JPH0822790A - Scanning electron microscope - Google Patents
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- JPH0822790A JPH0822790A JP15566094A JP15566094A JPH0822790A JP H0822790 A JPH0822790 A JP H0822790A JP 15566094 A JP15566094 A JP 15566094A JP 15566094 A JP15566094 A JP 15566094A JP H0822790 A JPH0822790 A JP H0822790A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体用走査電子顕微鏡
における、試料交換室真空排気制御に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to vacuum evacuation control of a sample exchange chamber in a scanning electron microscope for semiconductors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から知られている半導体用走査電子
顕微鏡の試料交換室は、特公昭63−39102 号公報に代表
されるように、ウェーハの連続処理を必要とする処理装
置に於いて、真空室内へのウェーハ搬送時に生ずる塵埃
や処理待ち時間の増大に伴うスループットの低下という
問題に対して、ハードウェア的に対策を施したものが主
流であった。2. Description of the Related Art The conventional sample exchange chamber of a scanning electron microscope for semiconductors, as represented by JP-B-63-39102, is used in a processing apparatus that requires continuous wafer processing. The mainstream method is to take measures against the problem of dust that is generated when a wafer is transferred into the vacuum chamber and the decrease in throughput due to an increase in processing waiting time.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、試料
交換室の真空排気，大気パージ作業、およびそれに伴う
試料室の搬入口の開閉は、すべてユーザが入力する命
令、もしくは命令群によってのみ動作するものであり、
そのため試料交換室の真空状況を、処理状況や装置自体
の状態によって、特に作業開始前，作業終了後に於い
て、最適にしておくことは、ユーザの知識，経験に依存
する場合が多かった。今日のように、他機種の真空装置
と比べて、極めて高い真空性を維持しなければならない
半導体用走査電子顕微鏡の高性能化，高スループット化
が要求される中で、操作手違いによって試料交換室内を
長く大気状態とすることによる塵埃付着や、真空容器へ
のガス分子の付着，吸収による真空排気時間の増大、ま
た、試料交換室の不要な真空排気，大気パージの繰り返
しによる処理待ち時間の増大は、半導体用走査電子顕微
鏡の性能を著しく低下させる原因の一つといえる。In the prior art described above, the vacuum evacuation of the sample exchange chamber, the atmosphere purging work, and the opening / closing of the carry-in port of the sample chamber associated therewith are all operated only by an instruction or a group of instructions input by the user. Is what
Therefore, it is often dependent on the knowledge and experience of the user to optimize the vacuum state of the sample exchange chamber depending on the processing state and the state of the apparatus itself, especially before and after the start of work. Compared with other types of vacuum equipment like today, it is necessary to maintain a very high vacuum in semiconductor scanning electron microscopes with high performance and high throughput. Of dust due to long-time atmospheric conditions, adhesion of gas molecules to the vacuum container, increase of vacuum evacuation time due to absorption, and unnecessary evacuation of the sample exchange chamber, increase of processing wait time due to repeated atmospheric purging Can be said to be one of the factors that significantly deteriorate the performance of the scanning electron microscope for semiconductors.
【０００４】本発明の目的は、試料交換室の真空状況を
処理状況，状態によって、常に最適の状態に保持する機
構を提供するものである。An object of the present invention is to provide a mechanism for always keeping the vacuum condition of the sample exchange chamber in an optimum condition depending on the processing condition and condition.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ウェー
ハカセットが載置台に存在するか否かを判定するセンサ
を定期的に監視する機構と、ウェーハカセットの処理が
すべて終了したかをモニタする機構をコンピュータ内に
持ち、これら及びユーザが入力した命令あるいはタイマ
ーにリンクして、試料交換室内を常に最適な状態に維持
する機構を備えたことにある。The features of the present invention include a mechanism for periodically monitoring a sensor for determining whether or not a wafer cassette is present on a mounting table, and a monitor for checking whether or not all wafer cassette processing has been completed. This is to have a mechanism for operating in a computer and linking these with a command or a timer input by a user to provide a mechanism for always maintaining an optimum state in the sample exchange chamber.
【０００６】[0006]
【作用】この機構を導入することにより、ユーザは試料
交換室の状態を把握しておく必要がなくなり、ユーザの
処理内容にしたがって半導体用走査電子顕微鏡が自動的
に試料交換室を管理する機能を実現することができる。
このことによって、ユーザの負担が軽減され、真空排気
系操作ミスを減少させることができる。それに伴って塵
埃による障害を回避することができ、また、吸着ガスに
よる真空排気時間の増大を防ぐ効果も持ち、半導体用走
査電子顕微鏡の性能劣化を押えることが可能となる。ま
た、ウェーハ処理開始時に於いて、不要な真空排気，リ
ーク作業の繰り返しがなくなり高スループット化に貢献
することができる。By introducing this mechanism, the user does not need to know the state of the sample exchange chamber, and the semiconductor scanning electron microscope automatically manages the sample exchange chamber according to the processing contents of the user. Can be realized.
As a result, the burden on the user is reduced, and the mistakes in operating the vacuum exhaust system can be reduced. Along with this, it is possible to avoid the obstacle due to dust, and also to have an effect of preventing the vacuum exhaust time from increasing due to the adsorption gas, and it is possible to suppress the performance deterioration of the scanning electron microscope for semiconductors. Further, at the start of wafer processing, unnecessary evacuation and leak operations are not repeated, which can contribute to higher throughput.
【０００７】[0007]
【実施例】以下に実施例により、本発明を具体的に説明
する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples.
【０００８】図１は半導体用走査電子顕微鏡のシステム
構成の概略図である。半導体用走査電子顕微鏡では、試
料交換室３というごく小さな領域を試料室１とは別に設
けることによって、試料室１全体の真空排気，大気パー
ジを行う必要の無い構造となっている。カセット載置台
１１に載置されたカセット１２より、ウェーハ搬送機１
０によって取り出されたウェーハは、オリフラ検出器１
５へ搬送されオリフラ位置合わせを行う。その後に、コ
ンピュータ１３は、真空排気制御系５を操作することに
より、バルブ６を閉じ、リークバルブ８を開放すること
によって、試料交換室３の大気パージを行う。試料交換
室３の内部が大気圧になった後にバルブ７を開放し、ウ
ェーハ搬送器１０はオリフラ検出器１５よりウェーハを
取り出し試料交換室３へ搬送する。ウェーハの試料交換
室３への搬送が終了すれば、真空排気制御系５は、バル
ブ７とリークバルブ８を閉じ、バルブ９を開放し真空ポ
ンプ４によって試料交換室３の真空排気を行う。試料交
換室３内部の真空度がある一定値に達したときに、バル
ブ６を開放しウェーハは試料室１へ搬送され試料ステー
ジ２上へ置かれ観察，測定される。観察，測定が終了す
ると、ウェーハは試料室１から試料交換室３へ搬送さ
れ、真空排気制御系はバルブ６を閉じ、リークバルブ８
を開放して試料交換室３を大気パージする。試料交換室
３内部が大気圧になれば、バルブ７を開放し、ウェーハ
搬送機１０によって取り出され、カセット１２へ収納さ
れる。FIG. 1 is a schematic diagram of a system configuration of a scanning electron microscope for semiconductors. In the scanning electron microscope for semiconductors, a very small area called the sample exchange chamber 3 is provided separately from the sample chamber 1, so that the entire sample chamber 1 does not need to be evacuated or purged to the atmosphere. From the cassette 12 mounted on the cassette mounting table 11, the wafer carrier 1
The wafer picked up by 0 is the orientation flat detector 1
It is transported to 5 and the orientation flat position is adjusted. Then, the computer 13 operates the vacuum exhaust control system 5 to close the valve 6 and open the leak valve 8 to purge the sample exchange chamber 3 to the atmosphere. After the inside of the sample exchange chamber 3 becomes atmospheric pressure, the valve 7 is opened, and the wafer transfer device 10 takes out the wafer from the orientation flat detector 15 and transfers it to the sample exchange chamber 3. When the transfer of the wafer to the sample exchange chamber 3 is completed, the vacuum evacuation control system 5 closes the valve 7 and the leak valve 8 and opens the valve 9 to evacuate the sample exchange chamber 3 by the vacuum pump 4. When the degree of vacuum inside the sample exchange chamber 3 reaches a certain value, the valve 6 is opened and the wafer is transferred to the sample chamber 1 and placed on the sample stage 2 for observation and measurement. When the observation and measurement are completed, the wafer is transferred from the sample chamber 1 to the sample exchange chamber 3, and the vacuum exhaust control system closes the valve 6 and the leak valve 8
And the sample exchange chamber 3 is purged to the atmosphere. When the inside of the sample exchange chamber 3 becomes atmospheric pressure, the valve 7 is opened, and the wafer is taken out by the wafer carrier 10 and stored in the cassette 12.
【０００９】カセット載置台１１の上部には、カセット
が載置されているかどうかを検出するセンサーが取り付
けられており、その状態をコンピュータ１３によって読
むことができる構成となっている。コンピュータ１３は
これを一定時間間隔で確認しカセットの存在情報を得る
機構を有する。また、コンピュータ１３は入力機構１４
を持ち、ここからユーザは予め処理すべきウェーハの登
録を行う。さらに、タイマー機能によって試料交換室真
空制御処理の実行タイミングを任意に設定できる機能を
有する。A sensor for detecting whether or not a cassette is placed is attached to the upper portion of the cassette placing table 11, and the state can be read by the computer 13. The computer 13 has a mechanism for confirming this at regular time intervals and obtaining cassette presence information. Further, the computer 13 has an input mechanism 14
From here, the user registers the wafer to be processed in advance. Further, it has a function of arbitrarily setting the execution timing of the vacuum control process of the sample exchange chamber by the timer function.
【００１０】ウェーハの連続処理において、試料交換室
３から搬出されたウェーハが最終のウェーハである場
合、真空性の劣化を防止するために試料交換室３は直ち
に真空排気された状態とならなければならない。搬出さ
れたウェーハが最終のウェーハであるとコンピュータ１
３が判断した場合には、コンピュータ１３は真空排気制
御系５を操作することによってバルブ７，リークバルブ
８を閉じ、バルブ９を開放し真空ポンプによって試料交
換室３の真空排気を行う。In the continuous processing of wafers, when the wafer carried out from the sample exchange chamber 3 is the final wafer, the sample exchange chamber 3 must be immediately evacuated in order to prevent deterioration of the vacuum property. I won't. The computer 1 determines that the unloaded wafer is the final wafer.
If the determination is 3, the computer 13 operates the vacuum exhaust control system 5 to close the valve 7 and the leak valve 8 and open the valve 9 to evacuate the sample exchange chamber 3 by the vacuum pump.
【００１１】以上のような構成において一実施例として
図２に示すようにコンピュータ１３は試料交換室３から
排出されたウェーハと予め入力機構１４によって指定さ
れていた処理すべきウェーハとを比較し、それが最終ウ
ェーハであると判断された場合には真空排気制御系５に
対して試料交換室３の真空排気を開始するよう起動をか
ける。このような制御を行うことによって、ユーザは如
何なる操作を行うことなしに、全ての処理が終了したと
きに半導体用走査電子顕微鏡が自動的に試料交換室３を
真空排気状態としておくので、ユーザに依存する操作が
簡略され、なおかつ塵埃付着や真空容器へのガス分子の
吸着を防ぎ、半導体用走査電子顕微鏡の真空性の劣化を
防止することができる。As shown in FIG. 2 as an example of the above-mentioned configuration, the computer 13 compares the wafer discharged from the sample exchange chamber 3 with the wafer to be processed which has been designated by the input mechanism 14 in advance, When it is determined that it is the final wafer, the vacuum exhaust control system 5 is activated to start the vacuum exhaust of the sample exchange chamber 3. By performing such control, the user does not perform any operation and the scanning electron microscope for semiconductors automatically puts the sample exchange chamber 3 into the vacuum exhaust state when all the processing is completed. It is possible to simplify the dependent operation, prevent dust adhesion and adsorption of gas molecules in the vacuum container, and prevent deterioration of the vacuum property of the scanning electron microscope for semiconductors.
【００１２】また、予め入力機構１４によって処理すべ
きウェーハが複数カセットに渡って指定されており、１
カセット終了時にカセット交換を行って処理を続行する
場合がある。このような場合入力機構１４によって指定
された処理すべきウェーハから最終ウェーハを判定する
だけでは不十分な場合がある。例えば、なされるべきカ
セットの交換がいつまでもなされなかった場合には、試
料交換室３はいつまでも真空排気されない状態となりう
る。このような状況に対処するためにコンピュータ１３
は時間を計測する機構を持ち、これをユーザが任意に設
定することによって、あるカセットにおける最後のウェ
ーハを搬出してから試料交換室３の真空排気を開始する
までの時間を決めることができる。カセット１２を交換
してから連続して処理を続行する場合、図３のような処
理によって交換に要する時間中は試料交換室３の真空排
気を待機させることができる。コンピュータ１３がその
待機時間中に、次の処理要求を入力機構１４より受けな
かった場合もしくは、カセットセンサーの監視によって
カセット載置台に新しいウェーハカセットが載置された
という情報を得ることができなかった場合には、先に搬
出したウェーハが最終ウェーハであったと判断して設定
された時間後に真空排気制御系５に対して試料交換室３
の真空排気を開始するよう起動をかける。これは、処理
開始前における不要な真空排気，待機パージの繰り返し
によるスループット低下の防止を図る機能をも備えたも
のである。Further, the wafers to be processed by the input mechanism 14 are designated in advance in a plurality of cassettes.
The cassette may be replaced at the end of the cassette to continue the processing. In such a case, it may not be sufficient to determine the final wafer from the wafers to be processed specified by the input mechanism 14. For example, if the cassette to be replaced has not been replaced indefinitely, the sample exchange chamber 3 can be in a state of not being evacuated. In order to deal with such a situation, the computer 13
Has a mechanism for measuring time, and the user can arbitrarily set this to determine the time from when the last wafer in a certain cassette is unloaded until the evacuation of the sample exchange chamber 3 is started. When the cassette 12 is exchanged and the process is continued, the evacuation of the sample exchange chamber 3 can be waited during the time required for the exchange by the process shown in FIG. When the computer 13 does not receive the next processing request from the input mechanism 14 during the waiting time, or it is not possible to obtain the information that a new wafer cassette is mounted on the cassette mounting table by monitoring the cassette sensor. In this case, it is judged that the wafer previously carried out was the final wafer, and after the set time, the sample exchange chamber 3 is moved to the vacuum exhaust control system 5.
Start to start evacuation of. This is also provided with a function of preventing a decrease in throughput due to repeated unnecessary vacuum evacuation and standby purge before the start of processing.
【００１３】一方、あるカセットの処理を開始しようと
する場合に、図５の１からも明らかなようにスループッ
ト向上のためには、試料交換室３を大気パージしてお
き、バルブ７を開放してウェーハを即、試料交換室３へ
搬送する必要がある。そのため、コンピュータ１３は、
図４のようにカセット載置台１１に取り付けられたセン
サーを監視することによって、新しいウェーハカセット
が載置されたのを確認した時は、直ちに真空排気制御系
５に対して起動をかけ、真空排気制御系５はバルブ６を
閉じ、リークバルブ８を開放して試料交換室３の大気パ
ージを開始する。この制御を有することによって、カセ
ット１２からウェーハ搬送機１０によって取り出された
ウェーハは、図５の２に示されるようにオリフラ検出
後、試料交換室３が大気パージされるのを待機すること
なしに、速やかに搬送することができる。On the other hand, when the processing of a certain cassette is to be started, as apparent from 1 in FIG. 5, in order to improve the throughput, the sample exchange chamber 3 is purged to the atmosphere and the valve 7 is opened. It is necessary to immediately transfer the wafer to the sample exchange chamber 3. Therefore, the computer 13
When it is confirmed that a new wafer cassette is mounted by monitoring the sensor mounted on the cassette mounting table 11 as shown in FIG. 4, the vacuum exhaust control system 5 is immediately activated to perform vacuum exhaust. The control system 5 closes the valve 6 and opens the leak valve 8 to start atmospheric purging of the sample exchange chamber 3. By having this control, the wafer taken out from the cassette 12 by the wafer carrier 10 does not have to wait for the sample exchange chamber 3 to be purged to the atmosphere after the orientation flat detection as shown by 2 in FIG. It can be transported quickly.
【００１４】図１ではカセットが１つしか示されていな
いが、複数カセットの場合にも同様の効果を得ることが
できる。Although only one cassette is shown in FIG. 1, the same effect can be obtained in the case of a plurality of cassettes.
【００１５】また、試料交換室３の大気パージが比較的
高速で行える場合、試料交換室３へウェーハを搬送する
時点においても、真空性劣化対策としてできるだけ大気
パージされている状態を短くする必要が生じる。このよ
うな場合、図５の３の様にユーザが入力機構１４から入
力した、ウェーハの処理要求に同期して、上記の試料交
換室３の大気パージ処理を行う機構を持つことにより、
処理を開始したウェーハが試料交換室３に搬送される直
前までに、上記の大気パージ処理を完了する機構を持つ
ことができる。更には、図５の４の様にタイマー機構に
よる試料交換室３の大気パージタイミングの管理を行う
ことによって、さらに試料交換室３が大気パージ状態で
ある時間を短縮することができる。ユーザが予め任意に
それらを選択し、設定しておけば、その後は、半導体用
走査電子顕微鏡が自動的に試料交換室３の真空状況を大
気パージとしておく時間を必要最小限とすることがで
き、真空容器への塵埃の付着，ガス分子の吸収を最小限
に抑え、機能劣化を防止する。In addition, when the atmosphere in the sample exchange chamber 3 can be purged at a relatively high speed, it is necessary to shorten the state in which the atmosphere is purged as much as possible even when the wafer is transferred to the sample exchange chamber 3 as a measure against vacuum deterioration. Occurs. In such a case, as shown by 3 in FIG. 5, by having a mechanism for performing the atmospheric purging process of the sample exchange chamber 3 in synchronization with the wafer processing request input by the user from the input mechanism 14,
It is possible to have a mechanism that completes the above-mentioned atmospheric purging process by the time immediately before the wafer that has started the process is transferred to the sample exchange chamber 3. Further, by controlling the atmospheric purge timing of the sample exchange chamber 3 by the timer mechanism as shown by 4 in FIG. 5, the time during which the sample exchange chamber 3 is in the atmospheric purge state can be further shortened. If the user arbitrarily selects and sets them in advance, then the scanning electron microscope for semiconductors can automatically minimize the time for which the vacuum state of the sample exchange chamber 3 is set to atmospheric purge. , Minimize dust adhesion to the vacuum container and absorption of gas molecules to prevent functional deterioration.
【００１６】本実施例では大気パージをするように構成
したが、真空排気を容易にするためドライ窒素によるパ
ージを行った場合でも同等の効果が得られる。In this embodiment, the atmosphere is purged, but the same effect can be obtained even if the purge is performed by dry nitrogen in order to facilitate vacuum evacuation.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ユーザが
逐次関与すること無しに自動的に、試料交換室の真空状
況を、装置状態，処理状況に応じて常に最適化され、塵
埃の付着，真空容器のガス分子の吸収を最小限に留め、
半導体用走査電子顕微鏡の性能劣化を防ぎ、合わせてス
ループットの向上に貢献することができる。As described above, according to the present invention, the vacuum state of the sample exchange chamber is automatically optimized according to the apparatus state and the processing state automatically without the user's successive involvement, and the dust state Minimize adhesion and absorption of gas molecules in the vacuum container,
It is possible to prevent performance deterioration of the scanning electron microscope for semiconductors and also contribute to improvement of throughput.
【図１】半導体用走査電子顕微鏡におけるウェーハ搬送
システム構成の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer transfer system configuration in a scanning electron microscope for semiconductors.
【図２】最終ウェーハを試料交換室より取り出した場合
の処理フロー図である。FIG. 2 is a process flow diagram when a final wafer is taken out from a sample exchange chamber.
【図３】最終ウェーハを試料交換室より取り出した場合
の設定時間待ち処理を含む処理フロー図である。FIG. 3 is a process flow diagram including a set time waiting process when the final wafer is taken out from the sample exchange chamber.
【図４】カセットが載置されたときの処理フロー図。FIG. 4 is a process flow diagram when a cassette is placed.
【図５】作業開始時における試料交換室の大気パージタ
イミングチャートである。FIG. 5 is an atmospheric purge timing chart of the sample exchange chamber at the start of work.
１…試料室、２…試料ステージ、３…試料交換室、４…
真空ポンプ、５…真空排気制御系、６，７，９…バル
ブ、８…リークバルブ、１０…ウェーハ搬送機、１１…
カセット載置台、１２…カセット、１３…コンピュー
タ、１４…入力機構、１５…オリフラ検出器、１６…Ｃ
ＲＴ。1 ... Sample chamber, 2 ... Sample stage, 3 ... Sample exchange chamber, 4 ...
Vacuum pump, 5 ... Vacuum exhaust control system, 6, 7, 9 ... Valve, 8 ... Leak valve, 10 ... Wafer transfer machine, 11 ...
Cassette mounting table, 12 ... Cassette, 13 ... Computer, 14 ... Input mechanism, 15 ... Orientation flat detector, 16 ... C
RT.
Claims (5)
る真空制御系と，ウェーハカセットが載置台に置かれて
いるかどうかを検出するセンサと，ウェーハカセットか
ら該試料交換室にウェーハを移すウェーハ搬送機と，処
理すべきウェーハを予め指定する手段及び、処理開始命
令を入力する入力手段とを有する半導体用走査電子顕微
鏡において、載置台に置かれた１個あるいは複数のウェ
ーハカセット内の処理すべきウェーハの最終ウェーハを
試料交換室より取り出した後、自動的に試料交換室の真
空排気を開始するようにしたことを特徴とした走査電子
顕微鏡。1. A sample exchange chamber, a vacuum control system for evacuating the sample exchange chamber, a sensor for detecting whether or not a wafer cassette is placed on a mounting table, and a wafer from the wafer cassette to the sample exchange chamber. In a scanning electron microscope for a semiconductor having a wafer carrier for transferring, a means for designating a wafer to be processed in advance, and an input means for inputting a processing start command, in one or a plurality of wafer cassettes placed on a mounting table. A scanning electron microscope characterized in that the vacuum evacuation of the sample exchange chamber is automatically started after the final wafer of the wafers to be processed is taken out from the sample exchange chamber.
あるいは複数のウェーハカセット内の処理すべきウェー
ハの最終ウェーハを決定する手段として、予め指定した
処理すべきウェーハから判定する機構を用いることを特
徴とした走査電子顕微鏡。2. A mechanism for determining a wafer to be processed specified in advance as means for determining a final wafer of wafers to be processed in one or a plurality of wafer cassettes placed on a mounting table. A scanning electron microscope characterized by being used.
あるいは複数のウェーハカセット内の処理すべきウェー
ハの最終ウェーハを決定する手段として、あるウェーハ
を試料交換室より取り出した後、一定時間経過すること
を条件として判定する機構を用いることを特徴とした走
査電子顕微鏡。3. The method according to claim 1, wherein as a means for determining the final wafer of the wafers to be processed in one or a plurality of wafer cassettes placed on the mounting table, a certain wafer is taken out from the sample exchange chamber and then fixed. A scanning electron microscope, which is characterized by using a mechanism that determines on the condition that time has elapsed.
ェーハカセットが置かれたとき、直ちに試料交換室を大
気あるいは窒素パージするようにしたことを特徴とした
走査電子顕微鏡。4. A scanning electron microscope according to claim 1, wherein the sample exchange chamber is immediately purged with air or nitrogen when a new wafer cassette is placed.
ェーハカセットが置かれ、処理開始してからウェーハ搬
送機が試料交換室にウェーハを搬入する瞬間に試料交換
室を大気あるいは窒素パージ終了するように、試料交換
室の大気あるいは窒素パージを開始するタイミングの管
理を行う機構を用いることを特徴とした走査電子顕微
鏡。5. The sample exchange chamber according to claim 1 or 2, wherein a new wafer cassette is placed, and at the moment the wafer transfer machine carries the wafer into the sample exchange chamber after the processing is started, the sample exchange chamber is purged with air or nitrogen. As described above, the scanning electron microscope is characterized by using a mechanism for controlling the timing of starting the atmosphere or nitrogen purging in the sample exchange chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15566094A JPH0822790A (en) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15566094A JPH0822790A (en) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Scanning electron microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822790A true JPH0822790A (en) | 1996-01-23 |
Family
ID=15610817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15566094A Pending JPH0822790A (en) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Scanning electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822790A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040980A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Ebara Corporation | Wafer inspecting method, wafer inspecting instrument, and electron beam apparatus |
| JP2014026839A (en) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam device |
-
1994
- 1994-07-07 JP JP15566094A patent/JPH0822790A/en active Pending
Cited By (3)
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| WO2002040980A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Ebara Corporation | Wafer inspecting method, wafer inspecting instrument, and electron beam apparatus |
| US7109483B2 (en) | 2000-11-17 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspecting system and electron beam apparatus |
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