JPH08240628A - Method and apparatus for inspecting wiring pattern and manufacture of wiring pattern board - Google Patents
Method and apparatus for inspecting wiring pattern and manufacture of wiring pattern boardInfo
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- JPH08240628A JPH08240628A JP7043783A JP4378395A JPH08240628A JP H08240628 A JPH08240628 A JP H08240628A JP 7043783 A JP7043783 A JP 7043783A JP 4378395 A JP4378395 A JP 4378395A JP H08240628 A JPH08240628 A JP H08240628A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁板上に形成された
配線パターンの欠陥を、その位置とともに検出する配線
パターン検査方法およびその装置に関するものである。
また、欠陥を有する配線パターンを検出し、その位置を
特定した上で、欠陥を修正する配線パターン基板の製造
方法に関するものである。特に、本発明は、平面表示基
板の配線パターンの検査に好適な検査方法およびその装
置、ならびに平面表示基板の製造に好適な製造方法を提
供するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring pattern inspection method and apparatus for detecting a defect of a wiring pattern formed on an insulating plate together with its position.
The present invention also relates to a method for manufacturing a wiring pattern substrate in which a wiring pattern having a defect is detected, its position is specified, and then the defect is corrected. In particular, the present invention provides an inspection method and apparatus suitable for inspecting a wiring pattern of a flat display substrate, and a manufacturing method suitable for producing a flat display substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、配線パターンの検査方法として
は、配線パターンの両端に触針を接触させ、電圧を印加
した場合の電流の大小によって配線パターンの断線を、
また、他の配線パターンに接触させた触針への電流の流
れ込みの有無をもって配線のショートを検出する、導通
試験法が知られている。しかしながら、欠陥の位置が特
定できないため、顕微鏡を用いた観察による欠陥位置の
特定が必要であり、多くの時間と労力を要するという問
題があった。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of inspecting a wiring pattern, a stylus is brought into contact with both ends of the wiring pattern to disconnect the wiring pattern depending on the magnitude of the current when a voltage is applied.
Further, a continuity test method is known in which a short circuit of a wiring is detected depending on whether or not a current flows into a stylus that is in contact with another wiring pattern. However, since the position of the defect cannot be specified, it is necessary to specify the position of the defect by observing with a microscope, and there is a problem that much time and labor are required.
【０００３】また、平面表示基板を対象とし、電気光学
効果を利用した米国フォトンダイナミックス社の欠陥検
査装置が、日経エレクトロニクスのＮｏ．５２４（１９
９１年４月１日）、７８頁から７９頁に示されている。
この検査装置は、断線およびショート欠陥を、画素単位
の位置特定精度で検出する能力をもつという特徴があ
る。しかしながら、電気光学効果をもつ電界検出部を、
平面形表示基板の配線パターン形成面から数十マイクロ
メータ浮かせる必要があるため、その位置合わせに時間
を要する。また、電界検出部が平面表示基板に対して小
さいため移動させながら何回も検出を繰り返す必要があ
り、検査時間が長い。さらに、万が一配線パターンに電
界検出部が接触すると、基板を損傷させる可能性もある
という問題点を有している。なお、本公知例には、上記
した電気光学効果を用いた検査結果に基づき欠陥を修復
した場合の効果について、言及されている。A defect inspection apparatus manufactured by US Photon Dynamics Co., Ltd., which utilizes an electro-optic effect, for a flat display substrate is No. 1 of Nikkei Electronics. 524 (19
1 April 1991), pp. 78-79.
This inspection apparatus is characterized in that it has the ability to detect disconnection and short-circuit defects with position identification accuracy in pixel units. However, the electric field detector having the electro-optical effect is
Since it is necessary to float a few tens of micrometers above the wiring pattern forming surface of the flat display substrate, it takes time to perform the alignment. Further, since the electric field detection unit is small with respect to the flat display substrate, it is necessary to repeat the detection many times while moving, and the inspection time is long. Furthermore, if the electric field detection unit contacts the wiring pattern, the substrate may be damaged. It should be noted that the known example mentions the effect when the defect is repaired based on the inspection result using the electro-optical effect described above.
【０００４】米国特許５，１３８，２６６号には、配線
パターンと平面電極を静電的に結合し、配線パターンの
断線あるいはショートの存在を検出する方法が開示され
ている。しかしながら、配線パターン全体を含む大きさ
の平面電極を用いており、配線パターンを単位とした欠
陥の存在は検出できるが、配線パターン内の欠陥の位置
を特定することはできない。US Pat. No. 5,138,266 discloses a method of electrostatically coupling a wiring pattern and a planar electrode to detect the presence of a disconnection or a short circuit in the wiring pattern. However, since the planar electrode having a size including the entire wiring pattern is used, the presence of a defect in the wiring pattern can be detected, but the position of the defect in the wiring pattern cannot be specified.
【０００５】また、特開昭５８−３８８７４号公報に
は、交流電圧を配線パターンの一端に印加し、配線パタ
ーンの他端から誘電体層を介して交流電圧をプローブで
検出し、その電圧の大小から断線の有無を検査する方法
が示されている。しかし、それぞれの配線パターンの断
線欠陥の位置を検出する方法については一切示されてい
ない。In Japanese Patent Laid-Open No. 58-38874, an AC voltage is applied to one end of the wiring pattern, and the AC voltage is detected by a probe from the other end of the wiring pattern through a dielectric layer. A method for inspecting the presence or absence of disconnection from large and small is shown. However, no method for detecting the position of the disconnection defect of each wiring pattern is shown.
【０００６】一方、本発明による配線パターンの検査方
法に関連して、以下に示すＴＦＴ基板の各画素の欠陥を
検出する方法が知られている。これらは、各画素の欠陥
の有無を検査するものであり、本発明の目的の一つであ
る配線パターンの欠陥の位置の検出方法については、一
切示されていない、しかし、静電容量を介した電気的結
合を用いている点で本発明に関連するため、以下にその
概要と問題点を述べる。On the other hand, in connection with the method for inspecting a wiring pattern according to the present invention, the following method for detecting defects in each pixel of a TFT substrate is known. These are for inspecting the presence or absence of a defect in each pixel, and no method for detecting the position of the defect in the wiring pattern, which is one of the objects of the present invention, is shown at all. Since the present invention is related to the point that the electric coupling is used, its outline and problems will be described below.
【０００７】特開平６−２７４９４号公報には、ＴＦＴ
基板の各画素の電位を時間的に変化させ、画素上に非接
触に配置したプローブとの間の静電容量を介して検出さ
れる電圧変化を用いて、画素の欠陥の有無を検出する方
法が示されている。本公知例では、プローブをそれぞれ
の画素電極から一定の小さなギャップで正確に位置決め
する必要があるため、基板全体の検査に多くの時間を要
するという問題がある。また、配線パターンの断線欠陥
の位置の検出方法に関する言及は一切無い。Japanese Patent Laid-Open No. 6-27494 discloses a TFT.
A method of detecting the presence or absence of a defect in a pixel by changing the potential of each pixel on the substrate with time and using a voltage change detected through the capacitance between the probe and the probe arranged in a non-contact manner on the pixel. It is shown. In this known example, since it is necessary to accurately position the probe from each pixel electrode with a certain small gap, it takes a lot of time to inspect the entire substrate. Further, there is no mention of a method of detecting the position of the disconnection defect of the wiring pattern.
【０００８】特開平５−１０９９９号公報には、液晶デ
ィスプレイ基板の各電極の反対側の面に検査用電極を設
け、それぞれの電極にパルス電圧を印加し、検査電極で
検出されるパルスに基づいて各画素の良否を検査する方
法が示されている。本公知例では、マトリクス状に配置
された画素を選択するため、多くのプローブと選択回路
が必要であり、装置全体が複雑になるという問題があ
る。本公知例においても、配線パターンの断線欠陥の位
置の検出方法に関する言及は一切無い。In Japanese Patent Laid-Open No. 5-10999, an inspection electrode is provided on the surface of the liquid crystal display substrate opposite to each electrode, a pulse voltage is applied to each electrode, and a pulse detected by the inspection electrode is used. A method for inspecting the quality of each pixel is shown. In this known example, since pixels arranged in a matrix are selected, a large number of probes and selection circuits are required, and there is a problem that the entire device becomes complicated. Also in this known example, there is no reference to the method of detecting the position of the disconnection defect of the wiring pattern.
【０００９】特開平２−２１０３９１号公報には、ＴＦ
Ｔ基板の一列の画素の並び方向に検査用の電極を対向さ
せ、交流信号を印加し、検出される交流信号との間の位
相のずれを検出し、交流信号の周波数を変化させた時の
位相のずれが最大となる周波数から、ＴＦＴ基板各画素
のトランジスタの特性を検査する方法が示されている。
本公知例においても、配線パターンに欠陥が無いことを
前提としており、配線パターンの欠陥の位置を検出する
方法は示されていない。Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-210391 discloses TF.
When the electrodes for inspection are opposed to each other in the direction in which the pixels in one row of the T substrate are arranged, an AC signal is applied, a phase shift from the detected AC signal is detected, and the frequency of the AC signal is changed. A method of inspecting the characteristics of the transistor of each pixel of the TFT substrate from the frequency at which the phase shift becomes maximum is shown.
Also in this known example, it is premised that the wiring pattern has no defect, and a method for detecting the position of the defect in the wiring pattern is not shown.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
配線パターンの検査方法は、配線パターンの欠陥の位置
の特定ができないこと、基板全体についての検査に多く
の時間を要するという問題を有していた。As described above, the conventional wiring pattern inspection method has problems that the position of the defect in the wiring pattern cannot be specified and that it takes a lot of time to inspect the entire board. Was.
【００１１】本発明の目的は、上記した従来の技術の問
題点である配線パターンの欠陥の位置の特定あるいは検
査時間の短縮を実現することである。また、これによっ
て短時間に欠陥を発見し、修正する、配線パターン基板
の製造を実現することである。It is an object of the present invention to realize the problem of the above-mentioned conventional technique, that is, to identify the position of the defect of the wiring pattern or to shorten the inspection time. Further, this is to realize the manufacture of a wiring pattern substrate in which defects are found and corrected in a short time.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、配線パターン
と電極を絶縁して静電的に結合させ、配線パターンと電
極間に時間的に変化する電圧を加えて、配線パターンと
電極との間に流れる電流を検出し、この電圧印加および
電流検出を配線パターンの複数の位置について実施し、
配線パターンに対し複数の位置での電極と配線パターン
間の検出電流の変化を検出し、これに基づき欠陥を検出
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a wiring pattern and an electrode are insulated from each other and electrostatically coupled to each other, and a time-varying voltage is applied between the wiring pattern and the electrode to form a wiring pattern and an electrode. The current flowing between is detected, this voltage application and current detection are carried out for a plurality of positions of the wiring pattern,
It detects changes in the detection current between the electrode and the wiring pattern at a plurality of positions with respect to the wiring pattern, and detects defects based on this.
【００１３】[0013]
【作用】配線パターンと電極間に印加する電圧は、時間
的に変動させているため、これらの間が直流的に絶縁さ
れていても、静電的な結合から、Since the voltage applied between the wiring pattern and the electrodes fluctuates with time, even if they are galvanically isolated, electrostatic coupling causes
【００１４】[0014]
【数１】 [Equation 1]
【００１５】に示される電流Ｉ（ｔ）が流れる。ここ
に、ｔは時間〔ｓ〕、Ｖ（ｔ）は印加した電圧〔Ｖ〕、
Ｃは配線パターン・電極間の静電容量〔Ｆ〕である。以
降、Ｃの大小を静電特性と呼ぶこととする。Ｖ（ｔ）は
既知であるから、Ｉ（ｔ）はＣに比例し、Ｉ（ｔ）の大
小によりＣの大小が判ることになる。数１より明らかな
ように、Ｖ（ｔ）の時間変動は、周期的に繰り返すもの
であっても、周期性のない一度の変化であっても良い。A current I (t) indicated by the following flows. Where t is time [s], V (t) is applied voltage [V],
C is a capacitance [F] between the wiring pattern and the electrode. Hereinafter, the magnitude of C will be referred to as the electrostatic characteristic. Since V (t) is known, I (t) is proportional to C, and the magnitude of C can be known from the magnitude of I (t). As is clear from Equation 1, the time variation of V (t) may be a periodical repetition or a single change without periodicity.
【００１６】いま、図１（ａ）に示すような断線の検出
を考える。配線パターンの一端と電極間に電圧Ｖ（ｔ）
を印加し、電流Ｉ（ｔ）を検出する。配線パターンと電
極間の距離ｄをほぼ一定とすれば、もし、断線が無けれ
ば、配線パターンと電極の位置関係にかかわらず、Ｃは
一定であり、Ｉ（ｔ）の大きさもほぼ一定となる。しか
し、図１（ａ）に示すように断線があると、配線パター
ンＡ側に電極があるときは、断線の無い場合と同様のＩ
（ｔ）となるが、切れている側Ｂに電極があると、断線
部分での配線パターン間の静電容量Ｃ1がＣに直列に加
わるため、総合的な静電容量Ｃ′がNow, let us consider the detection of disconnection as shown in FIG. Voltage V (t) between one end of the wiring pattern and the electrode
Is applied and the current I (t) is detected. If the distance d between the wiring pattern and the electrode is substantially constant, and if there is no disconnection, then C is constant and the magnitude of I (t) is substantially constant regardless of the positional relationship between the wiring pattern and the electrode. . However, if there is a disconnection as shown in FIG. 1A, when there is an electrode on the wiring pattern A side, the same I
(T) However, if there is an electrode on the broken side B, the electrostatic capacitance C 1 between the wiring patterns at the disconnection portion is added in series to C, so the total electrostatic capacitance C ′ is
【００１７】[0017]
【数２】 [Equation 2]
【００１８】のように減少し、Ｉ（ｔ）が小さくさる。
従って、Ｉ（ｔ）の大きさ、すなわち静電特性が変化す
る部分が、断線に対応することになる。（図１
（ｂ））。And I (t) is reduced.
Therefore, the magnitude of I (t), that is, the portion where the electrostatic characteristic changes corresponds to the disconnection. (Figure 1
(B)).
【００１９】次に、図２（ａ）に示すような、配線パタ
ーンａ、ｂの交差部におけるショートの検出を考える。
もし、配線パターンａ、ｂがほぼ同一面上に形成されて
いるものとし、断線の場合と同様にＩ（ｔ）を検出する
と、ちょうど断線の場合の配線パターンＡが配線パター
ンａに、Ｂがｂに対応することになり、ショートしてい
ない場合、配線パターンｂ側でＩ（ｔ）が小さくなる。
一方、配線パターンｂがショートしていると、ｂ側に電
極がある場合もａ側にある場合もほぼ同じ大きさのＩ
（ｔ）が（電極の形状によってはＣが増大し、Ｉ（ｔ）
が増加して）検出される。このようにショートが発生し
ている配線パターンの位置も、Ｉ（ｔ）の大きさ、すな
わち静電特性の変化の有無、あるいは大小によって検出
可能になる（図２（ｂ））。Next, the detection of a short circuit at the intersection of the wiring patterns a and b as shown in FIG. 2A will be considered.
If the wiring patterns a and b are formed on substantially the same surface and I (t) is detected as in the case of disconnection, the wiring pattern A in the case of disconnection is the wiring pattern a and B is In the case where there is no short circuit, I (t) becomes small on the wiring pattern b side.
On the other hand, when the wiring pattern b is short-circuited, I of almost the same size is present whether the electrode is on the b side or on the a side.
(T) is (C increases depending on the shape of the electrode, and I (t)
Is detected). The position of the wiring pattern in which the short circuit has occurred can also be detected by the magnitude of I (t), that is, the presence or absence of a change in the electrostatic characteristic, or the magnitude of the change (FIG. 2B).
【００２０】[0020]
【実施例】配線パターン基板の例として、図３に示す平
面表示基板であるＴＦＴ液晶基板を用いて、以下本発明
の実施例を述べる。原理的に、ＳＴＮ液晶基板、プラズ
マディスプレイ基板などの他の平面表示基板、あるいは
一般的に、絶縁板と配線パターンからなる一般の配線パ
ターン基板にも同様に適用可能である。EXAMPLE An example of the present invention will be described below using a TFT liquid crystal substrate which is a flat display substrate shown in FIG. 3 as an example of a wiring pattern substrate. In principle, the present invention can also be applied to other flat display substrates such as STN liquid crystal substrates and plasma display substrates, or generally a general wiring pattern substrate including an insulating plate and a wiring pattern.
【００２１】ＴＦＴ液晶基板は、図３に示すように、ガ
ラス基板上に配線パターンとしてゲート線（水平パター
ン）、ドレイン線（垂直パターン）を格子状に形成し、
その交差部付近にＴＦＴ（薄膜の電界効果型トランジス
タ（ＦＥＴ））を画素スイッチング素子として形成した
ものである。図３（ａ）は液晶基板の構成を示す図、図
３（ｂ）は一画素の構造を示す図、図３は（ｃ）は一画
素の回路を示す図、図３（ｄ）は図３（ｃ）のＡ−Ａ断
面を示す図である。ここでは、ゲート線の一端、および
ドレイン線の一端が直接あるいは抵抗を介して共通電極
でそれぞれ互いに接続されたＴＦＴ液晶基板を例にとっ
て、以下説明する。なお、共通電極の無い基板に対して
は、断線の有無の検出やＳ／Ｎ向上など必要に応じて、
適宜、ドレイン線、ゲート線の一端に触針を接触させ、
等電位に固定すればよい。As shown in FIG. 3, the TFT liquid crystal substrate is formed by forming gate lines (horizontal patterns) and drain lines (vertical patterns) in a grid pattern on a glass substrate as wiring patterns.
A TFT (thin film field effect transistor (FET)) is formed as a pixel switching element near the intersection. 3A shows a structure of a liquid crystal substrate, FIG. 3B shows a structure of one pixel, FIG. 3C shows a circuit of one pixel, and FIG. It is a figure which shows the AA cross section of 3 (c). Here, a TFT liquid crystal substrate in which one end of a gate line and one end of a drain line are connected to each other by a common electrode either directly or through a resistor will be described below as an example. For substrates without a common electrode, if necessary, such as detecting the presence or absence of disconnection and improving S / N,
As appropriate, touch the stylus to one end of the drain line and gate line,
It may be fixed at an equipotential.
【００２２】ゲート線とドレイン線は交差部では絶縁さ
れており、また、ゲート線は水平方向のＴＦＴのゲート
を共通に接続し、ドレイン線は垂直方向のＴＦＴのドレ
インを共通に接続している。また、各ＴＦＴのソースは
ゲート線とドレイン線に囲まれた部分に形成された画素
電極に接続されている。The gate line and the drain line are insulated at the intersection, and the gate line commonly connects the gates of the horizontal TFTs, and the drain line commonly connects the drains of the vertical TFTs. . The source of each TFT is connected to the pixel electrode formed in the portion surrounded by the gate line and the drain line.
【００２３】ＴＦＴのゲートとドレイン間に一定値以上
の電圧を与えなければ、ドレイン・ソース間は直流的に
はほぼオフの状態とみなすことができるため、以降の説
明では特にことわらない限り、ドレイン・ソース間は静
電容量Ｃ2で接続されているものとする。また、ゲート
・ドレイン間、ゲート・ソース間にも直流的な導通は無
く、静電容量を介して結合しているものとする。ただ
し、以下の説明では、簡単のため、これらの容量は無視
する。Unless a voltage of a certain value or more is applied between the gate and drain of the TFT, it can be considered that the drain and the source are almost off in terms of direct current. Therefore, unless otherwise specified in the following description, It is assumed that the drain and source are connected with a capacitance C 2 . Further, it is assumed that there is no direct current conduction between the gate and the drain and between the gate and the source, and they are coupled through the capacitance. However, in the following description, these capacitors are ignored for simplicity.
【００２４】次に、本発明の一実施例を説明する。本実
施例では、ドレイン線の断線を検出した後、欠陥位置を
特定する場合を示す。図４は、断線のあるドレイン線を
見付ける操作を示す図である。Next, an embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the case where the defect position is specified after the disconnection of the drain wire is detected is shown. FIG. 4 is a diagram showing an operation for finding a drain wire having a disconnection.
【００２５】なお、ゲート線の断線の検出には、図４に
示した構成において、平面表示基板を９０°回転させた
構成を考えればよく、特にその他の違いはないので、ま
ったく同様の構成で実現可能である。この場合の動作
は、ゲート・ソース間の静電容量をＣ2とし、ドレイン
・ソース間、およびゲート・ドレイン間の容量を無視す
ると解釈すれば、まったく同様となる。To detect the disconnection of the gate line, it is sufficient to consider a configuration in which the flat display substrate is rotated by 90 ° in the configuration shown in FIG. 4, and since there is no other difference in particular, the configuration is exactly the same. It is feasible. The operation in this case is exactly the same if the capacitance between the gate and the source is C 2 and the capacitances between the drain and the source and between the gate and the drain are ignored.
【００２６】まず、断線欠陥が、基板に存在するかどう
かを検査する。図４に示すように、ドレイン線共通電極
４に触針７を接触させ、また、ドレイン線２の他端にあ
るドレイン線電極（プローブ用電極３）にもう一つの触
針６を接触させ、電圧を印加して電流を測定する。電流
値が、一定値以下の場合、断線ありと判定する。この検
査を、ドレイン線共通電極の触針７はそのままにして、
もう一方の触針６をドレイン線電極の一つ一つに接触さ
せて同様に実施し、全てのドレイン線２の断線の有無を
検査する。First, it is inspected whether or not a disconnection defect exists in the substrate. As shown in FIG. 4, the stylus 7 is brought into contact with the drain line common electrode 4, and the other stylus 6 is brought into contact with the drain line electrode (probe electrode 3) at the other end of the drain line 2, Voltage is applied and current is measured. If the current value is below a certain value, it is determined that there is a wire break. For this inspection, leave the stylus 7 of the drain line common electrode as it is,
The other stylus 6 is brought into contact with each of the drain line electrodes, and the same operation is performed to inspect whether or not all the drain lines 2 are broken.
【００２７】次に、本発明の原理に基づく欠陥の位置を
特定する方法の第１の実施例を図５により説明する。Next, a first embodiment of a method for locating a defect based on the principle of the present invention will be described with reference to FIG.
【００２８】ガラス基板の裏面（配線パターン形成面と
反対側）に放射基板１２を接触あるいは近接させる。放
射基板１２上には、ゲート線に平行に一本の放射パター
ン１３が直線状に形成されている。放射パターン１３の
一端はドライバ回路１５に接続され、発振器１４よりの
周波数ｆの矩形波信号により駆動される。また、放射パ
ターン１３のドライバ回路とは反対側の一端は、与えら
れた矩形波信号の反射を防ぐ意味で、終端抵抗で終端す
ることが望ましい。放射基板１２は、その放射パターン
と断線欠陥がある被検査対象のドレイン線２と交差する
ように位置決めされる。The radiation substrate 12 is brought into contact with or close to the back surface of the glass substrate (the side opposite to the wiring pattern forming surface). A single radiation pattern 13 is linearly formed on the radiation substrate 12 in parallel with the gate line. One end of the radiation pattern 13 is connected to the driver circuit 15 and is driven by the rectangular wave signal of the frequency f from the oscillator 14. Further, it is desirable that one end of the radiation pattern 13 on the side opposite to the driver circuit is terminated with a terminating resistor in order to prevent reflection of a given rectangular wave signal. The radiation substrate 12 is positioned so as to cross the radiation pattern and the drain line 2 to be inspected having a disconnection defect.
【００２９】被検査対象のドレイン線２に設けられたプ
ロービング用電極３に対して触針６を接触させる。触針
６には電流−電圧変換用アンプ１６が接続されている。
検出される電流は、数１に示したように、与えられた信
号電圧の時間微分となるから、本実施例の場合、矩形波
信号を微分したインパルス信号が図６のように検出され
る。The stylus 6 is brought into contact with the probing electrode 3 provided on the drain wire 2 to be inspected. A current-voltage conversion amplifier 16 is connected to the stylus 6.
Since the detected current is the time derivative of the given signal voltage as shown in Equation 1, in the case of the present embodiment, the impulse signal obtained by differentiating the rectangular wave signal is detected as shown in FIG.
【００３０】検出信号の強度の検出法として、インパル
ス信号の波高値を測定する方法もあるが、本実施例で
は、インパルス信号に含まれる特定の周波数成分の強度
を測定する方法を用いる。すなわち、、電圧変換された
検出信号は、アンプで増幅後、中心通過帯域ｎｆ（ｎ＝
１，３，５，…；奇数）の狭帯域バンドパスフィルタ１
７で、矩形波信号の基本波あるいは高調波のみを選択す
る（図７）。中心通過帯域ｎｆは、検出されるノイズの
スペクトル加味して、Ｓ／Ｎの最もよくなるものを選べ
ば良い。As a method of detecting the intensity of the detection signal, there is a method of measuring the peak value of the impulse signal, but in this embodiment, the method of measuring the intensity of a specific frequency component contained in the impulse signal is used. That is, the voltage-converted detection signal is amplified by the amplifier, and then the central pass band nf (n =
1, 3, 5, ...; Odd number) narrow band pass filter 1
In step 7, only the fundamental wave or the harmonic wave of the rectangular wave signal is selected (FIG. 7). The center passband nf may be selected to have the best S / N in consideration of the spectrum of detected noise.
【００３１】次に、検波回路１８で検出信号の強度を直
流に変換する。Next, the detection circuit 18 converts the intensity of the detection signal into direct current.
【００３２】なお、被検査対象のドレイン線以外のドレ
イン線については、ドレイン線共通電極４に触針を接触
させて、アース電位に落とし、また、ゲート線について
も同様にゲート線共通電極に触針を接触させてアース電
位に落とすことによって、欠陥位置の検出精度を向上さ
せることができる。すなわち、これらをアース電位に落
とさない場合、これらの線を経由した信号が、被検査対
象のドレイン線に誘起され、放射基板の放射パターンと
断線欠陥の位置による検出信号の強度の差が、極めて小
さくなり、ノイズの影響を強く受けるようになる可能性
があるからである。Regarding the drain lines other than the drain line to be inspected, the stylus is brought into contact with the drain line common electrode 4 to reduce it to the ground potential, and the gate line is similarly touched with the gate line common electrode. By contacting the needle and dropping it to the ground potential, it is possible to improve the detection accuracy of the defect position. That is, when these are not dropped to the ground potential, the signal passing through these lines is induced in the drain line of the inspection object, and the difference in the intensity of the detection signal due to the radiation pattern of the radiation substrate and the position of the disconnection defect is extremely large. This is because there is a possibility that it becomes smaller and is strongly affected by noise.
【００３３】図５に示した発振器から電流−電圧変換用
アンプまでの等価回路を、図８に示す。ここでは、ドレ
イン・ソース間は、直流的にオフの状態で、静電容量Ｃ
2で接続していることを仮定しており、また、ドレイン
線の幅は画素電極の幅に比べて小さいので、放射パター
ンとドレイン線間は、近似的に放射パターンと画素電極
間の静電容量Ｃと上記Ｃ2の直列の静電容量で接続され
ていることになる。また、ゲート線およびドレイン線の
抵抗値が０でなければ、電流−電圧変換用アンプに接続
されているドレイン線と、断線しドレイン線共通電極と
接続しているドレイン線との間の結合容量ＣSも、考慮
する必要がある。さて、放射パターンがドレイン線の断
線位置に対してドレイン線共通電極側にあるときは、図
８（ａ）に示すように、電流−電圧変換用アンプには、
Ｃ、Ｃ2、ＣSの直列容量を介した電流が入力されるか、
あるいはドレイン線共通電極がアース電位に落ちている
場合、同図破線のようになりほぼ０の電流が入力され
る。この結果、電流−電圧変換用アンプからは小さな電
圧出力しか得られない。一方、断線位置に対して電流−
電圧変換用アンプ側に放射パターンがある場合には、図
８（ｂ）に示すように、ＣとＣ2の直列容量を介した電
流となり、より大きな電圧出力が得られることになる。FIG. 8 shows an equivalent circuit from the oscillator shown in FIG. 5 to the current-voltage conversion amplifier. Here, the capacitance C between the drain and the source is in a DC off state.
2 is assumed to be connected, and the width of the drain line is smaller than the width of the pixel electrode. The capacitance C and the C 2 are connected in series by the capacitance. If the resistance values of the gate line and the drain line are not 0, the coupling capacitance between the drain line connected to the current-voltage conversion amplifier and the drain line disconnected and connected to the common drain line electrode C S also needs to be considered. When the radiation pattern is on the drain line common electrode side with respect to the disconnection position of the drain line, as shown in FIG.
Is the current input through the series capacitance of C, C 2 and C S input?
Alternatively, when the drain line common electrode has fallen to the ground potential, the current becomes almost 0 as shown by the broken line in the figure. As a result, only a small voltage output can be obtained from the current-voltage conversion amplifier. On the other hand, current −
When there is a radiation pattern on the voltage conversion amplifier side, as shown in FIG. 8B, a current flows through the series capacitance of C and C 2 , and a larger voltage output is obtained.
【００３４】いま、放射基板１２の放射パターン１３
を、電流−電圧変換用アンプ１６を接続した触針６を接
触させているプロービング用電極３の方から、被検査対
象のドレイン線２に沿って移動させ、検出信号の強度を
検波回路１８の出力で観測すると、ある点で図５に示す
ように、検波回路の出力が大きく低下する。そして、出
力変化の前後での平均値をとる放射基板１２の放射パタ
ーン１３の位置を、欠陥の位置とする。なお、欠陥位置
の決定については、後述するように様々な方法を用いる
ことができ、実験検討を通じて、最も精度の良い方法を
選定すれば良い。Now, the radiation pattern 13 of the radiation substrate 12
Is moved along the drain wire 2 to be inspected from the probing electrode 3 in contact with the stylus 6 to which the current-voltage conversion amplifier 16 is connected, and the intensity of the detection signal is detected by the detection circuit 18. Observing at the output, as shown in FIG. 5, at a certain point, the output of the detection circuit greatly decreases. Then, the position of the radiation pattern 13 of the radiation substrate 12 that takes the average value before and after the output change is set as the defect position. Note that various methods can be used to determine the defect position, as will be described later, and the most accurate method may be selected through experimental examination.
【００３５】本実施例では、検出信号の強度を検出する
手段として、バンドパスフィルタ１７と検波回路１８の
組合わせを用いたが、図９に示すように、発振器の信号
を参照信号とした同期検波回路とローパスフィルタの組
合わせ（正確には、互いに位相の９０°異なる２つの参
照信号を用いた２式の掛け算器とローパスフィルタ）、
いわゆるロックインアンプを用いてもよい。この場合、
発振器からは周波数ｎｆの矩形波を発振させ、放射電極
の放射パターンには１／ｎ分周器２０の出力である周波
数ｆの矩形波を与え、参照信号としては発振器の出力で
ある周波数ｎｆの矩形波を用いれば、上記した実施例と
同様な周波数関係となる。バンドパスフィルタを用いた
場合の利点は、単純な構成で検出信号の強度を検出でき
る点にある。一方、同期検波を用いた場合には、バンド
パスフィルタを用いた場合と比較して、より狭帯域での
信号検出が容易に実現でき、構成は複雑になるが、より
高いＳ／Ｎの信号検出ができ、欠陥位置の検出精度の向
上が期待できる点が長所である。In the present embodiment, the combination of the bandpass filter 17 and the detection circuit 18 is used as the means for detecting the intensity of the detection signal, but as shown in FIG. A combination of a detection circuit and a low-pass filter (to be precise, a two-type multiplier and a low-pass filter using two reference signals whose phases are different from each other by 90 °),
A so-called lock-in amplifier may be used. in this case,
The oscillator oscillates a rectangular wave of frequency nf, the radiation pattern of the radiating electrode is given a rectangular wave of frequency f which is the output of the 1 / n frequency divider 20, and the reference signal has a frequency of nf which is the output of the oscillator. If a rectangular wave is used, the same frequency relationship as in the above-mentioned embodiment will be obtained. The advantage of using the bandpass filter is that the intensity of the detection signal can be detected with a simple configuration. On the other hand, when the synchronous detection is used, the signal detection in a narrower band can be easily realized and the configuration becomes complicated as compared with the case where the bandpass filter is used, but the signal of higher S / N is used. The advantage is that the detection can be performed and the accuracy of detecting the defect position can be expected to improve.
【００３６】また、発振器の出力信号として、矩形波の
代わりに正弦波を用いてもよい。この場合、上記した周
波数関係においてｎ＝１とすれば、バンドパスフィルタ
を用いた信号検出回路を用いても、同期検波回路を用い
てもよい。A sine wave may be used as the output signal of the oscillator instead of the rectangular wave. In this case, if n = 1 in the above frequency relationship, either a signal detection circuit using a bandpass filter or a synchronous detection circuit may be used.
【００３７】また、以上の説明では、全てのＴＦＴのソ
ース・ドレイン間は直流的にオフの状態を仮定した。図
１０に示すように、ゲート線２３にプラスの直流電圧を
印加し、また、電流−電圧変換用アンプ１６に直流のバ
イアス電圧を印加して、ＴＦＴのソース・ドレイン間を
オンすることができる。このようにして、検出信号のＳ
／Ｎを向上させることが可能である。Further, in the above description, it is assumed that the source / drain of all TFTs are off in terms of direct current. As shown in FIG. 10, a positive DC voltage can be applied to the gate line 23, and a DC bias voltage can be applied to the current-voltage conversion amplifier 16 to turn on the source-drain of the TFT. . In this way, the S of the detection signal
It is possible to improve / N.
【００３８】本実施例によれば、放射基板に形成された
１本の放射パターンを物理的に移動させ、検出信号強度
の変化を検出する構成をとっているので、信号検出のＳ
／Ｎを向上させれば、放射パターンの移動分解能がその
まま欠陥位置の検出精度となる。このように、高い精度
の欠陥位置の検出が実現可能であるという効果がある。According to the present embodiment, one radiation pattern formed on the radiation substrate is physically moved to detect the change in the detected signal intensity.
If / N is improved, the movement resolution of the radiation pattern becomes the detection accuracy of the defect position as it is. Thus, there is an effect that it is possible to detect a defect position with high accuracy.
【００３９】次に、図１１を用いて、欠陥の位置を特定
する第２の実施例について説明する。本実施例では、図
５に示した第１の実施例における放射基板１２、ドライ
バ回路１５、発振器１４を図１１のものに置き換えるの
ほか、その他はすべて同じである。Next, a second embodiment for identifying the position of the defect will be described with reference to FIG. In this embodiment, the radiation substrate 12, the driver circuit 15, and the oscillator 14 in the first embodiment shown in FIG. 5 are replaced by those in FIG.
【００４０】上記した欠陥の位置を特定する第１の実施
例では、放射基板に１本の放射パターンを形成し、放射
基板自身を被検査対象のドレイン線に沿って移動させた
が、本実施例では、放射基板に複数の放射パターンを形
成し、基本的には放射基板は固定したまま、放射パター
ンを電気的に選択して、等価的に第１の実施例と同様に
放射パターンを移動させている。In the first embodiment for specifying the position of the defect described above, one radiation pattern was formed on the radiation substrate and the radiation substrate itself was moved along the drain line of the inspection object. In the example, a plurality of radiation patterns are formed on the radiation board, and basically the radiation board is fixed, and the radiation pattern is electrically selected to move the radiation pattern equivalently as in the first embodiment. I am letting you.
【００４１】図１１に示すように、放射基板１２上に
は、放射パターン１３が、一定の幅と間隔で、かつドレ
イン線の長さより長い範囲にわたって複数本平行に配置
される。放射パターン１３はドレイン線に交差するよう
にし、放射基板１２をガラス基板の裏面に接触あるいは
近接させる。それぞれの放射パターン１３の一端は、ド
ライバ回路１５に接続されている。それぞれのドライバ
回路１５の入力は、選択回路２６の出力に接続されてい
る。発振器２７よりの矩形波信号は、この選択回路２６
によって一つのドライバ回路１５にのみ入力され、１本
の放射パターン１３のみに矩形波信号が与えられる。ま
わり込みによる信号の不要な放射を防ぐため、非選択の
放射パターンについては、ドライバ回路によって、アー
ス電位など一定電位に低いインピーダンスで固定する。
また、放射パターンのドライバ回路とは反対側の一端
は、第１の実施例と同様、与えられた矩形波信号の反射
を防ぐ意味で、終端抵抗で終端する。As shown in FIG. 11, a plurality of radiation patterns 13 are arranged in parallel on the radiation substrate 12 with a constant width and interval and over a range longer than the length of the drain line. The radiation pattern 13 intersects the drain line, and the radiation substrate 12 is brought into contact with or close to the back surface of the glass substrate. One end of each radiation pattern 13 is connected to the driver circuit 15. The input of each driver circuit 15 is connected to the output of the selection circuit 26. The rectangular wave signal from the oscillator 27 is supplied to the selection circuit 26.
By this, only one driver circuit 15 inputs the rectangular wave signal to only one radiation pattern 13. To prevent unnecessary radiation of signals due to wraparound, unselected radiation patterns are fixed to a constant potential such as the ground potential with a low impedance by a driver circuit.
Further, one end of the radiation pattern on the side opposite to the driver circuit is terminated with a terminating resistor in the sense of preventing reflection of a given rectangular wave signal, as in the first embodiment.
【００４２】本実施例による欠陥位置の特定方法は、次
の通りである。The method of identifying the defect position according to this embodiment is as follows.
【００４３】選択回路２６を用いて、ドレイン線の一端
に対応する側から、一つずつ順次放射パターン１３を選
択して、矩形波信号を印加する。この時の検出信号強度
の変化から欠陥位置を特定する。大きな強度変化の前後
のそれぞれの平均値の中点に対応する点を以下の式に従
って内挿して求め、欠陥位置の検出精度を向上させる。Using the selection circuit 26, the radiation patterns 13 are sequentially selected one by one from the side corresponding to one end of the drain line, and a rectangular wave signal is applied. The defect position is specified from the change in the detection signal intensity at this time. The point corresponding to the midpoint of each average value before and after a large intensity change is interpolated and calculated according to the following formula to improve the defect position detection accuracy.
【００４４】[0044]
【数３】 (Equation 3)
【００４５】ここに、Ｙ0は検出欠陥位置、Ｓ0は大きな
強度変化の前後のそれぞれの平均値の中点の値、Ｓ1、
Ｓ2はＳ0をはさむ前後の値を与える放射パターンに対す
る検出信号の強度（Ｓ1≦Ｓ0＜Ｓ2）、Ｙ1、Ｙ2は、そ
の時の放射パターンの位置座標である。Here, Y 0 is the detected defect position, S 0 is the midpoint value of each average value before and after a large intensity change, S 1 ,
S 2 is the intensity of the detection signal for the radiation pattern gives the values before and after sandwiching the S 0 (S 1 ≦ S 0 <S 2), Y 1, Y 2 is the position coordinates of the radiation pattern at that time.
【００４６】欠陥位置の内挿による決定方法としては、
上記のほか、検出信号の強度変化を特定の関数に近似し
て求める方法もある。また、検出信号の強度の変化を微
分してそのピークを（関数を仮定して内挿によって）求
め、変化の最も急峻な部分を欠陥の位置としてもよい。
いずれにしても、検査装置の構成や検査対象の基板によ
って、最も精度よく欠陥位置を与える方法は異なるの
で、上記したいくつかの方法のなかから、実験検討によ
って一つの方法を選択する。As a method of determining the defect position by interpolation,
In addition to the above, there is also a method of approximating the change in the intensity of the detection signal by a specific function. Alternatively, the change in the intensity of the detection signal may be differentiated to obtain its peak (by interpolation assuming a function), and the portion with the steepest change may be the position of the defect.
In any case, the method of giving the defect position with the highest accuracy differs depending on the configuration of the inspection apparatus and the substrate to be inspected. Therefore, one method is selected from the above-mentioned several methods by experimental examination.
【００４７】また、上記の説明では、選択回路による放
射パターンの選択を、検査対象ドレイン線の一端から順
番に一つずつ行うものとしたが、図１２に示すように、
最初にドレイン線の両端と中点の３点の検出信号の強度
を検出し、隣合った２点のうち検出信号の差の大きな方
を選び、その中点の放射パターンを選択して検出信号の
強度を検出する、という方法を隣合った放射パターンが
選択されるまで繰り返すことによって、大きな強度変化
を与える点を迅速に見出すことも可能である。欠陥位置
の検出精度を向上させるため、以上の方法で検出された
大きな強度変化を与える点の、前後の複数の放射パター
ンを連続して選択して、前述した内挿法によって最終的
な検出欠陥位置とすることも可能である。In the above description, the radiation pattern is selected by the selection circuit one by one from one end of the drain line to be inspected, but as shown in FIG.
First, the intensity of the detection signal at both ends of the drain line and the middle point is detected, the one with the largest difference between the detection signals is selected from the adjacent two points, and the radiation pattern at the middle point is selected to detect the detection signal. It is also possible to quickly find a point that gives a large intensity change by repeating the method of detecting the intensities of 2 and 3 until the adjacent radiation patterns are selected. In order to improve the detection accuracy of the defect position, a plurality of radiation patterns before and after the point that gives a large intensity change detected by the above method are continuously selected, and the final detection defect by the interpolation method described above. It can also be a position.
【００４８】また、以上の説明では放射パターンの選択
は、１本ずつであったが、隣合った複数本の放射パター
ンを選択して同時に矩形波によって駆動しても良い。こ
の方法は、ＴＦＴ液晶基板の縦方向の画素ピッチと放射
パターンのピッチの違いによって、検出信号の変化が波
打つ場合、この低減に有効である。In the above description, the radiation patterns are selected one by one, but a plurality of adjacent radiation patterns may be selected and driven by a rectangular wave at the same time. This method is effective in reducing the variation of the detection signal when the variation of the detection signal is caused by the difference between the vertical pixel pitch of the TFT liquid crystal substrate and the pitch of the radiation pattern.
【００４９】なお、本実施例においても、共通電極の取
扱い、バイアス電圧の与え方、放射パターンに与える信
号波形、検出信号の強度検出方法など、第１の実施例に
示した全ての方法が適用可能なことは、もちろんであ
る。Also in this embodiment, all the methods shown in the first embodiment, such as the handling of the common electrode, the method of applying the bias voltage, the signal waveform applied to the radiation pattern, the intensity detection method of the detection signal, etc., are applied. Of course, it is possible.
【００５０】本実施例によれば、複数の放射パターンを
形成した放射基板を用い、放射パターンを電気的に切り
換えて使用しているので、短時間に欠陥位置を特定でき
るという効果がある。According to this embodiment, since the radiation substrate on which a plurality of radiation patterns are formed is used and the radiation patterns are electrically switched and used, the defect position can be specified in a short time.
【００５１】なお、以上の第１および第２の実施例で
は、放射基板上の放射パターンの長さについての言及は
行わなかった。検査時間を最も短縮するには、放射パタ
ーンをゲート線の長さ以上とし、いったんＴＦＴ液晶基
板に対して放射基板をセットした後は、ゲート線の方向
に移動させないようにするのが良い。特にＴＦＴ液晶基
板１個当たり複数欠陥の発生が多くを占める場合、この
方法は有効である。しかし、放射パターンを長くする
と、ゲート線を介してまわり込む信号が大きくなり、あ
たかも図８に示したＣSが大きくなった様に見える場合
がある。この結果、検出信号の強度変化の割合が小さく
なり、欠陥位置の検出精度を低下させる可能性がある。
この意味で、もし複数欠陥の発生確率が低く、または、
複数欠陥発生時の検査時間の増大が許されるのであれ
ば、放射パターンの長さは、例えば１０ｍｍ程度の短い
ものとするのが良い。また、ゲート線の２分の１とし
て、２回に分けて検査しても良い。以上のように、放射
パターンの長さは、検査対象基板の複数欠陥の発生確
率、目標とする検査時間、欠陥位置の検出精度などか
ら、総合的に決定されるべきである。In the above first and second embodiments, the length of the radiation pattern on the radiation substrate is not mentioned. In order to shorten the inspection time most, it is preferable that the radiation pattern has a length equal to or longer than the gate line, and the radiation substrate is once set on the TFT liquid crystal substrate and then is not moved in the direction of the gate line. This method is particularly effective when a large number of defects are generated per TFT liquid crystal substrate. However, if the radiation pattern is lengthened, the signal that goes around via the gate line becomes large, and it may appear as if C S shown in FIG. 8 becomes large. As a result, the rate of change in the intensity of the detection signal decreases, which may reduce the detection accuracy of the defect position.
In this sense, if the probability of multiple defects is low, or
If it is possible to increase the inspection time when a plurality of defects occur, the length of the radiation pattern should be short, for example, about 10 mm. In addition, the inspection may be performed twice as one half of the gate line. As described above, the length of the radiation pattern should be comprehensively determined from the occurrence probability of a plurality of defects on the inspection target substrate, the target inspection time, the detection accuracy of the defect position, and the like.
【００５２】また、以上の実施例では、ＴＦＴ液晶基板
の配線パターン形成面と反対側のガラス基板表面に放射
パターンを接触あるいは近接するように放射基板を配置
した。この場合、形成された配線パターンなどを破損す
る可能性が低いという利点がある。しかし、装置の配置
上の理由などから、配線パターン形成面に放射パターン
を近接させても良い。この場合、特に間隔の計測、制御
を厳密に行う必要があるが、ガラス基板の厚さ×ガラス
基板の比誘電率よりも小さな距離に放射パターンを近接
すれば、より大きな検出信号を検出できる。これにより
高いＳ／Ｎの信号検出が可能となり、結果的に欠陥位置
の検出精度を向上できるという利点がある。Further, in the above embodiments, the radiation substrate is arranged so that the radiation pattern is in contact with or close to the surface of the glass substrate opposite to the wiring pattern forming surface of the TFT liquid crystal substrate. In this case, there is an advantage that the formed wiring pattern or the like is less likely to be damaged. However, the radiation pattern may be arranged close to the wiring pattern formation surface for reasons such as the arrangement of the device. In this case, particularly, it is necessary to strictly measure and control the interval, but a larger detection signal can be detected by bringing the radiation pattern close to a distance smaller than (thickness of glass substrate × relative permittivity of glass substrate). As a result, it is possible to detect a high S / N signal, and as a result, it is possible to improve the detection accuracy of the defect position.
【００５３】さて、次に本発明による配線パターン検査
装置の一実施例について、図１３を用いて説明する。Now, an embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００５４】装置全体の動作は、マイクロコンピュータ
１００を含む制御装置１０１によって制御される。The operation of the entire apparatus is controlled by the control device 101 including the microcomputer 100.
【００５５】ＴＦＴ液晶基板５０はローダ／アンローダ
装置１０２によって、ＸＹステージ１０３上の支持ステ
ージ１０４にセットされる。Ｘステージの方向がゲート
線の配線方向、Ｙステージの方向がドレイン線の方向と
する。また、ＴＦＴ液晶基板５０は配線パターン形成面
が上になるようにセットされる。The TFT liquid crystal substrate 50 is set on the support stage 104 on the XY stage 103 by the loader / unloader device 102. The direction of the X stage is the wiring direction of the gate line, and the direction of the Y stage is the direction of the drain line. Further, the TFT liquid crystal substrate 50 is set so that the wiring pattern forming surface faces upward.
【００５６】図１３に示すように、ＸＹステージ１０３
上には、ＴＦＴ液晶基板５０を位置決めピン１０５ａ〜
ｃで機械的に位置決めし、プッシャ１０６ａ〜ｃを用い
て基板の４辺で支持する支持ステージ１０４と、長さ１
０ｍｍ程度のゲート線の長さに比べ十分短い１本の放射
パターン２００が形成された放射基板２０１が配置され
ている。放射パターン２００には、発振器４００より繰
り返し信号が与えられている。また、放射基板２０１
は、ＸＹステージ１０３上に固定されたＸＹＺステージ
１０７に支持されており、支持ステージ１０４の内側を
移動可能である。すなわち、放射基板２０１は、ＸＹＺ
ステージ１０７のＺ軸の動作によって、放射パターン２
００が形成された基板表面がＴＦＴ液晶基板５０のガラ
ス基板表面に接触あるいは近接し、また、Ｘ軸の動作に
よって、被検査対象のドレイン線と放射パターン２００
とが交差するように位置決めされる。また、ＸＹＺステ
ージ１０７のＹ軸の動作によって、欠陥の位置検出のた
めの、ドレイン線に沿った放射パターン２００の移動が
行われる。As shown in FIG. 13, the XY stage 103
Above the TFT liquid crystal substrate 50, the positioning pins 105a to
a support stage 104 that is mechanically positioned by c and is supported on four sides of the substrate by using the pushers 106a to 106c;
The radiation substrate 201 on which one radiation pattern 200 is formed, which is sufficiently shorter than the length of the gate line of about 0 mm, is arranged. The radiation pattern 200 is repeatedly given a signal from the oscillator 400. In addition, the radiation substrate 201
Are supported by an XYZ stage 107 fixed on the XY stage 103, and are movable inside the support stage 104. That is, the radiation substrate 201 is XYZ.
The radiation pattern 2 is generated by the Z-axis operation of the stage 107.
The surface of the substrate on which 00 is formed comes into contact with or comes close to the surface of the glass substrate of the TFT liquid crystal substrate 50, and the drain line and the radiation pattern 200 to be inspected by the operation of the X axis.
Positioned so that and intersect. Further, the Y-axis operation of the XYZ stage 107 moves the radiation pattern 200 along the drain line to detect the position of the defect.
【００５７】また、ＸＹステージ１０３の上方には、ゲ
ート線共通電極に接触するための触針Ｇ３００、ドレイ
ン線共通電極に接触するための触針Ｄ３０１が配置され
ている。これらは、アクチュエータ３０２ａ、ｂによっ
て、上下方向の移動が可能である。また、ドレイン線共
通電極の反対側に形成されたドレイン線プロービング電
極に接触するための触針Ｓ３０３が、アクチュエータ３
０４を介して装置に固定されている。また、ＴＶカメラ
３０５と照明３０６は、ＴＦＴ液晶基板５０上の位置合
わせマークを検出する。位置合わせマークの検出位置情
報と位置合わせマークとドレイン線プロービング電極と
の位置関係に関する設計情報に基づき、ＸＹステージ１
０３によって位置補正を行って、触針Ｓ３０３をドレイ
ン線プロービング電極に対して正しく位置決めする。こ
の目的で、ＴＶカメラ３０５は、制御装置１０１内の画
像メモリ３０７に接続され、検出画像が、制御装置１０
１のマイクロコンピュータ１００によって処理される。
位置合わせマークの位置検出方法については、公知のい
かなる方法を選択して使っても良い。A stylus G300 for contacting the gate line common electrode and a stylus D301 for contacting the drain line common electrode are arranged above the XY stage 103. These can be moved in the vertical direction by the actuators 302a and 302b. In addition, the stylus S303 for contacting the drain line probing electrode formed on the opposite side of the drain line common electrode is the actuator 3
It is fixed to the device via 04. Further, the TV camera 305 and the illumination 306 detect the alignment mark on the TFT liquid crystal substrate 50. The XY stage 1 is based on the detected position information of the alignment mark and the design information regarding the positional relationship between the alignment mark and the drain wire probing electrode.
The position of the stylus S303 is correctly positioned with respect to the drain wire probing electrode by performing the position correction with 03. For this purpose, the TV camera 305 is connected to the image memory 307 in the control device 101, and the detected image is detected by the control device 10.
It is processed by one microcomputer 100.
As a method of detecting the position of the alignment mark, any known method may be selected and used.
【００５８】触針Ｇ３００は、制御装置１０１の制御に
よって、アース電位またはプラスの直流電位が与えられ
る。また、触針Ｄ３０１も同様に、制御装置１０１の制
御によって、アース電位またはプラスの直流電位が与え
られる。一方、触針Ｓ３０３は、電流−電圧変換用アン
プ３０８に接続されている。また、電流−電圧変換用ア
ンプ３０８の入力のバイアス電圧についても、アース電
位またはプラスの直流電位に、制御装置１０１によって
切り換え可能である。The stylus G300 is given a ground potential or a positive DC potential under the control of the control device 101. Similarly, the stylus D301 is also provided with a ground potential or a positive DC potential under the control of the control device 101. On the other hand, the stylus S303 is connected to the current-voltage conversion amplifier 308. The bias voltage at the input of the current-voltage conversion amplifier 308 can also be switched to the ground potential or the positive DC potential by the control device 101.
【００５９】電流−電圧変換用アンプ３０８の出力は、
同期検波回路を内蔵したロックインアンプ３０９および
Ａ／Ｄ変換回路３１０に入力される。ロックインアンプ
３０９の出力である振幅情報（信号の強度情報）および
Ａ／Ｄ変換回路３１０からのアナログ電圧信号のディジ
タル変換値は、制御装置１０１に入力される。The output of the current-voltage conversion amplifier 308 is
It is input to the lock-in amplifier 309 and the A / D conversion circuit 310 that have a built-in synchronous detection circuit. The amplitude information (signal strength information) output from the lock-in amplifier 309 and the digital conversion value of the analog voltage signal from the A / D conversion circuit 310 are input to the control device 101.
【００６０】以上の自動検査装置の動作について説明す
る。The operation of the above automatic inspection apparatus will be described.
【００６１】まず、ＸＹステージ１０３をローダ／アン
ローダ位置に移動させ、ローダ／アンローダ装置１０２
によって、ＴＦＴ液晶基板５０がカートリッジ１０８よ
り取り出され、支持ステージ１０４上に固定される。こ
のとき、触針Ｇ３００、触針Ｄ３０１、および触針Ｓ３
０３は、アクチュエータ３０２ａ、ｂ、３０４によって
上方に退避している。また、放射基板２０１はＸＹＺス
テージ１０７のＺ軸の動作によって、下方に退避してい
る。First, the XY stage 103 is moved to the loader / unloader position, and the loader / unloader device 102 is moved.
Thus, the TFT liquid crystal substrate 50 is taken out from the cartridge 108 and fixed on the support stage 104. At this time, the stylus G300, the stylus D301, and the stylus S3
03 is retracted upward by the actuators 302a, b, 304. Further, the radiation substrate 201 is retracted downward by the Z-axis operation of the XYZ stage 107.
【００６２】次に、ＸＹステージ１０３の移動によっ
て、検査位置にＴＦＴ液晶基板５０を移動する。検査位
置で、ＴＶカメラ３０５と照明３０６によって基板上の
位置合わせマークを検出し、ＴＦＴ液晶基板５０上の位
置合わせマークの位置を検出する。その検出位置情報と
位置合わせマークとドレイン線プロービング電極との位
置関係に関する設計情報に基づいて、ＸＹステージ１０
３の座標における、ドレイン線プロービング電極の位置
を計算する。この計算結果に基づいて、触針Ｓ３０３を
ドレイン線プロービング電極に対して一つずつ位置合わ
せする。Next, by moving the XY stage 103, the TFT liquid crystal substrate 50 is moved to the inspection position. At the inspection position, the alignment mark on the substrate is detected by the TV camera 305 and the illumination 306, and the position of the alignment mark on the TFT liquid crystal substrate 50 is detected. The XY stage 10 is based on the detected position information and design information on the positional relationship between the alignment mark and the drain line probing electrode.
Calculate the position of the drain line probing electrode at the coordinates of 3. Based on the result of this calculation, the stylus S303 is aligned with the drain wire probing electrode one by one.
【００６３】位置合わせ後、アクチュエータ３０４を下
方に動作させ、触針Ｓ３０３をドレイン線プロービング
電極に接触させる。このとき、触針Ｇ３００および触針
Ｄ３０１のアクチュエータ３０２ａ、ｂも下方に動作さ
せ、それぞれゲート線共通電極、ドレイン線共通電極に
接触させる。触針Ｇ３００はアース電位、触針Ｄ３０１
はプラスの直流電位を与えておく。また、触針Ｓ３０３
に接続した電流−電圧変換用アンプ３０８のバイアス電
圧は、アース電位とする。もし、Ａ／Ｄ変換回路３１０
によって入力された触針Ｓ３０３における電流値が、予
め定めた一定値以下であれば、断線ありと判定し、以下
の欠陥位置の検出処理を行う。After the alignment, the actuator 304 is operated downward to bring the stylus S303 into contact with the drain wire probing electrode. At this time, the actuators 302a and 302b of the stylus G300 and the stylus D301 are also operated downward to contact the gate line common electrode and the drain line common electrode, respectively. Stylus G300 is ground potential, Stylus D301
Is given a positive DC potential. Also, the stylus S303
The bias voltage of the current-voltage conversion amplifier 308 connected to is set to the ground potential. If the A / D conversion circuit 310
If the current value in the stylus S303 input by is less than or equal to a predetermined constant value, it is determined that there is disconnection, and the following defect position detection processing is performed.
【００６４】一定値を超えている場合は、断線なしと判
定し、いったんアクチュエータ３０４によって触針Ｓ３
０３を上方に退避させた後、ＸＹステージ１０３を動作
させ、次のドレイン線について、上記した動作を繰り返
し実施する。When the value exceeds the certain value, it is determined that there is no disconnection, and the actuator 304 once determines the stylus S3.
After evacuating 03, the XY stage 103 is operated, and the above operation is repeated for the next drain line.
【００６５】断線ありと判定されたドレイン線に対して
は、ＸＹＺステージ１０７のＸ軸の動作によって、放射
基板２０１の放射パターン２００をそのドレイン線と交
差するように位置合わせする。またＹ軸の動作によっ
て、ドレイン線プロービング電極側に放射パターン２０
０を移動させる。次に、Ｚ軸の動作によって、放射パタ
ーン２００が形成された放射基板２０１の表面をＴＦＴ
液晶基板５０のガラス基板表面に近接させる。With respect to the drain line determined to have a disconnection, the radiation pattern 200 of the radiation substrate 201 is aligned by the operation of the X-axis of the XYZ stage 107 so as to intersect the drain line. Also, the radiation pattern 20 is applied to the drain line probing electrode side by the operation of the Y axis.
Move 0. Next, the surface of the radiation substrate 201 on which the radiation pattern 200 is formed is subjected to TFT by the operation of the Z axis.
The liquid crystal substrate 50 is brought close to the glass substrate surface.
【００６６】触針Ｇ３００をプラスの直流電位（または
アース電位）に切り換え、触針Ｄ３０１をアース電位
に、また、触針Ｓ３０３に接続した電流−電圧変換用ア
ンプ３０８のバイアス電圧をプラスの直流電位（または
アース電位）に切り換える。また、放射基板２０１の放
射パターン２００には、発振器４００よりの信号を１／
ｎ分周器で分周した矩形波信号を、また、ロックインア
ンプ３０９には、発振器４００よりの信号をそのまま与
える。そして、ＸＹＺステージ１０７のＹ軸を動作さ
せ、放射基板２０１をドレイン線に沿って移動させなが
ら、ロックインアンプ３０９の検出信号強度の変化を検
出し、前述の方法に従って、欠陥位置を決定する。The stylus G300 is switched to a positive DC potential (or ground potential), the stylus D301 is set to the ground potential, and the bias voltage of the current-voltage conversion amplifier 308 connected to the stylus S303 is set to a positive DC potential. (Or ground potential). In addition, the radiation pattern 200 of the radiation substrate 201 is 1 /
The rectangular wave signal divided by the n frequency divider and the signal from the oscillator 400 are given to the lock-in amplifier 309 as they are. Then, the Y-axis of the XYZ stage 107 is operated, the radiation substrate 201 is moved along the drain line, the change in the detection signal intensity of the lock-in amplifier 309 is detected, and the defect position is determined according to the method described above.
【００６７】欠陥位置が決定できたら、アクチュエータ
３０４を上方に動作させて触針Ｓ３０３を退避し、触針
Ｓ３０３を次のドレイン線プロービング電極に位置合わ
せし、欠陥の有無の検出、欠陥位置の決定動作を、全て
のドレイン線プロービング電極に対して、繰り返し実行
する。When the defect position can be determined, the actuator 304 is operated upward to retract the stylus S303, align the stylus S303 with the next drain wire probing electrode, detect the presence or absence of a defect, and determine the defect position. The operation is repeated for all drain line probing electrodes.
【００６８】全てのドレイン線の検査が終了したら、欠
陥の位置を、ＴＦＴ液晶基板５０に付された製造番号と
ともにフレキシブル磁気ディスク５００等の記憶媒体に
記憶し、またプリンタ５０１にも表示する。同時に、全
てのアクチュエータ３０２ａ、ｂ、３０４を上方に動作
させて触針Ｇ３００、触針Ｄ３０１、触針Ｓ３０３を退
避させ、また、ＸＹＺステージ１０７のＺ軸を下方に動
作させて放射基板２０１を退避させた上で、ＸＹステー
ジ１０３を動作させて、ＴＦＴ液晶基板５０をローダ／
アンローダ位置に移動させる。次に、ローダ／アンロー
ダ装置１０２によって、ＴＦＴ液晶基板５０をカートリ
ッジ１０８に格納する。After the inspection of all drain lines is completed, the position of the defect is stored in a storage medium such as the flexible magnetic disk 500 together with the serial number attached to the TFT liquid crystal substrate 50, and is also displayed on the printer 501. At the same time, all the actuators 302a, b, 304 are operated upward to retract the stylus G300, stylus D301, and stylus S303, and the Z-axis of the XYZ stage 107 is moved downward to retract the radiation substrate 201. After that, the XY stage 103 is operated to load / load the TFT liquid crystal substrate 50.
Move to the unloader position. Next, the TFT liquid crystal substrate 50 is stored in the cartridge 108 by the loader / unloader device 102.
【００６９】以上の動作を繰り返すことによって、全自
動で、ＴＦＴ液晶基板５０のドレイン線の断線欠陥の有
無と位置を検査できる。By repeating the above operation, the presence and position of the disconnection defect of the drain line of the TFT liquid crystal substrate 50 can be inspected fully automatically.
【００７０】本実施例によれば、全自動で、ＴＦＴ液晶
基板５０のドレイン線の断線欠陥の有無と位置を検査で
きるので、検査工数の大幅な低減が可能である。According to the present embodiment, the presence and position of the disconnection defect of the drain line of the TFT liquid crystal substrate 50 can be inspected fully automatically, so that the inspection man-hour can be greatly reduced.
【００７１】次に、図１４を用いて、本発明による配線
パターン検査装置の第２の実施例を説明する。Next, a second embodiment of the wiring pattern inspection device according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００７２】上記した第１の実施例と異なる点は、放射
基板２０２に複数の放射パターン２００が形成されてい
る点である。放射パターン２００は、長さ１０ｍｍ程度
のゲート線の長さに比べ十分短いものとし、また、複数
本の放射パターン２００の形成範囲は、ドレイン線より
長いものとする。複数の放射パターン２００の幅および
形成ピッチは、ゲート線の間隔の２分の１以上、たとえ
ば、それぞれ０．３ｍｍとする。The difference from the first embodiment described above is that a plurality of radiation patterns 200 are formed on the radiation substrate 202. The radiation pattern 200 is sufficiently shorter than the length of the gate line having a length of about 10 mm, and the formation range of the plurality of radiation patterns 200 is longer than the drain line. The width and the formation pitch of the plurality of radiation patterns 200 are ½ or more of the distance between the gate lines, for example, 0.3 mm each.
【００７３】放射基板は、第１の実施例ではＸＹＺステ
ージ１０７によって支持されていたのに対して、本実施
例では、ＸＺステージ１１０によって支持されている。
すなわち、第１の実施例ではＸＹＺステージ１０７のＹ
軸の動作によって、放射パターン２００をドレイン線に
沿って移動させていたのに対して、放射基板２０２はＹ
軸方向には移動させずに、選択回路４０１によって複数
の放射パターン２００から選択して、発振器４００より
の矩形波信号を与え、等価的に同様の効果を生じさせて
いる。放射パターン２００の選択方式、および欠陥位置
の決定方法については、欠陥の位置を特定する第２の実
施例に示したとおりである。また、この場合、放射基板
２０２は、ＸＺステージ１１０のＸ軸の動作によってド
レイン線に位置合わせされた後、Ｚ軸を上方に動作させ
て、ＴＦＴ液晶基板５０に接触させる。The radiation substrate is supported by the XYZ stage 107 in the first embodiment, whereas it is supported by the XZ stage 110 in the present embodiment.
That is, in the first embodiment, Y of the XYZ stage 107
While the radiation pattern 200 is moved along the drain line by the movement of the axis, the radiation substrate 202 is Y-shaped.
Instead of moving in the axial direction, a selection circuit 401 selects from a plurality of radiation patterns 200 and gives a rectangular wave signal from an oscillator 400 to equivalently produce the same effect. The selection method of the radiation pattern 200 and the method of determining the defect position are as described in the second embodiment for specifying the defect position. Further, in this case, the radiation substrate 202 is aligned with the drain line by the operation of the X-axis of the XZ stage 110, and then the Z-axis is moved upward to contact the TFT liquid crystal substrate 50.
【００７４】上記したものを除き、他の構成および動作
は、第１の実施例と全く同じである。Except for the above, the other structure and operation are the same as those of the first embodiment.
【００７５】本実施例によれば、本発明による配線パタ
ーン検査装置の第１の実施例による効果に加え、より高
速な検査が可能であるという効果がある。According to this embodiment, in addition to the effect of the first embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention, there is an effect that a higher speed inspection is possible.
【００７６】次に、図１５を用いて、本発明による配線
パターン検査装置の第３の実施例を説明する。Next, the third embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００７７】上記した第２の実施例と異なる点は、放射
基板２０３上の複数の放射パターン２００の長さがゲー
ト線の長さに比べ長い点である。The difference from the second embodiment is that the lengths of the plurality of radiation patterns 200 on the radiation substrate 203 are longer than the length of the gate line.
【００７８】従って、放射基板２０３は、第２の実施例
ではＸＺステージ１１０によって支持されていたのに対
して、本実施例では、支持ステージ１０４に直接固定さ
れており、ＸＺステージ１１０を用いていない。放射基
板２０３の表面は、支持ステージ１０４の表面と同一平
面になるようにし、放射パターン２００がＴＦＴ液晶基
板５０の配線パターンの形成されていない側のガラス面
に接触するようにする。Therefore, while the radiation substrate 203 is supported by the XZ stage 110 in the second embodiment, it is directly fixed to the support stage 104 in this embodiment, and the XZ stage 110 is used. Absent. The surface of the radiation substrate 203 is flush with the surface of the support stage 104, and the radiation pattern 200 is in contact with the glass surface of the TFT liquid crystal substrate 50 on the side where the wiring pattern is not formed.
【００７９】その他については、第２の実施例と全く同
じである。The other points are exactly the same as in the second embodiment.
【００８０】本実施例によれば、本発明による配線パタ
ーン検査装置の第２の実施例による効果に加え、機械的
可動部分が少ないため、装置全体の信頼性が向上すると
ともに、ＴＦＴ液晶基板５０に対する損傷の確率を下げ
ることができるという効果がある。According to the present embodiment, in addition to the effect of the second embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention, the number of mechanically movable parts is small, so that the reliability of the entire apparatus is improved and the TFT liquid crystal substrate 50 is provided. There is an effect that the probability of damage to the can be reduced.
【００８１】以上示した本発明による配線パターン検査
装置の三つの実施例では、各ドレイン線における断線欠
陥の有無を、検査装置内で検出する構成とした。しか
し、欠陥の有無だけを、電気的な導通を試験する他の導
通検査装置で検査し、欠陥のある基板のみを、本発明に
よる配線パターン検査装置によって検査し、欠陥の位置
を検査するようにすることも可能である。この場合、上
記した配線パターン検査装置の三つの実施例に、導通検
査装置よりの欠陥の存在するドレイン線の位置に関する
情報を入力するための、キーボード、フレキシブル磁気
ディスクあるいはネットワークなどを付加する必要があ
るが、一方で、断線欠陥の有無の検出部分を省くことが
可能になる。In the three embodiments of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention described above, the presence or absence of disconnection defect in each drain line is detected in the inspection apparatus. However, only the presence / absence of a defect is inspected by another continuity inspecting device for inspecting electrical continuity, and only the defective substrate is inspected by the wiring pattern inspecting device according to the present invention to inspect the position of the defect. It is also possible to do so. In this case, it is necessary to add a keyboard, a flexible magnetic disk, a network, or the like for inputting information regarding the position of the defective drain line from the continuity inspection device to the three examples of the wiring pattern inspection device described above. However, on the other hand, it becomes possible to omit the portion for detecting the presence / absence of a disconnection defect.
【００８２】通常、製造工程の途中段階において、全て
のＴＦＴ液晶基板に対する欠陥の有無の検査は不可欠で
ある。従って、この検査は、ＴＦＴ液晶基板の製造スピ
ードに同期した速さをもっていなければならない。一
方、欠陥の位置の検出や欠陥の修正などは、欠陥の検出
された基板に対してだけ行えば良く、より多くの時間を
かけることが通常許されている。以上を考慮すると、欠
陥の有無の検査と欠陥位置の検出を、上記したように構
成によって別個に行うことによって、不必要に検査装置
の速度を上げる必要が無くなり、または、必要以上に多
くの検査装置を用意しなくても良くなるため、全体とし
てより少ない設備投資額ですむ可能性があるという効果
がある。Normally, it is indispensable to inspect all TFT liquid crystal substrates for defects in the middle of the manufacturing process. Therefore, this inspection must have a speed synchronized with the manufacturing speed of the TFT liquid crystal substrate. On the other hand, the detection of the position of the defect, the correction of the defect, etc. may be performed only on the substrate in which the defect is detected, and it is generally permitted to spend more time. In consideration of the above, by performing the inspection for the presence or absence of a defect and the detection of the defect position separately by the configuration as described above, there is no need to unnecessarily increase the speed of the inspection apparatus, or an excessive number of inspections are performed. Since there is no need to prepare a device, there is an effect that a smaller amount of capital investment may be required as a whole.
【００８３】図１６に本発明による配線パターン検査装
置に、断線欠陥の修正機能を付加した装置の構成を示
す。本実施例では、ＸＹステージ１０３のストロークを
増やし、欠陥位置を検出したＴＦＴ液晶基板５０を修正
位置に移動させ、欠陥位置に対して修正を行う。装置全
体は、ＸＹステージ１０３、放射基板を内蔵している支
持ステージ１０４、検査部６０１、修正部６０２よりな
り、全体制御部６００によって制御される。本図におい
ては、ローダ／アンローダ装置１０２も示した。パター
ンの修正方法としては、レーザＣＶＤによってガス中の
金属を析出させる方法、金属ペーストを塗布する方法、
金属錯体を塗布しレーザによって金属を析出させる方法
などを対象に応じて用いることができる。FIG. 16 shows the structure of a wiring pattern inspection apparatus according to the present invention, which is provided with a function of correcting disconnection defects. In the present embodiment, the stroke of the XY stage 103 is increased, the TFT liquid crystal substrate 50 that has detected the defect position is moved to the correction position, and the defect position is corrected. The entire apparatus includes an XY stage 103, a support stage 104 containing a radiation substrate, an inspection unit 601, and a correction unit 602, and is controlled by the overall control unit 600. The loader / unloader device 102 is also shown in this figure. As a pattern correction method, a method of depositing a metal in a gas by laser CVD, a method of applying a metal paste,
A method of applying a metal complex and depositing a metal with a laser can be used depending on the object.
【００８４】断線位置の座標は、検出されたＴＦＴ液晶
基板５０上の位置合わせマークを基準とした座標に変換
され、修正の際の位置合わせに用いられる。すなわち、
修正位置においても、同様に設置されたＴＶカメラと照
明によって、ＴＦＴ液晶基板５０上の位置合わせマーク
が検出され、この検出位置と、位置合わせマークを基準
として座標変換された欠陥の位置座標から、位置合わせ
機構によって修正装置の位置合わせが行われる。The coordinates of the disconnection position are converted into coordinates with the detected alignment mark on the TFT liquid crystal substrate 50 as a reference and used for alignment at the time of correction. That is,
Even at the correction position, the alignment mark on the TFT liquid crystal substrate 50 is detected by the TV camera and the illumination which are similarly installed, and from this detection position and the position coordinate of the defect coordinate-converted with the alignment mark as a reference, The alignment mechanism aligns the correction device.
【００８５】また、修正を行った後、ＴＦＴ液晶基板５
０を検査位置に戻して、欠陥の有無の検出を修正したド
レイン線に対して行い、修正が確実に行われたことを確
認することも可能である。After correction, the TFT liquid crystal substrate 5
It is also possible to return 0 to the inspection position, detect the presence or absence of a defect with respect to the corrected drain line, and confirm that the correction is surely performed.
【００８６】検査装置に修正機能を付加することによっ
て、コンパクトな装置構成が実現できるという効果があ
り、結果的に、全体としての設備価格を低く抑えること
が可能になる。また、ＴＦＴ液晶基板を検査装置と修正
装置に載せ換える必要も無いため、段取り時間を省くこ
とができるとともに、載せ換えの際の不適切なハンドリ
ングに起因する新たな欠陥の発生を抑えることができる
という効果を生む。By adding a correction function to the inspection device, there is an effect that a compact device structure can be realized, and as a result, the equipment cost as a whole can be kept low. Further, since it is not necessary to transfer the TFT liquid crystal substrate to the inspection device and the repair device, it is possible to save the setup time and suppress the occurrence of a new defect due to improper handling during the transfer. Produces the effect.
【００８７】図１７に、以上述べた本発明による配線パ
ターン検査方法に基づいた配線パターン基板の製造方法
のフローチャートを示す。まず、全てのドレイン線に対
して、その電気的導通を試験することによって欠陥の有
無を検査し、欠陥の無い基板は次の工程に送られる。欠
陥のある基板に対しては、その欠陥数が予め定められた
一定値以下の場合、欠陥の存在するドレイン線に対して
本発明による静電特性の変化に基づく欠陥位置の検出が
行われ、その欠陥位置に対して修正装置を位置合わせ
し、欠陥の修正が行われる。欠陥の大きさが異常に大き
い、あるいは欠陥の数が一定値を超えるような場合は、
修正不能として、廃棄する。修正された欠陥に対して
は、再度電気的導通が検査され、欠陥が発見されない場
合は基板を次工程に送り、もし欠陥が再度発見された場
合は、欠陥位置の検出に戻って、以上の処理が繰り返さ
れる。FIG. 17 shows a flowchart of a method for manufacturing a wiring pattern substrate based on the wiring pattern inspection method according to the present invention described above. First, the presence or absence of defects is inspected by testing the electrical continuity of all drain lines, and the substrate having no defects is sent to the next step. For a defective substrate, if the number of defects is equal to or less than a predetermined constant value, the defect position is detected based on the change in electrostatic characteristics according to the present invention with respect to the drain line having the defect, The defect is corrected by aligning the correction device with the defect position. If the size of defects is abnormally large or the number of defects exceeds a certain value,
Discard as uncorrectable. For the repaired defect, the electrical continuity is inspected again, and if the defect is not found, the substrate is sent to the next step, and if the defect is found again, the process returns to the detection of the defect position, and the above is performed. The process is repeated.
【００８８】上記した配線パターン基板の製造方法によ
れば、検査と修正が一貫して行われるため、工程におけ
る無駄が無く、また、修正後に再度検査を行うため、欠
陥を含んだ基板が次工程に流れることが無いという効果
がある。According to the above-described method of manufacturing a wiring pattern substrate, the inspection and the correction are performed consistently, so that there is no waste in the process, and since the inspection is performed again after the correction, the substrate including the defect is processed in the next process. It has the effect of not flowing into
【００８９】以上の実施例では、あたかも１基板上に、
一つのＴＦＴ液晶基板が形成されているかのごとく説明
したが、１基板上に複数のＴＦＴ液晶基板が形成されて
いる場合においても、ローダ／アンローダ装置によっ
て、検査対象のＴＦＴ液晶基板を支持ステージの所定の
位置に装着することにより、まったく同様な構成と動作
で、それぞれのＴＦＴ液晶基板に対して検査、修正を行
うことができる。なお、支持ステージやＸＹステージは
１台のままで、ＴＦＴ液晶基板の１基板上の数に応じ
て、上記した検査装置あるいは修正装置を、一つの装置
内に複数台装備することによっても、対応可能なことは
もちろんである。In the above embodiments, as if on one substrate,
Although it has been described as if one TFT liquid crystal substrate is formed, even when a plurality of TFT liquid crystal substrates are formed on one substrate, the loader / unloader device allows the TFT liquid crystal substrate to be inspected By mounting the TFT liquid crystal substrate at a predetermined position, it is possible to inspect and correct each TFT liquid crystal substrate with exactly the same configuration and operation. It should be noted that the support stage and the XY stage remain as they are, and it is also possible to provide a plurality of the above-mentioned inspection devices or correction devices in one device according to the number of TFT liquid crystal substrates on one substrate. Of course it is possible.
【００９０】実施例の説明の冒頭に述べたように、本発
明は、以上説明したＴＦＴ液晶基板に対する検査だけで
なく、全く同様の構成、動作で、ＳＴＮ液晶基板、プラ
ズマディスプレイ基板等の平面表示基板、また一般に、
絶縁物上に形成された配線パターンに対しても適用可能
である。As described at the beginning of the description of the embodiments, the present invention is not limited to the above-described inspection of the TFT liquid crystal substrate, and has the same configuration and operation as the flat display of the STN liquid crystal substrate, the plasma display substrate, etc. The substrate, and generally
It is also applicable to a wiring pattern formed on an insulator.
【００９１】[0091]
【発明の効果】本発明による配線パターン検査方法およ
び装置によれば、欠陥の位置を高速に検出できるため、
検査時間の短縮に大きな効果がある。また、外観による
自動検査と比較して、装置の価格を低く抑えることが可
能である。また、本発明による配線パターン検査装置を
用いることによって、平面表示基板などの配線パターン
欠陥を迅速に検査・修正することが可能になり、特に、
大面積の基板に多くの製品基板を形成するような場合、
平均的な工程時間を大きく増加させることなく、最終的
な製品の歩留まりを大きく向上させることが可能になる
という効果がある。According to the wiring pattern inspection method and apparatus of the present invention, the position of a defect can be detected at high speed.
It has a great effect on shortening the inspection time. In addition, it is possible to keep the cost of the device low compared to the automatic inspection based on the appearance. Further, by using the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention, it becomes possible to quickly inspect and correct wiring pattern defects such as a flat display substrate.
When forming many product substrates on a large area substrate,
There is an effect that the yield of the final product can be greatly improved without significantly increasing the average process time.
【図１】本発明による断線検出の原理を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of disconnection detection according to the present invention.
【図２】本発明によるショート検出の原理を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing the principle of short circuit detection according to the present invention.
【図３】本発明の対象の一つであるＴＦＴ液晶基板の構
造例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a structural example of a TFT liquid crystal substrate which is one of the objects of the present invention.
【図４】ＴＦＴ液晶基板のドレイン線の断線検出を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing detection of disconnection of a drain line of a TFT liquid crystal substrate.
【図５】本発明によりドレイン線の断線位置を検出する
第１の実施例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a first embodiment for detecting a disconnection position of a drain wire according to the present invention.
【図６】上記第１の実施例における矩形波信号に対する
検出電流波形を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a detected current waveform with respect to a rectangular wave signal in the first embodiment.
【図７】上記第１の実施例における検出信号よりの高調
波信号の選択法を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a method of selecting a harmonic signal from a detection signal in the first embodiment.
【図８】上記第１の実施例における発振器からアンプま
での等価回路を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit from an oscillator to an amplifier in the first embodiment.
【図９】上記第１の実施例にて検出信号の強度を検出す
る他の方法を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing another method for detecting the intensity of the detection signal in the first embodiment.
【図１０】ＴＦＴ液晶基板のＴＦＴをオンする方法を示
す図である。FIG. 10 is a diagram showing a method of turning on a TFT of a TFT liquid crystal substrate.
【図１１】本発明によるドレイン線の断線位置を検出す
る第２の実施例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a second embodiment for detecting the disconnection position of the drain wire according to the present invention.
【図１２】上記第２の実施例における放射パターンを選
択する方法を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a method of selecting a radiation pattern in the second embodiment.
【図１３】本発明による配線パターン検査装置の第１の
実施例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a first embodiment of a wiring pattern inspection device according to the present invention.
【図１４】本発明による配線パターン検査装置の第２の
実施例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a second embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention.
【図１５】本発明による配線パターン検査装置の第３の
実施例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a third embodiment of the wiring pattern inspection apparatus according to the present invention.
【図１６】本発明による配線パターンの検査・修正装置
の構成例を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a configuration example of a wiring pattern inspection / correction device according to the present invention.
【図１７】本発明による配線パターン基板の製造方法の
一例を示すフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a wiring pattern substrate according to the present invention.
１ 液晶基板 ２ ドレイン線 ３ ドレイン線プロービング用電極 ４ ドレイン線共通電極 ５ ゲート線共通電極 ６、７、２２ 触針 ８ 断線 ９ 直流電源 １０ 電流検出器 １１ 配線パターン形成面 １２ 放射基板 １３ 放射パターン １４ 発振器 １５ ドライバ回路 １６ 電流−電圧変換用アンプ １７ バンドパスフィルタ １８ 検波回路 １９ 画素電極 ２０ １／ｎ分周器 ２１ ローパスフィルタ ２３ ゲート線 ２４ ＴＦＴ ２５ 終端抵抗 ２６ 選択回路 ２７ 矩形波発振器 ５０ ＴＦＴ液晶基板 １００ マイクロコンピュータ １０１ 制御装置 １０２ ローダ／アンローダ装置 １０３ ＸＹステージ １０４ 支持ステージ １０５ａ〜ｃ 位置決めピン １０６ａ〜ｃ プッシャ １０７ ＸＹＺステージ １１０ ＸＺステージ ２００ 放射パターン ２０１、２０２、２０３ 放射基板 ３００ 触針Ｇ ３０１ 触針Ｄ ３０３ 触針Ｓ ３０２ａ、ｂ、３０４ アクチュエータ ３０５ ＴＶカメラ ３０６ 照明 ３０７ 画像メモリ ３０８ 電流−電圧変換用アンプ ３０９ ロックインアンプ ３１０ Ａ／Ｄ変換回路 ４００ 発振器 ４０１ 選択回路 ５００ フレキシブル磁気ディスク ５０１ プリンタ ６００ 全体制御部 ６０１ 検査部 ６０２ 修正部 1 Liquid Crystal Substrate 2 Drain Line 3 Drain Line Probing Electrode 4 Drain Line Common Electrode 5 Gate Line Common Electrode 6, 7, 22 Stylus 8 Disconnection 9 DC Power Supply 10 Current Detector 11 Wiring Pattern Forming Surface 12 Radiation Substrate 13 Radiation Pattern 14 Oscillator 15 Driver circuit 16 Current-voltage conversion amplifier 17 Band pass filter 18 Detection circuit 19 Pixel electrode 20 1 / n frequency divider 21 Low pass filter 23 Gate line 24 TFT 25 Termination resistor 26 Selection circuit 27 Square wave oscillator 50 TFT liquid crystal substrate 100 Microcomputer 101 Control device 102 Loader / Unloader device 103 XY stage 104 Support stage 105a-c Positioning pin 106a-c Pusher 107 XYZ stage 110 XZ stage 200 Radiation pattern 201,202 203 Radiation substrate 300 Stylus G 301 Stylus D 303 Stylus S 302a, b, 304 Actuator 305 TV camera 306 Illumination 307 Image memory 308 Current-voltage conversion amplifier 309 Lock-in amplifier 310 A / D conversion circuit 400 Oscillator 401 selection Circuit 500 Flexible magnetic disk 501 Printer 600 Overall control unit 601 Inspection unit 602 Correction unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者 丸山 重信 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location G02F 1/1343 G01R 31/28 L (72) Inventor Shigenobu Maruyama 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Banchi Co., Ltd. Hitachi, Ltd., Production Engineering Laboratory
Claims (19)
ーンの欠陥を検査する方法において、少なくともその一
部が配線パターンの一部位と静電的に結合するようにな
された電極を設け、該電極と配線パターンとの間に時間
的に変化する電圧を印加して、該電極と配線パターンと
の間に流れる電流を検出し、該電圧印加および該電流検
出を配線パターンの異なる部位について実施し、配線パ
ターンの部位が異なることによって生じる前記電流の変
化に基づいて、該配線パターンの欠陥の検出を行うこと
を特徴とする配線パターン検査方法。1. A method for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, wherein an electrode is provided, at least a part of which is electrostatically coupled to a part of the wiring pattern, A time-varying voltage is applied between the electrode and the wiring pattern to detect a current flowing between the electrode and the wiring pattern, and the voltage application and the current detection are performed on different portions of the wiring pattern. Then, the wiring pattern inspection method is characterized in that a defect in the wiring pattern is detected based on a change in the current caused by different portions of the wiring pattern.
おいて、配線パターンから絶縁して電極を設け、該電極
を配線パターンに対して移動させて、電圧印加および電
流検出を実施することを特徴とする配線パターン検査方
法。2. The wiring pattern inspection method according to claim 1, wherein an electrode is provided so as to be insulated from the wiring pattern, and the electrode is moved with respect to the wiring pattern to perform voltage application and current detection. Wiring pattern inspection method.
おいて、配線パターンに接触する触針を設け、該触針を
介して電極と配線パターンとの間に電圧を印加すること
を特徴とする配線パターン検査方法。3. The wiring pattern inspection method according to claim 2, wherein a stylus that contacts the wiring pattern is provided, and a voltage is applied between the electrode and the wiring pattern via the stylus. Wiring pattern inspection method.
おいて、配線パターン形成面と反対側の絶縁板面に接触
する電極と、配線パターンに接触する触針とを設け、該
触針を介して電極と配線パターンとの間に電圧を印加す
るとともに、該電極を配線パターンに対して移動させ
て、電圧印加および電流検出を実施することを特徴とす
る配線パターン検査方法。4. The method for inspecting a wiring pattern according to claim 1, wherein an electrode that contacts the surface of the insulating plate opposite to the surface on which the wiring pattern is formed and a stylus that contacts the wiring pattern are provided, and the stylus is used to intervene the stylus. And a voltage is applied between the electrode and the wiring pattern, and the electrode is moved with respect to the wiring pattern to perform voltage application and current detection.
おいて、配線パターンと絶縁して該配線パターンを横切
るように配置された複数の電極と、配線パターンに接触
する触針とを設け、該触針を介して配線パターンと前記
複数電極の一つとの間に時間的に変化する電圧を印加し
て、該電極と配線パターンとの間に流れる電流を検出
し、該電圧印加および該電流検出を前記複数電極のそれ
ぞれに対して切り換えて実施することを特徴とする配線
パターン検査方法。5. The wiring pattern inspection method according to claim 1, further comprising: a plurality of electrodes arranged so as to insulate the wiring pattern so as to traverse the wiring pattern; and a stylus in contact with the wiring pattern. A time-varying voltage is applied between the wiring pattern and one of the plurality of electrodes via a stylus to detect a current flowing between the electrode and the wiring pattern, and the voltage application and the current detection Is performed for each of the plurality of electrodes by switching.
おいて、配線パターン形成面と反対側の絶縁板面に接触
する、該配線パターンを横切るように配置された複数の
電極と、配線パターンに接触する触針とを設け、該触針
を介して配線パターンと前記複数電極の一つとの間に時
間的に変化する電圧を印加して、該電極と配線パターン
との間に流れる電流を検出し、該電圧印加および該電流
検出を前記複数電極のそれぞれに対して切り換えて実施
することを特徴とする配線パターン検査方法。6. The wiring pattern inspection method according to claim 1, wherein a plurality of electrodes arranged so as to cross the wiring pattern and contacting an insulating plate surface opposite to the wiring pattern forming surface, and the wiring pattern A contacting stylus is provided, and a time-varying voltage is applied between the wiring pattern and one of the plurality of electrodes via the stylus to detect a current flowing between the electrode and the wiring pattern. Then, the wiring pattern inspection method is characterized in that the voltage application and the current detection are switched for each of the plurality of electrodes.
パターン検査方法において、触針を介して電極と配線パ
ターンとの間に印加する電圧が、一定の周波数Ｆを少な
くともその周波数成分としてもつ繰り返し波形電圧であ
ることを特徴とする配線パターン検査方法。7. The wiring pattern inspection method according to claim 3, wherein the voltage applied between the electrode and the wiring pattern via the stylus has a constant frequency F as at least its frequency component. A method for inspecting a wiring pattern, which has a repetitive waveform voltage.
パターン検査方法において、電圧印加のための触針を接
触させた配線パターン以外の配線パターンに対して第２
の触針を接触させ、該第２の触針については、等電位か
つ一定の電圧を与えることを特徴とする配線パターン検
査方法。8. The wiring pattern inspecting method according to claim 3, wherein the wiring pattern other than the wiring pattern contacted by the stylus for voltage application is second.
And a constant voltage is applied to the second stylus, and a wiring pattern inspection method is provided.
おいて、電極と配線パターンとの間に流れる電流の検出
として、周波数Ｆの交流電流を選択的に検出することを
特徴とする配線パターン検査方法。9. The wiring pattern inspection method according to claim 7, wherein an alternating current of frequency F is selectively detected as the detection of the current flowing between the electrode and the wiring pattern. Method.
検査方法において、複数電極の切り換えは、三つの電極
に対して検出された電流の大小を比較し、最も大きな差
のある二つの電極の間にある電極を次の切り換え電極と
することを特徴とする配線パターン検査方法。10. The wiring pattern inspection method according to claim 5 or 6, wherein the switching of a plurality of electrodes is performed by comparing the magnitudes of the detected currents with respect to the three electrodes and comparing the two electrodes having the largest difference. A method for inspecting a wiring pattern, characterized in that an intervening electrode is used as a next switching electrode.
ターンの欠陥を検査する装置において、配線パターンと
絶縁して配置された電極と、配線パターンに接触させる
触針と、該電極と該触針間に時間的に変化する電圧を印
加する手段と、該電極と該触針間に流れる電流を検出す
る手段と、該電極を該配線パターンの異なった位置に移
動する手段と、電極の移動に伴う前記電流の変化を検出
する手段と、変化の状態に基づき該配線パターンの欠陥
の位置を検出する手段とからなることを特徴とする配線
パターン検査装置。11. An apparatus for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, an electrode arranged to be insulated from the wiring pattern, a stylus for contacting the wiring pattern, the electrode and the electrode. Means for applying a time-varying voltage between the stylus, means for detecting a current flowing between the electrode and the stylus, means for moving the electrode to different positions of the wiring pattern, A wiring pattern inspection apparatus comprising: a means for detecting a change in the current due to movement; and a means for detecting a position of a defect in the wiring pattern based on a state of the change.
ターンの欠陥を検査する装置において、配線パターンの
形成面と反対側の絶縁板表面に接触して配置された電極
と、配線パターンに接触させる触針と、該電極と該触針
間に時間的に変化する電圧を印加する手段と、該電極と
該触針間に流れる電流を検出する手段と、該電極を該配
線パターンの異なった位置に移動する手段と、電極の移
動に伴う前記電流の変化を検出する手段と、変化の状態
に基づき該配線パターンの欠陥の位置を検出する手段と
からなることを特徴とする配線パターン検査装置。12. An apparatus for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, comprising: an electrode arranged in contact with the surface of the insulating plate opposite to the surface on which the wiring pattern is formed; A stylus to be brought into contact, a means for applying a time-varying voltage between the electrode and the stylus, a means for detecting a current flowing between the electrode and the stylus, and a different wiring pattern for the electrode. Wiring pattern inspection comprising means for moving to a different position, means for detecting a change in the current due to movement of the electrode, and means for detecting a position of a defect in the wiring pattern based on the state of the change. apparatus.
ターンの欠陥を検査する装置において、配線パターンと
絶縁され該配線パターンを横切るように配置された複数
の電極と、該配線パターンに接触させる触針と、該複数
電極の一つを選択する手段と、選択された電極と該触針
間に時間的に変化する電圧を印加する手段と、該電極と
該触針間に流れる電流を検出する手段と、電極の選択に
伴う電流の変化を検出する手段と、変化の状態に基づき
該配線パターンの欠陥の位置を検出する手段とからなる
ことを特徴とする配線パターン検査装置。13. An apparatus for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, wherein a plurality of electrodes which are insulated from the wiring pattern and are arranged so as to cross the wiring pattern are in contact with the wiring pattern. A stylus, a means for selecting one of the plurality of electrodes, a means for applying a time-varying voltage between the selected electrode and the stylus, and a current flowing between the electrode and the stylus. A wiring pattern inspecting apparatus comprising: a detecting unit; a unit that detects a change in current due to electrode selection; and a unit that detects the position of a defect in the wiring pattern based on the state of change.
ターンの欠陥を検査する装置において、該配線パターン
形成面と反対側の絶縁板表面に接触し、該配線パターン
を横切るように配置された複数の電極と、該配線パター
ンに接触させる触針と、該複数電極の一つを選択する手
段と、選択された電極と該触針間に時間的に変化する電
圧を印加する手段と、該電極と該触針間に流れる電流を
検出する手段と、電極の選択に伴う電流の変化を検出す
る手段と、変化の状態に基づき該配線パターンの欠陥の
位置を検出する手段とからなることを特徴とする配線パ
ターン検査装置。14. An apparatus for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, which is arranged so as to contact the surface of the insulating plate opposite to the surface on which the wiring pattern is formed and to cross the wiring pattern. A plurality of electrodes, a stylus in contact with the wiring pattern, a means for selecting one of the plurality of electrodes, a means for applying a time-varying voltage between the selected electrode and the stylus, It comprises a means for detecting a current flowing between the electrode and the stylus, a means for detecting a change in current due to selection of an electrode, and a means for detecting a position of a defect in the wiring pattern based on a state of the change. Wiring pattern inspection device characterized by.
の配線パターン検査装置において、該触針と該電極間に
電圧を印加する手段は、一定の周波数Ｆを少なくともそ
の周波数成分としてもつ繰り返し波形電圧発生器である
ことを特徴とする配線パターン検査装置。15. The wiring pattern inspecting device according to claim 11, wherein the means for applying a voltage between the stylus and the electrode has a repetitive waveform having a constant frequency F as at least its frequency component. A wiring pattern inspection apparatus characterized by being a voltage generator.
置において、繰り返し波形電圧発生器が矩形波発振器で
あることを特徴とする配線パターン検査装置。16. The wiring pattern inspection apparatus according to claim 15, wherein the repetitive waveform voltage generator is a rectangular wave oscillator.
ターンの欠陥を検査する装置において、該配線パターン
形成面と反対側の絶縁板表面に接触し、該配線パターン
を横切るように配置された複数の電極と、該配線パター
ン上の一点に接触させる触針と、該複数電極の一つを選
択する手段と、選択された電極と該触針間に繰り返し周
波数ｆの矩形波電圧を印加する手段と、該電極と該触針
間に流れる電流を検出する手段と、電極の選択に伴う電
流の変化を検出する手段と、急峻な電流変化に基づき該
配線パターンの欠陥の位置を検出する手段とからなるこ
とを特徴とする配線パターン検査装置。17. An apparatus for inspecting a defect of a wiring pattern formed on one surface of an insulating plate, which is arranged so as to contact the surface of the insulating plate opposite to the surface on which the wiring pattern is formed and to cross the wiring pattern. A plurality of electrodes, a stylus to be brought into contact with one point on the wiring pattern, a means for selecting one of the plurality of electrodes, and a rectangular wave voltage having a repetitive frequency f between the selected electrodes and the stylus. Means, a means for detecting a current flowing between the electrode and the stylus, a means for detecting a change in current due to selection of an electrode, and a position of a defect in the wiring pattern based on a steep current change. A wiring pattern inspection device comprising:
パターン基板の製造方法であって、形成された配線パタ
ーンの抵抗値を一つずつ測定することによって欠陥の有
無を検査し、上記欠陥が発見された基板については、基
板上の欠陥を有する全ての配線パターンのそれぞれに対
して、電極を静電的に結合させ、該電極と該それぞれの
配線パターンとの間の静電特性が、該電極と該配線パタ
ーンの位置関係に応じて変化することに基づき欠陥の位
置を検出し、該検出された欠陥位置に対して位置決め
し、欠陥を修正することを特徴とする配線パターン基板
の製造方法。18. A method of manufacturing a wiring pattern substrate in which a wiring pattern is formed on an insulating substrate, wherein the presence or absence of defects is inspected by measuring the resistance values of the formed wiring patterns one by one, and the above defects are found. For the formed substrate, an electrode is electrostatically coupled to each of all the wiring patterns having a defect on the substrate, and the electrostatic characteristic between the electrode and each wiring pattern is A method of manufacturing a wiring pattern substrate, wherein a defect position is detected based on a change in a positional relationship between the wiring pattern and the wiring pattern, the defect position is positioned with respect to the detected defect position, and the defect is corrected.
パターン基板の製造方法であって、形成された配線パタ
ーンの欠陥の有無を検査し、欠陥を有する配線パターン
に対して、電極を静電的に結合させ、該電極と該欠陥を
有する配線パターン間の静電特性の、該電極と該配線パ
ターンの位置関係に応じた変化に基づき欠陥の位置を検
出し、該検出された欠陥を修正することを特徴とする配
線パターン基板の製造方法。19. A method of manufacturing a wiring pattern substrate in which a wiring pattern is formed on an insulating substrate, wherein the formed wiring pattern is inspected for defects, and electrodes are electrostatically applied to the defective wiring pattern. To detect the position of the defect based on the change in the electrostatic characteristic between the electrode and the wiring pattern having the defect according to the positional relationship between the electrode and the wiring pattern, and correct the detected defect. A method of manufacturing a wiring pattern substrate, comprising:
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04378395A JP3169784B2 (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Wiring pattern inspection method and apparatus |
| KR1019950058347A KR100213603B1 (en) | 1994-12-28 | 1995-12-27 | Wiring correcting method and its device of electronic circuit substrate, and electronic circuit substrate |
| US08/580,531 US5883437A (en) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08240628A true JPH08240628A (en) | 1996-09-17 |
| JP3169784B2 JP3169784B2 (en) | 2001-05-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04378395A Expired - Lifetime JP3169784B2 (en) | 1994-12-28 | 1995-03-03 | Wiring pattern inspection method and apparatus |
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|---|---|
| JP (1) | JP3169784B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177844A (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | Manufacture of planar display panel and manufacture of plasma display panel |
| US6924651B2 (en) | 2001-08-08 | 2005-08-02 | Renesas Technology Corp. | Printed board inspecting apparatus |
| JP2006284545A (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Quanta Display Inc | Apparatus and method for inspecting and repairing circuit defect |
| CN111522157A (en) * | 2020-05-13 | 2020-08-11 | 深圳市全洲自动化设备有限公司 | Partition inspection method for detecting defects of Liquid Crystal Display (LCD) |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP04378395A patent/JP3169784B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JPH10177844A (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | Manufacture of planar display panel and manufacture of plasma display panel |
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| CN111522157A (en) * | 2020-05-13 | 2020-08-11 | 深圳市全洲自动化设备有限公司 | Partition inspection method for detecting defects of Liquid Crystal Display (LCD) |
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