JPH08187239A - X線ct装置 - Google Patents
X線ct装置Info
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- JPH08187239A JPH08187239A JP7002386A JP238695A JPH08187239A JP H08187239 A JPH08187239 A JP H08187239A JP 7002386 A JP7002386 A JP 7002386A JP 238695 A JP238695 A JP 238695A JP H08187239 A JPH08187239 A JP H08187239A
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】コリメータ400のスリット410ごとに設け
られたX線検出器500は、X線の入射によって電子お
よび正孔を発生する半導体結晶510、および基板530
を備える。半導体結晶510および基板530の一面が
コリメータ側を向いて配置される。各X線検出器500
の半導体結晶510は、隣接して位置する他のX線検出
器500の基板530と対向している、半導体結晶51
0は、正電極511および負電極512を有する。基板5
30は、これらの電極に接続される各配線を有する。 【効果】基板がもつX線遮蔽効果により1つの半導体結
晶に入射されたX線が他の半導体結晶に入射されること
がなく、クロストークが防止される。これは、測定ノイ
ズの低減につながりX線検出器の測定精度が向上する。
られたX線検出器500は、X線の入射によって電子お
よび正孔を発生する半導体結晶510、および基板530
を備える。半導体結晶510および基板530の一面が
コリメータ側を向いて配置される。各X線検出器500
の半導体結晶510は、隣接して位置する他のX線検出
器500の基板530と対向している、半導体結晶51
0は、正電極511および負電極512を有する。基板5
30は、これらの電極に接続される各配線を有する。 【効果】基板がもつX線遮蔽効果により1つの半導体結
晶に入射されたX線が他の半導体結晶に入射されること
がなく、クロストークが防止される。これは、測定ノイ
ズの低減につながりX線検出器の測定精度が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線CT装置に係り、
特に、半導体結晶を用いたX線検出器を備えるX線CT
装置に関するものである。
特に、半導体結晶を用いたX線検出器を備えるX線CT
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】特開平3−36744号公報は、医療用のX線
CT装置に用いる多チャンネル型のX線検出器を開示し
ている。このX線検出器は、1つの半導体結晶と、これ
に対向して設けられた基板とを有する。1つの共通電極
および複数の分割電極が、半導体結晶の基板と対向する
面に設けられる。共通電極に接続される第1バンプ、お
よび各分割電極にそれぞれ接続される複数の第2バンプ
が、基板の半導体結晶と対向する面にそれぞれ設けられ
る。第1バンプおよび各第2バンプに接続される各配線
は、基板の半導体結晶と対向する面側に設けられる。
CT装置に用いる多チャンネル型のX線検出器を開示し
ている。このX線検出器は、1つの半導体結晶と、これ
に対向して設けられた基板とを有する。1つの共通電極
および複数の分割電極が、半導体結晶の基板と対向する
面に設けられる。共通電極に接続される第1バンプ、お
よび各分割電極にそれぞれ接続される複数の第2バンプ
が、基板の半導体結晶と対向する面にそれぞれ設けられ
る。第1バンプおよび各第2バンプに接続される各配線
は、基板の半導体結晶と対向する面側に設けられる。
【0003】このX線検出器は、半導体結晶において基
板に対向する面とは反対側の面に、X線を入射する。す
なわち、半導体結晶は、コリメータと基板との間に位置
する。コリメータは、複数のスリットを有する。各スリ
ットから放出されたそれぞれのX線は、上記X線入射面
から半導体結晶に入射される。各々の分割電極は、各ス
リットから放出されたX線の強度に比例して半導体結晶
内に発生した電荷を取り出す。1つの分割電極は、1つ
のスリットから半導体結晶内に入射されたX線によって
発生した電荷を検出する。
板に対向する面とは反対側の面に、X線を入射する。す
なわち、半導体結晶は、コリメータと基板との間に位置
する。コリメータは、複数のスリットを有する。各スリ
ットから放出されたそれぞれのX線は、上記X線入射面
から半導体結晶に入射される。各々の分割電極は、各ス
リットから放出されたX線の強度に比例して半導体結晶
内に発生した電荷を取り出す。1つの分割電極は、1つ
のスリットから半導体結晶内に入射されたX線によって
発生した電荷を検出する。
【0004】また、特開平2−67999号公報は、X線CT
装置に用いるコリメータを示している。このコリメータ
は、多数の溝が設けられることによって表面に多数のブ
レードが形成された2つのブロックを、各々のブロック
のブレードが互いに接触するように、組み合わせて作成
される。各々のブロックは、X線輻射を吸収できる材料
で作られる。ブレード間の溝は、スリットとなる。
装置に用いるコリメータを示している。このコリメータ
は、多数の溝が設けられることによって表面に多数のブ
レードが形成された2つのブロックを、各々のブロック
のブレードが互いに接触するように、組み合わせて作成
される。各々のブロックは、X線輻射を吸収できる材料
で作られる。ブレード間の溝は、スリットとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】特開平3−36744号公報
に示すような同一の半導体結晶内に複数のX線測定チャ
ンネルがある多チャンネル型のX線検出器は、X線入射
により半導体結晶内に発生する2次電子の最大飛程がチ
ャンネルの間隔より大きい場合、チャンネル間のクロス
トークが増大して、X線強度を高精度に測定できない問
題がある。また、測定時間を短縮するために、チャンネ
ルを高密度化してチャンネル間隔を小さくすると、クロ
ストークが増大する。
に示すような同一の半導体結晶内に複数のX線測定チャ
ンネルがある多チャンネル型のX線検出器は、X線入射
により半導体結晶内に発生する2次電子の最大飛程がチ
ャンネルの間隔より大きい場合、チャンネル間のクロス
トークが増大して、X線強度を高精度に測定できない問
題がある。また、測定時間を短縮するために、チャンネ
ルを高密度化してチャンネル間隔を小さくすると、クロ
ストークが増大する。
【0006】また、特開平2−67999号公報のように2つ
のブロックの合わせ目が同一平面にあるコリメータにお
いては、被検体で散乱されたX線が、この合わせ目の隙
間を通り検出器に入射するストリーミングによって、X
線強度測定の精度が低下する問題がある。
のブロックの合わせ目が同一平面にあるコリメータにお
いては、被検体で散乱されたX線が、この合わせ目の隙
間を通り検出器に入射するストリーミングによって、X
線強度測定の精度が低下する問題がある。
【0007】本発明の目的は、クロストークの減少によ
る測定精度の向上を図ることができるX線CT装置を提
供することにある。
る測定精度の向上を図ることができるX線CT装置を提
供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、撮影時間を短縮でき
るX線CT装置を提供することにある。
るX線CT装置を提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、被検体の断層像の分
解能を向上できるX線CT装置を提供することにある。
解能を向上できるX線CT装置を提供することにある。
【0010】本発明の他の目的は、コリメータにおける
ストリミングを減少させることができるX線CT装置を
提供することにある。
ストリミングを減少させることができるX線CT装置を
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
する請求項1の特徴は、X線検出器が、電極を含みかつ
X線の入射によって電子および正孔を発生する半導体結
晶と、前記電極に接続される配線が設けられ、前記半導
体結晶と対向して設けられた基板とを有し、前記半導体
結晶および前記基板の一面がコリメータ側を向いてコリ
メータの各スリット毎に1つずつ前記X線検出器が配置
され、前記各X線検出器の前記半導体結晶は、隣接して
位置する他の前記X線検出器の前記基板と対向している
ことにある。
する請求項1の特徴は、X線検出器が、電極を含みかつ
X線の入射によって電子および正孔を発生する半導体結
晶と、前記電極に接続される配線が設けられ、前記半導
体結晶と対向して設けられた基板とを有し、前記半導体
結晶および前記基板の一面がコリメータ側を向いてコリ
メータの各スリット毎に1つずつ前記X線検出器が配置
され、前記各X線検出器の前記半導体結晶は、隣接して
位置する他の前記X線検出器の前記基板と対向している
ことにある。
【0012】上記他の目的を達成する請求項2の特徴
は、請求項1の特徴に加えて、前記配線が前記半導体結
晶と前記基板との間に位置していることにある。
は、請求項1の特徴に加えて、前記配線が前記半導体結
晶と前記基板との間に位置していることにある。
【0013】上記他の目的を達成する請求項3の特徴
は、請求項2の特徴に加えて、前記各X線検出器の前記
半導体結晶は一方向に長い形状を有し、この半導体結晶
の長手方向が前記スリットからのX線の出射方向に配置
されていることにある。
は、請求項2の特徴に加えて、前記各X線検出器の前記
半導体結晶は一方向に長い形状を有し、この半導体結晶
の長手方向が前記スリットからのX線の出射方向に配置
されていることにある。
【0014】上記他の目的を達成する請求項4の特徴
は、請求項3の特徴に加えて複数の前記電極が前記半導
体結晶の長手方向に配置されたことにある。
は、請求項3の特徴に加えて複数の前記電極が前記半導
体結晶の長手方向に配置されたことにある。
【0015】上記他の目的を達成する請求項5の特徴
は、前記コリメータは、一方に突出した複数のブレー
ド、及びブレード間に形成された溝を有する第1及び第
2コリメータ部を備え、前記第1コリメータ部の前記ブ
レードの端面が前記第2コリメータ部の前記溝の底面
に、前記第2コリメータ部の前記ブレードの端面が前記
第1コリメータ部の前記溝の底面に、それぞれ接合さ
れ、前記第1コリメータ部の前記ブレードと前記第2コ
リメータ部の前記ブレードとの間にスリットが形成され
ていることにある。
は、前記コリメータは、一方に突出した複数のブレー
ド、及びブレード間に形成された溝を有する第1及び第
2コリメータ部を備え、前記第1コリメータ部の前記ブ
レードの端面が前記第2コリメータ部の前記溝の底面
に、前記第2コリメータ部の前記ブレードの端面が前記
第1コリメータ部の前記溝の底面に、それぞれ接合さ
れ、前記第1コリメータ部の前記ブレードと前記第2コ
リメータ部の前記ブレードとの間にスリットが形成され
ていることにある。
【0016】
【作用】請求項1の発明によれば、以下の作用が生じ
る。半導体結晶および基板の一面がコリメータ側を向い
ており、各X線検出器の半導体結晶は、隣接して位置す
る他のX線検出器の基板と対向しているので、基板がも
つX線遮蔽効果により1つの半導体結晶に入射されたX
線が他の半導体結晶に入射されることがない。このよう
に、クロストークが防止されるので、測定ノイズが低減
されX線検出器の測定精度が向上する。
る。半導体結晶および基板の一面がコリメータ側を向い
ており、各X線検出器の半導体結晶は、隣接して位置す
る他のX線検出器の基板と対向しているので、基板がも
つX線遮蔽効果により1つの半導体結晶に入射されたX
線が他の半導体結晶に入射されることがない。このよう
に、クロストークが防止されるので、測定ノイズが低減
されX線検出器の測定精度が向上する。
【0017】請求項2の発明によれば、請求項1による
作用に加えて以下の作用が生じる。電極に接続される配
線が半導体結晶と基板との間に位置しているので、X線
検出器の厚みを薄くできる。これは、コリメータのスリ
ット間の間隔の減少によるX線検出器の高密度配置を可
能にする。このため、被検体の移動回数を低減でき、被
検体の撮影時間を短縮できる。
作用に加えて以下の作用が生じる。電極に接続される配
線が半導体結晶と基板との間に位置しているので、X線
検出器の厚みを薄くできる。これは、コリメータのスリ
ット間の間隔の減少によるX線検出器の高密度配置を可
能にする。このため、被検体の移動回数を低減でき、被
検体の撮影時間を短縮できる。
【0018】請求項3の発明によれば、請求項2による
作用に加えて以下の作用が生じる。半導体結晶は一方向
に長い形状を有しこの半導体結晶の長手方向がコリメー
タのスリットからのX線の出射方向に配置されているの
で、入射されたX線の半導体結晶内の透過距離が長くな
る。このため、半導体結晶内で発生する電子および正孔
が増加し、X線検出効率が増加する。これは、被検体断
層像の分解能向上につながる。
作用に加えて以下の作用が生じる。半導体結晶は一方向
に長い形状を有しこの半導体結晶の長手方向がコリメー
タのスリットからのX線の出射方向に配置されているの
で、入射されたX線の半導体結晶内の透過距離が長くな
る。このため、半導体結晶内で発生する電子および正孔
が増加し、X線検出効率が増加する。これは、被検体断
層像の分解能向上につながる。
【0019】請求項4の発明によれば、請求項3による
作用に加えて以下の作用が生じる。電極が半導体結晶の
長手方向に配置されているので、半導体結晶内で発生す
る電子および正孔の検出効率が増加し、X線検出効率を
更に高めることになる。被検体断層像の分解能はより向
上する。
作用に加えて以下の作用が生じる。電極が半導体結晶の
長手方向に配置されているので、半導体結晶内で発生す
る電子および正孔の検出効率が増加し、X線検出効率を
更に高めることになる。被検体断層像の分解能はより向
上する。
【0020】請求項5の発明によれば、請求項1,2ま
たは3による作用に加えて以下の作用が生じる。第1コ
リメータ部のブレードの端面が第2コリメータ部の溝の
底面に、第2コリメータ部のブレードの端面が第1コリ
メータ部の溝の底面に、それぞれ接合されているので、
ブレードの端面と溝の底面との接続部がすべて同一レベ
ルに位置していない。この接合部で生じるストリーミン
グは、少なくとも1つのブレードで遮蔽される。従っ
て、散乱X線のX線検出器への入射を減少でき、測定ノ
イズを低減できる。これによって、被検体の断層像の分
解能をより向上できる。
たは3による作用に加えて以下の作用が生じる。第1コ
リメータ部のブレードの端面が第2コリメータ部の溝の
底面に、第2コリメータ部のブレードの端面が第1コリ
メータ部の溝の底面に、それぞれ接合されているので、
ブレードの端面と溝の底面との接続部がすべて同一レベ
ルに位置していない。この接合部で生じるストリーミン
グは、少なくとも1つのブレードで遮蔽される。従っ
て、散乱X線のX線検出器への入射を減少でき、測定ノ
イズを低減できる。これによって、被検体の断層像の分
解能をより向上できる。
【0021】
(実施例1)本発明の好適な一実施例であるX線CT装
置を図2により説明する。
置を図2により説明する。
【0022】本実施例のX線CT装置は、X線発生装置
1,スキャナ2,コリメータ400およびX線検出器5
00等を備える。被検体3が設置されるスキャナ2は、
X線発生装置1がX線を放射する方向に設置される。コ
リメータ400は、被検体3を間にX線発生装置1と対
向する位置に配置される。コリメータ400は、特定の
方向からのX線を通過させる複数のスリット410を備
