JPH08180757A

JPH08180757A - 接点部の形成方法

Info

Publication number: JPH08180757A
Application number: JP31882994A
Authority: JP
Inventors: Kazunori So; 和範宗
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1994-12-21
Filing date: 1994-12-21
Publication date: 1996-07-12

Abstract

(57)【要約】【構成】絶縁性樹脂層１と導電層２とが積層され、絶
縁性樹脂層１を貫通して導電層２に至る貫通孔３を有す
る積層体４において、絶縁性樹脂層１の表面１ａおよび
／または貫通孔３の内面１ｂに、オゾン処理および／ま
たは紫外線６照射を行う。その後、めっきにより貫通孔
３内に金属物質を充填して、バンプ７などの接点部を形
成する。【効果】絶縁性樹脂層１の表面１ａおよび／またはめ
っきすべき貫通孔３の内面１ｂは、めっき液との濡れ性
が向上する。めっき液の不完全な貫通孔内への充填によ
るバンプの未成長および成長不良、さらに絶縁性樹脂層
１の表面１ａの貫通孔３近傍に気泡が付着することによ
るバンプ変形などの接点部の欠陥不良が極端に減少する
ので、精密なバンプめっきなどの接点部の形成が行え
る。特に、一製品あたりに多くの接点部を形成する場
合、従来法では問題となっていた低歩留りが改善される
ので、大きな経済効果が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、異方導電フィルム、回
路基板、フィルムキャリアなどに用いられる加工フィル
ムに接点部を形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の多機能化と小型軽量化
に伴い、半導体分野においては配線回路のパターンが高
集積化され、多ピンおよび狭ピッチのファインパターン
が採用されている。例えば、半導体素子を回路基板に直
接実装したり、フィルムキャリア、異方導電フィルムな
どを介して外部基板上のランド部に実装する試みがなさ
れているが、さらに信頼性の高い電気的接続を得るため
に、上記回路基板、フィルムキャリア、異方導電フィル
ムの接続部位に接点部を形成することが要望されてい
る。

【０００３】このような要望に応えて、例えば特開平２
−１２９９３８号公報には、導電パターンが形成された
絶縁性樹脂フィルムの厚み方向にレーザー光を照射して
微細な貫通孔を形成し、該貫通孔内にめっきなどの手段
によって金属物質を充填し、該金属物質をバンプ状に突
出させてなる接点部（以下、かかる接点部を特に「バン
プ」という。）を有する配線基板の製造方法が開示され
ている。

【０００４】このような微細貫通孔に、バンプをめっき
により成長させる方法は公知である。しかし、絶縁性樹
脂フィルムは有機物で構成されているため、各種めっき
液との濡れ性が悪く、一般に水をはじく性質を持ってい
る。また、貫通孔が微細であるばかりでなく、貫通孔底
部の導電部位は絶縁性樹脂フィルム表面よりも奥深い所
にあるため、めっき時において、めっき液をすべての貫
通孔内に充填させることは難しい。めっき液が完全に貫
通孔内に充填されない場合には、当然バンプが成長しな
いか、あるいはバンプの成長が不良となるので、かかる
バンプ未成長または成長不良の孔を有する製品は不良品
となる。

【０００５】さらに、絶縁性樹脂フィルム表面のめっき
液との濡れ性が悪いと、積層フィルムをめっき液に浸漬
する際に、フィルム表面に気泡が付着しやすくなる。こ
のような気泡は一度付着すると、めっき液の流速を大き
くしても取り除くことができないので、仮にめっき液が
完全に貫通孔内に充填され、バンプが成長したとして
も、気泡の近傍に位置するバンプは気泡を避けて成長す
るので、バンプが変形するなどの欠陥不良を生ずる。

【０００６】めっき時におけるバンプ未成長または成長
不良、およびバンプ変形などの接点部の欠陥不良を低減
するために、例えばめっき液に浸漬させる前に、絶縁性
樹脂との濡れ性の良いメタノールを始めとする溶媒に浸
漬させるなどして、貫通孔内に一旦これらの溶媒を流入
させ、その後、貫通孔内部の溶媒を水と置換する方法が
採用されることがある。

【０００７】しかしこの方法では、バンプ未成長または
成長不良となる孔の確率は減るが、完全にゼロにするこ
とはできない。また、製造工程が煩雑となり、製造コス
トを上昇させる要因ともなる。特に一製品あたりのバン
プ数が増える状況にある現在、かかる問題は歩留り、製
造コストに大きな影響を与えているので、バンプ未成長
および成長不良、バンプ変形などの接点部の欠陥不良の
発生を極力抑えることが強く要望されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
欠点を解決するものであり、接点部を形成する際、例え
ばバンプめっきの際、めっき液と絶縁性樹脂との濡れ性
の悪さによるバンプ未成長または成長不良、バンプ変形
などの接点部の欠陥不良をなくし、電気的接続信頼性の
高い異方導電フィルム、回路基板、フィルムキャリアな
どの加工フィルムを得るための、バンプなどの接点部を
形成する方法の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、め
っきによりバンプ電極を形成する際に、絶縁性樹脂フィ
ルム表面の濡れ性不足によるバンプの未成長、ならびに
バンプ変形などの欠陥をなくす方法について検討を重ね
た。その結果、オゾン処理および／または紫外線照射の
工程をバンプめっき前に加えることで、バンプ未成長お
よび成長不良、ならびにバンプ変形などの接点部の欠陥
不良を容易に防げることを見いだし、本発明を完成する
に至った。

【００１０】即ち、本発明は、絶縁性樹脂層と導電層と
が積層され、該絶縁性樹脂層を貫通して該導電層に至る
貫通孔を有する積層体において、該絶縁性樹脂層の表面
および／または該貫通孔の内面に、オゾン処理および／
または紫外線照射を行った後、該貫通孔内に金属物質を
充填することを特徴とする接点部の形成方法を提供する
ものである。

【００１１】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の接点部の形成方法による製造工程を示
す、積層体の断面図であり、図１（Ａ）は接点部を形成
する前の積層体の断面図、図１（Ｂ）は接点部を形成し
た後の積層体の断面図である。図１（Ａ）においては、
絶縁性樹脂層１と導電層２とが積層され、絶縁性樹脂層
１を厚さ方向に貫通して導電層２に至る貫通孔３が穿設
され、積層体４が形成されている。

【００１２】本発明における絶縁性樹脂層１は、電気絶
縁性を有するものであれば、その材質は特に限定されな
いが、絶縁性と共に可撓性を有するものが好ましく、具
体的にはポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタ
ン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、
ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポ
リカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹
脂などの熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられ、
目的に応じて適宜選択できる。これらの樹脂のうち、優
れた耐熱性、耐薬品性、さらに機械的強度に優れるポリ
イミド系樹脂が特に好適に使用される。

【００１３】また、絶縁性樹脂層１の厚さは任意に選択
できるが、絶縁性樹脂層１の厚み精度（ばらつき）、貫
通孔３の形成性の点からは通常、５〜２００μｍ、好ま
しくは１０〜１００μｍに設定するのがよい。

【００１４】貫通孔３の形成方法としては、機械的加
工、光加工、化学エッチングなどの方法が挙げられる
が、微細加工性、加工形状の自由度、加工精度などの点
からレーザー加工が好ましい。詳しくは、絶縁性樹脂層
１の表面１ａに孔形状、例えば丸、四角、菱形などを有
するマスクを密着させ、マスクの上から処理する間接的
エッチング法、スポットを絞ったレーザー光を絶縁性樹
脂層１の表面１ａに照射するか、あるいはマスクを通し
てレーザー光を絶縁性樹脂層１の表面１ａに結像させる
ドライエッチング法などを行う。照射するレーザー光と
しては、照射出力の大きな紫外線レーザー光が好まし
く、特にエキシマレーザーの如き紫外線レーザーによる
アブレーションを用いたドライエッチング加工を行った
場合は、高アスペクト比が得られ、微細な加工ができる
ので好ましいものである。

【００１５】貫通孔３は、隣合う貫通孔同士がつながら
ない範囲内で、孔径をできる限り大きくし、また、孔間
ピッチをできる限り小さくして、単位面積当たりの貫通
孔の数を増やすことが、導通路としての電気抵抗を小さ
くする上で好ましい。図１（ａ）に示すように、貫通孔
３の開口部３ａの孔径を底部３ｂよりも大きく設定する
ことにより、貫通孔３の内面１ｂへの紫外線照射が容易
となるので好ましく、貫通孔３の開口部３ａの孔径は、
５〜２００μｍ、好ましくは８〜５０μｍ程度がよく、
貫通孔３の底部３ｂの孔径は、３〜１９０μｍ、好まし
くは５〜４５μｍ程度がよい。

【００１６】導電層２は、後述するような製造工程での
電気めっきにおいて電極（陰極）となるように導電性を
有するものであれば特に限定されず、例えば金、銀、
銅、白金、鉛、錫、ニッケル、鉄、コバルト、インジウ
ム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなど
の単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、例え
ば、半田、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げられ
る。また、導電層２は、必ずしも単層である必要はな
く、上記各金属の層が二層以上積層された積層構造にす
ることも可能である。

【００１７】導電層２の厚みは特に限定されないが、１
〜２００μｍ、好ましくは５〜８０μｍに設定するのが
よい。導電層２は、通常、回路パターンが形成され、導
電性回路の形成方法としては、絶縁性樹脂層１の他方面
１ｃに目的の回路パターンを直接描画、形成する方法
（アディティブ法）、目的の回路パターンを残すように
導電層２の他の部分を除去して形成する方法（サブトラ
クティブ法）が挙げられる。

【００１８】前者の方法としては、スパッタリング、各
種蒸着、各種メッキなどの成膜方法を用いた回路パター
ンの描画が挙げられる。また、後者の方法としては、絶
縁性樹脂層１の他方面１ｃ側に導電層２を積層し、導電
層２の表面２ａに目的の回路パターン形状だけを被覆す
るようにレジスト層５を形成した後、露出している導電
層２をエッチングして、所望の回路パターンを得る方法
が挙げられる。

【００１９】めっきにより接点部を形成する前に、導電
層２の表面２ａを絶縁化する必要があるので、図１
（Ａ）に示すように、絶縁保護としてレジスト層５を設
ける。レジスト層５の材料は絶縁化できるものならば特
に限定はない。

【００２０】次に、オゾン処理および／または紫外線照
射による絶縁性樹脂層１の表面１ａおよび／または貫通
孔３の内面１ｂの改質について説明する。

【００２１】紫外線は電磁波の一種であり、その波長は
可視光よりも短く、通常１００〜４００ｎｍの波長領域
にあるものが紫外線と呼ばれている。また、光のエネル
ギーはその波長によって決まり、波長が短いほどエネル
ギーが高い。電磁波が物質に作用を及ぼすためには、反
応を引き起こすのに十分な強さのエネルギーが必要であ
る。紫外線のもつエネルギーは、赤外線および可視光よ
りもかなり高い。有機化合物の結合エネルギーは、紫外
線のエネルギーに近く、特に短波長領域の紫外線は多く
の有機化合物のものより高い。このことが紫外線が多く
の物質と様々な反応のできる一番の原因である。

【００２２】絶縁性樹脂などの有機材料は紫外線を照射
されると、表面から数ミクロン深さまでの範囲で、ポリ
マーの結合が切断される。切断部位では水素原子の引き
抜き、それに続く酸素原子の導入などにより、カルボニ
ル基、カルボキシル基、水酸基などの極性の高い官能基
が形成され、その結果、表面エネルギーが大きくなり、
水の接触角が低下して、濡れ性が向上する。

【００２３】紫外線の光源としては多くの種類のものが
あるが、有機物と反応するのに有効な短波長紫外線を効
率よく放射し、寿命も長く実用的なものとして、低圧水
銀ランプが好ましい。水銀ランプが放射する代表的な紫
外線波長は、３６５ｎｍ、２５４ｎｍ、１８５ｎｍであ
るが、低圧水銀ランプは２５４ｎｍ線と１８５ｎｍ線を
最も効率よく放射するランプである。本発明において
は、１８５ｎｍ線および／または２５４ｎｍ線の紫外線
を放射するランプであれば、低圧水銀ランプに限らず、
好適に使用できる。

【００２４】１８５ｎｍ線は酸素分子を分解して、下記
式、に示すように、オゾンを生成することができ
る。しかしオゾンには２６０ｎｍ近辺に強力な吸収バン
ドがあり、そのためオゾンは２５４ｎｍ線により分解さ
れ、速やかに活性酸素原子を放出する（式）。

【００２５】Ｏ₂ ＋ｈν（１８５ｎｍ） → Ｏ＋ＯＯ₂ ＋Ｏ → Ｏ₃ Ｏ₃ ＋ｈν（２５４ｎｍ） → Ｏ₂ ＋Ｏ

【００２６】このオゾンから分解発生した活性酸素原子
は、強力な酸化力を持っており、例えば紫外線照射など
によって生成した有機化合物のフリーラジカルまたは励
起状態の分子と反応して、ＣＯ₂やＨ₂Ｏのような揮発
性物質、あるいはカルボニル基、カルボキシル基、水酸
基などの極性の高い官能基を持った化合物を生成する。
有機物の分解、除去量はオゾン濃度および紫外線露光量
に依存するので、紫外線照射またはオゾン処理を単独で
行うよりも、両者の併用が特に好ましい。

【００２７】オゾン濃度については、絶縁性樹脂層１の
表面１ａおよび／または貫通孔３の内面１ｂの濡れ性改
善を目的とした場合、低圧水銀ランプなどから放射され
た紫外線により生成されたオゾンの濃度程度でも可能で
あり、オゾン発生器などを用いてさらにオゾンを発生さ
せてオゾン濃度を高めることは必ずしも必要でない。こ
の場合の具体的なオゾン濃度は、通常は１００〜１００
０ｐｐｍ、好ましくは２００〜６００ｐｐｍ、より好ま
しくは４００〜５００ｐｐｍの範囲内に設定するのがよ
い。オゾン濃度が１００ｐｐｍ未満であると効果は不十
分であり、一方、１０００ｐｐｍを越えて設定しても、
すでに接触角の低下の限度に達しており不経済である。

【００２８】しかし、ドライデスミアのように、レーザ
ー加工などにより貫通孔３の開口部３ａおよび底部３ｂ
に付着した分解物のエッチング除去量が多いような場合
には、酸素ガスを原料にしてオゾンを発生させるオゾン
発生器を用いて、オゾン濃度を高める必要がある。この
場合の具体的なオゾン濃度は、通常は２０００〜１００
００ｐｐｍ、好ましくは３０００〜６０００ｐｐｍ、よ
り好ましくは４５００〜５５００ｐｐｍの範囲内に設定
する。オゾン濃度が２０００ｐｐｍ未満であると、分解
物量の減少は認められるが、完全に除去することはでき
ず、一方、１００００ｐｐｍを越えて設定しても、すで
に分解物は完全に除去されており不経済である。

【００２９】また、雰囲気温度は、絶縁性樹脂層１の表
面１ａなどの濡れ性改善を目的とした場合、通常は室温
以上、好ましくは１５〜４５℃、より好ましくは２０〜
３０℃に設定し、付着分解物のエッチング除去を目的と
した場合では、通常７０〜１７０℃、好ましくは９０〜
１５０℃、より好ましくは１００〜１２０℃に設定す
る。

【００３０】本発明は、このオゾン処理および／または
紫外線照射による有機物質の改質作用を、めっき液によ
る接点部の形成の前処理に応用したものである。従来の
液体による改質とは異なり、作用物質の活性酸素は気体
であり、一方の紫外線は光であるので、絶縁性樹脂層１
に穿設された、いかなる微細な貫通孔に対しても、濡れ
性改善、およびレーザー加工などによる分解物の除去に
効果があるものである。

【００３１】次に、めっき液による接点部の形成方法に
ついて説明する。レジスト保護を行った積層体４の絶縁
性樹脂層１の表面１ａに、１〜５ｍＷ／ｃｍ²、好まし
くは２〜３ｍＷ／ｃｍ²の強度で紫外線６を照射する。
照射時間は通常５〜３０分間、好ましくは１０〜２０分
間とする。但し、付着分解物のエッチング除去を目的と
した場合、紫外線６の強度は通常２０〜８０ｍＷ／ｃｍ
²、好ましくは３０〜７０ｍＷ／ｃｍ²、より好ましく
は４０〜５０ｍＷ／ｃｍ²とし、照射時間は通常５〜３
０分間、好ましくは１０〜２０分間とする。

【００３２】濡れ性を向上させる程度の改質処理程度で
あれば、オゾン濃度は１０００ｐｐｍ以下の範囲に設定
すれば十分であるので、特にオゾナイザーは必要とせ
ず、紫外線照射によって自然発生するオゾンを利用する
ことになる。このオゾン濃度が１００ｐｐｍ以上になる
ためには、装置による差はあるが、ランプ点灯後およそ
５分を要する。

【００３３】照射後、絶縁性樹脂層１の表面１ａの接触
角は下がっているが、放置時間が長ければ接触角は徐々
に戻ってしまうので、できる限り早くめっきを行うこと
が好ましい。

【００３４】めっき液の材料としては、導電性を有する
金属であれば特に限定されず、導電層２と同じ材質が挙
げられ、本発明においては様々な金属のめっきを活用で
きる。電気めっきにおいては、導電層２を電極に接続
し、積層体４をめっき浴に浸漬して、導電層２を陰極と
して通電する。この際の電流密度は、めっきする金属に
より異なるが、例えばニッケルをめっきする場合には、
３〜８Ａ／ｄｍ²に設定する。通電により貫通孔３内に
金属物質が充填され、接点部が形成される。

【００３５】本発明において接点部は、電気的な接触、
接続を意図して絶縁性樹脂層１の表面１ａに設けられる
導体部分である。接点部全体としての態様は、絶縁性樹
脂層１の表面１ａからの突出の有無を問わず、また、接
点部の接触面の形状は、接触対象の部材の突起状態に応
じて、凸状、平面状、凹状のいずれであってもよい。従
って、絶縁性樹脂層１の表面１ａに対する垂直面・平行
面で切断したときの接点部の断面形状は限定されるもの
ではなく、全ての多角形、円形、楕円形、これら各形状
の一部分や複合形などが挙げられ、これら断面形状の組
み合わせによって、接点部の形状は、多角柱・円柱の端
部または側面、円錐（台）、角錐（台）、球体の一部な
ど、あらゆる立体的形状が可能となる。しかし、接点部
は、図１（Ｂ）に示すように、マッシュルーム形状（バ
ンプ状）のバンプ７とするのが、電気的信頼性の点から
好ましいものである。バンプ７の高さは目的、使用に応
じて自由に設定できる。

【００３６】なお、導電層２の表面２ａを絶縁化するた
めのレジスト層５を形成するには、通常、乾燥処理工程
を必要とするので、貫通孔３の底部３ｂにおける導電層
２の露出面２ｂが酸化される。導電層２の露出面２ｂに
酸化膜が形成されると、通電が不良となるので、バンプ
未成長または成長不良となる。従って、めっき直前に酸
化膜除去を目的とした前処理を行う必要がある。酸化膜
を除去するための前処理剤としては、酸化膜を除去でき
るものであれば特に限定はなく、例えは酸化銅の除去で
あれば、ソフトエッチング剤〔荏原ユージライト社製、
ＰＢ−２２８（１００ｇ／Ｌ）／硫酸（１０ｍＬ／Ｌ）
の混液〕が好適に使用される。酸化膜の除去に際して
は、超音波振動を併用することが好ましく、積層体４を
１〜３分間浸漬処理し、貫通孔３の底部３ｂにおける導
電層２の露出面２ｂを活性化させる。

【００３７】最後に、絶縁保護としてのレジスト層５を
導電層２から剥離して、接点部としてのバンプ７が形成
された積層体４を得る。

【００３８】

【作用】本発明の接点部の形成方法によれば、絶縁性樹
脂層の表面および／または絶縁性樹脂層に穿設された貫
通孔の内面に、オゾン処理および／または紫外線照射を
行うので、絶縁性樹脂層の表面および／またはめっきす
べき貫通孔の内面は、めっき液との濡れ性が向上する。
従って、めっき液が完全に貫通孔内に充填されないこと
によるバンプの未成長、めっき液の貫通孔内への不十分
な充填によるバンプの成長不良、さらにめっきの際に気
泡が絶縁性樹脂層の表面の貫通孔近傍に付着することに
よるバンプ変形などの接点部の欠陥不良が解消されるの
で、歩留まりが大きく改善されるものである。

【００３９】

【実施例】以下、実施例および比較例をもって本発明を
詳細に述べるが、本発明はこれらによって何ら限定され
るものではない。

【００４０】〔実施例１〕絶縁性樹脂層であるポリイミ
ドフィルム（２６μｍ厚）の片面に、導電層であり、銅
箔からなる銅層（３５μｍ厚）を形成して、積層体であ
る二層フィルムを作成した。ポリイミドフィルムの表面
に、遮蔽マスクを通して、発振波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザー光を照射してドライエッチングを施
し、ポリイミドフィルムのみに３０μｍφの微細貫通孔
を９９００個穿設した。

【００４１】この貫通孔の開口部周辺および底部には黒
色のポリイミド分解物が付着していた。この分解物はカ
ーボンを主成分とするものであり、めっき時に導電体と
して作用するので、電解めっき、特にバンプを形成する
場合、この分解物を完全に除去しなければ、直接バンプ
形状不良につながる。一般にこれらの分解物除去法とし
て、過マンガン酸カリウムを用いたウェットデスミア法
が知られているが、本実施例のように孔が微細である場
合、液回りの影響を受け易く、すべての孔の付着分解物
を一様に除去するのが難しい。

【００４２】そこで本発明方法の応用として、紫外線と
オゾンを利用したドライデスミアを行ったところ、付着
していたポリイミド分解物質が除去できた。詳しくは高
出力型遠紫外線応用装置（日本電池社製、光表面改質装
置ＤＵＶ１５０−１）を用いて、二層フィルムのポリイ
ミド表面に約４０ｍＷ／ｃｍ²の強度で２０分間紫外線
を照射した。このときの雰囲気のオゾン濃度は約４００
０ｐｐｍであり、雰囲気温度は１００℃であった。な
お、ドライデスミアの条件に関しては、温度が室温の場
合、オゾン濃度が２０００ｐｐｍ未満の場合、または照
射時間が１０分未満の場合、いずれも分解物量の減少は
認められるが、完全に除去することはできなかった。

【００４３】処理後、貫通孔の形状を観察したところ、
ポリイミド表面における貫通孔の開口部での孔径は３０
μｍφ、ポリイミドと銅層との界面（貫通孔の底部）で
の径は２０μｍφ、孔の深さは２６μｍであった。ポリ
イミド表面における水との接触角は、処理前が７４°で
あったのに対し、処理後では２６°であった。

【００４４】このようにして得られた二層フィルムの銅
層表面に塩化ビニル系のインクレジストを塗工し、１５
０℃、３０分間で硬化させて絶縁化した。加熱乾燥後の
接触角は６５℃に上がっていた。

【００４５】次に、紫外線−オゾン洗浄機（日本電池社
製、ポータブル型光表面改質装置ＤＵＶ−２５×４Ａ）
を用いて、二層フィルムのポリイミド表面に、１８５ｎ
ｍおよび２５４ｎｍの紫外線を１０分間照射し、オゾン
雰囲気下とした。このときのオゾン濃度は約５００ｐｐ
ｍであった。

【００４６】処理後の水との接触角は２８°に下がって
いた。この接触角が低いほど水との濡れ性が良く、その
結果、バンプ未成長および成長不良、ならびにバンプ変
形が減少するが、この濡れ性を維持できる時間は限られ
ており、空気雰囲気下２４時間後では接触角は４８℃に
まで上がる。従って、紫外線照射後、できる限り早くバ
ンプめっきを行うことにより、本発明が奏する効果を最
大限に活用できることになる。本実施例では紫外線照射
後からめっきまでの放置時間は３０分とした。

【００４７】なお、先に述べたインクレジストの乾燥工
程のために、貫通孔底部の銅表面が酸化されているの
で、めっき直前に銅の酸化膜除去を目的とした前処理を
行った。前処理剤は酸化銅を除去できるものであれば、
特に限定はないが、本実施例ではソフトエッチング剤
〔荏原ユージライト社製、ＰＢ−２２８（１００ｇ／
Ｌ）／硫酸（１０ｍＬ／Ｌ）の混液〕を用い、超音波振
動を併用しながら二層フィルムを１分間浸漬処理し、貫
通孔底部の露出した銅層を活性化させた。

【００４８】これを純水洗浄した後、銅層を電極に接続
して６０℃のニッケル浴に浸漬し、銅層をマイナス極と
して、貫通孔内にニッケルめっきを成長させた。電流密
度は５Ａ／ｄｍ²に設定し、ニッケルがポリイミドフィ
ルム表面から２０μｍ突出したときに、めっき処理を終
了した。

【００４９】最後に、塗工したレジスト層を剥離して、
ニッケルバンプ付きの二層フィルムを得た。この二層フ
ィルムのバンプすべてを顕微鏡観察したところ、バンプ
抜けまたはバンプ欠陥不良は一つもなかった。

【００５０】〔比較例１〕実施例１における、バンプめ
っき直前のオゾン雰囲気下での紫外線照射を省く以外
は、実施例１と同様にして操作を行った。その結果、９
９００個の孔のうち、８４個の孔にはバンプが成長して
いなかった。

【００５１】〔比較例２〕実施例１における、バンプめ
っき直前のオゾン雰囲気下での紫外線照射を省き、代わ
りに従来のメタノール置換法を用いた以外は、実施例１
と同様にして操作を行った。その結果、９９００個の孔
のうち、３個の孔にはバンプが成長していなかった。

【００５２】

【発明の効果】本発明の接点部の形成方法によれば、絶
縁性樹脂層の表面および／または絶縁性樹脂層に穿設さ
れた貫通孔の内面に、オゾン処理および／または紫外線
照射を行うので、絶縁性樹脂層の表面および／またはめ
っきすべき貫通孔の内面は、めっき液との濡れ性が向上
する。従って、めっき液が完全に貫通孔内に充填されな
いことによるバンプの未成長、めっき液の貫通孔内への
不十分な充填によるバンプの成長不良、さらにめっきの
際に気泡が絶縁性樹脂層の表面の貫通孔近傍に付着する
ことによるバンプ変形などの接点部の欠陥不良が極端に
減少するので、精密なバンプめっきなどの接点部の形成
が行える。特に、一製品あたりに多くの接点部を形成す
る場合、従来法では問題となっていた低歩留りが改善さ
れるので、大きな経済効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接点部の形成方法による製造工程を示
す、積層体の断面図である。

【符号の説明】

１絶縁性樹脂層１ａ表面１ｂ内面２導電層３貫通孔４積層体６紫外線７バンプ（接点部）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性樹脂層と導電層とが積層され、該
絶縁性樹脂層を貫通して該導電層に至る貫通孔を有する
積層体において、該絶縁性樹脂層の表面および／または
該貫通孔の内面に、オゾン処理および／または紫外線照
射を行った後、該貫通孔内に金属物質を充填することを
特徴とする接点部の形成方法。
【請求項２】紫外線照射をオゾンの存在下にて行うこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】１８５ｎｍおよび／または２５４ｎｍの
紫外線を照射することを特徴とする請求項１または２記
載の方法。
【請求項４】オゾン濃度が１００〜１０００ｐｐｍま
たは２０００〜１００００ｐｐｍであることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか記載の方法。