JPH08226899A - 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 - Google Patents
半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置Info
- Publication number
- JPH08226899A JPH08226899A JP3383095A JP3383095A JPH08226899A JP H08226899 A JPH08226899 A JP H08226899A JP 3383095 A JP3383095 A JP 3383095A JP 3383095 A JP3383095 A JP 3383095A JP H08226899 A JPH08226899 A JP H08226899A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser light
- wafer
- reflected
- main surface
- bare wafer
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体シリコンベアウエハの製造過程におい
て、その表面に形成される互いに曲率半径がほぼ等しい
多数の凹所を、他の傷や異物等と識別し簡単且つ機械的
に検査する表面検査方法の確立、及びその表面検査装置
を提供する。 【構成】 半導体シリコンベアウエハを準備する工程
と、この半導体シリコンベアウエハの主面にレーザ光を
照射する工程と、前記主面から反射する反射レーザ光を
レーザ光検出器で検出する工程と、このレーザ光検出器
で検出された前記反射レーザ光のうち収束レーザ光を識
別する工程とからなる半導体シリコンベアウエハの表面
検査方法。 【効果】 シリコンベアウエハの主面に形成された凹所
からの反射レーザ光が収束するので、前記主面の傷、異
物等から乱反射する反射レーザ光と明確に識別され、従
来困難であった前記凹所を的確に検出することが出来
る。
て、その表面に形成される互いに曲率半径がほぼ等しい
多数の凹所を、他の傷や異物等と識別し簡単且つ機械的
に検査する表面検査方法の確立、及びその表面検査装置
を提供する。 【構成】 半導体シリコンベアウエハを準備する工程
と、この半導体シリコンベアウエハの主面にレーザ光を
照射する工程と、前記主面から反射する反射レーザ光を
レーザ光検出器で検出する工程と、このレーザ光検出器
で検出された前記反射レーザ光のうち収束レーザ光を識
別する工程とからなる半導体シリコンベアウエハの表面
検査方法。 【効果】 シリコンベアウエハの主面に形成された凹所
からの反射レーザ光が収束するので、前記主面の傷、異
物等から乱反射する反射レーザ光と明確に識別され、従
来困難であった前記凹所を的確に検出することが出来
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体シリコンベア
ウエハの表面検査方法とその表面検査装置に関するもの
で、特にベアウエハの主面の曲率半径がほぼ一定の凹所
の識別検出に関するものである。
ウエハの表面検査方法とその表面検査装置に関するもの
で、特にベアウエハの主面の曲率半径がほぼ一定の凹所
の識別検出に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコンベアウエハの主面には、
その製造過程において互いに曲率半径がほぼ等しい凹所
が存在することが顕微鏡観察により知られているが、こ
れを他の異物や傷等と識別し簡単且つ機械的に検出する
適当な検査方法が従来は無かった。
その製造過程において互いに曲率半径がほぼ等しい凹所
が存在することが顕微鏡観察により知られているが、こ
れを他の異物や傷等と識別し簡単且つ機械的に検出する
適当な検査方法が従来は無かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、半導体シ
リコンベアウエハの製造過程において、その主面に形成
される互いに曲率半径がほぼ等しい凹所を他の異物や傷
等と識別し検出する表面検査方法を確立すること、及び
その表面検査装置を提供することを目的とするものであ
る。
リコンベアウエハの製造過程において、その主面に形成
される互いに曲率半径がほぼ等しい凹所を他の異物や傷
等と識別し検出する表面検査方法を確立すること、及び
その表面検査装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
シリコンベアウエハの表面検査方法、及びその表面検査
装置は、レーザ光照射手段により前記ベアウエハの主面
内に順次位置を変え照射されたレーザ光の反射レーザ光
を検出するレーザ光検出器の出力と反射レーザ光カテゴ
リー設定器（反射元の前記凹所、傷、サイズ別異物等の
カテゴリーと、それに対応した光強度との関係を設定す
るもの）の設定値とを比較する比較器の出力に基づく反
射レーザ光カテゴリー別カウンタで前記カテゴリー別の
反射レーザ光数をカウントし表示器で表示するようにし
たものである。
シリコンベアウエハの表面検査方法、及びその表面検査
装置は、レーザ光照射手段により前記ベアウエハの主面
内に順次位置を変え照射されたレーザ光の反射レーザ光
を検出するレーザ光検出器の出力と反射レーザ光カテゴ
リー設定器（反射元の前記凹所、傷、サイズ別異物等の
カテゴリーと、それに対応した光強度との関係を設定す
るもの）の設定値とを比較する比較器の出力に基づく反
射レーザ光カテゴリー別カウンタで前記カテゴリー別の
反射レーザ光数をカウントし表示器で表示するようにし
たものである。
【０００５】
【作用】このように構成された半導体シリコンベアウエ
ハの表面検査方法、及びその表面検査装置によると、前
記凹所の反射レーザ光は収束するため、前記ベアウエハ
の表面に付着した異物や傷による散乱光に比し光強度が
強く、前記凹所を識別検出することができ、また前記レ
ーザ光を前記ベアウエハの主面内に順次位置を変え照射
することで、前記ベアウエハ主面内の前記凹所数を簡単
且つ機械的にカウント表示することができる。また、反
射レーザ光カテゴリーを前記凹所の他に、前記ベアウエ
ハ主面内の傷、サイズ別異物等を設定することで、前記
傷、サイズ別異物等の数も簡単且つ機械的にカウント表
示することができる。
ハの表面検査方法、及びその表面検査装置によると、前
記凹所の反射レーザ光は収束するため、前記ベアウエハ
の表面に付着した異物や傷による散乱光に比し光強度が
強く、前記凹所を識別検出することができ、また前記レ
ーザ光を前記ベアウエハの主面内に順次位置を変え照射
することで、前記ベアウエハ主面内の前記凹所数を簡単
且つ機械的にカウント表示することができる。また、反
射レーザ光カテゴリーを前記凹所の他に、前記ベアウエ
ハ主面内の傷、サイズ別異物等を設定することで、前記
傷、サイズ別異物等の数も簡単且つ機械的にカウント表
示することができる。
【０００６】
実施例１．図１はこの発明の一実施例の基本構成を示す
もので、１は駆動装置（図示せず）によりＸ方向及びＹ
方向に水平移動するＸＹテーブル（以下単にテーブルと
言う）、２はテーブル１上に載置され、真空吸着装置
（図示せず）によりテーブル１上に真空吸着されたベア
ウエハ、３はベアウエハ２の主面にレーザ光Ｐｉを照射
するレーザ光照射器で、テーブル１が移動することで、
ベアウエハ２の主面内の異なる位置に順次レーザ光Ｐｉ
を照射するものである。４はベアウエハ２の主面の反射
レーザ光Ｐｏを検出するレーザ光検出器、５は前記反射
レーザ光を識別するためにレーザ光検出器４の出力信号
Ｐｘを処理する信号処理器で、図２に示すように前記凹
所、ベアウエハ２の主面の傷、サイズ別異物等のカテゴ
リーと、それに対応した光強度との関係を設定する反射
レーザ光カテゴリー設定器５ａと、該反射レーザ光カテ
ゴリー設定器５ａの設定値とレーザ光検出器４の出力信
号Ｐｘとを電圧値として比較し反射レーザ光Ｐｏのカテ
ゴリーを電圧値として出力する比較器５ｂと、該比較器
５ｂの出力を反射レーザ光Ｐｏのカテゴリー別にカウン
トする反射レーザ光カテゴリー別カウンタ５ｃと、該カ
ウンタ５ｃのカウント結果を表示する表示器５ｄとで構
成されてなるものである。６はレーザ光検出器４の高さ
と傾き角度とを調整し得るようにしたレーザ光検出器取
付具である。
もので、１は駆動装置（図示せず）によりＸ方向及びＹ
方向に水平移動するＸＹテーブル（以下単にテーブルと
言う）、２はテーブル１上に載置され、真空吸着装置
（図示せず）によりテーブル１上に真空吸着されたベア
ウエハ、３はベアウエハ２の主面にレーザ光Ｐｉを照射
するレーザ光照射器で、テーブル１が移動することで、
ベアウエハ２の主面内の異なる位置に順次レーザ光Ｐｉ
を照射するものである。４はベアウエハ２の主面の反射
レーザ光Ｐｏを検出するレーザ光検出器、５は前記反射
レーザ光を識別するためにレーザ光検出器４の出力信号
Ｐｘを処理する信号処理器で、図２に示すように前記凹
所、ベアウエハ２の主面の傷、サイズ別異物等のカテゴ
リーと、それに対応した光強度との関係を設定する反射
レーザ光カテゴリー設定器５ａと、該反射レーザ光カテ
ゴリー設定器５ａの設定値とレーザ光検出器４の出力信
号Ｐｘとを電圧値として比較し反射レーザ光Ｐｏのカテ
ゴリーを電圧値として出力する比較器５ｂと、該比較器
５ｂの出力を反射レーザ光Ｐｏのカテゴリー別にカウン
トする反射レーザ光カテゴリー別カウンタ５ｃと、該カ
ウンタ５ｃのカウント結果を表示する表示器５ｄとで構
成されてなるものである。６はレーザ光検出器４の高さ
と傾き角度とを調整し得るようにしたレーザ光検出器取
付具である。
【０００７】このように構成されたものにおいては、先
ず、テーブル１上にベアウエハ２を載置し前記真空吸着
装置によりテーブル１上に ベアウエハ２を真空吸着す
る。その結果、前記駆動装置によりテーブル１をＸＹ方
向に移動してもテーブル１上にベアウエハ２の安定した
載置状態を得ることが出来る。次に、レーザ光照射器３
からベアウエハ２の主面上にレーザ光Ｐｉを照射する
と、その反射レーザ光Ｐｏがレーザ光検出器４に検出さ
れ、該検出に対応した出力信号Ｐｘを発する。なお、反
射レーザ光Ｐｏのうち前記凹所からのものは収束するた
め、他の傷、異物からの反射散乱光より光強度が強く明
確に識別され、また、前記傷、異物からの反射散乱光は
そのサイズの大小に対応したレーザ光Ｐｉ照射時間の関
係上総体的な光強度が強弱検出され識別される。そし
て、出力信号Ｐｘは比較器５ｂに入力され、反射レーザ
光カテゴリー設定器５ａの設定値と電圧値として比較さ
れ、反射レーザ光カテゴリーに対応した出力信号を電圧
値として識別出力する。そしてこの比較器５ｂの前記識
別出力を反射レーザ光カテゴリー別カウンタ５ｃでカウ
ントし、それを表示器５ｄで表示することで、前記凹所
のみならず前記傷、サイズ別異物等の数もそのカテゴリ
ー別に簡単且つ機械的に識別カウントし表示することが
できる。なお、テーブル１をＸＹ方向に移動すること
で、前記ベアウエハ主面内の所望の領域を検査すること
ができる。また、レーザ光検出器取付具６によりレーザ
光検出器４の取り付け高さを調整することで、ベアウエ
ハ２の厚みが変っても、ベアウエハ２主面からの反射レ
ーザ光Ｐｏを最適位置で検出できるので精度良い検出が
できる。
ず、テーブル１上にベアウエハ２を載置し前記真空吸着
装置によりテーブル１上に ベアウエハ２を真空吸着す
る。その結果、前記駆動装置によりテーブル１をＸＹ方
向に移動してもテーブル１上にベアウエハ２の安定した
載置状態を得ることが出来る。次に、レーザ光照射器３
からベアウエハ２の主面上にレーザ光Ｐｉを照射する
と、その反射レーザ光Ｐｏがレーザ光検出器４に検出さ
れ、該検出に対応した出力信号Ｐｘを発する。なお、反
射レーザ光Ｐｏのうち前記凹所からのものは収束するた
め、他の傷、異物からの反射散乱光より光強度が強く明
確に識別され、また、前記傷、異物からの反射散乱光は
そのサイズの大小に対応したレーザ光Ｐｉ照射時間の関
係上総体的な光強度が強弱検出され識別される。そし
て、出力信号Ｐｘは比較器５ｂに入力され、反射レーザ
光カテゴリー設定器５ａの設定値と電圧値として比較さ
れ、反射レーザ光カテゴリーに対応した出力信号を電圧
値として識別出力する。そしてこの比較器５ｂの前記識
別出力を反射レーザ光カテゴリー別カウンタ５ｃでカウ
ントし、それを表示器５ｄで表示することで、前記凹所
のみならず前記傷、サイズ別異物等の数もそのカテゴリ
ー別に簡単且つ機械的に識別カウントし表示することが
できる。なお、テーブル１をＸＹ方向に移動すること
で、前記ベアウエハ主面内の所望の領域を検査すること
ができる。また、レーザ光検出器取付具６によりレーザ
光検出器４の取り付け高さを調整することで、ベアウエ
ハ２の厚みが変っても、ベアウエハ２主面からの反射レ
ーザ光Ｐｏを最適位置で検出できるので精度良い検出が
できる。
【０００８】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、以下に記載した効果を奏する。請求項１の発明に
おいては、シリコンベアウエハの主面に照射されたレー
ザ光が前記ベアウエハの主面に所定の曲率半径を有し形
成された凹所で反射すると、その反射レーザ光が収束
し、前記主面の傷、異物等から乱反射する反射レーザ光
より光強度がはるかに強いため、前記凹所で反射した反
射レーザ光は、それ以外のものと明確に識別され、従来
困難であった前記凹所を的確に検出することができる。
ので、以下に記載した効果を奏する。請求項１の発明に
おいては、シリコンベアウエハの主面に照射されたレー
ザ光が前記ベアウエハの主面に所定の曲率半径を有し形
成された凹所で反射すると、その反射レーザ光が収束
し、前記主面の傷、異物等から乱反射する反射レーザ光
より光強度がはるかに強いため、前記凹所で反射した反
射レーザ光は、それ以外のものと明確に識別され、従来
困難であった前記凹所を的確に検出することができる。
【０００９】また、請求項２の発明においては、半導体
シリコンベアウエハを保持するウエハ保持手段、このウ
エハ保持手段に保持された前記ウエハの主面にレーザ光
を照射するレーザ光照射手段、このレーザ光照射手段か
ら照射され前記ウエハの主面から反射する反射レーザ光
を検出するレーザ光検出器、及びこのレーザ光検出器で
検出された前記反射レーザ光のうち収束レーザ光を識別
する手段を備えた装置として構成したので、前記ベアウ
エハの主面に所定の曲率半径を有し形成された凹所を的
確に、しかも簡単且つ機械的に検出する半導体シリコン
ベアウエハ検査装置を提供できる効果がある。
シリコンベアウエハを保持するウエハ保持手段、このウ
エハ保持手段に保持された前記ウエハの主面にレーザ光
を照射するレーザ光照射手段、このレーザ光照射手段か
ら照射され前記ウエハの主面から反射する反射レーザ光
を検出するレーザ光検出器、及びこのレーザ光検出器で
検出された前記反射レーザ光のうち収束レーザ光を識別
する手段を備えた装置として構成したので、前記ベアウ
エハの主面に所定の曲率半径を有し形成された凹所を的
確に、しかも簡単且つ機械的に検出する半導体シリコン
ベアウエハ検査装置を提供できる効果がある。
【００１０】また、請求項３の発明においては、前記ベ
アウエハの主面に対するレーザ光検出器の対向距離を調
整可としたので、前記ベアウエハの厚みが変っても精度
良い検出ができる。
アウエハの主面に対するレーザ光検出器の対向距離を調
整可としたので、前記ベアウエハの厚みが変っても精度
良い検出ができる。
【図１】 この発明の実施例１の基本構成図である。
【図２】 この発明の実施例１の信号処理器の構成図で
ある。
ある。
１ テーブル ２ ベアウエハ ３ レーザ光照射器 ４ レーザ光検出器 ５ 信号処理器 ５ａ 反射レーザ光カテゴリー設定器 ５ｂ 比較器 ５ｃ 反射レーザ光カテゴリー別カウンタ ５ｄ 表示器 Ｐｉ レーザ光 Ｐｏ 反射レーザ光 Ｐｘ 光検出器の出力信号
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体シリコンベアウエハを準備する工
程と、この半導体シリコンベアウエハの主面にレーザ光
を照射する工程と、前記主面から反射する反射レーザ光
をレーザ光検出器で検出する工程と、このレーザ光検出
器で検出された前記反射レーザ光のうち収束レーザ光を
識別する工程とからなる半導体シリコンベアウエハの表
面検査方法。 - 【請求項２】 半導体シリコンベアウエハを保持するウ
エハ保持手段、このウエハ保持手段に保持された前記ウ
エハの主面にレーザ光を照射するレーザ光照射手段、こ
のレーザ光照射手段から照射され前記ウエハの主面から
反射する反射レーザ光を検出するレーザ光検出器、及び
このレーザ光検出器で検出された前記反射レーザ光のう
ち収束レーザ光を識別する手段を備えた半導体シリコン
ベアウエハの表面検査装置。 - 【請求項３】 ウエハの主面に対するレーザ光検出器の
対向距離を調整可としたことを特徴とする請求項第２項
記載の半導体シリコンベアウエハの表面検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3383095A JPH08226899A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3383095A JPH08226899A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08226899A true JPH08226899A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12397413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3383095A Pending JPH08226899A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08226899A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038603A (zh) * | 2010-07-30 | 2013-04-10 | 克拉-坦科股份有限公司 | 用于晶片锯痕的三维检查的装置和方法 |
| CN106842654A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-06-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种基板上附着异物的检查及去除装置及其方法 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP3383095A patent/JPH08226899A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038603A (zh) * | 2010-07-30 | 2013-04-10 | 克拉-坦科股份有限公司 | 用于晶片锯痕的三维检查的装置和方法 |
| US9140546B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks |
| CN106842654A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-06-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种基板上附着异物的检查及去除装置及其方法 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
| CN115808428B (zh) * | 2022-11-16 | 2024-04-30 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
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