えている。X線検出器500は、それぞれのスリット4
00ごとに設けられ、スリット400の延長線方向に配
置される。信号処理回路6は、X線検出器500と配線
で結ばれ、X線検出器500から出力される電気信号を
入力する。演算装置7は、X線発生装置1,スキャナ2
および信号処理回路6と配線で結ばれる。表示装置8
は、配線により演算装置7に接続される。
1,スキャナ2,コリメータ400およびX線検出器5
00等を備える。被検体3が設置されるスキャナ2は、
X線発生装置1がX線を放射する方向に設置される。コ
リメータ400は、被検体3を間にX線発生装置1と対
向する位置に配置される。コリメータ400は、特定の
方向からのX線を通過させる複数のスリット410を備
えている。X線検出器500は、それぞれのスリット4
00ごとに設けられ、スリット400の延長線方向に配
置される。信号処理回路6は、X線検出器500と配線
で結ばれ、X線検出器500から出力される電気信号を
入力する。演算装置7は、X線発生装置1,スキャナ2
および信号処理回路6と配線で結ばれる。表示装置8
は、配線により演算装置7に接続される。
【0023】X線検出器500の詳細構造を図1に示
す。
す。
【0024】X線検出器500は、基板530およびこ
れに対向して設けられた半導体結晶510を有する。半
導体結晶510および基板530は、一方向に長い形状
を有する。半導体結晶510の基板530と対向する面
には、正電極511と負電極512が形成されている。
半導体結晶510には、拡散型シリコン半導体を用いる
のが一般的で、Si,Ge,GaAs,GaSe,Cd
Se,CdTe,HgI2 ,SiC,C,ZnTe,B
i2S3,PbI2 ,AlSb,InS、など化合物半導
体も含み、単結晶と多結晶など様々な材料が利用でき
る。本実施例は、半導体結晶510としてn型半導体を
用いたX線検出器500を説明する。半導体結晶510
としてp型半導体を用いても同様にX線検出器500を
構成することができる。
れに対向して設けられた半導体結晶510を有する。半
導体結晶510および基板530は、一方向に長い形状
を有する。半導体結晶510の基板530と対向する面
には、正電極511と負電極512が形成されている。
半導体結晶510には、拡散型シリコン半導体を用いる
のが一般的で、Si,Ge,GaAs,GaSe,Cd
Se,CdTe,HgI2 ,SiC,C,ZnTe,B
i2S3,PbI2 ,AlSb,InS、など化合物半導
体も含み、単結晶と多結晶など様々な材料が利用でき
る。本実施例は、半導体結晶510としてn型半導体を
用いたX線検出器500を説明する。半導体結晶510
としてp型半導体を用いても同様にX線検出器500を
構成することができる。
【0025】基板530は、ガラスエポキシ基板、紙フ
ェノール基板などで構成することが一般的である。密度
が高く、かつX線および電子を通しにくい物質(例え
ば、Pb,Au,Ag,Pt,Mo,W、タングステン
カーバイド)を基板に加えることにより、基板530の
X線遮蔽効果を高めることができる。
ェノール基板などで構成することが一般的である。密度
が高く、かつX線および電子を通しにくい物質(例え
ば、Pb,Au,Ag,Pt,Mo,W、タングステン
カーバイド)を基板に加えることにより、基板530の
X線遮蔽効果を高めることができる。
【0026】X線検出器500は、コリメータ400の
スリット410を通過するX線が半導体結晶510の長
手方向に入射するように配置される。このため、基板5
30は、スリット410の延長線方向と交差しない。各
スリット420に対向して配置されるそれぞれのX線検
出器500の半導体結晶510は、このX線検出器50
0に隣接して配置された他のX線検出器500の基板5
30と対向している。これは、半導体結晶510と基板
530とが交互に配置されていることになる。
スリット410を通過するX線が半導体結晶510の長
手方向に入射するように配置される。このため、基板5
30は、スリット410の延長線方向と交差しない。各
スリット420に対向して配置されるそれぞれのX線検
出器500の半導体結晶510は、このX線検出器50
0に隣接して配置された他のX線検出器500の基板5
30と対向している。これは、半導体結晶510と基板
530とが交互に配置されていることになる。
【0027】半導体結晶510に設けられた正電極51
1および負電極512と基板530に設けられた配線と
の接続状態を図3および図4に示す。電極パッド20お
よび21が、基板530の半導体結晶510と対向する
面上に設けられる。電極パッド20の接続端22は半導
体結晶510に設けた正電極511に対向して設けられ
る。電極パッド21の接続端23は、半導体結晶510
に設けた負電極512に対向して設けられる。接続端22
および23以外の電極パッド20および21の部分は、
他方の電極パッドと接触しないように基板530の長手
方向の一端に向かって伸びる配線パターンとなってい
る。電極パッド20および21の表面は、接続端22お
よび23を除いて、絶縁保護膜で被ってもよい。
1および負電極512と基板530に設けられた配線と
の接続状態を図3および図4に示す。電極パッド20お
よび21が、基板530の半導体結晶510と対向する
面上に設けられる。電極パッド20の接続端22は半導
体結晶510に設けた正電極511に対向して設けられ
る。電極パッド21の接続端23は、半導体結晶510
に設けた負電極512に対向して設けられる。接続端22
および23以外の電極パッド20および21の部分は、
他方の電極パッドと接触しないように基板530の長手
方向の一端に向かって伸びる配線パターンとなってい
る。電極パッド20および21の表面は、接続端22お
よび23を除いて、絶縁保護膜で被ってもよい。
【0028】正電極511および負電極512は、半導
体結晶510の表面に設けたAl,Au,Ag,Ptあ
るいはこれらの合金から選ばれた1つの材料で構成され
る金属電極である。正電極511は、半導体結晶510
内に形成されたn+ 拡散電極521の部分に設けられ
る。負電極512は、半導体結晶510内に形成された
p+ 拡散電極522の部分に設けられる。n+ 拡散電極
521を電極パッド531と容易に接続するためのもので
ある。正電極511に対して負電極512を負にバイア
スしている。
体結晶510の表面に設けたAl,Au,Ag,Ptあ
るいはこれらの合金から選ばれた1つの材料で構成され
る金属電極である。正電極511は、半導体結晶510
内に形成されたn+ 拡散電極521の部分に設けられ
る。負電極512は、半導体結晶510内に形成された
p+ 拡散電極522の部分に設けられる。n+ 拡散電極
521を電極パッド531と容易に接続するためのもので
ある。正電極511に対して負電極512を負にバイア
スしている。
【0029】p+ 拡散電極522はアクセプタ不純物の
拡散により、n+ 拡散電極521はドナー不純物の拡散
により、半導体結晶510内にそれぞれ形成される。電
界を半導体結晶510の内部に広く発生させて、電荷収
集の効率を向上させるために、p+ 拡散電極522とn
+ 拡散電極521は、半導体結晶510内に交互に配置
される。正電極511および負電極512も交互に半導
体結晶510に設けられる。正電極511と負電極51
2との間の電界の大きさが一様になり、電荷収集の効率
が半導体結晶510内で均一になるように、正電極51
1と負電極512は互いに平行に配置される。正電極51
1および負電極512の形状は、本実施例では長方形で
あるが、他の形状でもよい。また、本実施例は、1つの
正電極511および2つの負電極512を有するが、こ
れらの電極の数は必要に応じて他の数でもよい。絶縁被
膜513が、図4に示すように、正電極511および負
電極512の部分を除いた、半導体結晶510の基板5
30と対向する面に設けられる。この絶縁被膜513
は、正電極511と負電極512との間に存在する。絶
縁被膜513の形成は、正電極511と負電極512と
の間での漏洩電流を防止し、半導体結晶を保護する。
拡散により、n+ 拡散電極521はドナー不純物の拡散
により、半導体結晶510内にそれぞれ形成される。電
界を半導体結晶510の内部に広く発生させて、電荷収
集の効率を向上させるために、p+ 拡散電極522とn
+ 拡散電極521は、半導体結晶510内に交互に配置
される。正電極511および負電極512も交互に半導
体結晶510に設けられる。正電極511と負電極51
2との間の電界の大きさが一様になり、電荷収集の効率
が半導体結晶510内で均一になるように、正電極51
1と負電極512は互いに平行に配置される。正電極51
1および負電極512の形状は、本実施例では長方形で
あるが、他の形状でもよい。また、本実施例は、1つの
正電極511および2つの負電極512を有するが、こ
れらの電極の数は必要に応じて他の数でもよい。絶縁被
膜513が、図4に示すように、正電極511および負
電極512の部分を除いた、半導体結晶510の基板5
30と対向する面に設けられる。この絶縁被膜513
は、正電極511と負電極512との間に存在する。絶
縁被膜513の形成は、正電極511と負電極512と
の間での漏洩電流を防止し、半導体結晶を保護する。
【0030】正電極511は、銀ペーストなどの導電性
接着剤541によって電極パッド20の接続端22に電
気的に接続される。各負電極512は、導電性接着剤54
1によって電極パッド21の各接続端23に電気的に接
続される。このような接続によって半導体結晶510が
基板530に固定されることにより、X線検出器500
が得られる。正電極511および負電極512と接続端
22および接続端23との接続にワイヤボンディングを
用いないので、X線検出器500の厚みを著しく薄くで
きる。このため、コリメータ400内の隣接するスリッ
ト410相互間の間隔を狭くでき、隣接するX線検出器
500相互の間隔も狭くできる。従って、X線検出器5
00は高密度に配置できるので、撮影時間を短縮でき
る。
接着剤541によって電極パッド20の接続端22に電
気的に接続される。各負電極512は、導電性接着剤54
1によって電極パッド21の各接続端23に電気的に接
続される。このような接続によって半導体結晶510が
基板530に固定されることにより、X線検出器500
が得られる。正電極511および負電極512と接続端
22および接続端23との接続にワイヤボンディングを
用いないので、X線検出器500の厚みを著しく薄くで
きる。このため、コリメータ400内の隣接するスリッ
ト410相互間の間隔を狭くでき、隣接するX線検出器
500相互の間隔も狭くできる。従って、X線検出器5
00は高密度に配置できるので、撮影時間を短縮でき
る。
【0031】X線発生装置1から放射状に発生したX線
は、スキャナ2上に設置された被検体3を透過する。被
検体3を透過したX線は、コリメータ400の各スリッ
ト410に入射する。コリメータ400は、被検体3に
よって散乱されたX線がX線検出器500に入射するこ
とを防止する。スリット410を通過したX線は、X線
検出器500の半導体結晶510に入射される。半導体
結晶510内には、X線強度に対応した数の電子および
正孔が発生する。本実施例は、X線が半導体結晶510
の長手方向に入射されるので、発生する電子および正孔
の数が多くなる。これは、半導体結晶510のX線透過
距離が長いからである。本実施例の半導体結晶510
は、一方にのみ長い直方体であるから、長手方向以外か
ら半導体結晶510にX線が入射しても、このX線が半
導体結晶510内を透過する距離は短い。長手方向以外
から半導体結晶510に入射されるX線によって発生す
る電子および正孔の数は少ない。従って、ストリーミン
グやクロストーク等によるノイズの発生が減少する。
は、スキャナ2上に設置された被検体3を透過する。被
検体3を透過したX線は、コリメータ400の各スリッ
ト410に入射する。コリメータ400は、被検体3に
よって散乱されたX線がX線検出器500に入射するこ
とを防止する。スリット410を通過したX線は、X線
検出器500の半導体結晶510に入射される。半導体
結晶510内には、X線強度に対応した数の電子および
正孔が発生する。本実施例は、X線が半導体結晶510
の長手方向に入射されるので、発生する電子および正孔
の数が多くなる。これは、半導体結晶510のX線透過
距離が長いからである。本実施例の半導体結晶510
は、一方にのみ長い直方体であるから、長手方向以外か
ら半導体結晶510にX線が入射しても、このX線が半
導体結晶510内を透過する距離は短い。長手方向以外
から半導体結晶510に入射されるX線によって発生す
る電子および正孔の数は少ない。従って、ストリーミン
グやクロストーク等によるノイズの発生が減少する。
【0032】正電極511と負電極512の間には、外
部から電極パッド20および21を介して電圧が印加さ
れる。このため、半導体結晶510内の拡散電極521
と拡散電極522の間には電界が生じている。発生した
電子,正孔は電界に従って、それぞれ正電極511,負
電極512に移動する。本実施例では、半導体結晶51
0に正電極511および負電極512が交互に配置さ
れ、拡散電極521,522が半導体結晶510の表面
からその内部に向かって形成されているので、電界は半
導体結晶510内の広範囲にわたって分布する。従っ
て、X線の入射によって発生した電子および正孔の収集
効率が増加する。電子,正孔が正電極511,負電極51
2に到達すると、正電極511と負電極512の間に電
流が流れ、電気信号となる。すなわち、X線の入射によ
って、X線検出器500に電気信号が生じる。
部から電極パッド20および21を介して電圧が印加さ
れる。このため、半導体結晶510内の拡散電極521
と拡散電極522の間には電界が生じている。発生した
電子,正孔は電界に従って、それぞれ正電極511,負
電極512に移動する。本実施例では、半導体結晶51
0に正電極511および負電極512が交互に配置さ
れ、拡散電極521,522が半導体結晶510の表面
からその内部に向かって形成されているので、電界は半
導体結晶510内の広範囲にわたって分布する。従っ
て、X線の入射によって発生した電子および正孔の収集
効率が増加する。電子,正孔が正電極511,負電極51
2に到達すると、正電極511と負電極512の間に電
流が流れ、電気信号となる。すなわち、X線の入射によ
って、X線検出器500に電気信号が生じる。
【0033】被検体3は、スキャナ2の回転によりの姿
勢を複数回に渡って変えられる。X線は、それぞれの姿
勢の被検体3に対して照射される。これらの複数回の照
射に対して、被検体3を透過したX線が各X線検出器5
00によって上記のように計測される。前述したように
X線検出器500相互の間隔を狭くして配置できるの
で、スキャナ2を回転して被検体3の姿勢を変える回数
が少なくなり、被検体3の撮影時間が短縮される。
勢を複数回に渡って変えられる。X線は、それぞれの姿
勢の被検体3に対して照射される。これらの複数回の照
射に対して、被検体3を透過したX線が各X線検出器5
00によって上記のように計測される。前述したように
X線検出器500相互の間隔を狭くして配置できるの
で、スキャナ2を回転して被検体3の姿勢を変える回数
が少なくなり、被検体3の撮影時間が短縮される。
【0034】上記のように、X線検出器500は、入射
したX線の強度に対応した電気信号を発生する。電気信
号は信号処理回路6に送られる。信号処理回路6は、複
数のX線検出器500からの電気信号と、図示しない補
正情報となる電気信号とをそれぞれディジタル値に変換
し、これらのディジタル値を演算装置7に伝送するまで
一時的に保持する。演算装置7は、信号処理回路6から
伝送されてくるデータ(上記ディジタル値)を蓄積し、ス
