JPH08241797A - Plasma treatment device - Google Patents
Plasma treatment deviceInfo
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- JPH08241797A JPH08241797A JP7044395A JP4439595A JPH08241797A JP H08241797 A JPH08241797 A JP H08241797A JP 7044395 A JP7044395 A JP 7044395A JP 4439595 A JP4439595 A JP 4439595A JP H08241797 A JPH08241797 A JP H08241797A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波を用いて発生
させたプラズマにより被処理部材の表面処理を行うプラ
ズマ処理装置に係り、特にマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置やマイクロ波エッチング装置等のように被処理部材に
高周波バイアス電圧を印加するプラズマ処理装置におけ
る均等な高周波バイアス印加手段に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for treating the surface of a member to be processed with plasma generated using microwaves, and more particularly to a plasma processing apparatus such as a microwave plasma CVD apparatus or a microwave etching apparatus. The present invention relates to a uniform high frequency bias applying means in a plasma processing apparatus for applying a high frequency bias voltage to a processing member.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のプラズマ処理装置は、図
４に示すように、処理室７内を排気手段１２で真空排気
した後にガス供給源１３からガスを導入して必要な圧力
に調圧し、磁場発生手段８でこの処理室７内の一部に例
えば８７５ガウスの強度の磁場を形成し、マイクロ波発
生器１から導波管３、誘電体板４、マイクロ波透過可能
なスリット状の電極５及び誘電体板６を介して、例えば
２．４５ＧＨｚのマイクロ波２を導入することでこの処
理室７内の一部に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を
起こし、高密度なプラズマを生成する。処理室７には基
板ホルダ９が設けられており、被処理部材として基板
（図示省略）をプラズマ処理する場合には、この基板を
真空ロボットハンド（図示省略）により基板ホルダ９の
上に載置し、必要に応じて高周波電源１１からコンデン
サ１０を介して高周波バイアス電圧を印加する構成であ
る。2. Description of the Related Art In a conventional plasma processing apparatus of this type, as shown in FIG. 4, the inside of a processing chamber 7 is evacuated by an exhaust means 12 and then a gas is introduced from a gas supply source 13 to adjust the pressure to a required level. A magnetic field having a strength of, for example, 875 Gauss is formed in a part of the processing chamber 7 by the magnetic field generating means 8, and the microwave generator 1 to the waveguide 3, the dielectric plate 4, and the slit shape capable of transmitting microwaves. Electron cyclotron resonance (ECR) is caused in a part of the processing chamber 7 by introducing the microwave 2 of 2.45 GHz, for example, through the electrode 5 and the dielectric plate 6 to generate high density plasma. . A substrate holder 9 is provided in the processing chamber 7, and when a substrate (not shown) to be processed is subjected to plasma processing, this substrate is placed on the substrate holder 9 by a vacuum robot hand (not shown). However, a high frequency bias voltage is applied from the high frequency power supply 11 via the capacitor 10 as needed.
【０００３】この高周波バイアス電圧は、基板ホルダ９
と接地されたスリット電極５の間にプラズマ及び誘電体
板６を介して印加される。This high frequency bias voltage is applied to the substrate holder 9
Is applied between the slit electrode 5 and the grounded slit electrode 5 via the plasma and the dielectric plate 6.
【０００４】このような従来のプラズマ処理装置におい
ては、基板にかかるバイアス電圧が不均一であると、基
板へのイオン照射量が不均一になって、基板内のエッチ
ングあるいはスパッタリングの分布が不均一となる。こ
の傾向は、高周波バイアス電圧の周波数が低くなると顕
著になる。これは、高周波バイアスが接地されたスリッ
ト電極５にプラズマと誘電体板６を介して印加されるた
めである。In such a conventional plasma processing apparatus, when the bias voltage applied to the substrate is non-uniform, the amount of ion irradiation to the substrate is non-uniform, and the distribution of etching or sputtering in the substrate is non-uniform. Becomes This tendency becomes remarkable as the frequency of the high frequency bias voltage becomes lower. This is because the high frequency bias is applied to the grounded slit electrode 5 through the plasma and the dielectric plate 6.
【０００５】誘電体のインピーダンスは容量性であり、
高周波バイアスの周波数に反比例し、低い周波数になる
ほど誘電体板のインピーダンスは増加する。他方、磁場
中のプラズマインピーダンスは、磁力線を横切る方向の
プラズマ中では軽い電子は磁力線に巻きついていて容易
に移動することはできず、イオンは比較的重いために磁
力線の影響を受けにくく電気伝導を担っているが、慣性
力のために電流に遅れが生じ、等価的にインダクタンス
として表すことができる。The impedance of the dielectric is capacitive,
It is inversely proportional to the frequency of the high frequency bias, and the impedance of the dielectric plate increases as the frequency becomes lower. On the other hand, the plasma impedance in the magnetic field is such that light electrons are not easily moved because they are wrapped around the lines of magnetic force in the plasma in the direction crossing the lines of magnetic force, and the ions are relatively heavy so that they are less affected by the lines of magnetic force and the electrical conduction is reduced. However, due to inertial force, the current is delayed and can be equivalently expressed as an inductance.
【０００６】このため、比較的高い周波数の高周波バイ
アス電圧の場合は、磁力線を横切る方向のプラズマイン
ピーダンスは大きくなり、誘電体板のインピーダンスは
プラズマインピーダンスに対し十分小さくなるために、
この高周波バイアス電圧は誘電体板６を容易に透過して
基板ホルダ９とスリット電極５の間に印加される。Therefore, in the case of a high frequency bias voltage having a relatively high frequency, the plasma impedance in the direction crossing the magnetic field lines becomes large, and the impedance of the dielectric plate becomes sufficiently smaller than the plasma impedance.
This high frequency bias voltage easily passes through the dielectric plate 6 and is applied between the substrate holder 9 and the slit electrode 5.
【０００７】しかしながら、高周波バイアス電圧の周波
数が低い場合は、誘電体板６のインピーダンスが増加
し、プラズマインピーダンスは減少することになり、例
えば４００ｋＨｚの高周波バイアス電圧を印加した場合
には、誘電体板６のインピーダンスは、磁力線を横切る
方向のプラズマインピーダンスに比べて大きな値とな
り、この高周波バイアス電圧が基板ホルダ９と接地され
た処理室７の容器壁との間にかかるようになる。このた
め、磁力線を横切る方向のプラズマインピーダンスによ
り、バイアス電圧の不均一が生じることになる。However, when the frequency of the high frequency bias voltage is low, the impedance of the dielectric plate 6 increases and the plasma impedance decreases. For example, when a high frequency bias voltage of 400 kHz is applied, the dielectric plate 6 is reduced. The impedance of 6 has a larger value than the plasma impedance in the direction crossing the magnetic field lines, and this high frequency bias voltage is applied between the substrate holder 9 and the grounded chamber wall of the processing chamber 7. Therefore, the bias voltage becomes non-uniform due to the plasma impedance in the direction crossing the lines of magnetic force.
【０００８】そしてこのバイアス電圧の不均一は、処理
中のＬＳＩ基板に与えるチャージアップダメージの原因
になると共にスパッタリングやエッチング処理の均一性
向上の障害となる。The non-uniformity of the bias voltage causes charge-up damage to the LSI substrate being processed and hinders improvement of uniformity of sputtering and etching processes.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、高周波
バイアス電圧を印加するプラズマ処理装置は、高周波バ
イアス電圧の周波数が低くなると被処理部材にかかるバ
イアス電圧が不均一になってチャージアップダメージの
原因になったりスパッタリングやエッチング処理に不均
一が発生する問題があった。As described above, in the plasma processing apparatus for applying the high frequency bias voltage, when the frequency of the high frequency bias voltage becomes low, the bias voltage applied to the member to be processed becomes non-uniform, resulting in charge-up damage. There is a problem that it causes a non-uniformity in the sputtering or etching process.
