JPH08255312A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH08255312A JPH08255312A JP5901195A JP5901195A JPH08255312A JP H08255312 A JPH08255312 A JP H08255312A JP 5901195 A JP5901195 A JP 5901195A JP 5901195 A JP5901195 A JP 5901195A JP H08255312 A JPH08255312 A JP H08255312A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】磁気ヘッドの先端面に露出し、磁気記録媒体か
らの信号磁界を磁気抵抗効果素子に導くフラックスガイ
ドを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関し、再生出力
を低下させずに磁気ヘッド先端部の微細化を図るととも
に、再生出力やＳ／Ｎ比の更なる向上を図る。 【構成】長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方
向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子１０３と、
センス領域ＳＡを挟んで磁気抵抗効果素子１０３の長手
方向の両端部に接触する一対の引出し電極と、先端部の
縁から幅ａの範囲で磁気抵抗効果素子１０３と重なって
いる矩形状の前磁束導体１０２ａと、後端部の縁から幅
ｂの範囲で磁気抵抗効果素子１０３と重なっている矩形
状の後磁束導体１０２ｂとを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが
０．４以上、０．６以下の範囲にある。
らの信号磁界を磁気抵抗効果素子に導くフラックスガイ
ドを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関し、再生出力
を低下させずに磁気ヘッド先端部の微細化を図るととも
に、再生出力やＳ／Ｎ比の更なる向上を図る。 【構成】長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方
向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子１０３と、
センス領域ＳＡを挟んで磁気抵抗効果素子１０３の長手
方向の両端部に接触する一対の引出し電極と、先端部の
縁から幅ａの範囲で磁気抵抗効果素子１０３と重なって
いる矩形状の前磁束導体１０２ａと、後端部の縁から幅
ｂの範囲で磁気抵抗効果素子１０３と重なっている矩形
状の後磁束導体１０２ｂとを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが
０．４以上、０．６以下の範囲にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関し、より詳しくは、磁気ヘッドの先端面に露出
し、磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果素子に
導くフラックスガイド（磁束導体）を有する磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（以下、ＦＧＭＲヘッドと称する。）に
関する。
ッドに関し、より詳しくは、磁気ヘッドの先端面に露出
し、磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果素子に
導くフラックスガイド（磁束導体）を有する磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（以下、ＦＧＭＲヘッドと称する。）に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置の大
容量化に伴い、これに用いられる磁気記録再生装置の磁
気ヘッドの高性能化が要望されている。このため、記録
媒体の移動速度に依存せず、小径ディスクに対しても利
用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと称する。）が注目されている。
容量化に伴い、これに用いられる磁気記録再生装置の磁
気ヘッドの高性能化が要望されている。このため、記録
媒体の移動速度に依存せず、小径ディスクに対しても利
用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと称する。）が注目されている。
【０００３】このようなＭＲヘッドのうち、特に、磁気
抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）がギャップ
内に納められて磁気ヘッドの先端面に露出しないＦＧＭ
Ｒヘッドが注目されている。ＦＧＭＲヘッドの主なもの
として、上下磁極１，５間にＭＲ素子３とコイル４が挟
まれた図８（ａ）に示すインギャップタイプと、磁気シ
ールド１２と磁極１２とが共用され、上下磁気シールド
１１，１２間にＭＲ素子３が配置されるとともに、上下
磁極１２，１４間にコイル１３が配置された図８（ｂ）
に示す共用タイプがある。
抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）がギャップ
内に納められて磁気ヘッドの先端面に露出しないＦＧＭ
Ｒヘッドが注目されている。ＦＧＭＲヘッドの主なもの
として、上下磁極１，５間にＭＲ素子３とコイル４が挟
まれた図８（ａ）に示すインギャップタイプと、磁気シ
ールド１２と磁極１２とが共用され、上下磁気シールド
１１，１２間にＭＲ素子３が配置されるとともに、上下
磁極１２，１４間にコイル１３が配置された図８（ｂ）
に示す共用タイプがある。
【０００４】ＦＧＭＲヘッドでは、図８（ａ），
（ｂ），図９（ａ），（ｂ）に示すように、磁気記録媒
体７と対面する磁気ヘッドの先端面６に前フラックスガ
イド（前磁束導体）２ａの先端部が露出するとともに、
前フラックスガイド２ａの後端部がＭＲ素子３の長手方
向に沿う先端部と重なっている。この前フラックスガイ
ド２ａは、電気的に絶縁されるとともに、ＭＲ素子３と
磁気的に結合されて磁気記録媒体７からの信号磁界を拾
い、ＭＲ素子３に導く。更に、ＭＲ素子３の後端部に重
なってＭＲ素子３と磁気的に結合された後フラックスガ
イド（後磁束導体）２ｂが形成され、できるだけ多くの
信号磁束がＭＲ素子３を通過するようにしている。ＭＲ
素子３を通過する信号磁束によりＭＲ素子３の磁気抵抗
が変化するので、ＭＲ素子３のセンス領域ＳＡを挟んで
その両端部に接触する引出し電極８ａ，８ｂを介してセ
ンス電流Ｉｓを導き、磁気抵抗の変化を電圧の変化とし
て検出する。
（ｂ），図９（ａ），（ｂ）に示すように、磁気記録媒
体７と対面する磁気ヘッドの先端面６に前フラックスガ
イド（前磁束導体）２ａの先端部が露出するとともに、
前フラックスガイド２ａの後端部がＭＲ素子３の長手方
向に沿う先端部と重なっている。この前フラックスガイ
ド２ａは、電気的に絶縁されるとともに、ＭＲ素子３と
磁気的に結合されて磁気記録媒体７からの信号磁界を拾
い、ＭＲ素子３に導く。更に、ＭＲ素子３の後端部に重
なってＭＲ素子３と磁気的に結合された後フラックスガ
イド（後磁束導体）２ｂが形成され、できるだけ多くの
信号磁束がＭＲ素子３を通過するようにしている。ＭＲ
素子３を通過する信号磁束によりＭＲ素子３の磁気抵抗
が変化するので、ＭＲ素子３のセンス領域ＳＡを挟んで
その両端部に接触する引出し電極８ａ，８ｂを介してセ
ンス電流Ｉｓを導き、磁気抵抗の変化を電圧の変化とし
て検出する。
【０００５】このように、ＦＧＭＲヘッドでは、ＭＲ素
子３が磁気ヘッドの先端面６に露出せず、フラックスガ
イド２ａ，２ｂとＭＲ素子３が電気的に絶縁されている
ため、磁気ヘッドの先端面６を磁気記録媒体７に接触す
るくらい近づけることが出来る。このため、感度向上を
図ることができ、磁気記録媒体７の一記録領域の微細化
を図ることが可能となる。
子３が磁気ヘッドの先端面６に露出せず、フラックスガ
イド２ａ，２ｂとＭＲ素子３が電気的に絶縁されている
ため、磁気ヘッドの先端面６を磁気記録媒体７に接触す
るくらい近づけることが出来る。このため、感度向上を
図ることができ、磁気記録媒体７の一記録領域の微細化
を図ることが可能となる。
【０００６】また、両タイプともに、図９（ａ）に示す
ように、ＭＲ素子３及びフラックスガイド２ａ，２ｂは
アスペクト比が大きな矩形形状を有している。これによ
り、ＭＲ素子３、フラックスガイド２ａ，２ｂの長手方
向に大きな磁気異方性が付与されるため、これらの単磁
区化が図られ、磁壁移動に伴うノイズが抑制される。
ように、ＭＲ素子３及びフラックスガイド２ａ，２ｂは
アスペクト比が大きな矩形形状を有している。これによ
り、ＭＲ素子３、フラックスガイド２ａ，２ｂの長手方
向に大きな磁気異方性が付与されるため、これらの単磁
区化が図られ、磁壁移動に伴うノイズが抑制される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記録媒
体の更なる高密度化に伴い、上記の構造で、再生出力を
低下させないようにするためには、磁気ヘッド先端面６
からＭＲ素子３までの距離を凡そ１μｍ以内に保つ必要
がある。しかしながら、ＭＲ素子３上に磁気シールド１
１，１２，又は磁極１，５を重ねて形成する際、この距
離を維持するように、引出し電極８ａ，８ｂの先端部と
磁気シールド１１，１２又は磁極１，５の先端部との間
の位置合わせをしようとすると、位置合わせ精度のばら
つきの範囲で、引出し電極８ａ，８ｂの先端部が磁気ヘ
ッドの先端面６に露出してしまうことがある。このた
め、磁気ヘッドの先端面６を磁気記録媒体７に接触する
くらい近づけた場合、引出し電極８ａ，８ｂと磁気記録
媒体７とが接触し、ショートしてしまうという問題があ
る。
体の更なる高密度化に伴い、上記の構造で、再生出力を
低下させないようにするためには、磁気ヘッド先端面６
からＭＲ素子３までの距離を凡そ１μｍ以内に保つ必要
がある。しかしながら、ＭＲ素子３上に磁気シールド１
１，１２，又は磁極１，５を重ねて形成する際、この距
離を維持するように、引出し電極８ａ，８ｂの先端部と
磁気シールド１１，１２又は磁極１，５の先端部との間
の位置合わせをしようとすると、位置合わせ精度のばら
つきの範囲で、引出し電極８ａ，８ｂの先端部が磁気ヘ
ッドの先端面６に露出してしまうことがある。このた
め、磁気ヘッドの先端面６を磁気記録媒体７に接触する
くらい近づけた場合、引出し電極８ａ，８ｂと磁気記録
媒体７とが接触し、ショートしてしまうという問題があ
る。
【０００８】また、ＭＲ素子３上に重ねて形成されるフ
ラックスガイド２ａ，２ｂは形状異方性による単磁区化
が図られているものの、なお磁壁が生じ、磁壁移動に伴
うノイズの原因になるという問題がある。更に、再生出
力の一層の向上を図るため、ＭＲ素子３やフラックスガ
イド２ａ，２ｂの形状や寸法を最適化する必要がある。
ラックスガイド２ａ，２ｂは形状異方性による単磁区化
が図られているものの、なお磁壁が生じ、磁壁移動に伴
うノイズの原因になるという問題がある。更に、再生出
力の一層の向上を図るため、ＭＲ素子３やフラックスガ
イド２ａ，２ｂの形状や寸法を最適化する必要がある。
【０００９】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、再生出力を低下させずに磁気ヘ
ッド先端部の微細化を図るとともに、再生出力やＳ／Ｎ
比の更なる向上を図ることが可能な磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
創作されたものであり、再生出力を低下させずに磁気ヘ
ッド先端部の微細化を図るとともに、再生出力やＳ／Ｎ
比の更なる向上を図ることが可能な磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、長
手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方向に幅ｈを
有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス領域を挟ん
で前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部に接触する
一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅ａの範囲で
前記磁気抵抗効果素子と重なっている矩形状の前磁束導
体と、前記後端部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効
果素子と重なっている矩形状の後磁束導体とを備え、
（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の範囲にある
ことを特徴とする磁気ヘッドによって達成され、第２
に、長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方向に
幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス領域
を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部に接
触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅ａの
範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記短手方向に
幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前記後端部の
縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前
記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁束導体とを
備え、ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が７μｍ以
上あることを特徴とする磁気ヘッドによって達成され、
第３に、長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方
向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス
領域を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部
に接触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅
ａの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記短手方
向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前記後端
部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重な
り、前記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁束導
体とを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下
の範囲にあり、かつｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−
ｂ）が７μｍ以上あることを特徴とする磁気ヘッドによ
って達成され、第４に、前記前磁束導体と前記磁気抵抗
効果素子との重なり幅ａと前記後磁束導体と前記磁気抵
抗効果素子との重なり幅ｂとが等しくなっていることを
特徴とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載の磁気
ヘッドによって達成され、第５に、前記引出し電極は前
記磁気抵抗効果素子の先端部の縁面にその先端部の縁面
が揃っていることを特徴とする第１乃至第４の発明のい
ずれかに記載の磁気ヘッドによって達成され、第６に、
前記磁気抵抗効果素子及び前記引出し電極の前記先端部
の縁面はテーパ形状となっていることを特徴とする第５
の発明に記載の磁気ヘッドによって達成され、第７に、
前記後磁束導体は、前記センス領域及びその延長領域を
除き、前記引出し電極の上にあることを特徴とする第１
乃至第６の発明のいずれかに記載の磁気ヘッドによって
達成される。
手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方向に幅ｈを
有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス領域を挟ん
で前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部に接触する
一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅ａの範囲で
前記磁気抵抗効果素子と重なっている矩形状の前磁束導
体と、前記後端部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効
果素子と重なっている矩形状の後磁束導体とを備え、
（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の範囲にある
ことを特徴とする磁気ヘッドによって達成され、第２
に、長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方向に
幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス領域
を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部に接
触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅ａの
範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記短手方向に
幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前記後端部の
縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前
記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁束導体とを
備え、ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が７μｍ以
上あることを特徴とする磁気ヘッドによって達成され、
第３に、長手方向に沿う先端部と後端部を有し、短手方
向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、センス
領域を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の両端部
に接触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁から幅
ａの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記短手方
向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前記後端
部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重な
り、前記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁束導
体とを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下
の範囲にあり、かつｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−
ｂ）が７μｍ以上あることを特徴とする磁気ヘッドによ
って達成され、第４に、前記前磁束導体と前記磁気抵抗
効果素子との重なり幅ａと前記後磁束導体と前記磁気抵
抗効果素子との重なり幅ｂとが等しくなっていることを
特徴とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載の磁気
ヘッドによって達成され、第５に、前記引出し電極は前
記磁気抵抗効果素子の先端部の縁面にその先端部の縁面
が揃っていることを特徴とする第１乃至第４の発明のい
ずれかに記載の磁気ヘッドによって達成され、第６に、
前記磁気抵抗効果素子及び前記引出し電極の前記先端部
の縁面はテーパ形状となっていることを特徴とする第５
の発明に記載の磁気ヘッドによって達成され、第７に、
前記後磁束導体は、前記センス領域及びその延長領域を
除き、前記引出し電極の上にあることを特徴とする第１
乃至第６の発明のいずれかに記載の磁気ヘッドによって
達成される。
【００１１】
【作用】本発明の磁気ヘッドにおいては、矩形状の磁気
抵抗効果素子の短手方向の幅ｈと、磁気抵抗効果素子の
長手方向に沿う先端部と前磁束導体との重なり幅ａと、
磁気抵抗効果素子の長手方向に沿う後端部と後磁束導体
の重なり幅ｂとの間に、 ０．４≦（ａ＋ｂ）／ｈ≦０．６ の関係がある。実験によれば、上記の関係を満たすこと
により、抵抗変化Δρ、従ってΔρに比例する再生出力
が大きくなることを見いだした。
抵抗効果素子の短手方向の幅ｈと、磁気抵抗効果素子の
長手方向に沿う先端部と前磁束導体との重なり幅ａと、
磁気抵抗効果素子の長手方向に沿う後端部と後磁束導体
の重なり幅ｂとの間に、 ０．４≦（ａ＋ｂ）／ｈ≦０．６ の関係がある。実験によれば、上記の関係を満たすこと
により、抵抗変化Δρ、従ってΔρに比例する再生出力
が大きくなることを見いだした。
【００１２】また、磁気抵抗効果素子本体の短手方向の
幅ｈと、磁気抵抗効果素子の先端部と前磁束導体との重
なり幅ａと、前記短手方向の前磁束導体の幅ｈｆｆと、
磁気抵抗効果素子の後端部と後磁束導体の重なり幅ｂ
と、前記短手方向の後磁束導体の幅ｈｆｂとを有する磁
気ヘッドにおいて、前及び後磁束導体を含めたＭＲ素子
の短手方向の幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が
７μｍ以上ある。実験によれば、上記の関係を満たすこ
とにより、Δρが大きくなることを見いだした。
幅ｈと、磁気抵抗効果素子の先端部と前磁束導体との重
なり幅ａと、前記短手方向の前磁束導体の幅ｈｆｆと、
磁気抵抗効果素子の後端部と後磁束導体の重なり幅ｂ
と、前記短手方向の後磁束導体の幅ｈｆｂとを有する磁
気ヘッドにおいて、前及び後磁束導体を含めたＭＲ素子
の短手方向の幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が
７μｍ以上ある。実験によれば、上記の関係を満たすこ
とにより、Δρが大きくなることを見いだした。
【００１３】更に、上記の両方をともに満たすようにす
る、即ち、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の
範囲にあり、かつｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）
が７μｍ以上あるようにすることにより、Δρが更に向
上する。特に、上記でａ＝ｂのときが、Δρが最も大き
くなる。また、上記の構成に加え、引出し電極の先端部
の縁面と磁気抵抗効果素子本体の先端部の縁面とが揃
い、或いは後磁束導体がセンス領域及びその延長領域を
除き引出し電極の上に載っているので、引出し電極及び
磁気抵抗効果素子本体の上に重なる前及び後磁束導体の
段差の数を減らすことが出来る。これにより、段差の箇
所に形成されやすい磁壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の
向上を更に図ることが可能となる。特に、磁気抵抗効果
素子及び引出し電極の先端部の縁面をテーパ形状とする
ことにより、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一
層抑制される。
る、即ち、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の
範囲にあり、かつｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）
が７μｍ以上あるようにすることにより、Δρが更に向
上する。特に、上記でａ＝ｂのときが、Δρが最も大き
くなる。また、上記の構成に加え、引出し電極の先端部
の縁面と磁気抵抗効果素子本体の先端部の縁面とが揃
い、或いは後磁束導体がセンス領域及びその延長領域を
除き引出し電極の上に載っているので、引出し電極及び
磁気抵抗効果素子本体の上に重なる前及び後磁束導体の
段差の数を減らすことが出来る。これにより、段差の箇
所に形成されやすい磁壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の
向上を更に図ることが可能となる。特に、磁気抵抗効果
素子及び引出し電極の先端部の縁面をテーパ形状とする
ことにより、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一
層抑制される。
【００１４】更に、引出し電極の先端部の縁面と磁気抵
抗効果素子の先端部の縁面とが揃っているので、磁気ヘ
ッドの先端面から磁気抵抗効果素子本体までの距離を短
くしたいような場合でも、パターニング時の位置合わせ
余裕が増し、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体の先端
が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を減らすことが
可能となる。また、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体
の先端部が明確になるので、位置合わせが容易になり、
位置合わせ精度の向上をはかることができる。これによ
り、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体の先端が磁気ヘ
ッドの先端面に露出する危険性を一層減らすことが可能
となる。
抗効果素子の先端部の縁面とが揃っているので、磁気ヘ
ッドの先端面から磁気抵抗効果素子本体までの距離を短
くしたいような場合でも、パターニング時の位置合わせ
余裕が増し、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体の先端
が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を減らすことが
可能となる。また、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体
の先端部が明確になるので、位置合わせが容易になり、
位置合わせ精度の向上をはかることができる。これによ
り、引出し電極や磁気抵抗効果素子本体の先端が磁気ヘ
ッドの先端面に露出する危険性を一層減らすことが可能
となる。
【００１５】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ素
子を有する磁気ヘッドの説明 図１は、本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの再生部の詳細を示す断面図で
ある。例えば図８（ｂ）に示すような共用型磁気ヘッド
の再生部（Ａ部）に相当する。
ついて説明する。 （１）本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ素
子を有する磁気ヘッドの説明 図１は、本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ
素子を有する磁気ヘッドの再生部の詳細を示す断面図で
ある。例えば図８（ｂ）に示すような共用型磁気ヘッド
の再生部（Ａ部）に相当する。
【００１６】更に、図６（ｄ）は、上記磁気ヘッドのう
ち、ＭＲ素子１０３及びフラックスガイド１０２ａ，１
０２ｂが形成された部分の詳細を示す平面図であり、図
７（ｄ）は、図６（ｄ）のII-II 線断面図である。ま
た、図１は図６（ｄ）のIII-III 線断面に相当する。図
１において、１０３は長手方向に沿う先端部と後端部を
有し、短手方向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）である。ＭＲ素子１０３は軟磁性体であ
る膜厚約２００ÅのＮｉＦｅ膜からなる。ＭＲ素子１０
３には図６（ｄ）に示すように、センス領域ＳＡを挟ん
でＭＲ素子１０３の長手方向の両端部に接触する一対の
引出し電極１０８ａ，１０８ｂが形成されている。引出
し電極１０８ａ，１０８ｂの先端部の縁面とＭＲ素子１
０３の先端部の縁面は揃っており、更に、テーパ形状を
有している。
ち、ＭＲ素子１０３及びフラックスガイド１０２ａ，１
０２ｂが形成された部分の詳細を示す平面図であり、図
７（ｄ）は、図６（ｄ）のII-II 線断面図である。ま
た、図１は図６（ｄ）のIII-III 線断面に相当する。図
１において、１０３は長手方向に沿う先端部と後端部を
有し、短手方向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）である。ＭＲ素子１０３は軟磁性体であ
る膜厚約２００ÅのＮｉＦｅ膜からなる。ＭＲ素子１０
３には図６（ｄ）に示すように、センス領域ＳＡを挟ん
でＭＲ素子１０３の長手方向の両端部に接触する一対の
引出し電極１０８ａ，１０８ｂが形成されている。引出
し電極１０８ａ，１０８ｂの先端部の縁面とＭＲ素子１
０３の先端部の縁面は揃っており、更に、テーパ形状を
有している。
【００１７】なお、ＭＲ素子１０３として、図２に示す
ように、ＮｉＦｅからなる軟磁性層１２４の裏面にＴａ
等からなる非磁性導電層１２３を介してNiFeCrやNiFeRh
等からなるＳＡＬ層（Soft Adjacent Layer ）１２２が
形成されたＭＲ素子１０３を用いることも可能である。
なお、上記ＭＲ素子１０３は磁気シールド等を被覆する
絶縁層１２１上に形成されている。
ように、ＮｉＦｅからなる軟磁性層１２４の裏面にＴａ
等からなる非磁性導電層１２３を介してNiFeCrやNiFeRh
等からなるＳＡＬ層（Soft Adjacent Layer ）１２２が
形成されたＭＲ素子１０３を用いることも可能である。
なお、上記ＭＲ素子１０３は磁気シールド等を被覆する
絶縁層１２１上に形成されている。
【００１８】１０２ａはＭＲ素子１０３の長手方向と一
致する方向に幅１５０μｍを有し、ＭＲ素子１０３の短
手方向と一致する方向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前フ
ラックスガイド（前磁束導体）である。前フラックスガ
イド１０２ａは、軟磁性体である膜厚約５００ÅのＮｉ
Ｆｅ膜からなる。前フラックスガイド１０２ａの先端部
は磁気ヘッドの先端面１０６に露出して磁気記録媒体１
０７と対面し、前フラックスガイド１０２ａの後端部
は、ＭＲ素子１０３の先端部の縁から幅ａの範囲で不図
示の絶縁層を介在させてＭＲ素子１０３と重なり、ＭＲ
素子１０３と磁気的に結合している。
致する方向に幅１５０μｍを有し、ＭＲ素子１０３の短
手方向と一致する方向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前フ
ラックスガイド（前磁束導体）である。前フラックスガ
イド１０２ａは、軟磁性体である膜厚約５００ÅのＮｉ
Ｆｅ膜からなる。前フラックスガイド１０２ａの先端部
は磁気ヘッドの先端面１０６に露出して磁気記録媒体１
０７と対面し、前フラックスガイド１０２ａの後端部
は、ＭＲ素子１０３の先端部の縁から幅ａの範囲で不図
示の絶縁層を介在させてＭＲ素子１０３と重なり、ＭＲ
素子１０３と磁気的に結合している。
【００１９】１０２ｂは、ＭＲ素子１０３の長手方向と
一致する方向に幅１５０μｍを有し、ＭＲ素子１０３の
短手方向と一致する方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後
フラックスガイド（後磁束導体）である。後フラックス
ガイド１０２ｂの先端部は、ＭＲ素子１０３の後端部の
縁から幅ｂの範囲で不図示の絶縁層を介在させてＭＲ素
子１０３と重なり、ＭＲ素子１０３と磁気的に結合して
いる。後フラックスガイド１０２ｂの後端部はギャップ
の更に奥の方に延在している。後フラックスガイド１０
２ｂはセンス領域ＳＡ及びその延長領域を除き、引出し
電極１０８ａ，１０８ｂの上にすべて載っている。
一致する方向に幅１５０μｍを有し、ＭＲ素子１０３の
短手方向と一致する方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後
フラックスガイド（後磁束導体）である。後フラックス
ガイド１０２ｂの先端部は、ＭＲ素子１０３の後端部の
縁から幅ｂの範囲で不図示の絶縁層を介在させてＭＲ素
子１０３と重なり、ＭＲ素子１０３と磁気的に結合して
いる。後フラックスガイド１０２ｂの後端部はギャップ
の更に奥の方に延在している。後フラックスガイド１０
２ｂはセンス領域ＳＡ及びその延長領域を除き、引出し
電極１０８ａ，１０８ｂの上にすべて載っている。
【００２０】上記のＭＲ素子１０３を有する磁気ヘッド
では、ＭＲ素子１０３を通過する信号磁束によりＭＲ素
子１０３の磁気抵抗ρが変化するので、ＭＲ素子１０３
のセンス領域ＳＡを挟んでその両端部に接触する引出し
電極１０８ａ，１０８ｂを介してセンス電流Ｉｓを導
き、磁気抵抗の変化Δρを電圧の変化として検出する。
次に、上記の磁気ヘッドのうち、ＭＲ素子１０３及びフ
ラックスガイド１０２ａ，１０２ｂの形成方法について
図６（ａ）〜（ｄ）及び図７（ａ）〜（ｄ）を参照しな
がら説明する。
では、ＭＲ素子１０３を通過する信号磁束によりＭＲ素
子１０３の磁気抵抗ρが変化するので、ＭＲ素子１０３
のセンス領域ＳＡを挟んでその両端部に接触する引出し
電極１０８ａ，１０８ｂを介してセンス電流Ｉｓを導
き、磁気抵抗の変化Δρを電圧の変化として検出する。
次に、上記の磁気ヘッドのうち、ＭＲ素子１０３及びフ
ラックスガイド１０２ａ，１０２ｂの形成方法について
図６（ａ）〜（ｄ）及び図７（ａ）〜（ｄ）を参照しな
がら説明する。
【００２１】まず、絶縁体基板上にＮｉＦｅ膜をスパッ
タ等により形成してパターニングし、図８（ｂ）に示す
下部の磁気シールド１１１を形成する。続いて、磁気シ
ールド１１１を被覆して絶縁層１２１を形成した後、図
６（ａ）に示すように、絶縁層１２１上にＮｉＦｅ膜を
スパッタ等により形成してパターニングし、矩形状のＭ
Ｒ素子１０３を形成する。
タ等により形成してパターニングし、図８（ｂ）に示す
下部の磁気シールド１１１を形成する。続いて、磁気シ
ールド１１１を被覆して絶縁層１２１を形成した後、図
６（ａ）に示すように、絶縁層１２１上にＮｉＦｅ膜を
スパッタ等により形成してパターニングし、矩形状のＭ
Ｒ素子１０３を形成する。
【００２２】次いで、Ａｕ膜或いはＣｕ膜を形成した
後、図６（ｂ）に示すように、パターニングし、センス
領域ＳＡを挟んでＭＲ素子１０３の長手方向の両端部と
接触し、ＭＲ素子１０３の長手方向に沿う先端部を越え
て延在する引出し電極１０８ａ，１０８ｂを形成する。
これらの引出し電極１０８ａ，１０８ｂとＭＲ素子１０
３は次工程でエッチングにより整形される。
後、図６（ｂ）に示すように、パターニングし、センス
領域ＳＡを挟んでＭＲ素子１０３の長手方向の両端部と
接触し、ＭＲ素子１０３の長手方向に沿う先端部を越え
て延在する引出し電極１０８ａ，１０８ｂを形成する。
これらの引出し電極１０８ａ，１０８ｂとＭＲ素子１０
３は次工程でエッチングにより整形される。
【００２３】引出し電極１０８ａ，１０８ｂとＭＲ素子
１０３を被覆してレジスト膜を形成した後、露光し、現
像してレジストマスク１２６を形成する。このとき、図
７（ａ）に示すように、レジストマスク１２６の縁面は
ほぼ垂直に切り立っている。続いて、温度１１０〜１４
０℃で加熱処理を行うことにより、図７（ｂ）に示すよ
うに、レジストマスク１２６の縁面にテーパを付ける。
１０３を被覆してレジスト膜を形成した後、露光し、現
像してレジストマスク１２６を形成する。このとき、図
７（ａ）に示すように、レジストマスク１２６の縁面は
ほぼ垂直に切り立っている。続いて、温度１１０〜１４
０℃で加熱処理を行うことにより、図７（ｂ）に示すよ
うに、レジストマスク１２６の縁面にテーパを付ける。
【００２４】次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト
マスク１２６に基づいて、Ａｒのプラズマガスを用いた
ドライエッチングにより、引出し電極１０８ａ，１０８
ｂと、ＭＲ素子１０３の先端部を連続してエッチングす
る。このとき、図７（ｃ）に示すように、Ａｒのプラズ
マガスによりレジストマスク１２６も同時にエッチング
されるため、形成された引出し電極１０８ａ，１０８ｂ
及びＭＲ素子１０３の先端部の縁は揃い、かつ先端部の
縁面はレジストマスク１２６のテーパ形状と一致したテ
ーパ形状を有することになる。
マスク１２６に基づいて、Ａｒのプラズマガスを用いた
ドライエッチングにより、引出し電極１０８ａ，１０８
ｂと、ＭＲ素子１０３の先端部を連続してエッチングす
る。このとき、図７（ｃ）に示すように、Ａｒのプラズ
マガスによりレジストマスク１２６も同時にエッチング
されるため、形成された引出し電極１０８ａ，１０８ｂ
及びＭＲ素子１０３の先端部の縁は揃い、かつ先端部の
縁面はレジストマスク１２６のテーパ形状と一致したテ
ーパ形状を有することになる。
【００２５】次に、図６（ｄ）及び図７（ｄ）に示すよ
うに、ＭＲ素子１０３を被覆して絶縁層を形成した後、
絶縁層上にＮｉＦｅ膜をスパッタ等により形成してパタ
ーニングし、前フラックスガイド１０２ａ及び後フラッ
クスガイド１０２ｂを形成する。その後、前フラックス
ガイド１０２ａ及び後フラックスガイド１０２ｂを被覆
して絶縁層を形成した後、絶縁層上にＮｉＦｅ膜をスパ
ッタ等により形成してパターニングし、上部の磁気シー
ルド１１２を形成すると、図８（ｂ）のＭＲヘッドのＡ
部に相当する再生部が作成される。なお、その後所定の
工程を経て再生部Ａ上に記録部Ｂが形成される。
うに、ＭＲ素子１０３を被覆して絶縁層を形成した後、
絶縁層上にＮｉＦｅ膜をスパッタ等により形成してパタ
ーニングし、前フラックスガイド１０２ａ及び後フラッ
クスガイド１０２ｂを形成する。その後、前フラックス
ガイド１０２ａ及び後フラックスガイド１０２ｂを被覆
して絶縁層を形成した後、絶縁層上にＮｉＦｅ膜をスパ
ッタ等により形成してパターニングし、上部の磁気シー
ルド１１２を形成すると、図８（ｂ）のＭＲヘッドのＡ
部に相当する再生部が作成される。なお、その後所定の
工程を経て再生部Ａ上に記録部Ｂが形成される。
【００２６】次に、上記ＭＲヘッドの抵抗変化Δρにつ
いて調査した結果を説明する。調査においてａ，ｂ，
ｈ，ｈｆｆ，ｈｆｂを種々変化させた磁気ヘッドを作成
し、各々についてΔρを取得した。なお、他のＭＲヘッ
ドの条件として、ＭＲ素子厚さｔｍ＝０．０１５μｍ，
前フラックスガイド厚さｔｆｆ＝後フラックスガイド厚
さｔｆｂ＝０．０５μｍ，磁気シールド厚さｔｓｕ＝ｔ
ｓｌ＝２μｍ，ギャップ幅Ｇ１＝Ｇ２＝Ｇ３＝０．１μ
ｍに設定し、ＭＲ素子１０３にセルフバイアスによりバ
イアス磁化が付与される。また、磁気記録媒体１０７の
条件として、ｔ・Ｂｒ＝１６８Ｇμｍ，磁化遷移幅＝
０．０６μｍに設定し、動作条件としてスペーシング＝
０．０８μｍに設定した。なお、ｔは磁気記録媒体１０
７の記録層の厚さを表し、Ｂｒは前記記録層の残留磁束
を表す。
いて調査した結果を説明する。調査においてａ，ｂ，
ｈ，ｈｆｆ，ｈｆｂを種々変化させた磁気ヘッドを作成
し、各々についてΔρを取得した。なお、他のＭＲヘッ
ドの条件として、ＭＲ素子厚さｔｍ＝０．０１５μｍ，
前フラックスガイド厚さｔｆｆ＝後フラックスガイド厚
さｔｆｂ＝０．０５μｍ，磁気シールド厚さｔｓｕ＝ｔ
ｓｌ＝２μｍ，ギャップ幅Ｇ１＝Ｇ２＝Ｇ３＝０．１μ
ｍに設定し、ＭＲ素子１０３にセルフバイアスによりバ
イアス磁化が付与される。また、磁気記録媒体１０７の
条件として、ｔ・Ｂｒ＝１６８Ｇμｍ，磁化遷移幅＝
０．０６μｍに設定し、動作条件としてスペーシング＝
０．０８μｍに設定した。なお、ｔは磁気記録媒体１０
７の記録層の厚さを表し、Ｂｒは前記記録層の残留磁束
を表す。
【００２７】その調査結果を図３〜図５に示す。図３
は、フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂの重なり幅と
ＭＲ素子１０３の本体幅の比（ａ＋ｂ）／ｈに対する抵
抗変化Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線形目盛
りで表された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、横軸は
線形目盛りで表した（ａ＋ｂ）／ｈを示す。なお、重な
り幅ａ，ｂは等しくした。
は、フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂの重なり幅と
ＭＲ素子１０３の本体幅の比（ａ＋ｂ）／ｈに対する抵
抗変化Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線形目盛
りで表された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、横軸は
線形目盛りで表した（ａ＋ｂ）／ｈを示す。なお、重な
り幅ａ，ｂは等しくした。
【００２８】調査はＭＲ素子１０３本体の短手方向の幅
ｈが２，２．５及び３μｍの場合について行った。調査
結果によれば、ｈが２，２．５及び３μｍの場合とも
に、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４〜０．６の間に抵抗変化Δ
ρの最大値があり、それぞれ次のような最大値、即ち
０．０５４μΩｃｍ（ｈ＝２μｍ）、０．０５μΩｃｍ
（ｈ＝２．５μｍ）、０．０４８μΩｃｍ（ｈ＝３μ
ｍ）が得られた。
ｈが２，２．５及び３μｍの場合について行った。調査
結果によれば、ｈが２，２．５及び３μｍの場合とも
に、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４〜０．６の間に抵抗変化Δ
ρの最大値があり、それぞれ次のような最大値、即ち
０．０５４μΩｃｍ（ｈ＝２μｍ）、０．０５μΩｃｍ
（ｈ＝２．５μｍ）、０．０４８μΩｃｍ（ｈ＝３μ
ｍ）が得られた。
【００２９】図４は、前及び後フラックスガイド１０２
ａ，１０２ｂとＭＲ素子１０３を含めたＭＲ素子部の短
手方向の全幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）に対
する抵抗変化Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線
形目盛りで表された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、
横軸は線形目盛りで表したｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆ
ｂ−ｂ）（μｍ）を示す。
ａ，１０２ｂとＭＲ素子１０３を含めたＭＲ素子部の短
手方向の全幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）に対
する抵抗変化Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線
形目盛りで表された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、
横軸は線形目盛りで表したｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆ
ｂ−ｂ）（μｍ）を示す。
【００３０】調査はＭＲ素子１０３本体の短手方向の幅
ｈが３μｍの場合について行った。調査結果によれば、
ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が５μｍから急激
にΔρが高くなっていき、凡そ７μｍで０．０４８μΩ
ｃｍに近づき、７μｍ以上でほぼ一定値０．０４８μΩ
ｃｍとなる。図５は、センス電流Ｉｓに対する抵抗変化
Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線形目盛りで表
された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、横軸は線形目
盛りで表したセンス電流Ｉｓ（ｍＡ）を示す。
ｈが３μｍの場合について行った。調査結果によれば、
ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が５μｍから急激
にΔρが高くなっていき、凡そ７μｍで０．０４８μΩ
ｃｍに近づき、７μｍ以上でほぼ一定値０．０４８μΩ
ｃｍとなる。図５は、センス電流Ｉｓに対する抵抗変化
Δρの関係を示す特性図である。縦軸は線形目盛りで表
された抵抗変化Δρ（μΩｃｍ）を示し、横軸は線形目
盛りで表したセンス電流Ｉｓ（ｍＡ）を示す。
【００３１】調査は、ａ及びｂについて、ａ＝０．５μ
ｍ／ｂ＝１μｍ、ａ＝０．７５μｍ／ｂ＝０．７５μ
ｍ、ａ＝１μｍ／ｂ＝０．５μｍの３つの組み合わせに
ついて行った。調査結果によれば、各条件についてセン
ス電流Ｉｓが凡そ１３ｍＡでΔρが最大値を有し、ａ＝
０．７５μｍ／ｂ＝０．７５μｍの場合にその最大値が
最も大きくなり、０．０４８μΩｃｍとなる。
ｍ／ｂ＝１μｍ、ａ＝０．７５μｍ／ｂ＝０．７５μ
ｍ、ａ＝１μｍ／ｂ＝０．５μｍの３つの組み合わせに
ついて行った。調査結果によれば、各条件についてセン
ス電流Ｉｓが凡そ１３ｍＡでΔρが最大値を有し、ａ＝
０．７５μｍ／ｂ＝０．７５μｍの場合にその最大値が
最も大きくなり、０．０４８μΩｃｍとなる。
【００３２】以上のように、本発明の実施例に係る磁気
ヘッドにおいて、フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂ
の重なり幅とＭＲ素子１０３の本体幅の比（ａ＋ｂ）／
ｈを０．４以上、０．６以下の範囲とし、或いは前及び
後フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂとＭＲ素子１０
３を含めたＭＲ素子部の短手方向の全幅ｈ＋（ｈｆｆ−
ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）を７μｍ以上あるようにすること
により、抵抗変化Δρの向上を図ることができる。特
に、前フラックスガイド１０２ａとＭＲ素子１０３との
重なり幅ａと、後フラックスガイド１０２ｂとＭＲ素子
１０３との重なり幅ｂが等しいときにΔρが最も大きく
なる。
ヘッドにおいて、フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂ
の重なり幅とＭＲ素子１０３の本体幅の比（ａ＋ｂ）／
ｈを０．４以上、０．６以下の範囲とし、或いは前及び
後フラックスガイド１０２ａ，１０２ｂとＭＲ素子１０
３を含めたＭＲ素子部の短手方向の全幅ｈ＋（ｈｆｆ−
ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）を７μｍ以上あるようにすること
により、抵抗変化Δρの向上を図ることができる。特
に、前フラックスガイド１０２ａとＭＲ素子１０３との
重なり幅ａと、後フラックスガイド１０２ｂとＭＲ素子
１０３との重なり幅ｂが等しいときにΔρが最も大きく
なる。
【００３３】また、上記の構成に加え、引出し電極１０
８ａの先端部の縁面とＭＲ素子１０３本体の先端部の縁
面とが揃い、或いはセンス領域ＳＡ及びその延長領域を
除き、後フラックスガイド１０２ｂが引出し電極１０８
ｂの上に載っているので、引出し電極１０８ａ，１０８
ｂ及びＭＲ素子１０３本体の上に重なる前及び後フラッ
クスガイド１０２ａ，１０２ｂの段差の数を減らすこと
が出来る。これにより、段差の箇所に形成されやすい磁
壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の向上を更に図ることが
可能となる。特に、ＭＲ素子１０３及び引出し電極１０
８ａ，１０８ｂの先端部の縁面をテーパ形状とすること
により、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一層抑
制される。
８ａの先端部の縁面とＭＲ素子１０３本体の先端部の縁
面とが揃い、或いはセンス領域ＳＡ及びその延長領域を
除き、後フラックスガイド１０２ｂが引出し電極１０８
ｂの上に載っているので、引出し電極１０８ａ，１０８
ｂ及びＭＲ素子１０３本体の上に重なる前及び後フラッ
クスガイド１０２ａ，１０２ｂの段差の数を減らすこと
が出来る。これにより、段差の箇所に形成されやすい磁
壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の向上を更に図ることが
可能となる。特に、ＭＲ素子１０３及び引出し電極１０
８ａ，１０８ｂの先端部の縁面をテーパ形状とすること
により、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一層抑
制される。
【００３４】更に、引出し電極１０８ａの先端部の縁面
とＭＲ素子１０３の先端部の縁面とが揃っているので、
磁気ヘッドの先端面からＭＲ素子１０３本体までの距離
を短くしたいような場合でも、パターニング時の位置合
わせ余裕が増し、引出し電極１０８ａやＭＲ素子１０３
本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を減
らすことが可能となる。また、引出し電極１０８ａやＭ
Ｒ素子１０３本体の先端部が明確になるので、位置合わ
せが容易になり、位置合わせ精度の向上をはかることが
できる。これにより、引出し電極１０８ａやＭＲ素子１
０３本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性
を一層減らすことが可能となる。 （２）本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ素
子を組み込んだ磁気記録再生装置の説明 次に、上記の実施例に係るＭＲ素子１０３を組み込んだ
磁気記録再生装置について図８（ａ），（ｂ）を参照し
ながら説明する。図８（ａ），（ｂ）は、磁気記録再生
装置の磁気ヘッドの部分を示す断面図である。
とＭＲ素子１０３の先端部の縁面とが揃っているので、
磁気ヘッドの先端面からＭＲ素子１０３本体までの距離
を短くしたいような場合でも、パターニング時の位置合
わせ余裕が増し、引出し電極１０８ａやＭＲ素子１０３
本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を減
らすことが可能となる。また、引出し電極１０８ａやＭ
Ｒ素子１０３本体の先端部が明確になるので、位置合わ
せが容易になり、位置合わせ精度の向上をはかることが
できる。これにより、引出し電極１０８ａやＭＲ素子１
０３本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性
を一層減らすことが可能となる。 （２）本発明の実施例に係るフラックスガイド型ＭＲ素
子を組み込んだ磁気記録再生装置の説明 次に、上記の実施例に係るＭＲ素子１０３を組み込んだ
磁気記録再生装置について図８（ａ），（ｂ）を参照し
ながら説明する。図８（ａ），（ｂ）は、磁気記録再生
装置の磁気ヘッドの部分を示す断面図である。
【００３５】図８（ａ）はインギャップ型ＭＲヘッドを
示す。同図に示すように、軟磁性層からなる磁極１０
１，１０５が間隔をおいて対向し、ギャップ内にフラッ
クスガイド型ＭＲ素子とコイル１０４が挟まれている。
ＭＲ素子１０３は、磁気記録媒体１０７との対面部分１
０６に露出させずに、磁気ヘッドの内側に引っ込められ
ている。対面部分１０６には、ＭＲ素子１０３と電気的
に絶縁され、磁気的に結合されている前フラックスガイ
ド１０２ａが露出している。磁気記録媒体１０７からの
漏洩磁界は前フラックスガイド１０２ａに入り、ＭＲ素
子１０３に検出される。なお、ＭＲ素子１０３の他端に
は、ＭＲ素子１０３と電気的に絶縁され、かつ磁気的に
結合された後フラックスガイド１０２ｂが形成されてお
り、ＭＲ素子１０３を通った磁束を磁極１０１，１０５
に導く。
示す。同図に示すように、軟磁性層からなる磁極１０
１，１０５が間隔をおいて対向し、ギャップ内にフラッ
クスガイド型ＭＲ素子とコイル１０４が挟まれている。
ＭＲ素子１０３は、磁気記録媒体１０７との対面部分１
０６に露出させずに、磁気ヘッドの内側に引っ込められ
ている。対面部分１０６には、ＭＲ素子１０３と電気的
に絶縁され、磁気的に結合されている前フラックスガイ
ド１０２ａが露出している。磁気記録媒体１０７からの
漏洩磁界は前フラックスガイド１０２ａに入り、ＭＲ素
子１０３に検出される。なお、ＭＲ素子１０３の他端に
は、ＭＲ素子１０３と電気的に絶縁され、かつ磁気的に
結合された後フラックスガイド１０２ｂが形成されてお
り、ＭＲ素子１０３を通った磁束を磁極１０１，１０５
に導く。
【００３６】図８（ｂ）は、共用型ＭＲヘッドを示す。
Ａ部が再生用ヘッド、Ｂ部が記録用ヘッドを示し、再生
用ヘッドの磁気シールド１１２と記録用ヘッドの磁極１
１２は共用されている。図８（ｂ）に示すように、再生
用ヘッドの部分では、軟磁性層からなる磁気シールド１
１１，１１２が間隔をおいて対向し、磁気記録媒体１０
７と対面する部分１０６のギャップ内に上記のフラック
スガイド型ＭＲ素子が挟まれている。磁気記録媒体１０
７からの漏洩磁界は前フラックスガイド１０２ａを介し
てＭＲ素子１０３に検出される。
Ａ部が再生用ヘッド、Ｂ部が記録用ヘッドを示し、再生
用ヘッドの磁気シールド１１２と記録用ヘッドの磁極１
１２は共用されている。図８（ｂ）に示すように、再生
用ヘッドの部分では、軟磁性層からなる磁気シールド１
１１，１１２が間隔をおいて対向し、磁気記録媒体１０
７と対面する部分１０６のギャップ内に上記のフラック
スガイド型ＭＲ素子が挟まれている。磁気記録媒体１０
７からの漏洩磁界は前フラックスガイド１０２ａを介し
てＭＲ素子１０３に検出される。
【００３７】また、記録用ヘッドの部分では、軟磁性層
からなる磁極１１２，１１４が間隔をおいて対向し、磁
極１１２，１１４間のギャップ内に磁極１１２，１１４
を通流する磁束を発生するコイル１１３が形成されてい
る。この磁束により対面部分１０６のギャップから漏洩
磁界を発生させて磁気記録媒体１０７に記録を行う。な
お、図８（ａ），（ｂ）に示す磁気記録再生装置では、
ともに磁気ヘッドが形成される基板や層間の絶縁層等は
省略してある。
からなる磁極１１２，１１４が間隔をおいて対向し、磁
極１１２，１１４間のギャップ内に磁極１１２，１１４
を通流する磁束を発生するコイル１１３が形成されてい
る。この磁束により対面部分１０６のギャップから漏洩
磁界を発生させて磁気記録媒体１０７に記録を行う。な
お、図８（ａ），（ｂ）に示す磁気記録再生装置では、
ともに磁気ヘッドが形成される基板や層間の絶縁層等は
省略してある。
【００３８】上記の磁気記録再生装置によれば、実施例
に係るフラックスガイド型ＭＲ素子を用いているので、
再生出力の大きい磁気記録再生装置を提供することがで
きる。なお、本発明に係るフラックスガイド型ＭＲ素子
は、上記磁気記録再生装置に限らず、種々の磁気記録再
生装置に用いることができる。
に係るフラックスガイド型ＭＲ素子を用いているので、
再生出力の大きい磁気記録再生装置を提供することがで
きる。なお、本発明に係るフラックスガイド型ＭＲ素子
は、上記磁気記録再生装置に限らず、種々の磁気記録再
生装置に用いることができる。
【００３９】また、そのＭＲ素子を再生専用の磁気再生
装置に用いることも可能である。
装置に用いることも可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明の磁気ヘッドにお
いては、ＭＲ素子本体幅とフラックスガイドの重なり幅
比（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の範囲にあ
り、或いは、前及び後磁束導体を含めたＭＲ素子の短手
方向の幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が７μｍ
以上あるように最適設計を行うことにより、抵抗変化Δ
ρ、従ってΔρに比例する再生出力を向上させることが
可能である。
いては、ＭＲ素子本体幅とフラックスガイドの重なり幅
比（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以下の範囲にあ
り、或いは、前及び後磁束導体を含めたＭＲ素子の短手
方向の幅ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）が７μｍ
以上あるように最適設計を行うことにより、抵抗変化Δ
ρ、従ってΔρに比例する再生出力を向上させることが
可能である。
【００４１】また、上記の構成に加え、引出し電極の先
端部の縁面と磁気抵抗効果素子本体の先端部の縁面とが
揃い、或いは後磁束導体がセンス領域及びその延長領域
を除き引出し電極の上に載っているので、前及び後磁束
導体の段差の数が減り、これにより、段差の箇所に形成
されやすい磁壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の向上を更
に図ることが可能となる。特に、磁気抵抗効果素子及び
引出し電極の先端部の縁面をテーパ形状とすることによ
り、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一層抑制さ
れる。
端部の縁面と磁気抵抗効果素子本体の先端部の縁面とが
揃い、或いは後磁束導体がセンス領域及びその延長領域
を除き引出し電極の上に載っているので、前及び後磁束
導体の段差の数が減り、これにより、段差の箇所に形成
されやすい磁壁の形成が抑制され、Ｓ／Ｎ比の向上を更
に図ることが可能となる。特に、磁気抵抗効果素子及び
引出し電極の先端部の縁面をテーパ形状とすることによ
り、段差が緩和され、段差での磁壁の形成が一層抑制さ
れる。
【００４２】更に、引出し電極の先端部の縁面と磁気抵
抗効果素子の先端部の縁面とが揃っているので、パター
ニング時の位置合わせ余裕が増し、しかも位置合わせが
容易になる。これにより、引出し電極や磁気抵抗効果素
子本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を
減らすことが可能となる。
抗効果素子の先端部の縁面とが揃っているので、パター
ニング時の位置合わせ余裕が増し、しかも位置合わせが
容易になる。これにより、引出し電極や磁気抵抗効果素
子本体の先端が磁気ヘッドの先端面に露出する危険性を
減らすことが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドの再生部の詳細を示す断面図である。
ヘッドの再生部の詳細を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドの再生部のＭＲ素子の詳細について示す断面図で
ある。
ヘッドの再生部のＭＲ素子の詳細について示す断面図で
ある。
【図３】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドにおいてＭＲ素子本体幅とフラックスガイドの重
なり幅比（ａ＋ｂ）／ｈに対する抵抗変化Δρの調査結
果について示す特性図である。
ヘッドにおいてＭＲ素子本体幅とフラックスガイドの重
なり幅比（ａ＋ｂ）／ｈに対する抵抗変化Δρの調査結
果について示す特性図である。
【図４】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドにおいてＭＲ素子部の全幅（ｈ＋ｈｆｆ−ａ＋ｈ
ｆｂ−ｂ）に対する抵抗変化Δρの調査結果について示
す特性図である。
ヘッドにおいてＭＲ素子部の全幅（ｈ＋ｈｆｆ−ａ＋ｈ
ｆｂ−ｂ）に対する抵抗変化Δρの調査結果について示
す特性図である。
【図５】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドにおいてセンス電流に対する抵抗変化Δρの調査
結果について示す特性図である。
ヘッドにおいてセンス電流に対する抵抗変化Δρの調査
結果について示す特性図である。
【図６】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドの再生部のＭＲ素子部の作成方法について示す平
面図である。
ヘッドの再生部のＭＲ素子部の作成方法について示す平
面図である。
【図７】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドの再生部のＭＲ素子部の作成方法について示す図
６のII-II 線断面図である。
ヘッドの再生部のＭＲ素子部の作成方法について示す図
６のII-II 線断面図である。
【図８】本発明の実施例に係るフラックスガイド型磁気
ヘッドについて示す断面図である。
ヘッドについて示す断面図である。
【図９】従来例に係るフラックスガイド型磁気ヘッドの
再生部のＭＲ素子部の詳細について示す平面図及び側面
図である。
再生部のＭＲ素子部の詳細について示す平面図及び側面
図である。
１０１，１０５，１１４ 磁極、 １０２ａ 前フラックスガイド（前磁束導体）、 １０２ｂ 後フラックスガイド（後磁束導体）、 １０３ ＭＲ素子、 １０４，１１３ コイル、 １０６ 磁気ヘッドの先端面、 １０７ 磁気記録媒体、 １０８ａ，１０８ｂ 引出し電極、 １１１ 磁気シールド、 １１２ 磁気シールド（磁極）、 １２１ 絶縁層、 １２２ ＳＡＬ層、 １２３ 非磁性導電層、 １２４ 軟磁性層、 １２６ レジストマスク、 Ｉｓ センス電流、 ＳＡ センス領域。
Claims (7)
- 【請求項１】 長手方向に沿う先端部と後端部を有し、
短手方向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、
センス領域を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の
両端部に接触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁
から幅ａの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なっている
矩形状の前磁束導体と、前記後端部の縁から幅ｂの範囲
で前記磁気抵抗効果素子と重なっている矩形状の後磁束
導体とを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６以
下の範囲にあることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 長手方向に沿う先端部と後端部を有し、
短手方向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、
センス領域を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の
両端部に接触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁
から幅ａの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記
短手方向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前
記後端部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と
重なり、前記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁
束導体とを備え、ｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ−ｂ）
が７μｍ以上あることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 長手方向に沿う先端部と後端部を有し、
短手方向に幅ｈを有する矩形状の磁気抵抗効果素子と、
センス領域を挟んで前記磁気抵抗効果素子の長手方向の
両端部に接触する一対の引出し電極と、前記先端部の縁
から幅ａの範囲で前記磁気抵抗効果素子と重なり、前記
短手方向に幅ｈｆｆを有する矩形状の前磁束導体と、前
記後端部の縁から幅ｂの範囲で前記磁気抵抗効果素子と
重なり、前記短手方向に幅ｈｆｂを有する矩形状の後磁
束導体とを備え、（ａ＋ｂ）／ｈが０．４以上、０．６
以下の範囲にあり、かつｈ＋（ｈｆｆ−ａ）＋（ｈｆｂ
−ｂ）が７μｍ以上あることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記前磁束導体と前記磁気抵抗効果素子
との重なり幅ａと前記後磁束導体と前記磁気抵抗効果素
子との重なり幅ｂとが等しくなっていることを特徴とす
る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 前記引出し電極は前記磁気抵抗効果素子
の先端部の縁面にその先端部の縁面が揃っていることを
特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁
気ヘッド。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果素子及び前記引出し電
極の前記先端部の縁面はテーパ形状となっていることを
特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記後磁束導体は、前記センス領域及び
その延長領域を除き、前記引出し電極の上に載っている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記
載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5901195A JPH08255312A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5901195A JPH08255312A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255312A true JPH08255312A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13100931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5901195A Pending JPH08255312A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255312A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6888705B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS) |
| US7057864B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP5901195A patent/JPH08255312A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057864B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields |
| US7237322B2 (en) | 2001-07-10 | 2007-07-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a tunnel valve head with a flux guide |
| US6888705B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040127 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |