JPH08191115A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH08191115A JPH08191115A JP236395A JP236395A JPH08191115A JP H08191115 A JPH08191115 A JP H08191115A JP 236395 A JP236395 A JP 236395A JP 236395 A JP236395 A JP 236395A JP H08191115 A JPH08191115 A JP H08191115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- shield plate
- frame
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スイッチングデバイスとして用いる半導体装置
を対象に、簡易な構造で半導体装置自身に放射ノイズに
対するシールド機能を持たせた樹脂封止型半導体装置を
提供する。 【構成】半導体チップ1をフレーム2にマウントし、そ
の周域をモールド樹脂5で封止した樹脂封止型半導体装
置おいて、前記フレームの裏面側に絶縁間隔を隔てて放
射ノイズ防止用の金属シールド板6を配置して一体に樹
脂モールドするとともに、前記シール板から外部にアー
ス端子6aを引出し、スイッチング動作時に発生するノ
イズをフレームとシールド板との間の静電容量を通じて
アース側に逃がして放射ノイズを減少させる。
を対象に、簡易な構造で半導体装置自身に放射ノイズに
対するシールド機能を持たせた樹脂封止型半導体装置を
提供する。 【構成】半導体チップ1をフレーム2にマウントし、そ
の周域をモールド樹脂5で封止した樹脂封止型半導体装
置おいて、前記フレームの裏面側に絶縁間隔を隔てて放
射ノイズ防止用の金属シールド板6を配置して一体に樹
脂モールドするとともに、前記シール板から外部にアー
ス端子6aを引出し、スイッチング動作時に発生するノ
イズをフレームとシールド板との間の静電容量を通じて
アース側に逃がして放射ノイズを減少させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビ,ビデオなどの
電子機器用スイッチング電源のスイッチングデバイスと
して用いるIGBT,MOSFET,BJTなどを対象
とした樹脂封止型半導体装置に関する。
電子機器用スイッチング電源のスイッチングデバイスと
して用いるIGBT,MOSFET,BJTなどを対象
とした樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】頭記のスイッチングデバイスに用いる半
導体装置として、半導体チップをリードフレームにマウ
ントし、その周域をモールド樹脂で封止したTOパッケ
ージタイプなどの樹脂封止型半導体装置が周知である。
一方、かかるスイッチングデバイスは、そのスイッチン
グ動作に伴って放射ノイズが発生することから、当該半
導体装置をテレビ,ビデオ機器などのスイッチング電源
に採用した場合には、放射ノイズが原因で画像を乱すな
どの悪影響を与える。そこで、この放射ノイズの防止対
策として従来では、半導体装置のパッケージに金属シー
ルド板を重ね合わせて接地するか、あるいはスイッチン
グ電源のユニット全体を接地された金属ケース内に組み
込んで放射ノイズを抑制するようにしているのが現状で
ある。
導体装置として、半導体チップをリードフレームにマウ
ントし、その周域をモールド樹脂で封止したTOパッケ
ージタイプなどの樹脂封止型半導体装置が周知である。
一方、かかるスイッチングデバイスは、そのスイッチン
グ動作に伴って放射ノイズが発生することから、当該半
導体装置をテレビ,ビデオ機器などのスイッチング電源
に採用した場合には、放射ノイズが原因で画像を乱すな
どの悪影響を与える。そこで、この放射ノイズの防止対
策として従来では、半導体装置のパッケージに金属シー
ルド板を重ね合わせて接地するか、あるいはスイッチン
グ電源のユニット全体を接地された金属ケース内に組み
込んで放射ノイズを抑制するようにしているのが現状で
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかして、前記のよう
に半導体装置に別部品の金属シールド板,金属ケースを
組合わせて使用する従来のシールド方式では、部品点数
が増加することに加えて、スイッチング電源ユニット自
体の外形が大形化する。本発明は上記の点にかんがみな
されたものであり、その目的は前記課題を解決し、簡易
な構造で半導体装置自身に放射ノイズに対するシールド
機能を持たせた樹脂封止型半導体装置を提供することに
ある。
に半導体装置に別部品の金属シールド板,金属ケースを
組合わせて使用する従来のシールド方式では、部品点数
が増加することに加えて、スイッチング電源ユニット自
体の外形が大形化する。本発明は上記の点にかんがみな
されたものであり、その目的は前記課題を解決し、簡易
な構造で半導体装置自身に放射ノイズに対するシールド
機能を持たせた樹脂封止型半導体装置を提供することに
ある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、半導体チップをリードフレームに
マウントし、その周域をモールド樹脂で封止してなる樹
脂封止型半導体装置を対象に、前記リードフレームの裏
面側に絶縁間隔を隔てて放射ノイズ防止用の金属シール
ド板を配置して一体に樹脂モールドするとともに、前記
シール板から外部にアース端子を引出して構成するもの
とする。
に、本発明によれば、半導体チップをリードフレームに
マウントし、その周域をモールド樹脂で封止してなる樹
脂封止型半導体装置を対象に、前記リードフレームの裏
面側に絶縁間隔を隔てて放射ノイズ防止用の金属シール
ド板を配置して一体に樹脂モールドするとともに、前記
シール板から外部にアース端子を引出して構成するもの
とする。
【0005】
【作用】前記構成の半導体装置をスイッチングデバイス
として使用する際に、樹脂パッケージ内に埋設した金属
シールド板のアース端子を接地しておくことにより、ス
イッチング動作に伴って発生するノイズは、半導体チッ
プを搭載したチップマウントフレームと金属シールド板
との間の静電容量を通じてアース側に流れ、これにより
放射ノイズが減衰する。
として使用する際に、樹脂パッケージ内に埋設した金属
シールド板のアース端子を接地しておくことにより、ス
イッチング動作に伴って発生するノイズは、半導体チッ
プを搭載したチップマウントフレームと金属シールド板
との間の静電容量を通じてアース側に流れ、これにより
放射ノイズが減衰する。
【0006】
【実施例】以下、TOパッケージタイプの樹脂封止型半
導体装置を例に、本発明の実施例を図1,図2に示す。
図において、1はパワースイッチング素子として使用す
るIGBT,MOSFETなどの半導体チップ、2は半
導体チップ1を搭載したチップマウントフレーム(リー
ドフレーム)、3は外部リード、4は内部リード線(ボ
ンディングワイヤ)、5は樹脂パッケージのモールド樹
脂である。さらに、前記フレーム2の裏面側には絶縁間
隔を隔てて対向する金属シールド板6がモールド樹脂5
の層内に埋設されており、該シールド板6の一端からア
ース端子6aが外部に引出してある。なお、この金属シ
ールド板6は半導体装置をトランスファ成形法などで樹
脂封止する際に同じ成形金型内にインサートして一体モ
ールドされる。
導体装置を例に、本発明の実施例を図1,図2に示す。
図において、1はパワースイッチング素子として使用す
るIGBT,MOSFETなどの半導体チップ、2は半
導体チップ1を搭載したチップマウントフレーム(リー
ドフレーム)、3は外部リード、4は内部リード線(ボ
ンディングワイヤ)、5は樹脂パッケージのモールド樹
脂である。さらに、前記フレーム2の裏面側には絶縁間
隔を隔てて対向する金属シールド板6がモールド樹脂5
の層内に埋設されており、該シールド板6の一端からア
ース端子6aが外部に引出してある。なお、この金属シ
ールド板6は半導体装置をトランスファ成形法などで樹
脂封止する際に同じ成形金型内にインサートして一体モ
ールドされる。
【0007】
【発明の効果】本発明の構成によれば、樹脂封止型半導
体装置をスイッチングデバイスとしてスイッチング電源
に組み込む際に、別部品の金属シールド板,金属ケース
を追加装備することなしに半導体装置自身で放射ノイズ
を低減させることができ、これによりスイッチング電源
ユニットの小形,コンパクト化が図れる。
体装置をスイッチングデバイスとしてスイッチング電源
に組み込む際に、別部品の金属シールド板,金属ケース
を追加装備することなしに半導体装置自身で放射ノイズ
を低減させることができ、これによりスイッチング電源
ユニットの小形,コンパクト化が図れる。
【図1】本発明実施例の構成断面図
【図2】図1の外形斜視図
1 半導体チップ 2 チップマウントフレーム 3 外部リード 5 モールド樹脂 6 金属シールド板 6a アース端子
Claims (1)
- 【請求項1】スイッチングデバイスとして用いる樹脂封
止型半導体装置であり、半導体チップをリードフレーム
にマウントし、その周域をモールド樹脂で封止してなる
ものにおいて、前記リードフレームの裏面側に絶縁間隔
を隔てて放射ノイズ防止用の金属シールド板を配置して
一体に樹脂モールドするとともに、前記シール板から外
部にアース端子を引出して構成したことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP236395A JPH08191115A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP236395A JPH08191115A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08191115A true JPH08191115A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11527182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP236395A Pending JPH08191115A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08191115A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106981477A (zh) * | 2016-01-19 | 2017-07-25 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
DE112012007051B4 (de) * | 2012-10-25 | 2020-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
-
1995
- 1995-01-11 JP JP236395A patent/JPH08191115A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112012007051B4 (de) * | 2012-10-25 | 2020-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
CN106981477A (zh) * | 2016-01-19 | 2017-07-25 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
US10043762B2 (en) | 2016-01-19 | 2018-08-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5679975A (en) | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit | |
US5486720A (en) | EMF shielding of an integrated circuit package | |
US5436203A (en) | Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same | |
US20080014678A1 (en) | System and method of attenuating electromagnetic interference with a grounded top film | |
KR0170023B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
EP0774782A2 (en) | Semiconductor power module | |
US20040125529A1 (en) | Power module | |
JPH05304248A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08191115A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3126297B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2895504B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH044753B2 (ja) | ||
JPH06326218A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04267549A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2563171Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH06326236A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0567641A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2925935B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH0595055A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2814006B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
KR0140091Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JPH0621319A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
KR960004561B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JPH04119657A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5918685Y2 (ja) | 混成厚膜集積回路装置 |