JPH08227922A - 半導体装置の評価装置 - Google Patents
半導体装置の評価装置Info
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- JPH08227922A JPH08227922A JP3223095A JP3223095A JPH08227922A JP H08227922 A JPH08227922 A JP H08227922A JP 3223095 A JP3223095 A JP 3223095A JP 3223095 A JP3223095 A JP 3223095A JP H08227922 A JPH08227922 A JP H08227922A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の性能や信頼性を左右する素子構成
要素の断面形状を容易かつ短時間にさらに非破壊で評価
可能とする。 【構成】ウェハ９に対し斜め上からレーザビームＢを照
射するレーザ光源１と、レーザ光源１に機械的に固定さ
れウェハ９表面からの反射光Ｒを受光する２次元ＣＣＤ
センサ２と、ビームＢを垂直方向に走査するレーザ走査
部３と、一次反射光Ｒを受光した２次元ＣＣＤセンサ２
の画素信号Ｄを抽出する信号処理部４と、画素信号Ｄを
記憶する記憶部５と、記憶部５から読出した画素信号Ｅ
とレーザビームの走査データとからこの画素信号Ｅを画
像１２に変換する画像出力部６とを備える。
要素の断面形状を容易かつ短時間にさらに非破壊で評価
可能とする。 【構成】ウェハ９に対し斜め上からレーザビームＢを照
射するレーザ光源１と、レーザ光源１に機械的に固定さ
れウェハ９表面からの反射光Ｒを受光する２次元ＣＣＤ
センサ２と、ビームＢを垂直方向に走査するレーザ走査
部３と、一次反射光Ｒを受光した２次元ＣＣＤセンサ２
の画素信号Ｄを抽出する信号処理部４と、画素信号Ｄを
記憶する記憶部５と、記憶部５から読出した画素信号Ｅ
とレーザビームの走査データとからこの画素信号Ｅを画
像１２に変換する画像出力部６とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の評価装置に
関し、特にレーザ光を用い非破壊的に評価対象の半導体
装置の断面形状を評価する半導体装置の評価装置に関す
る。
関し、特にレーザ光を用い非破壊的に評価対象の半導体
装置の断面形状を評価する半導体装置の評価装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置においては、ＭＯＳトランジ
スタ等半導体素子を構成するゲートやソースなどの電極
やこれら電極のリード線あるいは半導体素子間配線の断
面形状の正確さは、性能および信頼性を左右する重要な
必要条件である。例えば、矩形であるべきＭＯＳトラン
ジスタのゲート電極の断面形状が台形に形成されていた
り、その逆に逆台形に形成されると、性能の劣化やばら
つきを生ずる。また、配線が逆台形に形成されると、ス
トレスマイグレーションやエレクトロマイグレーョンを
生じ易くなるという信頼性上の問題に発展する。
スタ等半導体素子を構成するゲートやソースなどの電極
やこれら電極のリード線あるいは半導体素子間配線の断
面形状の正確さは、性能および信頼性を左右する重要な
必要条件である。例えば、矩形であるべきＭＯＳトラン
ジスタのゲート電極の断面形状が台形に形成されていた
り、その逆に逆台形に形成されると、性能の劣化やばら
つきを生ずる。また、配線が逆台形に形成されると、ス
トレスマイグレーションやエレクトロマイグレーョンを
生じ易くなるという信頼性上の問題に発展する。
【０００３】従来、上述したような電極や配線等の断面
形状の評価方法としては、評価対象半導体装置の対象部
分を所定の寸法に切断して評価試料として抽出し、この
評価試料を第１の評価装置である走査型電子顕微鏡を用
いて直接的に観察評価する第１の評価方法が主流であ
る。
形状の評価方法としては、評価対象半導体装置の対象部
分を所定の寸法に切断して評価試料として抽出し、この
評価試料を第１の評価装置である走査型電子顕微鏡を用
いて直接的に観察評価する第１の評価方法が主流であ
る。
【０００４】従来の第１の評価方法を工程順に示す図３
を参照して説明すると、まず、（Ａ）に示すＳｉウェハ
等の半導体基板上に形成されたＬＳＩなどの半導体装置
を、（Ｂ）に示すように半導体基板ごと切断し切断面を
研磨し、（Ｃ）に示すように走査型電子顕微鏡の試料室
に収容可能な寸法の試料に加工形成する。次に、この評
価試料を走査型電子顕微鏡の試料室内に収容し、上述の
研磨面を（Ｄ）に示す電子顕微鏡画像として直接的に観
察評価する。評価対象断面を電子顕微鏡画像としてとら
えるため、電子が帯電しやすいようにこの断面に金をス
パッタすることもしばしば必要である。
を参照して説明すると、まず、（Ａ）に示すＳｉウェハ
等の半導体基板上に形成されたＬＳＩなどの半導体装置
を、（Ｂ）に示すように半導体基板ごと切断し切断面を
研磨し、（Ｃ）に示すように走査型電子顕微鏡の試料室
に収容可能な寸法の試料に加工形成する。次に、この評
価試料を走査型電子顕微鏡の試料室内に収容し、上述の
研磨面を（Ｄ）に示す電子顕微鏡画像として直接的に観
察評価する。評価対象断面を電子顕微鏡画像としてとら
えるため、電子が帯電しやすいようにこの断面に金をス
パッタすることもしばしば必要である。
【０００５】この従来の第１の評価装置では、観察評価
するため、評価対象の半導体ウェハ等から所望の寸法の
評価試料を加工形成する必要があり、多大な工数と時
間、典型的には約３時間を要する。
するため、評価対象の半導体ウェハ等から所望の寸法の
評価試料を加工形成する必要があり、多大な工数と時
間、典型的には約３時間を要する。
【０００６】この欠点を解決する特開平４−１７６１４
３号公報記載のウェハパターン形状検査装置である従来
の第２の評価装置は、レーザ光源と、レーザビーム径を
ウェハの外形をカバーするよう拡大するビームエキスパ
ンダと、評価対象ウェハに拡大レーザビームを導く光学
系と、上記評価対象ウェハに生じた正反射光とこのウェ
ハ上の半導体装置のパターンによる回折光を集光する集
光レンズと、この集光した反射・回折レーザビームパタ
ーン（集光パターン）を受光する２次元受光素子と、基
準半導体の集光パターン（基準パターン）を記憶する記
憶装置と、上記集光パターンと基準パターンとを比較し
てこの集光パターン対応の半導体装置がどの基準半導体
に対応するかを判定する判定装置とを備え、上記反射光
・回折光が半導体装置固有の立体パターンに依存するこ
とを利用して非破壊的にウェハ全体の立体パターンを含
む形状評価を行うというものである。
３号公報記載のウェハパターン形状検査装置である従来
の第２の評価装置は、レーザ光源と、レーザビーム径を
ウェハの外形をカバーするよう拡大するビームエキスパ
ンダと、評価対象ウェハに拡大レーザビームを導く光学
系と、上記評価対象ウェハに生じた正反射光とこのウェ
ハ上の半導体装置のパターンによる回折光を集光する集
光レンズと、この集光した反射・回折レーザビームパタ
ーン（集光パターン）を受光する２次元受光素子と、基
準半導体の集光パターン（基準パターン）を記憶する記
憶装置と、上記集光パターンと基準パターンとを比較し
てこの集光パターン対応の半導体装置がどの基準半導体
に対応するかを判定する判定装置とを備え、上記反射光
・回折光が半導体装置固有の立体パターンに依存するこ
とを利用して非破壊的にウェハ全体の立体パターンを含
む形状評価を行うというものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第１の
半導体装置の評価装置は、電子顕微鏡画像として直接的
に観察評価するため、評価対象の半導体ウェハ等を破壊
して所望の寸法の評価試料を加工形成する必要があり、
多大な工数と時間を要するとともに、半導体装置生産ラ
インの歩留を低下させるという欠点があった。
半導体装置の評価装置は、電子顕微鏡画像として直接的
に観察評価するため、評価対象の半導体ウェハ等を破壊
して所望の寸法の評価試料を加工形成する必要があり、
多大な工数と時間を要するとともに、半導体装置生産ラ
インの歩留を低下させるという欠点があった。
【０００８】この欠点を解決する従来の第２の半導体装
置の評価装置は、ウェハ全体の半導体装置パターンにつ
いての形状評価は可能であるものの、基準半導体の種類
に限界があるため、ウェハの特定領域における半導体装
置単体の実際の断面形状の特定までは困難であるという
欠点があった。
置の評価装置は、ウェハ全体の半導体装置パターンにつ
いての形状評価は可能であるものの、基準半導体の種類
に限界があるため、ウェハの特定領域における半導体装
置単体の実際の断面形状の特定までは困難であるという
欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の評
価装置は、半導体装置を形成した半導体基板の一主面に
対し予め定めた角度でレーザビームを照射するレーザ光
源と、２次元に配列した光電変換素子から成り前記レー
ザ光源と予め定めた位置関係で固定され前記一主面から
の反射光を受光する２次元光センサと、前記レーザビー
ムを照射方向に対し予め定めた走査方向に走査するレー
ザ走査手段と、前記２次元光センサに入射した前記反射
光のうちの最大の信号レベル対応の一次反射光を受光し
た前記光電変換素子の電荷量対応の画素信号を抽出する
信号処理手段と、前記画素信号を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路から読出した前記画素信号と前記レーザビ
ームの走査情報とからこの画素信号を画像に変換する画
像出力手段とを備えて構成されている。
価装置は、半導体装置を形成した半導体基板の一主面に
対し予め定めた角度でレーザビームを照射するレーザ光
源と、２次元に配列した光電変換素子から成り前記レー
ザ光源と予め定めた位置関係で固定され前記一主面から
の反射光を受光する２次元光センサと、前記レーザビー
ムを照射方向に対し予め定めた走査方向に走査するレー
ザ走査手段と、前記２次元光センサに入射した前記反射
光のうちの最大の信号レベル対応の一次反射光を受光し
た前記光電変換素子の電荷量対応の画素信号を抽出する
信号処理手段と、前記画素信号を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路から読出した前記画素信号と前記レーザビ
ームの走査情報とからこの画素信号を画像に変換する画
像出力手段とを備えて構成されている。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を一部をブロックで示
す図１を参照すると、この図に示す本実施例の半導体装
置の評価装置は、ウェハ９にレーザビームＢを照射する
Ｈｅ−Ｎｅレーザなどのレーザ光源１と、レーザ光源１
と一体化して配置されウェハ９からの反射光Ｒを受光す
る２次元ＣＣＤセンサ２と、レーザビームＢを入射方向
に対し垂直の方向に移動（走査）可能なレーザ走査部３
と、ＣＣＤセンサ２の出力信号Ｃを処理し反射光データ
Ｄを出力する信号処理部４と、反射光データＤを記憶す
る記憶部５と、記憶部５の読出データＥを画像に形成し
てディスプレイに表示する画像出力部６とを備える。
す図１を参照すると、この図に示す本実施例の半導体装
置の評価装置は、ウェハ９にレーザビームＢを照射する
Ｈｅ−Ｎｅレーザなどのレーザ光源１と、レーザ光源１
と一体化して配置されウェハ９からの反射光Ｒを受光す
る２次元ＣＣＤセンサ２と、レーザビームＢを入射方向
に対し垂直の方向に移動（走査）可能なレーザ走査部３
と、ＣＣＤセンサ２の出力信号Ｃを処理し反射光データ
Ｄを出力する信号処理部４と、反射光データＤを記憶す
る記憶部５と、記憶部５の読出データＥを画像に形成し
てディスプレイに表示する画像出力部６とを備える。
【００１１】次に、図１を参照して本実施例の動作につ
いて説明すると、まず、レーザ光源１は、ビーム径０．
１μｍ程度のビームＢをウェハ９の表面側斜め上方から
照射する。ウェハ９の細部とビームＢ，反射光Ｒとの関
係を示す図２（Ａ）を併せて参照すると、ウェハ９に入
射したビームＢは、半導体装置の素子１０の側面で反射
して反射光Ｒとなり、２次元ＣＣＤセンサ２に入射し、
対応の信号電荷を発生させる。一般的なこの種の２次元
ＣＣＤセンサの１つの光電素子すなわち１画素の寸法が
３μｍ角程度であるから、ビーム径０．１μｍの入射光
は１画素分の情報として認識される。ただし、反射光Ｒ
には、ウェハ表面で反射される一次反射光と半導体装置
表面下層部分における絶縁膜等の境界面などで反射され
るｎ次反射光（ｎは２，３，４…）が含まれる。一次反
射光とｎ次反射光とを区別する物理的特徴点はエネルギ
ーであり、一次反射光が最も大きい。したがって、２次
元ＣＣＤセンサ２へ入射する反射光Ｒの中で最もエネル
ギーの大きいもの、すなわち２次元ＣＣＤセンサ２の各
光電素子のうち最も信号電荷量の大きいものを一次反射
光Ｒの受光素子と見なすことができる。前述のように２
次元ＣＣＤセンサ２は、レーザ光源１と機械的に一体化
して配置されており、一次反射光Ｒが、どの光電素子
（以下画素）に戻ってくるかによって、ウェハ９の表面
の素子１０の断面形状を推定できる。すなわち図２
（Ａ），（Ｂ）に示すように、素子１０に入射したビー
ムＢは素子１０の断面形状によって反射角度が変わる。
例えば、（Ａ）に示すように素子１０の断面１１が正確
な矩形すなわちウェハ９の表面に対し垂直である場合は
入射ビームＢに対し角度（以下反射角度）０度で反射
し、（Ｂ）に示すように断面１１が台形である場合は入
射ビームＢに対し対応の角度θ度で反射する。２次元Ｃ
ＣＤセンサ２のこの反射光Ｒの入射画素位置からその反
射角度、つまり素子１０の断面形状を推定できるという
原理である。
いて説明すると、まず、レーザ光源１は、ビーム径０．
１μｍ程度のビームＢをウェハ９の表面側斜め上方から
照射する。ウェハ９の細部とビームＢ，反射光Ｒとの関
係を示す図２（Ａ）を併せて参照すると、ウェハ９に入
射したビームＢは、半導体装置の素子１０の側面で反射
して反射光Ｒとなり、２次元ＣＣＤセンサ２に入射し、
対応の信号電荷を発生させる。一般的なこの種の２次元
ＣＣＤセンサの１つの光電素子すなわち１画素の寸法が
３μｍ角程度であるから、ビーム径０．１μｍの入射光
は１画素分の情報として認識される。ただし、反射光Ｒ
には、ウェハ表面で反射される一次反射光と半導体装置
表面下層部分における絶縁膜等の境界面などで反射され
るｎ次反射光（ｎは２，３，４…）が含まれる。一次反
射光とｎ次反射光とを区別する物理的特徴点はエネルギ
ーであり、一次反射光が最も大きい。したがって、２次
元ＣＣＤセンサ２へ入射する反射光Ｒの中で最もエネル
ギーの大きいもの、すなわち２次元ＣＣＤセンサ２の各
光電素子のうち最も信号電荷量の大きいものを一次反射
光Ｒの受光素子と見なすことができる。前述のように２
次元ＣＣＤセンサ２は、レーザ光源１と機械的に一体化
して配置されており、一次反射光Ｒが、どの光電素子
（以下画素）に戻ってくるかによって、ウェハ９の表面
の素子１０の断面形状を推定できる。すなわち図２
（Ａ），（Ｂ）に示すように、素子１０に入射したビー
ムＢは素子１０の断面形状によって反射角度が変わる。
例えば、（Ａ）に示すように素子１０の断面１１が正確
な矩形すなわちウェハ９の表面に対し垂直である場合は
入射ビームＢに対し角度（以下反射角度）０度で反射
し、（Ｂ）に示すように断面１１が台形である場合は入
射ビームＢに対し対応の角度θ度で反射する。２次元Ｃ
ＣＤセンサ２のこの反射光Ｒの入射画素位置からその反
射角度、つまり素子１０の断面形状を推定できるという
原理である。
【００１２】レーザ光源１は、レーザ走査部３によりビ
ームＢに対し垂直方向に移動することにより走査可能な
構造である。評価時には、例えば、０．１μｍのピッチ
で移動しながら反射角度を測定し、その反射角度データ
を記憶装置５に記憶し、それらの記憶された反射角度デ
ータを１つの画像データとして合成することで素子１０
の立体的な構造が推定でき、画像出力部６により画像イ
メージとして表示することで、素子１０の形状を認識で
きる。
ームＢに対し垂直方向に移動することにより走査可能な
構造である。評価時には、例えば、０．１μｍのピッチ
で移動しながら反射角度を測定し、その反射角度データ
を記憶装置５に記憶し、それらの記憶された反射角度デ
ータを１つの画像データとして合成することで素子１０
の立体的な構造が推定でき、画像出力部６により画像イ
メージとして表示することで、素子１０の形状を認識で
きる。
【００１３】画像出力制御部６の具体的な出力画像の一
例を示す図２（Ｃ）を参照すると、図２（Ｂ）に示す評
価対象の素子１０の断面１１の区間Ｘの範囲がディスプ
レイ表示画面１３の画像１２のように表示される。これ
らの評価所要時間は約１０分で十分である。
例を示す図２（Ｃ）を参照すると、図２（Ｂ）に示す評
価対象の素子１０の断面１１の区間Ｘの範囲がディスプ
レイ表示画面１３の画像１２のように表示される。これ
らの評価所要時間は約１０分で十分である。
【００１４】このように、本実施例では、素子１０の片
側部分の形状のみを評価のため表示するが、一般に半導
体装置における種々の素子形状は左右対象であるので、
上述のように片側部分のみの表示で充分である。勿論、
素子の両側の形状を正確に表示評価することも可能であ
り、その場合、片側部分の表示の終了後にビームの入射
方向をもう片側の斜め上方に変更して再度実行すればよ
い。
側部分の形状のみを評価のため表示するが、一般に半導
体装置における種々の素子形状は左右対象であるので、
上述のように片側部分のみの表示で充分である。勿論、
素子の両側の形状を正確に表示評価することも可能であ
り、その場合、片側部分の表示の終了後にビームの入射
方向をもう片側の斜め上方に変更して再度実行すればよ
い。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の評価装置は、ウェハ表面に対し予め定めた角度でレ
ーザビームを照射するレーザ光源と、上記表面からの反
射光を受光する２次元光センサと、レーザ走査手段と、
画素信号を抽出する信号処理手段と、この画素信号を記
憶する記憶回路と、この記憶回路から読出した上記画素
信号と走査情報とからこの画素信号を画像に変換する画
像出力手段とを備え、ウェハに形成した半導体装置の素
子の断面形状を極めて簡単に評価できるため、従来約３
時間の時間と手間を要していたものが約１０分と大幅に
短縮できるという効果がある。
置の評価装置は、ウェハ表面に対し予め定めた角度でレ
ーザビームを照射するレーザ光源と、上記表面からの反
射光を受光する２次元光センサと、レーザ走査手段と、
画素信号を抽出する信号処理手段と、この画素信号を記
憶する記憶回路と、この記憶回路から読出した上記画素
信号と走査情報とからこの画素信号を画像に変換する画
像出力手段とを備え、ウェハに形成した半導体装置の素
子の断面形状を極めて簡単に評価できるため、従来約３
時間の時間と手間を要していたものが約１０分と大幅に
短縮できるという効果がある。
【００１６】しかも、半導体装置そのものの評価は非破
壊で可能であるので、歩留低下要因が除去できるという
効果がある。
壊で可能であるので、歩留低下要因が除去できるという
効果がある。
【図１】本発明の半導体装置の評価装置の一実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】本実施例の半導体装置の評価装置における評価
対象のウェハの細部とレーザビームおよび反射光との関
係および表示画像の一例をそれぞれ示す説明図である。
対象のウェハの細部とレーザビームおよび反射光との関
係および表示画像の一例をそれぞれ示す説明図である。
【図３】従来の半導体装置の評価装置の評価方法の工程
の一例を示す工程図である。
の一例を示す工程図である。
１ レーザ光源 ２ ２次元ＣＣＤセンサ ３ レーザ走査部 ４ 信号処理部 ５ 記憶部 ６ 画像出力部 ９ ウェハ １０ 素子 １１ 断面 １２ 画像 １３ 表示画面
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置を形成した半導体基板の一主
面に対し予め定めた角度でレーザビームを照射するレー
ザ光源と、 ２次元に配列した光電変換素子から成り前記レーザ光源
と予め定めた位置関係で固定され前記一主面からの反射
光を受光する２次元光センサと、 前記レーザビームを照射方向に対し予め定めた走査方向
に走査するレーザ走査手段と、 前記２次元光センサに入射した前記反射光のうちの最大
の信号レベル対応の一次反射光を受光した前記光電変換
素子の電荷量対応の画素信号を抽出する信号処理手段
と、 前記画素信号を記憶する記憶回路と、 前記記憶回路から読出した前記画素信号と前記レーザビ
ームの走査情報とからこの画素信号を画像に変換する画
像出力手段とを備えることを特徴とする半導体装置の評
価装置。 - 【請求項２】 前記２次元光センサが２次元ＣＣＤセン
サであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
評価装置。 - 【請求項３】 前記２次元光センサが前記レーザ光源に
機械的に固定されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の評価装置。 - 【請求項４】 前記走査方向が前記照射方向に対し垂直
方向であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032230A JP2859155B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置の評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032230A JP2859155B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置の評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227922A true JPH08227922A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2859155B2 JP2859155B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=12353177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032230A Expired - Fee Related JP2859155B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置の評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859155B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244610A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 形鋼の横断面寸法の測定方法 |
| JPH0212002A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Fujitsu Ltd | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
| JPH04268404A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Tokai Rika Co Ltd | 変位測定装置及び形状測定装置 |
| JPH05187841A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | I N R Kenkyusho:Kk | ２次元又は３次元形状測定方法 |
| JPH05187831A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | Fuji Electric Co Ltd | 外観検査装置 |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7032230A patent/JP2859155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244610A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 形鋼の横断面寸法の測定方法 |
| JPH0212002A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Fujitsu Ltd | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
| JPH04268404A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Tokai Rika Co Ltd | 変位測定装置及び形状測定装置 |
| JPH05187831A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | Fuji Electric Co Ltd | 外観検査装置 |
| JPH05187841A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | I N R Kenkyusho:Kk | ２次元又は３次元形状測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2859155B2 (ja) | 1999-02-17 |
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