JPH08203869A - Method and system for plasma processing - Google Patents

Method and system for plasma processing

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JPH08203869A
JPH08203869A JP7008973A JP897395A JPH08203869A JP H08203869 A JPH08203869 A JP H08203869A JP 7008973 A JP7008973 A JP 7008973A JP 897395 A JP897395 A JP 897395A JP H08203869 A JPH08203869 A JP H08203869A
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JP
Japan
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plasma
processed
negative
plasma processing
processing method
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JP7008973A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Horiike
靖浩 堀池
Haruo Shindo
春雄 進藤
Satoru Narai
哲 奈良井
Tetsuya Nishizuka
哲也 西塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Publication date
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Publication of JPH08203869A publication Critical patent/JPH08203869A/en
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Abstract

PURPOSE: To prevent abnormal machining principally caused by plasma etching by irradiating an object alternately with positive and negative ions produced by plasma. CONSTITUTION: A negative gas is introduced into a vacuum vessel 2 and high frequency power is fed to first and second antennas 4, 5 thus generating first and second plasmas P1, P2 at the position of the antennas 4, 5 in a belljar 3. The first plasma P1 is generated constantly whereas the second plasma P2 is generated intermittently during plasma processing. Consequently, an object 11 is irradiated with positive ions when the second plasma P2 is turned ON whereas irradiated with negative ions when the second plasma P2 is turned OFF. The irradiation ratio of the positive and negative ions can be altered by regulating the ON and OFF times of second plasma P2 and selected under optimal conditions where the object 11 is not charged up positively or negatively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は，ＬＳＩ等の半導体集積
回路の製造プロセスに不可欠なプラズマ処理方法及びそ
の装置に係り，特に近来の集積回路製造に要求される集
積度向上のための微細且つ高精度な加工を実現するプラ
ズマ処理方法及びその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing method and an apparatus therefor, which are indispensable in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit such as an LSI, and more particularly to a fine and fine structure for improving the degree of integration required in recent integrated circuit manufacturing. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma processing method and an apparatus for realizing high-precision processing.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路製造における高密度化は
とどまることを知らず，回路の構成要素を高密度に集積
するために必要な微細加工はより高精度になされること
が要求されている。特に，半導体集積回路の製造プロセ
スではエッチングによる微細加工技術の向上が重要視さ
れており，このエッチング処理技術の向上が今後のキー
ポイントになるといっても過言ではない。微細加工のた
めのエッチング処理技術としてプラズマエッチングが用
いられており，エッチングに要求される最小加工幅はま
すます小さくなり，更には加工する高さ方向にも高精度
な処理が要求される。上記プラズマエッチングは，従来
技術においては処理ガスをプラズマ化（電離）させるこ
とによって生じた正イオンを被処理物（シリコンウェハ
ー等）に照射することによってなされている。一般的に
プラズマによる異方性エッチングでは，被処理物とプラ
ズマとの間に発生する電位（フローティング電位又は自
己バイアス電位）により加速されたイオンのエネルギー
によりエッチングが行われる。プラズマは負の電荷をも
つ電子と正の電荷をもつイオンとにより構成され，電子
の１０００倍以上の質量を持つイオンの移動速度は電子
に比べて遅いためプラズマから脱出しにくく，プラズマ
の中心部では正の電荷をもつイオンが存在しやすくな
り，プラズマは周辺に対して正に帯電する。このような
プラズマ中に被処理物を配置すると，被処理物はプラズ
マに対して負に帯電する。エッチング等の処理は，この
被処理物とプラズマとの間に発生する電位により引き込
まれる正イオン自体又は正イオンのエネルギーによりな
される。工業的には，上記イオンの引き込み度を調節す
るために，被処理物に高周波バイアス電圧を印加し，プ
ラズマに対する被処理物の電位を調節して処理の最適化
が図られている。2. Description of the Related Art It has been known that the densification in the manufacture of semiconductor integrated circuits does not stop, and the fine processing required for high density integration of circuit components is required to be performed with higher precision. In particular, in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, it is important to improve the fine processing technology by etching, and it is no exaggeration to say that the improvement of this etching processing technology is a key point in the future. Plasma etching is used as an etching processing technology for fine processing, and the minimum processing width required for etching is becoming smaller and smaller, and high-precision processing is also required in the processing height direction. In the prior art, the plasma etching is performed by irradiating an object to be processed (silicon wafer or the like) with positive ions generated by converting (ionizing) the processing gas into plasma. Generally, in anisotropic etching using plasma, etching is performed by the energy of ions accelerated by a potential (floating potential or self-bias potential) generated between an object to be processed and plasma. Plasma is composed of negatively charged electrons and positively charged ions, and the moving speed of ions with a mass of 1000 times or more that of electrons is slower than that of electrons, so it is difficult to escape from the plasma, and the central part of the plasma Then, ions with a positive charge tend to be present, and the plasma is positively charged to the surroundings. When the object to be processed is placed in such plasma, the object to be processed is negatively charged with respect to the plasma. The processing such as etching is performed by the positive ions themselves or the energy of the positive ions drawn by the potential generated between the object to be processed and the plasma. Industrially, in order to adjust the degree of attraction of the ions, a high frequency bias voltage is applied to the object to be processed, and the potential of the object to be processed with respect to the plasma is adjusted to optimize the process.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，エッチ
ング等による加工形状が微細になるにつれ，加工パター
ンの構造効果によるノッチやボーイング等の加工異常が
発生する問題が生じている。例えば，電界効果トランジ
スタのゲート形成の工程であるポリシリコンエッチング
においては，エッチング中に下地のシリコン酸化膜との
間の界面に沿って異常にエッチングが進行するノッチが
生じることが知られている。又，コンデンサ形成や素子
分離のためのトレンチエッチングにおいては，垂直な側
壁であるべきトレンチ壁が窪むボーイング等が生じる。
これらの加工異常は，微細な加工パターンによる構造効
果により，電子とイオンとの被処理物への流入量の比が
パターンに依存して異なることに起因する被処理物のチ
ャージアップが原因である。上記チャージアップに起因
するノッチ発生のプロセスは次のように説明することが
できる。イオンの質量は電子より１０００倍以上も大き
いので，同一の力を受けても移動する速度は電子より遅
くなること，プラズマに対して被処理物が負に帯電する
ことは先に述べた。このような状態では，電子は被処理
物から電気的に反発力を受け，質量が小さいので入射方
向を曲げられやすい。それに反してイオンは電気的に吸
引されるので，入射軌道は被処理物に対して垂直にな
り，相対的に質量が大きいイオンは軌道が曲げられにく
く被処理物に垂直に衝突しやすい。このような荷電粒子
の挙動の違いは，加工パターンの加工幅が小さくアスペ
クト比が高い方が著しく，これが上記ノッチを発生させ
る原因となる。However, as the processed shape becomes finer due to etching or the like, there arises a problem that a processing abnormality such as notch or bowing occurs due to the structural effect of the processing pattern. For example, in polysilicon etching which is a step of forming a gate of a field effect transistor, it is known that during etching, a notch that abnormally advances along the interface with the underlying silicon oxide film occurs. Further, in trench etching for forming a capacitor or element isolation, bowing or the like in which the trench wall which should be a vertical side wall is depressed occurs.
These processing abnormalities are caused by the charge-up of the object to be processed due to the difference in the ratio of the inflow amount of electrons and ions to the object to be processed depending on the pattern due to the structural effect of the minute processing pattern. . The process of notch generation due to the above charge-up can be explained as follows. Since the mass of an ion is 1000 times larger than that of an electron, the moving speed becomes slower than that of an electron even under the same force, and the object to be processed is negatively charged with respect to the plasma. In such a state, the electrons are electrically repelled by the object to be processed and have a small mass, so that the incident direction is easily bent. On the contrary, since the ions are electrically attracted, the incident orbit becomes perpendicular to the object to be processed, and the ions having a relatively large mass are less likely to be bent, and are likely to collide vertically with the object to be processed. Such a difference in behavior of the charged particles is remarkable when the processing width of the processing pattern is small and the aspect ratio is high, which causes the notch.

【０００４】図１２はライン＆スペースと呼ばれるパタ
ーンでエッチングの実験を行った例から上記ノッチの発
生を確認したグラフで，パターン間のスペース幅が小さ
く，且つ同一エッチング条件でもアスペクト比が高いほ
どノッチが生じやすいことが示されている。上記ライン
＆スペースは，図１３に示すように基板上に微細な幅で
ラインとスペースとをエッチングにより形成するもので
ある。図１２に示すグラフでは，横軸にスペース幅，縦
軸には１００％のオーバーエッチングを行った場合の垂
直方向のエッチング速度で規格化したノッチング速度を
示しており，数値が高いほどノッチングの著しいことが
示されている。上記ノッチの発生をモデル化した図１３
を参照して，そのプロセスを説明する。図１３（ａ）に
示すように，ノッチはライン＆スペースが形成された外
周の内側で最も発生しやすく，このノッチが著しくなる
と，図１３（ｂ）に示すように全てのラインでノッチの
発生が生じるようになる。図１３はシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）が形成されたシリコン単結晶基板（Ｓｉ）上に
ポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）でラインを形成するために，
ラインのパターンにマスキング材であるレジスト（Ｒ）
が付着しており，レジストのないスペース部分が図示上
方からエッチングされた状態を示している。同図におい
て，電子は質量が小さく，被処理物の電位がプラズマに
対して負に帯電するため，スペースの奥に到達すること
が難しく，絶縁体であるレジストに付着してレジストを
負にチャージアップさせる。ポリシリコンは導電性であ
るためにポリシリコン中の電子は反発されてレジスト直
下では局所的に正に帯電する。又，ポリシリコン全体は
側面から方向を曲げられた電子が多く入射するので，ポ
リシリコン全体は負に帯電する。更に，シリコン酸化膜
は絶縁体で，その下層のシリコン単結晶基板は導電性が
あるので，ポリシリコン全体に帯電した電荷が構成する
電場は，シリコン酸化膜付近で最も高くなる。エッチン
グの途中であればポリシリコンがライン間で繋がってい
るので電位の不平衡は生じ難いが，ラインが独立し始め
ると，シリコン酸化膜が絶縁体であるので電荷の不平衡
を生じ始める。FIG. 12 is a graph confirming the occurrence of the above notch from an example of an etching experiment performed with a pattern called line & space. The notch increases as the space width between patterns decreases and the aspect ratio increases even under the same etching conditions. Has been shown to occur easily. The line & space is for forming lines and spaces with a fine width on a substrate by etching as shown in FIG. In the graph shown in FIG. 12, the horizontal axis represents the space width, and the vertical axis represents the notching rate normalized by the etching rate in the vertical direction when 100% overetching is performed. The higher the value, the more remarkable the notching. Is shown. FIG. 13 that models the occurrence of the notch.
To explain the process. As shown in FIG. 13 (a), notches are most likely to occur inside the outer periphery where lines and spaces are formed. When this notch becomes remarkable, notches are generated in all lines as shown in FIG. 13 (b). Will occur. FIG. 13 shows a silicon oxide film (S
In order to form a line of polysilicon (P-Si) on a silicon single crystal substrate (Si) on which iO 2 ) is formed,
Resist (R) that is a masking material for the line pattern
Shows a state in which the resist-free space is etched from above in the drawing. In the figure, the electron has a small mass and the potential of the object to be processed is negatively charged with respect to the plasma, so it is difficult to reach the back of the space, and the electron is attached to the resist as an insulator to charge the resist negatively. Let it up. Since polysilicon is conductive, electrons in the polysilicon are repelled and locally charged right under the resist. Also, since many electrons whose direction is bent from the side surface enter the entire polysilicon, the entire polysilicon is negatively charged. Further, since the silicon oxide film is an insulator and the underlying silicon single crystal substrate is conductive, the electric field formed by the charges charged in the entire polysilicon is the highest near the silicon oxide film. During the etching, the polysilicon is connected between the lines, so that the potential imbalance is unlikely to occur, but when the lines start to become independent, the charge imbalance begins to occur because the silicon oxide film is an insulator.

【０００５】一方，イオンは質量が大きく電場による力
を受けても運動方向が曲がりにくく，プラズマに対して
負に帯電する被処理物に吸引されるためにスペースの底
部にまで到達しやすい。イオンの場合もエッチング途中
ではポリシリコンがライン間で繋がっているために電位
の不平衡は生じにくいが，ラインが独立し始めると，電
荷の不平衡が激しくなりスペース底部を正にチャージア
ップし始める。従って，特にポリシリコン底部では電荷
の不平衡が激しくなり，イオンは負に帯電したポリシリ
コン底部に吸引され始める。エッチング途中のポリシリ
コンは，側壁にエッチングの副生成物や物理的にスパッ
タされたレジストなどに薄く被覆されており，ある程度
のイオンエネルギーがないと横方向にはエッチングが進
行しないが，局所的に発生した電荷の不平衡によりポリ
シリコンとシリコン酸化膜との間にイオンが横方向に加
速されると，側壁の被覆がスパッタされて局所的なエッ
チング，即ちノッチが始まることになる。上記現象は，
トレンチ構造の側壁が窪むボーイングについても同様の
状態から，トレンチの上部と下部との局所的なチャージ
アップがイオンの軌道を曲げることにより発生する。上
記ノッチやボーイング等の加工異常は，加工パターンの
状態だけでなく，プラズマの電子密度が大きいほど荷電
粒子の流入に不平衡を生じて発生しやすくなり，被処理
物のプラズマに対する負の電位が大きいほどイオンの加
速が大きくなるため発生し難くなる。これらは実際のエ
ッチング中では相互に関連する。たとえば，高密度プラ
ズマの場合にはプラズマのインピーダンスが低下するの
で，被処理物の電位を調整する目的で印加される高周波
により発生する電圧（自己バイアス）が低下する傾向が
あり，被処理物に入射するイオンの加速電位が小さくな
り相乗的にノッチ等が発生する傾向になる。最新のエッ
チング技術では，低いイオン加速電位により加工する膜
（上記モデルではポリシリコンが該当する）の下地（同
じくシリコン酸化膜）の損傷を少なくすることが要求さ
れると同時に，高速の処理が望まれており，ノッチ等の
発生とトレードオフの関係になっている。従って，被処
理物のチャージアップに起因するノッチ等の加工異常を
抑える技術の開発により，プラズマ処理の品質と経済性
との双方に有利な条件が得られることになる。本発明
は，被処理物のチャージアップを抑えるプラズマ処理技
術を開発することにより，主としてプラズマによるエッ
チング処理における加工異常を防止するプラズマ処理方
法及びその装置を提供することを目的とするものであ
る。On the other hand, the ions have a large mass and the movement direction thereof is hard to bend even when subjected to the force of the electric field, and the ions are easily attracted to the object to be processed, which is negatively charged with respect to the plasma, and thus easily reach the bottom of the space. In the case of ions, the potential imbalance is unlikely to occur because polysilicon is connected between the lines during etching, but when the lines start to become independent, the charge imbalance becomes severe and the bottom of the space starts to charge up positively. . Therefore, the charge imbalance becomes severe especially at the bottom of the polysilicon, and the ions start to be attracted to the bottom of the negatively charged polysilicon. Polysilicon in the middle of etching is thinly coated on the sidewalls by etching by-products and physically sputtered resist, etc. The etching does not proceed in the lateral direction unless there is some ion energy, but locally. When the ions are laterally accelerated between the polysilicon and the silicon oxide film due to the generated charge imbalance, the sidewall coating is sputtered and local etching, that is, notching is started. The above phenomenon is
In the case of bowing in which the side wall of the trench structure is dented, the local charge-up between the upper part and the lower part of the trench is generated by bending the ion trajectory from the same state. The above-described processing abnormality such as notch or bowing is more likely to occur not only in the processing pattern state but also as the plasma electron density increases, causing imbalance in the inflow of charged particles, and the negative potential with respect to the plasma of the object to be processed is increased. The larger the value, the greater the acceleration of the ions and the more difficult it is to generate. These are interrelated during the actual etching. For example, in the case of high-density plasma, the impedance of the plasma decreases, so the voltage (self-bias) generated by the high frequency applied for the purpose of adjusting the potential of the object to be processed tends to decrease. The accelerating potential of the incident ions becomes smaller, and notches and the like tend to synergistically occur. In the latest etching technology, it is required to reduce damage to the base (also silicon oxide film) of the film processed by low ion acceleration potential (polysilicon corresponds in the above model), and at the same time, high-speed processing is desired. Therefore, there is a trade-off relationship with the occurrence of notches and the like. Therefore, the development of technology for suppressing processing abnormalities such as notches due to charge-up of the object to be processed will provide favorable conditions for both the quality and economic efficiency of plasma processing. It is an object of the present invention to provide a plasma processing method and an apparatus therefor, which develops a plasma processing technique for suppressing charge-up of an object to be processed, thereby mainly preventing processing abnormalities in etching processing by plasma.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用する第１の方法は，真空容器内に負性ガ
スを導入して所要のプラズマ発生手段により上記真空容
器内の所定位置にプラズマを発生させ，該プラズマによ
り上記真空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理す
るプラズマ処理方法において，上記被処理物に上記プラ
ズマによって生成された正イオンと負イオンとを交互に
照射するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法
である。上記第１の方法は，上記被処理物から離れた第
１の所定位置に第１のプラズマを発生させると共に，上
記被処理物と上記第１の所定位置との間の第２の所定位
置に第２のプラズマを断続的に発生させることにより上
記被処理物をプラズマ処理することができる。又，上記
第２のプラズマの発生を断続させる時間間隔を調整でき
るように構成することができる。又，上記第１のプラズ
マの発生位置と第２のプラズマの発生位置とを調整でき
るように構成することができる。In order to achieve the above object, the first method adopted by the present invention is to introduce a negative gas into a vacuum container and to generate a predetermined plasma in the vacuum container by a required plasma generating means. In a plasma processing method of generating plasma at a position and subjecting an object to be processed arranged in the vacuum container to plasma by the plasma, positive ions and negative ions generated by the plasma are alternately applied to the object to be processed. The plasma processing method is characterized in that irradiation is performed. In the first method, a first plasma is generated at a first predetermined position apart from the object to be processed, and at a second predetermined position between the object to be processed and the first predetermined position. The object to be processed can be plasma-processed by intermittently generating the second plasma. Further, the time interval for intermittently generating the second plasma can be adjusted. In addition, it is possible to adjust the generation position of the first plasma and the generation position of the second plasma.

【０００７】又，本発明が採用する第２の方法は，上記
プラズマの発生領域から離れた所定位置に上記被処理物
を配設し，該被処理物を上記負性ガスの中性粒子と被処
理物とが熱化学的に反応しない温度に冷却すると共に，
上記被処理物に所定周波数の交流バイアス電圧を印加し
て，上記被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法
である。上記第２の方法を実施する構成は，上記被処理
物がポリシリコン，上記負性ガスがフッ素を含むガス，
上記冷却温度が−１３０℃以下として，上記被処理物を
エッチング処理するプラズマ処理方法。上記被処理物が
ポリシリコン，上記負性ガスが塩素を含むガス，上記冷
却温度が−３０℃以下として，上記被処理物をエッチン
グ処理するプラズマ処理方法。上記被処理物がポリシリ
コン，上記負性ガスが臭素を含むガス，上記冷却温度が
０℃以下として，上記被処理物をエッチング処理するプ
ラズマ処理方法。上記被処理物がポリシリコン，上記負
性ガスが沃素を含むガス，上記冷却温度が４０℃以下と
して，上記被処理物をエッチング処理するプラズマ処理
方法。上記被処理物がシリコン単結晶，上記負性ガスが
フッ素を含むガス，上記冷却温度が−７０℃以下とし
て，上記被処理物をエッチング処理するプラズマ処理方
法。上記被処理物がシリコン単結晶，上記負性ガスが塩
素を含むガス，上記冷却温度が２０℃以下として，上記
被処理物をエッチング処理するプラズマ処理方法。上記
被処理物がシリコン単結晶，上記負性ガスが臭素を含む
ガス，上記冷却温度が４０℃以下として，上記被処理物
をエッチング処理するプラズマ処理方法。上記被処理物
がシリコン単結晶，上記負性ガスが沃素を含むガス，上
記冷却温度が７０℃以下として，上記被処理物をエッチ
ング処理するプラズマ処理方法として構成することがで
きる。又，上記交流バイアスの周波数及び電力を被処理
物の処理条件に対応させて変化させるプラズマ処理方法
として構成することができる。A second method adopted by the present invention is to dispose the object to be treated at a predetermined position apart from the plasma generation region and to treat the object to be neutral particles of the negative gas. While cooling to a temperature at which the object to be processed does not react thermochemically,
This is a plasma processing method in which an AC bias voltage having a predetermined frequency is applied to the object to be processed and the object to be processed is plasma-processed. The configuration for carrying out the second method is such that the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing fluorine,
A plasma processing method in which the cooling temperature is −130 ° C. or lower and the object is etched. A plasma processing method, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing chlorine, and the cooling temperature is −30 ° C. or less, and the object to be processed is etched. A plasma processing method, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing bromine, and the cooling temperature is 0 ° C. or less, and the object to be processed is etched. A plasma processing method, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing iodine, and the cooling temperature is 40 ° C. or lower, and the object to be processed is etched. A plasma processing method, wherein the object to be processed is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing fluorine, and the cooling temperature is −70 ° C. or lower, and the object to be processed is etched. A plasma processing method in which the object to be processed is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing chlorine, and the cooling temperature is 20 ° C. or less, and the object to be processed is etched. A plasma processing method, wherein the object to be processed is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing bromine, and the cooling temperature is 40 ° C. or lower, and the object to be processed is etched. The object to be processed can be configured as a plasma processing method in which the object to be processed is subjected to etching processing with a silicon single crystal, the negative gas containing iodine, and the cooling temperature of 70 ° C. or lower. Further, it can be configured as a plasma processing method in which the frequency and power of the AC bias are changed in accordance with the processing conditions of the object to be processed.

【０００８】更に，本発明が採用する第３の方法は，反
応容器内に負性ガスを導入して所要のプラズマ発生手段
により上記反応容器内にプラズマを発生させ，該プラズ
マにより上記反応容器に隣接する真空容器内に配設した
被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法におい
て，上記プラズマから発生した負イオンを上記反応容器
内から引出し，該負イオンを中性化させて上記被処理物
に照射することを特徴とするプラズマ処理方法である。
上記第３の方法において，上記負イオンの中性化が光エ
ネルギーの照射により行われるプラズマ処理方法として
構成することができる。更に，上記目的を達成するため
に本発明が採用する第１の手段は，真空容器内に負性ガ
スを導入して所要のプラズマ発生手段により上記真空容
器内の所定位置にプラズマを発生させ，該プラズマによ
り上記真空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理す
るプラズマ処理装置において，上記被処理物から離れた
第１の所定位置にプラズマを発生させる第１のプラズマ
発生手段と，上記被処理物と上記第１の所定位置との間
の第２の所定位置にプラズマを発生させる第２のプラズ
マ発生手段と，上記第２のプラズマ発生手段によるプラ
ズマ発生を断続させるプラズマ発生断続手段とを具備し
てなることを特徴とするプラズマ処理装置として構成さ
れている。Further, the third method adopted by the present invention is that a negative gas is introduced into the reaction vessel to generate plasma in the reaction vessel by the required plasma generating means, and the plasma causes the plasma to be generated in the reaction vessel. In a plasma processing method of performing plasma processing on an object to be processed arranged in an adjacent vacuum container, negative ions generated from the plasma are extracted from the reaction container, and the negative ions are neutralized to the object to be processed. It is a plasma processing method characterized by irradiation.
The third method may be configured as a plasma processing method in which the neutralization of the negative ions is performed by irradiation with light energy. Further, the first means adopted by the present invention to achieve the above object is to introduce a negative gas into the vacuum container to generate plasma at a predetermined position in the vacuum container by a required plasma generating means, In a plasma processing apparatus for plasma-processing an object to be processed arranged in the vacuum container with the plasma, first plasma generating means for generating plasma at a first predetermined position distant from the object to be processed; A second plasma generating means for generating plasma at a second predetermined position between the object to be processed and the first predetermined position; and a plasma generation interrupting means for interrupting the plasma generation by the second plasma generating means. It is configured as a plasma processing apparatus characterized by being provided.

