JPH08220556A - Optical sensor. information recording device and information recording method - Google Patents

Optical sensor. information recording device and information recording method

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Publication number
JPH08220556A
JPH08220556A JP2309395A JP2309395A JPH08220556A JP H08220556 A JPH08220556 A JP H08220556A JP 2309395 A JP2309395 A JP 2309395A JP 2309395 A JP2309395 A JP 2309395A JP H08220556 A JPH08220556 A JP H08220556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information recording
information
layer
optical sensor
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP2309395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Shimizu
治 清水
Daigo Aoki
大吾 青木
Minoru Uchiumi
実 内海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2309395A priority Critical patent/JPH08220556A/en
Publication of JPH08220556A publication Critical patent/JPH08220556A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide the optical sensor which is free of irregularity in sensitivity and noise, and provide an information recording system. CONSTITUTION: This invention is concerned with an optical sensor which can record information onto an information medium with an intensity amplified by current greater than that caused by information exposure, can keep conductivity if voltage is applied continuously even after information exposure has been over, and thereby continuously keeps recording information onto the information medium, an optical induction current amplifying layer 16 is provided between an electrode 13 and an optical conductive layer 14, wherein the aforesaid amplifying layer exhibits a action to let current flow, which is caused by electric charge 17 injected in addition to optical current through a tunnel effect while energy barriers over the electrode interface become thin as they become steep by carrier charge which is generated by letting optical carriers be trapped.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体へ光情報
を可視情報または静電情報の形で記録することができる
光センサーに関し、とくに、光誘起電流増幅層を電極と
光導電層の間に設けた光センサーに関する。また、該光
センサーと情報記録媒体とからなる情報記録装置、情報
記録再生方法に関し、特に情報記録媒体への情報記録性
能が著しく増幅され、所定の画像濃度を得られるととも
に、更に画像むらや画像ノイズが無い光センサーからな
る情報記録装置、情報記録方法および情報記録再生方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical sensor capable of recording optical information on an information recording medium in the form of visible information or electrostatic information, and more particularly to a photo-induced current amplifying layer as an electrode and a photoconductive layer. It relates to an optical sensor provided between them. Further, the present invention relates to an information recording apparatus and an information recording / reproducing method comprising the optical sensor and an information recording medium, in particular, the information recording performance on the information recording medium is remarkably amplified to obtain a predetermined image density, and further image unevenness and image The present invention relates to an information recording device, an information recording method, and an information recording / reproducing method, each of which includes an optical sensor having no noise.

【０００２】[0002]

【従来の技術】前面に電極が設けられた光導電層からな
る光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極が
設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光軸上
に配置し、両電極層間に電圧を印加しつつ露光し、入射
光学像に応じて、電荷保持層に静電電荷を記録させ、そ
の静電電荷をトナー現象するかまたは電位読み取りによ
る再生方法は、例えば特開平１−２９０３６６号公報、
特開平１−２８９９７５号公報に記載されている。ま
た、前記方法における電荷保持層を熱可塑性樹脂表面に
フロスト像を形成することにより記録された静電電荷を
可視化する方法は、例えば特開平３−１９２２８８号公
報に記載されている。2. Description of the Related Art An optical sensor composed of a photoconductive layer having an electrode provided on the front surface and an information recording medium composed of a charge holding layer having an electrode provided on the rear surface are arranged on the optical axis, facing the optical sensor. Then, exposure is performed while applying a voltage between both electrode layers, electrostatic charge is recorded on the charge holding layer according to the incident optical image, and the electrostatic charge is subjected to a toner phenomenon or a reproducing method by potential reading is performed by, for example, JP-A-1-290366,
It is described in JP-A-1-289975. Further, a method of visualizing the electrostatic charge recorded by forming a frost image on the surface of the thermoplastic resin in the charge retention layer in the above method is described in, for example, JP-A-3-192288.

【０００３】さらに、本出願人等は、前記情報記録媒体
における情報記録層を、高分子分散型液晶層として、前
記同様に電圧印加時露光し、光センサーにより形成され
る電界により液晶層を配向させて情報記録を行い、情報
記録の再生にあたっては透過光あるいは反射光により可
視情報として再生する情報記録再生方法を、特願平４−
３３９４号、特願平４−２４７２２号、特願平６−６４
３７号として出願した。これらの情報記録再生方法は偏
光板を使用しなくとも記録された情報を可視化できる
が、こうした情報記録方法において、さらに高感度、高
解像度の情報記録方法が求められてた。Further, the applicant of the present invention uses the polymer-dispersed liquid crystal layer as the information recording layer in the information recording medium, exposes when a voltage is applied in the same manner as described above, and aligns the liquid crystal layer by an electric field formed by a photosensor. The information recording / reproducing method is described in Japanese Patent Application No.
3394, Japanese Patent Application No. 4-24722, Japanese Patent Application No. 6-64
Filed as No. 37. These information recording / reproducing methods can visualize recorded information without using a polarizing plate. However, in such an information recording method, an information recording method having higher sensitivity and higher resolution has been demanded.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、情報記録媒
体への情報形成に使用される光センサーであって、高解
像度と高感度である光センサーにおいて顕著な問題とな
る画像濃度変化や感度むらやノイズがなく高品質の画像
を得ることができ情報形成能に優れ、情報記録感度の向
上した光センサーおよび該光センサーからなる情報記録
装置、情報記録再生方法の提供を課題とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is an optical sensor used for forming information on an information recording medium, which is a significant problem in an optical sensor having high resolution and high sensitivity. It is an object of the present invention to provide an optical sensor that can obtain a high-quality image without unevenness and noise, is excellent in information forming ability, and has improved information recording sensitivity, an information recording device including the optical sensor, and an information recording / reproducing method.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、電極上に光導
電層を有し、半導電性であり、光センサーへ情報露光し
た状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状
態で情報露光すると、情報記録媒体に情報露光に起因す
る電流以上に増幅された強度で情報記録をすることがで
き、情報露光を終了した後も電圧を印加し続けると導電
性を持続し、引き続き情報記録媒体に情報記録を継続す
る作用を有する光センサーにおいて、電極と光導電層の
間には、光キャリアがトラップされて生じたキャリア電
荷により電極界面のエネルギー障壁が急峻になるととも
に薄くなる結果、光電流に加えてトンネル効果により注
入された電荷による電流を流す作用を有する光誘起電流
増幅層を有する光センサーである。The present invention has a photoconductive layer on an electrode, is semiconductive, and applies a voltage to a photosensor in a state where information is exposed, or a voltage is applied when a voltage is applied. When information is exposed, information can be recorded on the information recording medium with an intensity that is amplified more than the current caused by the information exposure, and if voltage is continuously applied even after the information exposure is completed, the conductivity is maintained and the information continues. In an optical sensor having a function of continuing to record information on a recording medium, a carrier charge generated by trapping photocarriers between an electrode and a photoconductive layer makes the energy barrier at the electrode interface steep and thin, resulting in It is an optical sensor having a photo-induced current amplification layer that has a function of causing a current to flow due to an electric charge injected by a tunnel effect in addition to a photocurrent.

【０００６】情報記録媒体への情報形成使用される光セ
ンサーであって、電極上に光導電層を有し、半導電性で
あり、光センサーの電極と情報記録媒体の電極間に情報
露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加
した状態で情報露光すると、情報記録媒体に情報露光に
起因する電流以上に増幅された強度で情報記録をするこ
とができ、情報露光を終了した後も電圧を印加し続ける
と導電性を持続し、引き続き情報記録媒体に情報記録を
継続する作用を有する光センサーにおいて、電極と光導
電層の間には、光キャリアがトラップされて生じたキャ
リア電荷により電極界面のエネルギー障壁が急峻になる
とともに薄くなる結果、光電流に加えてトンネル効果に
より注入された電荷による電流を流す作用を有する光誘
起電流増幅層を有する光センサーである。[0006] An optical sensor used for forming information on an information recording medium, which has a photoconductive layer on an electrode and is semiconductive. Information is exposed between the electrode of the optical sensor and the electrode of the information recording medium. When voltage is applied in the state or information exposure is performed in the state where voltage is applied, information recording can be performed on the information recording medium with an intensity amplified more than the current caused by the information exposure, and after the information exposure is completed. In the photosensor, which has the effect of continuing conductivity when voltage is continuously applied and continuing information recording on the information recording medium, carrier charges generated by trapping photocarriers between the electrode and the photoconductive layer. As a result, the energy barrier at the electrode interface becomes steep and thin, resulting in the presence of a photo-induced current amplification layer that has the function of causing a current to flow due to the charges injected by the tunnel effect in addition to the photocurrent. That is a light sensor.

【０００７】情報記録媒体への情報形成に使用される光
センサーであって、電極上に光導電層を有し、半導電性
であり、電極上に電界または電荷量により情報形成が可
能な情報記録層を積層した情報記録媒体と対向して配置
して使用され、光センサーの電極と情報記録媒体の電極
間に情報露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電
圧を印加した状態で情報露光すると、情報記録媒体に情
報露光に起因する電流以上に増幅された強度で情報記録
をすることができ、情報露光を終了した後も電圧を印加
し続けると導電性を持続し、引き続き情報記録媒体に情
報記録を継続する作用を有する光センサーにおいて、電
極と光導電層の間には、光キャリアがトラップされて生
じたキャリア電荷により電極界面のエネルギー障壁が急
峻になるとともに薄くなる結果、光電流に加えてトンネ
ル効果によりトンネル効果により注入された電荷による
電流を流す作用を有する光誘起電流増幅層を有する光セ
ンサーである。An optical sensor used for forming information on an information recording medium, having a photoconductive layer on an electrode, being semiconductive, and capable of forming information on the electrode by an electric field or an electric charge amount. It is used by arranging it so as to face the information recording medium in which recording layers are laminated, and voltage is applied between the electrodes of the optical sensor and the electrodes of the information recording medium in the state where information is exposed, or the information is exposed while voltage is applied. Then, information recording can be performed on the information recording medium with an intensity that is amplified more than the current caused by the information exposure, and the conductivity is maintained when the voltage is continuously applied even after the information exposure is completed, and the information recording medium continues. In an optical sensor that has the function of continuously recording information, the energy barrier at the electrode interface becomes steep between the electrode and the photoconductive layer due to the carrier charge generated by the trapping of photocarriers. Kunar result, an optical sensor having a light-induced current amplifying layer having a function in addition to the photocurrent passing a current due to the charge injected by the tunnel effect by the tunnel effect.

【０００８】電極の比抵抗が１０6 Ω・ｃｍ以下の導電
率を有する前記の光センサーである。 相対温度６０％
以下の暗所にてエージングを行って得られたものである
光センサーである。電圧印加時において、光センサーへ
１０5 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界強度の印加時に、未露光
部での通過電流密度が１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2 である
前記の光センサーである。電圧印加時露光により露光部
の導電性が未露光部の導電性よりも増加し、露光を終了
した後も電圧印加している間は露光部での導電性が未露
光部の導電性よりも高く保持され、電圧印加終了後に露
光部での導電性が速やかに低下して未露光部の導電性と
等しくなり、繰り返し速やかに再使用が可能な前記の光
センサーである。熱刺激電流測定により、４０〜１５０
℃の範囲に明瞭なピークが観測される前記の光センサー
である。The above-mentioned optical sensor has a specific resistance of the electrode of 10 6 Ω · cm or less. Relative temperature 60%
It is an optical sensor obtained by aging in the following dark place. In the above optical sensor, the passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 when an electric field strength of 10 5 to 10 6 V / cm is applied to the optical sensor when a voltage is applied. is there. When the voltage is applied, the conductivity of the exposed area increases more than the conductivity of the unexposed area, and the conductivity of the exposed area is higher than that of the unexposed area while the voltage is applied even after the exposure is completed. The above optical sensor is maintained at a high level, the conductivity in the exposed portion is rapidly reduced after the voltage application is completed and becomes equal to the conductivity in the unexposed portion, and the optical sensor can be repeatedly reused rapidly. 40-150 by thermal stimulation current measurement
It is the above optical sensor in which a clear peak is observed in the range of ° C.

【０００９】また、情報露光によって情報記録媒体へ光
情報を記録する情報記録装置において、前記の光センサ
ーと電極上に情報記録層を形成した情報記録媒体とを間
隙を設けて光軸上に結線した情報記録装置である。情報
記録層が、液晶相および樹脂相からなる前記の情報記録
装置である。情報記録層が、紫外線硬化樹脂、液晶、界
面活性剤からなる前記の情報記録装置である。液晶がス
メクチック液晶およびネマチック液晶の混合物である前
記の情報記録装置である。情報記録層を構成する樹脂相
が、紫外線硬化樹脂から構成されており、情報記録層の
表層が紫外線硬化樹脂のスキン層のみから構成されてい
る前記の情報記録装置である。情報記録層がメモリー性
を有する前記の情報記録装置である。光センサーへ１０
5 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界強度の印加時間に、未露光部
での通過電流密度が１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2 であり、
情報記録媒体の比抵抗が１０10〜１０13Ω・ｃｍである
前記の情報記録装置である。下部電極上において光導電
層、誘電体層、情報記録層、上部電極を順に積層した情
報記録装置において、下部電極と光導電層からなる光セ
ンサー部は、前記の光センサーからなり、下部電極と上
部電極との間に電圧印加を可能に結線した情報記録装置
である。Further, in an information recording apparatus for recording optical information on an information recording medium by information exposure, the optical sensor and the information recording medium having an information recording layer formed on an electrode are connected on the optical axis with a gap provided therebetween. It is the information recording device. In the above information recording device, the information recording layer is composed of a liquid crystal phase and a resin phase. The information recording device is the above-mentioned information recording device in which the information recording layer is made of an ultraviolet curable resin, a liquid crystal, and a surfactant. The information recording device as described above, wherein the liquid crystal is a mixture of a smectic liquid crystal and a nematic liquid crystal. In the above information recording device, the resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed of only a skin layer of the ultraviolet curable resin. The information recording device has the information recording layer having a memory property. To optical sensor 10
The passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 during the application time of the electric field strength of 5 to 10 6 V / cm,
In the above information recording device, the information recording medium has a specific resistance of 10 10 to 10 13 Ω · cm. In an information recording device in which a photoconductive layer, a dielectric layer, an information recording layer, and an upper electrode are laminated in this order on the lower electrode, the optical sensor section including the lower electrode and the photoconductive layer is composed of the above-mentioned optical sensor, and the lower electrode and It is an information recording device in which a voltage can be applied between the upper electrode and the upper electrode.

【００１０】また、情報露光によって情報記録媒体へ光
情報を記録する情報記録再生方法において、前記の光セ
ンサーと電極上に情報記録層を形成した情報記録媒体を
使用し、光センサーもしくは情報記録媒体の少なくとも
いずれか一方の電極を透明電極とするとともに、光セン
サーと情報記録媒体を間隙を設けて光軸上に対向配置
し、両電極間に電圧を印加しつつ光情報の露光により情
報記録媒体への情報記録を行い、透過光あるいは反射光
により可視情報として情報記録媒体に記録した光情報の
再生を行う情報記録再生方法である。情報記録媒体にお
ける情報記録層が、液晶相および樹脂相からなる前記の
情報記録再生方法である。情報記録媒体における情報記
録層が、紫外線硬化樹脂、液晶、界面活性剤からなる前
記の情報記録再生方法である。液晶がスメクチック液晶
およびネマチック液晶の混合物である前記の情報記録再
生方法である。情報記録層を構成する樹脂相が、紫外線
硬化樹脂から構成されており、情報記録層の表層が紫外
線硬化樹脂のスキン層のみから構成されている情報記録
再生方法である。情報露光によって情報記録媒体へ光情
報を記録する情報記録方法において、情報記録媒体が下
部電極上に光導電層、誘電体層、情報記録層、勝負電極
を順に積層しており、下部電極と光導電層からなる光セ
ンサー部は、請求項１〜８に記載の光センサーからな
り、下部電極と上部電極の少なくともいずれか一方は透
明電極とし、下部電極と上部電極との間に電圧を印加し
つつ光情報の露光により情報記録媒体への情報記録を行
い、透過光あるいは反射光により可視情報として情報記
録媒体に記録した光情報の再生を行う情報記録再生方法
である。記録した光情報をＣＣＤセンサーを有するスキ
ャナーによって読み取り、昇華転写プリンタによって画
像の出力をする情報記録再生方法である。Further, in an information recording / reproducing method for recording optical information on an information recording medium by information exposure, the optical sensor or the information recording medium is used by using the above-mentioned optical sensor and the information recording medium having an information recording layer formed on electrodes. At least one of the electrodes is a transparent electrode, and the optical sensor and the information recording medium are arranged opposite to each other on the optical axis with a gap therebetween, and the information recording medium is exposed by exposing the optical information while applying a voltage between both electrodes. Is an information recording / reproducing method in which information is recorded on the optical recording medium, and optical information recorded on an information recording medium as visible information is reproduced by transmitted light or reflected light. In the above information recording / reproducing method, the information recording layer in the information recording medium comprises a liquid crystal phase and a resin phase. The information recording / reproducing method described above, wherein the information recording layer in the information recording medium comprises an ultraviolet curable resin, a liquid crystal, and a surfactant. The information recording / reproducing method as described above, wherein the liquid crystal is a mixture of a smectic liquid crystal and a nematic liquid crystal. In the information recording / reproducing method, the resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed only of a skin layer of the ultraviolet curable resin. In an information recording method for recording optical information on an information recording medium by information exposure, the information recording medium has a photoconductive layer, a dielectric layer, an information recording layer, and a game electrode laminated in this order on the lower electrode. The optical sensor unit made of a conductive layer is made of the optical sensor according to claim 1, wherein at least one of the lower electrode and the upper electrode is a transparent electrode, and a voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode. On the other hand, it is an information recording / reproducing method of recording information on an information recording medium by exposure of optical information and reproducing optical information recorded on the information recording medium as visible information by transmitted light or reflected light. This is an information recording / reproducing method in which recorded optical information is read by a scanner having a CCD sensor and an image is output by a sublimation transfer printer.

【００１１】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
の情報記録システムにおける光センサーは、電極上に光
導電層を積層してなり、その光導電層は単層型のものと
電荷発生層および電荷輸送層を積層した積層型のものが
ある。光導電層は、一般には光が照射されると照射部分
で光キャリア（電子、正孔）が発生し、それらのキャリ
アが層幅を移動することができる機能を有するものであ
るが、本発明の光センサーは、光キャリアが電圧印加状
態において光導電層の層幅方向に移動してゆき、光キャ
リアがトラップされて生じたキャリア電荷により電極界
面のエネルギー障壁が急峻になるとともに薄くなる結
果、光電流に加えてトンネル効果により注入された電荷
による電流を流す作用を有する光誘起電流増幅層を有す
るものである。The present invention will be described in detail below. The optical sensor in the information recording system of the present invention includes a photoconductive layer laminated on an electrode, and the photoconductive layer includes a single layer type and a laminated type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated. . The photoconductive layer generally has a function of generating photocarriers (electrons, holes) in the irradiated portion when light is irradiated, and these carriers can move in the layer width. In the optical sensor of, the photocarriers move in the layer width direction of the photoconductive layer in the state where a voltage is applied, and as a result of the carrier charge generated by the photocarriers being trapped, the energy barrier at the electrode interface becomes steep and thin, In addition to the photocurrent, the photoinduced current amplification layer has a function of causing a current to flow due to the charges injected by the tunnel effect.

【００１２】本発明の光センサーの光導電層が単層から
構成されている単層型の光センサーを図により説明す
る。図１は、単層型の光センサーの断面図であり、図中
１３は電極、１６は光誘起電流増幅層、１４は光導電
層、１５は基板である。光導電層１４は、無機光導電性
物質または有機光導電性物質から形成される。無機光導
電性物質としてはＳｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、ＺｎＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、Ｓｉ、ＣｄＳ等が挙げられ、これらを単独もしく
は複数組み合わせて蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等に
より電極上に、１〜３０μｍ、好ましくは３〜２０μｍ
の膜厚で積層される。また、無機光導電性物質を微粒子
とし、バインダーを使用して光導電層を形成しても良
い。バインダーには、例えばシリコーン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセター
ル樹脂、ビニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられ、それぞれバイン
ダー樹脂を単独または複数のものを組み合わせて使用す
ることができる。この場合樹脂１重量部に対して光導電
性微粒子を０．１〜１０重量部、好ましくは１〜５重量
部の割合で分散させたものとするとよい。A single-layer type photosensor in which the photoconductive layer of the photosensor of the present invention is composed of a single layer will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a single-layer type optical sensor, in which 13 is an electrode, 16 is a photoinduced current amplification layer, 14 is a photoconductive layer, and 15 is a substrate. The photoconductive layer 14 is formed of an inorganic photoconductive material or an organic photoconductive material. As the inorganic photoconductive substance, Se, Se-Te, ZnO, Ti
O 2, Si, CdS, and the like, deposited singly or in multiple combinations, sputtering, the electrode on CVD, or the like, 1 to 30 [mu] m, preferably 3~20μm
Are laminated with a film thickness of. Alternatively, the photoconductive layer may be formed by using an inorganic photoconductive substance as fine particles and using a binder. Examples of the binder include silicone resin, polycarbonate resin, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, vinyl butyral resin, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, methacrylic resin, Vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-
Examples thereof include vinyl acetate copolymer resins, and the binder resins can be used alone or in combination of two or more. In this case, 0.1 to 10 parts by weight, preferably 1 to 5 parts by weight, of the photoconductive fine particles are dispersed in 1 part by weight of the resin.

【００１３】また、有機光導電性物質には高分子光導電
性物質、及び低分子光導電性物質の絶縁性バインダー中
への分散物を挙げることができる。高分子光導電性物質
としては、例えばポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、
ＰＶＫにおけるビニル基の代わりにアリル基、アクリロ
キシアルキル基のエチレン性不飽和基が含まれたポリ−
Ｎ−エチレン性不飽和基置換カルバゾール類、また、ポ
リ−Ｎ−アクリルフェノチアジン、ポリ−Ｎ−（β−ア
クリロキシ）フェノチアジン等のポリ−Ｎ−エチレン性
不飽和基置換フェノチアジン類、ポリビニルピレン等が
ある。なかでもポリ−Ｎ−エチレン性不飽和基置換カル
バゾール類、特にポリビニルカルバゾールが好ましく用
いられる。また、低分子光導電性物質としては、アルキ
ルアミノフェニル基等で置換されたオキサジアゾール
類、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブ
タジエン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。ま
た、光導電層を積層型光センサーで用いる電荷発生性物
質と電荷輸送性物質を１：１〜１：１０、好ましくは
１：２〜１：５の割合で混合して用いてもよい。これら
の有機光導電性物質１重量部に対して、電気絶縁性樹脂
０．１〜１０重量部、好ましくは０．１〜１重量部中に
分散させて、皮膜形成性の有機光導電層としてもよい。
これらの有機光導電層の乾燥後の膜厚は１〜５０μｍで
あり、好ましくは３〜２０μｍで電極上に形成される。
この範囲の膜厚とすることによって光センサーは良好な
感度と画質を示す。Examples of the organic photoconductive substance include a polymer photoconductive substance and a dispersion of a low molecular weight photoconductive substance in an insulating binder. As the polymer photoconductive substance, for example, polyvinylcarbazole (PVK),
Poly-containing an ethylenically unsaturated group such as an allyl group or an acryloxyalkyl group instead of the vinyl group in PVK
There are N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles, poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted phenothiazines such as poly-N-acrylphenothiazine and poly-N- (β-acryloxy) phenothiazine, and polyvinylpyrene. . Among them, poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles, particularly polyvinylcarbazole are preferably used. Examples of the low molecular weight photoconductive substance include oxadiazoles substituted with an alkylaminophenyl group and the like, triphenylmethane derivatives, hydrazone derivatives, butadiene derivatives, stilbene derivatives and the like. The photoconductive layer may be used by mixing the charge generating substance and the charge transporting substance used in the laminated photosensor in a ratio of 1: 1 to 1:10, preferably 1: 2 to 1: 5. An organic photoconductive layer having a film-forming property is prepared by dispersing 1 part by weight of these organic photoconductive substances in 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight of an electrically insulating resin. Good.
The film thickness of these organic photoconductive layers after drying is 1 to 50 μm, and preferably 3 to 20 μm and formed on the electrode.
By setting the film thickness in this range, the optical sensor exhibits good sensitivity and image quality.

【００１４】また、図２は光導電層が電荷発生層と電荷
輸送層から構成される積層型光センサーを説明する断面
図である。図中１３は電極、１６は光誘起電流増幅層、
１４’は電荷発生層、１４’’は電荷輸送層、１５は基
板である。光導電層を構成する電荷発生層及び電荷輸送
層は、無機材料あるいは有機材料から構成される。FIG. 2 is a sectional view for explaining a laminated photosensor in which the photoconductive layer is composed of a charge generation layer and a charge transport layer. In the figure, 13 is an electrode, 16 is a photo-induced current amplification layer,
14 'is a charge generation layer, 14''is a charge transport layer, and 15 is a substrate. The charge generation layer and the charge transport layer forming the photoconductive layer are made of an inorganic material or an organic material.

【００１５】無機材料からなる電荷発生層１４’は、Ｓ
ｅ−Ｔｅ、硫黄や酸素等をドープしたケイ素等を蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ等により電極上に、０．０５μ
ｍ〜１μｍの膜厚に積層される。次いで、この電荷発生
層上に電荷輸送層として、Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３ 、Ｓ
ｉ、メタン等をドープしたＳｉ等を同様にして１μｍ〜
５０μｍ、好ましくは３〜２０μｍの膜厚に積層して形
成するとよい。有機材料からなる電荷発生層１４’は電
荷発生性物質とバインダーから構成されている。電荷発
生性物質としては、ピリリウム系染料、チアピリリウム
系染料、アズレニウム系染料、シアニン系染料、アズレ
ニウム系染料等のカオチン系染料、スクアリリウム塩系
染料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピラン
トロン系顔料等の多環キノン系顔料、インジゴ系顔料、
キナクリドン系顔料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等の
染料、顔料を単独もしくは複数のものを組み合せて使用
することができる。The charge generation layer 14 'made of an inorganic material is S
e-Te, vapor deposition of silicon doped with sulfur or oxygen,
0.05μ on the electrode by sputtering, CVD, etc.
It is laminated to a film thickness of m to 1 μm. Then, as a charge transport layer, Se, As2Se3, S is formed on the charge generation layer.
i, Si doped with methane or the like is similarly 1 μm to
It may be formed by laminating to a film thickness of 50 μm, preferably 3 to 20 μm. The charge generation layer 14 'made of an organic material is composed of a charge generation substance and a binder. Examples of the charge-generating substance include pyrylium-based dyes, thiapyrylium-based dyes, azurenium-based dyes, cyanine-based dyes, kaolin-based dyes such as azurenium-based dyes, squarylium-salt-based dyes, phthalocyanine-based pigments, perylene-based pigments, and pyranthrone-based pigments. Polycyclic quinone pigment, indigo pigment,
Dyes and pigments such as quinacridone pigments, pyrrole pigments and azo pigments can be used alone or in combination of two or more.

【００１６】バインダーとしては、例えばシリコーン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビ
ニルアセタール樹脂、ビニルブチラール樹脂、スチレン
樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げら
れ、それぞれバインダー樹脂を単独または複数のものを
組み合せて使用することができる。これらの電荷発生性
物質とバインダーの混合比は、電荷発生性物質１重量部
に対してバインダーを０．１〜１０重量部、好ましくは
０．２〜１重量部の割合で使用することが望ましい。電
荷発生層は乾燥後膜厚として０．０１〜２μｍであり、
好ましくは０．１〜０．５μｍとするとよく、このよう
な膜厚とすることによって良好な感度と画質を示す。ま
た、先に示した電荷発生性物質のうち蒸着法で成膜可能
なものは、バインダーを用いず、単独で成膜することも
できる。As the binder, for example, silicone resin, polycarbonate resin, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, vinyl butyral resin, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, Methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin and the like can be mentioned, and each binder resin can be used alone or in combination of two or more. Regarding the mixing ratio of the charge generating substance and the binder, it is desirable to use the binder in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.2 to 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the charge generating substance. . The charge generation layer has a thickness after drying of 0.01 to 2 μm,
The thickness is preferably 0.1 to 0.5 μm, and such a film thickness exhibits good sensitivity and image quality. Further, among the above-mentioned charge-generating substances, those capable of forming a film by the vapor deposition method can also be formed alone without using a binder.

【００１７】電荷輸送層１４''は電荷輸送性物質とバイ
ンダーとからなる。電荷輸送性物質は、電荷発生層で発
生した電荷の輸送特性が良い物質であり、例えば、オキ
サジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チ
アゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラ
ゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾー
ル系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナ
ミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン
系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等があり、
ホール輸送特性の良い物質とすることが必要である。バ
インダーとしては、前記した電荷発生層におけるバイン
ダーと同様のもの、さらにポリアリレート樹脂、フェノ
キシ樹脂が使用できるが、好ましくはスチレン樹脂、ス
チレン−ブタジエン共重合体樹脂、ポリカーボネート樹
脂である。バインダーは、電荷輸送性物質１重量部に対
して０．１〜１０重量部、好ましくは０．１〜１重量部
の割合で使用することが望ましい。電荷輸送層は乾燥後
膜厚として１〜５０μｍであり、好ましくは３〜２０μ
ｍとするとよく、このような膜厚とすることによって良
好な感度と画質が得られる。The charge transport layer 14 '' comprises a charge transport material and a binder. The charge-transporting substance is a substance having a good property of transporting charges generated in the charge-generating layer, and examples thereof include oxadiazole-based, oxazole-based, triazole-based, thiazole-based, triphenylmethane-based, styryl-based, pyrazoline-based, and hydrazone. System, aromatic amine system, carbazole system, polyvinylcarbazole system, stilbene system, enamine system, azine system, triphenylamine system, butadiene system, polycyclic aromatic compound system, stilbene dimer, etc.,
It is necessary to use a substance with good hole transport characteristics. As the binder, the same binders as those used in the charge generation layer described above, and polyarylate resin and phenoxy resin can be used, but styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin and polycarbonate resin are preferable. The binder is used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight, based on 1 part by weight of the charge transport material. The charge transport layer has a thickness after drying of 1 to 50 μm, preferably 3 to 20 μm.
It is preferable that the thickness is m, and such a film thickness provides good sensitivity and image quality.

【００１８】また、先に示した電荷輸送性物質で蒸着法
で成膜可能なものは、バインダーを用いず、単独で成膜
することもできる。電極１３は、後述する情報記録媒体
が不透明であれば透明性を有することが必要であるが、
情報記録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明い
ずれでもよく、１０6 Ω・ｃｍ以下の比抵抗を安定して
与える材料、例えば金、白金、亜鉛、チタン、銅、鉄、
錫等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化
亜鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム
等の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導
電膜等を、単独あるいは二種以上の複合材料として用い
ることができる。なかでも酸化物導電体が好ましく、特
にインジウム錫複合酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。電極
１３は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、被覆、メッキ、
ディッピング、電界重合等の方法により形成される。ま
たその膜厚は電極を構成する材料の電気特性、および情
報記録の際の印加電圧により変化させる必要があるが、
例えばＩＴＯ膜では１０〜３００ｎｍ程度であり、情報
記録層との間の全面、或いは任意のパターンに合わせて
形成される。また、二種類以上の材料を積層して用いる
こともできる。Further, the above-mentioned charge transporting substance which can be formed into a film by the vapor deposition method can also be formed into a film without using a binder. The electrode 13 needs to have transparency if the information recording medium described later is opaque.
When the information recording medium is transparent, it may be transparent or opaque and may be a material that stably gives a specific resistance of 10 6 Ω · cm or less, such as gold, platinum, zinc, titanium, copper, iron,
Metal thin film conductive film such as tin, metal oxide conductive film such as tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, tungsten oxide, vanadium oxide, organic conductive film such as quaternary ammonium salt, etc., alone or in combination of two or more. Can be used as a composite material. Of these, oxide conductors are preferable, and indium tin composite oxide (ITO) is particularly preferable. The electrode 13 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating,
It is formed by a method such as dipping or electric field polymerization. Further, the film thickness needs to be changed depending on the electrical characteristics of the material forming the electrodes and the applied voltage at the time of recording information.
For example, an ITO film has a thickness of about 10 to 300 nm and is formed over the entire surface between the ITO film and the information recording layer or according to an arbitrary pattern. Further, two or more kinds of materials can be laminated and used.

【００１９】基板１５は、後述する情報記録媒体が不透
明であれば透明性を有することが必要であるが、情報記
録媒体は透明性を有する場合には透明、不透明いずれで
もよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の形状
を有し、光センサーを強度的に支持するものである。光
センサー自体が支持性を有する場合には設ける必要がな
く、また光センサーを支持可能な強度を有していれば、
多くの材料を使用することができる。例えば、可撓性の
あるプラスチックフィルム、或いはガラス、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポ
リエステル、ポリカーボネート等のプラスチックシー
ト、カード等を使用することができる。電極１３が透明
である場合には、基板面の電極１３が設けられる面の他
方の面に、必要に応じて反射防止効果を有する層を積層
するか、また反射防止効果を発現しうる膜厚に透明基板
を調整するか、更に両者を組み合わせることにより反射
防止性を付与するとよい。The substrate 15 is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque. However, if the information recording medium has transparency, it may be transparent or opaque. It has the shape of a tape, disk, etc., and strongly supports the optical sensor. If the optical sensor itself has supportability, it need not be provided, and if it has sufficient strength to support the optical sensor,
Many materials can be used. For example, a flexible plastic film, a plastic sheet such as glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyester, or polycarbonate, a card, or the like can be used. When the electrode 13 is transparent, a layer having an antireflection effect is laminated on the other surface of the substrate surface on which the electrode 13 is provided, if necessary, or a film thickness capable of exhibiting the antireflection effect. The antireflection property may be imparted by adjusting a transparent substrate or combining the two.

【００２０】光導電層には電子受容性物質、電子供与性
物質、増感色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤
等を添加してもよい。電子受容性物質および増感色素に
はベース電流の調整、ベース電流の安定化、増感等の作
用がある。電子受容性物質としては、例えばニトロ置換
ベンゼン類、アミノ置換ベンゼン類、ハロゲン置換ベン
ゼン類、置換ナフタレン類、ベンゾキノン類、ニトロ置
換フルオレノン類、クロラニル類あるいは電荷輸送性物
質に列挙した化合物等が、増感色素としてはトリフェニ
ルメタン色素、ピリリウム塩色素、キサンテン色素、ロ
イコ色素等が挙げられる。An electron-accepting substance, an electron-donating substance, a sensitizing dye, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer and the like may be added to the photoconductive layer. The electron-accepting substance and the sensitizing dye have the functions of adjusting the base current, stabilizing the base current, and sensitizing. Examples of the electron-accepting substance include nitro-substituted benzenes, amino-substituted benzenes, halogen-substituted benzenes, substituted naphthalenes, benzoquinones, nitro-substituted fluorenones, chloranil compounds and compounds listed in the charge-transporting substance. Examples of the dyes include triphenylmethane dyes, pyrylium salt dyes, xanthene dyes, leuco dyes and the like.

【００２１】酸化防止剤としては、フェノール系酸化防
止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤を、紫外線
吸収剤としては、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾフ
ェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸
収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤を、光安定剤
としては、紫外線安定剤、ヒンダートアミン系光安定剤
等を挙げることができる。The antioxidants include phenolic antioxidants, sulfur antioxidants and phosphorus antioxidants, and the ultraviolet absorbers include salicylic acid ultraviolet absorbers, benzophenone ultraviolet absorbers and benzotriazole ultraviolet absorbers. Examples of the light absorber and the cyanoacrylate-based UV absorber include a UV stabilizer and a hindered amine-based light stabilizer.

【００２２】電子受容性物質、増感色素は、それぞれ光
導電性物質１重量部に対して０．００１〜１０重量部、
好ましくは０．０１〜１重量部の割合で添加される。
０．００１重量部よりも少ないと作用を示さず、１０重
量部よりも多い場合には、画質に悪影響を与える。酸化
防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤については、単独ある
いは複数を組み合わせて、光導電性物質１重量部に対し
て０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜１重
量部の割合で添加される。０．００１重量部よりも少な
いとこれらの物質の添加の効果が得られず、１０重量部
よりも多い場合には、画質に悪影響を与える。積層型光
センサーの場合は、電荷発生層、電荷輸送層中にそれぞ
れ同様の割合で添加することができる。好ましくはこれ
らの物質は電荷発生層中に添加するとよい。The electron-accepting substance and the sensitizing dye are 0.001 to 10 parts by weight, respectively, relative to 1 part by weight of the photoconductive substance.
It is preferably added in a proportion of 0.01 to 1 part by weight.
If it is less than 0.001 part by weight, no action is shown, and if it is more than 10 parts by weight, the image quality is adversely affected. About antioxidants, ultraviolet absorbers, and light stabilizers, the proportion of 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the photoconductive substance, alone or in combination. Is added in. If it is less than 0.001 part by weight, the effect of addition of these substances cannot be obtained, and if it is more than 10 parts by weight, the image quality is adversely affected. In the case of a laminated photosensor, they can be added to the charge generation layer and the charge transport layer in the same ratio. Preferably, these substances are added to the charge generation layer.

【００２３】すなわち、本発明の光センサーにおいて
は、電極１３と光導電層１４の間に形成した光誘起電流
増幅層１６の界面あるいは光誘起電流増幅層中には、ト
ラップサイトが形成されている。このトラップサイト中
には光を当てない状態で既にトラップされている電荷１
７が存在し、図３（Ａ）で示したようなエネルギーバン
ド状態となっている。ここへ、電極１３側を正として両
電極間に電圧印加した場合、電極と光誘起電流増幅層と
の間に図３（Ｂ）で示したようなエネルギー障壁が生じ
る。更に、情報光の照射を電圧印加とともに行うと、情
報光の照射に伴い発生する光キャリアが電圧印加状態に
おいて光導電層の層幅方向に移動してゆき、その過程に
おいて光キャリアの一部が電極と光誘起電流増幅層の界
面あるいは光誘起電流増幅層中に存在するトラップサイ
トにトラップされる。このトラップされたキャリア電荷
により、図３（Ｃ）に示すように電極と光誘起電流増幅
層との間に形成されているエネルギー障壁にゆがみが生
じ、キャリアの蓄積が進むにつれてエネルギー障壁が急
峻かつ薄くなる。そのため、電極から光誘起電流増幅層
へトンネル効果による注入電流が流れやすくなる。この
トラップされた電荷は経時的に蓄積され、電圧印加した
状態では露光により発生する光電流に加えて、このトラ
ップされた電荷により誘起されるトンネル効果による注
入電流が流れ、図３（Ｄ）に示すように見かけの光電流
量を増幅させるものと考えられる。そして電圧を印加し
た状態を維持しつつ露光を終了する場合には、露光によ
り生じる光キャリアはただちに減衰して消滅するが、ト
ラップされた電荷の減衰は緩やかであるためトラップさ
れた電荷により誘起されるトンネル効果による注入電流
は減衰しながらも十分な量が流れるものと考えられる。
この光誘起電流は本発明の光センサーにおける光に起因
した増幅による効果であり、入射した光以上の電流が流
れるために、情報記録媒体に対して効果的な情報記録を
可能とするものである。その後トラップされた電荷は減
衰してゆき、それにつれてトンネル効果による注入電流
も減衰して行くので光誘起電流も減衰する。その減衰速
度は本発明の情報記録方法の光センサーの繰り返し使用
の時間と比べて十分に速いので、光センサーの繰り返し
使用が可能になる。That is, in the photosensor of the present invention, trap sites are formed at the interface of the photoinduced current amplification layer 16 formed between the electrode 13 and the photoconductive layer 14 or in the photoinduced current amplification layer. . Charges 1 that are already trapped in this trap site without light
7 exists and is in an energy band state as shown in FIG. When a voltage is applied between both electrodes with the electrode 13 side being positive, an energy barrier as shown in FIG. 3B is generated between the electrode and the photoinduced current amplification layer. Further, when the information light irradiation is performed together with the voltage application, the photocarriers generated with the information light irradiation move in the layer width direction of the photoconductive layer in the voltage applied state, and part of the photocarriers in the process. It is trapped at the interface between the electrode and the photoinduced current amplification layer or at a trap site existing in the photoinduced current amplification layer. This trapped carrier charge causes a distortion in the energy barrier formed between the electrode and the photoinduced current amplification layer as shown in FIG. 3C, and the energy barrier becomes steep as carrier accumulation progresses. Become thin. Therefore, the injection current due to the tunnel effect easily flows from the electrode to the photoinduced current amplification layer. The trapped charges are accumulated with time, and in the state where a voltage is applied, in addition to the photocurrent generated by exposure, an injection current caused by the tunnel effect induced by the trapped charges flows, and FIG. As shown, it is considered to amplify the apparent photoelectric flow rate. When the exposure is terminated while maintaining the voltage applied, the photocarriers generated by the exposure are immediately attenuated and disappeared, but the decay of the trapped charges is gradual, so that they are induced by the trapped charges. It is thought that a sufficient amount of the injection current flows due to the tunnel effect due to the tunnel effect.
This photo-induced current is an effect due to amplification due to light in the optical sensor of the present invention, and since a current larger than the incident light flows, it enables effective information recording on the information recording medium. . After that, the trapped charges are attenuated, and along with that, the injection current due to the tunnel effect is also attenuated, so that the photo-induced current is also attenuated. Since the decay speed is sufficiently faster than the time of repeated use of the optical sensor of the information recording method of the present invention, the repeated use of the optical sensor becomes possible.

【００２４】本発明の光誘起電流増幅層には、前記した
電荷発生層におけるバインダーと同様のものが使用可能
であり、例えばシリコーン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセタール樹脂、ビ
ニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和
または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体樹脂等が挙げられ、それぞれバインダー樹脂を
単独または複数のものを組み合せて使用することができ
る。さらに、可溶性ポリアミド、フェノール樹脂、ポリ
ウレタン、ポリウレア、カゼイン、ポリペプチド、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、無水マレイ
ン酸エステル重合体、第四級アンモニウム塩含有重合
体、セルロース化合物等を使用することができ、それぞ
れバインダー樹脂を単独または複数のものを組み合わせ
て使用することができる。特にビニルホルマール樹脂、
ビニルアセタール樹脂、ビニルブチラール樹脂が好まし
い。光誘起電流増幅層の厚さは、０．００５〜５μｍ、
好ましくは０．０５〜０．５μｍが良く、ディップコー
ティング、ロールコーティング、スピンコーティング等
の方法によって塗布することができる。０．００５μｍ
よりも薄いと、画像ノイズの軽減作用はなくなり、また
５μｍよりも厚いと電極から電荷発生層への電荷キャリ
ヤー注入を妨げてしまう。また、光誘起電流増幅層には
必要に応じて、各種の電子受容性物質、電子供与性、光
導電性物質、無機塩類、有機塩類が添加され、それぞれ
添加物を単独または複数のものを組み合わせて使用する
ことができる。For the photoinduced current amplification layer of the present invention, the same binders as those used in the charge generation layer described above can be used. Examples thereof include silicone resin, polycarbonate resin, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, vinyl butyral resin, Styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, and the like, respectively. The binder resins may be used alone or in combination of two or more. Furthermore, soluble polyamide, phenolic resin, polyurethane, polyurea, casein, polypeptide, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, maleic anhydride polymer, quaternary ammonium salt-containing polymer, cellulose compound and the like can be used, respectively. The binder resin may be used alone or in combination of two or more. Especially vinyl formal resin,
Vinyl acetal resin and vinyl butyral resin are preferable. The thickness of the photo-induced current amplification layer is 0.005 to 5 μm,
The thickness is preferably 0.05 to 0.5 μm and can be applied by a method such as dip coating, roll coating or spin coating. 0.005 μm
If it is thinner than 5 μm, the effect of reducing image noise is lost, and if it is thicker than 5 μm, injection of charge carriers from the electrode to the charge generation layer is hindered. In addition, various electron-accepting substances, electron-donating substances, photoconductive substances, inorganic salts, and organic salts are added to the photoinduced current amplification layer, if necessary. Can be used.

【００２５】電子受容性物質としては、例えば、１，３
−ジニトロベンゼンに代表される置換ベンゼン類、置換
ナフタレン類、ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジクロロ−
ｐ−ベンゾキノン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシア
ノ−ｐ−ベンゾキノンに代表される置換および無置換ベ
ンゾキノン類、置換および無置換ナフトキノン類、置換
および無置換アントラキノン類、２，４，７−トリニト
ロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオ
レノンに代表される置換フルオレノン類、ｐ−クロラニ
ル、Ｏ−クロラニルに代表されるクロラニル類、７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタンに代表される置
換キノジメタン類を挙げることができる。As the electron accepting substance, for example, 1,3
-Substituted benzene represented by dinitrobenzene, substituted naphthalene, p-benzoquinone, 2,5-dichloro-
Substituted and unsubstituted benzoquinones represented by p-benzoquinone and 2,3-dichloro-5,6-dicyano-p-benzoquinone, substituted and unsubstituted naphthoquinones, substituted and unsubstituted anthraquinones, 2,4,7- Trinitrofluorenone, substituted fluorenones typified by 2,4,5,7-tetranitrofluorenone, p-chloranil, chloranil typified by O-chloranil, 7,
Substituted quinodimethanes represented by 7,8,8-tetracyanoquinodimethane can be mentioned.

【００２６】光導電性物質としては、前記した単層型の
光センサーにおける無機と有機の光導電性物質および積
層型光センサーにおける電荷発生性物質を用いることが
でき、例えば、無機光導電性物質としてはＳｅ、Ｓｅ−
Ｔｅ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｓｉ、硫黄や酸素等をドープ
したＳｉ、ＣｄＳ等が挙げられ、これらを微粒子として
単独または複数を組み合わせて用いることができ、また
有機光導電性物質のうち高分子光導電性物質としては、
例えばポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＶＫにお
けるビニル基の代わりにアリル基、アクリロキシアルキ
ル基のエチレン性不飽和基が含まれたポリ−Ｎ−エチレ
ン性不飽和基置換カルバゾール類、また、ポリ−Ｎ−ア
クリルフェノチアジン、ポリ−Ｎ−（β−アクリロキ
シ）フェノチアジン等のポリ−Ｎ−エチレン性不飽和基
置換フェノチアジン類、ポリビニルピレン等が挙げられ
る。有機光導電性物質のうち低分子光導電性物質として
は、アルキルアミノフェニル基等で置換されたオキサジ
アゾール類、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘
導体、ブタジエン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げら
れる。As the photoconductive substance, the inorganic and organic photoconductive substances in the above-mentioned single-layer type photosensor and the charge generating substance in the laminated type photosensor can be used. For example, the inorganic photoconductive substance can be used. As Se, Se-
Te, ZnO, TiO 2 , Si, Si doped with sulfur, oxygen and the like, CdS and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination as a fine particle. As the conductive substance,
For example, polyvinylcarbazole (PVK), poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles containing an ethylenically unsaturated group such as an allyl group or an acryloxyalkyl group instead of the vinyl group in PVK, and poly-N- Examples thereof include poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted phenothiazines such as acrylic phenothiazine and poly-N- (β-acryloxy) phenothiazine, and polyvinylpyrene. Examples of the low molecular weight photoconductive substance among the organic photoconductive substances include oxadiazoles substituted with an alkylaminophenyl group and the like, triphenylmethane derivatives, hydrazone derivatives, butadiene derivatives, stilbene derivatives and the like.

【００２７】電荷発生性物質としては、ピリリウム系染
料、チアピリリウム系染料、アズレニウム系染料、シア
ニン系染料、アズレニウム系染料等のカオチン系染料、
スクアリリウム塩系染料、フタロシアニン系顔料、ペリ
レン系顔料、ピラントロン系顔料等の多環キノン系顔
料、インジゴ系顔料、キナトリドン系顔料、ピロール系
顔料、アゾ系顔料等の染料、顔料を単独もしくは複数の
ものを組み合せて使用することができる。無機塩類、有
機塩類としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、アルミニウム等の金属イオ
ン、第四級アンモニウムイオン、有機イオン等をカチオ
ン種とする過塩素酸塩、ホウフッ化塩及びチオシアン酸
塩、硝酸塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、ハロゲン化
物等が挙げられる。これらの添加物は、バインダー樹脂
１重量部に対して、０．００１〜１０重量部、好ましく
は０．０５〜５重量部の割合で添加され、それぞれ添加
物を単独または複数のものを組み合わせて使用すること
ができ、特に置換ベンゾキノン類とアゾ顔料との組合せ
のように電子受容性化合物と有機光導電性顔料を組み合
わせて用いることにより大きな増幅作用が得られ好まし
い。As the charge-generating substance, a kaolin-based dye such as a pyrylium-based dye, a thiapyrylium-based dye, an azurenium-based dye, a cyanine-based dye or an azurenium-based dye,
Squarylium salt dye, phthalocyanine pigment, perylene pigment, polycyclic quinone pigment such as pyrantrone pigment, indigo pigment, quinatridone pigment, pyrrole pigment, azo pigment, etc. Can be used in combination. Inorganic salts and organic salts include perchlorates, borofluorides, and thiocyanates whose cationic species are metal ions such as lithium, sodium, potassium, magnesium, calcium, and aluminum, quaternary ammonium ions, and organic ions. , Nitrates, carboxylates, sulfonates, halides and the like. These additives are added in a proportion of 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.05 to 5 parts by weight, based on 1 part by weight of the binder resin, and the additives may be used alone or in combination. It is preferable to use a combination of an electron-accepting compound and an organic photoconductive pigment, such as a combination of a substituted benzoquinone and an azo pigment, since a large amplifying effect can be obtained.

【００２８】本発明の光センサーにおける光電流の増幅
作用は、透明ガラス、ＩＴＯ電極、光誘起電流増幅層、
光導電層が積層され、光導電層上に金電極を積層した増
幅作用測定用光センサーを用いて測定することができ
る。ＩＴＯ電極を正極、金電極を負極として直流電圧を
印加すると共に、電圧印加開始に基板側から光照射し、
光センサーにおける電流値の挙動を測定する。なお、照
射光は、キセノンランプを光源に、図４に特性を示すグ
リーンフィルターにより緑色光を選択して２０ルックス
照度にて行う。The photocurrent amplification effect of the photosensor of the present invention is achieved by the transparent glass, ITO electrode, photoinduced current amplification layer,
It can be measured using an amplification effect measuring optical sensor in which a photoconductive layer is laminated and a gold electrode is laminated on the photoconductive layer. A DC voltage is applied with the ITO electrode as the positive electrode and the gold electrode as the negative electrode, and light is irradiated from the substrate side to start the voltage application,
The behavior of the current value in the optical sensor is measured. It should be noted that the irradiation light is emitted at a illuminance of 20 Lux by using a xenon lamp as a light source and selecting green light with a green filter having the characteristics shown in FIG.

【００２９】この光強度で光照射した時、透明基材、Ｉ
ＴＯ膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には４．２×１０11個／ｃｍ2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流と単位面積当た
り１．３５×１０-6Ａ／ｃｍ2 の電流が発生する。When irradiated with light at this light intensity, the transparent substrate, I
Considering the light transmittance of the TO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds are incident on the photoconductive layer. Then, when all the incident photons are converted into photocarriers, theoretically a photocurrent and a current of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 per unit area are generated.

【００３０】ここで、前記測定値により測定する場合
に、理論的光電流に対して、光センサーで実際に発生し
た光誘起電流の場合（光センサーで実際に発生した光誘
起電流値／理論的光電流値）をその光センサーにおける
量子効率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の
電流値から光を照射しない部分で流れる電流であるベー
ス電流を差し引いたものであり、光照射中あるいは光照
射後もベース電流以上の光照射に起因する電流が流れる
ものをいい、いわゆる光電流とは相違する。本発明の光
センサーにおける光電流の増幅作用とは、このような光
誘起電流の挙動のことであると定義する。Here, in the case of the photo-induced current actually generated in the optical sensor with respect to the theoretical photo-current in the case of measuring by the above-mentioned measured value (photo-induced current value actually generated in the optical sensor / theoretical The photocurrent value) is defined as the quantum efficiency of the photosensor. The photo-induced current is the current value of the light irradiation part minus the base current, which is the current that flows in the part that does not emit light, and is due to light irradiation above the base current during or after light irradiation. It means that a current flows, which is different from so-called photocurrent. The photocurrent amplification action in the photosensor of the present invention is defined as such behavior of photoinduced current.

【００３１】本発明における光電流の増幅作用を有する
光センサーと、光電流増幅作用を有しない光センサー
（以下、比較センサーという）とを、前記測定装置での
測定結果を使用して説明する。まず、比較センサーにつ
いての測定結果を図５に示す。図５において、（ｍ）線
は、前記理論値（１．３５×１０-6Ａ／ｃｍ2 ）を示す
参考線で、（ｎ）線は光電流増幅作用を有しない光セン
サーの実測線で光照射中でも光電流の増加はなく、一定
値をとることがわかり、その一定値も理論値（１．３５
×１０-6Ａ／ｃｍ2 ）を超えない。この比較センサーに
おける量子効率はほぼ０．４と一定である。光照射中の
量子効率の変化を図６においてＡで示す。これに対し
て、本発明の光センサーは、図５に示すように光照射時
は光電流が増加し、量子効率は、図７においてＢで示す
ように、約０．０１秒で量子効率は１を超え、その後も
量子効率は増加を続ける。また、比較センサーでは光照
射と同時に光電流が零となるため、光照射後継続して電
圧印加しても電流は流れない。これに対して、本発明の
光センサーにおいては、光照射後も電圧印加を継続する
ことにより光誘起電流が継続して流れ、引き続いて光誘
起電流を取り出すことができる。An optical sensor having a photocurrent amplifying action and an optical sensor having no photocurrent amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described with reference to the measurement results of the measuring device. First, the measurement result of the comparative sensor is shown in FIG. In FIG. 5, line (m) is a reference line indicating the theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ), and line (n) is an actual measurement line of an optical sensor having no photocurrent amplification effect. It was found that the photocurrent did not increase even during light irradiation, and that it had a constant value, and that constant value was also the theoretical value (1.35).
It does not exceed × 10 -6 A / cm 2 ). The quantum efficiency of this comparative sensor is almost constant at 0.4. The change in quantum efficiency during light irradiation is indicated by A in FIG. On the other hand, in the photosensor of the present invention, as shown in FIG. 5, the photocurrent is increased during light irradiation, and the quantum efficiency is about 0.01 seconds as shown by B in FIG. It exceeds 1, and the quantum efficiency continues to increase thereafter. Further, in the comparative sensor, since the photocurrent becomes zero at the same time as the light irradiation, the current does not flow even if the voltage is continuously applied after the light irradiation. On the other hand, in the photosensor of the present invention, the photoinduced current continuously flows by continuing the voltage application even after the light irradiation, and the photoinduced current can be subsequently taken out.

【００３２】また、本発明の光センサーは、素子として
半導電性であり、流れる電流密度から暗時の比抵抗が１
０9〜１０13Ω・ｃｍであることが好ましい。とくに、
比抵抗が１０10〜１０11Ω・ｃｍの範囲のもので増幅作
用が顕著である。比抵抗が１０13Ω・ｃｍよりも大きい
光センサーでは、１０5〜１０6Ｖ／ｃｍの電界強度範囲
では本発明の光センサーのような増幅作用を示さない、
また、比抵抗が１０9Ω・ｃｍ未満の光センサーでは、
電流が非常に多く流れ、電流によるノイズが発生しやす
く好ましくない。これに対して、一般の電子写真用で用
いられている感光体素子は、暗抵抗率が１０14〜１０16
Ω・ｃｍのものが用いられており、本発明の光センサー
は電子写真において、その目的を達することができず、
また一般の電子写真用の暗抵抗率が大きな比導電層を有
する光センサーは、本発明の目的には使用することがで
きない。Further, the optical sensor of the present invention is semiconductive as an element, and has a specific resistance in the dark of 1 from the flowing current density.
It is preferably from 0 9 to 10 13 Ω · cm. Especially,
The amplification effect is remarkable when the specific resistance is in the range of 10 10 to 10 11 Ω · cm. An optical sensor having a specific resistance of more than 10 13 Ω · cm does not exhibit the amplifying action as in the optical sensor of the present invention in the electric field intensity range of 10 5 to 10 6 V / cm.
In the case of an optical sensor with a specific resistance of less than 10 9 Ω · cm,
A large amount of current flows, and noise is likely to occur due to the current, which is not preferable. On the other hand, the photoconductor element used for general electrophotography has a dark resistivity of 10 14 to 10 16.
Ω · cm is used, and the optical sensor of the present invention cannot achieve its purpose in electrophotography.
Further, a photosensor having a specific conductive layer having a large dark resistivity for general electrophotography cannot be used for the purpose of the present invention.

【００３３】また、光センサーの比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）
と電流密度Ｊ（Ａ／ｃｍ2 ）の間には、光センサーの膜
圧ｄ、電極面積Ｓ、および印加電界強度Ｅ（Ｖ／ｃｍ）
の間には、 ρ＝（Ｅ・ｄ／Ｊ・Ｓ）×（Ｓ・ｄ）＝Ｅ／Ｊ の関係式が成立するので、印加電界強度と電流密度から
求めることができるが、本発明の各実施例においては、
電流密度によって表現する。Further, the specific resistance ρ (Ω · cm) of the optical sensor
Between the current density and the current density J (A / cm 2 ), the film pressure d of the optical sensor, the electrode area S, and the applied electric field strength E (V / cm)
Since the relational expression of ρ = (E · d / J · S) × (S · d) = E / J is established between the two, it can be obtained from the applied electric field strength and the current density. In each example,
Expressed by current density.

【００３４】電流密度による表現では、とくにベース電
流の値が１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2の電流密度の範囲で
増幅作用が顕著である。ベース電流が１０-7Ａ／ｃｍ2
未満の光センサーでは、１０5〜１０6Ｖ／ｃｍの電界強
度範囲では本発明の光センサーのような増幅作用を示さ
ない。一方、ベース電流値を、１０-7Ａ／ｃｍ2以上と
するために、１０6Ｖ／ｃｍ以上の電界強度を与えると
放電破壊や画像ノイズの発生が生じるので、高電界強度
では使用することはできない。また、ベース電流が１０
-4Ｖ／ｃｍ2 以上の光センサーは、電流を非常に多く流
し、電流によるノイズが発生し易く好ましくない。ま
た、本発明の光センサーの電荷トラップサイトは定常状
態において存在する特異なトラップサイトであり、この
電荷トラップサイトには、光増幅を行う前にある程度の
量の電荷がトラップされているために熱刺激電流測定に
よる観測が可能である。また、上述の半導電性の電気特
性も本来は電流を流しにくいはずであるが、トラップサ
イトが存在し、そこへキャリア電荷がある程度トラップ
されているために半導電性の電気特性を示すものと考え
られる。In the expression by the current density, the amplifying action is remarkable especially in the range of the current density in which the value of the base current is 10 -4 to 10 -7 A / cm 2 . Base current is 10 -7 A / cm 2
The optical sensor of less than 1 does not show the amplifying effect as the optical sensor of the present invention in the electric field strength range of 10 5 to 10 6 V / cm. On the other hand, in order to set the base current value to 10 -7 A / cm 2 or more, if an electric field strength of 10 6 V / cm or more is applied, discharge breakdown or image noise will occur, so use with high electric field strength. I can't. Also, the base current is 10
An optical sensor with a voltage of −4 V / cm 2 or more is very unfavorable because it causes a large amount of current to flow and noise due to the current. Further, the charge trap site of the photosensor of the present invention is a unique trap site existing in a steady state, and a certain amount of charge is trapped in this charge trap site before optical amplification, so Observation by stimulating current measurement is possible. In addition, although the above-mentioned semi-conductive electric characteristics should originally be difficult to flow current, since they have trap sites and carrier charges are trapped therein to some extent, they exhibit semi-conductive electric characteristics. Conceivable.

【００３５】この光増幅を行う前にとらえられた電荷が
起因して、本発明の増幅作用を有する光センサーでは４
０〜１５０℃の範囲内において、ベース電流以外に明確
なピーク状の波形が観測され、一方、増幅作用を有さな
い試料では不明瞭である。これは、光センサーが有する
トラップサイトに捕捉された電荷に起因するものと考え
られ、熱刺激電流測定にピークが明確に観測できる程度
の電荷を蓄積している光センサーでなければ増幅効果は
期待できない。また、このピークの形状、ピークの値、
温度範囲等は用いる材料によって異なる。また、詳細な
理由は不明であるが、本発明の光センサーは作製直後に
は十分な感度を安定的に示さない。そして、上述の増幅
作用を十分に発現させるためには光センサーを作製後、
一定期間エージングする必要がある。とくに、エージン
グは相対湿度６０％以下の暗所にて行うことによってそ
の性能を発揮することができる。Due to the electric charges captured before this optical amplification, the photosensor having an amplifying action of the present invention has 4
In the range of 0 to 150 ° C., a clear peak-shaped waveform other than the base current is observed, while it is unclear in the sample having no amplification effect. It is considered that this is due to the charges trapped in the trap sites of the optical sensor, and the amplification effect is expected unless the optical sensor accumulates enough electric charge that the peak can be clearly observed in the thermal stimulation current measurement. Can not. Also, the shape of this peak, the value of the peak,
The temperature range and the like differ depending on the material used. Further, although the detailed reason is unknown, the optical sensor of the present invention does not stably exhibit sufficient sensitivity immediately after production. Then, in order to fully express the above-mentioned amplification effect, after manufacturing the optical sensor,
It is necessary to age for a certain period. In particular, the performance can be exhibited by performing the aging in a dark place where the relative humidity is 60% or less.

【００３６】本発明の光センサーを用いた情報記録装置
を図面によって説明する。図８は、情報記録装置の一例
を説明する断面図である。光センサー１と情報記録媒体
２をポリイミドのような絶縁性樹脂フィルムからなるス
ペーサー１９を介して、対向配置している。情報記録媒
体２は基板１５上に情報記録媒体の電極１３’、情報記
録層１１を有しており、電極１３、１３’は、いずれか
一方、または両方が透明性であればよい。両電極１３お
よび１３’に電圧を印加する第１の情報記録装置が構成
される。An information recording device using the optical sensor of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a sectional view illustrating an example of the information recording device. The optical sensor 1 and the information recording medium 2 are arranged to face each other with a spacer 19 made of an insulating resin film such as polyimide interposed therebetween. The information recording medium 2 has an electrode 13 ′ of the information recording medium and an information recording layer 11 on a substrate 15, and either one of the electrodes 13 and 13 ′ or both of them may be transparent. A first information recording device for applying a voltage to both electrodes 13 and 13 'is configured.

【００３７】次に、第２の情報記録装置について説明す
る。図９は、本発明の第２の情報記録装置を断面図によ
り示す図であり、図中２０は誘電体層であり、図８と同
一符号で表される部分は図７と同一の内容を示す。第２
の情報記録装置は、第１の情報記録装置における光セン
サーと情報記録媒体とを誘電体層２０を介して対向配置
し、直接積層したものである。第２の情報記録装置は、
光センサーにおける光導電層が溶媒を使用して塗布形成
される場合に特に適しており、光導電層上に情報記録層
を直接塗布形成すると、それらの相互作用により情報記
録層における液晶が溶出したり、又、情報記録層形成用
の溶媒により光導電材料が溶出することによる画像むら
を防止することができ、また光センサーと情報記録媒体
との一体化を可能とするものである。誘電体層２０は、
その形成にあたって、光導電層形成材料、情報記録層形
成材料のいずれに対しても溶解性を有しないことが必要
であり、また導電性を有しないことが必要である。導電
性を有する場合には、空間電荷の拡散が生じ、解像度の
劣化を生じることから絶縁性が要求される。また、誘電
体層は液晶層に印加される分配電圧を低下させたり、或
いは解像性を悪化させるので、膜厚は薄い方が好まし
く、２μｍ以下とすることが良いが、逆に薄くすること
により、経時的な相互作用による画像ノイズの発生ばか
りでなく、積層塗布する際にピンホール等の欠陥による
浸透の問題が生じる。ピンホール等の欠陥による浸透性
は積層塗布する材料の固形分比率、溶媒の種類、粘度に
より異なるので、積層塗布されるものの膜厚は適宜設定
されるが、少なくとも１０μｍ以下の膜厚とすると良
く、好ましくは０．１〜３μｍとすると良い。さらに、
各層に印加される電圧分配を考慮した場合、薄膜化と共
に誘電率の高い材料が好ましい。誘電体層を形成する材
料としては、無機材料ではＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ
2 、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ2 、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＭｇＦ2 、ＺｎＳ、二酸化ケイ素と二酸化チタンとの組
み合わせ、硫化亜鉛とフッ化マグネシウムの組み合わ
せ、酸化アルミニウムとゲルマニウムの組み合わせ等を
使用し、蒸着法、スパッタリング法、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法等により積層して形成するとよい。また、有機溶
剤に対して相溶性の少ない水溶性樹脂、例えばポリビニ
ルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス等の水溶液
を使用し、スピンコート法、ブレードコート法、ロール
コート法等により積層してもよい。更に、塗布可能なフ
ッ素樹脂を使用してもよく、この場合にはフッ素系溶剤
に溶解し、スピンコート法により塗布するか、またブレ
ードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。塗布可能なフッ素樹脂としては、例えば特開平４−
２４７２２号公報等に開示されたフッ素樹脂、更に真空
系で膜形成されるポリパラキシリレン等の有機材料を好
ましく使用することができる。Next, the second information recording device will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a second information recording apparatus of the present invention, in which 20 is a dielectric layer, and the portions denoted by the same reference numerals as those in FIG. 8 have the same contents as those in FIG. Show. Second
In the information recording apparatus, the optical sensor and the information recording medium in the first information recording apparatus are arranged so as to face each other with the dielectric layer 20 in between, and are directly laminated. The second information recording device is
It is particularly suitable when the photoconductive layer in the photosensor is formed by coating using a solvent, and when the information recording layer is directly formed by coating on the photoconductive layer, the liquid crystal in the information recording layer elutes due to their interaction. In addition, it is possible to prevent image unevenness due to the elution of the photoconductive material by the solvent for forming the information recording layer, and it is possible to integrate the optical sensor and the information recording medium. The dielectric layer 20 is
In forming it, it is necessary that it is not soluble in both the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material, and that it is not conductive. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, the dielectric layer lowers the distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution. Therefore, it is preferable that the film thickness is thin, preferably 2 μm or less. As a result, not only image noise is generated due to interaction over time, but also a problem of penetration due to a defect such as a pinhole occurs during multilayer coating. The penetrability due to defects such as pinholes varies depending on the solid content ratio of the material to be laminated and coated, the type of solvent, and the viscosity, so the thickness of the laminated coating is set appropriately, but a thickness of at least 10 μm or less is preferable. , Preferably 0.1 to 3 μm. further,
In consideration of distribution of voltage applied to each layer, it is preferable to use a material having a high dielectric constant as well as a thin film. As a material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , and CeO are used.
2 , Al 2 O 3 , GeO 2 , Si 3 N 4 , AlN, TiN,
Using a combination of MgF 2 , ZnS, a combination of silicon dioxide and titanium dioxide, a combination of zinc sulfide and magnesium fluoride, a combination of aluminum oxide and germanium, a vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition (CV
It may be formed by stacking by the method D) or the like. Alternatively, a water-soluble resin having a low compatibility with an organic solvent, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol, water-based polyurethane, water glass, or the like may be used and laminated by a spin coating method, a blade coating method, a roll coating method, or the like. Further, a coatable fluororesin may be used, and in this case, it may be dissolved in a fluorine-based solvent and applied by a spin coating method, or may be laminated by a blade coating method, a roll coating method or the like. The fluororesin which can be applied is, for example, JP-A-4-
Fluorine resins disclosed in Japanese Patent No. 24722 and the like, and organic materials such as polyparaxylylene film-formed in a vacuum system can be preferably used.

【００３８】情報記録層には、光センサーによって得ら
れる光電流を記録することが可能な各種の情報記録媒体
を用いることができるが、情報記録層として液晶を用い
ることがとくに好ましい。情報記録層として用いる液晶
には、高分子分散型液晶を用いる場合が挙げられる。一
般には、高分子樹脂材料と液晶から構成される高分子分
散型液晶は樹脂相中に液晶相がカプセル状に分散した構
造を有している。そして、高分子分散型液晶にはスメク
チック液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶ある
いはこれらの混合物を使用することができる。また、そ
の配向性を保持し、情報を永続的に保持させる、いわゆ
るメモリー性の観点から、スメクチック液晶を使用する
のが好ましい。スメクチック液晶としては、液晶性を呈
する物質の末端基の炭素基が長いシアノビフェニル系、
シアノタ−フェニル系、フェニルエステル系、更にフッ
素系等のスメクチックＡ相を呈する液晶物質、強誘電性
液晶として用いられるスメクチックＣ相を呈する液晶物
質、或いはスメクチックＨ、Ｇ、Ｅ、Ｆ等を呈する液晶
物質等が挙げられる。For the information recording layer, various information recording media capable of recording a photocurrent obtained by an optical sensor can be used, but it is particularly preferable to use liquid crystal as the information recording layer. Examples of the liquid crystal used as the information recording layer include polymer dispersed liquid crystals. Generally, a polymer-dispersed liquid crystal composed of a polymer resin material and liquid crystal has a structure in which a liquid crystal phase is dispersed in a resin phase in a capsule shape. As the polymer-dispersed liquid crystal, smectic liquid crystal, nematic liquid crystal, cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof can be used. In addition, it is preferable to use a smectic liquid crystal from the viewpoint of so-called memory property that retains its orientation and retains information permanently. As smectic liquid crystals, a cyanobiphenyl-based substance having a long carbon group as a terminal group of a substance exhibiting liquid crystallinity,
Liquid crystal substance showing smectic A phase such as cyanota-phenyl type, phenyl ester type and fluorine type, liquid crystal substance showing smectic C phase used as ferroelectric liquid crystal, or liquid crystal showing smectic H, G, E, F, etc. Examples include substances.

【００３９】樹脂相に用いる樹脂材料としては各種の高
分子材料を用いることができる。As the resin material used for the resin phase, various polymer materials can be used.

【００４０】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマ
ー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性
を有するものを好ましく使用できる。このような紫外線
硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料と
共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶性の熱硬化性樹
脂、例えばアクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、およびこれらを主体とした
共重合体等、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用し
てもよい。また、ジペンタエリストールヘキサアクリレ
ート等の多官能性モノマー、光硬化開始剤、スメクチッ
ク液晶あるいはスメクチック液晶とネマチック液晶の混
合物、フッ素含有界面活性剤を有機溶剤に均一に溶解し
て得た塗布液を基板上の電極面上に塗布した後、紫外線
照射によって塗布膜を硬化させた場合に得られる情報記
録層は、表面が紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内部には
連続相を形成する液晶中に粒径の小さな樹脂粒子相が充
填した高分子分散型液晶からなる情報記録層を情報記録
媒体として使用することが好ましい。The material for forming the resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin which is compatible with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state, or a solvent which is common to the liquid crystal material in the monomer or oligomer state. Those having compatibility with can be preferably used. Examples of such an ultraviolet curable resin include acrylic acid ester and methacrylic acid ester. In addition, solvent-soluble thermosetting resins that are compatible with the same solvent as the liquid crystal material, such as acrylic resin, methacrylic resin, polyester resin, polystyrene resin, and copolymers mainly containing these, epoxy resin, silicone resin Etc. may be used. Further, a polyfunctional monomer such as dipentaerythritol hexaacrylate, a photo-curing initiator, a smectic liquid crystal or a mixture of a smectic liquid crystal and a nematic liquid crystal, a coating solution obtained by uniformly dissolving a fluorine-containing surfactant in an organic solvent is prepared. The information recording layer obtained by coating the electrode surface on the substrate and then curing the coating film by UV irradiation has a surface covered with a UV-curable resin, and a liquid crystal forming a continuous phase inside the layer. It is preferable to use an information recording layer made of a polymer-dispersed liquid crystal filled with a resin particle phase having a small particle diameter as an information recording medium.

【００４１】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマ
ー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性
を有するものを好ましく使用できる。このような紫外線
硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料と
共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶性の熱硬化性樹
脂、例えばアクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、およびこれらを主体とした
共重合体等、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用し
てもよい。情報記録層を形成する液晶材料と樹脂の使用
割合は、液晶の含有率が１０重量％〜９０重量％、好ま
しくは４０重量％〜８０重量％となるように使用すると
よく、１０重量％未満であると情報記録により液晶相が
配向しても光透過性が低く、また、９０重量％を超える
と液晶のしみ出し等の現象が生じ、画像むらが生じ好ま
しくない。情報記録層の膜厚は解像性に影響を与えるの
で、乾燥後膜厚０．１μｍ〜１０μｍ、好ましくは３μ
ｍ〜８μｍとするとよく、高解像性を維持しつつ、動作
電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報記
録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電圧
が高くなるので好ましくない。以上のように、情報記録
媒体として、情報露光による記録を液晶の配向により可
視化した状態とするものであるが、液晶と樹脂との組み
合せを選ぶことにより、一度配向し、可視化した情報は
消去せず、メモリ性を付与することができる。また、等
方相転移付近の高温に加熱すると、メモリー性を消去す
ることができるので、再度の情報記録に使用することが
できる。The material for forming the resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin which is compatible with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state, or a solvent which is common to the liquid crystal material in the monomer or oligomer state. Those having compatibility with can be preferably used. Examples of such an ultraviolet curable resin include acrylic acid ester and methacrylic acid ester. In addition, solvent-soluble thermosetting resins that are compatible with the same solvent as the liquid crystal material, such as acrylic resin, methacrylic resin, polyester resin, polystyrene resin, and copolymers mainly containing these, epoxy resin, silicone resin Etc. may be used. The liquid crystal material and resin used for forming the information recording layer may be used so that the content of the liquid crystal is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight to 80% by weight. If it is present, even if the liquid crystal phase is aligned by information recording, the light transmittance is low, and if it exceeds 90% by weight, a phenomenon such as exudation of the liquid crystal occurs, resulting in image unevenness, which is not preferable. Since the film thickness of the information recording layer affects the resolution, the film thickness after drying is 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm.
The range of m to 8 μm is preferable, and the operating voltage can be lowered while maintaining high resolution. If the film thickness is too thin, the contrast of the information recording portion will be low, and if it is too thick, the operating voltage will be high, which is not preferable. As described above, as the information recording medium, the recording by the information exposure is made visible by the alignment of the liquid crystal, but by selecting the combination of the liquid crystal and the resin, the information once aligned and the visualized information can be erased. Instead, a memory property can be provided. Further, by heating to a high temperature near the isotropic phase transition, the memory property can be erased, so that it can be used for recording information again.

【００４２】また、情報記録装置における情報記録媒体
としては、液晶を用いる情報記録層以外に、例えば特開
平３−７９４２号、特開平５−１０７７７５号、特開平
５−１０７７７６号、特開平５−１０７７７７号公報、
特開平４−７０８４２号公報等に記載されている電荷保
持層を情報記録層とすると静電情報記録媒体を使用して
もよく、この場合には情報は情報記録媒体において静電
荷の形で蓄積されるので、その静電電荷をトナー現像す
るか、またはその静電電荷を例えば特開平１−２９０３
６６号公報等に記載されるように電位読み取りにより再
生することができる。また、特開平４−４６３４７号公
報等に記載される、熱可塑性樹脂層を情報記録層とする
情報記録媒体を使用してもよく、この場合には、前記同
様に情報を静電荷の形で表面に蓄積した後、熱可塑性樹
脂層が加熱されることにより、情報をフロスト層として
蓄積し、可視情報として情報再生することが可能であ
る。Further, as an information recording medium in the information recording apparatus, in addition to the information recording layer using liquid crystal, for example, JP-A-3-7942, JP-A-5-107775, JP-A-5-107776, and JP-A-5-10777 can be used. No. 107777,
An electrostatic information recording medium may be used when the charge storage layer described in JP-A-4-70842 is used as an information recording layer. In this case, information is stored in the information recording medium in the form of electrostatic charge. Therefore, the electrostatic charge is developed by toner, or the electrostatic charge is developed by, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-29033.
As described in Japanese Patent No. 66, etc., it can be reproduced by potential reading. Further, an information recording medium having a thermoplastic resin layer as an information recording layer described in JP-A-4-46347 may be used. In this case, the information is recorded in the form of electrostatic charge in the same manner as described above. When the thermoplastic resin layer is heated after being accumulated on the surface, information can be accumulated as a frost layer and reproduced as visible information.

【００４３】次に、本発明の第１および第２の情報記録
装置における情報記録方法について説明する。図１０
は、本発明の第１の情報記録装置における情報記録方法
を説明するための図である。第２の情報記録装置におい
ても同様である。図中１１は情報記録層、１３は光セン
サーの電極、１３’は情報記録媒体の電極、１６は光誘
起電流増幅層、１４は光導電層、２１は光源、２２は駆
動機構を有するシャッター、２３は電源となるパルスジ
ェネレーター、２４は暗箱を示す。電極１３、１３’の
間に、パルスジェネレーター２３により適当な電圧を印
加しつつ、光源２１から情報光を入射させると、光が入
射した部分の光導電層１４で発生した光キャリアは、両
電極により形成される電界により情報記録層１１側の界
面まで移動し、電圧の再配分が行われ、情報記録層１１
における液晶層が配向し、情報光のパターンに応じた記
録が行われる。Next, an information recording method in the first and second information recording devices of the present invention will be described. Figure 10
FIG. 6 is a diagram for explaining an information recording method in the first information recording device of the present invention. The same applies to the second information recording device. In the figure, 11 is an information recording layer, 13 is an electrode of an optical sensor, 13 'is an electrode of an information recording medium, 16 is a photoinduced current amplification layer, 14 is a photoconductive layer, 21 is a light source, 22 is a shutter having a drive mechanism, Reference numeral 23 is a pulse generator that serves as a power source, and 24 is a dark box. When information light is incident from the light source 21 while applying an appropriate voltage by the pulse generator 23 between the electrodes 13 and 13 ′, the photo carriers generated in the photoconductive layer 14 at the portion where the light is incident are generated on both electrodes. Is moved to the interface on the information recording layer 11 side by the electric field formed by the above, and the voltage is redistributed.
The liquid crystal layer is aligned, and recording is performed according to the pattern of the information light.

【００４４】本発明の情報記録方法においては面状アナ
ログ記録が可能であり、情報記録媒体として液晶を使用
した場合には、液晶の大きさを基本的な単位とする情報
記録が可能となるので、高解像度の記録となり、また露
光パターンは液晶相の配向により可視像化されて保持さ
れる。情報記録システムの形態としては、カメラによる
方法、またレーザーによる記録方法がある。カメラによ
る方法としては、通常のカメラに使用されている写真フ
ィルムの代わりに情報記録媒体を使用して記録部材とす
るもので、光学的なシャッタも使用し得るし、また電気
的なシャッタも使用し得る。また、プリズム及びカラー
フィルターにより光情報を、Ｒ、Ｇ、Ｂ光成分に分離
し、平行光として取り出しＲ、Ｇ、Ｂの各色用の３個の
情報記録媒体で１コマを形成するか、または１個の情報
記録媒体の異なる部分にＲ、Ｇ、Ｂの各画像を記録して
１コマとすることにより、カラー撮影することもでき
る。In the information recording method of the present invention, planar analog recording is possible, and when liquid crystal is used as the information recording medium, information recording is possible with the size of the liquid crystal as a basic unit. High-resolution recording is achieved, and the exposure pattern is retained as a visible image due to the orientation of the liquid crystal phase. As a form of the information recording system, there are a camera method and a laser recording method. As a method using a camera, an information recording medium is used as a recording member instead of a photographic film used in a normal camera, and an optical shutter can be used and an electric shutter can also be used. You can Further, the optical information is separated into R, G, and B light components by a prism and a color filter and taken out as parallel light to form one frame with three information recording media for each of R, G, and B, or Color recording can also be performed by recording R, G, and B images on different portions of one information recording medium to form one frame.

【００４５】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー（５１４．４８８ｎ
ｍ）、ヘリウム−ネオンレーザー（６３３ｎｍ）、半導
体レーザー（７８０ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のＯＮ−ＯＦＦ制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターＯＮ−ＯＦＦ制御を行って形成す
るものである。なお、光センサーにおける光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。The laser recording method is as follows:
Argon laser (514.488n)
m), a helium-neon laser (633 nm), a semiconductor laser (780 nm, 810 nm, etc.) can be used,
Laser exposure corresponding to an image signal, a character signal, a code signal, and a line drawing signal is performed by scanning. An analog recording such as an image is performed by modulating the light intensity of the laser, and a digital recording such as a character, a code or a line drawing is performed by ON / OFF control of the laser light. Further, in the image, halftone dots are formed by performing dot generator ON-OFF control on laser light. The spectral characteristic of the photoconductive layer in the optical sensor does not need to be panchromatic, and may be sensitive to the wavelength of the laser light source.

【００４６】情報記録媒体に記録された露光情報は、図
１１に示すように第１の情報記録装置の場合には情報記
録媒体を分離して、また第２の情報記録装置の場合には
そのまま透過光により情報を再生すると、情報記録部で
は液晶が電界方向に配向するために光Ａは透過するのに
対して、情報を記録していない部位においては光Ｂは散
乱し、情報記録部とのコントラストが得られる。また、
光反射層を介して反射光により読み取ってもよい。この
積層体を組み込んだ図１０に示すように第一の情報記録
装置において、例えば、撮像用カメラ（例えばマミヤ社
製ＲＢ６７）の写真フィルムに代えて本発明の光センサ
ーと情報記録媒体を取り付けて、光センサーと情報記録
媒体における両電極間に７００Ｖの直流電圧を０．０４
秒印加すると同時に、グレースケールを１／３０秒間、
光センサー側から投影露光することにより、情報記録媒
体の情報記録層にグレースケールに応じた光透過部から
なる記録部が形成され、情報記録を行うことができる。The exposure information recorded on the information recording medium is separated from the information recording medium in the case of the first information recording apparatus as shown in FIG. 11 and is unchanged in the case of the second information recording apparatus. When the information is reproduced by the transmitted light, the light A is transmitted because the liquid crystal is oriented in the direction of the electric field in the information recording portion, while the light B is scattered in the portion where the information is not recorded and the information recording portion The contrast of is obtained. Also,
You may read by reflected light via a light reflection layer. As shown in FIG. 10 in which this laminated body is incorporated, in the first information recording apparatus, for example, the optical sensor and the information recording medium of the present invention are attached in place of the photographic film of the imaging camera (for example, RB67 manufactured by Mamiya). , DC voltage of 700V between both electrodes of optical sensor and information recording medium 0.04
For 1/30 seconds,
By performing projection exposure from the side of the optical sensor, a recording portion including a light transmitting portion corresponding to gray scale is formed in the information recording layer of the information recording medium, and information recording can be performed.

【００４７】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、図１２に示す情報出力装置により、情報記録媒体を
ＣＣＤラインセンサーを有するイメージスキャナーによ
って記録情報を読み取り、その情報を昇華転写プリンタ
ー（例えば、日本ビクター社製ＳＰ−５５００）を使用
して情報出力することによりグレースケールに応じた良
好な印刷物を得ることができる。液晶の配向により記録
された情報は、目視による読み取りが可能な可視情報で
あるが、投影機により拡大して読み取ることもでき、レ
ーザー走査、或いはＣＣＤを用いて高精度で情報を読み
取ることができる。なお必要に応じてシュリーレン光学
系を用いることにより散乱光を防ぐことができる。Then, the information recorded on the information recording medium is read by the information output device shown in FIG. 12 by an image scanner having a CCD line sensor, and the information is read by a sublimation transfer printer (for example, Victor Company of Japan). A good printed matter corresponding to a gray scale can be obtained by outputting information using SP-5500 manufactured by Co., Ltd. The information recorded by the orientation of the liquid crystal is visible information that can be visually read, but it can also be read by enlarging it with a projector, and can read the information with high accuracy using laser scanning or a CCD. . If necessary, scattered light can be prevented by using a Schlieren optical system.

【００４８】[0048]

【作用】本発明の光センサーは光誘起電流増幅層を光導
電層と電極との間に設けることにより、電極と光導電層
間の電荷キャリヤー注入を安定に制御し、光照射をして
いないときに光センサー素子全体の導電性を半導電性に
するとともに、光照射時に生じ易い光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらを無くす作用を有し、増幅作
用を有する。この特性の詳細な理由は不明であるが、情
報光の照射に伴い発生する光キャリアの全てが電圧印加
状態において光導電層の層幅方向に移動するわけでな
く、光キャリアの一部が光誘起電流増幅層中に存在する
トラップサイトにトラップされ、電極界面のエネルギー
障壁が急峻になるとともに薄くなる結果、トンネル効果
により光電流に加えて注入された電荷による電流は、電
圧印加した状態では露光により発生する光電流に加え
て、みかけの光電流を増幅させるものと考えられる。そ
して電圧を印加した状態を維持しつつ露光を終了する場
合には、露光により生じた光キャリアはただちに減衰し
て消滅するが、トラップされた電荷の減衰は緩やかであ
るためトラップされた電荷により誘起される電極からの
注入電流は減衰しながらも十分な量が流れるものと考え
られる。In the photosensor of the present invention, by providing the photoinduced current amplification layer between the photoconductive layer and the electrode, the charge carrier injection between the electrode and the photoconductive layer is stably controlled, and when light irradiation is not performed. In addition, the conductivity of the entire optical sensor element is made semi-conductive, and the partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, which tends to occur during light irradiation, is eliminated and the amplification effect is obtained. Although the detailed reason for this characteristic is unknown, not all of the photocarriers generated with the irradiation of the information light move in the layer width direction of the photoconductive layer in the voltage applied state, and some of the photocarriers are As a result of being trapped at the trap sites existing in the induced current amplification layer, the energy barrier at the electrode interface becomes steep and thin, and as a result, the current due to the injected charges in addition to the photocurrent due to the tunnel effect is exposed when voltage is applied. It is considered that the apparent photocurrent is amplified in addition to the photocurrent generated by. When the exposure is terminated while maintaining the voltage applied, the photo carriers generated by the exposure immediately decay and disappear, but the decay of the trapped charges is slow, so the photo carriers are induced by the trapped charges. It is considered that a sufficient amount of the injected current from the electrode is flowed while being attenuated.

【００４９】また、上述の光誘起電流増幅層中に存在す
るトラップサイトは光照射前から一部充填されており、
この状態を所定の値に設定した光誘起電流増幅層を電極
と光導電層との間に設けることにより、電極から光導電
層への電荷キャリヤー注入を安定的に制御することがで
きるものと考えられる。その結果、光照射をしていない
ときの光センサー素子全体の導電性を本発明の導電性の
範囲である半導電性にすることができるのと同時に、電
極と光導電層界面における不均一な接触によって生じ易
い電極から光導電層への不均一な電荷キャリヤー注入が
原因で起きていると推測される比較的広い範囲で生じ感
度むらとして観測される部分的なむらや、局所的に生じ
ノイズとして観測される局所的なむらがなくなるものと
考えられる。The trap sites existing in the photoinduced current amplification layer are partially filled before the light irradiation,
It is considered that the injection of charge carriers from the electrode to the photoconductive layer can be stably controlled by providing a photoinduced current amplification layer in which this state is set to a predetermined value between the electrode and the photoconductive layer. To be As a result, the conductivity of the entire photosensor element when not irradiated with light can be made semiconducting, which is the conductivity range of the present invention, and at the same time, the nonuniformity at the interface between the electrode and the photoconductive layer It is presumed that it is caused by nonuniform charge carrier injection from the electrode to the photoconductive layer, which is likely to occur due to contact. It is considered that the local unevenness observed as is eliminated.

【００５０】その結果、本発明の光センサーを用いて情
報記録媒体の情報記録を行うと、高感度かつ感度むらや
ノイズのない良質な情報記録が可能となる。As a result, when the optical sensor of the present invention is used to record information on an information recording medium, it is possible to perform high-sensitivity and high-quality information recording without sensitivity unevenness and noise.

【００５１】[0051]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 実施例１ （光誘起電流増幅層作製用塗布液の調整）下記の化学構
造のEmbodiments of the present invention will be described below. Example 1 (Preparation of coating liquid for producing photoinduced current amplification layer)

【００５２】[0052]

【化１】 Embedded image

【００５３】を有するフルオレノンアゾ顔料３重量部、
ポリビニルブチラール樹脂１重量部とを、１，４−ジオ
キサン９８重量部、シクロヘキサノン９８重量部とを混
合し、混合機によって充分に混練を行い顔料分散液とし
た。この顔料分散液中に顔料１ｍｏｌに対し、電子受容
性物質として下記構造の3 parts by weight of fluorenone azo pigment having
1 part by weight of polyvinyl butyral resin was mixed with 98 parts by weight of 1,4-dioxane and 98 parts by weight of cyclohexanone, and sufficiently kneaded with a mixer to obtain a pigment dispersion liquid. In this pigment dispersion, 1 mol of the pigment was used as an electron-accepting substance having the following structure.

【００５４】[0054]

【化２】 Embedded image

【００５５】２，５−ジクロロ−ｐ−ベンゾキノン０．
１ｍｏｌを完全に溶解し、光誘起電流増幅層用塗布液を
得た。2,5-dichloro-p-benzoquinone 0.
1 mol was completely dissolved to obtain a coating liquid for photoinduced current amplification layer.

【００５６】（積層型光センサーの作製）充分洗浄した
厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に、スパッタリングによ
り面積抵抗８０Ω／口、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を成
膜し、電極を得た。電極をスクラバー洗浄機（商品名プ
レートクリーナー モデル６０２ ウルトラテック社）
にて、純水噴射２秒、スクラバー洗浄２０秒、純水リン
ス１５秒、高速回転による水分の除去２５秒、赤外線乾
燥５５秒の洗浄処理を２回行った。この電極上に、先に
調整した光誘起電流増幅層作製用塗布液を用い、スピン
ナーによって４０００ｒｐｍ、０．４秒間回転して塗布
し、無塵下で放置しレベリング乾燥を行った後、１００
℃、０．５時間乾燥して膜厚１００ｎｍの光誘起電流増
幅層を積層した。(Production of Laminated Photosensor) An ITO film having a sheet resistance of 80 Ω / port and a film thickness of 100 nm was formed by sputtering on a sufficiently washed glass substrate having a thickness of 1.1 mm to obtain an electrode. Scrubber cleaning machine for electrodes (trade name: Plate Cleaner Model 602 Ultratech)
At this time, the cleaning treatment was performed twice: pure water spraying 2 seconds, scrubber cleaning 20 seconds, pure water rinse 15 seconds, water removal by high speed rotation 25 seconds, and infrared drying 55 seconds. The photo-induced current amplification layer preparation coating solution prepared above was applied on this electrode by a spinner while rotating at 4000 rpm for 0.4 seconds, and the coating solution was left standing in a dust-free state for leveling and drying.
After drying at 0 ° C. for 0.5 hour, a photoinduced current amplification layer having a film thickness of 100 nm was laminated.

【００５７】この光誘起電流増幅層上に、電荷発生物質
として、下記構造On the photo-induced current amplification layer, the following structure was used as a charge generating substance.

【００５８】[0058]

【化３】 Embedded image

【００５９】を有するピロロピロール顔料（チバガイギ
ー社製）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で３ｎｍ／秒の速度
で蒸着し、２００ｎｍの層を積層し、これをアセトン蒸
気中に１時間放置することにより電荷発生層を作製し
た。次に、電荷発生層上に、電荷輸送性物質として下記
構造Pyrrolopyrrole pigment having (manufactured by Ciba Geigy) was vapor-deposited under a vacuum of 10 −6 Torr at a rate of 3 nm / sec to form a 200 nm layer, which was left in acetone vapor for 1 hour. A charge generation layer was prepared. Next, on the charge generation layer, the following structure was formed as a charge transporting substance.

【００６０】[0060]

【化４】 [Chemical 4]

【００６１】を有するビフェニルアミン誘導体５重量部
とポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学製 ユーピロン
Ｚ−２００）１重量部とジクロロメタン１４重量部、
１，１，２−トリクロロエタン２２重量部とを均一に溶
解し塗布液とし、スピンナーにて４００ｒｐｍ、０．４
秒で塗布し、塗膜の表面に被膜が形成されて、表面が付
着しなくなるまでの間、無風状態で放置しレベリング乾
燥を行った後、８０℃、２時間乾燥して電荷輸送層を積
層し、電荷発生層と電荷輸送層とからなる膜厚１０μｍ
の光導電層を有する光センサーを作製し、相対湿度６０
％以下の暗所にてエージングを行った。5 parts by weight of a biphenylamine derivative having 1 part by weight of a polycarbonate resin (Iupilon Z-200 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) and 14 parts by weight of dichloromethane,
22 parts by weight of 1,1,2-trichloroethane are uniformly dissolved to obtain a coating solution, which is spinner at 400 rpm, 0.4
It is applied for 2 seconds, and the film is formed on the surface of the coating film, left to stand in a windless state for leveling drying until the surface does not adhere, and then dried at 80 ° C. for 2 hours to laminate the charge transport layer. And the film thickness consisting of the charge generation layer and the charge transport layer is 10 μm.
A photosensor having a photoconductive layer of
%, And aging was performed in a dark place.

【００６２】（光センサーの電気特性）得られた光セン
サーの電気特性を測定するために、光センサーの電荷輸
送層上に、０．１６ｃｍ2 、厚さ１０ｎｍ、表面抵抗１
ｋΩ／□の金層を蒸着して電極を形成し、測定用光セン
サーとした。図１３に示すような電流測定装置に装着し
た。図中、１５は光センサー支持体、１３は光センサー
電極、１６は光誘起電流増幅層、１４は電荷発生層およ
び電荷輸送層からなる光導電層、３０は金電極、３１は
光源、３２はシャッター（コパル社製 Ｎｏ．０ 電磁
シャッター）、３３はシャッター駆動機構、３４はパル
スジェネレーター（横河ヒューレットパッカード社
製）、３５はオシロスコープである。この電流測定装置
において、光センサーにおける電極１３を正、金電極を
負として、両電極間に１５０Ｖ（１５Ｖ／μｍ）の直流
電圧を印加するとともに、電圧印加開始後０．５秒後
に、ガラス基板側から０．０３３秒間光照射し、光照射
開始時間をｔ＝０として、光センサーに流れる電流を測
定した。照射光はキセノンランプ（浜松ホトニクス社製
Ｌ２２７４）を光源に、グリーンフィルター（日本真空
光学社製）により得られる緑色光を、２０ｌｕｘの強度
で照射した。照射光強度を照度計（ミノルタ社製）で測
定し、使用したフィルターの特性を図４に示す。(Electrical Characteristics of Optical Sensor) In order to measure the electrical characteristics of the obtained optical sensor, 0.16 cm 2 , thickness of 10 nm and surface resistance of 1 were formed on the charge transport layer of the optical sensor.
A gold layer of kΩ / □ was vapor-deposited to form an electrode, which was used as a measurement optical sensor. It was mounted on a current measuring device as shown in FIG. In the figure, 15 is a photosensor support, 13 is a photosensor electrode, 16 is a photoinduced current amplification layer, 14 is a photoconductive layer consisting of a charge generation layer and a charge transport layer, 30 is a gold electrode, 31 is a light source, and 32 is A shutter (No. 0 electromagnetic shutter manufactured by Copal), 33 is a shutter drive mechanism, 34 is a pulse generator (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard), and 35 is an oscilloscope. In this current measuring device, a DC voltage of 150 V (15 V / μm) was applied between both electrodes with the electrode 13 in the photosensor being positive and the gold electrode being negative, and 0.5 seconds after the start of voltage application, the glass substrate Light was irradiated from the side for 0.033 seconds, and the light irradiation start time was set to t = 0, and the current flowing through the photosensor was measured. As the irradiation light, a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics KK) was used as a light source, and green light obtained by a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) was irradiated at an intensity of 20 lux. The irradiation light intensity was measured with an illuminometer (manufactured by Minolta), and the characteristics of the filter used are shown in FIG.

【００６３】光照射の終了後も電圧印加を継続し、光照
射開始時間から０．１５秒間電圧印加を継続した。その
間の電流の時間変化をオシロスコープにより測定した。
また、露光しないで電圧印加のみを行い、同様にして電
流測定した結果を同時に示す。測定は室温で行った。そ
の結果を図１４に示す。横軸は電圧印加時間（秒）、縦
軸は電流密度（１０-6Ａ／ｃｍ2 ）である。図におい
て、（Ａ）線は露光した場合の電流測定値、（Ｂ）線は
露光しないで電圧のみを印加した場合である。（Ａ）線
に示されるように、本発明の光センサーにより電流値
は、２つの変曲点（ａ）、（ｂ）が観測される。変曲点
（ａ）から下の電流量は、後述する比較センサーとの比
較から、露光量に応じた電流（以下、光誘起電流とい
う）の量であると考えられる。また、変曲点（ｂ）は露
光終了に伴う電流量の変化点であり、露光を終了しても
未露光時でも電圧印加に応じた電流が持続して流れ、徐
々に減衰していくことがわかる。すなわち、この図か
ら、本発明における光センサーは、露光の間は光誘起電
流が増加し続け、露光後も光誘起電流が持続し、一定の
時間を経て減衰していくことがわかる。この光センサー
に流れる電流値から、比抵抗は４×１１11Ω・ｃｍであ
った。また、見かけの量子効率の算出を行い図１５に示
した。本発明の光センサーでは量子効率１を大きく超
え、最大で８近くまでの値を示した。The voltage application was continued even after the light irradiation was completed, and the voltage application was continued for 0.15 seconds from the light irradiation start time. The time change of the current during that time was measured by an oscilloscope.
Moreover, only the voltage is applied without exposure and the result of current measurement is shown at the same time. The measurement was performed at room temperature. The result is shown in FIG. The horizontal axis represents voltage application time (second), and the vertical axis represents current density (10 −6 A / cm 2 ). In the figure, line (A) is the measured current value when exposed, and line (B) is the case where only voltage is applied without exposure. As shown by the line (A), two inflection points (a) and (b) are observed in the current value by the optical sensor of the present invention. The amount of current below the inflection point (a) is considered to be the amount of current (hereinafter referred to as photoinduced current) according to the amount of exposure in comparison with a comparison sensor described later. Further, the inflection point (b) is a change point of the current amount with the end of the exposure, and the current corresponding to the voltage application continuously flows and gradually attenuates even after the exposure is completed and during the non-exposure. I understand. That is, it can be seen from this figure that in the photosensor of the present invention, the photoinduced current continues to increase during exposure, the photoinduced current continues after exposure, and decays after a certain period of time. From the value of the current flowing through this optical sensor, the specific resistance was 4 × 11 11 Ω · cm. Moreover, apparent quantum efficiency was calculated and shown in FIG. The optical sensor of the present invention greatly exceeded the quantum efficiency of 1, and exhibited a value of up to about 8.

【００６４】（情報記録媒体の作製）厚さ１．１ｍｍの
ガラス基板上に膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリ
ングにより成膜し、電極を得たのち、表面洗浄を行っ
た。この電極上に、多官能性モノマー（ジペンタエリス
トールヘキサアクリレート、東亞合成化学工業製、Ｍ−
４００）４０重量部、光硬化開始剤（２−ヒドロキシ−
２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、チバガ
イギー社製、ダロキュア１１７３）２重量部、液晶（ス
メクチック液晶（メルク社製、Ｓ−６）を９０％、ネマ
チック液晶（メルク社製、Ｅ３１ＬＶ）を１０％含有）
５０重量部、界面活性剤（住友スリーエム社製、フロラ
ードＦＣ−４３０）３重量部をキシレン９６重量部中に
均一に溶解して得た塗布液を、５０μｍの間隔に設定し
たブレードコーターを用いて塗布した後、４７℃で３分
間乾燥し、次いで４７℃で２分間減圧乾燥を行い、直ち
に０．３Ｊ／ｃｍ2 の紫外線照射によって塗布膜を硬化
させ、膜厚６μｍの情報記録層を有する情報記録媒体を
得た。情報記録層面を熱メタノールを用いて液晶を抽出
し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡（日立製作所製
Ｓ−８００）で１０００倍で内部構造を観察したとこ
ろ、層の表面は０．６μｍの紫外線硬化型樹脂で覆わ
れ、層内部には連続層を成す液晶相中に、粒径０．１μ
ｍの樹脂粒子相が充填した構造を有していた。(Production of Information Recording Medium) An ITO film having a thickness of 100 nm was formed by sputtering on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm to obtain an electrode, and then the surface was washed. On this electrode, a polyfunctional monomer (dipentaerythritol hexaacrylate, manufactured by Toagosei Kagaku Kogyo, M-
400) 40 parts by weight, photocuring initiator (2-hydroxy-
2 parts by weight of 2-methyl-1-phenylpropan-1-one, Ciba Geigy, Darocur 1173, 90% liquid crystal (smectic liquid crystal (Merck S-6), nematic liquid crystal (Merck E31LV)) Containing 10%)
A coating solution obtained by uniformly dissolving 50 parts by weight and 3 parts by weight of a surfactant (Sumitomo 3M, Florard FC-430) in 96 parts by weight of xylene was prepared using a blade coater set at intervals of 50 μm. After coating, the coating film is dried at 47 ° C. for 3 minutes, and then dried at 47 ° C. for 2 minutes under reduced pressure, and the coating film is immediately cured by irradiation with 0.3 J / cm 2 of ultraviolet light, and an information recording layer having a thickness of 6 μm is recorded. A recording medium was obtained. After extracting the liquid crystal from the information recording layer surface with hot methanol and drying it, a scanning electron microscope (manufactured by Hitachi Ltd.)
When the internal structure was observed with S-800) at a magnification of 1000 times, the surface of the layer was covered with an ultraviolet curable resin having a thickness of 0.6 μm, and the inside of the layer had a particle size of 0.1 μm in a liquid crystal phase forming a continuous layer.
It had a structure filled with m resin particle phase.

【００６５】（情報記録方法および記録特性）得られた
光センサーと情報記録媒体とを、図８に示すようにし、
厚さ１０μｍのポリイミドフィルムのスペーサを介して
空気間隙を設けて対向させて積層した。 この積層体を
図１０に示すように、撮像用カメラ（マミヤ社製ＲＢ６
７）に写真フィルムに代えて装着し、光センサーと情報
記録媒体の両電極間に７００Ｖの直流電圧を０．０４秒
印加すると同時に、グレースケール露光量が０．２〜２
００ルックスで１／３０秒間、光センサー側から投影露
光した。露光後、情報記録媒体を取り出した。透過光に
より情報記録媒体を観察したところ、情報記録層にはグ
レースケールに応じた光透過部からなる記録部が観察さ
れ、比較例に対し非常に大きく感度が向上し、かつま
た、記録された画像には、光センサーの部分的あるいは
局所的な感度むらに起因するような画像むらや画像ノイ
ズがみられず、良好な記録画像が得られた。(Information recording method and recording characteristics) The obtained optical sensor and information recording medium are set as shown in FIG.
The polyimide films having a thickness of 10 μm were laminated so as to face each other with an air gap provided therebetween. As shown in FIG. 10, this laminated body is provided with an imaging camera (RB6 manufactured by Mamiya Co., Ltd.).
7) was replaced with a photographic film, and a DC voltage of 700 V was applied for 0.04 seconds between both electrodes of the photosensor and the information recording medium, and at the same time, the grayscale exposure amount was 0.2-2.
Projection exposure was performed from the photosensor side at 00 lux for 1/30 seconds. After the exposure, the information recording medium was taken out. When the information recording medium was observed with transmitted light, a recording portion composed of a light transmitting portion corresponding to a gray scale was observed in the information recording layer, and the sensitivity was remarkably improved as compared with the comparative example, and recording was also performed. The image was free from image unevenness and image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and a good recorded image was obtained.

【００６６】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、図１２に示す情報出力装置により再生した。情報記
録媒体を、ＣＣＤラインセンサーを用いたスキャナーに
よって記録情報を読み取り、その情報を昇華転写プリン
ター（日本ビクター社製、ＳＰ−５５００）を使用して
情報出力した結果、グレースケールに応じた階調性を有
し、画像むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られ
た。Next, the recorded information on the information recording medium was reproduced by the information output device shown in FIG. Information recorded on the information recording medium is read by a scanner using a CCD line sensor, and the information is output using a sublimation transfer printer (SP-5500 manufactured by Victor Company of Japan, Ltd.). As a result, gradation corresponding to a gray scale is obtained. A good printed matter having the property of being free from image unevenness and image noise was obtained.

【００６７】（光センサーの熱刺激電流測定）本発明の
光センサーでは、電荷トラップサイトには、光増幅を行
う前にある程度の量の電荷がトラップされているために
熱刺激電流測定が可能である。光センサーの光導電層上
に膜厚３０ｎｍ、表面抵抗１ｋΩ／口、０．１６ｃｍ2
の金電極を蒸着した測定用試料を作製し、短絡熱刺激電
流測定装置（（株）東洋精機製作所製）を用いて、図１
６に示す電流測定装置により、光センサーの電極を正、
金電極を負として、両電極間に１．５Ｖ／μｍの直流電
圧を印加すると同時に１０℃／分の昇温速度で測定用光
センサーを加熱した際に流れる電流を微小電流計によっ
て熱刺激電流を光センサー作製３日後に測定した。図
中、１５は光センサー支持体、１３は光センサー電極、
１６は光誘起電流増幅層、１４は電荷発生層、電荷輸送
層からなる光導電層、３０は金電極、１００の微小電流
計、１０１は直流電源であり、１００および１０１に
は、微小電流計付き直流電源（ＨＰ４１４０Ｂ ヒュー
レットパッカード社製）を使用した。(Measurement of Thermally Stimulated Current of Optical Sensor) In the optical sensor of the present invention, since a certain amount of electric charge is trapped in the charge trap site before optical amplification, the thermally stimulated current can be measured. is there. Film thickness 30 nm, surface resistance 1 kΩ / mouth, 0.16 cm 2 on photoconductive layer of photo sensor
1 was prepared using a short-circuit thermally stimulated current measuring device (manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.).
With the current measuring device shown in 6, the electrode of the optical sensor is positive,
With a gold electrode as a negative electrode, a DC voltage of 1.5 V / μm is applied between both electrodes, and at the same time, the current flowing when the measurement optical sensor is heated at a temperature rising rate of 10 ° C./min Was measured 3 days after the production of the optical sensor. In the figure, 15 is an optical sensor support, 13 is an optical sensor electrode,
Reference numeral 16 is a photo-induced current amplification layer, 14 is a photoconductive layer including a charge generation layer and a charge transport layer, 30 is a gold electrode, 100 is a minute ammeter, 101 is a DC power source, and 100 and 101 are minute ammeters. A direct current power source (HP4140B manufactured by Hewlett-Packard Co.) was used.

【００６８】試料の温度測定は、保温カバーで覆われた
試料載置部において、試料近傍でアルメルクロメル熱電
対によって測定した。結果を図１７に示す。横軸は加熱
温度（℃）、縦軸は電流値（Ａ）である。（Ａ）線に示
されるように、本発明の光誘起電流増幅層を有する光セ
ンサーでは５０〜１１０℃の範囲内において、ベース電
流以外に明瞭なピーク状の波形が観測され、８８℃付近
にピークトップを生じ、そのピークでは４．４×１０-7
Ａ／ｃｍ2 の電流密度であった。The temperature of the sample was measured by an alumel chromel thermocouple in the vicinity of the sample in the sample mounting portion covered with a heat insulating cover. Results are shown in FIG. The horizontal axis represents the heating temperature (° C), and the vertical axis represents the current value (A). As shown in the line (A), in the photosensor having the photoinduced current amplification layer of the present invention, a clear peak-shaped waveform was observed in the range of 50 to 110 ° C. in addition to the base current, and at around 88 ° C. Peak top occurs and at that peak 4.4 × 10 -7
The current density was A / cm 2 .

【００６９】比較例１ 光誘起電流増幅層を設けないこと以外は、実施例１と同
様にして光センサーを作製した。この光センサーの電気
特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測定
した。その結果を図１８に示す。図から、光照射に応じ
た光電流の増加はほとんど観測されず、情報記録に寄与
する電流量は少なかった。図１９に実施例１同様に量子
効率を算出した結果を示した。また、この比較用センサ
ーと前記情報記録媒体を使用して同様の情報記録装置を
作製し、両電極間に７００Ｖの直流電圧を０．０４秒間
印加すると同時に、光センサー側から投影露光した。露
光後、情報記録媒体を取り出し、前記同様の情報出力装
置により、読み取りおよび出力を行ったが、情報記録媒
体にはグレースケールの非常に狭い露光量の範囲の記録
しかされていなかった。また、記録された媒体には、光
センサーの部分的なあるいは局所的不均一性に起因する
と推測される画像むらや白抜け状のノイズが観察され
た。また、実施例１同様に熱刺激電流測定を行い、結果
を図１７の（Ｂ）線に示した。（Ｂ）線に示したよう
に、光誘起電流増幅層のない光センサーでは５０〜１１
０℃の範囲内において、ベース電流以外にピーク状の波
形が観測されるもののそのピークは非常に小さく、８８
℃付近のピークトップにおける電流密度も、４．５×１
０-8Ａ／ｃｍ2 と非常に小さい値であった。Comparative Example 1 An optical sensor was produced in the same manner as in Example 1 except that the photoinduced current amplification layer was not provided. The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1. The result is shown in FIG. From the figure, almost no increase in photocurrent due to light irradiation was observed, and the amount of current contributing to information recording was small. FIG. 19 shows the result of calculating the quantum efficiency as in Example 1. A similar information recording apparatus was manufactured using this comparative sensor and the information recording medium, and a DC voltage of 700 V was applied between both electrodes for 0.04 seconds, and at the same time, projection exposure was performed from the photosensor side. After the exposure, the information recording medium was taken out and read and output by the same information output device as described above, but the information recording medium was recorded only in the extremely narrow range of exposure amount of gray scale. In addition, in the recorded medium, image unevenness and white spots-like noise, which are presumed to be caused by partial or local non-uniformity of the optical sensor, were observed. Further, the thermal stimulation current measurement was performed in the same manner as in Example 1, and the result is shown in the line (B) of FIG. As shown in the line (B), in the photosensor without the photo-induced current amplification layer, 50 to 11
Within the range of 0 ° C, a peak-shaped waveform is observed in addition to the base current, but the peak is very small,
The current density at the peak top near ℃ is 4.5 × 1
It was a very small value of 0 -8 A / cm 2 .

【００７０】実施例２ （積層型光センサーの作製）実施例１の電子受容性物質
に代えて下記構造Example 2 (Fabrication of laminated photosensor) Instead of the electron-accepting substance of Example 1, the following structure was used.

【００７１】[0071]

【化５】 Embedded image

【００７２】を有する７，７，８，８−テトラシアノキ
ノジメタンとした以外は、実施例１と同様に光センサー
を作製した。An optical sensor was prepared in the same manner as in Example 1 except that 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane having

【００７３】（光センサーの特性）この光センサーの電
気特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測
定し、その結果を図２０に示す。光照射に応じた光電流
の増加が観測された。(Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1, and the results are shown in FIG. An increase in photocurrent was observed in response to light irradiation.

【００７４】得られた光センサーと実施例１と同様に作
製した情報記録媒体とを、実施例１と同様にして画像記
録を行った。記録された画像には、光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらに起因するような画像むらや
画像ノイズがみられず、良好な画像記録が得られた。こ
の情報記録媒体を、実施例１同様に読み取り、情報出力
した結果、グレースケールに応じた階調性を有し、画像
むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られた。Image recording was performed on the obtained optical sensor and the information recording medium manufactured in the same manner as in Example 1 in the same manner as in Example 1. The recorded image did not show image unevenness or image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and good image recording was obtained. As a result of reading this information recording medium in the same manner as in Example 1 and outputting information, a good printed matter having gradation characteristics according to gray scale and free from image unevenness and image noise was obtained.

【００７５】実施例３ （積層型光センサーの作製）実施例１の電子受容性物質
に代えて下記構造のExample 3 (Fabrication of Laminated Photosensor) Instead of the electron-accepting substance of Example 1, the following structure was used.

【００７６】[0076]

【化６】 [Chemical 6]

【００７７】２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ
−ベンゾキノンを用いた以外は、実施例１と同様に光セ
ンサーを作製した。2,3-dichloro-5,6-dicyano-p
An optical sensor was produced in the same manner as in Example 1 except that benzoquinone was used.

【００７８】（光センサーの特性）この光センサーの電
気特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測
定し、その結果を図２０に示す。図から光照射に応じた
光電流の増加が観測された。(Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1, and the results are shown in FIG. From the figure, an increase in photocurrent was observed in response to light irradiation.

【００７９】得られた光センサーと実施例１と同様に作
製した情報記録媒体とを、実施例１と同様にして画像記
録を行った。記録された画像には、光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらに起因するような画像むらや
画像ノイズがみられず、良好な画像記録が得られた。こ
の情報記録媒体を、実施例１同様に読み取り、情報出力
した結果、グレースケールに応じた階調性を有し、画像
むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られた。Image recording was performed on the obtained optical sensor and the information recording medium produced in the same manner as in Example 1 in the same manner as in Example 1. The recorded image did not show image unevenness or image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and good image recording was obtained. As a result of reading this information recording medium in the same manner as in Example 1 and outputting information, a good printed matter having gradation characteristics according to gray scale and free from image unevenness and image noise was obtained.

【００８０】実施例４ （光誘起電流増幅層作製用塗布液の調整）下記の化学構
造のExample 4 (Preparation of coating liquid for producing photoinduced current amplification layer)

【００８１】[0081]

【化７】 [Chemical 7]

【００８２】を有するジスアゾ顔料３重量部、ポリビニ
ルアセタール樹脂１重量部とを、１，４−ジオキサン９
８重量部、シクロヘキサノン９８重量部とを混合し、混
合機によって充分に混練を行い顔料分散液とした。この
顔料分散液中に顔料１ｍｏｌに対し、電子受容性物質と
して下記構造の3 parts by weight of a disazo pigment having 1 part by weight of polyvinyl acetal resin and 1,4-dioxane 9 parts
8 parts by weight and 98 parts by weight of cyclohexanone were mixed and sufficiently kneaded by a mixer to obtain a pigment dispersion liquid. In this pigment dispersion, 1 mol of the pigment was used as an electron-accepting substance having the following structure.

【００８３】[0083]

【化８】 Embedded image

【００８４】を有するピロロピロール顔料（チバガイギ
ー社製）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で３ｎｍ／秒の速度
で蒸着し、２００ｎｍの層を積層し、これをアセトン蒸
気中に１時間放置することにより電荷発生層を作製し
た。次に、電荷発生層上に、電荷輸送性物質として下記
構造Pyrrolopyrrole pigment having (manufactured by Ciba Geigy) was vapor-deposited at a rate of 3 nm / sec under a vacuum of 10 −6 Torr to form a layer of 200 nm, which was left in acetone vapor for 1 hour. A charge generation layer was prepared. Next, on the charge generation layer, the following structure was formed as a charge transporting substance.

【００８５】[0085]

【化９】 [Chemical 9]

【００８６】を有するビフェニルアミン誘導体５重量部
とポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学製 ユーピロン
Ｚ−２００）１重量部とジクロロメタン１４重量部、
１，１，２−トリクロロエタン２２重量部とを均一に溶
解し塗布液とし、スピンナーにて４００ｒｐｍ、０．４
秒で塗布し、塗布の表面に被膜が形成されて、塗膜の表
面が付着しなくなるまでの間、無風状態で放置しレベリ
ング乾燥を行った後、８０℃、２時間乾燥して電荷輸送
層を積層し、電荷発生層と電荷輸送層とからなる膜厚１
０μｍの光導電層を有する本発明における光センサーを
作製した。なお、光センサーは相対湿度６０％以下の暗
所にてエージングを行った。5 parts by weight of a biphenylamine derivative containing 1 part by weight of a polycarbonate resin (Iupilon Z-200 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) and 14 parts by weight of dichloromethane,
22 parts by weight of 1,1,2-trichloroethane are uniformly dissolved to obtain a coating solution, which is spinner at 400 rpm, 0.4
It is applied for 2 seconds, a coating is formed on the surface of the coating, and leveling drying is carried out by leaving it in a windless state until the surface of the coating is not adhered. And a film thickness consisting of a charge generation layer and a charge transport layer 1
An optical sensor according to the present invention having a photoconductive layer of 0 μm was prepared. The optical sensor was aged in a dark place with a relative humidity of 60% or less.

【００８７】（光センサーの特性）この光センサーの電
気特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測
定し、その結果を図２１に示す。図から光照射に応じた
光電流の増加が観測された。(Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1, and the results are shown in FIG. From the figure, an increase in photocurrent was observed in response to light irradiation.

【００８８】得られた光センサーと実施例１と同様に作
製した情報記録媒体とを、実施例１と同様にして画像記
録を行った。記録された画像には、光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらに起因するような画像むらや
画像ノイズがみられず、良好な画像記録が得られた。こ
の情報記録媒体を、実施例１同様に読み取り、情報出力
した結果、グレースケールに応じた階調性を有し、画像
むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られた。Image recording was performed on the obtained optical sensor and the information recording medium produced in the same manner as in Example 1 in the same manner as in Example 1. The recorded image did not show image unevenness or image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and good image recording was obtained. As a result of reading this information recording medium in the same manner as in Example 1 and outputting information, a good printed matter having gradation characteristics according to gray scale and free from image unevenness and image noise was obtained.

【００８９】実施例５ （積層型光センサーの作製）実施例１の電荷発生性物質
に代えて下記構造のExample 5 (Fabrication of Stacked Photosensor) Instead of the charge-generating substance of Example 1, the following structure was used.

【００９０】[0090]

【化１０】 [Chemical 10]

【００９１】を有するピロロピロール顔料（チバガイギ
ー社製）に変えた以外は実施例４と同様にして光センサ
ーを作製した。An optical sensor was produced in the same manner as in Example 4 except that the pyrrolopyrrole pigment having (a product of Ciba Geigy) was used.

【００９２】（光センサーの特性）この光センサーの電
気特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測
定し、その結果を図２１に示す。図から光照射に応じた
光電流の増加が観測された。(Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1, and the results are shown in FIG. From the figure, an increase in photocurrent was observed in response to light irradiation.

【００９３】得られた光センサーと実施例１と同様に作
製した情報記録媒体とを、実施例１と同様にして画像記
録を行った。記録された画像には、光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらに起因するような画像むらや
画像ノイズがみられず、良好な画像記録が得られた。こ
の情報記録媒体を、実施例１同様に読み取り、情報出力
した結果、グレースケールに応じた階調性を有し、画像
むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られた。Image recording was performed on the obtained optical sensor and the information recording medium produced in the same manner as in Example 1 in the same manner as in Example 1. The recorded image did not show image unevenness or image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and good image recording was obtained. As a result of reading this information recording medium in the same manner as in Example 1 and outputting information, a good printed matter having gradation characteristics according to gray scale and free from image unevenness and image noise was obtained.

【００９４】実施例６ （積層型光センサーの作製）実施例１の電荷発生性物質
に代えて下記構造のExample 6 (Fabrication of Laminated Photosensor) Instead of the charge-generating substance of Example 1, the following structure was used.

【００９５】[0095]

【化１１】 [Chemical 11]

【００９６】を有するピロロピロール顔料（チバガイギ
ー社製）に変えた以外は実施例４と同様にして光センサ
ーを作製した。An optical sensor was produced in the same manner as in Example 4 except that the pyrrolopyrrole pigment having the formula (made by Ciba Geigy) was used.

【００９７】（光センサーの特性）この光センサーの電
気特性を、実施例１と同様の電流測定装置を使用して測
定し、その結果を図２１に示す。図から光照射に応じた
光電流の増加が観測された。(Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of this optical sensor were measured using the same current measuring device as in Example 1, and the results are shown in FIG. From the figure, an increase in photocurrent was observed in response to light irradiation.

【００９８】得られた光センサーと実施例１と同様に作
製した情報記録媒体とを、実施例１と同様にして画像記
録を行った。記録された画像には、光センサーの部分的
あるいは局所的な感度むらに起因するような画像むらや
画像ノイズがみられず、良好な画像記録が得られた。こ
の情報記録媒体を、実施例１同様に読み取り、情報出力
した結果、グレースケールに応じた階調性を有し、画像
むらや画像ノイズのない良好な印刷物が得られた。Image recording was performed on the obtained optical sensor and the information recording medium produced in the same manner as in Example 1 in the same manner as in Example 1. The recorded image did not show image unevenness or image noise caused by partial or local sensitivity unevenness of the optical sensor, and good image recording was obtained. As a result of reading this information recording medium in the same manner as in Example 1 and outputting information, a good printed matter having gradation characteristics according to gray scale and free from image unevenness and image noise was obtained.

【００９９】[0099]

【発明の効果】情報記録媒体に情報記録をし、また情報
露光を終了した後も電圧を印加し続けると増加した導電
性を持続し、引き続き情報記録媒体に情報記録を継続す
る作用を有する光センサーが大きな増幅作用とともに均
一な特性を有しており、画像むらやノイズがない優れた
画像を得ることができる。When the information is recorded on the information recording medium and the voltage is continuously applied after the information exposure is finished, the increased conductivity is maintained, and the light having the action of continuing the information recording on the information recording medium. Since the sensor has a large amplification effect and uniform characteristics, it is possible to obtain an excellent image without image unevenness and noise.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】単層型の光センサーを説明する断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a single-layer photosensor.

【図２】光導電層が電荷発生層と電荷輸送層から構成さ
れる積層型光センサーを説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a laminated photosensor in which a photoconductive layer includes a charge generation layer and a charge transport layer.

【図３】エネルギーバンド状態を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an energy band state.

【図４】使用したフィルターの特性を説明するずであ
る。FIG. 4 is an illustration without explaining the characteristics of the filter used.

【図５】本発明における光電流の増幅作用を有する光セ
ンサーと、光電流増幅作用を有しない光センサーとの特
性を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor having a photocurrent amplifying action and an optical sensor having no photocurrent amplifying action according to the present invention.

【図６】増幅作用を有さない光センサーの光照射中の量
子効率の変化を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a change in quantum efficiency during light irradiation of an optical sensor having no amplification effect.

【図７】増幅作用を有する光センサーの光照射中の量子
効率の変化を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a change in quantum efficiency during light irradiation of an optical sensor having an amplification effect.

【図８】情報記録装置の一例を説明する断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an example of an information recording device.

【図９】第２の情報記録装置を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a second information recording device.

【図１０】本発明の情報記録装置を用いた情報記録方法
を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an information recording method using the information recording device of the present invention.

【図１１】記録情報の再生方法を説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a method of reproducing recorded information.

【図１２】情報出力装置を説明する図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an information output device.

【図１３】電流測定装置を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a current measuring device.

【図１４】本発明の光センサーの特性を説明する図であ
る。FIG. 14 is a diagram illustrating characteristics of the optical sensor of the present invention.

【図１５】本発明の光センサーの量子効率を説明する図
である。FIG. 15 is a diagram illustrating quantum efficiency of the optical sensor of the present invention.

【図１６】電流測定装置を説明する図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a current measuring device.

【図１７】本発明の光センサーの熱刺激電流測定結果を
説明する図である。FIG. 17 is a diagram for explaining the results of thermal stimulation current measurement of the optical sensor of the present invention.

【図１８】本発明の光センサーの特性を説明する図であ
る。FIG. 18 is a diagram illustrating characteristics of the optical sensor of the present invention.

【図１９】量子効率を説明する図である。FIG. 19 is a diagram illustrating quantum efficiency.

【図２０】本発明の光センサーの特性を説明する図であ
る。FIG. 20 is a diagram illustrating characteristics of the optical sensor of the present invention.

【図２１】本発明の光センサーの特性を説明する図であ
る。FIG. 21 is a diagram illustrating characteristics of the optical sensor of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…光センサー、２…情報記録媒体、１３…電極、１
３’…電極、１４…光導電層、１４’…電荷発生層、１
４’’…電荷輸送層、１５…基板、１６…光誘起電流増
幅層、１７…電荷、１９…スペーサー、１１…情報記録
層、２０…誘電体層、２１…光源、２２…駆動機構を有
するシャッター、２３…パルスジェネレーター、２４…
暗箱、３０…金電極、３１…光源、３２…シャッター、
３３…シャッター駆動機構、３４…パルスジェネレータ
ー、３５…オシロスコープ、４１…情報記録媒体用スキ
ャナー、４２…パソコン、４３…プリンター1 ... Optical sensor, 2 ... Information recording medium, 13 ... Electrode, 1
3 '... Electrode, 14 ... Photoconductive layer, 14' ... Charge generation layer, 1
4 '' ... Charge transport layer, 15 ... Substrate, 16 ... Photoinduced current amplification layer, 17 ... Charge, 19 ... Spacer, 11 ... Information recording layer, 20 ... Dielectric layer, 21 ... Light source, 22 ... Driving mechanism Shutter, 23 ... Pulse generator, 24 ...
Dark box, 30 ... Gold electrode, 31 ... Light source, 32 ... Shutter,
33 ... Shutter drive mechanism, 34 ... Pulse generator, 35 ... Oscilloscope, 41 ... Information recording medium scanner, 42 ... Personal computer, 43 ... Printer

Claims (33)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 電極上に光導電層を有し、半導電性であ
り、光センサーへ情報露光した状態で電圧を印加する
か、あるいは電圧を印加した状態で情報露光すると、情
報記録媒体に情報露光に起因する電流以上に増幅された
強度で情報記録をすることができ、情報露光を終了した
後も電圧を印加し続けると導電性を持続し、引き続き情
報記録媒体に情報記録を継続する作用を有する光センサ
ーにおいて、電極と光導電層の間には、光キャリアがト
ラップされて生じたキャリア電荷により電極界面のエネ
ルギー障壁が急峻になるとともに薄くなる結果、光電流
に加えてトンネル効果により注入された電荷による電流
を流す作用を有する光誘起電流増幅層を有することを特
徴とする光センサー。1. An information recording medium, which has a photoconductive layer on an electrode, is semiconductive, and is applied with a voltage in a state where information is exposed to a photosensor, or when information is exposed in a state where a voltage is applied. Information can be recorded with an intensity amplified more than the current caused by the information exposure, and if the voltage is continuously applied even after the information exposure is completed, the conductivity is maintained, and the information recording is continued on the information recording medium. In an optical sensor that has a function, the energy barrier at the electrode interface becomes steep and thin between the electrode and the photoconductive layer due to the carrier charge generated by the trapping of photocarriers, resulting in a tunnel effect in addition to the photocurrent. An optical sensor having a photo-induced current amplification layer having a function of causing a current to flow by the injected charges. 【請求項２】 情報記録媒体への情報形成使用される光
センサーであって、電極上に光導電層を有し、半導電性
であり、光センサーの電極と情報記録媒体の電極間に情
報露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印
加した状態で情報露光すると、情報記録媒体に情報露光
に起因する電流以上に増幅された強度で情報記録をする
ことができ、情報露光を終了した後も電圧を印加し続け
ると導電性を持続し、引き続き情報記録媒体に情報記録
を継続する作用を有する光センサーにおいて、電極と光
導電層の間には、光キャリアがトラップされて生じたキ
ャリア電荷により電極界面のエネルギー障壁が急峻にな
るとともに薄くなる結果、光電流に加えてトンネル効果
により注入された電荷による電流を流す作用を有する光
誘起電流増幅層を有することを特徴とする光センサー。2. An optical sensor used for forming information on an information recording medium, which has a photoconductive layer on an electrode and is semiconductive, and information between the electrode of the optical sensor and the electrode of the information recording medium. When voltage is applied in the exposed state or information is exposed in the state where voltage is applied, information can be recorded on the information recording medium with an intensity amplified more than the current caused by the information exposure, and the information exposure is completed. In the photosensor having the action of continuing the electrical conductivity when the voltage is continuously applied and continuing the information recording on the information recording medium, photocarriers are trapped between the electrode and the photoconductive layer. As a result of the carrier charge, the energy barrier at the electrode interface becomes steep and thin. An optical sensor characterized by: 【請求項３】 情報記録媒体への情報形成に使用される
光センサーであって、電極上に光導電層を有し、半導電
性であり、電極上に電界または電荷量により情報形成が
可能な情報記録層を積層した情報記録媒体と対向して配
置して使用され、光センサーの電極と情報記録媒体の電
極間に情報露光した状態で電圧を印加するか、あるいは
電圧を印加した状態で情報露光すると、情報記録媒体に
情報露光に起因する電流以上に増幅された強度で情報記
録をすることができ、情報露光を終了した後も電圧を印
加し続けると導電性を持続し、引き続き情報記録媒体に
情報記録を継続する作用を有する光センサーにおいて、
電極と光導電層の間には、光キャリアがトラップされて
生じたキャリア電荷により電極界面のエネルギー障壁が
急峻になるとともに薄くなる結果、光電流に加えてトン
ネル効果によりトンネル効果により注入された電荷によ
る電流を流す作用を有する光誘起電流増幅層を有するこ
とを特徴とする光センサー。3. An optical sensor used for forming information on an information recording medium, which has a photoconductive layer on an electrode, is semiconductive, and can form information on the electrode by an electric field or a charge amount. It is used by arranging it facing the information recording medium in which various information recording layers are laminated, and a voltage is applied between the electrodes of the photosensor and the electrodes of the information recording medium in the state where information is exposed, or in the state where a voltage is applied. When information is exposed, information can be recorded on the information recording medium with an intensity that is amplified more than the current caused by the information exposure, and if voltage is continuously applied even after the information exposure is completed, the conductivity is maintained and the information continues. In an optical sensor having an action of continuing information recording on a recording medium,
Between the electrode and the photoconductive layer, the carrier charge generated by the trapping of photocarriers makes the energy barrier at the electrode interface steep and thin, and as a result, the charge injected by the tunnel effect is caused by the tunnel effect in addition to the photocurrent. An optical sensor having a photo-induced current amplification layer having a function of causing a current to flow. 【請求項４】 電極の比抵抗が１０6 Ω・ｃｍ以下の導
電率を有することを特徴とする請求項１〜３記載の光セ
ンサー。4. The photosensor according to claim 1, wherein the specific resistance of the electrode has a conductivity of 10 6 Ω · cm or less. 【請求項５】 相対温度６０％以下の暗所にてエージン
グを行って得られたものであることを特徴とする請求項
１〜３記載の光センサー。5. The optical sensor according to claim 1, which is obtained by aging in a dark place at a relative temperature of 60% or less. 【請求項６】 電圧印加時において、光センサーへ１０
5 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界強度の印加時に、未露光部で
の通過電流密度が１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2 であること
を特徴とする請求項１〜３記載の光センサー。6. An optical sensor 10 is applied when a voltage is applied.
4. The optical sensor according to claim 1, wherein the passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 when an electric field strength of 5 to 10 6 V / cm is applied. . 【請求項７】 電圧印加時露光により露光部の導電性が
未露光部の導電性よりも増加し、露光を終了した後も電
圧印加している間は露光部での導電性が未露光部の導電
性よりも高く保持され、電圧印加終了後に露光部での導
電性が速やかに低下して未露光部の導電性と等しくな
り、繰り返し速やかに再使用が可能な請求項１〜３記載
の光センサー。7. The conductivity of the exposed portion increases more than the conductivity of the unexposed portion due to the exposure during voltage application, and the conductivity in the exposed portion remains unexposed while the voltage is applied even after the exposure is completed. The conductivity is maintained higher than the conductivity of No. 3, and the conductivity in the exposed portion is rapidly reduced after the voltage application is completed to become equal to the conductivity in the unexposed portion, and reusable quickly and repeatedly. Light sensor. 【請求項８】 熱刺激電流測定により、４０〜１５０℃
の範囲に明瞭なピークが観測されることを特徴とする請
求項１〜３記載の光センサー。8. A thermostimulation current measurement, 40 to 150 ° C.
4. The photosensor according to claim 1, wherein a clear peak is observed in the range. 【請求項９】 情報露光によって情報記録媒体へ光情報
を記録する情報記録装置において、請求項１〜８に記載
の光センサーと電極上に情報記録層を形成した情報記録
媒体とを間隙を設けて光軸上に結線したことを特徴とす
る情報記録装置。9. An information recording apparatus for recording optical information on an information recording medium by information exposure, wherein a gap is provided between the optical sensor according to claim 1 and the information recording medium having an information recording layer formed on an electrode. An information recording device characterized by being connected on the optical axis. 【請求項１０】 情報記録層が、液晶相および樹脂相か
らなることを特徴とする請求項９記載の情報記録装置。10. The information recording device according to claim 9, wherein the information recording layer comprises a liquid crystal phase and a resin phase. 【請求項１１】 情報記録層が、紫外線硬化樹脂、液
晶、界面活性剤からなることを特徴とする請求項９〜１
０記載の情報記録装置。11. The information recording layer comprises an ultraviolet curable resin, liquid crystal, and a surfactant.
The information recording device described in 0. 【請求項１２】 液晶がスメクチック液晶およびネマチ
ック液晶の混合物であることを特徴とする請求項１０〜
１１記載の情報記録装置。12. The liquid crystal material is a mixture of a smectic liquid crystal and a nematic liquid crystal, and the liquid crystal material is a mixture of the smectic liquid crystal and the nematic liquid crystal.
11. The information recording device according to item 11. 【請求項１３】 情報記録層を構成する樹脂相が、紫外
線硬化樹脂から構成されており、情報記録層の表層が紫
外線硬化樹脂のスキン層のみから構成されていることを
特徴とする請求項１２記載の情報記録装置。13. The resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed only of a skin layer of the ultraviolet curable resin. Information recording device described. 【請求項１４】 情報記録層がメモリー性を有すること
を特徴とする請求項９〜１３に記載の情報記録装置。14. The information recording device according to claim 9, wherein the information recording layer has a memory property. 【請求項１５】 光センサーへ１０5 〜１０6 Ｖ／ｃｍ
の電界強度の印加時間に、未露光部での通過電流密度が
１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2 であり、情報記録媒体の比抵
抗が１０10〜１０13Ω・ｃｍであることを特徴とする請
求項９〜１４記載の情報記録装置。15. An optical sensor to 10 5 to 10 6 V / cm
The passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 and the specific resistance of the information recording medium is 10 10 to 10 13 Ω · cm during the application time of the electric field strength of. The information recording device according to claim 9, which is characterized in that. 【請求項１６】 下部電極上において光導電層、誘電体
層、情報記録層、上部電極を順に積層した情報記録装置
において、下部電極と光導電層からなる光センサー部
は、請求項１〜８に記載の光センサーからなり、下部電
極と上部電極との間に電圧印加を可能に結線したことを
特徴とする情報記録装置。16. In an information recording device in which a photoconductive layer, a dielectric layer, an information recording layer, and an upper electrode are laminated in this order on the lower electrode, the photosensor unit comprising the lower electrode and the photoconductive layer is formed by the method of any one of claims 1 to 8. An information recording device comprising the optical sensor described in (1) above, wherein a voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode to enable voltage application. 【請求項１７】 情報記録層が、液晶相および樹脂相か
らなることを特徴とする請求項１６記載の情報記録装
置。17. The information recording device according to claim 16, wherein the information recording layer comprises a liquid crystal phase and a resin phase. 【請求項１８】 情報記録層が、紫外線硬化樹脂、液
晶、界面活性剤からなることを特徴とする請求項１６〜
１７記載の情報記録装置。18. The information recording layer comprises an ultraviolet curable resin, a liquid crystal and a surfactant.
17. The information recording device described in 17. 【請求項１９】 液晶がスメクチック液晶およびネマチ
ック液晶の混合物であることを特徴とする請求項１６〜
１８記載の情報記録装置。19. The liquid crystal is a mixture of a smectic liquid crystal and a nematic liquid crystal, and the liquid crystal is a mixture of the smectic liquid crystal and the nematic liquid crystal.
18. The information recording device according to item 18. 【請求項２０】 情報記録層を構成する樹脂相が、紫外
線硬化樹脂から構成されており、情報記録層の表層が紫
外線硬化樹脂のスキン層のみから構成されていることを
特徴とする請求項１９記載の情報記録装置。20. The resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed only of a skin layer of the ultraviolet curable resin. Information recording device described. 【請求項２１】 情報記録層がメモリー性を有すること
を特徴とする請求項１６〜２０に記載の情報記録装置。21. The information recording device according to claim 16, wherein the information recording layer has a memory property. 【請求項２２】 光センサーへ１０5 〜１０6Ｖ／ｃｍ
の電界強度の印加時間に、未露光部での通過電流密度が
１０-4〜１０-7Ａ／ｃｍ2 であり、情報記録媒体の比抵
抗が１０10〜１０13Ω・ｃｍであることを特徴とする請
求項１６〜２１記載の情報記録装置。22. 10 5 to 10 6 V / cm to an optical sensor
The passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 and the specific resistance of the information recording medium is 10 10 to 10 13 Ω · cm during the application time of the electric field strength of. 22. The information recording device according to claim 16, which is characterized in that: 【請求項２３】 情報露光によって情報記録媒体へ光情
報を記録する情報記録再生方法において、請求項１〜８
に記載の光センサーと電極上に情報記録層を形成した情
報記録媒体を使用し、光センサーもしくは情報記録媒体
の少なくともいずれか一方の電極を透明電極とするとと
もに、光センサーと情報記録媒体を間隙を設けて光軸上
に対向配置し、両電極間に電圧を印加しつつ光情報の露
光により情報記録媒体への情報記録を行い、透過光ある
いは反射光により可視情報として情報記録媒体に記録し
た光情報の再生を行うことを特徴とする情報記録再生方
法。23. An information recording / reproducing method for recording optical information on an information recording medium by information exposure, according to claim 1.
The information recording medium having the information recording layer formed on the optical sensor and the electrode described in 1. is used, and at least one of the optical sensor and the information recording medium is a transparent electrode, and the optical sensor and the information recording medium are separated from each other by a gap. Are arranged opposite to each other on the optical axis, and information is recorded on the information recording medium by exposing the optical information while applying a voltage between both electrodes, and recorded on the information recording medium as visible information by transmitted light or reflected light. An information recording / reproducing method characterized by reproducing optical information. 【請求項２４】 情報記録媒体における情報記録層が、
液晶相および樹脂相からなることを特徴とする請求項２
３記載の情報記録再生方法。24. An information recording layer in an information recording medium,
3. A liquid crystal phase and a resin phase.
3. The information recording / reproducing method described in 3. 【請求項２５】 情報記録媒体における情報記録層が、
紫外線硬化樹脂、液晶、界面活性剤からなることを特徴
とする請求項２３〜２４記載の情報記録再生方法。25. An information recording layer in an information recording medium,
25. The information recording / reproducing method according to claim 23, comprising an ultraviolet curable resin, a liquid crystal, and a surfactant. 【請求項２６】 液晶がスメクチック液晶およびネマチ
ック液晶の混合物であることを特徴とする請求項２３〜
２５記載の情報記録再生方法。26. The method according to claim 23, wherein the liquid crystal is a mixture of smectic liquid crystal and nematic liquid crystal.
25. The information recording / reproducing method described in 25. 【請求項２７】 情報記録層を構成する樹脂相が、紫外
線硬化樹脂から構成されており、情報記録層の表層が紫
外線硬化樹脂のスキン層のみから構成されていることを
特徴とする請求項２３〜２６記載の情報記録再生方法。27. The resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed only of a skin layer of the ultraviolet curable resin. 26. An information recording / reproducing method described in any one of 26 to 26. 【請求項２８】 情報露光によって情報記録媒体へ光情
報を記録する情報記録方法において、情報記録媒体が下
部電極上に光導電層、誘電体層、情報記録層、勝負電極
を順に積層しており、下部電極と光導電層からなる光セ
ンサー部は、請求項１〜８に記載の光センサーからな
り、下部電極と上部電極の少なくともいずれか一方は透
明電極とし、下部電極と上部電極との間に電圧を印加し
つつ光情報の露光により情報記録媒体への情報記録を行
い、透過光あるいは反射光により可視情報として情報記
録媒体に記録した光情報の再生を行うことを特徴とする
情報記録再生方法。28. An information recording method for recording optical information on an information recording medium by information exposure, wherein the information recording medium comprises a photoconductive layer, a dielectric layer, an information recording layer, and a game electrode laminated in this order on a lower electrode. The optical sensor part composed of the lower electrode and the photoconductive layer is composed of the optical sensor according to claim 1, wherein at least one of the lower electrode and the upper electrode is a transparent electrode, and a space between the lower electrode and the upper electrode. Information recording / reproducing characterized in that information is recorded on the information recording medium by exposing the optical information while applying a voltage to the optical information, and the optical information recorded on the information recording medium as visible information is reproduced by transmitted light or reflected light. Method. 【請求項２９】 情報記録媒体における情報記録層が、
液晶相および樹脂相からなることを特徴とする請求項２
８記載の情報記録再生方法。29. The information recording layer in the information recording medium,
3. A liquid crystal phase and a resin phase.
8. The information recording / reproducing method described in 8. 【請求項３０】 情報記録媒体における情報記録層が、
紫外線硬化樹脂、液晶、界面活性剤からなることを特徴
とする請求項２８〜２９記載の情報記録再生方法。30. An information recording layer in an information recording medium,
30. The information recording / reproducing method according to claim 28, comprising an ultraviolet curable resin, a liquid crystal, and a surfactant. 【請求項３１】 液晶がスメクチック液晶およびネマチ
ック液晶の混合物であることを特徴とする請求項２９〜
３０記載の情報記録再生方法。31. The method according to claim 29, wherein the liquid crystal is a mixture of smectic liquid crystal and nematic liquid crystal.
30. An information recording / reproducing method described in 30. 【請求項３２】 情報記録層を構成する樹脂相が、紫外
線硬化樹脂から構成されており、情報記録層の表層が紫
外線硬化樹脂のスキン層のみから構成されていることを
特徴とする請求項３０記載の情報記録再生方法。32. The resin phase constituting the information recording layer is composed of an ultraviolet curable resin, and the surface layer of the information recording layer is composed only of a skin layer of the ultraviolet curable resin. Information recording and reproducing method described. 【請求項３３】 記録した光情報をＣＣＤセンサーを有
するスキャナーによって読み取り、プリンタまたは表示
装置によって画像の出力をすることを特徴とする請求項
２８〜３２記載の情報記録再生方法。33. The information recording / reproducing method according to claim 28, wherein the recorded optical information is read by a scanner having a CCD sensor, and an image is output by a printer or a display device.
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