JPH08181507A - Microwave attenuator - Google Patents
Microwave attenuatorInfo
- Publication number
- JPH08181507A JPH08181507A JP31890994A JP31890994A JPH08181507A JP H08181507 A JPH08181507 A JP H08181507A JP 31890994 A JP31890994 A JP 31890994A JP 31890994 A JP31890994 A JP 31890994A JP H08181507 A JPH08181507 A JP H08181507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- waveguide
- absorbing body
- attenuator
- absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波の電力を
減衰させるための、特に導波管による伝送路に適したマ
イクロ波アッテネータに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave attenuator for attenuating microwave power, which is particularly suitable for a waveguide-based transmission line.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、マイクロ波帯電波（およそ１ＧＨ
ｚ以上の電波）の発振には、様々な発振素子が用いられ
ている。中でも半導体を利用した発振方法は、比較的低
い電圧で連続発振出力が得られるため、特に無線通信分
野で多く用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, microwave charged waves (about 1 GHz
Various oscillation elements are used for oscillation of radio waves of z or more). Above all, the oscillation method using a semiconductor is widely used especially in the field of wireless communication because a continuous oscillation output can be obtained at a relatively low voltage.
【０００３】ところで、上述のような半導体によるマイ
クロ波発振回路では、その発振原理上、発振出力電力の
調整が難しい。即ち、供給する電源やバイアスの電圧を
下げると、発振が不安定になったり歪んだり、停止して
しまう。そこで一般に、マイクロ波伝送路にアッテネー
タ（減衰器）を挿入して、マイクロ波電力を調整する方
法が用いられる。In the microwave oscillating circuit made of a semiconductor as described above, it is difficult to adjust the oscillation output power due to its oscillation principle. That is, if the power supply or bias voltage supplied is lowered, oscillation becomes unstable, distorted, or stopped. Therefore, generally, a method of inserting an attenuator (attenuator) into the microwave transmission line to adjust the microwave power is used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロ波は周波数が高い上に、マイクロ波の伝送には導波管
が多く用いられるために、従来のマイクロ波アッテネー
タは極めて高価で、これを組み込む製品のコスト上昇を
招いてしまうという問題が生じた。本発明は上述のよう
な背景の下になされたもので、安価でＶＳＷＲ（電圧定
在波比）等の特性が優れており、出力電力あるいは減衰
量の調整が容易なマイクロ波アッテネータを提供するこ
とを目的としている。However, since the microwave has a high frequency and a waveguide is often used for transmitting the microwave, the conventional microwave attenuator is extremely expensive and a product incorporating the microwave attenuator. There was a problem that this would lead to an increase in costs. The present invention has been made under the background as described above, and provides a microwave attenuator which is inexpensive, has excellent characteristics such as VSWR (voltage standing wave ratio), and whose output power or attenuation amount can be easily adjusted. Is intended.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項１に記載の発明にあっては、マイクロ波帯
の電波を伝送する電波伝送手段と、前記電波を吸収する
薄い板状の電波吸収手段とを具備し、前記電波伝送手段
は方形導波管から構成され、前記電波吸収手段は前記電
波伝送手段内部の磁界面に取り付けられ、前記電波吸収
手段の厚さによって減衰量が決定されることを特徴とす
る。In order to solve the above-mentioned problems, according to the invention of claim 1, a radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band and a thin plate shape for absorbing the radio waves. Radio wave absorbing means, the radio wave transmitting means is composed of a rectangular waveguide, the radio wave absorbing means is attached to a magnetic field surface inside the radio wave transmitting means, and an attenuation amount depends on the thickness of the radio wave absorbing means. It is characterized by being decided.
【０００６】また請求項２に記載の発明にあっては、マ
イクロ波帯の電波を伝送する電波伝送手段と、前記電波
を吸収する薄い板状の電波吸収手段とを具備し、前記電
波伝送手段は方形導波管から構成され、前記電波伝送手
段は電界面の一部に前記電波吸収手段が該電波吸収手段
の面方向に挿入される挿入口を有し、前記電波吸収手段
は前記挿入口に前記電波伝送手段の磁界面と平行するよ
うに摺動可能に挿入され、前記電波吸収手段の挿入量に
よって減衰量が決定されることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band, and a thin plate-shaped radio wave absorption means for absorbing the radio waves. Is a rectangular waveguide, and the radio wave transmission means has an insertion opening in a part of the electric field surface in which the radio wave absorption means is inserted in the surface direction of the radio wave absorption means, and the radio wave absorption means is the insertion opening. Is slidably inserted in parallel with the magnetic field surface of the radio wave transmission means, and the amount of attenuation is determined by the insertion amount of the radio wave absorption means.
【０００７】また請求項３に記載の発明にあっては、マ
イクロ波帯の電波を伝送する電波伝送手段と、前記電波
を吸収する薄い板状の電波吸収手段とを具備し、前記電
波伝送手段は円形導波管から構成され、前記電波伝送手
段は外周面の一部に前記電波吸収手段が該電波吸収手段
の面方向に挿入される挿入口を有し、前記電波吸収手段
は前記挿入口に前記電波伝送手段の半径方向に摺動可能
に挿入され、前記電波吸収手段の挿入量によって減衰量
が決定されることを特徴とする。According to another aspect of the invention, there is provided a radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band and a thin plate-shaped radio wave absorption means for absorbing the radio waves. Is composed of a circular waveguide, and the radio wave transmission means has an insertion opening in a part of the outer peripheral surface into which the radio wave absorption means is inserted in the surface direction of the radio wave absorption means, and the radio wave absorption means is the insertion opening. Is inserted slidably in the radial direction of the radio wave transmission means, and the attenuation amount is determined by the insertion amount of the radio wave absorption means.
【０００８】[0008]
【作用】請求項１に記載の発明は、方形導波管から構成
された電波伝送手段内部の磁界面に薄い板状の電波吸収
手段が取り付けられ、電波吸収手段の厚さによって減衰
量が決定される。請求項２に記載の発明は、方形導波管
から構成された電波伝送手段の電界面の一部に薄い板状
の電波吸収手段が該電波吸収手段の面方向に挿入される
挿入口を有し、挿入口に電波伝送手段の磁界面と平行す
るように摺動可能に挿入される電波吸収手段の挿入量に
よって減衰量が決定される。請求項３に記載の発明は、
円形導波管から構成された電波伝送手段の外周面の一部
に薄い板状の電波吸収手段が該電波吸収手段の面方向に
挿入される挿入口を有し、挿入口に電波伝送手段の半径
方向に摺動可能に挿入される電波吸収手段の挿入量によ
って減衰量が決定される。According to the first aspect of the invention, a thin plate-shaped radio wave absorbing means is attached to the magnetic field surface inside the radio wave transmitting means composed of a rectangular waveguide, and the attenuation amount is determined by the thickness of the radio wave absorbing means. To be done. According to a second aspect of the present invention, a thin plate-shaped radio wave absorbing means is provided in a part of the electric field surface of the radio wave transmitting means composed of a rectangular waveguide so as to have an insertion opening in the plane direction of the radio wave absorbing means. Then, the amount of attenuation is determined by the amount of insertion of the radio wave absorber that is slidably inserted into the insertion port so as to be parallel to the magnetic field surface of the radio wave transmission unit. The invention according to claim 3 is
A thin plate-shaped radio wave absorbing means has an insertion port inserted in the plane direction of the radio wave absorbing means in a part of the outer peripheral surface of the radio wave transmitting means composed of a circular waveguide, and the radio wave transmitting means has an insertion port. The amount of attenuation is determined by the amount of insertion of the radio wave absorber that is slidably inserted in the radial direction.
【０００９】[0009]
【実施例】以下に図面を参照して、本発明の一実施例に
ついて説明する。 Ａ．第１の実施例 図１は、本発明の第１の実施例にかかるマイクロ波アッ
テネータの構成を示す側断面図である。本実施例では、
ＪＩＳ形名ＷＲＪ−１０（内側寸法：幅２２．９ｍｍ、
高さ１０．２ｍｍ）とガン・ダイオード（電圧−電流特
性の一部に負性抵抗領域を有するダイオード）とを用い
た１０．５ＧＨｚの発振器に適用した例を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. A. First Embodiment FIG. 1 is a side sectional view showing a structure of a microwave attenuator according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment,
JIS model name WRJ-10 (inside dimension: width 22.9 mm,
An example applied to an oscillator of 10.5 GHz using a height of 10.2 mm) and a Gunn diode (a diode having a negative resistance region in a part of voltage-current characteristics) is shown.
【００１０】図１において１は、導波管（方形導波管）
である。この導波管１の向かい合ったＨ面（磁界面）の
幅方向の中央部には、それぞれ円筒形のダイオード・マ
ウント３ａ、３ｂが形成されている。ダイオード・マウ
ント３ａの内部には、やはり円筒形の絶縁物３ｃが嵌合
している。一方のダイオード・マウント３ｂの内面には
螺旋が形成されており、ここに金属のネジ３ｄが螺合す
る。このネジ３ｄを締めることにより絶縁物３ｃとのと
の間にガン・ダイオード４が取り付けられ、ガン・ダイ
オード４には電極５を介して励振電圧が印加される。ま
た、導波管１の一端部は開口しているとともに取り付け
用のフランジ２が形成されており、他端部は短絡壁６に
より閉鎖されている。このため、ガン・ダイオード４に
よる発振周波数は、短絡壁６とガン・ダイオード４との
距離ｌによって決定される。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a waveguide (square waveguide).
Is. Cylindrical diode mounts 3a and 3b are formed in the central portions in the width direction of the H surfaces (magnetic field surfaces) facing each other of the waveguide 1. A cylindrical insulator 3c is also fitted inside the diode mount 3a. A spiral is formed on the inner surface of one diode mount 3b, and a metal screw 3d is screwed into the spiral. By tightening the screw 3d, the gun diode 4 is attached between the gun diode 4 and the insulator 3c, and the excitation voltage is applied to the gun diode 4 through the electrode 5. Further, one end of the waveguide 1 is open and a mounting flange 2 is formed, and the other end is closed by a short-circuit wall 6. Therefore, the oscillation frequency of the Gunn diode 4 is determined by the distance 1 between the short-circuit wall 6 and the Gunn diode 4.
【００１１】導波管１の、開口側のフランジ２とガン・
ダイオード４との間の任意の位置のＨ面壁の内面には電
波吸収体７が貼り付けられており、この部分がアッテネ
ータ８を形成している。図２に電波吸収体７の外観の一
例を示す。電波吸収体には、様々な材質のものが開発さ
れている。このうち本実施例では、カーボニール鉄の粉
末を、エポキシ樹脂をバインダーとして固めたものを使
用した。また、図２に示した電波吸収体７の幅Ｗ、およ
び長さＬは、本実施例ではそれぞれ１０ｍｍとした。The flange 2 on the opening side of the waveguide 1 and the gun
A radio wave absorber 7 is attached to the inner surface of the H-plane wall at an arbitrary position between the diode 4 and this portion, and this portion forms an attenuator 8. FIG. 2 shows an example of the appearance of the radio wave absorber 7. Various materials have been developed for the radio wave absorber. Of these, in this example, a powder of carbonyl iron was used, which was hardened with an epoxy resin as a binder. Further, the width W and the length L of the radio wave absorber 7 shown in FIG.
【００１２】図３は、導波管１内を伝搬する電磁波のモ
デル図である。ここで図３（ａ）は、Ｈ面（上部磁界
面）およびＥ面（電界面）から見た図である。また、図
３（ｂ）は図３（ａ）におけるＡ-Ａ'断面矢視図、図３
（ｃ）はＢ-Ｂ'断面矢視図である。これらの図中、実線
矢印は電気力線Ｅを破線矢印は磁力線Ｈを、また１点鎖
線矢印は電流Ｉの方向を示している。FIG. 3 is a model diagram of electromagnetic waves propagating in the waveguide 1. Here, FIG. 3A is a view seen from the H surface (upper magnetic field surface) and the E surface (electric field surface). 3B is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
(C) is a BB 'cross section arrow line view. In these figures, the solid line arrow shows the electric force line E, the broken line arrow shows the magnetic force line H, and the one-dot chain line arrow shows the direction of the current I.
【００１３】図１に示す導波管１内部においても、ガン
・ダイオード４の位置からフランジ２の方向へ、電磁波
が図３に示すモデルと同様に伝搬する。そこで、図１に
示すような導波管１における電波吸収体７が貼り付けら
れた部分では、電波吸収体７内を通過する電気力線およ
び磁力線が吸収され、この結果伝搬する電磁波が減衰す
る。また、電波吸収体７が導波管１のＨ面に取り付けら
れた場合、電磁波が電波吸収体７に吸収される度合い
は、図２に示すような電波吸収体７の厚さｔに比例す
る。従って、電波吸収体７の厚さｔによって、減衰量が
決定される。図４に、本実施例による電波吸収体７の厚
さｔと減衰量Ａttとの関係を表したグラフを示す。Inside the waveguide 1 shown in FIG. 1, electromagnetic waves propagate from the position of the Gunn diode 4 toward the flange 2 as in the model shown in FIG. Therefore, in the portion of the waveguide 1 where the radio wave absorber 7 is attached as shown in FIG. 1, the electric force lines and magnetic force lines passing through the radio wave absorber 7 are absorbed, and as a result, the propagating electromagnetic wave is attenuated. . When the wave absorber 7 is attached to the H surface of the waveguide 1, the degree of absorption of electromagnetic waves by the wave absorber 7 is proportional to the thickness t of the wave absorber 7 as shown in FIG. . Therefore, the attenuation amount is determined by the thickness t of the radio wave absorber 7. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the thickness t and the attenuation amount Att of the radio wave absorber 7 according to this example.
【００１４】ところで本実施例のように、内部高１０．
２ｍｍの導波管１のＨ面壁の内面に電波吸収体７を貼り
付ける場合、厚さの最大が１ｍｍ程度であれば、伝送路
（導波管１）のＶＳＷＲが大きく悪化することはない。By the way, as in this embodiment, the internal height of 10.
When the radio wave absorber 7 is attached to the inner surface of the H surface wall of the waveguide 1 of 2 mm, the VSWR of the transmission line (waveguide 1) does not significantly deteriorate if the maximum thickness is about 1 mm.
【００１５】なお、上述の第１の実施例ではガン・ダイ
オード４によるマイクロ波発振器が構成されている導波
管１の出力側にアッテネータ８が構成されている例を示
した。しかし、本発明が適用されるマイクロは発振素子
はガン・ダイオードに限定された物ではなく、この他イ
ンパット・ダイオードやマグネトロンのような電子管で
あってもよい。また、マイクロ波発振器の一部として構
成し、出力電力調整用アッテネータとする他、一定長の
導波管の内部に必要な厚さの電波吸収体を貼り付け、固
定減衰量のアッテネータとしてもよい。In the first embodiment described above, the attenuator 8 is formed on the output side of the waveguide 1 in which the microwave oscillator including the Gunn diode 4 is formed. However, the oscillator to which the present invention is applied is not limited to the Gunn diode, but may be an electron tube such as an impatt diode or magnetron. In addition to constituting an attenuator for adjusting the output power by configuring as a part of the microwave oscillator, a wave absorber having a required thickness may be attached inside the waveguide of a certain length to provide an attenuator with a fixed attenuation amount. .
【００１６】Ｂ．第２の実施例 図５は、本発明の第２の実施例にかかるマイクロ波アッ
テネータの概略構成図である。図５において１１は導波
管（方形導波管）である。この導波管１１のＥ面の中央
部には、挿入部１３が設けられている。この挿入部１３
には電波吸収体１７が、導波管１１のＨ面と平行かつ矢
印Ｃ方向に摺動可能に挿入され、これらが通過型のアッ
テネータ１８を形成している。なお、電波吸収体１７の
組成その他は、前述の電波吸収体７と同様であるが、厚
さｔは十分に薄く、一定であるものとする。B. Second Embodiment FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a microwave attenuator according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 5, reference numeral 11 is a waveguide (square waveguide). An insertion portion 13 is provided at the center of the E surface of the waveguide 11. This insertion part 13
A radio wave absorber 17 is inserted into the H-plane of the waveguide 11 so as to be slidable in the arrow C direction, and these form a pass-type attenuator 18. The composition of the radio wave absorber 17 and the like are the same as those of the radio wave absorber 7 described above, but the thickness t is assumed to be sufficiently thin and constant.
【００１７】このアッテネータ１８にあっては、電波吸
収体１７の挿入量ｗが変化することにより、その通過減
衰量が変化する。具体的には図６に示すように、挿入量
ｗが大きくなるに従って、減衰量も大きくなる。従っ
て、電波吸収体１７の挿入量ｗを可変できる構造とする
ことにより、減衰量可変型のアッテネータを構成するこ
とができる。In this attenuator 18, when the insertion amount w of the radio wave absorber 17 changes, the passing attenuation amount changes. Specifically, as shown in FIG. 6, as the insertion amount w increases, the attenuation amount also increases. Therefore, by adopting a structure in which the insertion amount w of the radio wave absorber 17 can be changed, it is possible to configure a variable attenuation type attenuator.
【００１８】なお、上述の第２の実施例では方形導波管
１１にアッテネータ１８を形成した例を示したが、円形
導波管にあっても本実施例と同様の効果が得られる。In the second embodiment described above, the example in which the attenuator 18 is formed in the rectangular waveguide 11 is shown, but the same effect as in this embodiment can be obtained even in the circular waveguide.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、方
形導波管内部の磁界面に電波吸収体を貼り付けるだけの
簡単な構成で、貼り付けた電波吸収体の厚さに比例した
減衰量のマイクロ波アッテネータが実現可能である。ま
た、方形導波管の電界面または円形導波管の一部に電波
吸収体の挿入部を設け、電波吸収体の挿入量を可変する
だけの簡単な構成で、減衰量可変型のマイクロ波アッテ
ネータが実現可能である。As described above, according to the present invention, a simple structure in which the electromagnetic wave absorber is attached to the magnetic field surface inside the rectangular waveguide is proportional to the thickness of the attached electromagnetic wave absorber. Attenuator microwave attenuator can be realized. In addition, a microwave attenuation attenuation type microwave is provided with a simple structure in which the electromagnetic wave absorber insertion part is provided on the electric field surface of the rectangular waveguide or a part of the circular waveguide and the insertion amount of the electromagnetic wave absorber is varied. Attenuator is feasible.
【図１】本発明の第１の実施例にかかるマイクロ波アッ
テネータ８の構成を示す側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a microwave attenuator 8 according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同実施例における電波吸収体７の概略構成を示
す外観図である。FIG. 2 is an external view showing a schematic configuration of a radio wave absorber 7 in the embodiment.
【図３】導波管１内部を伝搬する電磁波の電気力線Ｅ、
磁力線Ｈおよび電流の方向Ｉを示すモデル図である。FIG. 3 is a line of electric force E of an electromagnetic wave propagating inside the waveguide 1.
It is a model figure which shows the magnetic force line H and the direction I of an electric current.
【図４】本発明の第１実施例における、電波吸収体７の
厚さｔと減衰量Ａttとの関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the thickness t of the radio wave absorber 7 and the attenuation amount Att in the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施例にかかるアッテネータ１
８の概略構成を示す外観図である。FIG. 5 is an attenuator 1 according to a second embodiment of the present invention.
8 is an external view showing a schematic configuration of No. 8.
【図６】同実施例における電波吸収体の挿入量ｗと減衰
量との関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a relationship between an insertion amount w of a radio wave absorber and an attenuation amount in the example.
１ 導波管 ７ 電波吸収体 ８ アッテネータ １１ 導波管 １３ 挿入部 １７ 電波吸収体 １８ アッテネータ 1 Waveguide 7 Radio Wave Absorber 8 Attenuator 11 Waveguide 13 Insertion Part 17 Radio Wave Absorber 18 Attenuator
Claims (3)
手段と、 前記電波を吸収する薄い板状の電波吸収手段とを具備
し、 前記電波伝送手段は方形導波管から構成され、 前記電波吸収手段は前記電波伝送手段内部の磁界面に取
り付けられ、 前記電波吸収手段の厚さによって減衰量が決定されるこ
とを特徴とするマイクロ波アッテネータ。1. A radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band, and a thin plate-shaped radio wave absorption means for absorbing the radio waves, wherein the radio wave transmission means comprises a rectangular waveguide, The microwave attenuator, wherein the absorbing means is attached to the magnetic field surface inside the radio wave transmitting means, and the amount of attenuation is determined by the thickness of the radio wave absorbing means.
手段と、 前記電波を吸収する薄い板状の電波吸収手段とを具備
し、 前記電波伝送手段は方形導波管から構成され、 前記電波伝送手段は電界面の一部に前記電波吸収手段が
該電波吸収手段の面方向に挿入される挿入口を有し、 前記電波吸収手段は前記挿入口に前記電波伝送手段の磁
界面と平行するように摺動可能に挿入され、 前記電波吸収手段の挿入量によって減衰量が決定される
ことを特徴とするマイクロ波アッテネータ。2. A radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band, and a thin plate-shaped radio wave absorption means for absorbing the radio waves, wherein the radio wave transmission means is composed of a rectangular waveguide. The transmission means has an insertion opening in a part of the electric field surface in which the radio wave absorption means is inserted in the surface direction of the radio wave absorption means, and the radio wave absorption means is parallel to the magnetic field surface of the radio wave transmission means in the insertion opening. The microwave attenuator is slidably inserted as described above, and the attenuation amount is determined by the insertion amount of the radio wave absorbing means.
手段と、 前記電波を吸収する薄い板状の電波吸収手段とを具備
し、 前記電波伝送手段は円形導波管から構成され、 前記電波伝送手段は外周面の一部に前記電波吸収手段が
該電波吸収手段の面方向に挿入される挿入口を有し、 前記電波吸収手段は前記挿入口に前記電波伝送手段の半
径方向に摺動可能に挿入され、 前記電波吸収手段の挿入量によって減衰量が決定される
ことを特徴とするマイクロ波アッテネータ。3. A radio wave transmission means for transmitting radio waves in the microwave band, and a thin plate-shaped radio wave absorption means for absorbing the radio waves, wherein the radio wave transmission means comprises a circular waveguide. The transmission means has an insertion opening in a part of the outer peripheral surface into which the radio wave absorption means is inserted in the surface direction of the radio wave absorption means, and the radio wave absorption means slides in the insertion opening in the radial direction of the radio wave transmission means. A microwave attenuator which is inserted as much as possible and whose attenuation amount is determined by the insertion amount of the radio wave absorbing means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31890994A JPH08181507A (en) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | Microwave attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31890994A JPH08181507A (en) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | Microwave attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181507A true JPH08181507A (en) | 1996-07-12 |
Family
ID=18104331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31890994A Withdrawn JPH08181507A (en) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | Microwave attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181507A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113241508A (en) * | 2021-05-24 | 2021-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Manual waveguide attenuation switching device, tester and switching method |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP31890994A patent/JPH08181507A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113241508A (en) * | 2021-05-24 | 2021-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Manual waveguide attenuation switching device, tester and switching method |
| CN113241508B (en) * | 2021-05-24 | 2021-11-26 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Manual waveguide attenuation switching device, tester and switching method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4521746A (en) | Microwave oscillator with TM01δ dielectric resonator | |
| US5140285A (en) | Q enhanced dielectric resonator circuit | |
| WO2005011101A3 (en) | Methods and apparatus based on coplanar striplines | |
| US4992763A (en) | Microwave resonator for operation in the whispering-gallery mode | |
| US3725721A (en) | Apparatus for loading cavity resonators of tunable velocity modulation tubes | |
| JPH08181507A (en) | Microwave attenuator | |
| CN114512387B (en) | Distributed radiation coupling loss circuit applied to rotary traveling wave tube | |
| US6344779B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
| US4386326A (en) | Dielectric-resonator-tuned microwave solid state oscillator | |
| JPS6334204Y2 (en) | ||
| JP3330054B2 (en) | Coaxial magnetron | |
| JP4252274B2 (en) | Magnetron | |
| JPS5863201A (en) | High frequency circuit device | |
| US4107573A (en) | Printed circuit traveling wave tube | |
| JP4401886B2 (en) | High frequency package | |
| JPH06216633A (en) | Higher harmonic suppressing antenna | |
| JPS59114904A (en) | Dielectric filter | |
| CN116154432A (en) | Waveguide type wave trap structure | |
| JPS5823170Y2 (en) | microwave tube device | |
| JP2004055241A (en) | Cavity connection type travelling-wave tube | |
| US4542352A (en) | Cavity oscillator with undesired mode absorbing waveguides for linear FM | |
| JPH02220496A (en) | High-frequency amplification module | |
| US3605004A (en) | High efficiency diode signal generator | |
| JPH06244609A (en) | Magnetostatic wave s/n enhancer | |
| JPH1141009A (en) | Waveguide type attenuator and its manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |