JPH08219740A - 半導体装置の検査方法及び装置 - Google Patents
半導体装置の検査方法及び装置Info
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- JPH08219740A JPH08219740A JP7028047A JP2804795A JPH08219740A JP H08219740 A JPH08219740 A JP H08219740A JP 7028047 A JP7028047 A JP 7028047A JP 2804795 A JP2804795 A JP 2804795A JP H08219740 A JPH08219740 A JP H08219740A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置を上方から撮像した濃淡画像を画
像処理することにより，半導体装置のリード等の変形を
検出する半導体装置の検査方法及び装置を提供する。 【構成】 半導体装置２に形成されたリード等の斜め上
方に配した光源５から半導体装置２を照明し，半導体装
置２の上方に配したカメラ４により撮像して，撮像され
た濃淡画像を画像処理装置６により上記照明方向に微分
処理し，微分処理された濃度変化に基づいて変形度を判
定する。濃淡画像は水平方向からの勾配に近似的に比例
した濃淡を示し，これを微分処理すると濃淡変化は検査
面の曲率に近似的に比例するので，この曲率を変形検査
の合否判定の基準値と比較することによって半導体装置
のリード等の垂直方向の変形が検出できる。水平方向の
変形は上記濃淡画像上から検出できるので，半導体装置
の上方から撮像した１枚の画像からリード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。
像処理することにより，半導体装置のリード等の変形を
検出する半導体装置の検査方法及び装置を提供する。 【構成】 半導体装置２に形成されたリード等の斜め上
方に配した光源５から半導体装置２を照明し，半導体装
置２の上方に配したカメラ４により撮像して，撮像され
た濃淡画像を画像処理装置６により上記照明方向に微分
処理し，微分処理された濃度変化に基づいて変形度を判
定する。濃淡画像は水平方向からの勾配に近似的に比例
した濃淡を示し，これを微分処理すると濃淡変化は検査
面の曲率に近似的に比例するので，この曲率を変形検査
の合否判定の基準値と比較することによって半導体装置
のリード等の垂直方向の変形が検出できる。水平方向の
変形は上記濃淡画像上から検出できるので，半導体装置
の上方から撮像した１枚の画像からリード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ＬＳＩ等の半導体装置
に形成されたリード等の有害な変形を検査する半導体装
置の検査方法及び装置に関する。
に形成されたリード等の有害な変形を検査する半導体装
置の検査方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置に形成されたリー
ド等の水平及び垂直方向の変形は，半導体装置を回路基
板に実装する際の支障となるため，その変形が厳重に検
査される。半導体装置のリード等の水平方向及び垂直方
向の変形を画像認識技術を用いて検査するためには，半
導体装置を上面と側面とから撮像する必要がある。側面
からの撮像ではフラットパッケージのような場合では四
方からそれぞれ撮像する必要があるため，カメラ台数あ
るいは撮像回数が増し，検査時間の増加や検査設備規模
が増大する問題があった。そこで，上記のような検査の
無駄を解消させるべく，１方向からの１回の撮像で検査
対象物の水平及び垂直方向の変形を検査する検査装置が
特開平５−３４０７３３号及び特開平２−１３３８８３
号公報に開示されている。上記第１の従来技術は，図４
に側面図（ａ），平面図（ｂ）として示すように，四方
にミラー３５が設置された検査台３２上に検査対象とす
る半導体装置３１を載置し，光源３６により照明してカ
メラ３３で撮像すると，図５に示すような撮像画像が得
られるよう構成されている。この構成により，撮像画像
中には半導体装置３１の平面像Ｆに加え，ミラー３５に
写った側面像Ｓが同時に捉えられ，１枚の画像からリー
ド３４の水平及び垂直方向の変形を検出することができ
る。又，上記第２の従来技術は，半導体装置のリード等
の検査に用いられるものではなく，主として回路基板の
凹凸欠陥を検出することを目的としている。図６に示す
ように，回路基板３８の検査面に対して斜め方向から光
源３９により照明して，検査面の上方に配設したカメラ
４０により検査面を撮像する。この撮像画像の上記光源
３９による照明方向に平行な濃度分布を図７（ａ）に示
すように測定したとき，図７（ｂ）に示すような濃度変
化が得られるので，正常部の濃度より明るい方の閾値Ｓ
ｂを越える部分の最大値と，暗い方の閾値Ｓｄより小さ
い部分の最小値とを求め，これら最大値，最小値が濃度
分布上で隣接している場合に，最大値と最小値との差か
ら検査面上の凹凸欠陥４１が認識される。
ド等の水平及び垂直方向の変形は，半導体装置を回路基
板に実装する際の支障となるため，その変形が厳重に検
査される。半導体装置のリード等の水平方向及び垂直方
向の変形を画像認識技術を用いて検査するためには，半
導体装置を上面と側面とから撮像する必要がある。側面
からの撮像ではフラットパッケージのような場合では四
方からそれぞれ撮像する必要があるため，カメラ台数あ
るいは撮像回数が増し，検査時間の増加や検査設備規模
が増大する問題があった。そこで，上記のような検査の
無駄を解消させるべく，１方向からの１回の撮像で検査
対象物の水平及び垂直方向の変形を検査する検査装置が
特開平５−３４０７３３号及び特開平２−１３３８８３
号公報に開示されている。上記第１の従来技術は，図４
に側面図（ａ），平面図（ｂ）として示すように，四方
にミラー３５が設置された検査台３２上に検査対象とす
る半導体装置３１を載置し，光源３６により照明してカ
メラ３３で撮像すると，図５に示すような撮像画像が得
られるよう構成されている。この構成により，撮像画像
中には半導体装置３１の平面像Ｆに加え，ミラー３５に
写った側面像Ｓが同時に捉えられ，１枚の画像からリー
ド３４の水平及び垂直方向の変形を検出することができ
る。又，上記第２の従来技術は，半導体装置のリード等
の検査に用いられるものではなく，主として回路基板の
凹凸欠陥を検出することを目的としている。図６に示す
ように，回路基板３８の検査面に対して斜め方向から光
源３９により照明して，検査面の上方に配設したカメラ
４０により検査面を撮像する。この撮像画像の上記光源
３９による照明方向に平行な濃度分布を図７（ａ）に示
すように測定したとき，図７（ｂ）に示すような濃度変
化が得られるので，正常部の濃度より明るい方の閾値Ｓ
ｂを越える部分の最大値と，暗い方の閾値Ｓｄより小さ
い部分の最小値とを求め，これら最大値，最小値が濃度
分布上で隣接している場合に，最大値と最小値との差か
ら検査面上の凹凸欠陥４１が認識される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記第
１の従来技術によるリードの垂直方向の変形は，その有
無は検出できるが，変形の度合いやその位置を精度よく
検出することが困難である問題点があった。又，四方に
ミラーが配設されているため，これが半導体装置を検査
位置に搬送する障害となり，特にＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）形式に構成された半導体装置に適用するこ
とが困難である。又，上記第２の従来技術を半導体装置
のリード等の変形検査に適用した場合，凹凸などの画像
の急激な濃淡変化を伴う欠陥の検出は可能であるが，リ
ードの垂直方向の緩やかな曲がりは画像の急激な濃淡変
化を伴わず検出は困難であり，半導体のリード等の変形
検査に適用できない問題点があった。本発明の目的とす
るところは，斜向照明により照明された半導体装置を上
方から撮像して，水平面からの勾配に近似的に比例した
濃淡画像を画像処理することにより，半導体装置のリー
ド等の変形を検出する半導体装置の検査方法及びその装
置を提供することにある。
１の従来技術によるリードの垂直方向の変形は，その有
無は検出できるが，変形の度合いやその位置を精度よく
検出することが困難である問題点があった。又，四方に
ミラーが配設されているため，これが半導体装置を検査
位置に搬送する障害となり，特にＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）形式に構成された半導体装置に適用するこ
とが困難である。又，上記第２の従来技術を半導体装置
のリード等の変形検査に適用した場合，凹凸などの画像
の急激な濃淡変化を伴う欠陥の検出は可能であるが，リ
ードの垂直方向の緩やかな曲がりは画像の急激な濃淡変
化を伴わず検出は困難であり，半導体のリード等の変形
検査に適用できない問題点があった。本発明の目的とす
るところは，斜向照明により照明された半導体装置を上
方から撮像して，水平面からの勾配に近似的に比例した
濃淡画像を画像処理することにより，半導体装置のリー
ド等の変形を検出する半導体装置の検査方法及びその装
置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用する方法は，照明された半導体装置をそ
の上方からカメラにより撮像し，撮像された濃淡画像か
ら上記半導体装置やこれに形成されたリード等の変形度
を判定する半導体装置の検査方法において，上記リード
等の形成方向の斜め上方から半導体装置を照明し，上記
カメラにより撮像された濃淡画像を上記照明方向に微分
処理し，微分処理された濃度変化に基づいて上記変形度
を判定することを特徴とする半導体装置の検査方法であ
る。又，本発明が採用する手段は，照明された半導体装
置をその上方からカメラにより撮像し，撮像された濃淡
画像から上記半導体装置やこれに形成されたリード等の
変形度を判定する半導体装置の検査装置において，上記
リード等の形成方向の斜め上方から半導体装置を照明す
る斜向照明手段と，上記斜向照明手段による照明方向と
同一方向で上記濃淡画像を微分処理する画像処理手段
と，上記微分処理された画像の濃度変化に基づいて上記
変形度を判定する変形度判定手段とを具備してなること
を特徴とする半導体装置の検査装置として構成されてい
る。
に本発明が採用する方法は，照明された半導体装置をそ
の上方からカメラにより撮像し，撮像された濃淡画像か
ら上記半導体装置やこれに形成されたリード等の変形度
を判定する半導体装置の検査方法において，上記リード
等の形成方向の斜め上方から半導体装置を照明し，上記
カメラにより撮像された濃淡画像を上記照明方向に微分
処理し，微分処理された濃度変化に基づいて上記変形度
を判定することを特徴とする半導体装置の検査方法であ
る。又，本発明が採用する手段は，照明された半導体装
置をその上方からカメラにより撮像し，撮像された濃淡
画像から上記半導体装置やこれに形成されたリード等の
変形度を判定する半導体装置の検査装置において，上記
リード等の形成方向の斜め上方から半導体装置を照明す
る斜向照明手段と，上記斜向照明手段による照明方向と
同一方向で上記濃淡画像を微分処理する画像処理手段
と，上記微分処理された画像の濃度変化に基づいて上記
変形度を判定する変形度判定手段とを具備してなること
を特徴とする半導体装置の検査装置として構成されてい
る。
【０００５】
【作用】完全拡散面でなく一定の反射率と反射指向性と
を有する検査面に斜め上方向から照明された半導体装置
を上方から撮像すると，得られた濃淡画像は照明方向を
検査面に投影した方向に沿って検査面の水平方向からの
勾配に近似的に比例した濃淡を示す。この濃淡画像を上
記照明方向を検査面に投影した方向に沿って微分処理す
ると，濃淡の変化は検査面の照明方向を検査面に投影し
た方向に沿った曲率に近似的に比例する。従って，この
曲率を変形検査の合否判定の基準値と比較することによ
って半導体装置のリード等の垂直方向の変形検査を垂直
方向からの撮像画像から行うことができる。水平方向の
変形は上記濃淡画像上から検出できるので，半導体装置
の上方から撮像した１枚の画像からリード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。上記検
査方法を適用した検査装置は，検査対象とする半導体装
置を載置する所定位置の上方にカメラを配設し，半導体
装置を斜向照明手段により斜め上方から照明して上記カ
メラにより撮像する。カメラにより撮像された濃淡画像
は，照明方向を検査面に投影した方向に沿って検査面の
水平方向からの勾配に近似的に比例した濃淡を示すの
で，これを画像処理手段により微分処理することによっ
て，濃淡変化部分，即ち変形部分の曲率が検出できる。
求められた曲率を変形度判定手段に入力して変形検査の
合否判定の基準値と比較することによって，半導体装置
のリード等の垂直方向の変形検査を垂直方向からの撮像
画像から行うことができる。水平方向の変形は上記濃淡
画像上から検出できるので，半導体装置を検査位置に載
置してカメラにより１回の撮像を行うことにより，リー
ド等の水平及び垂直方向の変形を同時に検出することが
できる。
を有する検査面に斜め上方向から照明された半導体装置
を上方から撮像すると，得られた濃淡画像は照明方向を
検査面に投影した方向に沿って検査面の水平方向からの
勾配に近似的に比例した濃淡を示す。この濃淡画像を上
記照明方向を検査面に投影した方向に沿って微分処理す
ると，濃淡の変化は検査面の照明方向を検査面に投影し
た方向に沿った曲率に近似的に比例する。従って，この
曲率を変形検査の合否判定の基準値と比較することによ
って半導体装置のリード等の垂直方向の変形検査を垂直
方向からの撮像画像から行うことができる。水平方向の
変形は上記濃淡画像上から検出できるので，半導体装置
の上方から撮像した１枚の画像からリード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。上記検
査方法を適用した検査装置は，検査対象とする半導体装
置を載置する所定位置の上方にカメラを配設し，半導体
装置を斜向照明手段により斜め上方から照明して上記カ
メラにより撮像する。カメラにより撮像された濃淡画像
は，照明方向を検査面に投影した方向に沿って検査面の
水平方向からの勾配に近似的に比例した濃淡を示すの
で，これを画像処理手段により微分処理することによっ
て，濃淡変化部分，即ち変形部分の曲率が検出できる。
求められた曲率を変形度判定手段に入力して変形検査の
合否判定の基準値と比較することによって，半導体装置
のリード等の垂直方向の変形検査を垂直方向からの撮像
画像から行うことができる。水平方向の変形は上記濃淡
画像上から検出できるので，半導体装置を検査位置に載
置してカメラにより１回の撮像を行うことにより，リー
ド等の水平及び垂直方向の変形を同時に検出することが
できる。
【０００６】
【実施例】以下，添付図面を参照して，本発明を具体化
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図１
は本発明の第１実施例に係る半導体装置の検査装置の構
成を示す模式図，図２は半導体装置の平面図（ａ）と側
面図（ｂ），図３は第２実施例に係る検査装置における
照明方法を示す模式図である。図１において，第１実施
例に係る半導体装置の検査装置１は，ＴＡＢ形式に形成
された半導体装置の外観検査装置として構成されてい
る。検査装置１は，テープ１２上に装着された半導体装
置であるデバイス２を検査位置に載置する検査台３と，
該検査台３の上方に配設されたＣＣＤカメラ４と，検査
台３上のデバイス２を斜め上方向から照明する光源５
と，上記ＣＣＤカメラ４により撮像された画像を処理し
て外観状態の合否判定を行う画像処理装置６とを具備し
て構成されている。
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定するものではない。ここに，図１
は本発明の第１実施例に係る半導体装置の検査装置の構
成を示す模式図，図２は半導体装置の平面図（ａ）と側
面図（ｂ），図３は第２実施例に係る検査装置における
照明方法を示す模式図である。図１において，第１実施
例に係る半導体装置の検査装置１は，ＴＡＢ形式に形成
された半導体装置の外観検査装置として構成されてい
る。検査装置１は，テープ１２上に装着された半導体装
置であるデバイス２を検査位置に載置する検査台３と，
該検査台３の上方に配設されたＣＣＤカメラ４と，検査
台３上のデバイス２を斜め上方向から照明する光源５
と，上記ＣＣＤカメラ４により撮像された画像を処理し
て外観状態の合否判定を行う画像処理装置６とを具備し
て構成されている。
【０００７】上記構成において，デバイス２，２…が装
着されたテープ１２を順次移動させて検査台３の所定位
置に検査対象とするデバイス２を載置し，光源５からの
平行光でデバイス２を照明した状態をＣＣＤカメラ４に
より撮像する。上記光源５による照明方向は，図２に示
すようにデバイス２に形成されたリード２ａの形成方向
（ｘ方向）に一致し，その上方から斜め方向に照射され
る。又，ＣＣＤカメラ４による撮像方向も，その水平走
査線方向が上記ｘ方向に一致するように設定する。上記
デバイス２の水平面は，斜め方向から照明され，垂直方
向から撮像されるので，上記ＣＣＤカメラ４により撮像
された濃淡画像は，水平面からの勾配に近似的に比例す
る濃淡を示す。この濃淡画像はＡ／Ｄ変換器７により８
ビット（２５６階調）のデジタル画像に変換された後，
画像メモリ８に格納される。このデジタル画像は微分器
（画像処理手段）９に入力され，水平走査線毎に画素
（ｉ，ｊ）の濃淡値Ｂ（ｉ，ｊ）に対して下式（１）が
演算され，微分画像Ｄ（ｉ，ｊ）が求められる。 Ｄ（ｉ，ｊ）＝Ｂ（ｉ＋１，ｊ）−Ｂ（ｉ，ｊ）…（１） 上記のように濃淡画像をｘ方向に沿って微分することに
より，濃淡値の変化はデバイス２の水平面がｘ方向から
傾斜する曲率に近似した変化となる。この微分画像Ｄ
（ｉ，ｊ）は比較器（変形度判定手段）１０に送られ，
予め設定された閾値εと比較され，検査面の曲率が一定
値以上の箇所が検出され判定器１１に送られる。判定器
１１ではリード２ａ個々あるいはデバイス２全体の合否
判定を行い，それを表示する。
着されたテープ１２を順次移動させて検査台３の所定位
置に検査対象とするデバイス２を載置し，光源５からの
平行光でデバイス２を照明した状態をＣＣＤカメラ４に
より撮像する。上記光源５による照明方向は，図２に示
すようにデバイス２に形成されたリード２ａの形成方向
（ｘ方向）に一致し，その上方から斜め方向に照射され
る。又，ＣＣＤカメラ４による撮像方向も，その水平走
査線方向が上記ｘ方向に一致するように設定する。上記
デバイス２の水平面は，斜め方向から照明され，垂直方
向から撮像されるので，上記ＣＣＤカメラ４により撮像
された濃淡画像は，水平面からの勾配に近似的に比例す
る濃淡を示す。この濃淡画像はＡ／Ｄ変換器７により８
ビット（２５６階調）のデジタル画像に変換された後，
画像メモリ８に格納される。このデジタル画像は微分器
（画像処理手段）９に入力され，水平走査線毎に画素
（ｉ，ｊ）の濃淡値Ｂ（ｉ，ｊ）に対して下式（１）が
演算され，微分画像Ｄ（ｉ，ｊ）が求められる。 Ｄ（ｉ，ｊ）＝Ｂ（ｉ＋１，ｊ）−Ｂ（ｉ，ｊ）…（１） 上記のように濃淡画像をｘ方向に沿って微分することに
より，濃淡値の変化はデバイス２の水平面がｘ方向から
傾斜する曲率に近似した変化となる。この微分画像Ｄ
（ｉ，ｊ）は比較器（変形度判定手段）１０に送られ，
予め設定された閾値εと比較され，検査面の曲率が一定
値以上の箇所が検出され判定器１１に送られる。判定器
１１ではリード２ａ個々あるいはデバイス２全体の合否
判定を行い，それを表示する。
【０００８】上記構成では，リード２ａのｘ方向に沿っ
た変形のみを検出しているが，リード２ａの捩じれなど
のようなｘ方向に直交する方向の変形も検出すると共
に，フラットパッケージのように四方にリード等が形成
されている半導体装置の検査を行う場合の構成を第２実
施例構成として次に説明する。図３に示すように，ｘ方
向の第１の光源５ａに加え，ｘ方向に直交するｙ方向の
第２の光源５ｂを配設し，第１の光源５ａにより照明し
たときと，第２の光源５ｂにより照明したときとのデバ
イス１３をＣＣＤカメラ４で撮像し，２枚の濃淡画像を
求めて，その両画像について上記第１実施例と同様の画
像処理を行うことにより，リード１３ａのｘ方向及びｙ
方向の変形を検査することができる。又，この構成によ
り，四方にリード等が形成されたフラットパッケージ形
式の半導体装置１３の検査を各形成方向のリード１３ａ
について，それぞれｘ方向及びｙ方向の変形を検出する
ことができる。上記各構成では，リード２ａ，１３ａの
垂直方向の変形の検出についてのみ説明しているが，水
平面内での変形は濃淡画像から，リード２ａ，１３ａの
所定方向からの曲がりを検出することにより容易に検査
することができる。又，リード２ａ，１３ａだけでな
く，パッケージ部分の平坦度あるいはマーク等の印字を
濃淡画像又は微分画像から検出することができる。又，
上記第１実施例構成においては，ｘ方向とＣＣＤカメラ
４の水平走査線の方向とを一致させているが，必ずしも
一致させる必要はなく，微分処理の煩雑さを問題としな
ければ任意の方向に設定することもできる。
た変形のみを検出しているが，リード２ａの捩じれなど
のようなｘ方向に直交する方向の変形も検出すると共
に，フラットパッケージのように四方にリード等が形成
されている半導体装置の検査を行う場合の構成を第２実
施例構成として次に説明する。図３に示すように，ｘ方
向の第１の光源５ａに加え，ｘ方向に直交するｙ方向の
第２の光源５ｂを配設し，第１の光源５ａにより照明し
たときと，第２の光源５ｂにより照明したときとのデバ
イス１３をＣＣＤカメラ４で撮像し，２枚の濃淡画像を
求めて，その両画像について上記第１実施例と同様の画
像処理を行うことにより，リード１３ａのｘ方向及びｙ
方向の変形を検査することができる。又，この構成によ
り，四方にリード等が形成されたフラットパッケージ形
式の半導体装置１３の検査を各形成方向のリード１３ａ
について，それぞれｘ方向及びｙ方向の変形を検出する
ことができる。上記各構成では，リード２ａ，１３ａの
垂直方向の変形の検出についてのみ説明しているが，水
平面内での変形は濃淡画像から，リード２ａ，１３ａの
所定方向からの曲がりを検出することにより容易に検査
することができる。又，リード２ａ，１３ａだけでな
く，パッケージ部分の平坦度あるいはマーク等の印字を
濃淡画像又は微分画像から検出することができる。又，
上記第１実施例構成においては，ｘ方向とＣＣＤカメラ
４の水平走査線の方向とを一致させているが，必ずしも
一致させる必要はなく，微分処理の煩雑さを問題としな
ければ任意の方向に設定することもできる。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば，完全
拡散面でなく一定の反射率と反射指向性とを有する検査
面に斜め上方向から照明された半導体装置を上方から撮
像すると，得られた濃淡画像は照明方向を検査面に投影
した方向に沿って検査面の水平方向からの勾配に近似的
に比例した濃淡を示す。この濃淡画像を上記照明方向を
検査面に投影した方向に沿って微分処理すると，濃淡の
変化は検査面の照明方向を検査面に投影した方向に沿っ
た曲率に近似的に比例する。従って，この曲率を変形検
査の合否判定の基準値と比較することによって半導体装
置のリード等の垂直方向の変形検査を垂直方向からの撮
像画像から行うことができる。水平方向の変形は上記濃
淡画像上から検出できるので，半導体装置の上方から撮
像した１枚の画像からリード等の水平及び垂直方向の変
形を同時に検出することができる。上記検査方法を適用
した検査装置は，検査対象とする半導体装置を載置する
所定位置の上方にカメラを配設し，半導体装置を斜向照
明手段により斜め上方から照明して上記カメラにより撮
像する。カメラにより撮像された濃淡画像は，照明方向
を検査面に投影した方向に沿って検査面の水平方向から
の勾配に近似的に比例した濃淡を示すので，これを画像
処理手段により微分処理することによって，濃淡変化部
分，即ち変形部分の曲率が検出できる。求められた曲率
を変形度判定手段に入力して変形検査の合否判定の基準
値と比較することによって，半導体装置のリード等の垂
直方向の変形検査を垂直方向からの撮像画像から行うこ
とができる。水平方向の変形は上記濃淡画像上から検出
できるので，半導体装置を検査位置に載置してカメラに
より１回の撮像を行うことにより，リード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。
拡散面でなく一定の反射率と反射指向性とを有する検査
面に斜め上方向から照明された半導体装置を上方から撮
像すると，得られた濃淡画像は照明方向を検査面に投影
した方向に沿って検査面の水平方向からの勾配に近似的
に比例した濃淡を示す。この濃淡画像を上記照明方向を
検査面に投影した方向に沿って微分処理すると，濃淡の
変化は検査面の照明方向を検査面に投影した方向に沿っ
た曲率に近似的に比例する。従って，この曲率を変形検
査の合否判定の基準値と比較することによって半導体装
置のリード等の垂直方向の変形検査を垂直方向からの撮
像画像から行うことができる。水平方向の変形は上記濃
淡画像上から検出できるので，半導体装置の上方から撮
像した１枚の画像からリード等の水平及び垂直方向の変
形を同時に検出することができる。上記検査方法を適用
した検査装置は，検査対象とする半導体装置を載置する
所定位置の上方にカメラを配設し，半導体装置を斜向照
明手段により斜め上方から照明して上記カメラにより撮
像する。カメラにより撮像された濃淡画像は，照明方向
を検査面に投影した方向に沿って検査面の水平方向から
の勾配に近似的に比例した濃淡を示すので，これを画像
処理手段により微分処理することによって，濃淡変化部
分，即ち変形部分の曲率が検出できる。求められた曲率
を変形度判定手段に入力して変形検査の合否判定の基準
値と比較することによって，半導体装置のリード等の垂
直方向の変形検査を垂直方向からの撮像画像から行うこ
とができる。水平方向の変形は上記濃淡画像上から検出
できるので，半導体装置を検査位置に載置してカメラに
より１回の撮像を行うことにより，リード等の水平及び
垂直方向の変形を同時に検出することができる。
【図１】 本発明の第１実施例に係る半導体装置の検査
装置の構成を示す模式図。
装置の構成を示す模式図。
【図２】 実施例に係る半導体装置の側面図。
【図３】 第２実施例に係る半導体装置の照明方法を示
す模式図。
す模式図。
【図４】 従来例に係る検査装置の構成を示す側面図
（ａ）と平面図（ｂ）。
（ａ）と平面図（ｂ）。
【図５】 同上構成による撮像画像の図。
【図６】 従来例に係る検査装置の構成を示す模式図。
【図７】 同上構成による検査方向とその濃淡変化グラ
フ。
フ。
１…検査装置 ２，１３…デバイス（半導体装置） ４…ＣＣＤカメラ ５…光源 ６…画像処理装置 ９…微分器（画像処理手段） １０…比較器（変形度判定手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 雅俊 埼玉県所沢市東所沢和田２丁目３番19 Ｍ Ｍビル３階ジェネシス・テクノロジー株式 会社内 (72)発明者 西元 善郎 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 後藤 有一郎 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 高橋 英二 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 山口 証 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 安田 克己 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 中山 万希志 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 照明された半導体装置をその上方からカ
メラにより撮像し，撮像された濃淡画像から上記半導体
装置やこれに形成されたリード等の変形度を判定する半
導体装置の検査方法において，上記リード等の形成方向
の斜め上方から半導体装置を照明し，上記カメラにより
撮像された濃淡画像を上記照明方向に微分処理し，微分
処理された濃度変化に基づいて上記変形度を判定するこ
とを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項２】 照明された半導体装置をその上方からカ
メラにより撮像し，撮像された濃淡画像から上記半導体
装置やこれに形成されたリード等の変形度を判定する半
導体装置の検査装置において，上記リード等の形成方向
の斜め上方から半導体装置を照明する斜向照明手段と，
上記斜向照明手段による照明方向と同一方向で上記濃淡
画像を微分処理する画像処理手段と，上記微分処理され
た画像の濃度変化に基づいて上記変形度を判定する変形
度判定手段とを具備してなることを特徴とする半導体装
置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02804795A JP3609136B2 (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の検査方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02804795A JP3609136B2 (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の検査方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08219740A true JPH08219740A (ja) | 1996-08-30 |
| JP3609136B2 JP3609136B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=12237844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02804795A Expired - Fee Related JP3609136B2 (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の検査方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3609136B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107830814A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-23 | 北京科技大学 | 一种基于光度学的测量表面变形的方法 |
| CN110954552A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 联合汽车电子有限公司 | 跨接线检测装置、跨接线检测***和跨接线检测方法 |
-
1995
- 1995-02-16 JP JP02804795A patent/JP3609136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107830814A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-23 | 北京科技大学 | 一种基于光度学的测量表面变形的方法 |
| CN107830814B (zh) * | 2017-10-16 | 2020-09-11 | 北京科技大学 | 一种基于光度学的测量表面变形的方法 |
| CN110954552A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 联合汽车电子有限公司 | 跨接线检测装置、跨接线检测***和跨接线检测方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3609136B2 (ja) | 2005-01-12 |
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