JPH08236601A - Electrostatic chuck - Google Patents

Electrostatic chuck

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JPH08236601A
JPH08236601A JP3401895A JP3401895A JPH08236601A JP H08236601 A JPH08236601 A JP H08236601A JP 3401895 A JP3401895 A JP 3401895A JP 3401895 A JP3401895 A JP 3401895A JP H08236601 A JPH08236601 A JP H08236601A
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JP
Japan
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electrostatic chuck
conductor
attracted
chuck stage
stage
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JP3401895A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Yokoi
孝弘 横井
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To release an attracted object easily by generating polarization at a predetermined part including the mounting face of an electrostatic chuck stage and grounding one of the object or the electrostatic chuck stage thereby removing the residual charges generated through polarization. CONSTITUTION: An object 4 to be attracted is mounted on the mounting face of an electrostatic chuck stage 1 made of a dielectric and plasma is generated by introducing an etching gas into a chamber 6. A voltage is then applied from a DC power supply 5 between an inner electrode 2 and the object 4 thus holding the object 4 while attracting to the electrostatic chuck stage 1. Polarization is then generated at a predetermined part including the mounting face of the electrostatic chuck stage 1 by voltage applying means comprising an introduction terminal 3, the inner electrode 2 and the DC power supply 5. Subsequently, the object 4 and the electrostatic chuck stage 1 are grounded to a tank 11 through mercury 14 being fed by means of a pump 9 thus removing the residual charges and releasing the object 4 from the stage 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、静電気力によって被吸
着物を吸着、保持する静電チャック装置であって、特に
吸着、保持された被吸着物を容易に離脱できる静電チャ
ック装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck device which attracts and holds an object to be attracted by electrostatic force, and more particularly to an electrostatic chuck device which can easily separate the object to be attracted and held.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、例えば半導体製造装置等に於
いて、ウエハを固定、搬送するために、静電チャック装
置がよく用いられている。というのは真空中でウエハを
固定、搬送する場合、大気中でよく用いられている気圧
力による真空チャック装置が使用できないため、静電気
力による静電チャック装置が有効だからである。2. Description of the Related Art Conventionally, an electrostatic chuck device has been often used to fix and transfer a wafer in, for example, a semiconductor manufacturing apparatus. This is because, when a wafer is fixed and transported in a vacuum, a vacuum chuck device using air pressure, which is often used in the atmosphere, cannot be used, and thus an electrostatic chuck device using electrostatic force is effective.

【０００３】図５にそのような従来からある静電チャッ
ク装置の一例を示す。図５中の１は絶縁体である静電チ
ャックステージ、２は静電チャックステージ１内に設け
られた内部電極、３は一端が内部電極２に電気的に接続
され、他端が静電チャックステージ１裏面から露出して
いる導入端子、４は静電チャックステージ１表面上に吸
着・保持されるシリコンウエハ等の被吸着物、５は一端
を導入端子３に接続し、他端を被吸着物に接続すること
により、内部電極２と被吸着物４との間に直流電圧を印
加する直流電源である。FIG. 5 shows an example of such a conventional electrostatic chuck device. In FIG. 5, 1 is an electrostatic chuck stage which is an insulator, 2 is an internal electrode provided in the electrostatic chuck stage 1, 3 is one end electrically connected to the internal electrode 2, and the other end is an electrostatic chuck. Introducing terminal 4 exposed from the back surface of stage 1 is an object to be adsorbed, such as a silicon wafer, which is adsorbed and held on the surface of the electrostatic chuck stage 1. It is a direct-current power supply that applies a direct-current voltage between the internal electrode 2 and the object to be adsorbed 4 by connecting it to an object.

【０００４】図５に示す静電チャック装置の動作は、直
流電源５によって、内部電極２と被吸着物４との間に直
流電圧が印加されると、内部電極２と被吸着物４との間
にある静電チャックステージ１に分極現象が生じて、静
電チャックステージ１と被吸着物４との間に静電気力が
起こり、被吸着物４が吸着・保持される。In the operation of the electrostatic chuck device shown in FIG. 5, when a DC voltage is applied between the internal electrode 2 and the object to be attracted 4 by the DC power supply 5, the internal electrode 2 and the object to be attracted 4 are operated. A polarization phenomenon occurs in the electrostatic chuck stage 1 located between them, and an electrostatic force occurs between the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4, and the object to be attracted 4 is adsorbed and held.

【０００５】このような静電チャック装置には、単極型
と双極型がある。図６はプラズマエッチング装置のチャ
ンバ内に単極型の静電チャック装置を使用した例を示
す。図６中の６はプラズマエッチング装置のチャンバ
（真空容器）であり、その他の各符号は図５中の各符号
と対応している。図６中の単極型の静電チャック装置の
構成は、図５に示す静電チャック装置の主たる構成と同
様であり、異なる構成は、図５に示す被吸着物４と直流
電源５の一端との接続を直流電源５の一端とグランドと
の接続に変更した点である。従って、被吸着物には、何
も接続されない状態となる。そして、その静電チャック
装置をチャンバ６の中に設置し、チャンバ６を接地す
る。プラズマエッチング装置が動作し、プラズマ放電さ
せて、チャンバ６内にプラズマが発生すると、そのプラ
ズマを介して、被吸着物４が接地される。従って、プラ
ズマ放電が起こって初めて吸着する。プラズマ放電が終
了すると被吸着物４はアースから切り離される。このよ
うに、単極型の場合は、内部電極２と被吸着物４との間
に直流電圧を印加すればよいため、効率はよいが、被吸
着物４にアースをとる必要があり、用途が限定される。Such electrostatic chuck devices include a monopolar type and a bipolar type. FIG. 6 shows an example in which a monopolar electrostatic chuck device is used in the chamber of the plasma etching apparatus. Reference numeral 6 in FIG. 6 denotes a chamber (vacuum container) of the plasma etching apparatus, and other reference numerals correspond to those in FIG. The structure of the single-pole type electrostatic chuck device in FIG. 6 is the same as the main structure of the electrostatic chuck device shown in FIG. 5, and the different structure is one end of the object to be attracted 4 and the DC power supply 5 shown in FIG. This is the point where the connection with the connection is changed to the connection between one end of the DC power supply 5 and the ground. Therefore, nothing is connected to the object to be adsorbed. Then, the electrostatic chuck device is installed in the chamber 6, and the chamber 6 is grounded. When the plasma etching apparatus operates and causes plasma discharge to generate plasma in the chamber 6, the adsorbed substance 4 is grounded via the plasma. Therefore, adsorption occurs only when plasma discharge occurs. When the plasma discharge is completed, the object to be adsorbed 4 is separated from the ground. As described above, in the case of the unipolar type, since it is sufficient to apply a DC voltage between the internal electrode 2 and the object to be adsorbed 4, the efficiency is good, but the object to be adsorbed 4 needs to be grounded. Is limited.

【０００６】図７はプラズマエッチング装置のチャンバ
内に双極型の静電チャック装置を使用した例を示す。図
７中の２ａ及び２ｂは静電チャックステージ１内に設け
られた内部電極、３ａは一端が内部電極２ａに電気的に
接続され、他端が静電チャックステージ１裏面から露出
している導入端子、３ｂは一端が内部電極２ｂに電気的
に接続され、他端が静電チャックステージ１裏面から露
出している導入端子、その他の各符号は図６中の各符号
に対応している。図７に示す双極型の静電チャック装置
の構成は、直流電源５の一端は導入端子３ａに電気的に
接続され、直流電源５の他端は導入端子３ｂに電気的に
接続されている。その他の静電チャック装置及びそれを
用いたプラズマエッチング装置の構成は図６と同様であ
るが、チャンバ６は接地されていない。このように、双
極型の場合は、単極型のように被吸着物４にアースをと
る必要はなく、内部電極２を二つ以上に分割して、それ
ぞれの間に電圧を印加するため、被吸着物４に電圧を印
加する必要がないため、取扱いが簡便であるが、単極型
より吸着力は劣る。FIG. 7 shows an example in which a bipolar electrostatic chuck device is used in the chamber of a plasma etching apparatus. In FIG. 7, 2a and 2b are internal electrodes provided in the electrostatic chuck stage 1, and 3a has one end electrically connected to the internal electrode 2a and the other end exposed from the back surface of the electrostatic chuck stage 1. One end of the terminal 3b is electrically connected to the internal electrode 2b and the other end thereof is an introduction terminal exposed from the back surface of the electrostatic chuck stage 1, and other reference numerals correspond to the reference numerals in FIG. In the configuration of the bipolar electrostatic chuck device shown in FIG. 7, one end of the DC power supply 5 is electrically connected to the introduction terminal 3a, and the other end of the DC power supply 5 is electrically connected to the introduction terminal 3b. Other configurations of the electrostatic chuck device and the plasma etching device using the same are the same as those in FIG. 6, but the chamber 6 is not grounded. As described above, in the case of the bipolar type, it is not necessary to ground the object to be adsorbed 4 unlike the monopolar type, and the internal electrode 2 is divided into two or more and a voltage is applied between them, Since it is not necessary to apply a voltage to the object to be adsorbed 4, it is easy to handle, but the adsorption force is inferior to that of the monopolar type.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な静電チャック装置の吸着力は被吸着物４と内部電極２
との間に介在する静電チャックステージ１が有する分極
電荷量によって定まるが、この分極電荷量は、印加電圧
との間でヒステリシスループを描くことが知られてい
る。図８にその印加電圧と分極電荷量との間のヒステリ
シスループを示す。図８の横軸は内部電極２及び被吸着
物４間の印加電圧、縦軸は被吸着物４の分極電荷量を示
す。図８に示すように、まず印加電圧の増加に従って、
ＯからＡに達し、Ｂまで変化するが、この後、印加電圧
を減少させても分極電荷量はもとの経路Ｂ−Ａ−Ｏを通
らず経路Ｂ−Ａ−Ｃを通る。つまり、印加電圧を印加し
ていないにも関わらず、分極電荷が残る（このＣ点の分
極電荷が残留電荷）。この残留電荷によって、印加電圧
を切っても被吸着物４が離脱しにくいという問題点があ
った。By the way, the attraction force of the electrostatic chuck device as described above is different from that of the object to be attracted 4 and the internal electrode 2.
It is known that it depends on the polarization charge amount of the electrostatic chuck stage 1 interposed between and, and this polarization charge amount draws a hysteresis loop with the applied voltage. FIG. 8 shows a hysteresis loop between the applied voltage and the polarization charge amount. In FIG. 8, the horizontal axis represents the applied voltage between the internal electrode 2 and the object to be adsorbed 4, and the vertical axis represents the polarization charge amount of the object to be adsorbed 4. As shown in FIG. 8, first, as the applied voltage increases,
After reaching O to A and changing to B, the polarization charge amount passes through the route B-A-C instead of the original route B-A-O even if the applied voltage is reduced. That is, the polarization charge remains (the polarization charge at this point C is the residual charge), even though the applied voltage is not applied. Due to this residual charge, there is a problem that the object to be adsorbed 4 is unlikely to separate even when the applied voltage is turned off.

【０００８】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、残留電荷を効率よくアースに逃
がすことによって、被吸着物の離脱を容易に行う静電チ
ャック装置を得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an electrostatic chuck device which easily releases an object to be adsorbed by efficiently releasing residual charges to the ground is provided. To aim.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、静電気力によって被吸着物を吸着、保
持する静電チャック装置であって、前記被吸着物を載置
面に載置して、吸着、保持するための絶縁体よりなる静
電チャックステージと、前記静電チャックステージの前
記載置面を含む所定部分に分極現象を生じさせるための
電圧印加手段と、前記被吸着物と、前記静電チャックス
テージの前記所定部分との少なくとも一方を接地させ、
前記分極現象の残留電荷を除去するための電荷除去手段
とを備える。According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrostatic chuck device for adsorbing and holding an object to be adsorbed by an electrostatic force, wherein the object to be adsorbed is placed on a mounting surface. An electrostatic chuck stage made of an insulating material for mounting, adsorbing and holding the same, voltage applying means for causing a polarization phenomenon in a predetermined portion including the mounting surface of the electrostatic chuck stage, and the object to be covered. At least one of the attracted material and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage is grounded,
And a charge removing unit for removing the residual charge of the polarization phenomenon.

【００１０】本発明の請求項２に係る課題解決手段にお
いて、前記電荷除去手段は、流動性かつ電気的導電性を
有する導電体と、前記導電体を所定経路に沿って流入さ
せ、これを前記被吸着物と前記静電チャックステージの
前記所定部分との少なくとも一方に接触させることによ
り、前記導電体を前記被吸着物あるいは前記静電チャッ
クステージの前記所定部分と、グランドとの間に選択的
かつ電気的に介在させる選択接地手段とを備える。In the means for solving the problem according to claim 2 of the present invention, the charge removing means causes a conductor having fluidity and electrical conductivity and the conductor to flow along a predetermined path, By selectively contacting at least one of the object to be attracted and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage, the conductor is selectively placed between the object to be attracted or the predetermined portion of the electrostatic chuck stage and the ground. And a selective grounding means electrically interposed.

【００１１】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記選択接地手段は、前記導電体を貯蔵し、接地
され、かつ前記被吸着物と前記静電チャックステージと
に電気的に接続されていない電気的導電性を有する容器
と、前記静電チャックステージの前記載置面に設けられ
た溝と、前記容器と前記溝とを接続し、前記導電体が流
れる供給経路と、前記容器に貯蔵されている前記導電体
を前記供給経路を介して前記溝に流すことで、前記溝と
前記容器との間に前記導電体を電気的に介在させて、前
記被吸着物と前記静電チャックステージの前記所定部分
との少なくとも一方と前記容器とを電気的に接続させる
ための導電体給送手段とを備える。In the problem solving means according to claim 3 of the present invention, the selective grounding means stores the conductor, is grounded, and is electrically connected to the attracted object and the electrostatic chuck stage. Not have a container having electrical conductivity, a groove provided on the mounting surface of the electrostatic chuck stage, the container and the groove are connected, the supply path through which the conductor flows, and the container By flowing the stored conductor to the groove through the supply path, the conductor is electrically interposed between the groove and the container, and the attracted object and the electrostatic chuck are disposed. At least one of the predetermined portion of the stage and an electric conductor feeding means for electrically connecting the container to each other are provided.

【００１２】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記導電体は、水銀よりなる。In the means for solving the problems according to claim 4 of the present invention, the conductor is made of mercury.

【００１３】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記電荷除去手段は、定形性かつ電気的導電性を
有する導電体と、前記導電体を所定方向に機械的に動か
して変位させ、これを前記被吸着物と前記静電チャック
ステージの前記所定部分との少なくとも一方に接触させ
ることにより、前記導電体を前記被吸着物あるいは前記
静電チャックステージの前記所定部分と、グランドとの
間に選択的かつ電気的に介在させる選択接地手段とを備
える。In the problem solving means according to claim 5 of the present invention, the electric charge removing means is a conductor having a fixed shape and electrical conductivity, and the conductor is mechanically moved in a predetermined direction to be displaced. By bringing this into contact with at least one of the object to be attracted and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage, the conductor is placed between the object to be attracted or the predetermined portion of the electrostatic chuck stage and the ground. A selective grounding means for selectively and electrically intervening.

【００１４】本発明の請求項６に係る課題解決手段にお
いて、前記導電体は、電気的導電性を有するピンを備
え、前記静電チャックステージは、前記ピンを通すため
の、該静電チャックステージの前記載置面から裏面にか
けて貫通するように設けられた貫通孔を備え、前記選択
接地手段は、前記ピンを前記貫通孔にそって機械的に動
かして変位させて、前記ピンを前記被吸着物と前記静電
チャックステージの前記所定部分との少なくとも一方に
接触させるピン変位手段と、前記ピンを接地させるピン
接地手段とを備える。According to a sixth aspect of the present invention, in the means for solving the problems, the conductor includes a pin having electrical conductivity, and the electrostatic chuck stage is for passing the pin. In the above, the through hole is provided so as to penetrate from the placement surface to the back surface, and the selective grounding means mechanically moves and displaces the pin along the through hole to displace the pin. A pin displacing unit for contacting at least one of an object and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage, and a pin grounding unit for grounding the pin.

【００１５】[0015]

【作用】本発明請求項１に係る静電チャック装置では、
電荷除去手段によって、被吸着物と、静電チャックステ
ージの所定部分との少なくとも一方を接地させることで
電圧印加手段による分極現象に基づいて生じた静電チャ
ックステージが有する残留電荷を除去して減少させるこ
とにより、その残留電荷によって、吸着、保持されてい
た被吸着物が静電チャックステージから離脱する。In the electrostatic chuck device according to claim 1 of the present invention,
The charge removing unit grounds at least one of the object to be attracted and a predetermined portion of the electrostatic chuck stage to remove and reduce the residual charge of the electrostatic chuck stage caused by the polarization phenomenon by the voltage applying unit. By doing so, the attracted and held object is separated from the electrostatic chuck stage by the residual charge.

【００１６】本発明請求項２に係る静電チャック装置で
は、選択接地手段によって、導電体を所定経路に沿って
流入させて、導電体を被吸着物と、静電チャックステー
ジの所定部分との少なくとも一方と、グランドとの間に
電気的に介在させることで、被吸着物とあるいは静電チ
ャックステージの所定部分が接地して、静電チャックス
テージが有する残留電荷が、静電チャックステージか
ら、導電体を介して、あるいは被吸着物及び導電体を介
して、グランドへ移る。In the electrostatic chuck device according to the second aspect of the present invention, the conductor is caused to flow along the predetermined path by the selective grounding means, and the conductor is attracted to the object to be attracted and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage. By electrically intervening between at least one and the ground, the object to be attracted or a predetermined portion of the electrostatic chuck stage is grounded, and the residual charge of the electrostatic chuck stage is changed from the electrostatic chuck stage to Transfer to the ground through the conductor or through the object to be adsorbed and the conductor.

【００１７】本発明請求項３に係る静電チャック装置で
は、導電体給送手段によって、供給経路を介して溝に導
電体を流し込むことで、被吸着物と静電チャックステー
ジの所定部分との少なくとも一方が接地する。また、接
地された容器と、被吸着物及び静電チャックステージと
を電気的に接続しないことで、電圧印加手段による分極
現象によって生じ、静電チャックステージに被吸着物を
吸着、保持する静電気力の原因である電荷をグランドに
流れないようにしている。In the electrostatic chuck device according to the third aspect of the present invention, the conductive material feeding means causes the conductive material to flow into the groove through the supply path, whereby the attracted object and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage are separated from each other. At least one is grounded. Further, by not electrically connecting the grounded container to the object to be attracted and the electrostatic chuck stage, the electrostatic force for attracting and holding the object to be attracted to the electrostatic chuck stage is caused by the polarization phenomenon by the voltage applying means. The electric charge which is the cause of is prevented from flowing to the ground.

【００１８】本発明請求項４に係る静電チャック装置で
は、水銀を導電体として用いれば、導電体は、流動性か
つ電気的導電性を有する。In the electrostatic chuck device according to the fourth aspect of the present invention, when mercury is used as the conductor, the conductor has fluidity and electrical conductivity.

【００１９】本発明請求項５に係る静電チャック装置で
は、選択接地手段によって、導電体を機械的に動かして
変位させて、導電体を被吸着物と前記静電チャックステ
ージの所定部分との少なくとも一方と、グランドとの間
に電気的に介在させることで、被吸着物あるいは静電チ
ャックステージの所定部分が接地して、静電チャックス
テージが有する残留電荷が、静電チャックステージか
ら、導電体を介して、あるいは被吸着物及び導電体を介
して、グランドへ移る。In the electrostatic chuck device according to the fifth aspect of the present invention, the conductor is mechanically moved and displaced by the selective grounding means so that the conductor is held between the object to be attracted and a predetermined portion of the electrostatic chuck stage. By electrically interposing at least one of them and the ground, the object to be attracted or a predetermined portion of the electrostatic chuck stage is grounded, and the residual charge of the electrostatic chuck stage is conducted from the electrostatic chuck stage. It moves to the ground through the body or through the object to be adsorbed and the conductor.

【００２０】本発明請求項６に係る静電チャック装置で
は、ピン変位手段によって、貫通孔に沿って、ピンを変
位させて、ピンを被吸着物と静電チャックステージの所
定部分との少なくとも一方に接触させ、及びピン接地手
段によってピンを接地することにより、被吸着物とある
いは静電チャックステージの所定部分が接地する。In the electrostatic chuck device according to the sixth aspect of the present invention, the pin displacement means displaces the pin along the through hole so that the pin is at least one of the object to be attracted and a predetermined portion of the electrostatic chuck stage. And the pin is grounded by the pin grounding means to ground the object to be attracted or a predetermined portion of the electrostatic chuck stage.

【００２１】[0021]

【実施例】【Example】

｛第１の実施例｝第１の実施例について説明する。図１
は本発明の第１の実施例の於ける静電チャック装置を示
した図であり、特にプラズマエッチング装置のチャンバ
内に用いられた場合を示している。図１中の７は静電チ
ャックステージ１表面上に刻まれた水銀を流すための
溝、８は切替弁、９は水銀を循環させる動作をする導電
体給送手段であるポンプ、１０はストップ弁、１１は水
銀を貯蔵するための電気的導電性を有する容器であるタ
ンク、１２は溝７の一端である導入口、１３は溝７の他
端である排出口、１４は導電体である水銀、１５はＨｅ
等の不活性ガス導入口、２０ｃ及び２０ｄはテフロン製
の供給経路である配管、２０ａ、２０ｂ、２０ｅ及び２
０ｆは金属製の供給経路である配管であり、その他の各
符号は図６中の各符号に対応している。{First Embodiment} A first embodiment will be described. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing an electrostatic chuck device according to a first embodiment of the present invention, and particularly shows a case where the electrostatic chuck device is used in a chamber of a plasma etching device. In FIG. 1, 7 is a groove for flowing mercury, which is carved on the surface of the electrostatic chuck stage 1, 8 is a switching valve, 9 is a pump which is a conductor feeding means for circulating mercury, and 10 is a stop. A valve, 11 is a tank that is an electrically conductive container for storing mercury, 12 is an inlet that is one end of the groove 7, 13 is an outlet that is the other end of the groove 7, and 14 is a conductor. Mercury, 15 is He
Etc., inert gas inlets, 20c and 20d are piping which are Teflon supply paths, 20a, 20b, 20e and 2
Reference numeral 0f denotes a pipe which is a metal supply path, and other reference numerals correspond to the reference numerals in FIG.

【００２２】次に構成について説明する。本実施例の構
成は、図６に示す単極型の静電チャック装置に水銀を用
いることを特徴とした電荷除去手段を備えた構成であ
る。まずタンク１１は接地されていて、その中に水銀１
４が入っている。タンク１１の一端は配管２０ａを介し
てポンプ９の入力に接続されている。ポンプ９の出力
は、配管２０ｂを介して、切替弁８の第１の入力に接続
されている。図示しないが不活性ガスを導入するための
手段によって、不活性ガス導入口１５にＨｅ等の不活性
ガスを導入する。不活性ガス導入口１５は配管２０ｆを
介して切替弁８の第２の入力に接続されている。切替弁
８の出力は配管２０ｃを介して導入口１２に接続されて
いる。排出口１３は、配管２０ｄを介して、ストップ弁
１０の入力に接続されている。ストップ弁１０の出力は
配管２０ｅを介してタンク１１の他端に接続されてい
る。その他の静電チャックステージ１、内部電極２、導
入端子３、被吸着物４、及びチャンバ６の構成は図６に
示した静電チャック装置の構成と同様である。Next, the structure will be described. The configuration of the present embodiment is a configuration including a charge removing unit characterized by using mercury in the monopolar electrostatic chuck device shown in FIG. First, the tank 11 is grounded, and mercury 1
Contains 4. One end of the tank 11 is connected to the input of the pump 9 via the pipe 20a. The output of the pump 9 is connected to the first input of the switching valve 8 via the pipe 20b. Although not shown, an inert gas such as He is introduced into the inert gas introduction port 15 by means of introducing an inert gas. The inert gas inlet port 15 is connected to the second input of the switching valve 8 via the pipe 20f. The output of the switching valve 8 is connected to the inlet 12 via the pipe 20c. The discharge port 13 is connected to the input of the stop valve 10 via the pipe 20d. The output of the stop valve 10 is connected to the other end of the tank 11 via the pipe 20e. Other configurations of the electrostatic chuck stage 1, the internal electrode 2, the introduction terminal 3, the attracted object 4, and the chamber 6 are the same as those of the electrostatic chuck device shown in FIG.

【００２３】溝７、切替弁８、ポンプ９、ストップ弁１
０、タンク１１、不活性ガス導入口１５、配管２０ｃ、
配管２０ｄ、配管２０ａ、配管２０ｂ、配管２０ｅ、配
管２０ｆ及び不活性ガスを導入するための手段により選
択接地手段を構成し、その選択接地手段と水銀１４とに
より電荷除去手段を構成する。導入端子３、内部電極
２、直流電源５により電圧印加手段を構成する。Groove 7, switching valve 8, pump 9, stop valve 1
0, tank 11, inert gas inlet 15, pipe 20c,
The pipe 20d, the pipe 20a, the pipe 20b, the pipe 20e, the pipe 20f and the means for introducing the inert gas constitute the selective grounding means, and the selective grounding means and the mercury 14 constitute the charge removing means. The introduction terminal 3, the internal electrode 2, and the DC power supply 5 constitute a voltage applying means.

【００２４】また、配管２０ｃ及び配管２０ｄを特にテ
フロン製にしているのは、被吸着物４が常にグランドと
接続されることを防止するためであり、従って、配管２
０ｃと配管２０ｄの材質はテフロン以外の絶縁材でもよ
い。切替弁８は配管２０ｃと配管２０ｂとの導通状態、
配管２０ｃと配管２０ｆとの導通状態、配管２０ｃを配
管２０ｆ及び配管２０ｂのいずれにも導通させない非導
通状態を選択できる弁である。ストップ弁１０は配管２
０ｄと配管２０ｅとの導通状態と非導通状態を選択でき
る弁である。Further, the reason why the pipes 20c and 20d are made of Teflon in particular is to prevent the object 4 to be adsorbed from being always connected to the ground.
The material of 0c and the pipe 20d may be an insulating material other than Teflon. The switching valve 8 is a conduction state between the pipe 20c and the pipe 20b,
The valve is capable of selecting a conduction state between the pipe 20c and the pipe 20f and a non-conduction state in which the pipe 20c is not conducted to either the pipe 20f or the pipe 20b. Stop valve 10 is piping 2
It is a valve that can select a conduction state or a non-conduction state between 0d and the pipe 20e.

【００２５】また図２は静電チャックステージ１の上面
図である。図２に示すように、溝７が静電チャックステ
ージ１の表面（被吸着物４の載置面）上に円形に形成さ
れ、溝７の一端が導入口１２、他端が排出口１３となっ
ている。FIG. 2 is a top view of the electrostatic chuck stage 1. As shown in FIG. 2, the groove 7 is formed in a circular shape on the surface of the electrostatic chuck stage 1 (the mounting surface of the object 4 to be attracted), one end of the groove 7 is an inlet 12, and the other end is an outlet 13. Has become.

【００２６】次に動作について説明する。被吸着物４を
静電チャックステージ１に吸着、保持する動作を説明す
る。まず、ポンプ９の動作を停止しておき、ストップ弁
１０及び切替弁８を非導通状態に選択しておき、かつ溝
７中には水銀１４が充填されていない状態にしておく。
被吸着物４を静電チャックステージ１上に搬送した後、
次に直流電源５により、内部電極２に電圧を印加する。
この場合、印加電圧は正でも負でもどちらを印加しても
よい。次に、チャンバ６内にエッチングガスを導入し、
圧力調整した後、高周波電力を印加し、プラズマが生じ
ると、そのプラズマを介することで、直流電源５により
内部電極２と被吸着物４との間に電圧が印加され、被吸
着物４は静電チャックステージ１に吸着して、保持され
る。Next, the operation will be described. The operation of attracting and holding the attraction target 4 on the electrostatic chuck stage 1 will be described. First, the operation of the pump 9 is stopped, the stop valve 10 and the switching valve 8 are selected to be in the non-conductive state, and the groove 7 is not filled with the mercury 14.
After transporting the object to be attracted 4 onto the electrostatic chuck stage 1,
Next, a voltage is applied to the internal electrode 2 by the DC power supply 5.
In this case, the applied voltage may be either positive or negative. Next, an etching gas is introduced into the chamber 6,
After adjusting the pressure, high-frequency power is applied, and when plasma is generated, a voltage is applied between the internal electrode 2 and the object to be adsorbed 4 by the direct current power supply 5 through the plasma, and the object to be adsorbed 4 is kept stationary. It is adsorbed and held on the electric chuck stage 1.

【００２７】次に被吸着物４を静電チャックステージ１
から離脱する動作を説明する。まず、高周波電力を切
り、チャンバ６内のガスの導入を止めた後、直流電源５
の出力を切って、内部電極２への電圧の印加を止める。
しかし、従来例で説明したように静電チャックステージ
１には、図８に示したヒステリシスループに基づく残留
電荷が存在し、静電チャックステージ１と被吸着物４と
の間には残留吸着力が生じており、被吸着物４はなおも
保持された状態である。この状態で、切替弁８により配
管２０ｃと配管２０ｂを導通させ、ストップ弁１０によ
り配管２０ｄと配管２０ｅを導通させる。そしてポンプ
９を動作させて、水銀１４をタンク１１→切替弁８→導
入口１２→溝７→排出口１３→ストップ弁１０→タンク
１１の経路で流して、水銀１４と被吸着物４・内部電極
２間の静電チャックステージ１とを接触させることで、
静電チャックステージ１とタンク１１とは水銀１４を介
して電気的に接続された状態となる。従って、静電チャ
ックステージ１が有する残留電荷は、水銀１４を介し
て、タンク１１に接続されているグランドへ移るため、
静電チャックステージ１の残留電荷は除去されて減少
し、被吸着物４は静電チャックステージ１から離脱す
る。Next, the object to be attracted 4 is attached to the electrostatic chuck stage 1.
The operation of leaving from will be described. First, the high frequency power is turned off, the introduction of gas in the chamber 6 is stopped, and then the DC power source 5
Is turned off to stop the voltage application to the internal electrode 2.
However, as described in the conventional example, the electrostatic chuck stage 1 has residual charges based on the hysteresis loop shown in FIG. 8, and the residual chucking force is present between the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4. Occurs, and the object to be adsorbed 4 is still held. In this state, the switching valve 8 connects the pipes 20c and 20b, and the stop valve 10 connects the pipes 20d and 20e. Then, the pump 9 is operated to cause the mercury 14 to flow through the route of the tank 11 → the switching valve 8 → the inlet 12 → the groove 7 → the outlet 13 → the stop valve 10 → the tank 11 so that the mercury 14 and the adsorbed substance 4 / inside By contacting the electrostatic chuck stage 1 between the electrodes 2,
The electrostatic chuck stage 1 and the tank 11 are electrically connected via the mercury 14. Therefore, the residual charge of the electrostatic chuck stage 1 is transferred to the ground connected to the tank 11 via the mercury 14,
The residual charges on the electrostatic chuck stage 1 are removed and reduced, and the attracted object 4 is separated from the electrostatic chuck stage 1.

【００２８】また、水銀１４は被吸着物４に接触してい
てもよい。静電チャックステージ１の残留電荷は、上述
の水銀１４のみを介する経路に加え、水銀１４及び被吸
着物４を介する経路によってもグランドへ移ることがで
きる。The mercury 14 may be in contact with the object 4 to be adsorbed. The residual charge of the electrostatic chuck stage 1 can be transferred to the ground not only through the path through the mercury 14 described above but also through the path through the mercury 14 and the object to be attracted 4.

【００２９】そして溝７に約１５秒間水銀１４を流した
後、ポンプ９の動作を停止し、切替弁８により配管２０
ｃと配管２０ｆとを導通させ、Ｈｅを不活性ガス導入口
１５から供給する。溝７中の水銀１４はＨｅの圧力によ
り、全てタンク１１内に戻される。次に供給しているＨ
ｅを止め、溝７の圧力を下げた後、切替弁８及びストッ
プ弁１０を非導通状態に選択する。After flowing the mercury 14 into the groove 7 for about 15 seconds, the operation of the pump 9 is stopped, and the pipe 20 is opened by the switching valve 8.
c is connected to the pipe 20f, and He is supplied from the inert gas inlet 15. The mercury 14 in the groove 7 is all returned to the tank 11 by the pressure of He. Next H supply
After stopping e and reducing the pressure in the groove 7, the switching valve 8 and the stop valve 10 are selected in the non-conducting state.

【００３０】このように接地された水銀１４を静電チャ
ックステージ１と被吸着物４との少なくとも一方に接触
させて、静電チャックステージ１を水銀１４を介して接
地させることで、残留電荷をグランドに移して、静電着
チャックステージ１から残留電荷を除去して減少させる
ことにより、被吸着物４の静電チャックステージ１から
の離脱を容易にすることができる。The thus-grounded mercury 14 is brought into contact with at least one of the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4 and the electrostatic chuck stage 1 is grounded via the mercury 14 to remove residual charges. By moving to the ground and removing and reducing the residual charges from the electrostatic chuck stage 1, it is possible to facilitate the detachment of the attracted object 4 from the electrostatic chuck stage 1.

【００３１】なお、導電体として水銀１４を用いた例を
示したが、水銀１４の他に、流動性かつ電気伝導性を有
する導電体を使用してもよい。導電体給送手段は、導電
体を溝７・タンク１１間に介在させることができるもの
であればよい。Although the example in which the mercury 14 is used as the conductor has been shown, in addition to the mercury 14, a conductor having fluidity and electrical conductivity may be used. The conductor feeding means may be any as long as a conductor can be interposed between the groove 7 and the tank 11.

【００３２】｛第２の実施例｝次に第２の実施例につい
て説明する。図３は本発明の第２の実施例に於ける静電
チャック装置を示した図である。図３中の１８ａ及び１
８ｂは被吸着物４に接触させて持ち上げる電気的導電性
を有するピン、１８はピン１８ａ及びピン１８ｂを上下
させるための電気的導電性を有するリフト、１６はピン
１８ａ及びピン１８ｂを接地するか開放するかを選択す
るピン接地手段であるスイッチ、１７は急激な電流が流
れることを防止するための抵抗、２１ａ及び２１ｂは静
電チャックステージ１の表面と裏面とを貫通するように
設けられた貫通孔、その他の各符号は図６中の各符号に
対応している。{Second Embodiment} Next, a second embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram showing an electrostatic chuck device according to a second embodiment of the present invention. 18a and 1 in FIG.
8b is an electrically conductive pin that contacts and lifts the object to be adsorbed 4, 18 is an electrically conductive lift for moving the pins 18a and 18b up and down, and 16 is whether the pins 18a and 18b are grounded. A switch, which is a pin grounding means for selecting whether to open, 17 is a resistor for preventing a sudden current from flowing, and 21a and 21b are provided so as to penetrate the front surface and the back surface of the electrostatic chuck stage 1. The through holes and other reference numerals correspond to the reference numerals in FIG.

【００３３】次に構成について説明する。本実施例の構
成は、図６に示す単極型の静電チャック装置に被吸着物
４を持ち上げるための接地されたピン１８ａ、１８ｂ等
を用いることを特徴とした電荷除去手段を備えた構成で
ある。抵抗１７の一端はグランドに接続され、抵抗１７
の他端はスイッチ１６の一端に接続されている。スイッ
チ１６の他端はリフト１８に接続されている。リフト１
８上にはピン１８ａ及びピン１８ｂが電気的に接続され
た状態で設けられている。ピン１８ａ及びピン１８ｂの
先端が静電チャックステージ１の裏面から挿入され、静
電チャックステージ１の表面の被吸着物４に接触するよ
うに、貫通孔２１ａ及び貫通孔２１ｂが静電チャックス
テージ１に設けられている。また、リフト１８には、リ
フト１８を上昇または下降させることにより、被吸着物
４とピン１８ａ及びピン１８ｂを電気的に接触させるか
否かを選択できるピン変位手段としての駆動機構（図示
せず）が添設されている。その駆動機構は、機械的にリ
フト１８を動かすことにより、被吸着物４とピン１８ａ
及びピン１８ｂとを電気的に接続できるものであればよ
い。その他の構成は、図６に示した静電チャック装置の
構成と同様である。Next, the structure will be described. The configuration of the present embodiment is provided with charge removing means characterized by using grounded pins 18a and 18b for lifting the object 4 in the single-pole type electrostatic chuck device shown in FIG. Is. One end of the resistor 17 is connected to the ground, and the resistor 17
The other end of is connected to one end of the switch 16. The other end of the switch 16 is connected to the lift 18. Lift 1
Pins 18a and 18b are provided on the board 8 in an electrically connected state. The through holes 21a and the through holes 21b are formed so that the tips of the pins 18a and 18b are inserted from the back surface of the electrostatic chuck stage 1 and come into contact with the attracted object 4 on the surface of the electrostatic chuck stage 1. It is provided in. Further, the lift 18 has a drive mechanism (not shown) as a pin displacement means capable of selecting whether or not the attracted object 4 and the pins 18a and 18b are brought into electrical contact by raising or lowering the lift 18. ) Is attached. The drive mechanism mechanically moves the lift 18 to move the object to be attracted 4 and the pin 18a.
It suffices as long as it can electrically connect the pin 18b and the pin 18b. Other configurations are similar to those of the electrostatic chuck device shown in FIG.

【００３４】リフト１８、ピン１８ａ及びピン１８ｂに
より定型性かつ電気的導電性を有する導電体を構成す
る。スイッチ１６、抵抗１７、導電体及びピン変位手段
により選択接地手段を構成する。選択接地手段、導電体
により電荷除去手段を構成する。導入端子３、内部電極
２、直流電源５により電圧印加手段を構成する。また、
容器はタンク１１のように水銀１４を貯蔵できるもので
あればよい。The lift 18, the pin 18a, and the pin 18b form a conductor having a typical shape and electrical conductivity. The switch 16, the resistor 17, the conductor and the pin displacement means constitute a selective grounding means. The selective grounding means and the conductor constitute a charge removing means. The introduction terminal 3, the internal electrode 2, and the DC power supply 5 constitute a voltage applying means. Also,
The container may be any one capable of storing the mercury 14 like the tank 11.

【００３５】次に動作について説明する。まず、リフト
１８を下降させ、ピン１８ａ及びピン１８ｂと被吸着物
４を非接触状態にし、スイッチ１６によりピン１８ａ及
びピン１８ｂを電気的に開放しておく。その後の内部電
極２に電圧を印加し被吸着物４を静電チャックステージ
１に吸着、保持する動作は第１の実施例と同様である。Next, the operation will be described. First, the lift 18 is lowered to bring the pins 18a and 18b into non-contact with the object to be attracted 4, and the switch 18 electrically opens the pins 18a and 18b. The subsequent operation of applying a voltage to the internal electrode 2 to attract and hold the attracted object 4 on the electrostatic chuck stage 1 is the same as in the first embodiment.

【００３６】次に被吸着物４を静電チャックステージ１
から離脱する動作を説明する。まず、高周波電力を切
り、チャンバ６内のガスの導入を止めた後、直流電源５
の出力を切る。しかし、静電チャックステージ１には、
図８に示したヒステリシスループに基づく分極電荷が存
在し、静電チャックステージ１と被吸着物４との間には
残留吸着力が生じており、被吸着物４はなおも保持され
た状態である。この状態で、リフト１８を上昇させ、ピ
ン１８ａ及びピン１８ｂと被吸着物４の裏面とを接触さ
せる。次に、スイッチ１６によりピン１８ａ及びピン１
８ｂを接地させる。または、スイッチ１６によりピン１
８ａ及びピン１８ｂを接地させた後、リフト１８を上昇
させてもよい。このような動作により、静電チャックス
テージ１の残留電荷は、被吸着物４及びピン１８ａ、１
８ｂを介してグランドへ移るため、静電チャックステー
ジ１の残留電荷は減少し、被吸着物４は静電チャックス
テージ１から離脱する。Next, the object to be attracted 4 is attached to the electrostatic chuck stage 1.
The operation of leaving from will be described. First, the high frequency power is turned off, the introduction of gas in the chamber 6 is stopped, and then the DC power source 5
Turn off the output of. However, in the electrostatic chuck stage 1,
The polarization charge based on the hysteresis loop shown in FIG. 8 exists, the residual attraction force is generated between the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4, and the object to be attracted 4 is still held. is there. In this state, the lift 18 is raised to bring the pins 18a and 18b into contact with the back surface of the object to be attracted 4. Next, the switch 16 causes the pins 18a and 1
8b is grounded. Or switch 1 to pin 1
The lift 18 may be raised after the 8a and the pin 18b are grounded. By such an operation, the residual electric charge of the electrostatic chuck stage 1 causes the attracted object 4 and the pins 18a, 1
Since it moves to the ground via 8b, the residual charge on the electrostatic chuck stage 1 is reduced, and the attracted object 4 is separated from the electrostatic chuck stage 1.

【００３７】また、ピン１８ａ、ピン１８ｂは静電チャ
ックステージ１に接触していてもよい。静電チャックス
テージ１の残留電荷は、上述の被吸着物４及びピン１８
ａ、１８ｂを介する経路に加え、ピン１８ａ、１８ｂの
みを介する経路によってもグランドへ移ることができ
る。あるいは、ピン１８ａ、１８ｂが静電チャックステ
ージ１のみに接続していてもよい。The pins 18a and 18b may be in contact with the electrostatic chuck stage 1. The residual charge of the electrostatic chuck stage 1 is due to the above-mentioned attracting object 4 and pin 18
In addition to the route via a and 18b, it is possible to move to the ground by the route via only the pins 18a and 18b. Alternatively, the pins 18a and 18b may be connected only to the electrostatic chuck stage 1.

【００３８】被吸着物４が静電チャックステージ１から
離脱してから、ピン１８ａ、１８ｂをさらに上昇させ
て、被吸着物４を持ち上げて、搬送し易い状態にし、何
らかの搬送するための手段により、被吸着物を他の場所
に搬送する。After the object to be attracted 4 is separated from the electrostatic chuck stage 1, the pins 18a and 18b are further raised to lift the object to be attracted 4 so that the object to be attracted can be easily transported, and some means for carrying it can be used. , Transport the object to be adsorbed to another place.

【００３９】このようにリフト１８、ピン１８ａ及びピ
ン１８ｂよりなる導電体を静電チャックステージ１と被
吸着物４との少なくとも一方に接触させ、かつピン１８
ａ、１８ｂを接地させることで、静電チャックステージ
１の残留電荷をグランドに移して、静電チャックステー
ジ１から残留電荷を除去して減少させることにより、被
吸着物４の静電チャックステージ１からの離脱を容易に
することができる。In this way, the conductor consisting of the lift 18, the pin 18a and the pin 18b is brought into contact with at least one of the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4, and the pin 18
By grounding a and 18b, the residual electric charge of the electrostatic chuck stage 1 is transferred to the ground, and the residual electric charge is removed from the electrostatic chuck stage 1 to reduce the electrostatic charge. Can be easily separated from.

【００４０】｛第３の実施例｝次に第３の実施例につい
て説明する。図３に示した静電チャック装置の電荷除去
手段の構成を変形して、図４に示す静電チャック装置の
構成にしてもよい。図４中の１９はピン接地手段である
接続端子を示し、その他の各符号は図３中の各符号に対
応している。{Third Embodiment} Next, a third embodiment will be described. The configuration of the charge removing means of the electrostatic chuck device shown in FIG. 3 may be modified to the configuration of the electrostatic chuck device shown in FIG. Reference numeral 19 in FIG. 4 indicates a connection terminal which is a pin grounding means, and other reference numerals correspond to the reference numerals in FIG.

【００４１】図３に示す静電チャック装置の構成は、接
続端子１９は抵抗１７を介して接地されており、リフト
１８が下降した状態の場合は、リフト１８と接続端子１
９が接触せず、リフト１８が上昇し、ピン１８ａ及びピ
ン１８ｂが被吸着物４と接触すると同時にリフト１８と
接続端子１９とが電気的に接続されるように構成されて
いる。In the configuration of the electrostatic chuck device shown in FIG. 3, the connection terminal 19 is grounded through the resistor 17, and when the lift 18 is in the lowered state, the lift 18 and the connection terminal 1 are connected.
9 is not in contact with the lift 18, the lift 18 is raised, and the pins 18a and 18b come into contact with the object to be attracted 4, and at the same time, the lift 18 and the connection terminal 19 are electrically connected.

【００４２】リフト１８、ピン１８ａ及びピン１８ｂに
より定型性かつ電気的導電性を有する導電体を構成す
る。抵抗１７、接続端子１９、導電体及びピン変位手段
により選択接地手段を構成する。選択接地手段及び導電
体により電荷除去手段を構成する。The lift 18, the pin 18a, and the pin 18b form a conductor having a typical shape and electrical conductivity. The resistor 17, the connection terminal 19, the conductor and the pin displacement means constitute a selective grounding means. The selective grounding means and the conductor constitute a charge removing means.

【００４３】次にその動作は、図３に示した静電チャッ
ク装置の主たる動作と同様であり、上述したように、リ
フト１８が上昇してピン１８ａ及びピン１８ｂが被吸着
物４と静電チャックステージ１との少なくとも一方に接
触すると同時にリフト１８と接続端子１９が電気的に接
続されるため、静電チャックステージ１の残留電荷は、
グランドへ移り、静電チャックステージ１の残留電荷は
減少し、被吸着物４は静電チャックステージ１から離脱
する。Next, the operation is the same as the main operation of the electrostatic chuck device shown in FIG. 3, and as described above, the lift 18 rises and the pins 18a and 18b electrostatically contact the object 4 to be attracted. Since the lift 18 and the connection terminal 19 are electrically connected at the same time when they contact at least one of the chuck stage 1, the residual charge of the electrostatic chuck stage 1 is
After moving to the ground, the residual charge of the electrostatic chuck stage 1 is reduced, and the attracted object 4 is separated from the electrostatic chuck stage 1.

【００４４】このような構成にすると、リフト１８の機
械的動作により、ピン１８ａ及びピン１８ｂを接地する
か開放するかを選択する構成にしたため、第２の実施例
で用いたスイッチ１６を必要とせず、またスイッチ１６
のスイッチング動作を指示する特別な手段の必要性もな
くなる。また実施例２と同様に、リフト１８、ピン１８
ａ及びピン１８ｂよりなる導電体を静電チャックステー
ジ１と被吸着物４との少なくとも一方に接触させて接地
することで、残留電荷をグランドに移して、静電チャッ
クステージ１から残留電荷を除去して減少させることに
より、被吸着物４の静電チャックステージ１からの離脱
を容易にすることができる。With this structure, the mechanical operation of the lift 18 selects whether the pins 18a and 18b are grounded or open. Therefore, the switch 16 used in the second embodiment is not required. No, switch 16
It also eliminates the need for special means to direct the switching operation of the. Further, similarly to the second embodiment, the lift 18, the pin 18
The residual charge is transferred to the ground by removing the residual charge from the electrostatic chuck stage 1 by bringing a conductor consisting of a and the pin 18b into contact with at least one of the electrostatic chuck stage 1 and the object to be attracted 4 and grounding the conductor. Then, by reducing the amount, the object 4 to be attracted can be easily separated from the electrostatic chuck stage 1.

【００４５】｛変形例｝なお、第２及び第３の実施例の
選択接地手段は、機械的に導電体を変位させて、接触さ
せ、被吸着物４と導電体とを電気的に接続する状態を選
択できるものであればよい。{Modification} In the selective grounding means of the second and third embodiments, the conductor is mechanically displaced and brought into contact with each other to electrically connect the attracted object 4 and the conductor. Anything can be selected as long as the state can be selected.

【００４６】また、第１乃至第３の実施例では単極型の
静電チャック装置を用いた例を示したが、単極型の静電
チャック装置の他に、双極型の静電チャック装置や他の
静電気力を使用したチャック装置にも適用できる。In addition, in the first to third embodiments, the example of using the single-pole type electrostatic chuck device is shown. However, in addition to the single-pole type electrostatic chuck device, a double-pole type electrostatic chuck device is used. It can also be applied to chuck devices that use other electrostatic forces.

【００４７】また、第１乃至第３の実施例の電圧印加手
段は、導入端子３、内部電極２及び直流電源５による構
成の他に、静電チャックステージに分極現象を生じさせ
る構成であればよい。Further, the voltage applying means of the first to third embodiments is not limited to the structure including the introduction terminal 3, the internal electrode 2 and the DC power supply 5, but may be a structure which causes a polarization phenomenon in the electrostatic chuck stage. Good.

【００４８】また、従来より、被吸着物４を静電チャッ
クステージ１から離脱してから、被吸着物４を他の場所
へ搬送する際に、絶縁性のピンを備えた被吸着物４を持
ち上げる専用の手段により、被吸着物４の裏面からその
絶縁性のピンを接触させて持ち上げ、搬送し易いように
している。第２及び第３の実施例では、その持ち上げる
専用の手段と併用して、電荷除去手段を構成したが、被
吸着物４を持ち上げるための専用の絶縁性を有するピン
と、静電チャックステージ１、被吸着物４を接地させる
ためのみに用いる専用の電気的導電性を有するピン１８
ａ及びピン１８ｂとを別々に有する構成にしてもよい。
またピン構成に限らず、被吸着物を持ち上げる専用の手
段と、それとは別の接地する専用の電荷除去手段とを備
えた構成にしてもよい。Further, conventionally, when the attracted object 4 is detached from the electrostatic chuck stage 1 and then the attracted object 4 is transported to another place, the attracted object 4 provided with an insulating pin A dedicated means for lifting is used to bring the insulative pin into contact with the back surface of the object to be attracted 4 and lift it to facilitate transportation. In the second and third embodiments, the charge removing means is configured in combination with the dedicated lifting means. However, a pin having a dedicated insulating property for lifting the attraction target 4 and the electrostatic chuck stage 1, Dedicated electrical conductive pin 18 used only for grounding the object to be attracted 4
It may be configured to have a and the pin 18b separately.
Further, the structure is not limited to the pin configuration, and may be configured to include a dedicated unit for lifting the object to be attracted and a dedicated charge removal unit for grounding, which is separate from the unit.

【００４９】また、ピン接地手段は、第２の実施例で示
したスイッチ１６、第３の実施例で示した接続端子１９
のようにピン１８ａ及び１８ｂを接地させる手段であれ
ばよい。The pin grounding means is the switch 16 shown in the second embodiment and the connection terminal 19 shown in the third embodiment.
Any means for grounding the pins 18a and 18b may be used.

【００５０】[0050]

【発明の効果】本発明の請求項１によると、吸着、保持
されていた被吸着物が容易に離脱するという効果があ
る。According to the first aspect of the present invention, there is an effect that the object to be adsorbed and held is easily separated.

【００５１】本発明の請求項２によると、流動性の導電
体を用いて静電チャックステージが有する残留電荷を除
去して、減少させることができるという効果がある。According to the second aspect of the present invention, there is an effect that it is possible to remove and reduce the residual charges that the electrostatic chuck stage has by using a fluid conductor.

【００５２】本発明の請求項３によると、被吸着物と静
電吸着ステージの所定部分との少なくとも一方を接地さ
せる構成が容易に実現可能であるという効果がある。According to the third aspect of the present invention, it is possible to easily realize a configuration in which at least one of the object to be attracted and a predetermined portion of the electrostatic attraction stage is grounded.

【００５３】本発明の請求項４によると、流動性かつ電
気的導電性を有する導電体を入手容易な材料で構成でき
るという効果がある。According to the fourth aspect of the present invention, there is an effect that a conductor having fluidity and electrical conductivity can be made of an easily available material.

【００５４】本発明の請求項５によると、定形性の導電
体を用いて静電チャックステージが有する残留電荷を除
去して、減少させることができるという効果がある。According to the fifth aspect of the present invention, there is an effect that it is possible to remove and reduce the residual electric charge which the electrostatic chuck stage has by using a regular electric conductor.

【００５５】本発明の請求項６によると、被吸着物と静
電チャックステージの所定部分との少なくとも一方を接
地させる構成が容易に実現可能であるとう効果がある。According to the sixth aspect of the present invention, there is an effect that a structure in which at least one of the object to be attracted and a predetermined portion of the electrostatic chuck stage is grounded can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の第１の実施例に於ける静電チャック
装置を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing an electrostatic chuck device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 本発明の第１の実施例に於ける静電チャック
ステージの上面図である。FIG. 2 is a top view of the electrostatic chuck stage according to the first embodiment of the present invention.

【図３】 本発明の第２の実施例に於ける静電チャック
装置を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing an electrostatic chuck device according to a second embodiment of the present invention.

【図４】 本発明の第３の実施例に於ける静電チャック
装置を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing an electrostatic chuck device according to a third embodiment of the present invention.

【図５】 従来の静電チャック装置の一例を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing an example of a conventional electrostatic chuck device.

【図６】 プラズマエッチング装置に単極型の静電チャ
ック装置を使用した例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example in which a monopolar electrostatic chuck device is used in a plasma etching device.

【図７】 プラズマエッチング装置に双極型の静電チャ
ック装置を使用した例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example in which a bipolar electrostatic chuck device is used in a plasma etching device.

【図８】 印加電圧と分極電荷量との間のヒステリシス
ループを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a hysteresis loop between an applied voltage and a polarization charge amount.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 静電チャックステージ、２ 内部電極、３ 導入端
子、４ 被吸着物、５直流電源、６ チャンバ、７
溝、８ 切替弁、９ ポンプ、１０ ストップ弁、１１
タンク、１２ 導入口、１３ 排出口、１４ 水銀、
１５ 不活性ガス導入口、１６ スイッチ、１７ 抵
抗、１８ リフト、１８ａ，１８ｂ ピン、１９ 接続
端子、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０
ｆ 配管、２１ａ，２１ｂ 貫通孔。1 electrostatic chuck stage, 2 internal electrodes, 3 introduction terminals, 4 objects to be attracted, 5 DC power supply, 6 chambers, 7
Groove, 8 switching valve, 9 pump, 10 stop valve, 11
Tank, 12 inlet, 13 outlet, 14 mercury,
15 inert gas inlet, 16 switch, 17 resistance, 18 lift, 18a, 18b pin, 19 connection terminal, 20a, 20b, 20c, 20d, 20e, 20
f Piping, 21a, 21b Through holes.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 静電気力によって被吸着物を吸着、保持
する静電チャック装置であって、 前記被吸着物を載置面に載置して、吸着、保持するため
の絶縁体よりなる静電チャックステージと、 前記静電チャックステージの前記載置面を含む所定部分
に分極現象を生じさせるための電圧印加手段と、 前記被吸着物と、前記静電チャックステージの前記所定
部分との少なくとも一方を接地させ、前記分極現象の残
留電荷を除去するための電荷除去手段と、を備えた静電
チャック装置。1. An electrostatic chuck device for attracting and holding an object to be attracted by an electrostatic force, the electrostatic chuck comprising an insulator for placing the object to be attracted and holding it on a mounting surface. At least one of a chuck stage, a voltage applying unit for causing a polarization phenomenon in a predetermined portion including the mounting surface of the electrostatic chuck stage, the object to be attracted, and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage. And an electric charge removing unit for removing the residual electric charge due to the polarization phenomenon. 【請求項２】 前記電荷除去手段は、 流動性かつ電気的導電性を有する導電体と、 前記導電体を所定経路に沿って流入させ、これを前記被
吸着物と前記静電チャックステージの前記所定部分との
少なくとも一方に接触させることにより、前記導電体を
前記被吸着物あるいは前記静電チャックステージの前記
所定部分と、グランドとの間に選択的かつ電気的に介在
させる選択接地手段と、を備えた請求項１記載の静電チ
ャック装置。2. The electric charge removing means causes a flowable and electrically conductive conductor to flow along the conductor along a predetermined path, which is then attracted to the attraction target and the electrostatic chuck stage. Selective grounding means for selectively and electrically interposing the conductor with at least one of a predetermined part and the predetermined part of the object to be attracted or the electrostatic chuck stage and a ground, The electrostatic chuck device according to claim 1, further comprising: 【請求項３】 前記選択接地手段は、 前記導電体を貯蔵し、接地され、かつ前記被吸着物と前
記静電チャックステージとに電気的に接続されていない
電気的導電性を有する容器と、 前記静電チャックステージの前記載置面に設けられた溝
と、 前記容器と前記溝とを接続し、前記導電体が流れる供給
経路と、 前記容器に貯蔵されている前記導電体を前記供給経路を
介して前記溝に流すことで、前記溝と前記容器との間に
前記導電体を電気的に介在させて、前記被吸着物と前記
静電チャックステージの前記所定部分との少なくとも一
方と前記容器とを電気的に接続させるための導電体給送
手段と、を備えた請求項２記載の静電チャック装置。3. The selective grounding means stores the conductor, is grounded, and has an electrically conductive container that is not electrically connected to the object to be attracted and the electrostatic chuck stage, A groove provided on the mounting surface of the electrostatic chuck stage, a supply path that connects the container and the groove, and through which the conductor flows, and the supply path that supplies the conductor stored in the container. By flowing into the groove through the electrically conductive conductor between the groove and the container, at least one of the attracted object and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage and the The electrostatic chuck device according to claim 2, further comprising: a conductor feeding unit for electrically connecting to the container. 【請求項４】 前記導電体は、水銀よりなる請求項２記
載の静電チャック装置。4. The electrostatic chuck device according to claim 2, wherein the conductor is made of mercury. 【請求項５】 前記電荷除去手段は、 定形性かつ電気的導電性を有する導電体と、 前記導電体を所定方向に機械的に動かして変位させ、こ
れを前記被吸着物と前記静電チャックステージの前記所
定部分との少なくとも一方に接触させることにより、前
記導電体を前記被吸着物あるいは前記静電チャックステ
ージの前記所定部分と、グランドとの間に選択的かつ電
気的に介在させる選択接地手段と、を備えた請求項１記
載の静電チャック装置。5. The electric charge removing means includes a conductor having a fixed shape and electrical conductivity, and the conductor is mechanically moved and displaced in a predetermined direction to displace the conductor and the electrostatic chuck. Selective grounding for selectively and electrically interposing the conductor between the object to be attracted or the predetermined portion of the electrostatic chuck stage and the ground by contacting at least one of the predetermined portion of the stage. The electrostatic chuck device according to claim 1, further comprising: 【請求項６】 前記導電体は、電気的導電性を有するピ
ンを備え、 前記静電チャックステージは、前記ピンを通すための、
該静電チャックステージの前記載置面から裏面にかけて
貫通するように設けられた貫通孔を備え、 前記選択接地手段は、 前記ピンを前記貫通孔にそって機械的に動かして変位さ
せて、前記ピンを前記被吸着物と前記静電チャックステ
ージの前記所定部分との少なくとも一方に接触させるピ
ン変位手段と、 前記ピンを接地させるピン接地手段と、を備えた請求項
５記載の静電チャック装置。6. The conductor includes a pin having electrical conductivity, and the electrostatic chuck stage is for passing the pin.
The electrostatic chuck stage is provided with a through hole provided so as to penetrate from the mounting surface to the back surface, and the selective grounding means mechanically moves the pin along the through hole to displace the pin. The electrostatic chuck device according to claim 5, further comprising: a pin displacement unit configured to bring a pin into contact with at least one of the object to be attracted and the predetermined portion of the electrostatic chuck stage; and a pin ground unit configured to ground the pin. .
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