JPH08237007A - High frequency circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、高周波回路装置に関
し、特に、配線間に電波吸収体を設けた高周波回路装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit device, and more particularly to a high frequency circuit device having a wave absorber provided between wirings.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、高周波信号を処理する高周波
回路装置に関して様々な研究がなされ、その開発が進め
られてきている。図５は、従来の高周波回路装置の一例
を示す斜視図である。2. Description of the Related Art Conventionally, various studies have been made on a high frequency circuit device for processing a high frequency signal, and its development has been advanced. FIG. 5 is a perspective view showing an example of a conventional high frequency circuit device.
【０００３】図５を参照して、ガラス，エポキシなどか
らなる絶縁体層６ａ，６ｂが積層され、この絶縁体層６
ａ，６ｂを上下から挟むようにＣｕなどからなる接地用
金属層７ａ，７ｂが形成されている。絶縁体層６ａ，６
ｂ間には、複数の信号線８が形成されている。そして、
この信号線８間に位置する絶縁体層６ａ，６ｂには、導
体スルーホール９が形成されている。この導体スルーホ
ール９は、接地用金属層７ａ，７ｂと絶縁体層６ａ，６
ｂとを貫通するように複数の貫通孔を形成した後、無電
解めっきなどによってＣｕなどをこの貫通孔内に埋込む
ことによって形成される。Referring to FIG. 5, insulator layers 6a and 6b made of glass, epoxy or the like are laminated.
Grounding metal layers 7a and 7b made of Cu or the like are formed so as to sandwich a and 6b from above and below. Insulator layers 6a, 6
A plurality of signal lines 8 are formed between b. And
Conductor through holes 9 are formed in the insulating layers 6a and 6b located between the signal lines 8. The conductor through hole 9 is formed by the grounding metal layers 7a and 7b and the insulator layers 6a and 6b.
It is formed by forming a plurality of through holes so as to penetrate b and then burying Cu or the like in the through holes by electroless plating or the like.
【０００４】上記のような導体スルーホール９を信号線
８間に形成することによって、クロストークの低減を図
ることが可能となる。なお、この導体スルーホール９の
ピッチが小さいほどクロストークの低減に有効である。By forming the conductor through holes 9 as described above between the signal lines 8, it is possible to reduce crosstalk. The smaller the pitch of the conductor through holes 9, the more effective it is in reducing crosstalk.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の高周波回路装置には次に説明するような問題点が
あった。However, the above-mentioned conventional high-frequency circuit device has the following problems.
【０００６】上述のように、導体スルーホール９のピッ
チを小さくすることによってクロストークの低減を図る
ことが可能となるが、製造面や高周波回路装置の機械的
強度を考慮した場合、導体スルーホール９のピッチには
下限値がある。そのため、導体スルーホール９間には必
然的に間隔が必要となり、その導体スルーホール９間の
隙間から電波が漏れることが懸念される。As described above, it is possible to reduce the crosstalk by reducing the pitch of the conductor through holes 9. However, in consideration of the manufacturing aspect and the mechanical strength of the high frequency circuit device, the conductor through holes can be reduced. The pitch of 9 has a lower limit. Therefore, a space is inevitably required between the conductor through holes 9, and there is a concern that radio waves may leak from the gap between the conductor through holes 9.
【０００７】また、導体スルーホール９内に充填される
導体としてはＣｕなどの配線材料が用いられている。そ
れは、電磁波を効果的に吸収し得る材料を導体スルーホ
ール９内に充填した場合には、その抵抗値が高くなって
しまうからである。また、導体スルーホール９内に充填
される配線材料の体積も小さいものである。そのため、
導体スルーホール９内に充填される配線材料による電波
の吸収性能はあまり優れたものであるとは言えない。A wiring material such as Cu is used as the conductor filled in the conductor through hole 9. This is because if the conductor through-hole 9 is filled with a material capable of effectively absorbing electromagnetic waves, its resistance value becomes high. The volume of the wiring material filled in the conductor through hole 9 is also small. for that reason,
The electromagnetic wave absorption performance of the wiring material filled in the conductor through-hole 9 cannot be said to be very excellent.
【０００８】以上のことより、図５に示される従来例に
おいては、導体スルーホール９の間の隙間を通して電波
の漏れが生じ、また、導体スルーホール９内に充填され
る配線材料の電波吸収性能も優れたものではないため、
配線間の干渉や共振などを阻止する機能が不十分である
と考えられる。そのため、信号の伝送損失を十分に低減
できないものと考えられる。From the above, in the conventional example shown in FIG. 5, the electric wave leaks through the gap between the conductor through holes 9 and the electric wave absorbing performance of the wiring material filled in the conductor through holes 9 Is not excellent,
It is considered that the function of preventing interference and resonance between wirings is insufficient. Therefore, it is considered that the signal transmission loss cannot be sufficiently reduced.
【０００９】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものである。この発明の目的は配線間の
干渉，共振を効果的に抑制することが可能となる高周波
回路装置を提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems. An object of the present invention is to provide a high frequency circuit device that can effectively suppress interference and resonance between wirings.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波回
路装置は、間隔をあけて設けられた１対の導波路を有す
るものである。そして、この１対の導波路間に、この１
対の導波路に沿って延在するように電波吸収体が一体的
に設けられている。A high frequency circuit device according to the present invention has a pair of waveguides provided at intervals. And between this pair of waveguides, this 1
A radio wave absorber is integrally provided so as to extend along the pair of waveguides.
【００１１】[0011]
【作用】この発明に係る高周波回路装置では、１対の導
波路に沿って延在するように電波吸収体が一体的に設け
られる。このように導波路に沿って延在するように一体
的に電波吸収体が設けられるので、上記の従来例におけ
る導体スルーホール９の場合のように隙間が生じない。
それにより、一方の導波路に伝播される電波が他方の導
波路側に漏れるのを従来例よりも効果的に抑制すること
が可能となる。その結果、従来例よりも、導波路間の干
渉や共振などを効果的に抑制することが可能となる。ま
た、電波吸収体の抵抗などを考慮することなく電波吸収
体の材質が選定できるので、強磁性体などの電波吸収性
能に優れた材質を電波吸収体の材質として選択すること
が可能となる。それにより、電波吸収体自体の電波吸収
性能を、従来例における導体スルーホール９の電波吸収
性能よりも優れたものとすることが可能となる。さら
に、電波吸収体は導波路間を延在するように一体的に設
けられるので、電波吸収体の体積を従来例における導体
スルーホール９内に埋込まれる導体の体積よりも増大さ
せることが可能となる。このことも電波吸収体の電波吸
収性能の向上に寄与する。In the high frequency circuit device according to the present invention, the radio wave absorber is integrally provided so as to extend along the pair of waveguides. Since the electromagnetic wave absorber is integrally provided so as to extend along the waveguide in this manner, no gap is formed unlike the case of the conductor through hole 9 in the above-mentioned conventional example.
As a result, it is possible to more effectively prevent the radio wave propagating in one waveguide from leaking to the other waveguide side than in the conventional example. As a result, it becomes possible to more effectively suppress the interference and resonance between the waveguides as compared with the conventional example. Further, since the material of the electromagnetic wave absorber can be selected without considering the resistance of the electromagnetic wave absorber, it is possible to select a material having excellent electromagnetic wave absorbing performance such as a ferromagnetic material as the material of the electromagnetic wave absorber. As a result, the electromagnetic wave absorption performance of the electromagnetic wave absorber itself can be made higher than the electromagnetic wave absorption performance of the conductor through hole 9 in the conventional example. Further, since the electromagnetic wave absorber is integrally provided so as to extend between the waveguides, the volume of the electromagnetic wave absorber can be increased more than the volume of the conductor embedded in the conductor through hole 9 in the conventional example. Becomes This also contributes to the improvement of the electromagnetic wave absorption performance of the electromagnetic wave absorber.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、この発明の実施例について、図１〜図
４を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１３】（第１実施例）まず、図１および図２を用
いて、この発明の第１の実施例について説明する。図１
は、この発明の第１の実施例における高周波回路装置を
示す斜視図である。なお、図１には、本発明が適用され
たマイクロストリップ線路１が高周波回路装置の一例と
して示されている。(First Embodiment) First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.
FIG. 1 is a perspective view showing a high frequency circuit device according to a first embodiment of the present invention. 1 shows a microstrip line 1 to which the present invention is applied as an example of a high frequency circuit device.
【００１４】図１を参照して、第１と第２の誘電体基板
２ａ，２ｂが電波吸収体３を介して接合されている。こ
の第１と第２の誘電体基板２ａ，２ｂの材質としては、
アルミナなどのセラミックスを挙げることができる。な
お、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮおよび
ＭｇＯからなる群から選ばれる少なくとも１種を含むセ
ラミックス多孔体などを第１と第２の誘電体基板２ａ，
２ｂの材質として選択してもよい。この場合には、この
セラミックス多孔体の気孔率を５０％以上９０％以下に
調整することによって、セラミックス多孔体の比誘電率
を約３．５以下程度と低いものとすることが可能とな
る。また、電波吸収体３は、好ましくは、樹脂にフェラ
イト，鉄などの強磁性体などを含浸した材質，セラミッ
クス多孔体に強磁性体を溶浸した材質などによって構成
される。Referring to FIG. 1, first and second dielectric substrates 2a and 2b are joined via a radio wave absorber 3. The materials for the first and second dielectric substrates 2a and 2b are:
Ceramics such as alumina may be mentioned. It should be noted that a ceramic porous body containing at least one selected from the group consisting of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , AlN and MgO is used as the first and second dielectric substrates 2a,
The material of 2b may be selected. In this case, by adjusting the porosity of the ceramic porous body to 50% or more and 90% or less, the relative dielectric constant of the ceramic porous body can be made as low as about 3.5 or less. The radio wave absorber 3 is preferably made of a material in which a resin is impregnated with a ferromagnetic material such as ferrite or iron, or a material in which a ferromagnetic material is infiltrated into a porous ceramic body.
【００１５】第１と第２の誘電体基板２ａ，２ｂの上面
上には、第１と第２のストリップ導体４ａ，４ｂがそれ
ぞれ形成される。そして、上記の電波吸収体３は、図１
に示されるように、第１と第２のストリップ導体４ａ，
４ｂの間に、この第１と第２のストリップ導体４ａ，４
ｂに沿って連続的に延びるように一体的に設けられてい
る。それにより、第１と第２のストリップ導体４ａ，４
ｂ間の干渉や共振を効果的に抑制することが可能とな
る。また、電波吸収体３は、上記のように強磁性体など
の電波吸収性能に優れた材料を含み、かつその体積も図
５に示される従来例の場合よりも大きいものとすること
が可能となる。このことも、第１と第２のストリップ導
体４ａ，４ｂ間の干渉や共振などの抑制に効果的であ
る。First and second strip conductors 4a and 4b are formed on the upper surfaces of the first and second dielectric substrates 2a and 2b, respectively. The above-mentioned radio wave absorber 3 is shown in FIG.
, The first and second strip conductors 4a,
4b between the first and second strip conductors 4a, 4
It is integrally provided so as to continuously extend along b. Thereby, the first and second strip conductors 4a, 4
It is possible to effectively suppress the interference and resonance between b. Further, the radio wave absorber 3 may include a material having excellent radio wave absorption performance such as a ferromagnetic body as described above, and its volume may be larger than that in the conventional example shown in FIG. Become. This is also effective in suppressing interference and resonance between the first and second strip conductors 4a and 4b.
【００１６】一方、第１と第２の誘電体基板２ａ，２ｂ
の裏面には、第１と第２の平面導体板５ａ，５ｂがそれ
ぞれ形成される。On the other hand, the first and second dielectric substrates 2a and 2b
The first and second flat conductor plates 5a and 5b are formed on the back surface of each.
【００１７】次に、図２を用いて図１に示されるマイク
ロストリップ線路１の平面構造と断面構造とについて説
明する。図２（ａ）は、図１に示されるマイクロストリ
ップ線路１の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）
のＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿う断面図ある。Next, the planar structure and sectional structure of the microstrip line 1 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a plan view of the microstrip line 1 shown in FIG. 2 (b) is shown in FIG. 2 (a).
IIb-IIb line sectional view.
【００１８】まず図２（ａ）を参照して、マイクロスト
リップ線路１の長さＬをたとえば１０ｍｍとし、幅Ｗ１
を５ｍｍとする。この場合に、第１と第２のストリップ
導体４ａ，４ｂの平面幅Ｗ４は０．４ｍｍ程度であり、
電波吸収体３の平面幅Ｗ２は１．２ｍｍ程度である。ま
た、第１と第２のストリップ導体４ａ，４ｂは、マイク
ロストリップ線路１の側端部から約１ｍｍ程度の間隔Ｗ
３をあけて形成される。First, referring to FIG. 2A, the length L of the microstrip line 1 is, for example, 10 mm, and the width W1.