【００１０】本発明の目的は、高周波バイアスを印加す
るプラズマ処理装置において、印加する高周波バイアス
電圧の周波数が低い場合でも高周波バイアスを均等にし
てチャージアップダメージの解消や処理の均一性向上を
実現することにある。An object of the present invention is to realize a plasma processing apparatus for applying a high frequency bias to eliminate charge-up damage and improve processing uniformity by making the high frequency bias uniform even when the frequency of the applied high frequency bias voltage is low. Especially.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ波入
射窓から処理室内に導入したマイクロ波により発生する
電場と磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現
象を利用して該処理室内の処理ガスをプラズマ化し、こ
のプラズマを処理部材ホルダに載置した被処理部材に照
射し、且つ前記被処理部材ホルダに高周波バイアス電圧
を印加してプラズマ中のイオンエネルギを制御するプラ
ズマ処理装置において、前記被処理部材ホルダを通過す
る磁力線が横切る位置にある前記マイクロ波入射窓のプ
ラズマ側に、マイクロ波が透過可能なスリット状の電極
と、このスリット電極のプラズマ側に複数の貫通孔を有
する誘電体板を設けたことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention utilizes an electron cyclotron resonance phenomenon caused by an electric field and a magnetic field generated by a microwave introduced into a processing chamber through a microwave entrance window to plasma a processing gas in the processing chamber. In the plasma processing apparatus, the plasma processing apparatus irradiates the processed member mounted on the processing member holder with the plasma, and applies a high frequency bias voltage to the processed member holder to control the ion energy in the plasma. A microwave-permeable slit electrode is provided on the plasma side of the microwave entrance window at a position where a line of magnetic force passing through the holder crosses, and a dielectric plate having a plurality of through holes is provided on the plasma side of the slit electrode. It is characterized by that.
【００１２】そして、前記複数の貫通孔は細長いスリッ
ト状または円形または長円形または矩形に形成したこと
を特徴とする。Further, the plurality of through holes are formed in an elongated slit shape, a circular shape, an oval shape or a rectangular shape.
【００１３】また、前記貫通孔の幅または径の寸法は
０．１ｍｍ〜１．０ｍｍとしたことを特徴とする。The width or diameter of the through hole is 0.1 mm to 1.0 mm.
【００１４】また、前記貫通孔は、前記スリット状の電
極の電極板の直下に位置するように設けたことを特徴と
する。Further, the through hole is provided so as to be located directly below the electrode plate of the slit-shaped electrode.
【００１５】また、前記スリット状の電極には、スリッ
ト隙間を真空排気するための排気経路を形成する溝を形
成したことを特徴とする。Further, the slit-shaped electrode is formed with a groove forming an exhaust path for vacuum exhausting the slit gap.
【００１６】また、前記スリット状の電極は、前記誘電
体板に形成した溝に自由空間が発生しないように埋め込
んだことを特徴とする。Further, the slit-shaped electrode is embedded in a groove formed in the dielectric plate so that a free space is not generated.
【００１７】[0017]
【作用】被処理部材ホルダとスリット状の電極間に印加
した高周波バイアス電圧（１０ｋＨＺ〜３０ＭＨｚ）は
誘電体板にあけられた複数の貫通孔を通して処理室内に
作用するので被処理部材には均等なバイアス電圧がかか
り、被処理部材の処理の均一性が向上する。The high frequency bias voltage (10 kHZ to 30 MHz) applied between the member holder and the slit-shaped electrode acts in the processing chamber through the plurality of through holes formed in the dielectric plate, so that the member to be processed is uniform. A bias voltage is applied, and the processing uniformity of the member to be processed is improved.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面によって説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】図１は本発明の一実施例を示すプラズマ処
理装置であって、図４に示した従来のプラズマ処理装置
と同一の構成手段には同一の参照符号を付して説明す
る。FIG. 1 shows a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The same components as those of the conventional plasma processing apparatus shown in FIG. 4 will be described with the same reference numerals.
【００２０】本実施例のプラズマ装置は２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波によりプラズマを生成する装置である。マ
イクロ波発振器１から出力されたマイクロ波２は導波管
３に導かれ、誘電体板４，マイクロ波が透過可能なスリ
ット電極１４及び複数の貫通孔１５ａを有する誘電体板
１５を介して処理室７に導入される。処理室７は排気手
段１２により排気された後にガス導入源１３からガスを
導入して調圧し、この処理室７内の一部の磁場強度を８
７５ガウスとし、導入したマイクロ波２により高密度の
プラズマを生成する。The plasma device of this embodiment is 2.45 GHz.
This is a device for generating plasma by the microwave. The microwave 2 output from the microwave oscillator 1 is guided to the waveguide 3 and processed through the dielectric plate 4, the slit electrode 14 through which the microwave can pass, and the dielectric plate 15 having a plurality of through holes 15a. Introduced into chamber 7. The processing chamber 7 is evacuated by the evacuation means 12 and then gas is introduced from the gas introduction source 13 to adjust the pressure, and the magnetic field strength of a part of the processing chamber 7 is adjusted to
The density is set to 75 gauss, and high-density plasma is generated by the introduced microwave 2.
【００２１】処理室７には１０ｋＨｚ〜３０ＭＨｚの高
周波バイアス電圧を印加可能な基板ホルダ９が設けてあ
り、必要に応じて高周波バイアス電圧を印加して、基板
ホルダ９に載置した基板（図示省略）をプラズマ処理す
る。The processing chamber 7 is provided with a substrate holder 9 to which a high frequency bias voltage of 10 kHz to 30 MHz can be applied, and a high frequency bias voltage is applied if necessary to a substrate placed on the substrate holder 9 (not shown). ) Is plasma treated.
【００２２】処理室７へのマイクロ波導入窓部は、マイ
クロ波が透過可能な金属性のスリット電極１４を２枚の
誘電体板４，１５で挾んだサンドイッチ構造となってい
る。マイクロ波導波管３中の伝幡モードは、通常一般に
よく用いられる円形ＴＥ１１モードである。The microwave introduction window portion to the processing chamber 7 has a sandwich structure in which a metallic slit electrode 14 capable of transmitting microwaves is sandwiched between two dielectric plates 4 and 15. The propagation mode in the microwave waveguide 3 is a circular TE11 mode which is generally and commonly used.
【００２３】スリット電極１４は、例えばステンレス材
により０．２ｍｍの厚さに形成される。この厚さは、こ
のスリット電極１４のスリット１４ａによって形成され
る０．２ｍｍ程度の隙間であれば、この隙間内でマイク
ロ波による寄生プラズマが立つことがなく、また、ステ
ンレス材であれば０．２ｍｍの厚さでも十分な材料強度
が得られることによる。The slit electrode 14 is made of, for example, a stainless material and has a thickness of 0.2 mm. This thickness has a gap of about 0.2 mm formed by the slit 14a of the slit electrode 14 so that parasitic plasma due to microwaves does not stand in this gap, and a stainless material has a thickness of 0. This is because a sufficient material strength can be obtained even with a thickness of 2 mm.
【００２４】スリット電極１４の大気圧に面する側の誘
電体板４は、誘電損失の小さい石英ガラスで大気圧に耐
える強度が得られる厚さに形成されている。The dielectric plate 4 on the side facing the atmospheric pressure of the slit electrode 14 is made of quartz glass having a small dielectric loss and is formed to have a thickness capable of withstanding the atmospheric pressure.
【００２５】また、スリット電極１４のプラズマに接す
る側にはこのスリット電極１４のスリットパターンが被
処理部材である基板に転写するのを防止するための誘電
体板１５が設けてある。この誘電体板１５は３ｍｍの厚
さの石英ガラス製で、複数の貫通孔１５ａが形成されて
いる。この貫通孔１５ａの幅寸法は、０．１ｍｍ〜１ｍ
ｍに形成される。これは、０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の隙
間であれば、この貫通孔１５ａのパターンが基板に転写
することがないためである。また、この貫通孔１５ａ
は、併設されるスリット電極１４の電極部の直下に位置
するように設けられる。この誘電体板１５は薄く、誘電
体板１５のスリット電極側とプラズマ側とに圧力差が生
じると破損する恐れがあるため、スリット電極１４の各
スリット間はバイパス排気系（図示省略）によって真空
排気できる構造としている。A dielectric plate 15 is provided on the side of the slit electrode 14 in contact with the plasma to prevent the slit pattern of the slit electrode 14 from being transferred to the substrate which is the member to be processed. The dielectric plate 15 is made of quartz glass having a thickness of 3 mm and has a plurality of through holes 15a formed therein. The width dimension of the through hole 15a is 0.1 mm to 1 m.
formed in m. This is because the pattern of the through hole 15a is not transferred to the substrate if the gap is about 0.1 mm to 1 mm. Also, this through hole 15a
Is provided so as to be located immediately below the electrode portion of the slit electrode 14 provided side by side. Since the dielectric plate 15 is thin and may be damaged if a pressure difference occurs between the slit electrode side and the plasma side of the dielectric plate 15, a space between the slits of the slit electrode 14 is evacuated by a bypass exhaust system (not shown). It has a structure that allows exhaust.
【００２６】このようなプラズマ処理装置によれば、基
板ホルダ９に高周波バイアス電圧を印加した場合、この
高周波バイアス電圧はプラズマインピーダンスの小さい
磁力線に対してほぼ平行な方向にプラズマを介して基板
（図示省略）とスリット電極１４の間に直接印加するこ
とができる。従って、基板にかかるバイアス電圧をほぼ
均一にしてチャージアップダメージの解消や処理の均一
性向上を実現することができる。According to such a plasma processing apparatus, when a high frequency bias voltage is applied to the substrate holder 9, the high frequency bias voltage is applied to the substrate (shown in the figure) through the plasma in a direction substantially parallel to the magnetic line of force having a small plasma impedance. It can be applied directly between the (omitted) and the slit electrode 14. Therefore, the bias voltage applied to the substrate can be made substantially uniform to eliminate charge-up damage and improve processing uniformity.
【００２７】図２は、本発明の他の実施例における変形
されたスリット電極と誘電体板の重合構造を示してい
る。前記実施例で説明したように、誘電体板１５の破損
を防止するためにスリット電極１４の電極間（スリット
隙間）１４ａを真空排気する必要がある。前記実施例
は、スリット電極１４は構造がシンプルである利点を有
するが、各スリット隙間１４ａを真空排気するのに時間
がかかる。そのため本実施例における変形されたスリッ
ト電極１４は、各スリット隙間１４ａの間を連通する排
気経路を形成する溝１４ｂを備える。その他の構成は前
述した実施例と同一であるので、図示説明を省略する。FIG. 2 shows a modified structure of the slit electrode and the dielectric plate in another embodiment of the present invention. As described in the above embodiment, in order to prevent damage to the dielectric plate 15, it is necessary to evacuate the space between the slit electrodes 14 (slit gap) 14a. The above embodiment has the advantage that the slit electrode 14 has a simple structure, but it takes time to evacuate each slit gap 14a. Therefore, the modified slit electrode 14 in the present embodiment is provided with the groove 14b that forms an exhaust path that communicates between the slit gaps 14a. The other structure is the same as that of the above-described embodiment, and therefore the illustration and description thereof will be omitted.
【００２８】このような実施例によれば、スリット電極
１４部を高速に排気しても大きな差圧が発生して誘電体
板１５が破損するのを防止することができる。また、誘
電体板１５を更に薄くすることが可能となり、この誘電
体板１５を薄くすることでプラズマからの入熱による該
誘電体板１５の温度上昇が大きくなり、高温に維持され
た物体上には付着物が堆積しにくいという副次的効果も
得られ、誘電体板１５の汚染を防止することができる。According to this embodiment, it is possible to prevent the dielectric plate 15 from being damaged due to a large pressure difference even if the slit electrode 14 is exhausted at a high speed. Further, it becomes possible to make the dielectric plate 15 thinner, and by making the dielectric plate 15 thin, the temperature rise of the dielectric plate 15 due to heat input from the plasma becomes large, and the dielectric plate 15 is kept on high temperature. In addition, the secondary effect that deposits are less likely to accumulate is obtained, and the dielectric plate 15 can be prevented from being contaminated.
【００２９】図３は、本発明になる更に他の実施例にお
ける変形されたスリット電極と誘電体板の重合構造を示
している。この実施例の特徴は、複数の貫通孔を有する
誘電体板１５の変形である。前記２つの実施例における
誘電体板１５は構造がシンプルである利点を有するが、
スリット電極１４のスリット隙間１４ａが自由空間を形
成しており、ガス圧を比較的高気圧（０．１〜５Ｔｏｒ
ｒ）にしたときにこのスリット隙間１４ａでの異常放電
が問題になる可能性がある。本実施例は、この異常放電
対策を施したもので、誘電体板１５を加工して溝１５ｂ
を形成し、この溝１５ｂにスリット電極１４を嵌め込
み、あるいはこの溝１５ｂ部に金属を蒸着させて電極１
４を形成した構成である。FIG. 3 shows a modified slit electrode / dielectric plate superposition structure according to still another embodiment of the present invention. The feature of this embodiment is a modification of the dielectric plate 15 having a plurality of through holes. The dielectric plate 15 in the above two embodiments has the advantage of simple structure,
The slit gap 14a of the slit electrode 14 forms a free space, and the gas pressure is relatively high (0.1 to 5 Torr).
In case of r), abnormal discharge in the slit gap 14a may become a problem. In this embodiment, this abnormal discharge countermeasure is taken. The dielectric plate 15 is processed to form the groove 15b.
Then, the slit electrode 14 is fitted into the groove 15b, or metal is vapor-deposited in the groove 15b to form the electrode 1
4 is formed.
【００３０】この実施例によれば、比較的高気圧のガス
圧でプラズマ処理する場合であっても、スリット電極１
４部で異常放電が発生するのを防止することができる効
果がある。According to this embodiment, even when the plasma treatment is performed with a gas pressure of a relatively high pressure, the slit electrode 1
There is an effect that it is possible to prevent abnormal discharge from occurring in the four parts.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、被処理部材ホルダに高
周波バイアス電圧を均一に作用させることができるの
で、被処理部材に対してチャージアップダメージの解消
やプラズマ処理の均一性向上を実現することができる。According to the present invention, since the high frequency bias voltage can be uniformly applied to the member to be processed, charge-up damage to the member to be processed can be eliminated and the uniformity of plasma processing can be improved. be able to.
【図１】本発明の一実施例を示すプラズマ処理装置の縦
断側面図である。FIG. 1 is a vertical sectional side view of a plasma processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例におけるスリット電極と誘
電体板の重合構造を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a superposed structure of a slit electrode and a dielectric plate in another embodiment of the present invention.
【図３】本発明の更に他の実施例におけるスリット電極
と誘電体板の重合構造を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a superposed structure of a slit electrode and a dielectric plate according to still another embodiment of the present invention.
【図４】従来のプラズマ処理装置の縦断側面図である。FIG. 4 is a vertical side view of a conventional plasma processing apparatus.
１ マイクロ波発振器 ２ マイクロ波 ３ 導波管 ４ 誘電体板 ７ 処理室 ８ 磁場発生手段 ９ 基板ホルダ １０ コンデンサ １１ 高周波電源 １２ 排気手段 １３ ガス導入源 １４ スリット電極 １４ａ スリット隙間 １５ 誘電体板 １５ａ 貫通孔 1 Microwave Oscillator 2 Microwave 3 Waveguide 4 Dielectric Plate 7 Processing Chamber 8 Magnetic Field Generating Means 9 Substrate Holder 10 Capacitor 11 High Frequency Power Supply 12 Exhaust Means 13 Gas Introducing Source 14 Slit Electrode 14a Slit Gap 15 Dielectric Plate 15a Through Hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 淳二 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 吉岡 健 茨城県日立市大みか町七丁目２番１号 株 式会社日立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 福田 琢也 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Junji Sato 3-1-1, Saiwaicho, Hitachi, Ibaraki Hitachi Ltd. Hitachi factory (72) Inventor Ken Yoshioka 7-2, Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki No. 1 Incorporated Energy Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Takuya Fukuda 7-1-1 Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture In Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd.
Claims (7)
マイクロ波により発生する電場と磁場とによって起こる
電子サイクロトロン共鳴現象を利用して該処理室内の処
理ガスをプラズマ化し、このプラズマを処理部材ホルダ
に載置した被処理部材に照射し、且つ前記被処理部材ホ
ルダに高周波バイアス電圧を印加してプラズマ中のイオ
ンエネルギを制御するプラズマ処理装置において、 前記被処理部材ホルダを通過する磁力線が横切る位置に
ある前記マイクロ波入射窓のプラズマ側に、マイクロ波
が透過可能なスリット状の電極と、このスリット電極の
プラズマ側に複数の貫通孔を有する誘電体板を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。1. A processing gas holder is made into plasma by utilizing an electron cyclotron resonance phenomenon caused by an electric field and a magnetic field generated by a microwave introduced into the processing chamber through a microwave entrance window, and this plasma is processed by the processing member holder. In a plasma processing apparatus for irradiating a member to be processed placed on a substrate, and applying a high frequency bias voltage to the member holder to control ion energy in plasma, a position where a magnetic line of force passing through the member holder crosses. In the plasma treatment of the microwave entrance window, there is provided a slit-shaped electrode capable of transmitting microwaves, and a plasma plate of the slit electrode is provided with a dielectric plate having a plurality of through holes. apparatus.
細長いスリット状に形成されたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of through holes are formed in an elongated slit shape.
円形または長円形または矩形に形成されたことを特徴と
するプラズマ処理装置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of through holes are formed in a circular shape, an oval shape, or a rectangular shape.
は径の寸法は０．１ｍｍ〜１．０ｍｍとしたことを特徴
とするプラズマ処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the through hole has a width or diameter of 0.1 mm to 1.0 mm.
スリット状の電極の電極板の直下に位置するように設け
たことを特徴とするプラズマ処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the through hole is provided directly below the electrode plate of the slit-shaped electrode.
極は、スリット隙間を真空排気するための排気経路を形
成する溝を有することを特徴とするプラズマ処理装置。6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the slit-shaped electrode has a groove forming an exhaust path for vacuum exhausting the slit gap.
は、前記誘電体板に形成した溝に自由空間が発生しない
ように埋め込んだことを特徴とするプラズマ処理装置。7. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the slit-shaped electrode is embedded in a groove formed in the dielectric plate so that a free space is not generated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044395A JPH08241797A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Plasma treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044395A JPH08241797A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Plasma treatment device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241797A true JPH08241797A (en) | 1996-09-17 |
Family
ID=12690330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7044395A Pending JPH08241797A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Plasma treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08241797A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500865A (en) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | ステアーグ シーヴイディー システムズ リミテッド | Window cooled |
| US6656322B2 (en) * | 2000-10-23 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6998565B2 (en) | 2003-01-30 | 2006-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2014533434A (en) * | 2011-10-17 | 2014-12-11 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Mechanical suppression of parasitic plasma in a substrate processing chamber |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP7044395A patent/JPH08241797A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500865A (en) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | ステアーグ シーヴイディー システムズ リミテッド | Window cooled |
| US6656322B2 (en) * | 2000-10-23 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6998565B2 (en) | 2003-01-30 | 2006-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2014533434A (en) * | 2011-10-17 | 2014-12-11 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Mechanical suppression of parasitic plasma in a substrate processing chamber |
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