これら要求を
同時に満足できるCVD法はいまだ実現されていなかっ
た。As mentioned above, the future C
The single-wafer film-forming method of the silicon oxide film by the VD method requires a high film-forming rate and a high step coverage, but a CVD method that can simultaneously satisfy these requirements has not been realized yet.
【0012】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、被処理基体面内の段差
被覆性に優れ、かつシリコン酸化膜を高速に形成できる
半導体装置の製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to manufacture a semiconductor device which has excellent step coverage on the surface of a substrate to be processed and which can form a silicon oxide film at high speed. To provide a method.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置の製造方法(請求項1)
は、被処理基体上にシリコン酸化膜を気相成長法により
形成する際に、前記シリコン酸化膜の原料ガスとしてシ
ロキサンを含む物質のガスを用い、かつ前記シリコン酸
化膜の形成時に前記被処理基体を回転させることを特徴
とする。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention (claim 1).
Uses a gas of a substance containing siloxane as a source gas of the silicon oxide film when forming a silicon oxide film on a substrate to be processed by a vapor phase epitaxy method, and the substrate to be processed at the time of forming the silicon oxide film. It is characterized by rotating.
【0014】ここで、前記被処理基体の回転は、前記被
処理基体の外周の周速が前記原料ガスの線速以上の高速
回転であることが好ましい(請求項2)。また、前記原
料ガスとしてのシロキサンを含む物質のガスは、例え
ば、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3−テト
ラエトキシ−1,3−メチルジシロキサン、ヘキサエト
キシジシロキサン等や、シクロシロキサン、例えば、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンまたは1,3,5,
7−テトラメチルシクロテトラシロキサン等のガスであ
ることが好ましい(請求項3)。Here, the rotation of the substrate to be processed is preferably a high-speed rotation in which the peripheral speed of the outer periphery of the substrate to be processed is equal to or higher than the linear speed of the source gas (claim 2). The gas of the substance containing siloxane as the raw material gas is, for example, hexamethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-methyldisiloxane, hexaethoxydisiloxane, or cyclosiloxane. , For example, octamethylcyclotetrasiloxane or 1,3,5,
A gas such as 7-tetramethylcyclotetrasiloxane is preferable (claim 3).
【0015】[0015]
【作用】本発明者等の研究によれば、被処理基体上にシ
リコン酸化膜を気相成長法により形成する際に、シリコ
ン酸化膜の原料ガスとしてシロキサンを含む物質のガス
を用い、かつ成膜時に前記被処理基体を回転させること
により、高成膜速度、高段差被覆性の条件を同時に満足
できる成膜が可能になることを見出だした。According to the research conducted by the present inventors, when a silicon oxide film is formed on a substrate to be processed by a vapor phase growth method, a gas of a substance containing siloxane is used as a raw material gas for the silicon oxide film, and It was found that by rotating the substrate to be processed during film formation, it is possible to form a film that simultaneously satisfies the conditions of high film formation rate and high step coverage.
【0016】したがって、このような知見に基づいた本
発明に係る半導体装置の製造方法によれば、被処理基体
上に段差被覆性に優れたシリコン酸化膜を高速に形成で
きるようになる。Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention based on such knowledge, a silicon oxide film having excellent step coverage can be formed at high speed on a substrate to be processed.
【0017】[0017]
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。 (第1の実施例)図1は、本発明の第1の実施例に係る
高速回転CVD装置の概略構成を示す模式図である。Embodiments will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic structure of a high-speed rotary CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【0018】図中、1は成膜室であるチャンバを示して
おり、このチャンバ1の底部には排気用ポンプ2が設け
られている。この排気用ポンプ2はチャンバ1内のガス
等を外部に排気するためのものである。In the figure, reference numeral 1 denotes a chamber which is a film forming chamber, and an exhaust pump 2 is provided at the bottom of the chamber 1. The exhaust pump 2 is for exhausting gas and the like in the chamber 1 to the outside.
【0019】また、チャンバ1の底部には被処理基体6
を載置するためのサセプタ5が設けられている。このサ
セプタ5はモータ等の回転手段により被処理基体6の中
心を回転中心として回転するようになっている。さら
に、サセプタ5には被処理基体6をその裏面から加熱す
るのための抵抗加熱ヒータ7が設けられている。A substrate 6 to be processed is provided on the bottom of the chamber 1.
There is provided a susceptor 5 for mounting. The susceptor 5 is configured to rotate about the center of the substrate 6 to be processed by a rotating means such as a motor. Further, the susceptor 5 is provided with a resistance heater 7 for heating the substrate 6 to be processed from its back surface.
【0020】一方、チャンバ1の上部にはガス供給配管
31 ,32 ,33 ,34 が設けられており、各ガス供給
配管31 ,32 ,33 ,34 は、それぞれ、TEDS
(1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチル
シジシロキサン:((C2 H5O)2 CH3 Si)2
O)、TEOS(原料ガス)、O2 、N2 (キャリアガ
ス)をチャンバ1内に供給するものである。各ガス供給
配管から導入される上記ガスは、チャンバ1内の上方に
設けられた整流板4の手前で合流してから被処理基体6
に供給される。On the other hand, gas supply pipes 3 1 , 3 2 , 3 3 , 3 4 are provided above the chamber 1, and each gas supply pipe 3 1 , 3 2 , 3 3 , 3 4 is TEDS
(1,1,3,3-tetramethyl-ethoxy-1,3-dimethyl Siji siloxane: ((C 2 H 5 O ) 2 CH 3 Si) 2
O), TEOS (raw material gas), O 2 and N 2 (carrier gas) are supplied into the chamber 1. The above-mentioned gases introduced from the respective gas supply pipes join together before the straightening plate 4 provided above the chamber 1 and then the substrate 6 to be treated.
Is supplied to.
【0021】次に上記の如きに構成された高速回転CV
D装置を用いたシリコン酸化膜の形成方法について説明
する。まず、被処理基体6としてのシリコン基板をサセ
プタ5にセットした後、チャンバ1内をN2 で置換す
る。Next, a high speed rotating CV constructed as described above.
A method of forming a silicon oxide film using the D device will be described. First, after setting the silicon substrate as the substrate 6 to be processed on the susceptor 5, the inside of the chamber 1 is replaced with N 2 .
【0022】次に抵抗加熱ヒータ7によりシリコン基板
6を成膜温度800℃に加熱するとともに、シリコン基
板6を回転させる。この回転はシリコン基板6の外周の
周速が原料ガスの線速以上の高速回転であることが好ま
しい。Next, the resistance heater 7 heats the silicon substrate 6 to a film forming temperature of 800 ° C. and rotates the silicon substrate 6. This rotation is preferably a high-speed rotation in which the peripheral speed of the outer periphery of the silicon substrate 6 is higher than the linear speed of the raw material gas.
【0023】次にTEDSを20sccm、O2 を1s
1m(1slm=1000sccm)、N2 を10s1
mの流量でチャンバ1内に導入する。このとき、上記三
つのガスの全圧力は100Torrに設定する。Next, TEDS is 20 sccm and O 2 is 1 s.
1m (1slm = 1000sccm), N 2 for 10s1
It is introduced into the chamber 1 at a flow rate of m. At this time, the total pressure of the above three gases is set to 100 Torr.
【0024】このような成膜法により、シリコン基板6
上に面内の膜厚均一性が高く、段差被覆性に優れたシリ
コン酸化膜を高速に形成することができる。図2は、本
発明および従来の成膜方法に係る被処理基体(シリコン
基板)の回転数と成膜速度との関係を示す特性図であ
る。従来の成膜法は、原料ガスとしてTEOSを用い、
このTEOSの分圧を本発明の原料ガス(TEDS)の
分圧のそれと同じにした方法である。The silicon substrate 6 is formed by such a film forming method.
A silicon oxide film having high in-plane film thickness uniformity and excellent step coverage can be formed at a high speed. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the number of rotations of the substrate to be processed (silicon substrate) and the film forming rate according to the present invention and the conventional film forming method. The conventional film forming method uses TEOS as a source gas,
This is a method in which the TEOS partial pressure is the same as that of the source gas (TEDS) of the present invention.