キャナの位置情報と対応させて再構成演算を行い、被検
体3の断層像を得る。この断層影は表示装置8に表示さ
れる。
したX線の強度に対応した電気信号を発生する。電気信
号は信号処理回路6に送られる。信号処理回路6は、複
数のX線検出器500からの電気信号と、図示しない補
正情報となる電気信号とをそれぞれディジタル値に変換
し、これらのディジタル値を演算装置7に伝送するまで
一時的に保持する。演算装置7は、信号処理回路6から
伝送されてくるデータ(上記ディジタル値)を蓄積し、ス
キャナの位置情報と対応させて再構成演算を行い、被検
体3の断層像を得る。この断層影は表示装置8に表示さ
れる。
【0035】本実施例のX線CT装置によれば、以下の
ような効果を得ることができる。
ような効果を得ることができる。
【0036】(1)コリメータ400の各スリット41
0毎に1つずつ対応して配置された各X線検出器500
の半導体結晶510は、このX線検出器500の両側に
隣接して位置する他の2つのX線検出器500の基板5
30と対向している。従って、或いるX線検出器500
の半導体結晶510に入射されたX線は、その両側に隣
接して位置する他の2つのX線検出器500の基板53
0のX線遮蔽効果によって、他の2つのX線検出器50
0の半導体結晶510に入射されることがない。このよ
うに、X線のクロストークが防止されるので、測定ノイ
ズが低減し、X線検出器500の測定精度を向上させ
る。
0毎に1つずつ対応して配置された各X線検出器500
の半導体結晶510は、このX線検出器500の両側に
隣接して位置する他の2つのX線検出器500の基板5
30と対向している。従って、或いるX線検出器500
の半導体結晶510に入射されたX線は、その両側に隣
接して位置する他の2つのX線検出器500の基板53
0のX線遮蔽効果によって、他の2つのX線検出器50
0の半導体結晶510に入射されることがない。このよ
うに、X線のクロストークが防止されるので、測定ノイ
ズが低減し、X線検出器500の測定精度を向上させ
る。
【0037】(2)半導体結晶510の長手方向がスリ
ット410の延長線方向に配置されるので、半導体結晶
510を透過するX線の割合が減少する。このため、入
射されたX線によって半導体結晶510内に発生する電
子および正孔の量が増大する。電子および正孔の増加
は、X線検出器500の測定精度をより向上させる。
ット410の延長線方向に配置されるので、半導体結晶
510を透過するX線の割合が減少する。このため、入
射されたX線によって半導体結晶510内に発生する電
子および正孔の量が増大する。電子および正孔の増加
は、X線検出器500の測定精度をより向上させる。
【0038】(3)正電極511,負電極512が半導
体結晶510に交互に配置され、これらに対応して拡散
電極521,522が半導体結晶510の表面から内部
へ設けられているために、電界が半導体結晶510内で
広範囲に生じ、電子および正孔の収集効率が増加する。
これは、X線の検出効率の増加につながり、被検体3の
断層像の分解能を向上させることができる。
体結晶510に交互に配置され、これらに対応して拡散
電極521,522が半導体結晶510の表面から内部
へ設けられているために、電界が半導体結晶510内で
広範囲に生じ、電子および正孔の収集効率が増加する。
これは、X線の検出効率の増加につながり、被検体3の
断層像の分解能を向上させることができる。
【0039】(4)X線検出器500の厚みが著しく薄
いので、スリット410相互の間隔を狭くでき、それだ
けX線検出器500は高密度に配置できる。このため、
スキャナ2の回転による被検体3の姿勢の変化回数が少
なくなり、被検体3の撮影時間が著しく短縮される。
いので、スリット410相互の間隔を狭くでき、それだ
けX線検出器500は高密度に配置できる。このため、
スキャナ2の回転による被検体3の姿勢の変化回数が少
なくなり、被検体3の撮影時間が著しく短縮される。
【0040】また、X線CT装置において、X線検出器
500の替りに図5に示すX線検出器501を用いても
よい。X線検出器501は、基板530の半導体結晶5
10と対向する面上にフレキシブルな屈曲性のある絶縁
フィルム532を設け、この絶縁フィルム532に電極
パッド20および21を設けている。絶縁フィルム53
2の厚みは、基板530のそれに比べて著しく薄い。X
線検出器500を高密度に実装するとX線検出器500
相互の間隔が狭くなるので、電極パッド20および21
への信号線(信号処理回路6に接続)の接続がしずらく
なる。しかし、本実施例のX線検出器501のように屈
曲性のある絶縁フィルム532を用いて電極パッド20
および21を長くすることによって、後段の信号処理回
路6への接続のための電気的接続点を自由な空間まで引
き出すことができる。これは、電極パッド20および2
1への信号線の接続を容易にする。
500の替りに図5に示すX線検出器501を用いても
よい。X線検出器501は、基板530の半導体結晶5
10と対向する面上にフレキシブルな屈曲性のある絶縁
フィルム532を設け、この絶縁フィルム532に電極
パッド20および21を設けている。絶縁フィルム53
2の厚みは、基板530のそれに比べて著しく薄い。X
線検出器500を高密度に実装するとX線検出器500
相互の間隔が狭くなるので、電極パッド20および21
への信号線(信号処理回路6に接続)の接続がしずらく
なる。しかし、本実施例のX線検出器501のように屈
曲性のある絶縁フィルム532を用いて電極パッド20
および21を長くすることによって、後段の信号処理回
路6への接続のための電気的接続点を自由な空間まで引
き出すことができる。これは、電極パッド20および2
1への信号線の接続を容易にする。
【0041】図6に示すように、基板530と半導体結
晶510が交互に並ぶように単位X線検出器500を実
装すれば、基板530がもつX線遮蔽効果により、クロ
ストークを防止し、測定ノイズを低減して、測定精度を
増加させることができる。
晶510が交互に並ぶように単位X線検出器500を実
装すれば、基板530がもつX線遮蔽効果により、クロ
ストークを防止し、測定ノイズを低減して、測定精度を
増加させることができる。
【0042】図2に示すX線CT装置において、X線検
出器500の替りに図7に示すX線検出器502を用い
てもよい。X線検出器502は、半導体結晶510の、
n+拡散電極521,p+ 拡散電極522を形成した基
板530と対向する面とは反対の面に、n+ 拡散電極5
23を形成している。n+ 拡散電極523は、より広い
電界を半導体結晶510内に発生させる。このため、半
導体結晶510内で発生する電子および正孔の収集効率
が更に向上する。
出器500の替りに図7に示すX線検出器502を用い
てもよい。X線検出器502は、半導体結晶510の、
n+拡散電極521,p+ 拡散電極522を形成した基
板530と対向する面とは反対の面に、n+ 拡散電極5
23を形成している。n+ 拡散電極523は、より広い
電界を半導体結晶510内に発生させる。このため、半
導体結晶510内で発生する電子および正孔の収集効率
が更に向上する。
【0043】(実施例2)本発明の実施例2に係るX線
CT装置を図8により説明する。
CT装置を図8により説明する。
【0044】本実施例のX線CT装置は、図2に示すX
線CT装置のX線検出器500をX線検出器503に替
えたものである。X線検出器503は、X線検出器50
0の基板530の、半導体結晶510と対向する面とは
反対の面に、X線および電子を通しにくい物質からなる
遮蔽材550を接着したものである。遮蔽材550の材
質としては、密度が高いことが望ましく、例えば、P
b,Au,Ag,Pt,Mo,W、およびタングステン
カーバイドなどが有効である。X線検出器503の上記
以外の構造は、X線検出器500の構造と同じである。
線CT装置のX線検出器500をX線検出器503に替
えたものである。X線検出器503は、X線検出器50
0の基板530の、半導体結晶510と対向する面とは
反対の面に、X線および電子を通しにくい物質からなる
遮蔽材550を接着したものである。遮蔽材550の材
質としては、密度が高いことが望ましく、例えば、P
b,Au,Ag,Pt,Mo,W、およびタングステン
カーバイドなどが有効である。X線検出器503の上記
以外の構造は、X線検出器500の構造と同じである。
【0045】本実施例のX線CT装置は、全てのX線検
出器503の短尺方向(スリット410の延長線方向に
直交する方向)での両側面側に、X線遮蔽材を配置して
いる。このため、その短尺方向において、各X線検出器
503は、2つのX線遮蔽材によって挟まれている。
出器503の短尺方向(スリット410の延長線方向に
直交する方向)での両側面側に、X線遮蔽材を配置して
いる。このため、その短尺方向において、各X線検出器
503は、2つのX線遮蔽材によって挟まれている。
【0046】本実施例のX線CT装置は、実施例1と同
様の効果を得ることができる。更に、X線検出器503
の短尺方向における両側面側にX線遮蔽材550が配置
されているので、これらの側面側から入射するX線を減
少させるので、X線検出器のクロストークがより低減さ
れる。このため、測定ノイズが更に低減され、測定精度
がより向上する。
様の効果を得ることができる。更に、X線検出器503
の短尺方向における両側面側にX線遮蔽材550が配置
されているので、これらの側面側から入射するX線を減
少させるので、X線検出器のクロストークがより低減さ
れる。このため、測定ノイズが更に低減され、測定精度
がより向上する。
【0047】(実施例3)本発明の実施例3であるX線
CT装置を図2及び図9により説明する。実施例3のX
線CT装置は、実施例1においてコリメータ400を図
9に示すコリメータ405に替えたものである。コリメ
ータ405は、コリメータ上部420及びコリメータ下
部430を有し、コリメータ上部420とコリメータ下
部430との間に貫通孔である複数のスリット410を
形成したものである。
CT装置を図2及び図9により説明する。実施例3のX
線CT装置は、実施例1においてコリメータ400を図
9に示すコリメータ405に替えたものである。コリメ
ータ405は、コリメータ上部420及びコリメータ下
部430を有し、コリメータ上部420とコリメータ下
部430との間に貫通孔である複数のスリット410を
形成したものである。
【0048】コリメータ405の組立てを図10により
説明する。X線吸収材であるコリメータ上部420は、
下方に向かって突出する複数のブレード412を有し、
ブレード412間に溝411が形成される。X線吸収材
であるコリメータ下部430は、上方に向かって突出す
る複数のブレード414を有し、ブレード414間に溝
413が形成される。ブレード412が溝413内に、
ブレード414が溝411内にそれぞれ挿入される。各
ブレード412及び414の端面は、該当する溝411
または413の底面にシール材415によって接合され
る。シール材415はX線吸収材である。スリット41
0はブレード412とブレード414との間に形成され
る。
説明する。X線吸収材であるコリメータ上部420は、
下方に向かって突出する複数のブレード412を有し、
ブレード412間に溝411が形成される。X線吸収材
であるコリメータ下部430は、上方に向かって突出す
る複数のブレード414を有し、ブレード414間に溝
413が形成される。ブレード412が溝413内に、
ブレード414が溝411内にそれぞれ挿入される。各
ブレード412及び414の端面は、該当する溝411
または413の底面にシール材415によって接合され
る。シール材415はX線吸収材である。スリット41
0はブレード412とブレード414との間に形成され
る。
【0049】X線発生装置1から放射されたX線は、被
検体3を透過し、コリメータ405のスリット410内
に入射される。コリメータ405のスリット410は特
定の方向からのX線だけを通過させる。本実施例に用い
られるコリメータ405は、シール材415によるコリ
メータ上部420とコリメータ下部430との接合部4
16が、同一線上に連続して配置されていなく、上部と
下部に交互に配置されるので、ストリーミングを抑制で
きる。これは、1つの接合部416を介して隣のスリッ
ト410内に達したX線がブレード412(またはブレ
ード414)によって遮蔽されるからである。また、各
接合部416には、X線を吸収するシール材415が塗
布されているので、ストリーミングの強度は減少し、散
乱X線のX線検出器500への入射を減少できる。
検体3を透過し、コリメータ405のスリット410内
に入射される。コリメータ405のスリット410は特
定の方向からのX線だけを通過させる。本実施例に用い
られるコリメータ405は、シール材415によるコリ
メータ上部420とコリメータ下部430との接合部4
16が、同一線上に連続して配置されていなく、上部と
下部に交互に配置されるので、ストリーミングを抑制で
きる。これは、1つの接合部416を介して隣のスリッ
ト410内に達したX線がブレード412(またはブレ
ード414)によって遮蔽されるからである。また、各
接合部416には、X線を吸収するシール材415が塗
布されているので、ストリーミングの強度は減少し、散
乱X線のX線検出器500への入射を減少できる。
【0050】本実施例は、実施例1の効果を得ることが
でき、かつストリミングの抑制によりX線検出器の測定
ノイズを減少できる。測定ノイズの減少は、被検体3の
断層像の分解能を更に向上できる。
でき、かつストリミングの抑制によりX線検出器の測定
ノイズを減少できる。測定ノイズの減少は、被検体3の
断層像の分解能を更に向上できる。
【0051】本実施例におけるX線検出器500を、X
線検出器501,502または503に替えてもよい。
線検出器501,502または503に替えてもよい。
【0052】(実施例4)本発明の実施例4のX線CT
装置を図2および図11により説明する。実施例4は、
実施例3のコリメータ405を図11に示すコリメータ
401に替えたものである。
装置を図2および図11により説明する。実施例4は、
実施例3のコリメータ405を図11に示すコリメータ
401に替えたものである。
【0053】コリメータ401は、複数の貫通孔416
を有する複数の板440を重ね合わせて構成する。板4
40はX線を吸収する材質によって構成される。各板4
40は、各貫通孔416が一致するように配置される。
複数の板を440を貫く貫通孔416により、コリメー
タ401を貫通するスリット410が形成される。この
コリメータ401は、スリット410間に接合部が存在
しないので、ストリーミングによる散乱X線のX線検出
器500への入射が防止できる。
を有する複数の板440を重ね合わせて構成する。板4
40はX線を吸収する材質によって構成される。各板4
40は、各貫通孔416が一致するように配置される。
複数の板を440を貫く貫通孔416により、コリメー
タ401を貫通するスリット410が形成される。この
コリメータ401は、スリット410間に接合部が存在
しないので、ストリーミングによる散乱X線のX線検出
器500への入射が防止できる。
【0054】実施例4は、上記以外に実施例1で得られ
る効果も生じる。
る効果も生じる。
【0055】本実施例におけるコリメータ401の替り
に図12に示すコリメータ402を用いてもよい。この
コリメータ402は、コリメータ401におけるスリッ
ト410を二次元的に配置したものであり、実質的にコ
リメータ401と同じである。図11および図12のコ
リメータは、平板を用いたが、複数の湾曲した板を重ね
合わせて構成してもよい。
に図12に示すコリメータ402を用いてもよい。この
コリメータ402は、コリメータ401におけるスリッ
ト410を二次元的に配置したものであり、実質的にコ
リメータ401と同じである。図11および図12のコ
リメータは、平板を用いたが、複数の湾曲した板を重ね
合わせて構成してもよい。
【0056】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、基板によって
クロストークが減少しX線検出器の測定精度が向上す
る。
クロストークが減少しX線検出器の測定精度が向上す
る。
【0057】請求項2の発明によれば、請求項1によっ
て得られる効果に加えて、X線検出器の高密度配置が可
能になることにより被検体の撮影時間を短縮できる。
て得られる効果に加えて、X線検出器の高密度配置が可
能になることにより被検体の撮影時間を短縮できる。
【0058】請求項3の発明によれば、請求項2によっ
て得られる効果に加えて、半導体結晶内で発生する電子
および正孔の増加に伴うX線検出効率の増大により、被
検体断層像の分解能が向上する。
て得られる効果に加えて、半導体結晶内で発生する電子
および正孔の増加に伴うX線検出効率の増大により、被
検体断層像の分解能が向上する。
【0059】請求項4の発明によれば、請求項3によっ
て得られる効果に加えて、電極が半導体結晶の長手方向
に配置されているので、半導体結晶内で発生する電子お
よび正孔の検出効率が増加する。このため、X線検出効
率が更に高くなり、被検体断層像の分解能はより向上す
る。
て得られる効果に加えて、電極が半導体結晶の長手方向
に配置されているので、半導体結晶内で発生する電子お
よび正孔の検出効率が増加する。このため、X線検出効
率が更に高くなり、被検体断層像の分解能はより向上す
る。
【0060】請求項5の発明によれば、請求項1,2ま
たは3によって得られる効果に加えて、散乱X線のX線
検出器への入射を減少でき、被検体の断層像の分解能を
より向上できる。
たは3によって得られる効果に加えて、散乱X線のX線
検出器への入射を減少でき、被検体の断層像の分解能を
より向上できる。
【図1】図2に示す本発明の実施例1に係るX線CT装
置のX線検出器およびコリメータの構成図である。
置のX線検出器およびコリメータの構成図である。
【図2】本発明の実施例1に係るX線CT装置の構成図
である。
である。
【図3】図1に示すX線検出器における半導体結晶に設
けた電極と基板に設けた配線との接合状態を示す模式図
である。
けた電極と基板に設けた配線との接合状態を示す模式図
である。
【図4】図1に示すX線検出器の縦断面図である。
【図5】X線検出器の他の実施例の斜視図である。
【図6】X線検出器の他の実施例の縦断面図である。
【図7】X線検出器の他の実施例の縦断面図である。
【図8】本発明の実施例2に係るX線CT装置に用いら
れるX線検出器の縦断面図である。
れるX線検出器の縦断面図である。
【図9】本発明の実施例3に係るX線CT装置に用いら
れるコリメータの斜視図である。
れるコリメータの斜視図である。
【図10】図9のコリメータの製造過程を示す説明図で
ある。
ある。
【図11】本発明の実施例4に係るX線CT装置に用い
られるコリメータの斜視図である。
られるコリメータの斜視図である。
【図12】実施例4に用いられるコリメータの他の実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
1…X線発生装置、2…スキャナ、3…被検体、6…信
号処理回路、7…演算装置、8…表示装置、20,21
…電極パッド、400,401,402,405…コリメ
ータ、410…スリット、411,413…溝、41
2,414…ブレード、413…接合部、420…コリ
メータ上部、430…コリメータ下部、500,50
1,502,503…X線検出器、510…半導体結
晶、511…正電極、512…負電極、521…n+ 拡
散電極、522…p+ 拡散電極、530…基板。
号処理回路、7…演算装置、8…表示装置、20,21
…電極パッド、400,401,402,405…コリメ
ータ、410…スリット、411,413…溝、41
2,414…ブレード、413…接合部、420…コリ
メータ上部、430…コリメータ下部、500,50
1,502,503…X線検出器、510…半導体結
晶、511…正電極、512…負電極、521…n+ 拡
散電極、522…p+ 拡散電極、530…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川崎 智 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 佐藤 克利 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所エネルギー研究所内
Claims (5)
- 【請求項1】X線発生装置と、X線発生装置から放出さ
れたX線が通過する複数のスリットを有するコリメータ
と、前記スリットを通過するX線を検出するX線検出器
とを備え、前記X線検出器が、電極を含みかつX線の入
射によって電子および正孔を発生する半導体結晶と、前
記電極に接続される配線が設けられ、前記半導体結晶と
対向して設けられた基板とを有し、前記半導体結晶およ
び前記基板の一面が前記コリメータ側を向いて前記各ス
リット毎に1つずつ前記X線検出器が配置され、前記各
X線検出器の前記半導体結晶は、隣接して位置する他の
前記X線検出器の前記基板と対向していることを特徴と
するX線CT装置。 - 【請求項2】X線発生装置と、X線発生装置から放出さ
れたX線が通過する複数のスリットを有するコリメータ
と、前記スリットを通過するX線を検出するX線検出器
とを備え、前記X線検出器が、電極を含みかつX線の入
射によって電子および正孔を発生する半導体結晶と、前
記電極に接続される配線が設けられ、前記半導体結晶と
対向して設けられた基板とを有し、前記配線が前記半導
体結晶と前記基板との間に位置し、前記半導体結晶およ
び前記基板の一面が前記コリメータ側を向いて前記各ス
リット毎に1つずつ前記X線検出器が配置され、前記各
X線検出器の前記半導体結晶は、隣接して位置する他の
前記X線検出器の前記基板と対向していることを特徴と
するX線CT装置。 - 【請求項3】X線発生装置と、X線発生装置から放出さ
れたX線が通過する複数のスリットを有するコリメータ
と、前記スリットを通過するX線を検出するX線検出器
とを備え、前記X線検出器が、電極を含みかつX線の入
射によって電子および正孔を発生する半導体結晶と、前
記電極に接続される配線が設けられ、前記半導体結晶と
対向して設けられた基板とを有し、前記配線が前記半導
体結晶と前記基板との間に位置し、前記半導体結晶およ
び前記基板の一面が前記コリメータ側を向いて前記各ス
リット毎に1つずつ前記X線検出器が配置され、前記各
X線検出器の前記半導体結晶は一方向に長い形状を有
し、この半導体結晶の長手方向が前記スリットからのX
線の出射方向に配置され、前記各X線検出器の前記半導
体結晶は、隣接して位置する他の前記X線検出器の前記
基板と対向していることを特徴とするX線CT装置。 - 【請求項4】複数の前記電極が前記半導体結晶の長手方
向に配置された請求項3のX線CT装置。 - 【請求項5】前記コリメータは、一方に突出した複数の
ブレード、及びブレード間に形成された溝を有する第1
及び第2コリメータ部を備え、前記第1コリメータ部の
前記ブレードの端面が前記第2コリメータ部の前記溝の
底面に、前記第2コリメータ部の前記ブレードの端面が
前記第1コリメータ部の前記溝の底面に、それぞれ接合
され、前記第1コリメータ部の前記ブレードと前記第2
コリメータ部の前記ブレードとの間にスリットが形成さ
れる請求項1,2または3のX線CT装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00238695A JP3309618B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | X線ct装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00238695A JP3309618B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | X線ct装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08187239A true JPH08187239A (ja) | 1996-07-23 |
JP3309618B2 JP3309618B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=11527800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00238695A Expired - Fee Related JP3309618B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | X線ct装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3309618B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002311146A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Hamamatsu Photonics Kk | 高エネルギー線検出器及び装置 |
JP2003084068A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
EP2099035A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-09 | United Technologies Corporation | X-ray collimators, and related systems and methods involving such collimators |
US7639777B2 (en) | 2008-02-26 | 2009-12-29 | United Technologies Corp. | Computed tomography systems and related methods involving forward collimation |
JP2010510484A (ja) * | 2006-11-17 | 2010-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 感光層上に複数の電極を有する放射線検出器 |
US7876875B2 (en) | 2008-04-09 | 2011-01-25 | United Technologies Corp. | Computed tomography systems and related methods involving multi-target inspection |
US7888647B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-02-15 | United Technologies Corp. | X-ray detector assemblies and related computed tomography systems |
JP2011530081A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体 |
JP2012021905A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
JP2012517604A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | プリズマティック、センサーズ、アクチボラグ | X線撮像用シリコン検出器アセンブリ |
US8238521B2 (en) | 2008-03-06 | 2012-08-07 | United Technologies Corp. | X-ray collimators, and related systems and methods involving such collimators |
-
1995
- 1995-01-11 JP JP00238695A patent/JP3309618B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4653336B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2011-03-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | エネルギー線検出器及び装置 |
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US8581200B2 (en) | 2006-11-17 | 2013-11-12 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detector with multiple electrodes on a sensitive layer |
US7639777B2 (en) | 2008-02-26 | 2009-12-29 | United Technologies Corp. | Computed tomography systems and related methods involving forward collimation |
US8238521B2 (en) | 2008-03-06 | 2012-08-07 | United Technologies Corp. | X-ray collimators, and related systems and methods involving such collimators |
EP2099035A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-09 | United Technologies Corporation | X-ray collimators, and related systems and methods involving such collimators |
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US7888647B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-02-15 | United Technologies Corp. | X-ray detector assemblies and related computed tomography systems |
JP2011530081A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体 |
JP2012517604A (ja) * | 2009-02-11 | 2012-08-02 | プリズマティック、センサーズ、アクチボラグ | X線撮像用シリコン検出器アセンブリ |
JP2012021905A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
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---|---|
JP3309618B2 (ja) | 2002-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |