JPH08222857A - 銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板 - Google Patents

銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板

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JPH08222857A
JPH08222857A JP7050368A JP5036895A JPH08222857A JP H08222857 A JPH08222857 A JP H08222857A JP 7050368 A JP7050368 A JP 7050368A JP 5036895 A JP5036895 A JP 5036895A JP H08222857 A JPH08222857 A JP H08222857A
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Muneharu Ohara
宗治 大原
Masakazu Mihashi
正和 三橋
Muneo Saida
宗男 斎田
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Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 微細高密度な内層用回路のエッチングを可能
とすると共に、多層プリント回路基板製造工程で発生す
る内層用銅箔のレジスト面側の電着突起物の折れや剥離
が発生しない高密度多層プリント回路内層用銅箔および
該銅箔を用いた高密度多層プリント回路板を提供する。 【構成】 電解銅箔の光沢面側にコブ付け処理がなさ
れ、粗面側は針状またはコブ状の微小電着突起物を形成
して微細で均一なコブ付け処理がなされたことを特徴と
する高密度多層プリント回路内層用銅箔。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高密度多層プリント回路
内層用に使用される銅箔および該銅箔を内層回路用に用
いた高密度多層プリント回路基板に関し、特に光沢面側
を内層用基材との接着面として用いることにより、高い
エッチングファクターを確保し、非常に高密度の回路が
エッチング可能となり、またレジスト面として銅箔の粗
面側に微細で均一なコブ付けをすることにより、取り扱
い時における電着突起物の折れや剥離が少なく、かつ外
層用基材との密着力が高く、エッチングレジスト露光時
の寸法精度の良好な高密度多層プリント回路内層用銅箔
および該銅箔を用いた高密度多層プリント回路基板に関
するものである。なお、本明細書では内層回路が2面、
外層回路が2面を有する高密度多層プリント回路基板に
ついて説明する。
【0002】
【従来の技術】従来の多層板の作製方法は、内層用銅箔
の粗面にコブ付け処理した通常の銅箔(粗面粗さRz=
7.0μm、光沢面粗さRz=0.7μm程度)を、銅
箔の粗面側で内層用基材と張り合わせた後に、回路をエ
ッチングにより作成し、さらに回路(光沢)面に黒化処
理を施した後に、再度外層が張り合わされていた。
【0003】しかし、この黒化処理においては、液管理
が煩雑であるのみならず、得られる酸化銅の皮膜がスル
ーホール作成工程の無電解銅メッキ前処理工程で塩酸溶
液に溶解し、ハロ−イング現象が起き易く、絶縁特性や
層間接続信頼性を低下させやすい。これを改善するため
に、最近ではわざわざ黒化処理後に化学還元工程を設け
ている。しかるに、黒化処理は高濃度のアルカリ性溶液
で処理するために、その後に洗浄工程を必要とし、さら
に還元処理を行なうことによりコストがよりかさんでい
る。
【0004】また、従来から両面処理銅箔(ダブルトリ
ート箔)がこれらの課題を解決するために提案されてい
る(特開平4−284690号公報、IPC−TP−5
01Bucciらの論文参照)。しかし、これらの両面
処理銅箔はいずれも粗面側を内層用基材との接着面とし
て用いている。特開平6−270331号公報に記載さ
れているように、この状態ではエッチング開始面が光沢
面であり、エッチングファクターは大きくならないた
め、微細高密度回路への対応は困難である。
【0005】また、内層用基材と銅箔とのプレス時やエ
ッチング等の取り扱い時に、銅箔のレジスト面側に設け
られた電着突起物の折れや剥離は大きな問題であり、特
開平4−369240号公報では保護フィルムを用いて
対処している。
【0006】さらに、上記のように銅箔の光沢面にコブ
付け処理をして外層用基材との密着性を確保するが、そ
のために電着突起物を大きくして対処しており、工程途
中でのレジスト面側の電着突起物折れ等の問題がより一
層生じている。また、現行の両面処理銅箔の大きな課題
は光沢面側への大きな電着突起物に起因するレジストの
露光不均一による微細回路形成性の不足である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これら従来
技術の課題を解決し、微細高密度な内層用回路のエッチ
ングを可能とすると共に、多層プリント回路基板製造工
程で発生する内層用銅箔のレジスト面側の電着突起物の
折れや剥離が発生しない高密度多層プリント回路内層用
銅箔および該銅箔を用いた高密度多層プリント回路板を
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次に
示す銅箔によって達成される。
【0009】すなわち、本発明は、電解銅箔の光沢面側
にコブ付け処理がなされ、粗面側は針状またはコブ状の
微小電着突起物を形成して微細で均一なコブ付け処理が
なされたことを特徴とする高密度多層プリント回路内層
用銅箔にある。
【0010】本発明についてさらに説明すると、銅箔の
光沢面に特開平6−270331号公報に記載に準じて
コブ付け処理を行ない、銅箔の粗面側に微細で均一な電
着突起物を特公昭56−41196号公報に記載の方法
に準じて全面に均一に付着させたことを特徴とする高密
度多層プリント回路内層用銅箔にある。なお、ここでい
うコブ付けとは銅箔の光沢面または粗面に電着突起物を
形成することをいう。
【0011】以下、本発明の内容を詳細に説明する。本
発明に用いる銅箔としては、通常の電解銅箔、あるいは
熱間伸びの大きな銅箔、粗面側の粗度の小さい銅箔等の
いずれも使用可能である。
【0012】以下、熱間伸びの大きな電解銅箔について
説明する。本発明において最大の特徴である内層回路作
成時に内層用基材と接着する面となる銅箔の光沢面の処
理について説明する。
【0013】電解銅箔の光沢面(銅箔製造時の銅析出開
始面)の粗度はRz値(JIS B0601)値で0.
5〜1.3μmであり、単位面積当たりの突起数が粗面
に比較して非常に少ないため、粗面側へのコブ付け電解
に比して大電流を流さないと電着突起物が生成しない。
この電着突起物は高さ0.2〜2μmであることが望ま
しく、樹枝状、コブ状の電解物が例示される。このよう
な光沢面側に電着突起物を得るためのメッキ浴として
は、例えば銅濃度12g/L、硫酸100g/Lの硫酸
銅浴で、液温度は常温、電流密度30A/dm2、10
秒間電解され、さらにその上に銅濃度60g/L、硫酸
100g/Lの硫酸銅浴で液温度40℃、電流密度30
A/dm2、10秒間電解することが特開平6−270
331号公報に例示されている。この条件下で粗度がR
z値で1.2μmの光沢面がRz値で2.7μmとなっ
ている。
【0014】本発明においては、これらの光沢面に設け
られた電着突起物層の上に、さらに針状またはコブ状の
微小電着突起物を形成してもよい。この処理により、耐
薬品性、内層用基材とのピール強度が著しく向上する。
この処理条件は、従来はヒ素を添加して、要求を満足す
る微細で均一な電着突起物を得ていたが、公害問題や作
業者の健康上の問題で使用できなくなってきている。そ
のため本発明者等は特公昭56−41196号公報に示
されるベンゾキノリン系の有機添加剤を使用して下記の
ような条件で電解することにより、ヒ素添加電解以上に
微細で均一な電着突起物の形成が可能なことを見い出し
ている。 銅濃度 6〜12g/L 硫酸 15〜45g/L 添加剤 10〜200mg/L 温度 常温 電流密度 2〜15A/dm2
【0015】続いて、本発明において内層回路作成時に
レジスト接着面となる銅箔の粗面側の処理について以下
に説明する。
【0016】熱間伸びの大きな銅箔の粗面側の粗度は銅
箔の厚さにより異なるが、厚さ18μmでは粗面側の粗
度はRz値で5〜6μmであり、この状態でコブ付け処
理を通常通りに行なうと、銅箔の凹凸の山の先端部分に
電流が集中するため、大きな電着突起物が先端に集まっ
て粗度はRz値で7〜8μmの状態となる。この状態で
は光沢面を内層用基材と接着する際のプレス作業やエッ
チング等の工程を通ると、先端部の電着突起物が外部か
らの力により容易に脱落したり折れたりする。このよう
な状態では外層用基材との接着力の低下が起きたり、粉
落ちした電着突起物が回路間ショートの原因となったり
する。
【0017】また、粗面側の粗度がRz値で7μmを超
えることとなり、現在進んでいる多層板の層間絶縁層厚
さの低減に際し、層間絶縁性の低下、マイグレーション
発生の原因となり種々の問題を発生させる。
【0018】そこで、本発明では粗面側に針状またはコ
ブ状の微小電着突起物を形成して、微細で均一なコブ付
け処理を行なうことにより、銅箔の凹凸の山の全面に均
一で微細な電着突起物を析出させることが可能となっ
た。この電着突起物の高さは0.05〜0.3μmであ
ることが望ましい。
【0019】この状態であればプレス等の取り扱い時に
おいても、析出した電着突起物が物理的に折れたり脱落
する割合は小さく、もし落ちたとしてもその粒子径は非
常に小さくほとんど問題は発生しない。また電着突起物
の落ちる部分は粗面側の山の先端のごく一部分のみであ
り、山の下部の部分にはまだ多量の電着突起物が残存し
ているため外層用基材との接着強度は十分に維持でき
る。
【0020】以上のようにして、コブ付け処理された銅
箔の光沢面側を内層用基材の一次積層面としてプレス成
形して内層用銅張積層板を作成し、回路をエッチング成
形すると、特開平6−270331号公報にて開示され
ているように、エッチング開始面は銅箔の粗面側となる
ため、最初は結晶は粗であり、エッチング速度は遅く、
内部にエッチングが進行するに伴って、光沢面側の微細
な結晶と多数の結晶粒界の存在でエッチング速度は速く
なる。そのため、所定の回路幅を得るための時間は短く
なり、サイドエッチングが少なく、エッチングファクタ
ーの大きな回路を作成することが可能となる。
【0021】また、レジストを乗せた場合も従来のよう
に大きな電着突起物の場合には、レジスト剥離時の電着
突起物の脱落や逆にレジストの残存等の各種の問題が起
きていた。
【0022】本発明のように微細で均一な粒子状コブ付
け処理であれば、黒化処理と同様に全面で均一にレジス
トを保持することが可能なため上記のような問題の発生
はほとんど無くなる。
【0023】また、この電着突起物は金属銅よりなって
いるため、穴あけ、スルーホールめっき工程における酸
化銅の皮膜に起因するハローイング現象を全く発生させ
ない。さらに、外層基材と接着した銅箔回路面の耐薬品
性も粗面側に微細な電着突起物が高密度で存在するため
抵抗力が大きい。
【0024】この電解析出によりコブ付け処理された銅
箔は、続いて防錆処理される。銅箔に使用される防錆
は、一般に用いられている方法が使用可能である。亜
鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッケル合金による防錆は、
回路用銅箔として使用される場合に基材とのプレス接
着、回路エッチング、めっき等の工程を経る際の加熱酸
化防止、基材との密着性向上、銅箔へのサイドからのア
ンダーエッチングの防止に対して非常に有効であること
が知られており、特公昭58−56758号公報、特公
平4−47038号公報等に記載されている。
【0025】さらに、上記のようにして得られた防錆層
を加熱することにより亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッ
ケル合金を拡散させて2元あるいは3元合金にすること
で、上記の効果をさらに高められることについても特公
昭58−53079号公報等に記載されている。
【0026】また、上記防錆処理の後、加熱拡散処理前
にクロメート処理やシランカップリング剤処理を施すこ
とができる。クロメート処理液としては酸性溶液、アル
カリ性溶液のいずれも可能であり、その処理方法は浸漬
法、電解法いずれでもよい。シランカップリング剤とし
てはγ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラ
ン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン、N−β−(アミノメチル)γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)γ−
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等があり、代表的な処理条件
は以下に示す通りである。 カップリング剤濃度:1〜10g/L、 pH:カップリング剤pHに依存、 温度:室温、処理時間:5〜10秒。 また通常はカップリング剤処理された後は水洗処理を行
わない。
【0027】
【実施例】以下、実施例等に基づき本発明を具体的に説
明する。
【0028】実施例1 厚さ18μmの電解銅箔(粗面粗さRz=5.5μm、
光沢面粗さRz=0.6μm)を用い、まずその光沢面
に、コブ付け処理として銅濃度12g/L、硫酸濃度1
00g/Lの硫酸銅浴を用い、常温で電流密度30A/
dm2で10秒間電解し、その後、銅濃度60g/L、
硫酸濃度100g/Lの溶液を用い、液温度40℃、電
流密度30A/dm2でかぶせめっきを行なった。
【0029】続いて、粗面側に、微細で均一なコブ付け
処理として銅濃度12g/L、硫酸濃度45g/L、添
加剤としてα−ナフトキノリンを50mg/Lを添加し
た電解液を用い、10A/dm2の電流密度で10秒間
電解を行なった。この状態で生成した粗面側の微細で均
一な電着突起物の状態を図1に、光沢面側の電着突起物
の状態を図2にそれぞれ示す。
【0030】続けて、亜鉛−錫合金防錆処理を硫酸亜鉛
10g/L、硫酸錫2.5g/L、ピロ燐酸カリ50g
/Lの電解液を用い、pH=10、室温で10秒間にわ
たって銅箔の光沢面、粗面に対していずれも2.5A/
dm2で電解したところ、光沢面、粗面いずれも亜鉛が
16mg/m2、錫が6mg/m2付着していた。
【0031】防錆処理を行った銅箔を、続いて200℃
のオープン中で10秒間加熱し、表面に付着した水分を
蒸発させると共に、防錆層を拡散させることにより、高
密度多層プリント回路内層用銅箔を作成した。得られた
銅箔を用いて、次に示す方法で多層プリント回路基板を
作成した。その際に下記の評価試験を行なった。
【0032】すなわち、0.18mmのガラスエポキシ
プリプレグ3枚を芯材(内層用基材)とし、その両面に
上記銅箔の光沢面を内層用基材と接合して加熱プレスし
て内層積層板を作成した。塩化第2鉄−塩酸溶液を用い
て線幅80μm、線間80μmの回路をエッチングによ
り作成した後、得られた各回路の表面に0.18mmの
ガラスエポキシプリプレグを重ね、最外層に通常の18
μmの電解銅箔を重ねて再度加熱プレスした。次いで外
層積層板の両面(銅箔)の銅箔の所定部分にマスキング
を施し、通常の方法で外層回路を形成し、4層からなる
多層プリント回路基板を作成した。
【0033】この評価試験の結果を表1に示す。評価試
験における評価方法は、下記に示す通りである。 :内層銅箔引き剥がし試験 JIS C 6486に準拠
【0034】:耐塩酸性試験 銅箔の粗面、光沢面それぞれで通常の片面張り基板を別
途作成し、0.2mm幅に回路をエッチングした後、
1:1塩酸水溶液中に30分間浸漬し、その前後でJI
S C 6481に準拠した引き剥がし試験を行って劣
化率を測定した。
【0035】:プレス時つぶれ評価 上記の方法で内層積層板を作成した後、プレス時にプレ
スの鏡板と接触するレジスト面側の状態を走査電子顕微
鏡(SEM)を用いて観察した。
【0036】:内層回路エッチングファクター測定 上記の方法で内層回路形成後、SEM写真から回路の上
端の幅(A)と下端の幅(B)のを測定し、樹脂に埋め
込んで銅箔の厚さ(H)を測定して、エッチングファク
ターを次式に沿って計算した。 エッチングファクター=H×2/(B−A) エッチングファクターを同一回路部分で20カ所測定
し、そのばらつきを検討することで、コブの粒子に起因
するレジストでの光の散乱等による微細回路への影響に
ついて評価した。
【0037】実施例2 実施例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、粗面側は
実施例1と同様の条件で微細で均一なコブ付け処理を行
ない、光沢面は実施例1と同様なコブ付け処理を行なっ
た後に、粗面側の微細で均一なコブ付け処理と同一電解
液でコブ付け処理を行なった。その時の電流密度は15
A/dm2で電解時間10秒間であった。この銅箔の光
沢面側の電着突起物の状態を図3に示す。続けて実施例
1と同一条件で防錆処理、加熱処理を行なった。
【0038】得られた銅箔の光沢面側を内層用基材と接
合し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成
し、また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を
表1に示す。
【0039】実施例3 実施例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、実施例1
と同様に粗面側に微細で均一なコブ付け処理、光沢面側
にコブ付け処理を行ない、防錆処理を行なった後、無水
クロム酸2g/L、pH=4、30℃の溶液中で、銅箔
を陰極とし、ステンレス板を陽極として1A/dm2
5秒間電解を行なった(クロメート処理)。水洗の後、
実施例1と同様に加熱処理を行なった。
【0040】得られた銅箔の光沢面側を内層用基材と接
合し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成
し、また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を
表1に示す。
【0041】実施例4 実施例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、実施例3
と同様にコブ付け処理、防錆処理、クロメート処理を行
なった後、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン5g/Lの水溶液をシャワーした槽を5秒間通過させ
た後(シランカップリング剤処理)、ゴムロールにより
余剰の水を除去し、実施例1と同様に加熱処理を行なっ
た。
【0042】得られた銅箔の光沢面側を内層用基材と接
合し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成
し、また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を
表1に示す。
【0043】実施例5 実施例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、粗面側は
実施例1と同様の条件で微細で均一なコブ付け処理を行
ない、光沢面は実施例1と同様なコブ付け処理を行なっ
た後に、粗面側の微細で均一なコブ付け処理と同一電解
液でコブ付け処理を行なった。次に、防錆処理、クロメ
ート処理、シランカップリング剤処理、加熱処理を実施
例4と同様に行なった。
【0044】得られた銅箔の光沢面側を内層用基材と接
合し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成
し、また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を
表1に示す。
【0045】実施例6 実施例5で用いた電解銅箔に代えて粗面粗さの低い電解
銅箔(粗面粗さRz=3.0μm、光沢面粗さRz=
0.6μm)を用いた以外は実施例5と全く同様の処理
を行なった。
【0046】得られた銅箔の光沢面側を内層用基材と接
合し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成
し、また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を
表1に示す。
【0047】比較例1 厚さ18μmの電解銅箔(粗面粗さRz=5.5μm、
光沢面粗さRz=0.6μm)を用い、まず粗面側に、
銅濃度12g/L、硫酸濃度100g/Lの硫酸銅浴で
常温で電流密度20A/dm2で10秒間電解を行な
い、その後、銅濃度60g/L、硫酸濃度100g/L
の溶液を用い、液温度40℃、電流密度30A/dm2
でかぶせめっきを行なった。続いて実施例3と同様に防
錆処理、クロメート処理、加熱処理を行なった。
【0048】得られた銅箔は実施例1と全く逆に粗面側
を内層用基材との接合する以外は、実施例1と同様に内
層板を作成した。光沢面にレジストを形成し、回路をエ
ッチング形成の後、市販の黒化処理液を使用して回路部
分の黒化処理を行なった。その後は実施例1と同様に多
層プリント回路基板を作成し、また実施例1と同様に評
価試験を行なった。結果を表1に示す。
【0049】比較例2 比較例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、粗面側は
比較例1と同様の条件でコブ付け処理を行ない、この粗
面側のコブ付け処理と同時に同一浴組成において、光沢
面側もコブ付け処理を電流密度30A/dm2で10秒
間電解し、続いてかぶせめっきも粗面側と同様に行なっ
た。防錆処理、クロメート処理、加熱処理も比較例1と
同様に行なった。
【0050】得られた銅箔の粗面側を内層用基材と接合
し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成し、
また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を表1
に示す。
【0051】比較例3 比較例1で用いたのと同様の電解銅箔を用い、比較例2
と同一条件でコブ付け処理、防錆処理、クロメート処
理、加熱処理を行なった。
【0052】得られた銅箔の光沢面を内層用基材と接合
し、実施例1と同様に多層プリント回路基板を作成し、
また実施例1と同様に評価試験を行なった。結果を表1
に示す。
【0053】
【表1】
【0054】
【発明の効果】本発明の高密度多層プリント回路内層用
銅箔においては、光沢面にコブ付け処理を行なって内層
用基材との一次積層面として用いることにより、高いエ
ッチングファクターが得られる。また同時に粗面側に微
細で均一な電着突起物を設けることにより、プレス等の
取り扱い時の電着突起物の折れや剥離が少なく、かつ外
層用基材との密着強度も高く、さらにエッチングレジス
ト露光時の精度がよくなる。
【0055】さらに、銅箔の粗面側の粗度がコブ付け処
理により大きくならないため多層板として成形された時
点で層間絶縁性の低下が少ない。また、銅箔を内層用基
材と接合した後の耐薬品性や密着強度はクロメート処理
あるいはシランカップリング剤処理をそれぞれ単独また
は組み合わせて行うことにより、より効果が大きくな
る。
【0056】しかも、銅箔に電解で形成された電着突起
物は金属銅であるため、黒化処理により得られる酸化銅
に比較して、著しく良好な耐ハローイング性も期待でき
る。そのため、今後プリント回路基板として主流となる
高密度、多層板の製造に当たって黒化処理の省略による
工程の簡略化と、基板の品質向上が同時に達成可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得られた銅箔の粗面側の微細で均
一な電着突起物の結晶構造を示す顕微鏡写真(×5,0
00)
【図2】 実施例1で得られた銅箔の光沢面側の電着突
起物の結晶構造を示す顕微鏡写真(×5,000)
【図3】 実施例1で得られた銅箔の光沢面側の電着突
起物の結晶構造を示す顕微鏡写真(×5,000)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電解銅箔の光沢面側にコブ付け処理がな
    され、粗面側は針状またはコブ状の微小電着突起物を形
    成して微細で均一なコブ付け処理がなされたことを特徴
    とする高密度多層プリント回路内層用銅箔。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の銅箔の光沢面側で内層
    用基材と接合され、内層回路が形成されていることを特
    徴とする高密度多層プリント回路基板。
JP7050368A 1995-02-16 1995-02-16 銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板 Pending JPH08222857A (ja)

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