【0025】図2から、原料ガスがTEOS(従来)の
場合には、回転数を上げると成膜速度が減少するのに対
し、原料ガスがTEDS(本発明)の場合には、回転数
を上げると成膜速度が増加することが分かる。From FIG. 2, when the source gas is TEOS (conventional), the film formation rate is decreased by increasing the rotation speed, whereas when the source gas is TEDS (the present invention), the rotation speed is changed. It can be seen that the film formation rate increases when the temperature is increased.
【0026】図3は、本発明および従来の成膜法に係る
被処理基体の回転数と段差被覆性との関係を示す特性図
である。従来の成膜法は、原料ガスとしてTEOSを用
い、このTEOSの分圧を本発明の原料ガス(TED
S)の分圧と同じにした方法である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the number of revolutions of the substrate to be processed and the step coverage according to the present invention and the conventional film forming method. In the conventional film forming method, TEOS is used as a raw material gas, and the partial pressure of the TEOS is used as the raw material gas (TED of the present invention).
This is the same method as the partial pressure of S).
【0027】なお、段差被覆性の評価は、ホール直径
0.5μm、深さ1μmのビアホールを有する被処理基
体上にシリコン酸化膜を形成し、そして、ビアホール外
の被処理基体の平坦部に形成されたシリコン酸化膜の膜
厚Aに対するビアホールの溝底部に形成されたシリコン
酸化膜の膜厚Bの百分率(100B/A)により行なっ
た。また、他の図の段差被覆性の評価(段差被覆率)に
ついても同様である。In order to evaluate the step coverage, a silicon oxide film is formed on a substrate to be processed having a via hole having a hole diameter of 0.5 μm and a depth of 1 μm, and is formed on a flat portion of the substrate to be processed outside the via hole. The thickness B of the formed silicon oxide film is compared with the thickness A of the silicon oxide film formed at the bottom of the groove of the via hole (100 B / A). The same applies to the evaluation of step coverage (step coverage) in other figures.
【0028】図3から、原料ガスがTEOS(従来)の
場合には、回転数を上げると段差被覆性が劣化するのに
対し、原料ガスがTEDS(本発明)の場合には、回転
数を上げると段差被覆性が改善されることが分かる。From FIG. 3, when the raw material gas is TEOS (conventional), the step coverage is deteriorated when the rotation speed is increased, whereas when the raw material gas is TEDS (the present invention), the rotation speed is changed. It can be seen that when the temperature is raised, the step coverage is improved.
【0029】図2、図3から、回転数を上げることによ
り、シリコン酸化膜の成膜速度および段差被覆性の両方
を同時に改善できることが分かる。回転数は、例えば、
500rpm以上、特に1000rpm以上が好まし
い。From FIGS. 2 and 3, it can be seen that by increasing the number of rotations, both the deposition rate of the silicon oxide film and the step coverage can be improved at the same time. The rotation speed is, for example,
500 rpm or more, particularly 1000 rpm or more is preferable.
【0030】図4は、成膜温度800℃での被処理基体
(6インチウェハ)の回転数と膜厚の面内分布との関係
を示す特性図である。図4から、回転数が0rpmの場
合、つまり、被処理基体を回転させない場合には、面内
膜厚の均一性が8%以上と高いのに対し、被処理基体を
回転させた場合には、回転数が1000rpmに増加す
るまでは面内膜厚均一性は高くなり、そして、1000
rpmを越えると緩やかに面内膜厚の均一性が高くなる
が、面内均一性の値自身は4%以下と低い。すなわち、
回転数が1000rpmのときに極小となる特性が得ら
れる。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the rotational speed of the substrate to be processed (6 inch wafer) and the in-plane distribution of the film thickness at the film forming temperature of 800 ° C. From FIG. 4, when the rotation speed is 0 rpm, that is, when the substrate to be processed is not rotated, the uniformity of the in-plane film thickness is as high as 8% or more, whereas when the substrate to be processed is rotated. , The in-plane film thickness uniformity increases until the rotation speed increases to 1000 rpm, and
When the rpm is exceeded, the uniformity of the in-plane film thickness gradually increases, but the in-plane uniformity value itself is as low as 4% or less. That is,
A characteristic that a minimum is obtained when the rotation speed is 1000 rpm.
【0031】図2、図3、図4から、回転数を適当なレ
ベルまで上げることにより、シリコン酸化膜の成膜速
度、段差被覆性および面内膜厚均一性の全てを同時に改
善できることが分かる。From FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4, it can be seen that by increasing the rotation speed to an appropriate level, the deposition rate of the silicon oxide film, the step coverage, and the in-plane film thickness uniformity can all be improved at the same time. .
【0032】なお、本実施例では、成膜時の圧力を10
0Torr、成膜時の温度を800℃に設定したが、成
膜条件はこれに限定されるものではない。例えば、成膜
時の圧力を変化させた場合でも、ガスの線速以上の速さ
で基板を回転することにより、上記成膜条件の場合と同
様の効果が得られることを確認した。In this embodiment, the pressure during film formation is set to 10
Although the film forming temperature was set to 0 Torr and 800 ° C., the film forming condition is not limited to this. For example, it was confirmed that even when the pressure during film formation was changed, by rotating the substrate at a speed equal to or higher than the linear velocity of gas, the same effect as in the case of the above film formation conditions was obtained.
【0033】また、成膜温度を変えた場合でも、対流を
防ぐ程度に回転数を上げることが実現できる領域が存在
することを確認した。さらに、キャリアガスとして、N
2 の変わりに、Ar、He等の他の不活性ガスを用いて
も良い。It was also confirmed that there is a region where the number of rotations can be increased to the extent that convection is prevented even when the film forming temperature is changed. Furthermore, as a carrier gas, N
Instead of 2 , another inert gas such as Ar or He may be used.
【0034】さらにまた、原料ガスとして、ヘキサメチ
ルジシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサンまたは1,3,5,7−
テトラメチルシクロテトラシロキサン等のようにSi−
O−Si結合を持つ化合物を用いても良い。Further, as source gas, hexamethyldisiloxane, hexamethoxydisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane or 1,3,5,7-
Si-like tetramethylcyclotetrasiloxane
A compound having an O-Si bond may be used.
【0035】次の本発明の創作のきっかけになった実験
結果等について説明する。本発明者等は、シリコン酸化
膜の原料ガスとしてTEOSを用いて高速回転CVD法
により、シリコン酸化膜の成膜を行なってみた。この実
験結果を図9、図10に示す。Next, the experimental results and the like that triggered the creation of the present invention will be described. The present inventors have tried to form a silicon oxide film by a high-speed rotation CVD method using TEOS as a source gas for the silicon oxide film. The results of this experiment are shown in FIGS.
【0036】図9は、各成膜温度(800℃、900
℃)における基板回転数と成膜速度との関係を示す特性
図である。図9から、成膜温度が800℃の場合には、
基板回転数を上げると成膜速度は遅くなり、一方、成膜
温度が900℃の場合には、基板回転数を上げると成膜
速度が速くなることが分かる。また、面内膜厚均一性
は、いずれの温度でも、回転数を上げることで改善する
ことが分かった。FIG. 9 shows the film forming temperatures (800 ° C., 900 ° C.).
FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship between the substrate rotation speed and the film formation rate at (° C.). From FIG. 9, when the film forming temperature is 800 ° C.,
It can be seen that when the substrate rotation speed is increased, the film formation rate becomes slower, while when the film formation temperature is 900 ° C., the film formation rate becomes faster when the substrate rotation speed is increased. It was also found that the in-plane film thickness uniformity was improved by increasing the rotation speed at any temperature.
【0037】図10は、各成膜温度(800℃、900
℃)における基板回転数と段差被覆性の関係を示す特性
図である。図10から、原料ガスとしてTEOSを用い
た場合には、段差被覆性はいずれの温度でも劣化するこ
とが分かる。FIG. 10 shows the film forming temperatures (800 ° C., 900 ° C.).
FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship between the substrate rotation speed and the step coverage at (° C.). From FIG. 10, it is understood that when TEOS is used as the source gas, the step coverage deteriorates at any temperature.
【0038】本発明者等は、このように原料ガスとして
TEOSを用いた場合に良好な段差被覆性が得られない
理由を以下のように考えている。すなわち、本発明者等
の研究によれば、TEOSを用いたシリコン酸化膜の成
膜の段差被覆性の良否は、TEOSが気相中で反応した
中間生成物の基板表面への吸着確率が関係していると考
えられる。The present inventors consider the reason why good step coverage cannot be obtained when TEOS is used as the source gas in this way. That is, according to the research conducted by the present inventors, whether or not the step coverage of the silicon oxide film formed by using TEOS is good or bad depends on the adsorption probability of the intermediate product reacted with TEOS in the gas phase on the substrate surface. it seems to do.
【0039】段差被覆性は付着確率が低いほど良くな
る。TEOSの場合、その熱分解過程は、まず、気相中
でシラノール基を持つ分子になり、それからさらにヘキ
サエトキシジシロキサン(以下、HMOSと記す)のよ
うな多量体に変わると考えられる。The step coverage is improved as the sticking probability decreases. In the case of TEOS, it is considered that its thermal decomposition process first becomes molecules having a silanol group in the gas phase and then further changes to a polymer such as hexaethoxydisiloxane (hereinafter referred to as HMOS).
【0040】そして、原料ガスとしてTEOSを用いた
高速回転CVD法の場合、シラノール基を持つ分子が反
応前駆体と考えられる。このシラノール基を持つ分子の
付着確率はHMOSに比べ4桁以上も大きいと考えられ
る。これは高速回転CVD法の場合、基板表面に存在す
る温度勾配を有する温度境界層等が薄くなり、TEOS
からHMOSまでの反応が起こり難くなるからだと考え
られる。Then, in the case of the high-speed rotation CVD method using TEOS as a raw material gas, a molecule having a silanol group is considered to be a reaction precursor. It is considered that the attachment probability of the molecule having this silanol group is four orders of magnitude or more higher than that of HMOS. This is because in the case of the high speed rotation CVD method, the temperature boundary layer having a temperature gradient existing on the substrate surface becomes thin, and TEOS
It is thought that it is difficult for the reaction from to HMOS to occur.
【0041】したがって、シリコン酸化膜の原料ガスと
して、TEOSを用いた高速回転CVD法の場合、主な
成膜に寄与する反応前駆体は付着確率の高いシラノール
基を持つ分子となり、これにより、段差被覆性が悪くな
ると考えられる。Therefore, in the case of the high-speed rotation CVD method using TEOS as the source gas for the silicon oxide film, the main reaction precursor contributing to film formation is a molecule having a silanol group with a high sticking probability, which causes a step difference. It is considered that the covering property is deteriorated.
【0042】一方、本発明の場合、シリコン酸化膜の原
料ガスとして、TEOSの重合度が進んだ構造に近いシ
リコン−酸素結合−シリコン結合を有し、吸着確率の低
い有機系化合物であるシロキサンを含む物質を用いてい
るため、気相成長が抑制されながら成膜が進むことによ
り、段差被覆性が改善すると考えられる。 (第2の実施例)ところで、上記考察によれば、TEO
Sの反応を制御して気相中で、吸着確率の低い中間生成
物のみを生成することによっても、段差被覆性を改善す
ることも可能なはずである。On the other hand, in the case of the present invention, siloxane, which is an organic compound having a silicon-oxygen bond-silicon bond having a structure close to that of TEOS having a high degree of polymerization and having a low adsorption probability, is used as a source gas for the silicon oxide film. It is considered that the step coverage is improved due to the progress of film formation while suppressing the vapor phase growth because the substance containing is used. (Second Embodiment) By the way, according to the above consideration, TEO
It should be possible to improve the step coverage by controlling the reaction of S to generate only an intermediate product having a low adsorption probability in the gas phase.
【0043】実際、本発明者等は、以下のような高速回
転CVD装置を用いることにより、原料ガスとしてTE
OSを用いた場合でも、段差被覆性に優れたシリコン酸
化膜を形成することができることを確認した。In fact, the inventors of the present invention used TE as a source gas by using the following high-speed rotation CVD apparatus.
It was confirmed that a silicon oxide film having excellent step coverage can be formed even when OS is used.
【0044】すなわち、高速回転CVD装置として、気
相中の原料ガス(TEOS)の流れを層流状態に保つこ
とができ、かつ原料のガス温度分布のみを変化させるこ
とができるものを用いた。具体的には、チャンバー周辺
に加熱機構が設けられた高速回転CVD装置を用いた。That is, as the high-speed rotary CVD apparatus, one capable of keeping the flow of the raw material gas (TEOS) in the vapor phase in a laminar state and changing only the gas temperature distribution of the raw material was used. Specifically, a high-speed rotation CVD apparatus provided with a heating mechanism around the chamber was used.
【0045】このような高速回転CVD装置によれば、
原料ガス(TEOS)が基板に到達するまでに受ける熱
量および時間を制御できるので、TEOSの重合反応を
最適に制御できる。According to such a high speed rotary CVD apparatus,
Since the amount of heat and the time that the source gas (TEOS) receives before reaching the substrate can be controlled, the TEOS polymerization reaction can be optimally controlled.
【0046】したがって、吸着確率の低い中間生成物の
みを生成することができ、段差被覆性に優れたシリコン
酸化膜を形成することができる。さらに、高速回転の利
点である成膜速度の向上、膜厚の面内均一性の向上も同
時に実現できる。Therefore, only an intermediate product having a low adsorption probability can be produced, and a silicon oxide film excellent in step coverage can be formed. Further, it is possible to simultaneously realize the improvement of the film formation speed, which is an advantage of the high speed rotation, and the improvement of the in-plane uniformity of the film thickness.
【0047】なお、TEOSの代わりに、後述する他の
有機系シリコン化合物を用いた場合も、その気相中での
反応を制御し、吸着確率の低い中間生成物のみを生成す
ることによって、段差被覆性を改善することができる。Even when another organic silicon compound described later is used instead of TEOS, the reaction in the gas phase is controlled, and only an intermediate product having a low adsorption probability is generated, so that the step The coatability can be improved.
【0048】図5は、上記知見に基づいた本発明の第2
の実施例に係る気相成長装置の概略構成を示す模式図で
ある。図中、11は石英製のチャンバを示しており、こ
のチャンバ11の上部には排気用ポンプ12が設けられ
ている。この排気用ポンプ12はチャンバ11内のガス
を排気するためのものである。FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention based on the above findings.
It is a schematic diagram which shows schematic structure of the vapor phase growth apparatus which concerns on the Example of this. In the figure, reference numeral 11 denotes a quartz chamber, and an exhaust pump 12 is provided above the chamber 11. The exhaust pump 12 is for exhausting the gas in the chamber 11.
【0049】また、チャンバ11内の上部には被処理基
体16を載置するためのサセプタ15が設けられてい
る。このサセプタ15は、モータ等の図示しない回転手
段により被処理基体16の中心を回転中心として回転さ
せることができるようになっている。さらに、サセプタ
15には被処理基体16をその裏面から加熱するための
抵抗加熱ヒータ17が設けられている。さらにまた、サ
セプタ15は、被処理基体16をフェースダウンで固定
するために、真空チャック構造を備えている。すなわ
ち、本実施例では、被処理基体16をフェースダウンで
固定することにより、熱対流の発生を抑制している。A susceptor 15 for mounting a substrate 16 to be processed is provided in the upper part of the chamber 11. The susceptor 15 can be rotated about the center of the substrate 16 to be processed by a rotating means (not shown) such as a motor. Further, the susceptor 15 is provided with a resistance heater 17 for heating the substrate 16 to be processed from its back surface. Furthermore, the susceptor 15 has a vacuum chuck structure for fixing the substrate 16 to be processed facedown. That is, in the present embodiment, the generation of thermal convection is suppressed by fixing the substrate 16 to be processed facedown.
【0050】一方、チャンバ11の下部にはガス供給配
管141 ,142 ,143 が設けられている。これら三
つのガス供給配管141 ,142 ,143 は、それぞ
れ、TEOS、O2 、N2 のガスをチャンバ11内に供
給するものであり、これらガスは、チャンバ11内の下
方にサセプタ15に対して設けられた整流板13の手前
で合流してから被処理基体16等に供給される。清流板
13の面積は被処理基体16の面積と同じがそれ以上、
例えば、被処理基体16の面積の2倍以下が操作性およ
びガス流特性の点で好ましい。On the other hand, gas supply pipes 14 1 , 14 2 and 14 3 are provided in the lower part of the chamber 11. These three gas supply pipes 14 1 , 14 2 and 14 3 respectively supply TEOS, O 2 and N 2 gases into the chamber 11, and these gases are provided below the susceptor 15 inside the chamber 11. Is supplied to the substrate 16 to be processed, etc. Although the area of the clear stream plate 13 is the same as the area of the substrate 16 to be processed,
For example, it is preferable that the area of the substrate 16 to be processed is twice or less in terms of operability and gas flow characteristics.
【0051】また、チャンバ11の側面外部には、チャ
ンバ11を囲むように、側面ヒータ18が設けられてい
る。この側面ヒータ28により、チャンバ11の内面を
所定の温度に加熱できるようになっている。A side heater 18 is provided outside the side surface of the chamber 11 so as to surround the chamber 11. The side heater 28 can heat the inner surface of the chamber 11 to a predetermined temperature.
【0052】次に上記の如きに構成された高速回転CV
D装置を用いたシリコン酸化膜の形成方法について説明
する。まず、被処理基体16としてのシリコン基板をサ
セプタ15にセットし、チャンバ11内をN2 ガスで置
換した後、側面ヒーター28によりチャンバ11の側面
を500〜900℃に加熱する。Next, the high speed rotation CV constructed as described above.
A method of forming a silicon oxide film using the D device will be described. First, a silicon substrate as the substrate 16 to be processed is set on the susceptor 15, the inside of the chamber 11 is replaced with N 2 gas, and then the side surface of the chamber 11 is heated to 500 to 900 ° C. by the side surface heater 28.
【0053】次に抵抗加熱ヒーター17によりシリコン
基板16を成膜温度650〜950℃程度に加熱すると
ともに、シリコン基板16を0〜2000rpmで回転
させる。Next, the resistance heating heater 17 heats the silicon substrate 16 to a film forming temperature of about 650 to 950 ° C. and rotates the silicon substrate 16 at 0 to 2000 rpm.
【0054】次に原料ガスとしてTEOSを20scc
m、O2 を1s1m、N2 を10s1mの流量でチャン
バ11内に導入する。このとき、上記三つのガスの全圧
力が100Torrとなるようにする。Next, 20 sccc of TEOS is used as a source gas.
m and O 2 are introduced into the chamber 11 at a flow rate of 1 s1 m and N 2 at a flow rate of 10 s1 m. At this time, the total pressure of the above three gases is set to 100 Torr.
【0055】このような成膜法により、シリコン基板1
6上に面内の膜厚均一性が高く、段差被覆性に優れたシ
リコン酸化膜を高速に形成することができる。図6は、
側面ヒーター18の温度と段差被覆性との関係を示す特
性図である。これは抵抗加熱ヒーター17によりシリコ
ン基板16の表面温度を800℃に設定し、さらに、シ
リコン基板16を1000rpmで回転させた場合のも
のである。The silicon substrate 1 is formed by such a film forming method.
It is possible to form a silicon oxide film having high in-plane film thickness uniformity and excellent step coverage on the film 6 at high speed. FIG.
It is a characteristic view which shows the relationship between the temperature of the side heater 18 and the step coverage. This is a case where the surface temperature of the silicon substrate 16 is set to 800 ° C. by the resistance heater 17 and the silicon substrate 16 is rotated at 1000 rpm.
【0056】図6から、側壁ヒーター17によりチャン
バ11の側壁を加熱しない場合、つまり、従来法の場合
には、段差被覆性率は75%と低いことが分かる。ま
た、ヒーター温度が500〜750℃の範囲の場合に
は、温度が高いほど段差被覆率は高いことが分かる。そ
して、800℃近傍で95%以上のピーク値が得られ、
800℃近傍を越えると、段差被覆性率は低下すること
が分かる。なお、成膜速度は、側面ヒーター17の温度
に関係なく、30nm/minという大きい値が得られ
た。From FIG. 6, it is understood that when the side wall heater 17 does not heat the side wall of the chamber 11, that is, in the case of the conventional method, the step coverage is as low as 75%. Further, it can be seen that when the heater temperature is in the range of 500 to 750 ° C., the higher the temperature is, the higher the step coverage is. And, a peak value of 95% or more is obtained near 800 ° C,
It can be seen that when the temperature exceeds about 800 ° C., the step coverage is lowered. The film formation rate was as large as 30 nm / min regardless of the temperature of the side heater 17.
【0057】このような実験結果が得られたのは、側面
ヒーター28により、吸着確率の低いTEOSの中間生
成物が生じやすい温度にチャンバ11が加熱されたから
だと考えられる。なお、側面ヒーター28の温度は、基
板温度より低い方がおおむね段差被覆性が良い結果が得
られた。It is considered that the experimental results were obtained because the side heater 28 heated the chamber 11 to a temperature at which an intermediate product of TEOS having a low adsorption probability was likely to be produced. In addition, when the temperature of the side heater 28 is lower than the substrate temperature, the result that the step coverage is generally good was obtained.
【0058】図7は、シリコン基板16の回転数と段差
被覆性との関係を示す特性図である。これは抵抗加熱ヒ
ーター17によりシリコン基板16の表面温度を800
℃に設定し、側面ヒーター17の温度を750℃に設定
した場合のものである。FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the rotation speed of the silicon substrate 16 and the step coverage. The surface temperature of the silicon substrate 16 is set to 800 by the resistance heater 17.
This is the case where the temperature of the side heater 17 is set to 750 ° C. and the temperature of the side heater 17 is set to 750 ° C.
【0059】図7から、回転数0〜1000rpmの範
囲においては、回転数が高いほど段差被覆性率が高くな
り、回転数1000rpmを越えると、回転数が高いほ
ど段差被覆性率が低下することが分かる。500〜20
00rpmの回転数の場合には特に好ましい段差被覆性
が得られることが分かる。From FIG. 7, in the rotation speed range of 0 to 1000 rpm, the higher the rotation speed, the higher the step coverage ratio, and when the rotation speed exceeds 1000 rpm, the higher the rotation speed, the lower the step coverage ratio. I understand. 500-20
It can be seen that particularly preferable step coverage is obtained when the rotation speed is 00 rpm.
【0060】このような実験結果は次のように説明でき
る。すなわち、回転数が低すぎる場合には、乱流状態で
気相中でTEOSと重合物が混在して基板に到達するの
で、段差被覆性が劣化すると考えられる。一方、回転数
が高すぎるの場合には、基板の回転によるガス引き込み
量が大きくなり、乱流が発生するので、段差被覆性が劣
化する場合があると考えられる。The results of such an experiment can be explained as follows. That is, when the rotation speed is too low, TEOS and the polymer are mixed in the gas phase in the turbulent state to reach the substrate, and it is considered that the step coverage is deteriorated. On the other hand, if the rotation speed is too high, the amount of gas drawn by the rotation of the substrate increases, and turbulent flow occurs, which may deteriorate the step coverage.
【0061】なお、本実施例では、原料ガスとしてTE
OSを用いたが、他の原料ガス、例えば、テトラメトキ
シシラン、テトラプロポキシシラン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−
ジメチルジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサン、フロロトリエ
トキシシラン、フロロトリメトキシシラン、フロロトリ
イソプロポキシシラン等の有機系シリコン化合物を用い
ても、本実施例と同様に、高成膜速度、高段差被覆性、
高面内膜厚均一性を実現できる。In this embodiment, TE is used as the source gas.
Although OS was used, other source gases such as tetramethoxysilane, tetrapropoxysilane, hexamethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-
Dimethyldisiloxane, hexaethoxydisiloxane,
Octamethylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7
-Using an organic silicon compound such as tetramethylcyclotetrasiloxane, fluorotriethoxysilane, fluorotrimethoxysilane, and fluorotriisopropoxysilane, a high film formation rate, high step coverage, as in the present embodiment.
High in-plane film thickness uniformity can be realized.
【0062】また、フロロトリエトキシシラン、フロロ
トリメトキシシランまたはフロロトリイソプロポキシシ
ランとH2 Oを用いた場合でも、回転数を上げることに
より、高成膜速度、高段差被覆性、高面内膜厚均一性を
実現できる。Even when fluorotriethoxysilane, fluorotrimethoxysilane or fluorotriisopropoxysilane and H 2 O are used, by increasing the rotation speed, a high film formation rate, high step coverage, and high in-plane coverage can be obtained. Uniformity of film thickness can be realized.
【0063】さらに、TEOS/O3 を用いた場合で
も、回転数を上げることにより、同様に、高成膜速度、
高段差被覆性、高面内膜厚均一性を実現できる。なお、
本実施例ではTEOSを用いたが、第1の実施例と同様
に、TEDSおよびそれに同等なガス(シロキサンを含
む物質のガス)を用いても、高成膜速度、高段差被覆
性、高面内膜厚均一性を実現できる。 (第3の実施例)図8は、本発明の第3の実施例に係る
高速回転CVD装置の概略構成を示す模式図である。な
お、図5の高速回転CVD装置と対応する部分には図5
と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。Further, even when TEOS / O 3 is used, by increasing the number of rotations, similarly, a high film forming rate,
High step coverage and high in-plane film thickness uniformity can be realized. In addition,
Although TEOS is used in the present embodiment, similar to the first embodiment, even if TEDS and a gas (a gas containing a siloxane-containing substance) similar to TEDS are used, a high film formation rate, a high step coverage, and a high surface area can be obtained. Uniform inner film thickness can be realized. (Third Embodiment) FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic structure of a high speed rotation CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention. The portion corresponding to the high-speed rotation CVD apparatus of FIG.
Are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be omitted.
【0064】本実施例の高速回転CVD装置が第2の実
施例のそれと異なる点は、チャンバ11内にN2 等のパ
ージガスを流しながら、原料ガスを流すことができるこ
とにある。これを実現するために、本実施例の高速回転
CVD装置では、チャンバ11の下部の側壁に、パージ
ガスを導入するための専用の配管であるパージ配管19
が設けられている。The high-speed rotation CVD apparatus of this embodiment is different from that of the second embodiment in that the source gas can be made to flow while the purge gas such as N 2 is being made to flow into the chamber 11. In order to realize this, in the high speed rotation CVD apparatus of the present embodiment, the purge pipe 19 that is a dedicated pipe for introducing the purge gas is provided on the lower side wall of the chamber 11.
Is provided.
【0065】さらに、このパージ配管19から供給され
るパージガスと原料ガスとが、チャンバ11の下部で混
合しないように、チャンバ11の下部には仕切り板20
が設けられている。これにより、原料ガスはチャンバ1
1の下部の中央部から供給され、パージガスはチャンバ
11の下部の周辺部から導入される。Further, the partition plate 20 is provided below the chamber 11 so that the purge gas supplied from the purge pipe 19 and the source gas are not mixed in the lower portion of the chamber 11.
Is provided. As a result, the source gas is supplied to the chamber 1
1, the purge gas is supplied from the central portion of the lower portion of the chamber 1, and the purge gas is introduced from the peripheral portion of the lower portion of the chamber 11.
【0066】パージガスの流速は原料ガスの流速と同程
度とする。このとき、シリコン基板料16がパージガ
ス、原料ガス等の導入ガスより速い周速で回転していれ
ば、パージガスおよび原料ガスは層流状態でシリコン基
板16まで到達するので、チャンバ11の内壁へ原料ガ
スが到達しにくくなり、該内壁における原料ガスの消費
量がわずかとなり、パーティクルが少なくなる。したが
って、内壁の洗浄回数を少なくでき、装置の使用効率を
改善できるようになる。 (第4の実施例)図11は、本発明の第4の実施例に係
る高速回転CVD装置の概略構成を示す模式図である。
また、図12は同装置を内部上方から見た平面図であ
る。The flow velocity of the purge gas is approximately the same as the flow velocity of the source gas. At this time, if the silicon substrate material 16 rotates at a peripheral speed faster than the introduced gas such as the purge gas and the raw material gas, the purge gas and the raw material gas reach the silicon substrate 16 in a laminar state, so that the raw material is supplied to the inner wall of the chamber 11. It becomes difficult for the gas to reach, the consumption of the raw material gas on the inner wall becomes small, and particles are reduced. Therefore, the number of times of cleaning the inner wall can be reduced, and the efficiency of use of the device can be improved. (Fourth Embodiment) FIG. 11 is a schematic view showing the schematic arrangement of a high speed rotation CVD apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a plan view of the same device as seen from above inside.
【0067】この高速回転CVD装置は、大きく分け
て、ロードロック室32と、このロードロック室32と
ゲートバルブ39を介して繋がった成膜室であるチャン
バ33とにより構成されている。ロードロック室32お
よびチャンバ33の底部は図示しない排気用ポンプに繋
がっている。This high-speed rotary CVD apparatus is roughly divided into a load lock chamber 32 and a chamber 33 which is a film formation chamber connected to the load lock chamber 32 via a gate valve 39. The bottoms of the load lock chamber 32 and the chamber 33 are connected to an exhaust pump (not shown).
【0068】チャンバ33の底部には被処理基体31を
載置するためのサセプタ35が設けられている。このサ
セプタ35はモータ38により被処理基体31の中心を
回転中心として回転できるようになっている。さらに、
サセプタ35には被処理基体31をその裏面から加熱す
るのための抵抗加熱ヒータ34が設けられている。A susceptor 35 for mounting the substrate 31 to be processed is provided at the bottom of the chamber 33. The susceptor 35 can be rotated about the center of the substrate 31 to be processed by a motor 38. further,
The susceptor 35 is provided with a resistance heater 34 for heating the substrate 31 to be processed from its back surface.
【0069】一方、チャンバ33の上部には、窒素ガス
(パージガス)および酸素ガス(原料ガス)を導入し、
ノズルが多数の孔であるガス導入用多孔板36が設けら
れている。On the other hand, nitrogen gas (purge gas) and oxygen gas (raw material gas) are introduced into the upper portion of the chamber 33,
A perforated plate 36 for gas introduction having a large number of nozzles is provided.
【0070】また、ガス導入用多孔板36と被処理基体
31の間には、原料ガスを導入し、ノズルが線状の線状
ノズル37が設けられている。この線状ノズル37は、
被処理基体31に対してほぼ平行な関係(平行な関係を
含む)に配置されている。A linear nozzle 37 for introducing a raw material gas and having a linear nozzle is provided between the gas introducing porous plate 36 and the substrate 31 to be treated. This linear nozzle 37
It is arranged in a substantially parallel relationship (including a parallel relationship) with the substrate 31 to be processed.
【0071】ガス導入用多孔板36は、図12示すよう
に、円形状の被処理基体31の全面を完全に覆う大きさ
の円形状の多孔板である。また、線状ノズル37は、図
12示すように、被処理基体31の回転中心を通り、か
つ被処理基体31の直径より大きい長さの線状のノズル
である。As shown in FIG. 12, the gas-introducing porous plate 36 is a circular porous plate having a size that completely covers the entire surface of the circular substrate 31 to be processed. Further, as shown in FIG. 12, the linear nozzle 37 is a linear nozzle that passes through the rotation center of the substrate 31 to be processed and has a length larger than the diameter of the substrate 31 to be processed.
【0072】さらに、線状ノズル37は、抵抗加熱ヒー
タ34により、またはチャンバ33の外部に設けられた
図示しない加熱手段により、所定の温度に加熱されるよ
うになっている。Further, the linear nozzle 37 is heated to a predetermined temperature by the resistance heater 34 or a heating means (not shown) provided outside the chamber 33.
【0073】次に上記の如きに構成された高速回転CV
D装置を用いたシリコン酸化膜の形成方法について説明
する。まず、被処理基体33としてのシリコン基板をロ
ードロック室32を通してチャンバ33の内部に導入
し、次いでシリコン基板33をサセプター35上に保持
する。Next, the high speed rotation CV constructed as described above.
A method of forming a silicon oxide film using the D device will be described. First, a silicon substrate as the substrate 33 to be processed is introduced into the chamber 33 through the load lock chamber 32, and then the silicon substrate 33 is held on the susceptor 35.
【0074】次にガス導入用多孔板36から窒素ガスお
よび酸素ガスを約20slm導入するとともに、サセプ
タ35を約1000rpmの速度で回転させる。窒素ガ
スおよび酸素ガスはガス導入用多孔板36により混合さ
れて、シリコン基板33に供給される。Next, about 20 slm of nitrogen gas and oxygen gas are introduced from the porous plate 36 for introducing gas, and the susceptor 35 is rotated at a speed of about 1000 rpm. The nitrogen gas and the oxygen gas are mixed by the gas introducing porous plate 36 and supplied to the silicon substrate 33.
【0075】次に抵抗加熱ヒータ34によりシリコン基
板31を約700℃に昇温する。このとき、チャンバ3
3およびガス導入用多孔板36の温度は室温とする。次
に線状ノズル371を約150℃に加熱した状態で、線
状ノズル37からTEOSガスを約100sccm導入
する。Next, the resistance heater 34 raises the temperature of the silicon substrate 31 to about 700.degree. At this time, chamber 3
The temperature of 3 and the porous plate 36 for introducing gas is room temperature. Next, with the linear nozzle 371 heated to about 150 ° C., TEOS gas is introduced from the linear nozzle 37 at about 100 sccm.
【0076】このように線状ノズル37を加熱した状態
でTEOSガスを供給すれば、蒸気圧の低いガスである
TEOSガスが線状ノズル37の内部で凝縮することが
なくなるので、シリコン基板31にTEOSガスを均一
に供給することができるようになる。If the TEOS gas is supplied while the linear nozzle 37 is heated in this manner, the TEOS gas having a low vapor pressure will not condense inside the linear nozzle 37, so that the silicon substrate 31 will not be condensed. It becomes possible to supply the TEOS gas uniformly.
【0077】図13には、本実施例の方法で得られたシ
リコン酸化膜(SiO2 )の8インチ基板面内での膜厚
分布が従来の方法のそれと比較して示されている。従来
の方法では、原料ガスの凝縮が生じるため、均一なガス
供給が不可能となり、膜厚の均一性が著しく低いと同時
に、十分な成膜速度が得られない。FIG. 13 shows the film thickness distribution of the silicon oxide film (SiO 2 ) obtained by the method of this embodiment in the plane of the 8-inch substrate in comparison with that of the conventional method. In the conventional method, since the raw material gas is condensed, it is impossible to uniformly supply the gas, the uniformity of the film thickness is extremely low, and at the same time, a sufficient film formation rate cannot be obtained.
【0078】一方、本実施例の方法の場合、面内におけ
るばらつきは5%以下と極めて小さく、均一性の高い成
膜が実現できる。さらに、従来の方法の10倍以上の高
速堆積が可能となることが分かった。On the other hand, in the case of the method of the present embodiment, the in-plane variation is as small as 5% or less, and a highly uniform film formation can be realized. Furthermore, it has been found that high-speed deposition of 10 times or more as compared with the conventional method is possible.
【0079】また、本実施例の方法において、被処理基
体(シリコン基板)を回転させずに実験を行なったとこ
ろ、線状ノズルの位置に対応して膜厚むらが発生し、正
確な膜厚制御が不可能であることが分かった。Further, in the method of this embodiment, an experiment was conducted without rotating the substrate to be processed (silicon substrate). As a result, film thickness unevenness occurred corresponding to the position of the linear nozzle, and the accurate film thickness was obtained. It turned out to be out of control.
【0080】被処理基体の回転数は、100rpm以上
の場合に良好な膜堆積が可能となりはじめ、特に500
rpm以上の場合には、高速成膜速度と高面内膜厚均一
性を両立させることができた。逆に、低速回転の場合に
は、十分な成膜速度を得ることが困難であることが分か
った。なお、回転数の上限は10000rpmであるこ
とが好ましい。When the rotation speed of the substrate to be treated is 100 rpm or more, good film deposition can be started, and particularly 500 is possible.
In the case of rpm or more, it was possible to achieve both a high film formation rate and a high in-plane film thickness uniformity. On the other hand, it has been found that it is difficult to obtain a sufficient film formation speed when the rotation speed is low. The upper limit of the rotation speed is preferably 10,000 rpm.
【0081】なお、本実施例では、被処理基体の直径よ
り大きい長さの線状のノズルを用いたが、図15(a)
に示すように、被処理基体31の半径と同程度の長さの
線状ノズル37aを用いても、高速成膜速度、高面内膜
厚均一性の成膜を行なえることを確認した。なお、線状
ノズル37aは被処理基体31の半径と同程度の長さで
なくても、回転中心軸の延長線上に少なくとも一部が接
するように配置されていれば良い。In this example, a linear nozzle having a length larger than the diameter of the substrate to be processed was used.
As shown in FIG. 5, it was confirmed that even if the linear nozzle 37a having the same length as the radius of the substrate 31 to be processed is used, the film can be formed at a high film forming speed and a high in-plane film thickness uniformity. The linear nozzle 37a does not have to have the same length as the radius of the substrate 31 to be processed, but may be disposed so that at least a part thereof is in contact with the extension line of the rotation center axis.
【0082】この場合、図14に示すように、被処理基
体の回転数が特に700回転以上のときに良好な面内膜
厚均一性が得られることが分かった。これは回転数を上
げ、被処理基体に平行な流速を大きくすることで、線状
ノズルが回転軸に対して非対称な設置になった影響を排
除できたためと考えられる。また、図14から、さらに
回転数を上げることにより、成膜速度、面内膜厚均一性
の両方を改善できることが分かる。In this case, as shown in FIG. 14, it was found that good in-plane film thickness uniformity can be obtained especially when the number of revolutions of the substrate to be treated is 700 revolutions or more. It is considered that this is because the influence of the linear nozzle being asymmetrical with respect to the rotation axis can be eliminated by increasing the rotation speed and increasing the flow velocity parallel to the substrate to be processed. Further, it can be seen from FIG. 14 that both the film formation rate and the in-plane film thickness uniformity can be improved by further increasing the rotation speed.
【0083】また、図15(b)に示すように、複数の
線状ノズル37bを回転中心軸から放射状に設置し、2
種類以上のガスを独立に供給するようにしても良い。な
お、複数の線状ノズル37bは放射状でなくても、回転
中心軸に対して対称に設置されていれば良い。Further, as shown in FIG. 15 (b), a plurality of linear nozzles 37b are installed radially from the central axis of rotation, and
More than one kind of gas may be supplied independently. It should be noted that the plurality of linear nozzles 37b need not be radial and may be installed symmetrically with respect to the rotation center axis.
【0084】このような線状ノズル37bを用いても上
述した線状ノズル37a,37bと同様な効果が得られ
る。さらに、線状ノイズ内における原料ガス(反応性ガ
ス)同士の気相中での反応を抑制でき、ノズルのつまり
や、ごみの発生がなくなるという効果も得られる。Even if such a linear nozzle 37b is used, the same effect as that of the above-described linear nozzles 37a and 37b can be obtained. Furthermore, the reaction of the raw material gases (reactive gases) in the linear noise in the gas phase can be suppressed, and the effect of eliminating clogging of the nozzle and generation of dust can be obtained.
【0085】例えば、六弗化タングステン(WF6 )ガ
スとシラン(SiH4 )ガスとの各ガスを各々独立の線
状ノズルから供給するとともに、水素(H2 )ガスをガ
ス導入用多孔板から供給することにより、被処理基体上
にタングステン(W)膜を形成する際に、線状ガス中で
のタングステンシリサイド(WSix)の発生を防止で
き、ノズルのつまりやごみの発生がなくなる。For example, each gas of tungsten hexafluoride (WF 6 ) gas and silane (SiH 4 ) gas is supplied from an independent linear nozzle, and hydrogen (H 2 ) gas is supplied from a gas introducing porous plate. By supplying, it is possible to prevent the generation of tungsten silicide (WSix) in the linear gas when forming the tungsten (W) film on the substrate to be processed, and to prevent clogging of the nozzle and generation of dust.
【0086】なお、これまで原料ガスを独立に供給し、
気相(ノズル)中での反応を抑制する手段として、WF
6 ガスとSiH4 ガスを交互に配置されたノズルから供
給する試みが報告されている。しかし、この場合、基板
面内の均一性を出すために、基板上全面に複雑な交互ノ
ズルを設置する必要があり、しかも、熱対流の影響を排
除することが不可能なため、本実施例のような効果は得
られなかった。 (第5の実施例)第4の実施例では、絶縁膜であるシリ
コン酸化膜の成膜について説明したが、本発明は、導電
膜、例えば、ボロンドープ多結晶シリコン膜の成膜にも
適用できる。成膜装置は第4の実施例と同様の高速回転
CVD装置を用いるが、導入するガスが異なる。Up to now, the source gases have been supplied independently,
As a means for suppressing the reaction in the gas phase (nozzle), WF
An attempt to supply 6 gas and SiH 4 gas from nozzles arranged alternately has been reported. However, in this case, in order to obtain uniformity in the surface of the substrate, it is necessary to install complicated alternate nozzles on the entire surface of the substrate, and it is impossible to eliminate the influence of thermal convection. No such effect was obtained. (Fifth Embodiment) In the fourth embodiment, the film formation of the silicon oxide film which is the insulating film has been described, but the present invention can also be applied to the film formation of a conductive film, for example, a boron-doped polycrystalline silicon film. . As the film forming apparatus, a high-speed rotation CVD apparatus similar to that of the fourth embodiment is used, but the introduced gas is different.
【0087】すなわち、ガス導入用多孔板36から、S
iH4 ガスおよびH2 ガスを導入するとともに、線状ノ
ズルからジボラン(B2 H6 )ガスを導入して、ボロン
ドープ多結晶シリコン膜を形成する。That is, from the gas introducing porous plate 36, S
While introducing iH 4 gas and H 2 gas, diborane (B 2 H 6 ) gas is introduced from a linear nozzle to form a boron-doped polycrystalline silicon film.
【0088】このとき、SiH4 ガスの流量は例えば5
00sccmとし、H2 ガスの流量は例えば20slm
とし、チャンバ内のSiH4 ガスとH2 ガスとの混合ガ
ス圧力を100Torrとする。また、B2 H6 ガスの
流量は例えば100sccmとする。そして、基板温度
は例えば600℃とし、基板回転数は例えば1000r
pmとする。At this time, the flow rate of the SiH 4 gas is, for example, 5
The flow rate of the H 2 gas is, for example, 20 slm.
And the mixed gas pressure of SiH 4 gas and H 2 gas in the chamber is 100 Torr. The flow rate of B 2 H 6 gas is, eg, 100 sccm. The substrate temperature is, for example, 600 ° C., and the substrate rotation speed is, for example, 1000 r.
pm.
【0089】このような成膜法によれば、ボロンドープ
多結晶シリコン膜の比抵抗の面内均一性を5%以内に抑
えられた。すなわち、ボロンドープ多結晶シリコン膜中
のボロン濃度の面内均一性は十分に高かった。さらに、
ボロンドープ多結晶シリコン膜の膜厚の面内均一性も十
分に高かった。According to such a film forming method, the in-plane uniformity of the resistivity of the boron-doped polycrystalline silicon film can be suppressed within 5%. That is, the in-plane uniformity of boron concentration in the boron-doped polycrystalline silicon film was sufficiently high. further,
The in-plane uniformity of the thickness of the boron-doped polycrystalline silicon film was also sufficiently high.
【0090】一方、従来の成膜法(線状ノズルが無く、
ガス導入用多孔板から全てのガスを導入する高速CVD
装置による成膜法)の場合、ボロンドープ多結晶シリコ
ン膜中のボロン濃度は、ガス導入用多孔板のノズル(ガ
スが噴出する多孔)の位置に対応した濃度分布が生じる
ことを確認した。同様に、ボロンドープ多結晶シリコン
膜の膜厚も、ガス導入用多孔板のノズルの位置に対応し
た膜厚のばらつきが生じることを確認した。これらのこ
とは、ガス導入用多孔板だけでは、基板表面に到着する
ボロンを含んだ原料ガスに濃度分布が生じることを意味
している。On the other hand, the conventional film forming method (without the linear nozzle,
High-speed CVD that introduces all gases from the perforated plate for gas introduction
It was confirmed that the boron concentration in the boron-doped polycrystalline silicon film has a concentration distribution corresponding to the position of the nozzle (the porous hole from which the gas is ejected) of the porous plate for introducing gas. Similarly, it was confirmed that the film thickness of the boron-doped polycrystalline silicon film also varies depending on the position of the nozzle of the porous plate for gas introduction. These means that the gas introduction porous plate alone produces a concentration distribution in the source gas containing boron that reaches the substrate surface.
【0091】なお、第4、第5の実施例では、成膜の場
合について説明したが、ガス導入用多孔板、線状ノズル
からエッチング用ガス等を導入することにより、エッチ
ングに容易に適用できる。In the fourth and fifth embodiments, the case of film formation has been described, but it can be easily applied to etching by introducing the etching gas or the like from the gas introducing porous plate or the linear nozzle. .
【0092】また、線状ノズルを付加したことが特徴で
ある第4、第5の実施例の高速回転CVD装置と、原料
ガスに特徴がある第1〜第3の実施例とを適宜組み合わ
せても良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。Further, the high-speed rotary CVD apparatus of the fourth and fifth embodiments, which is characterized by adding a linear nozzle, and the first to third embodiments, which are characterized by the raw material gas, are appropriately combined. Is also good. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、被
処理基体上にシリコン酸化膜を気相成長法により形成す
る際に、シリコン酸化膜の原料ガスとしてシロキサンを
含む物質のガスを用い、かつ成膜時に前記被処理基体を
回転させることにより、被処理基体上に膜厚均一性およ
び段差被覆性に優れたシリコン酸化膜を高速に形成でき
るようになる。As described in detail above, according to the present invention, when a silicon oxide film is formed on a substrate to be processed by a vapor phase growth method, a gas of a substance containing siloxane is used as a source gas for the silicon oxide film. By rotating the substrate to be processed during film formation, a silicon oxide film having excellent film thickness uniformity and step coverage can be formed on the substrate to be processed at high speed.
【図1】本発明の第1の実施例に係る高速回転CVD装
置の概略構成を示す模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a high-speed rotation CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】被処理基体の回転数と成膜速度との関係を示す
特性図FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between the number of rotations of a substrate to be processed and a film forming speed.
【図3】被処理基体の回転数と段差被覆性との関係を示
す特性図FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the number of revolutions of the substrate to be processed and the step coverage.
【図4】被処理基体の回転数と膜厚の面内分布との関係
を示す特性図FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the rotational speed of the substrate to be processed and the in-plane distribution of film thickness.
【図5】本発明の第2の実施例に係る気相成長装置の概
略構成を示す模式図FIG. 5 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a vapor phase growth apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図6】温度と段差被覆性との関係を示す特性図FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between temperature and step coverage.
【図7】被処理基体の回転数と段差被覆性との関係を示
す特性図FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the number of rotations of the substrate to be processed and the step coverage.
【図8】本発明の第3の実施例に係る高速回転CVD装
置の概略構成を示す模式図FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a high speed rotation CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図9】基板回転数と成膜速度と成膜温度との関係を示
す特性図FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship among the substrate rotation speed, the film formation rate, and the film formation temperature.
【図10】基板回転数と段差被覆性と成膜温度との関係
を示す特性図FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the substrate rotation speed, step coverage and film formation temperature.
【図11】本発明の第4の実施例に係る高速回転CVD
装置の概略構成を示す模式図FIG. 11 is a high-speed rotation CVD according to a fourth embodiment of the present invention.
Schematic diagram showing the schematic configuration of the device
【図12】図11の高速回転CVD装置の内部上方から
見た平面図FIG. 12 is a plan view of the high-speed rotation CVD apparatus of FIG. 11 seen from above inside.
【図13】中心からの距離と膜厚ばらつきとの関係を示
す特性図FIG. 13 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance from the center and the film thickness variation.
【図14】回転数と面内ばらつきと堆積速度との関係を
示す特性図FIG. 14 is a characteristic diagram showing the relationship between the rotation speed, the in-plane variation, and the deposition rate.
【図15】他の線状ノズルの例を示す図FIG. 15 is a diagram showing an example of another linear nozzle.
【符号の説明】 1…チャンバ 2…排気用ポンプ 31 〜34 …ガス供給配管 4…整流板 5…サセプタ 6…被処理基体(シリコン基板) 7…抵抗加熱ヒータ 11…チャンバ 12…排気用ポンプ 13…整流板 141 〜143 …ガス供給配管 15…サセプタ 16…被処理基体(シリコン基板) 17…抵抗加熱ヒータ 18…側面ヒータ 19…パージ配管 20…仕切り板 31…被処理基体(シリコン基板) 32…ロードロック室 33…チャンバ 34…抵抗加熱ヒータ 35…サセプタ 36…ガス導入用多孔板 37,37a,37b…線状ノズル 38…モータ[Explanation of Codes] 1 ... Chamber 2 ... Exhaust Pump 3 1 to 3 4 ... Gas Supply Pipe 4 ... Rectifier Plate 5 ... Susceptor 6 ... Substrate (Si Substrate) 7 ... Resistance Heater 11 ... Chamber 12 ... Exhaust Pump 13 ... Rectifier plate 14 1 to 14 3 ... Gas supply pipe 15 ... Susceptor 16 ... Substrate (silicon substrate) 17 ... Resistance heating heater 18 ... Side heater 19 ... Purge pipe 20 ... Partition plate 31 ... Substrate (silicon) Substrate) 32 ... Load lock chamber 33 ... Chamber 34 ... Resistance heater 35 ... Susceptor 36 ... Gas introduction perforated plate 37, 37a, 37b ... Linear nozzle 38 ... Motor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 國島 巌 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Iwao Kunishima 1 Komukai Toshiba-cho, Kouki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Corporate Research & Development Center
Claims (3)
法により形成する際に、前記シリコン酸化膜の原料ガス
としてシロキサンを含む物質のガスを用い、かつ前記シ
リコン酸化膜の形成時に前記被処理基体を回転させるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。1. When forming a silicon oxide film on a substrate to be processed by a vapor phase epitaxy method, a gas of a substance containing siloxane is used as a source gas of the silicon oxide film, and at the time of forming the silicon oxide film. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising rotating a substrate to be processed.
の外周の周速が前記原料ガスの線速以上の回転であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the rotation of the substrate to be processed is such that the peripheral speed of the outer periphery of the substrate to be processed is equal to or higher than the linear velocity of the raw material gas. .
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチ
ルジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサンまたは1,3,5,7−
テトラメチルシクロテトラシロキサンのガスであること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装
置の製造方法。3. The raw material gas is hexamethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, hexaethoxydisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane or 1,3,5. , 7-
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas is tetramethylcyclotetrasiloxane.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5724995A JPH08255792A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5724995A JPH08255792A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255792A true JPH08255792A (en) | 1996-10-01 |
Family
ID=13050262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5724995A Pending JPH08255792A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08255792A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0843348A2 (en) * | 1996-11-13 | 1998-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor substrate |
US6464825B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus including a magnetically levitated and rotated substrate holder |
US6780476B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-08-24 | Renesas Technology Corp. | Method of forming a film using chemical vapor deposition |
JP2008218734A (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nuflare Technology Inc | Vapor phase growth method and apparatus |
US20080311753A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Applied Materials, Inc. | Oxygen sacvd to form sacrifical oxide liners in substrate gaps |
JP2009071017A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Nuflare Technology Inc | Apparatus and method for vapor phase deposition |
JP2010219125A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | Film forming device |
CN101906664A (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 株式会社电装 | The manufacturing installation of single-crystal silicon carbide |
CN113496869A (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 重庆超硅半导体有限公司 | Back film layer of silicon wafer for epitaxial substrate and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP5724995A patent/JPH08255792A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0843348A2 (en) * | 1996-11-13 | 1998-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor substrate |
EP0843348A3 (en) * | 1996-11-13 | 1998-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor substrate |
US6114216A (en) * | 1996-11-13 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for shallow trench isolation |
US6464825B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus including a magnetically levitated and rotated substrate holder |
US6780476B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-08-24 | Renesas Technology Corp. | Method of forming a film using chemical vapor deposition |
JP2008218734A (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nuflare Technology Inc | Vapor phase growth method and apparatus |
US20080311753A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Applied Materials, Inc. | Oxygen sacvd to form sacrifical oxide liners in substrate gaps |
JP2010534924A (en) * | 2007-06-15 | 2010-11-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Oxygen SACVD to form a sacrificial oxide liner in the substrate gap |
CN102203921A (en) * | 2007-06-15 | 2011-09-28 | 应用材料股份有限公司 | Oxygen sacvd to form sacrificial oxide liners in substrate gaps |
JP2009071017A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Nuflare Technology Inc | Apparatus and method for vapor phase deposition |
JP2010219125A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | Film forming device |
CN101906664A (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 株式会社电装 | The manufacturing installation of single-crystal silicon carbide |
CN113496869A (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 重庆超硅半导体有限公司 | Back film layer of silicon wafer for epitaxial substrate and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102182996B1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
JP3167100B2 (en) | Use of SiH4 soak and purge in deposition process | |
US8119544B2 (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
US8178448B2 (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
US20030215570A1 (en) | Deposition of silicon nitride | |
US8410003B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and substrate processing apparatus | |
JP5886381B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, program, and recording medium | |
KR101995135B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program | |
KR100294566B1 (en) | Method of chemically depositing a tungsten or tungsten compound film on a patterned wafer substrate | |
US20220301898A1 (en) | Substrate processing apparatus, plurality of electrodes and method of manufacturing semiconductor device | |
US9196476B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium | |
JPH0677150A (en) | Deposition method of ozone/teos silicon oxide film with reduced surface susceptibility | |
JPH09503623A (en) | Method for chemical vapor deposition of titanium nitride film at low temperature | |
KR20180030384A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program | |
US11923193B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US10796934B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and electrode fixing part | |
JPH1187270A (en) | Method and device for improving film deposition uniformity on substrate | |
US10774421B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and recording medium | |
US20160138161A1 (en) | Radical assisted cure of dielectric films | |
WO2019044013A1 (en) | Protection plate, substrate treatment device, and method for manufacturing semiconductor device | |
KR20180053242A (en) | Film forming device and film forming method | |
JP3297288B2 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
JPH08255792A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH0786173A (en) | Film deposition | |
WO2018163399A1 (en) | Substrate treatment device, method for manufacturing semiconductor device, and program |