【０００９】上記第１の手段において，上記プラズマ発
生断続手段による断続間隔を制御するプラズマ断続間隔
制御手段を設けて構成することができる。更に，本発明
が採用する第２の手段は，真空容器内に負性ガスを導入
して所要のプラズマ発生手段によりプラズマを発生さ
せ，該プラズマにより上記真空容器内に配設した被処理
物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において，上記
プラズマの発生領域から所定距離離れた位置に上記被処
理物を保持する被処理物保持手段と，上記被処理物を上
記負性ガスの中性粒子と被処理物とが熱化学的に反応し
ない温度に冷却する被処理物冷却手段と，上記被処理物
に所定周波数の交流バイアス電圧を印加する交流バイア
ス印加手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ
処理装置として構成されている。上記第２の手段におい
て，上記被処理物冷却手段による冷却温度を調整する手
段を設けた構成することができる。又，上記交流バイア
ス印加手段による交流バイアスの周波数及び電力を調整
する手段を設けて構成することができる。更に，本発明
が採用する第３の手段は，反応容器内に負性ガスを導入
して所要のプラズマ発生手段により上記反応容器内にプ
ラズマを発生させ，該プラズマにより上記反応容器に隣
接する真空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理す
るプラズマ処理装置において，上記プラズマから発生し
た負イオンを上記反応容器内から上記真空容器内に引出
す負イオン引出し手段と，上記真空容器内に引き出され
た負イオンを光エネルギーにより中性化させる光エネル
ギー照射手段とを具備してなることを特徴とするプラズ
マ処理装置として構成されている。The first means may be constructed by providing a plasma interrupting interval control means for controlling the interrupting interval by the plasma generating interrupting means. Further, the second means adopted by the present invention introduces a negative gas into the vacuum container to generate plasma by the required plasma generating means, and the plasma is used to remove the object to be processed arranged in the vacuum container. In a plasma processing apparatus for plasma processing, an object holding means for holding the object to be processed at a position separated from the plasma generation region by a predetermined distance, and the object to be processed with neutral particles of the negative gas and the object to be processed. A plasma comprising: an object cooling means for cooling the object to a temperature at which it does not react thermochemically; and an AC bias applying means for applying an AC bias voltage of a predetermined frequency to the object. It is configured as a processing device. The second means may be provided with means for adjusting the cooling temperature of the object cooling means. Further, it may be configured by providing means for adjusting the frequency and power of the AC bias by the AC bias applying means. Further, the third means adopted by the present invention is that a negative gas is introduced into the reaction vessel to generate plasma in the reaction vessel by the required plasma generation means, and the plasma causes a vacuum adjacent to the reaction vessel. In a plasma processing apparatus for plasma-processing an object to be processed arranged in a container, negative ion extracting means for extracting negative ions generated from the plasma from the reaction container into the vacuum container, and withdrawing into the vacuum container. And a light energy irradiation means for neutralizing the negative ions by light energy.

【００１０】[0010]

【作用】従来のプラズマ処理では，処理ガスを電離する
ことにより生成される正イオンをエッチング等の処理に
利用していたが，本願発明者らは発生させたプラズマか
らプラズマ処理に利用できる負イオンの存在を発見し，
これを有効に利用することによって被処理物が正又は負
のいずれかの一方に帯電することを抑制することによっ
て，被処理物がチャージアップすることに起因する加工
形状の異常を防止するプラズマ処理方法及びその装置を
発明するに至ったものである。上記プラズマ処理に利用
できる負イオンが存在することの実証実験等の詳細は後
述するが，負イオンが生成される概略過程は次の通りで
ある。プラズマ発生部では電子と正イオンとが生成され
るが，プラズマ発生部から離れた場所では，拡散の過程
で正イオンと電子との再結合や，電気陰性度の高い負性
ガス内では電子と中性原子との結合により負イオンが生
成される。特に拡散中のプラズマの電子は電場からのエ
ネルギーが与えられないので，電子のエネルギーが比較
的小さく，中性原子との結合の確率が高くなり顕著に負
イオンが生成される。本発明は，上記のごとく存在が確
認された負イオンと，本来存在する正イオンとを被処理
物に交互に照射してプラズマ処理を行うプラズマ処理方
法及びその装置と，上記負イオンを中性化させた後，被
処理物に照射することによりプラズマ処理を行うプラズ
マ処理方法及びその装置とに区分することができる。本
発明の第１及び第２の方法及び手段は，上記被処理物に
正イオンと負イオンとを交互に照射してプラズマ処理を
行うことにより，被処理物がチャージアップすることを
防止するプラズマ処理方法及びその装置に関する。In the conventional plasma processing, the positive ions generated by ionizing the processing gas are used for the processing such as etching. However, the inventors of the present application used the negative ions which can be used for the plasma processing. The existence of
By effectively utilizing this, the plasma processing that prevents abnormalities in the processed shape due to the charge-up of the object to be processed by suppressing the object to be charged to either positive or negative The inventors have invented a method and an apparatus thereof. The details of the proof experiment for the existence of negative ions that can be used for the plasma treatment will be described later, but the general process for generating negative ions is as follows. Electrons and positive ions are generated in the plasma generation part, but in a place away from the plasma generation part, recombination of positive ions and electrons occurs in the diffusion process, and electrons are generated in a negative gas with high electronegativity. Negative ions are generated by the bond with the neutral atom. In particular, the electrons of the plasma during diffusion are not given energy from the electric field, so the energy of the electrons is relatively small, the probability of binding to neutral atoms increases, and negative ions are significantly generated. The present invention provides a plasma processing method and apparatus for performing plasma processing by alternately irradiating an object to be processed with negative ions whose existence has been confirmed as described above, and positive ions that are originally present, and a method for performing the plasma processing, wherein the negative ions are neutralized. After being turned into plasma, it can be classified into a plasma processing method and apparatus for performing plasma processing by irradiating an object to be processed. In the first and second methods and means of the present invention, a plasma for preventing the object to be charged up by performing plasma processing by alternately irradiating the object to be processed with positive ions and negative ions. The present invention relates to a processing method and an apparatus thereof.

【００１１】上記第１の方法及び手段では，被処理物に
正イオンと負イオンとを交互に照射するために，被処理
物から離れた第１の所定位置に第１のプラズマを発生さ
せ，ここから負イオンを取り出す。又，上記第１のプラ
ズマと被処理物との間の第２の所定位置に第２のプラズ
マを発生させ，ここから正イオンを取り出す。これらの
負イオンと正イオンとを交互に被処理物に照射させるた
めに，上記第２のプラズマを断続的に発生させる。第２
のプラズマがオフ状態のときには，第１のプラズマによ
る負イオンが被処理物に照射され，第２のプラズマがオ
ン状態のときには，第２のプラズマによる正イオンが被
処理物に照射される。これら負イオンと正イオンとの被
処理物上における照射比率を調整することによって，被
処理物が負又は正にチャージアップすることが防止で
き，この調整は上記第２のプラズマの断続間隔を調整す
ることによってなされる。又，第２プラズマの断続間隔
を調整すると共に，上記第１のプラズマの発生装置と第
２のプラズマの発生位置とを調整することによっても，
正及び負イオンの被処理物への入射比率を調整すること
ができる。請求項１，２，３，４，１７がこれに該当す
る。In the above first method and means, in order to irradiate the object to be processed with positive ions and negative ions alternately, a first plasma is generated at a first predetermined position apart from the object to be processed, Negative ions are extracted from here. In addition, a second plasma is generated at a second predetermined position between the first plasma and the object to be processed, and positive ions are extracted from this. The second plasma is intermittently generated in order to alternately irradiate the object to be processed with these negative ions and positive ions. Second
When the plasma is off, the negative ions from the first plasma are applied to the object to be processed, and when the second plasma is on, the positive ions from the second plasma are applied to the object. By adjusting the irradiation ratio of the negative ions and the positive ions on the object to be processed, it is possible to prevent the object to be charged up negatively or positively, and this adjustment adjusts the intermittent interval of the second plasma. Done by doing. Further, by adjusting the intermittent interval of the second plasma and adjusting the position of the first plasma generator and the position of the second plasma,
The incidence ratio of positive and negative ions on the object to be processed can be adjusted. Claims 1, 2, 3, 4, and 17 correspond to this.

【００１２】又，上記第２の方法及び手段は，プラズマ
の発生領域から被処理物を所定距離離して配置すること
により，負イオンと正イオンとが被処理物に入射できる
ようにして，被処理物に高周波電圧を印加して時間的に
正負のイオン入射を切り替えるものである。プラズマ処
理する真空容器内には中性粒子（ラジカル）も存在し，
被処理物に入射されるが，この中性粒子による熱化学的
なエッチングはエッチング等の形状制御には適さないの
で，これを避けるため，化学反応を無視できる程度に被
処理物を冷却する。又，被処理物に印加する高周波電圧
の周波数は，形成するエッチングパターンの粗密度等の
条件により決定される。請求項５，１４，１９，２０，
２１がこれに該当する。又，被処理物の種類と処理ガス
の種類とによる最適条件となる被処理物の冷却温度が，
請求項６〜１３に示されている。本発明の第３の方法及
び手段は，上記負イオンを中性化させた後，被処理物に
照射することによりプラズマ処理を行うことにより，被
処理物のチャージアップを防止するプラズマ処理方法及
びその装置に関する。本発明の第３の方法及び手段は，
反応室内で発生させたプラズマから負イオンのみを真空
容器内に引出し，この負イオンを中性化して被処理物に
照射する。中性化されたイオンであるので，被処理物は
チャージアップすることなくプラズマ処理がなされるた
め，プラズマエッチングにおける加工形状の異常等の発
生は生じない。上記負イオンの中性化は，特定波長（例
えばＦ- イオンの場合では３３０ｎｍ）より短い光を負
イオンに照射することにより負イオンから電子離脱させ
ることができるので，反応室から引き出した負イオンに
特定波長の光エネルギーを照射することによって実施で
きる。請求項１５，１６，２２がこれに該当する。In the second method and means, the negative ions and the positive ions can be incident on the object to be processed by arranging the object to be processed from the plasma generation region by a predetermined distance. A high-frequency voltage is applied to the object to be processed to switch between positive and negative ion injection with respect to time. Neutral particles (radicals) are also present in the plasma processing vacuum container,
Although it is incident on the object to be processed, thermochemical etching by the neutral particles is not suitable for shape control such as etching. Therefore, in order to avoid this, the object to be processed is cooled to such an extent that the chemical reaction can be ignored. The frequency of the high frequency voltage applied to the object to be processed is determined by conditions such as the coarse density of the etching pattern to be formed. Claims 5, 14, 19, 20,
21 corresponds to this. Also, the cooling temperature of the object to be treated, which is the optimum condition depending on the type of the object to be treated and the type of processing gas,
It is shown in claims 6-13. A third method and means of the present invention is a plasma processing method for preventing charge-up of an object to be processed by performing plasma processing by irradiating the object to be processed after neutralizing the negative ions. Regarding the device. A third method and means of the present invention is
Only negative ions are extracted from the plasma generated in the reaction chamber into the vacuum chamber, and the negative ions are neutralized and irradiated to the object to be processed. Since the ions are neutralized, the object to be processed is subjected to plasma processing without being charged up, so that abnormalities in the processed shape during plasma etching do not occur. In the neutralization of the negative ions, the electrons can be detached from the negative ions by irradiating the negative ions with light shorter than a specific wavelength (for example, 330 nm in the case of F − ions). Can be carried out by irradiating with light energy of a specific wavelength. Claims 15, 16 and 22 correspond to this.

【００１３】[0013]

【実施例】以下，添付図面を参照して，本発明を具体化
した実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，
以下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定するものではない。まず，プラズ
マ処理に利用できる負イオンの存在を確認するための実
験について説明する。図８はプラズマ発生手段としてＥ
ＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマを用い
たエッチング処理装置である。真空容器３０内に磁気コ
イル３３からの磁場と，ホーンアンテナ３２からのマイ
クロ波とを導入すると共に，処理ガスを導入してＥＣＲ
条件を成立させ，真空容器３０内の所定領域にプラズマ
を発生させる。真空容器３０内には被処理物３１を保持
して，その配設位置を移動できるように構成された試料
台３４が設けられている。又，真空容器３０にはプラズ
マの電気的特性を検出するためのプローブをセットする
ためのゲージポート３５，３６が形成されている。上記
試料台３４は真空容器３０と電気的に絶縁され，処理ガ
スのラジカルによる化学反応が生じない温度にまで被処
理物３１を冷却する冷却手段が設けられており，イオン
のエネルギーによるエッチングのみができるように実験
条件が設定されている。又，被処理物３１はプラズマ発
生領域から離して，プラズマ中の電子が拡散しながら処
理ガスの中性原子と結合するに充分な距離を確保できる
よう試料台３４の位置が調整されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings for the understanding of the present invention. still,
The following example is an example embodying the present invention and does not limit the technical scope of the present invention. First, an experiment for confirming the existence of negative ions that can be used for plasma processing will be described. FIG. 8 shows a plasma generating means E
It is an etching processing apparatus using CR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The magnetic field from the magnetic coil 33 and the microwave from the horn antenna 32 are introduced into the vacuum container 30, and the processing gas is introduced to the ECR.
The condition is satisfied, and plasma is generated in a predetermined area in the vacuum container 30. A sample table 34 is provided in the vacuum container 30 so as to hold the object 31 to be processed and move its position. Further, the vacuum container 30 is formed with gauge ports 35 and 36 for setting a probe for detecting the electrical characteristics of plasma. The sample table 34 is electrically insulated from the vacuum container 30 and is provided with a cooling means for cooling the object to be processed 31 to a temperature at which a chemical reaction due to radicals of the processing gas does not occur. The experimental conditions are set so that it can be done. The position of the sample stage 34 is adjusted so that the object 31 to be processed is separated from the plasma generation region and a sufficient distance can be secured so that electrons in the plasma can diffuse and combine with neutral atoms of the processing gas.

【００１４】上記構成により被処理物３１としてＮ+ ポ
リシリコンをエッチングした結果を図９に示す。被処理
物３１の配設位置はマイクロ波導入窓３７から５０mm，
被処理物３１の冷却温度は−１３０°，処理ガスとして
ＳＦ6 ガスを用いており，これは電気陰性度が高い負性
ガスであるので，プラズマから発生した電子との結合が
生じやすい条件となっている。又，実験圧力は２ｍＴｏ
ｒｒと９０ｍＴｏｒｒとに調整してエッチングを行って
いる。図９において，横軸は被処理物３１に印加したバ
イアス電圧で，接地された真空容器３０の電位を基準と
した電圧を試料台３４を通して被処理物３１に印加して
いる。縦軸は被処理物３１のエッチング速度を示してい
る。図９に示されるように，圧力２ｍＴｏｒｒでは上記
バイアス電圧が正の電位になったときエッチングされて
おらず，この条件下では電子と中性原子との衝突の確率
が小さく，負イオンが生成される度合いが少なくなるた
め，正イオンによるエッチングがなされているものと考
えられる。一方，圧力９０ｍＴｏｒｒでは正負いずれの
電位のときにもエッチングされている。この条件下では
負イオンが積極的に生成されるため，正イオンと負イオ
ンとの両方でエッチングがなされていると考えられる。FIG. 9 shows the result of etching N + polysilicon as the object to be processed 31 having the above structure. The position of the object 31 to be processed is 50 mm from the microwave introduction window 37,
The cooling temperature of the object to be processed 31 is −130 °, and SF 6 gas is used as the processing gas. Since this is a negative gas having a high electronegativity, the conditions under which the bond with the electron generated from the plasma easily occurs. Has become. The experimental pressure is 2 mTo
Etching is performed by adjusting rr to 90 mTorr. In FIG. 9, the horizontal axis represents the bias voltage applied to the object 31 to be processed, and the voltage based on the potential of the grounded vacuum container 30 is applied to the object 31 to be processed through the sample stage 34. The vertical axis represents the etching rate of the processing object 31. As shown in FIG. 9, at a pressure of 2 mTorr, etching was not performed when the bias voltage had a positive potential. Under this condition, the probability of collision between electrons and neutral atoms was small, and negative ions were generated. It is considered that the etching is performed by positive ions because the degree of damage is reduced. On the other hand, at a pressure of 90 mTorr, etching is performed at both positive and negative potentials. Since negative ions are positively generated under this condition, it is considered that etching is performed with both positive ions and negative ions.

【００１５】この状態をプラズマの電気的特性から評価
するために，ゲージポート３５からラングミュアプロー
ブ３９を真空容器３０内に挿入し，マイクロ波導入窓３
７から５５mmの位置にセットしてイオン電流を測定し
た。その結果を図１０に示す。横軸はプローブに加えら
れる電位，縦軸はプローブに流れる電流を示している。
同図において，２ｍＴｏｒｒでは正電流と負電流との比
が大きく，正イオンが主体のプラズマであるが，９０ｍ
Ｔｏｒｒでは正電流と負電流との間の差が小さく，プラ
ズマ中に負イオンが存在していることが分かる。正電流
と負電流との飽和電流値の差は，数式（１）の関係式の
ように示すことができる。In order to evaluate this state from the electrical characteristics of plasma, a Langmuir probe 39 is inserted from the gauge port 35 into the vacuum container 30, and the microwave introduction window 3
The ion current was measured by setting the position at 7 to 55 mm. The result is shown in FIG. The horizontal axis shows the potential applied to the probe, and the vertical axis shows the current flowing through the probe.
In the figure, at 2 mTorr, the ratio of the positive current to the negative current is large, and the plasma is mainly composed of positive ions.
In Torr, the difference between the positive current and the negative current is small, and it can be seen that negative ions are present in the plasma. The difference between the saturation current values of the positive current and the negative current can be expressed as the relational expression of the mathematical expression (1).

【数１】 但し，α＝Ｎ- ／Ｎ+ Ｊｅ：電子電流， Ｊｉ：イオン電流，ε：真空誘電
率，Ｍ ：イオン質量，ｍ ：電子質量， Ｔ：イオン
温度，Ｎ ：イオン数 図１０に示されたデータでは，正イオンのみでプラズマ
が構成されている場合の理論値である約２００以下の電
流比が観測されているので，負イオンが正電流に関与し
て飽和電流の比を小さくしていることが観測されたと考
えられる。従って，９０ｍＴｏｒｒで観測されたエッチ
ングは負イオンによるものであり，負イオンによるエッ
チングが可能であることを示している。[Equation 1] However, α = N − / N + Je: electron current, Ji: ion current, ε: vacuum permittivity, M: ion mass, m: electron mass, T: ion temperature, N: number of ions shown in FIG. In the data, a current ratio of about 200 or less, which is the theoretical value when the plasma is composed of only positive ions, is observed, so negative ions contribute to the positive current and reduce the ratio of the saturation current. It is thought that this was observed. Therefore, the etching observed at 90 mTorr is due to negative ions, which indicates that etching with negative ions is possible.

【００１６】上記負イオンが生成される過程は，次のよ
うに説明することができる。プラズマ発生部では電子が
電場のエネルギーを受けて加速され，中性原子に衝突し
て正イオンと電子とを生成させる。生成された電子は電
場により加速され，次々と正イオンと電子とを生成する
ことによりプラズマが維持される。これに対して，プラ
ズマ発生部から離れた場所では，プラズマが拡散する過
程で正イオンと電子との再結合がなされ，特に電気陰性
度が高いハロゲンを含むガスでは，原子が電子を捕らえ
るための障壁となるエネルギーが小さく，電子と中性原
子との結合により負イオンが形成されやすくなってい
る。又，拡散中の電子は電場によりエネルギーが与えら
れないので，電子のエネルギーが比較的小さく，中性原
子との結合の確率が高く，顕著に負イオンを生成する。
従って，負性ガスが用いられた環境下では，プラズマか
ら離れた場所で負イオンの生成が顕著になされており，
この負イオンを被処理物に入射させることにより，負イ
オンによるエッチングが可能となる。これを検証するた
めに，図８に示したエッチング装置において，被処理物
３１の配設位置をマイクロ波導入窓３７から１００mmの
位置にして，圧力９０ｍＴｏｒｒでエッチングを行った
ところ，被処理物３１に負のバイアス電位が印加されて
いる状態では，図１１に示すように全くエッチングがな
されず，正のバイアス電位が印加されたときにのみエッ
チングがなされている。この条件下では，この領域には
負イオンが圧倒的に多く存在しており，負イオンにより
エッチングされたと考えられる。The process of generating the negative ions can be explained as follows. In the plasma generation part, the electrons are accelerated by receiving the energy of the electric field and collide with neutral atoms to generate positive ions and electrons. The generated electrons are accelerated by the electric field, and positive ions and electrons are generated one after another to maintain the plasma. On the other hand, in a place away from the plasma generation part, positive ions and electrons are recombined in the process of plasma diffusion, and especially in a gas containing halogen, which has a high electronegativity, atoms are required to capture electrons. The energy that acts as a barrier is small, and it is easy for negative ions to form due to the binding of electrons and neutral atoms. Further, since the electrons in the diffusion are not given energy by the electric field, the energy of the electrons is relatively small, the probability of binding with neutral atoms is high, and negative ions are remarkably generated.
Therefore, in the environment where the negative gas is used, the generation of negative ions is remarkable in the place away from the plasma,
By making this negative ion incident on the object to be processed, etching by the negative ion becomes possible. In order to verify this, in the etching apparatus shown in FIG. 8, the object 31 to be processed was placed at a position 100 mm from the microwave introduction window 37 and etching was performed at a pressure of 90 mTorr. In the state where the negative bias potential is applied, the etching is not performed at all as shown in FIG. 11, and the etching is performed only when the positive bias potential is applied. Under this condition, there are overwhelmingly many negative ions in this region, and it is considered that etching was performed by the negative ions.

【００１７】以上説明したように，負イオンの存在と，
これによるエッチング等の処理が可能であることは確認
されたが，例えば負イオンのみによりエッチングを行う
と，従来の正イオンによるエッチングと同様に，被処理
物に局所的なチャージアップが生じて微細形状の構造効
果による加工異常が発生することになる。そこで，被処
理物を正又は負のいずれにもチャージアップさせないよ
うにするために，上記負イオンと正イオンとを併用した
プラズマ処理方法，更には，上記負イオンを中性化する
プラズマ処理方法について，以下にそれぞれの実施例を
示す。まずは，上記負イオンと正イオンとを併用したプ
ラズマ処理方法について，プラズマエッチング装置の実
施例に基づいて説明する。ここに，図１は本発明の第１
実施例に係るプラズマ処理装置の構成を示す模式図，図
２は第２実施例に係るプラズマ処理装置の構成を示す模
式図，図３は従来のプラズマ処理装置におけるプラズマ
により形成される等価整流回路の説明図，図４は第２実
施例に係るプラズマにより形成される等価整流回路の説
明図，図５は従来構成に適用した場合の等価整流回路の
説明図，図６は第３実施例に係るプラズマ処理装置の構
成を示す模式図である。図１において，第１実施例に係
るプラズマ処理装置１は，プラズマ発生手段としてＩＣ
Ｐ（Inductively Coupled Plasma）を採用し，発生させ
たプラズマにより被処理物をエッチング処理する装置と
して構成されている。プラズマ処理を行う真空容器２に
は，石英ガラスにより形成されたベルジャ（反応室）３
が設けられ，排気ポート８から真空排気され，ガス導入
ポート９から処理ガスである負性ガスが容器中に導入で
きるように構成され，被処理物１１は真空容器２内の所
定位置に設けられた試料台１０上に保持される。As explained above, the presence of negative ions,
Although it has been confirmed that etching or the like can be performed by this method, for example, when etching is performed only with negative ions, local charge-up occurs on the object to be processed, similar to etching with conventional positive ions, and fine etching occurs. Machining abnormalities will occur due to the structural effect of the shape. Therefore, in order to prevent the object to be charged from being positively or negatively charged, a plasma processing method in which the negative ions and the positive ions are used in combination, and further, a plasma processing method in which the negative ions are neutralized With respect to the above, respective examples will be shown below. First, a plasma processing method using both negative ions and positive ions will be described based on an embodiment of a plasma etching apparatus. Here, FIG. 1 shows the first of the present invention.
2 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a second embodiment, and FIG. 3 is an equivalent rectification circuit formed by plasma in a conventional plasma processing apparatus. 4 is an explanatory diagram of an equivalent rectifier circuit formed by plasma according to the second embodiment, FIG. 5 is an explanatory diagram of an equivalent rectifier circuit when applied to a conventional configuration, and FIG. 6 is a third embodiment. It is a schematic diagram which shows the structure of such a plasma processing apparatus. In FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 according to the first embodiment has an IC as a plasma generating means.
The apparatus adopts P (Inductively Coupled Plasma) and is configured as an apparatus for etching an object to be processed by the generated plasma. The vacuum vessel 2 for plasma processing has a bell jar (reaction chamber) 3 made of quartz glass.
Is provided and is evacuated from the exhaust port 8 so that a negative gas as a processing gas can be introduced into the container from the gas introduction port 9. The object to be processed 11 is provided at a predetermined position in the vacuum container 2. It is held on the sample table 10.

【００１８】上記ベルジャ３の外周部には，リング状に
形成された第１アンテナ（第１のプラズマ発生手段）４
と，第２アンテナ（第２のプラズマ発生手段）５とが配
設され，各アンテナ４，５には第１高周波電源６と第２
高周波電源７とからそれぞれ高周波電力が供給され，ベ
ルジャ２内にプラズマ発生のための電場が与えられる。
真空容器２内に負性ガスを導入し，上記第１アンテナ４
及び第２アンテナ５に高周波電力を供給すると，ベルジ
ャ３内の各アンテナ４，５位置に第１プラズマＰ１と第
２プラズマＰ２とが発生する。上記第１アンテナ４は被
処理物１１から離れた位置に配設されているので，負イ
オンを生成させる条件を備えている。又，第２アンテナ
５は上記第１アンテナ４と被処理物１１との間に配設さ
れ，被処理物１１に近く，従来のプラズマ処理装置と近
似の位置関係にあって，正イオンを発生させる。この第
２アンテナ４に第２高周波電源７から供給される高周波
電力は，供給電力断続器１２により所定間隔で断続され
るように構成されている。即ち，第１プラズマＰ１はプ
ラズマ処理中においては常時発生させ，第２プラズマＰ
２は断続発生させる。従って，第２プラズマＰ２がオン
状態のときには被処理物１１に正イオンが，第２プラズ
マＰ２がオフ状態のときには被処理物に負イオンが入射
する。この正イオンと負イオンとの入射比率は，第２プ
ラズマＰ２のオン時間とオフ時間との調整により変更で
き，被処理物１１が正又は負にチャージアップしない最
適条件が選択できる。A ring-shaped first antenna (first plasma generating means) 4 is provided on the outer periphery of the bell jar 3.
And a second antenna (second plasma generating means) 5 are provided, and each antenna 4 and 5 has a first high frequency power source 6 and a second high frequency power source 6.
High-frequency power is supplied from the high-frequency power source 7 and an electric field for generating plasma is applied in the bell jar 2.
A negative gas is introduced into the vacuum container 2 to cause the first antenna 4 to
When high-frequency power is supplied to the second antenna 5, the first plasma P1 and the second plasma P2 are generated at the positions of the antennas 4 and 5 in the bell jar 3. Since the first antenna 4 is arranged at a position away from the object to be processed 11, it has a condition for generating negative ions. Further, the second antenna 5 is arranged between the first antenna 4 and the object to be processed 11, is close to the object to be processed 11 and has a positional relationship similar to that of a conventional plasma processing apparatus and generates positive ions. Let The high frequency power supplied from the second high frequency power supply 7 to the second antenna 4 is configured to be interrupted at a predetermined interval by the supply power interrupter 12. That is, the first plasma P1 is constantly generated during the plasma processing, and the second plasma P1 is generated.
2 is intermittently generated. Therefore, when the second plasma P2 is in the ON state, positive ions are incident on the object to be processed 11, and when the second plasma P2 is in the OFF state, negative ions are incident on the object to be processed. The incidence ratio of the positive ions and the negative ions can be changed by adjusting the on-time and the off-time of the second plasma P2, and the optimum condition for preventing the workpiece 11 from being positively or negatively charged up can be selected.

【００１９】上記構成において，被処理物１１を保持す
る試料台１０は，真空容器２から絶縁して支持され，被
処理物１１の第１プラズマＰ１，第２プラズマＰ２から
の距離を調整できるように構成されている。同図に示す
ように被処理物１１に試料台１０から高周波バイアス電
圧が印加され，正イオン及び負イオンの入射が促進され
る。上記の第１プラズマＰ１，第２プラズマＰ２からの
距離と，第２プラズマＰ２のＯＮ／ＯＦＦの時間割合の
関係について詳細に説明する。一般的に第１プラズマＰ
１は，負イオンを試料に入射させているので，一定以上
の距離を保つ必要がある。第１プラズマＰ１を被処理物
１１に近づけると負イオンの入射割合が減るので，第２
プラズマをＯＦＦする割合を増やして，負イオンを多く
入射させる必要がある。又，同様に第２プラズマＰ２
は，被処理物１１に十分近くなければならない。第２プ
ラズマＰ２を離す必要がある場合は，正イオンの入射割
合が減るので，第２プラズマＰ２のＯＮの時間割合を増
やして正イオンの入射割合を増加しなければならない。
このように最適な正，負両イオンの入射には，第１プラ
ズマＰ１と被処理物１１との距離Ｚ1 と第２プラズマＰ
２と被処理物１１の距離Ｚ2 により調整できる。又，同
様に第２プラズマＰ２のＯＮ時間とＯＦＦ時間との割合
でも調整できる。最適な条件を出すために，両方を同時
に調整してもよい。In the above structure, the sample table 10 holding the object 11 to be processed is supported by being insulated from the vacuum container 2 so that the distance of the object 11 to be processed from the first plasma P1 and the second plasma P2 can be adjusted. Is configured. As shown in the figure, a high frequency bias voltage is applied to the object 11 to be processed from the sample stage 10 to promote the incidence of positive ions and negative ions. The relationship between the distance from the first plasma P1 and the second plasma P2 and the ON / OFF time ratio of the second plasma P2 will be described in detail. Generally the first plasma P
In No. 1, since negative ions are made incident on the sample, it is necessary to maintain a certain distance or more. When the first plasma P1 is brought closer to the object to be treated 11, the incidence rate of negative ions decreases, so
It is necessary to increase the ratio of turning off the plasma so that many negative ions are made incident. Similarly, the second plasma P2
Must be sufficiently close to the object to be processed 11. When it is necessary to separate the second plasma P2, the incidence rate of positive ions is reduced, so the proportion of ON times of the second plasma P2 must be increased to increase the incidence rate of positive ions.
In this way, for the optimum incidence of both positive and negative ions, the distance Z 1 between the first plasma P1 and the object to be processed 11 and the second plasma P
2 and can be adjusted by the distance Z 2 of the object 11. Similarly, the ratio of the ON time and the OFF time of the second plasma P2 can be adjusted. Both may be adjusted simultaneously for optimal conditions.

【００２０】上記構成は負イオンを生成するためのプラ
ズマ（Ｐ１）と正イオンを生成するためのプラズマ（Ｐ
２）とを設けた実施例構成であるが，プラズマの発生は
１つとして，該プラズマから被処理物までの距離を正イ
オンと負イオンとが入射される位置に保ち，被処理物に
印加する高周波バイアス電圧により正負のイオンの入射
の切り替えを行うように構成することもできる。この構
成を第２実施例として以下に説明する。図２において，
第２実施例に係るプラズマ処理装置１３は，プラズマ発
生手段としてＥＣＲを用いたエッチング処理装置として
構成されている。真空容器１４内に磁気コイル１７から
の磁場と，ホーンアンテナ１６からのマイクロ波とを導
入すると共に，ガス導入ポート２０から負性ガスを導入
してＥＣＲ条件を成立させ，真空容器１４内の所定領域
にプラズマを発生させる。真空容器１４内には被処理物
１５を保持して，その配設位置を移動できるように構成
された試料台１８が設けられている。該試料台１８は真
空容器１４と電気的に絶縁され，高周波バイアス電圧が
印加されると共に，負性ガスのラジカルによる化学反応
が生じない温度にまで被処理物１５を冷却する冷却手段
が設けられており，イオンのエネルギーによるエッチン
グのみができるように設定されている。従来のプラズマ
エッチングでは正イオンが主体である条件でエッチング
を行うため正電流が大きく，図３に示すように，プラズ
マと被処理物との間に整流特性が顕著に現れ，コンデン
サを介して高周波が印加されると等価的に整流回路が形
成され，プラズマと被処理物との間に直流的な電位が形
成される。このようにプラズマの整流作用があるため，
被処理物に印加する高周波の電力を調整することによ
り，被処理物の負の電位（バイアス電圧）を調整するこ
とができる。正のイオンのみを用いる場合では，負のバ
イアスのみに着目すれば良いが，本発明の目的である
正，負のイオンを入射してエッチングを行うためには，
被処理物１５の電位を正と負に変化させる必要がある。
これを実現するためには，従来のエッチング装置のブロ
ッキングコンデンサ（図３参照）をなくして，被処理物
に直接高周波を印加することにより実現できる。図４に
示すように，被処理物１５に直接高周波バイアスが印加
されるので，被処理物１５の電位は，正と負双方に変化
して，正，負のイオンを交互に入射することができる。The above structure has a plasma (P1) for generating negative ions and a plasma (P1) for generating positive ions.
2) is provided, the plasma is generated only once, and the distance from the plasma to the object to be processed is maintained at a position where positive ions and negative ions are incident, and applied to the object to be processed. It is also possible to switch the incidence of positive and negative ions by the high frequency bias voltage. This structure will be described below as a second embodiment. In FIG.
The plasma processing apparatus 13 according to the second embodiment is configured as an etching processing apparatus that uses ECR as plasma generating means. The magnetic field from the magnetic coil 17 and the microwave from the horn antenna 16 are introduced into the vacuum container 14, and the negative gas is introduced from the gas introduction port 20 to establish the ECR condition, and the predetermined condition in the vacuum container 14 is established. A plasma is generated in the area. A sample table 18 is provided in the vacuum container 14 so as to hold the object to be processed 15 and move the arrangement position thereof. The sample table 18 is electrically insulated from the vacuum container 14, is applied with a high frequency bias voltage, and is provided with cooling means for cooling the object 15 to a temperature at which a chemical reaction due to radicals of the negative gas does not occur. It is set so that only etching by ion energy can be performed. In the conventional plasma etching, the positive current is large because the etching is performed under the condition that positive ions are the main components, and as shown in FIG. 3, the rectification characteristic appears remarkably between the plasma and the object to be processed, and high frequency is generated via the capacitor. Is applied, a rectifying circuit is equivalently formed, and a DC potential is formed between the plasma and the object to be processed. Because of the plasma rectifying effect,
By adjusting the high frequency power applied to the object to be processed, the negative potential (bias voltage) of the object to be processed can be adjusted. When only positive ions are used, it suffices to focus only on the negative bias, but in order to perform etching by injecting positive and negative ions, which is the object of the present invention,
It is necessary to change the potential of the object to be processed 15 between positive and negative.
This can be realized by eliminating the blocking capacitor (see FIG. 3) of the conventional etching apparatus and directly applying a high frequency to the object to be processed. As shown in FIG. 4, since the high frequency bias is directly applied to the object to be processed 15, the potential of the object to be processed 15 changes to both positive and negative, and positive and negative ions may be alternately injected. it can.

【００２１】上記の効果は，従来のブロッキングコンデ
ンサを有する系に応用しても現れるので，従来装置にそ
のまま適用することもできる。この効果について説明し
た図を図５に示す。図５では負イオンの存在によりプラ
ズマの整流特性が小さいので，等価回路ダイオードに並
列に抵抗を加えた回路で表される。この等価回路の場合
では，ブロッキングコンデンサ５７があっても整流特性
が低いので，Ｖｄｃは小さくなり，図４で示したブロッ
キングコンデンサなしの場合とほぼ等しい結果になる。
図５に示すＶｄｃ＋（１／２）Ｖｐｐは被処理物１５の
最も正側に大きな電位を示している。従って，Ｖｄｃ＋
（１／２）Ｖｐｐは負イオンの引込み電位と関係が深
い。それに対して，Ｖｄｃ−（１／２）Ｖｐｐは被処理
物１５の最も負側に大きな電位を示している。従って，
Ｖｄｃ−（１／２）Ｖｐｐは正イオンの引込み電位と関
係が深い。発明者が行った実験では，１００ＫＨｚの高
周波を印加してＳＦ6 を用いＥＣＲプラズマでエッチン
グを行った結果，７０ｍＴｏｒｒ以下ではエッチング速
度はＶｄｃ−（１／２）Ｖｐｐに強く依存しており，正
イオンが主流のエッチングが行われていることが観測さ
れた。それに対して９０ｍＴｏｒｒ以上の圧力ではエッ
チング速度はＶｄｃ＋（１／２）Ｖｐｐに強く依存して
おり，負のイオンによるエッチングの効果が大きいこと
が観測され，この条件で１０μｍ／ｍｉｎの高速なポリ
シリコンエッチングを行うことができた。このように本
構成では，被処理物１５をプラズマから所定距離離した
位置に配設することにより，プラズマにより生成された
電子が負性ガスの中性原子と結合して負イオンを生成す
る条件を満たし，被処理物１５に印加する高周波バイア
ス電圧により正イオンと負イオンとが被処理物１５に入
射できるようにすることにより，正負のイオンによるエ
ッチングを可能にすると同時に，正負の両イオンの被処
理物の入射により被処理物１５が正又は負にチャージア
ップすることを抑制し，エッチングの加工異常を防止し
ている。このチャージアップは，正イオンと負イオンと
が被処理物１５に入射する比率により変化するので，両
イオンの存在比を被処理物１５の位置やプラズマの発生
位置により調整する。上記高周波バイアスの周波数及び
電圧は，被処理物１５がチャージアップする時間と，チ
ャージアップによる耐性とにより選択される。一般的に
は周波数が高いほどチャージアップは抑制される。Since the above-mentioned effects are exhibited even when applied to the system having the conventional blocking capacitor, it can be applied to the conventional device as it is. A diagram for explaining this effect is shown in FIG. In FIG. 5, since the rectification characteristics of plasma are small due to the presence of negative ions, it is represented by a circuit in which a resistance is added in parallel to the equivalent circuit diode. In the case of this equivalent circuit, since the rectifying characteristic is low even with the blocking capacitor 57, Vdc becomes small, and the result is almost equal to the case without the blocking capacitor shown in FIG.
Vdc + (1/2) Vpp shown in FIG. 5 indicates the largest potential on the most positive side of the object to be processed 15. Therefore, Vdc +
(1/2) Vpp is closely related to the negative ion attraction potential. On the other hand, Vdc- (1/2) Vpp shows the largest potential on the most negative side of the object to be processed 15. Therefore,
Vdc- (1/2) Vpp is closely related to the positive ion attraction potential. In the experiment conducted by the inventor, a high frequency of 100 KHz was applied and etching was performed with ECR plasma using SF 6, and as a result, the etching rate strongly depends on Vdc- (1/2) Vpp below 70 mTorr. It was observed that the ion-dominant etching was performed. On the other hand, at a pressure of 90 mTorr or more, the etching rate strongly depends on Vdc + (1/2) Vpp, and it is observed that the effect of etching by negative ions is large. Under these conditions, high-speed polysilicon of 10 μm / min is obtained. The etching could be done. As described above, in the present configuration, the object 15 to be processed is arranged at a position separated from the plasma by a predetermined distance, so that the electrons generated by the plasma combine with neutral atoms of the negative gas to generate negative ions. Is satisfied and positive ions and negative ions are made to enter the object to be processed 15 by a high frequency bias voltage applied to the object to be processed 15, etching by positive and negative ions is enabled, and at the same time, both positive and negative ions are It is possible to prevent the processing object 15 from being positively or negatively charged up due to the incidence of the processing object and prevent abnormal etching processing. Since this charge-up changes depending on the ratio of positive ions and negative ions incident on the object to be processed 15, the abundance ratio of both ions is adjusted by the position of the object to be processed 15 or the position where plasma is generated. The frequency and voltage of the high frequency bias are selected depending on the time for which the object to be processed 15 is charged up and the resistance due to the charge up. Generally, the higher the frequency, the more the charge-up is suppressed.

【００２２】又，負性ガスの中性粒子による熱化学的な
エッチングを避けて，エッチングの形状を制御するた
め，上記化学反応を無視できる程度に被処理物１５を冷
却する必要がある。この冷却温度は，被処理物１５の材
質，負性ガスの種類によって最適の温度があり，一般的
には電気陰性度が高いほど低温に冷却することを要す
る。具体的には，被処理物１５がポリシリコン，負性ガ
スがフッ素を含むガスであるときには，被処理物１５の
冷却温度は−１３０℃以下。被処理物１５がポリシリコ
ン，負性ガスが塩素を含むガスであるときには，被処理
物１５の冷却温度は−３０℃以下。被処理物１５がポリ
シリコン，負性ガスが臭素を含むガスであるときには，
被処理物１５の冷却温度は０℃以下。被処理物１５がポ
リシリコン，負性ガスが沃素を含むガスであるときに
は，被処理物１５の冷却温度は４０℃以下。被処理物１
５がシリコン単結晶，負性ガスがフッ素を含むガスであ
るときには，被処理物１５の冷却温度は−７０℃以下。
被処理物１５がシリコン単結晶，負性ガスが塩素を含む
ガスであるときには，被処理物１５の冷却温度は２０℃
以下。被処理物１５がシリコン単結晶，負性ガスが臭素
を含むガスであるときには，被処理物１５の冷却温度は
４０℃以下。被処理物１５がシリコン単結晶，負性ガス
が沃素を含むガスであるときには，被処理物１５の冷却
温度は７０℃以下とすることによって，最適条件が得ら
れる。上記第１及び第２実施例はともに最適な正，負両
イオンの入射割合を電気的に調整している例を示した。
これらの両実施例の目的は，先に述べたように最適な
正，負両イオンの割合を調整することにあるので，図６
に示す第３実施例構成によっても実現することができ
る。第３実施例では，プラズマ発生源は１つだけを用い
ている。プラズマ発生源はＩＣＰを用いているが，ＥＣ
Ｒでもよい。又，被処理物５１に印加される高周波は無
くても良い。図６において，第３の実施例では，プラズ
マ発生源となるアンテナ５２の近くでは正イオンが多
く，プラズマ発生源から離れるに従って負イオンの入射
が多いので，アンテナ５２の位置を正イオン主流と負イ
オン主流の位置の中間点に配置するものである。上記実
施例１，２に示したような正イオンと負イオンとの入射
をそれぞれ制御する構成は，この様な簡略化された実施
例でも実現することができる。第３実施例の場合では，
異なる処理に対して，そのアンテナ５２の位置を変化さ
せることにより，最適な条件を得ることができる。Further, in order to avoid the thermochemical etching by the neutral particles of the negative gas and control the etching shape, it is necessary to cool the object to be treated 15 to such an extent that the above chemical reaction can be ignored. This cooling temperature has an optimum temperature depending on the material of the object to be treated 15 and the type of negative gas, and generally, the higher the electronegativity, the lower the cooling temperature. Specifically, when the object to be processed 15 is polysilicon and the negative gas is a gas containing fluorine, the cooling temperature of the object to be processed 15 is −130 ° C. or lower. When the object to be processed 15 is polysilicon and the negative gas is a gas containing chlorine, the cooling temperature of the object to be processed 15 is −30 ° C. or lower. When the object to be processed 15 is polysilicon and the negative gas is a gas containing bromine,
The cooling temperature of the workpiece 15 is 0 ° C. or lower. When the object to be processed 15 is polysilicon and the negative gas is a gas containing iodine, the cooling temperature of the object to be processed 15 is 40 ° C. or lower. Object to be processed 1
When 5 is a silicon single crystal and the negative gas is a gas containing fluorine, the cooling temperature of the object to be processed 15 is −70 ° C. or lower.
When the processing object 15 is a silicon single crystal and the negative gas is a gas containing chlorine, the cooling temperature of the processing object 15 is 20 ° C.
Less than. When the processing object 15 is a silicon single crystal and the negative gas is a gas containing bromine, the cooling temperature of the processing object 15 is 40 ° C. or lower. When the object to be processed 15 is a silicon single crystal and the negative gas is a gas containing iodine, the optimum temperature is obtained by setting the cooling temperature of the object to be processed 15 to 70 ° C. or lower. In both the first and second embodiments, the optimum incident ratios of both positive and negative ions are electrically adjusted.
Since the purpose of both of these embodiments is to adjust the optimal proportions of both positive and negative ions as described above, FIG.
It can also be realized by the configuration of the third embodiment shown in. In the third embodiment, only one plasma generation source is used. ICP is used as the plasma source, but EC
It may be R. Further, the high frequency applied to the object to be processed 51 may not be necessary. In FIG. 6, in the third embodiment, there are many positive ions near the antenna 52, which is the plasma generation source, and many negative ions are incident as the distance from the plasma generation source increases. It is arranged at the midpoint of the main ion flow position. The configurations for controlling the incidence of positive ions and negative ions, respectively, as shown in the first and second embodiments can also be realized in such a simplified embodiment. In the case of the third embodiment,
Optimal conditions can be obtained by changing the position of the antenna 52 for different processing.

【００２３】上記第１及び第２，第３実施例は，正イオ
ンと負イオンとを交互に被処理物に入射させることによ
って，被処理物のチャージアップを抑制する構成である
が，負イオンを中性化した中性粒子によりプラズマ処理
することにより，被処理物のチャージアップを防止する
こともできる。この負イオンの中性化によるプラズマ処
理方法を第４実施例として次に説明する。ここに，図７
は本発明の第４実施例に係るプラズマ処理装置の構成を
示す模式図である。図７において，第４実施例に係るプ
ラズマ処理装置２１は，プラズマ発生手段としてＩＰＣ
を用いて被処理物をエッチング処理するプラズマエッチ
ング装置として構成されている。真空容器２２に隣接し
てベルジャー（反応容器）２３が設けられており，該ベ
ルジャー２３の外周部に配設されたリング状のアンテナ
２４に高周波電源２５から供給される高周波電力により
ベルジャー２３内にプラズマを発生させる。エッチング
処理を行う被処理物４３は，真空容器２２内に配設され
た試料台４４上に保持され，真空容器２２内は排気ポー
ト４６から真空排気されると共に，ガス導入ポート４２
から負性ガスが真空容器２２内に導入される。又，真空
容器２２の上記ベルジャー２３との隣接位置にはネット
状に形成された加速電極２６が設けられ，更には，負イ
オンを中性化させるレーザー光２９を真空容器２２外か
ら投射するレーザー光源（光エネルギー照射手段）２
８，被処理物４３への入射粒子を選別する磁気コイル４
０，４１が真空容器２２内に図示するように配置されて
いる。The first, second, and third embodiments are configured to suppress the charge-up of the object to be processed by alternately injecting positive ions and negative ions into the object to be processed. It is also possible to prevent charge-up of the object to be processed by performing plasma processing with neutralized neutral particles. A plasma processing method by neutralizing the negative ions will be described below as a fourth embodiment. Here, Fig. 7
FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 7, the plasma processing apparatus 21 according to the fourth embodiment uses an IPC as a plasma generating means.
Is used as a plasma etching apparatus for etching an object to be processed. A bell jar (reaction vessel) 23 is provided adjacent to the vacuum container 22, and a ring-shaped antenna 24 arranged on the outer periphery of the bell jar 23 is supplied to the bell jar 23 by high frequency power supplied from a high frequency power source 25. Generate plasma. The object 43 to be etched is held on a sample table 44 arranged in the vacuum container 22, and the inside of the vacuum container 22 is evacuated by an exhaust port 46 and the gas introduction port 42.
The negative gas is introduced into the vacuum container 22 from. A net-shaped accelerating electrode 26 is provided at a position adjacent to the bell jar 23 of the vacuum container 22, and a laser beam 29 for neutralizing negative ions is projected from the outside of the vacuum container 22. Light source (light energy irradiation means) 2
8. Magnetic coil 4 for selecting particles incident on the object 43 to be processed
0 and 41 are arranged in the vacuum container 22 as shown.

【００２４】上記構成において，ガス導入ポート４２か
ら真空容器２２内に負性ガスが導入され，アンテナ２４
に高周波電力が印加されると，高周波の誘導結合により
ベルジャー２３内にプラズマが発生する。このプラズマ
によってベルジャー２３内に生成された負イオンを直流
電源２７からの正電圧が印加される加速電極２６により
加速させて真空容器２２内に引き出す。引き出された負
イオンは，レーザー光２９が照射されることによって電
子離脱がなされて中性化する。負イオンからの電子離脱
は，例えば，Ｆ- イオンの場合では３３０ｎｍより波長
が短い光の照射によって行うことができるので，エキシ
マレーザーを発生するレーザー光源２８からのレーザー
光２９を真空導入窓４７から真空容器２２内に導入して
いる。レーザー光２９は偏光プリズム４８及び反射板４
５により，負イオン流全体に照射されるように構成さ
れ，電子離脱による中性化が充分になされる。又，被処
理物４３の直上には，磁気コイル４０，４１による磁場
が印加され，電子や加速電極２６から漏れ出た正イオ
ン，あるいは中性化されなかった負イオンの軌道を曲げ
て，被処理物４３に入射しないように構成されている。
上記構成によれば，被処理物４３は加速された中性粒子
によってのみエッチングされるので，被処理物４３がチ
ャージアップすることがなく，処理パターンの構造効果
による局部的な帯電による加工異常の発生は防止され
る。以上説明した各実施例装置により，それぞれＮ+ ポ
リシリコンに対するエッチング処理を実行した結果，エ
ッチング速度にそれぞれの差が生じたものの，いずれの
構成の場合においても，従来技術の問題点となっていた
ノッチやボーイング等の加工異常は発生せず，矩形形状
のエッチング処理がなされた。又，ポリシリコンの下地
となっている酸化膜の静電破壊もなく，チャージアップ
は充分に抑制されていることが確認された。尚，上記そ
れぞれの構成におけるプラズマ発生手段は，他のプラズ
マ発生手段に目的に応じて変更することができる。又，
いずれもエッチング処理として説明しているが，被処理
物のチャージアップがエッチングに最も影響される処理
であることから，これを重点的に説明した。本発明の基
本となった負イオンの存在は，他のプラズマ処理に利用
することもできる。In the above structure, the negative gas is introduced into the vacuum container 22 from the gas introduction port 42, and the antenna 24
When high frequency power is applied to the plasma, plasma is generated in the bell jar 23 due to high frequency inductive coupling. The negative ions generated in the bell jar 23 by this plasma are accelerated by the accelerating electrode 26 to which a positive voltage from the DC power source 27 is applied and extracted into the vacuum container 22. The extracted negative ions are irradiated with the laser beam 29, so that the electrons are dissociated and neutralized. Since electrons can be detached from the negative ions by irradiation with light having a wavelength shorter than 330 nm in the case of F − ions, for example, laser light 29 from the laser light source 28 for generating the excimer laser is emitted from the vacuum introduction window 47. It is introduced into the vacuum container 22. The laser light 29 is emitted from the polarization prism 48 and the reflection plate 4.
5, the whole negative ion flow is irradiated, and the neutralization due to electron detachment is sufficiently performed. A magnetic field is applied directly above the object to be processed 43 by the magnetic coils 40 and 41 to bend the trajectories of electrons and positive ions leaking from the acceleration electrode 26 or negative ions that have not been neutralized. It is configured so as not to enter the processing object 43.
According to the above configuration, the object to be processed 43 is etched only by the accelerated neutral particles, so that the object to be processed 43 is not charged up, and processing abnormalities due to local electrification due to the structural effect of the processing pattern occur. Occurrence is prevented. As a result of performing the etching process on the N + polysilicon by each of the above-described embodiments, the etching rates differ from each other, but in any of the configurations, it is a problem of the prior art. No machining abnormality such as notch or bowing occurred, and the rectangular etching process was performed. It was also confirmed that the oxide film underlying the polysilicon was not electrostatically destroyed and charge-up was sufficiently suppressed. The plasma generating means in each of the above configurations can be changed to another plasma generating means according to the purpose. or,
Although both are described as the etching process, since the charge-up of the object to be processed is the process most affected by the etching, this is mainly described. The presence of negative ions, which is the basis of the present invention, can be utilized for other plasma processing.

【００２５】[0025]

【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば，発生
させたプラズマからプラズマ処理に利用できる負イオン
の存在が確認され，これを有効に利用することによって
被処理物が正又は負のいずれかの一方に帯電することが
抑制され，被処理物がチャージアップすることに起因す
る加工形状の異常を防止することができる。この負イオ
ンと，本来存在する正イオンとを被処理物に交互に照射
してプラズマ処理を行う第１の発明では，被処理物に正
イオンと負イオンとを交互に照射するために，被処理物
から離れた第１の所定位置に第１のプラズマを発生さ
せ，ここから負イオンを取り出す。又，上記第１のプラ
ズマと被処理物との間の第２の所定位置に第２のプラズ
マを発生させ，ここから正イオンを取り出す。これらの
負イオンと正イオンとを交互に被処理物に照射させるた
めに，上記第２のプラズマを断続的に発生させる。第２
のプラズマがオフ状態のときには，第１のプラズマによ
る負イオンが被処理物に照射され，第２のプラズマがオ
ン状態のときには，第２のプラズマによる正イオンが被
処理物に照射される。これら負イオンと正イオンとの被
処理物上における照射比率を調整することによって，被
処理物が負又は正にチャージアップすることが防止でき
る。（請求項１，２，３，４，１７）As described above, according to the present invention, the existence of negative ions that can be used for plasma processing is confirmed from the generated plasma, and by effectively using this, the object to be processed is positive or negative. It is possible to prevent electrification of either one of them, and prevent abnormalities in the processed shape due to charge-up of the object to be processed. In the first invention in which the negative ions and the originally existing positive ions are alternately irradiated to the object to be processed for plasma processing, the object is alternately irradiated with positive ions and negative ions. A first plasma is generated at a first predetermined position distant from the object to be processed, and negative ions are extracted therefrom. In addition, a second plasma is generated at a second predetermined position between the first plasma and the object to be processed, and positive ions are extracted from this. The second plasma is intermittently generated in order to alternately irradiate the object to be processed with these negative ions and positive ions. Second
When the plasma is off, the negative ions from the first plasma are applied to the object to be processed, and when the second plasma is on, the positive ions from the second plasma are applied to the object. By adjusting the irradiation ratio of these negative ions and positive ions on the object to be processed, it is possible to prevent the object to be processed from being negatively or positively charged up. (Claims 1, 2, 3, 4, 17)

【００２６】又，上記第２の発明では，プラズマの発生
領域から被処理物を所定距離離して配置することによ
り，負イオンと正イオンとが被処理物に入射できるよう
にして，被処理物に高周波電圧を印加して時間的に正負
のイオン入射を切り替えるものである。プラズマ処理す
る真空容器内には中性粒子も存在し，被処理物に入射さ
れるが，この中性粒子による熱化学的なエッチングはエ
ッチング等の形状制御には適さないので，これを避ける
ため，化学反応を無視できる程度に被処理物を冷却す
る。又，被処理物に印加する高周波電圧の周波数は，形
成するエッチングパターンの粗密度等の条件により決定
される。（請求項５，１４，１９，２０，２１） 更に，第３の発明では，反応室内で発生させたプラズマ
から負イオンのみを真空容器内に引出し，この負イオン
を中性化して被処理物に照射する。中性化されたイオン
である中性粒子によりエッチングされるので，被処理物
はチャージアップすることなくプラズマ処理がなされる
ため，プラズマエッチングにおける加工形状の異常等の
発生は生じない。上記負イオンの中性化は，特定波長よ
り短い光を負イオンに照射することにより負イオンから
電子離脱させることができるので，反応室から引き出し
た負イオンに特定波長の光エネルギーを照射することに
よって実施できる。（請求項１５，１６，２２）In the second aspect of the invention, the object to be processed is arranged such that negative ions and positive ions can be incident on the object to be processed by arranging the object to be processed at a predetermined distance from the plasma generation region. A high-frequency voltage is applied to to switch positive and negative ion injection with time. Neutral particles are also present in the plasma processing vacuum container and are incident on the object to be processed. To avoid this, thermochemical etching by these neutral particles is not suitable for shape control such as etching. ， Cool the material to be treated so that the chemical reaction can be ignored. The frequency of the high frequency voltage applied to the object to be processed is determined by conditions such as the coarse density of the etching pattern to be formed. (Claims 5, 14, 19, 20, 21) Furthermore, in the third invention, only negative ions are extracted from the plasma generated in the reaction chamber into the vacuum container, and the negative ions are neutralized to be processed. To irradiate. Since the etching is performed by neutral particles that are neutralized ions, the object to be processed is plasma-processed without being charged up, so that abnormalities in the processed shape in plasma etching do not occur. In the neutralization of the negative ions, electrons can be detached from the negative ions by irradiating the negative ions with light shorter than a specific wavelength. Therefore, the negative ions extracted from the reaction chamber should be irradiated with light energy of a specific wavelength. Can be implemented by (Claims 15, 16, 22)

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 第１実施例に係るプラズマ処理装置の構成を
示す模式図。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a plasma processing apparatus according to a first embodiment.

【図２】 第２実施例に係るプラズマ処理装置の構成を
示す模式図。FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a second embodiment.

【図３】 従来のプラズマ処理装置におけるプラズマに
より形成される等価整流回路の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of an equivalent rectification circuit formed by plasma in a conventional plasma processing apparatus.

【図４】 第２実施例構成におけるプラズマにより形成
される等価整流回路の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of an equivalent rectifier circuit formed by plasma in the configuration of the second embodiment.

【図５】 従来装置に実施例構成を適用した場合にプラ
ズマにより形成される等価整流回路の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of an equivalent rectification circuit formed by plasma when the configuration of the embodiment is applied to the conventional device.

【図６】 第３実施例に係るプラズマ処理装置の構成を
示す模式図。FIG. 6 is a schematic diagram showing the configuration of a plasma processing apparatus according to a third embodiment.

【図７】 第４実施例構造に係るプラズマ処理装置の構
成を示す模式図。FIG. 7 is a schematic diagram showing the configuration of a plasma processing apparatus according to the structure of the fourth embodiment.

【図８】 負イオンの存在を確認するための実験装置の
構成を示す模式図。FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of an experimental device for confirming the presence of negative ions.

【図９】 被処理物電位を変化させたときのエッチング
速度のグラフ。FIG. 9 is a graph of the etching rate when the potential of the object to be processed is changed.

【図１０】 正負イオン電流の測定グラフ。FIG. 10 is a measurement graph of positive and negative ion currents.

【図１１】 被処理物電位を変化させたときのエッチン
グ速度のグラフ。FIG. 11 is a graph of the etching rate when the potential of the object to be processed is changed.

【図１２】 エッチング形状によるノッチの発生度合い
を示すグラフ。FIG. 12 is a graph showing the degree of occurrence of notches due to the etching shape.

【図１３】 ノッチの発生プロセスを説明する説明図。FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating a notch generation process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，１３，２１，５０…プラズマ処理装置 ２，１４，２２，５３…真空容器 ４…第１アンテナ（第１のプラズマ発生手段） ５…第２アンテナ（第２のプラズマ発生手段） １０，１８，４４…試料台 １１，１５，４３…被処理物 １２…供給電力断続器（プラズマ発生断続手段） ２３…ベルジャー（反応容器） ２４，５２…アンテナ（プラズマ発生手段） ２６…加速電極（負イオン引出し手段） ２８…レーザー光源（光エネルギー照射手段） ２９…レーザー光（光エネルギー） 1, 13, 21, 50 ... Plasma processing apparatus 2, 14, 22, 53 ... Vacuum container 4 ... First antenna (first plasma generating means) 5 ... Second antenna (second plasma generating means) 10, 18 , 44 ... Sample stage 11, 15, 43 ... Object to be treated 12 ... Supply power interrupter (plasma generating interrupting means) 23 ... Bell jar (reaction vessel) 24, 52 ... Antenna (plasma generating means) 26 ... Accelerating electrode (negative ion) Drawing means) 28 ... Laser light source (light energy irradiation means) 29 ... Laser light (light energy)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 進藤 春雄 福山市明王台２丁目275番 (72)発明者 奈良井 哲 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 西塚 哲也 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Haruo Shindo 2-275-2 Myodai, Fukuyama-shi (72) Inventor Satoshi Narai 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo Kobe Steel Works, Kobe Steel Co., Ltd. Inside the laboratory (72) Inventor Tetsuya Nishitsuka 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo Inside Kobe Steel Institute of Kobe Steel, Ltd.

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 真空容器内に負性ガスを導入して所要の
プラズマ発生手段により上記真空容器内の所定位置にプ
ラズマを発生させ，該プラズマにより上記真空容器内に
配設した被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法
において，上記被処理物に上記プラズマによって生成さ
れた正イオンと負イオンとを交互に照射するようにした
ことを特徴とするプラズマ処理方法。1. A negative gas is introduced into a vacuum container to generate plasma at a predetermined position in the vacuum container by a required plasma generating means, and the object to be processed disposed in the vacuum container is generated by the plasma. In the plasma processing method of plasma processing, the object to be processed is alternately irradiated with positive ions and negative ions generated by the plasma. 【請求項２】 上記被処理物から離れた第１の所定位置
に第１のプラズマを発生させると共に，上記被処理物と
上記第１の所定位置との間の第２の所定位置に第２のプ
ラズマを断続的に発生させることにより上記被処理物を
プラズマ処理する請求項１記載のプラズマ処理方法。2. A first plasma is generated at a first predetermined position distant from the object to be processed, and a second plasma is generated at a second predetermined position between the object to be processed and the first predetermined position. The plasma processing method according to claim 1, wherein the object to be processed is plasma-processed by intermittently generating the plasma of 1. 【請求項３】 上記第１のプラズマ発生位置と第２のプ
ラズマ発生位置とを調整できるようにした請求項２記載
のプラズマ処理方法。3. The plasma processing method according to claim 2, wherein the first plasma generation position and the second plasma generation position can be adjusted. 【請求項４】 上記第２のプラズマの発生を断続させる
時間間隔を調整できるようにした請求項２記載のプラズ
マ処理方法。4. The plasma processing method according to claim 2, wherein a time interval for intermittently generating the second plasma can be adjusted. 【請求項５】 上記プラズマの発生領域から離れた所定
位置に上記被処理物を配設し，該被処理物を上記負性ガ
スの中性粒子と被処理物とが熱化学的に反応しない温度
に冷却すると共に，上記被処理物に所定周波数，所定電
圧の交流バイアス電圧を印加して，上記被処理物をプラ
ズマ処理する請求項１記載のプラズマ処理方法。5. The object to be processed is arranged at a predetermined position away from the plasma generation region, and the object to be processed does not react thermochemically with the neutral particles of the negative gas and the object to be processed. The plasma processing method according to claim 1, wherein the object to be processed is plasma-processed by cooling to a temperature and applying an AC bias voltage of a predetermined frequency and a predetermined voltage to the object to be processed. 【請求項６】 上記被処理物がポリシリコン，上記負性
ガスがフッ素を含むガス，上記冷却温度が−１３０℃以
下として，上記被処理物をエッチング処理する請求項５
記載のプラズマ処理方法。6. The etching treatment is performed on the object to be processed, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas contains fluorine, and the cooling temperature is −130 ° C. or lower.
The plasma processing method described. 【請求項７】 上記被処理物がポリシリコン，上記負性
ガスが塩素を含むガス，上記冷却温度が−３０℃以下と
して，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記載
のプラズマ処理方法。7. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas contains chlorine, and the cooling temperature is −30 ° C. or lower. 【請求項８】 上記被処理物がポリシリコン，上記負性
ガスが臭素を含むガス，上記冷却温度が０℃以下とし
て，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記載の
プラズマ処理方法。8. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing bromine, and the cooling temperature is 0 ° C. or lower, and the object to be processed is etched. 【請求項９】 上記被処理物がポリシリコン，上記負性
ガスが沃素を含むガス，上記冷却温度が４０℃以下とし
て，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記載の
プラズマ処理方法。9. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is polysilicon, the negative gas is a gas containing iodine, and the cooling temperature is 40 ° C. or lower. 【請求項１０】 上記被処理物がシリコン単結晶，上記
負性ガスがフッ素を含むガス，上記冷却温度が−７０℃
以下として，上記被処理物をエッチング処理する請求項
５記載のプラズマ処理方法。10. The object to be treated is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing fluorine, and the cooling temperature is −70 ° C.
The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is etched as follows. 【請求項１１】 上記被処理物がシリコン単結晶，上記
負性ガスが塩素を含むガス，上記冷却温度が２０℃以下
として，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記
載のプラズマ処理方法。11. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is subjected to etching processing with the object to be processed being a silicon single crystal, the negative gas containing chlorine, and the cooling temperature being 20 ° C. or lower. 【請求項１２】 上記被処理物がシリコン単結晶，上記
負性ガスが臭素を含むガス，上記冷却温度が４０℃以下
として，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記
載のプラズマ処理方法。12. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing bromine, and the cooling temperature is 40 ° C. or lower, and the object is etched. 【請求項１３】 上記被処理物がシリコン単結晶，上記
負性ガスが沃素を含むガス，上記冷却温度が７０℃以下
として，上記被処理物をエッチング処理する請求項５記
載のプラズマ処理方法。13. The plasma processing method according to claim 5, wherein the object to be processed is a silicon single crystal, the negative gas is a gas containing iodine, and the cooling temperature is 70 ° C. or lower, and the object is etched. 【請求項１４】 上記交流バイアスの周波数及び電圧を
被処理物の処理条件に対応させて変化させる請求項５記
載のプラズマ処理方法。14. The plasma processing method according to claim 5, wherein the frequency and voltage of the AC bias are changed according to the processing conditions of the object to be processed. 【請求項１５】 反応容器内に負性ガスを導入して所要
のプラズマ発生手段により上記反応容器内にプラズマを
発生させ，該プラズマにより上記反応容器に隣接する真
空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理するプラズ
マ処理方法において，上記プラズマから発生した負イオ
ンを上記反応容器内から引出し，該負イオンを中性化さ
せて上記被処理物に照射することを特徴とするプラズマ
処理方法。15. A treatment target placed in a vacuum container adjacent to the reaction container by introducing a negative gas into the reaction container to generate plasma in the reaction container by a required plasma generating means. A plasma processing method for plasma-treating an object, comprising extracting negative ions generated from the plasma from the reaction vessel, neutralizing the negative ions, and irradiating the object to be processed. 【請求項１６】 上記負イオンの中性化が光エネルギー
の照射により行われる請求項１５記載のプラズマ処理方
法。16. The plasma processing method according to claim 15, wherein the neutralization of the negative ions is performed by irradiation with light energy. 【請求項１７】 真空容器内に負性ガスを導入して所要
のプラズマ発生手段により上記真空容器内の所定位置に
プラズマを発生させ，該プラズマにより上記真空容器内
に配設した被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装
置において，上記被処理物から離れた第１の所定位置に
プラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段と，上記
被処理物と上記第１の所定位置との間の第２の所定位置
にプラズマを発生させる第２のプラズマ発生手段と，上
記第２のプラズマ発生手段によるプラズマ発生を断続さ
せるプラズマ発生断続手段とを具備してなることを特徴
とするプラズマ処理装置。17. A negative gas is introduced into a vacuum container to generate plasma at a predetermined position in the vacuum container by a required plasma generating means, and the object to be processed disposed in the vacuum container is generated by the plasma. In a plasma processing apparatus for performing plasma processing, a first plasma generating means for generating plasma at a first predetermined position distant from the object to be processed, and a second plasma generator between the object to be processed and the first predetermined position. 2. A plasma processing apparatus comprising: a second plasma generating means for generating plasma at a predetermined position; and a plasma generating interrupting means for interrupting plasma generation by the second plasma generating means. 【請求項１８】 上記プラズマ発生断続手段による断続
間隔を制御するプラズマ断続間隔制御手段を設けた請求
項１７記載のプラズマ処理装置。18. The plasma processing apparatus according to claim 17, further comprising plasma interrupting interval control means for controlling the interrupting interval by the plasma generating interrupting means. 【請求項１９】 真空容器内に負性ガスを導入して所要
のプラズマ発生手段によりプラズマを発生させ，該プラ
ズマにより上記真空容器内に配設した被処理物をプラズ
マ処理するプラズマ処理装置において，上記プラズマの
発生領域から所定距離離れた位置に上記被処理物を保持
する被処理物保持手段と，上記被処理物を上記負性ガス
の中性粒子と被処理物とが熱化学的に反応しない温度に
冷却する被処理物冷却手段と，上記被処理物に所定周波
数，所定電圧の交流バイアス電圧を印加する交流バイア
ス印加手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ
処理装置。19. A plasma processing apparatus for introducing a negative gas into a vacuum container to generate plasma by a required plasma generating means, and subjecting an object to be processed disposed in the vacuum container to plasma by the plasma. An object-holding means for holding the object to be processed at a position separated from the plasma generation region by a predetermined distance, and the object to be processed are chemically reacted with the neutral particles of the negative gas and the object to be processed. A plasma processing apparatus comprising: an object cooling means for cooling to a temperature not controlled; and an AC bias applying means for applying an AC bias voltage having a predetermined frequency and a predetermined voltage to the object. 【請求項２０】 上記被処理物冷却手段による冷却温度
を調整する手段を設けた請求項１９記載のプラズマ処理
装置。20. The plasma processing apparatus according to claim 19, further comprising means for adjusting a cooling temperature of the object cooling means. 【請求項２１】 上記交流バイアス印加手段による交流
バイアスの周波数及び電力を調整する手段を設けた請求
項１９記載のプラズマ処理装置。21. The plasma processing apparatus according to claim 19, further comprising means for adjusting the frequency and power of the AC bias applied by the AC bias applying means. 【請求項２２】 反応容器内に負性ガスを導入して所要
のプラズマ発生手段により上記反応容器内にプラズマを
発生させ，該プラズマにより上記反応容器に隣接する真
空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理するプラズ
マ処理装置において，上記プラズマから発生した負イオ
ンを上記反応容器内から上記真空容器内に引出す負イオ
ン引出し手段と，上記真空容器内に引き出された負イオ
ンを光エネルギーにより中性化させる光エネルギー照射
手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ処理装
置。22. A negative gas is introduced into a reaction container to generate plasma in the reaction container by a required plasma generating means, and the plasma is processed by the plasma and is disposed in a vacuum container adjacent to the reaction container. In a plasma processing apparatus for plasma-processing an object, negative ion extraction means for extracting negative ions generated from the plasma from the reaction container into the vacuum container, and negative ions extracted into the vacuum container by light energy A plasma processing apparatus comprising: a light energy irradiating means for sexualizing.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030069340A (en) * 2002-02-20 2003-08-27 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Vaccum dry plasma process
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JP2011222860A (en) * 2010-04-13 2011-11-04 Fujifilm Corp Plasma oxidation method and plasma oxidation apparatus
KR101444228B1 (en) * 2011-08-15 2014-09-26 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 Apparatus and method for plasma treatment
JP2017520076A (en) * 2014-04-17 2017-07-20 エコル ポリテクニック Apparatus for forming a quasi-neutral beam of charged particles of different signs.

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