Is 5 mm. In this case, the plane width W4 of the first and second strip conductors 4a and 4b is about 0.4 mm,
The plane width W2 of the radio wave absorber 3 is about 1.2 mm. Further, the first and second strip conductors 4a and 4b are spaced apart from the side end of the microstrip line 1 by a distance W of about 1 mm.
It is formed by opening 3.
【００１９】次に、図２（ｂ）を参照して、電波吸収体
３の厚みｔ１は、０．４ｍｍ程度である。一方、第１と
第２の誘電体基板２ａ，２ｂの厚みも０．４ｍｍ程度で
ある。Next, referring to FIG. 2B, the thickness t1 of the electromagnetic wave absorber 3 is about 0.4 mm. On the other hand, the thickness of the first and second dielectric substrates 2a and 2b is also about 0.4 mm.
【００２０】次に、上記のような構造を有するマイクロ
ストリップ線路１の製造方法について説明する。まず、
アルミナなどのセラミックスを１０ｍｍ×１．９ｍｍ×
０．４ｍｍt に加工する。こして、このようなセラミッ
クスを２つ用意する。これらが、第１と第２の誘電体基
板２ａ，２ｂとなる。そして、この第１と第２の誘電体
基板２ａ，２ｂの表面に第１と第２のストリップ導体４
ａ，４ｂ、裏面全面に第１と第２の平面導体板（メタラ
イズ層）をマスクコーティング法あるいはフォトリソグ
ラフィ法によって形成する。Next, a method of manufacturing the microstrip line 1 having the above structure will be described. First,
Ceramics such as alumina 10mm × 1.9mm ×
Process to 0.4 mm t . Strain two such ceramics. These are the first and second dielectric substrates 2a and 2b. Then, the first and second strip conductors 4 are formed on the surfaces of the first and second dielectric substrates 2a and 2b.
First and second flat conductor plates (metallized layers) are formed on the a and 4b and the entire back surface by a mask coating method or a photolithography method.
【００２１】次に、樹脂にフェライト，鉄などの強磁性
体を含浸した電波吸収体３を形成し、この電波吸収体３
を１０ｍｍ×１．２ｍｍ×０．４ｍｍt に切断する。そ
して、この電波吸収体３の両側面と第１と第２の誘電体
基板２ａ，２ｂの１つの側面とを接着剤によって接合す
る。それにより、図１に示されるマイクロストリップ線
路１が形成されることになる。Next, a radio wave absorber 3 is formed by impregnating a resin with a ferromagnetic material such as ferrite or iron, and the radio wave absorber 3 is formed.
Is cut into 10 mm × 1.2 mm × 0.4 mm t . Then, both side surfaces of the radio wave absorber 3 and one side surface of the first and second dielectric substrates 2a and 2b are bonded with an adhesive. As a result, the microstrip line 1 shown in FIG. 1 is formed.
【００２２】次に、電波吸収体３として、セラミックス
多孔体に強磁性体を溶浸した材質を用いる場合の製造方
法について説明する。この場合には、上記のように樹脂
を用いる場合に比べて耐熱性を向上させる（１５０℃以
上）ことが可能となる。Next, a manufacturing method in the case where a material obtained by infiltrating a ferromagnetic material into a ceramic porous body is used as the radio wave absorber 3 will be described. In this case, it is possible to improve the heat resistance (150 ° C. or higher) as compared with the case where the resin is used as described above.
【００２３】まず、１４００℃程度の温度でアルミナを
焼成することによって焼成を進ませずにアルミナの多孔
体を形成する。そして、このようにして得られた多孔体
に鉄を溶浸させる。それにより、電波吸収体３が形成さ
れることになる。そして、この電波吸収体３と、第１と
第２の誘電体基板２ａ，２ｂとをガラスを用いて接合す
る。具体的には、第１と第２の誘電体基板２ａ，２ｂの
一つの側面にガラスペーストを塗布し、電波吸収体３を
第１と第２の誘電体基板２ａ，２ｂの上記のガラスペー
ストが塗布された側面で挟み込む。そして、焼成炉内に
おいてガラスペーストを焼成し、電波吸収体３と第１と
第２の誘電体基板２ａ，２ｂとを接合する。なお、この
場合に用いるガラスの種類によって耐熱温度も変わる。
たとえば、ＰｂＯガラスを用いることによって４００℃
までの耐熱性が得られ、ホウケイ酸ガラスを用いること
によって８００℃までの耐熱性が得られる。First, by firing alumina at a temperature of about 1400 ° C., a porous body of alumina is formed without proceeding the firing. Then, iron is infiltrated into the porous body thus obtained. Thereby, the radio wave absorber 3 is formed. Then, the radio wave absorber 3 and the first and second dielectric substrates 2a and 2b are bonded using glass. Specifically, a glass paste is applied to one side surface of each of the first and second dielectric substrates 2a and 2b, and the radio wave absorber 3 is applied to the above glass paste of the first and second dielectric substrates 2a and 2b. Insert it on the side that has been applied. Then, the glass paste is fired in the firing furnace to bond the radio wave absorber 3 to the first and second dielectric substrates 2a and 2b. The heat resistant temperature also changes depending on the type of glass used in this case.
For example, by using PbO glass at 400 ° C
The heat resistance up to 800 ° C. can be obtained by using borosilicate glass.
【００２４】（第２実施例）次に、図３および図４を用
いて、この発明の第２の実施例について説明する。図３
は、この発明の第２の実施例におけるマイクロストリッ
プ線路１を示す斜視図である。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 6 is a perspective view showing a microstrip line 1 according to a second embodiment of the present invention.
【００２５】図３を参照して、本実施例においては、１
つの誘電体基板２の上面に第１と第２のストリップ導体
４ａ，４ｂが間隔をあけて形成されている。そして、こ
の第１と第２のストリップ導体４ａ，４ｂ間に位置する
誘電体基板２の上面に溝が形成され、その溝に電波吸収
体３が接合されている。そして、誘電体基板２の裏面全
面には平面導体板５が形成されている。それ以外の構成
に関しては図１に示される第１の実施例の場合と同様で
ある。Referring to FIG. 3, in this embodiment, 1
First and second strip conductors 4a and 4b are formed on the upper surface of one dielectric substrate 2 at intervals. A groove is formed on the upper surface of the dielectric substrate 2 located between the first and second strip conductors 4a and 4b, and the radio wave absorber 3 is joined to the groove. A flat conductor plate 5 is formed on the entire back surface of the dielectric substrate 2. The other structure is the same as that of the first embodiment shown in FIG.
【００２６】本実施例におけるマイクロストリップ線路
１が上記のような構造を有することによって、次のよう
な効果がある。すなわち、溝内に電波吸収体３を設置し
て接合すればよいので上記の第１の実施例に比べて電波
吸収体３と誘電体基板２との接合が容易となる。また、
上記の第１の実施例の場合と同様に、第１と第２のスト
リップ導体４ａ，４ｂ間の干渉や共振などを効果的に抑
制することも可能となる。Since the microstrip line 1 in this embodiment has the above structure, the following effects can be obtained. That is, since the radio wave absorber 3 may be installed and joined in the groove, the radio wave absorber 3 and the dielectric substrate 2 can be joined more easily than in the first embodiment. Also,
As in the case of the first embodiment described above, it is possible to effectively suppress the interference and resonance between the first and second strip conductors 4a and 4b.
【００２７】次に、図４を用いて、図３に示されるマイ
クロストリップ線路１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面構造に
ついて説明する。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線に
沿う断面を示す図である。Next, the sectional structure of the microstrip line 1 shown in FIG. 3 taken along the line IV-IV will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a view showing a cross section taken along line IV-IV in FIG.
【００２８】図４を参照して、電波吸収体３の下には誘
電体基板２が残余している。そして、電波吸収体３の厚
みｔ２は、０．２ｍｍ程度である。また、電波吸収体３
の厚みｔ２と、この電波吸収体３の下に位置する誘電体
基板２の厚みとの和ｔ１は、０．４ｍｍ程度である。な
お、図３に示される他の構成要素の寸法に関しては上記
の第１の実施例の場合と同様である。Referring to FIG. 4, the dielectric substrate 2 remains below the radio wave absorber 3. The thickness t2 of the radio wave absorber 3 is about 0.2 mm. Also, the radio wave absorber 3
The sum t1 of the thickness t2 and the thickness of the dielectric substrate 2 located under the radio wave absorber 3 is about 0.4 mm. The dimensions of the other components shown in FIG. 3 are the same as in the case of the first embodiment.
【００２９】次に、上記の第２の実施例の変形例につい
て説明する。本変形例においては、誘電体基板２がセラ
ミックス多孔体によって構成される。好ましくは、５０
％以上９０％以下の気孔率を有するセラミックス多孔体
によって誘電体基板２は構成される。そして、この誘電
体基板２に鉄などの強誘電体を選択的に溶浸させること
によって、誘電体基板２の一部を電波吸収体３に変質さ
せる。このとき、第１と第２のストリップ導体４ａ，４
ｂを形成する部分には鉄を載せずに上記の溶浸処理を行
なう。それにより、部分的に電波吸収体３が形成された
誘電体基板２が得られる。Next, a modified example of the second embodiment will be described. In this modification, the dielectric substrate 2 is made of a porous ceramic body. Preferably 50
The dielectric substrate 2 is composed of a porous ceramic body having a porosity of not less than 90% and not more than 90%. Then, a part of the dielectric substrate 2 is transformed into the radio wave absorber 3 by selectively infiltrating a ferroelectric substance such as iron into the dielectric substrate 2. At this time, the first and second strip conductors 4a, 4a
The above infiltration treatment is performed without placing iron on the portion where b is formed. Thereby, the dielectric substrate 2 in which the radio wave absorber 3 is partially formed is obtained.
【００３０】そして、マスク蒸着法などを用いて、誘電
体基板２の表面上に上記の電波吸収体３を挟むように第
１と第２のストリップ導体４ａ，４ｂをそれぞれ形成す
る。本変形例の場合も上記の第１および第２の実施例と
ほぼ同様の効果は得られる。なお、本変形例において
は、誘電体基板２が比誘電率の低いセラミックス多孔体
によって構成されているので、第１と第２のストリップ
導体４ａ，４ｂの平面幅Ｗ４は０．８ｍｍ程度に太くす
ることが可能となる。Then, the first and second strip conductors 4a and 4b are formed on the surface of the dielectric substrate 2 so as to sandwich the radio wave absorber 3 by using a mask vapor deposition method or the like. Also in the case of this modification, substantially the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained. In this modification, since the dielectric substrate 2 is made of a ceramic porous body having a low relative permittivity, the plane width W4 of the first and second strip conductors 4a and 4b is as thick as about 0.8 mm. It becomes possible to do.
【００３１】次に、本発明に係る電波吸収体３の有用性
について下記の表１を用いて説明する。本願発明の発明
者は、上述の各実施例に係るマイクロストリップ線路１
と、比較例として電波吸収体を設けないマイクロストリ
ップ線路とを製作し、２０ＧＨz でのＳ11，Ｓ21，２つ
のライン（第１と第２のストリップ導体４ａ，４ｂ）間
のＳ21をネットワークアナライザによって測定した。Next, the usefulness of the radio wave absorber 3 according to the present invention will be described with reference to Table 1 below. The inventor of the present invention has found that the microstrip line 1 according to each of the above-described embodiments.
If, to prepare a microstrip line without the wave absorber as a comparative example, the S 11, S 21, 2 two lines (first and second strip conductors 4a, 4b) S 21 between at 20GH z It was measured by a network analyzer.
【００３２】その結果を下記の表１に示す。The results are shown in Table 1 below.
【００３３】[0033]
【表１】 [Table 1]
【００３４】なお、上記の表１において、比較例として
は図３に示されるマイクロストリップ線路１において溝
と電波吸収体３を形成していないものを用いた。この比
較例は従来例と構造が異なるものであるが、電波吸収体
３の有用性を示すにはこの比較例と本発明に係る装置と
を比較するのが適切であると考える。表１において、試
作１は上記の実施例１において樹脂の電波吸収体３を用
いエポキシ系接着剤で接合したものである。試作２は、
実施例１においてアルミナ多孔体からなる電波吸収体３
を用い、ＰｂＯガラスで接合したものである。試作３
は、実施例１においてアルミナ多孔体の電波吸収体３を
ホウケイ酸ガラスで接合したものである。試作４は、上
記の実施例２において樹脂の電波吸収体３を接着剤で接
合したものである。試作５は、上記の実施例２におい
て、アルミナ多孔体の電波吸収体３をＰｂＯガラスで誘
電体基板２に設けられた溝に接合したものである。試作
６は、上記の実施例２において、アルミナ多孔体の電波
吸収体３をホウケイ酸ガラスを用いて誘電体基板２に設
けられた溝に接合したものである。試作７は、上記の実
施例２の変形例において、アルミナ多孔体からなる誘電
体基板２の中央部に鉄を溶浸させたものである。In Table 1 above, as a comparative example, the microstrip line 1 shown in FIG. 3 in which the groove and the electromagnetic wave absorber 3 were not formed was used. Although this comparative example has a different structure from the conventional example, it is considered appropriate to compare this comparative example with the device according to the present invention in order to show the usefulness of the radio wave absorber 3. In Table 1, the prototype 1 is obtained by joining the resin wave absorber 3 in the above-described Example 1 with the epoxy adhesive. Prototype 2 is
Radio wave absorber 3 made of porous alumina in Example 1
And is joined with PbO glass. Prototype 3
Is the one in which the alumina wave absorber 3 of Example 1 was joined with borosilicate glass. The prototype 4 is obtained by joining the resin wave absorber 3 in Example 2 with an adhesive. The trial manufacture 5 is one in which the radio wave absorber 3 of the porous alumina body is bonded to the groove provided in the dielectric substrate 2 with PbO glass in the above-described second embodiment. The prototype 6 is obtained by joining the alumina porous electromagnetic wave absorber 3 to the groove provided in the dielectric substrate 2 using borosilicate glass in Example 2 described above. Prototype 7 is obtained by infiltrating iron into the central portion of dielectric substrate 2 made of an alumina porous body in the modification of Example 2 described above.
【００３５】上記の表１に示されるように、本発明に基
づく試作１〜７は、Ｓ11，Ｓ21，ライン間のＳ21のいず
れについても、比較例の場合よりも優れた特性を示して
いるのがわかる。また、ライン間のＳ21については特に
優れた特性を示しているのがわかる。すなわち、２つの
ストリップ導体間の分離特性が特に優れていることにな
る。このことより、本願発明は上記の従来例と比べた場
合においてもそれより優れた分離特性を有するものと考
える。[0035] As shown in Table 1 above, prototype 1-7 according to the present invention, S 11, S 21, for any of the S 21 between lines, it showed better performance than the comparative example I understand. Further, it can be seen that S 21 between the lines exhibits particularly excellent characteristics. That is, the isolation property between the two strip conductors is particularly excellent. From this fact, it is considered that the present invention has a separation characteristic superior to that of the above-mentioned conventional example.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１対の導波路間に電波吸収体を設けることによって、そ
の１対の導波路間の干渉あるいは共振などを効果的に抑
制することが可能となる。それにより、信号の伝送損失
の少ない高性能な高周波回路装置が得られる。As described above, according to the present invention,
By providing the radio wave absorber between the pair of waveguides, it is possible to effectively suppress the interference or resonance between the pair of waveguides. As a result, a high-performance high-frequency circuit device with less signal transmission loss can be obtained.
【図１】この発明の第１の実施例におけるマイクロスト
リップ線路を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a microstrip line in a first embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）は図１に示されるマイクロストリップ線
路の平面図である。（ｂ）は、（ａ）におけるＩＩｂ−
ＩＩｂ線に沿う断面図である。2A is a plan view of the microstrip line shown in FIG. 1. FIG. (B) is IIb- in (a).
It is sectional drawing which follows the IIb line.
【図３】この発明の第２の実施例におけるマイクロスト
リップ線路を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a microstrip line according to a second embodiment of the present invention.
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図であ
る。4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG.
【図５】従来の高周波回路装置の一例を示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing an example of a conventional high-frequency circuit device.
１ マイクロストリップ線路 ２ 誘電体基板 ２ａ 第１の誘電体基板 ２ｂ 第２の誘電体基板 ３ 電波吸収体 ４ａ 第１のストリップ導体 ４ｂ 第２のストリップ導体 ５ 平面導体板 ５ａ 第１の平面導体板 ５ｂ 第２の平面導体板 1 Microstrip Line 2 Dielectric Substrate 2a First Dielectric Substrate 2b Second Dielectric Substrate 3 Radio Wave Absorber 4a First Strip Conductor 4b Second Strip Conductor 5 Flat Conductor Plate 5a First Flat Conductor Plate 5b Second flat conductor plate
Claims (6)
有する高周波回路装置において、 前記１対の導波路間に、前記１対の導波路に沿って延在
するように一体的に設けられた電波吸収体を備えたこと
を特徴とする高周波回路装置。1. A high-frequency circuit device having a pair of waveguides provided at intervals, integrally with each other between the pair of waveguides so as to extend along the pair of waveguides. A high-frequency circuit device comprising the provided electromagnetic wave absorber.
れぞれ形成され、 前記１対の基板は、前記電波吸収体を介して接合され
る、請求項１に記載の高周波回路装置。2. The high frequency circuit device according to claim 1, wherein the pair of waveguides are respectively formed on a pair of substrates, and the pair of substrates are bonded to each other via the radio wave absorber. .
隔をあけて形成され、 前記１対の導波路間に位置する前記基板表面には、前記
１対の導波路に沿って延在するように溝が形成され、 前記電波吸収体は前記溝内に設置される、請求項１に記
載の高周波回路装置。3. The pair of waveguides are formed on one substrate at intervals, and the substrate surface located between the pair of waveguides is provided along the pair of waveguides. The high frequency circuit device according to claim 1, wherein a groove is formed so as to extend, and the radio wave absorber is installed in the groove.
隔をあけて形成され、前記１対の導波路間に位置する前
記基板の一部が前記電波吸収体として機能する、請求項
１に記載の高周波回路装置。4. The pair of waveguides are formed on one substrate with a space therebetween, and a part of the substrate located between the pair of waveguides functions as the radio wave absorber. The high frequency circuit device according to Item 1.
求項１ないし４に記載の高周波回路装置。5. The high frequency circuit device according to claim 1, wherein the radio wave absorber includes a ferromagnetic body.
クス多孔体からなる、請求項２ないし５に記載の高周波
回路装置。6. The high frequency circuit device according to claim 2, wherein the waveguide is a planar waveguide, and the substrate is made of a ceramic porous body having a porosity of 50% or more and 90% or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038387A JPH08237007A (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | High frequency circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038387A JPH08237007A (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | High frequency circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08237007A true JPH08237007A (en) | 1996-09-13 |
Family
ID=12523877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7038387A Pending JPH08237007A (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | High frequency circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08237007A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001067539A1 (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Teledyne Technologies Incorporated | Microwave device and method for making same |
| KR100689018B1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-03-02 | 대덕전자 주식회사 | Printed circuit board with embedded coaxial cable and manufacturing method thereof |
| US7642878B2 (en) | 2006-09-13 | 2010-01-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Plural signal transmission line circuits having a reference plane with separation slots therein corresponding to the plural signal transmission lines |
| US9202660B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-12-01 | Teledyne Wireless, Llc | Asymmetrical slow wave structures to eliminate backward wave oscillations in wideband traveling wave tubes |
| JP2021085775A (en) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日立Astemo株式会社 | Millimeter wave radio sensor and vehicle including the same |
| US11936096B2 (en) | 2018-10-31 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wiring substrate, antenna module, and communication device |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP7038387A patent/JPH08237007A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001067539A1 (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Teledyne Technologies Incorporated | Microwave device and method for making same |
| KR100689018B1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-03-02 | 대덕전자 주식회사 | Printed circuit board with embedded coaxial cable and manufacturing method thereof |
| US7642878B2 (en) | 2006-09-13 | 2010-01-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Plural signal transmission line circuits having a reference plane with separation slots therein corresponding to the plural signal transmission lines |
| US9202660B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-12-01 | Teledyne Wireless, Llc | Asymmetrical slow wave structures to eliminate backward wave oscillations in wideband traveling wave tubes |
| US11936096B2 (en) | 2018-10-31 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wiring substrate, antenna module, and communication device |
| JP2021085775A (en) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日立Astemo株式会社 | Millimeter wave radio sensor and vehicle including the same |
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